JP3218468B2 - 電子線描画装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばセルプロジェク
ション方式で近接効果の補正機構を備えた電子線描画装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体メモリ素子等の微細パター
ンを高速に描画するために電子線描画装置が使用されて
いる。微細パターンを高速に描画するためには、断面形
状が変化できる可変成形ビームを用いて、例えば幅が広
いパターンは断面形状の大きな電子ビームで描画し、逆
に幅が狭いパターンは断面形状の小さな電子ビームで描
画すればよい。

【０００３】また、半導体メモリ素子のように特定のメ
モリセルを繰り返すことにより構成されるパターンの場
合には、ステンシルマスク（電子線透過マスク）にその
繰り返しの基本となるパターンの拡大パターンを形成し
ておき、感光基板に所定間隔でそのパターンを縮小転写
していくことにより、全体の回路パターンを高速に高い
スループットで描画することができる。そこで、従来の
この種の電子線描画装置では、可変寸法の矩形のパター
ン及びメモリセルのパターン等のように繰り返しの基本
となる予め用意された複数個の転写用パターンの中から
任意に選んだパターンを縮小転写により描画できるよう
になっている。このような描画方式はセルプロジェクシ
ョン方式とも呼ばれている。

【０００４】また、一般に電子線描画装置においては、
例えば周期的なパターンを描画すると、周辺のパターン
の形状が変形する現象である近接効果を如何に補正する
かが重要な課題となっている。近接効果は電子線の後方
散乱に起因する現象である。そして、従来のセルプロジ
ェクション方式の描画装置においては、近接効果を補正
するために、可変成形ビームで描画する領域では、描画
ショット毎にドーズ（照射エネルギー量）を変えて描画
を行っていた。これにより、可変成形ビームで描画する
領域では近接効果補正が良好に補正されていた。

【０００５】一方、繰り返しの基本となるパターンの縮
小転写により描画する領域においては、縮小転写により
描画されるパターンの感光基板上での単位面積が５μｍ
角程度であるため、その５μｍ角程度の領域を単位とし
てドーズを変えた補正描画が行われていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うに５μｍ角程度の領域を単位としてドーズを変えたの
では、補正の単位が粗過ぎて、正確な近接効果補正が行
えない不都合があった。なお、そのように縮小転写によ
り描画する領域（セル部）で５μｍ角程度という粗いピ
ッチで近接効果の補正を行う方法は、電子線の加速電圧
が５０ｋＶでターゲットがシリコン（Ｓｉ）基板の場合
は、多少の効果がある。しかしながら、特にシリコン基
板上にタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）等の
重金属が堆積されているターゲットの場合には、後方散
乱電子量が多く、しかも後方散乱の拡がり半径が小さい
ために、５μｍ角程度ピッチでの補正では良好な補正が
できないという不都合があった。

【０００７】本発明は斯かる点に鑑み、セルプロジェク
ション方式で描画を行う場合にも近接効果を良好に補正
できる電子線描画装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による第１の電子
線描画装置は、例えば図１及び図２に示す如く、電子銃
（１）と、この電子銃から放出された電子線が照射され
る第１の矩形の開口パターン（３ａ）が形成された第１
の電子線透過マスク（３）と、複数の矩形の開口パター
ン（１８，１７−ｉ）が配列されると共に、この複数の
開口パターンの間にそれぞれ該開口パターンの幅の１／
２以上の幅の遮蔽領域（１９）が形成された第２の電子
線透過マスク（７）と、その第１の矩形の開口パターン
を透過した電子線を偏向させてその第２の電子線透過マ
スクの複数の開口パターンの１つの開口パターンの全部
又は一部に照射する第１の偏向手段（５）と、第２の矩
形の開口パターン（２１）及び縮小転写用のパターン
（２０−ｊ）を含む複数の転写パターンが配列されると
共に、これら複数の転写パターンの間にそれぞれこれら
の転写パターンの幅Ｌｃの１／２以上の幅Ｌｄの遮蔽領
域（２２）が形成された第３の電子線透過マスク（１
０）と、その第２の電子線透過マスクの複数の開口パタ
ーンの１つを透過した電子線を偏向させてその第３の電
子線透過マスク（１０）の複数の転写パターンの１つの
転写パターンの全部又は一部に照射する第２の偏向手段
（８）と、この電子線が照射された転写パターンの全部
又は一部の縮小像をターゲット（１６）上に結像する結
像手段（１２，１５）と、そのターゲット（１６）への
電子線の照射量を調整する照射量制御手段（２ａ，２
ｂ，１１）とを有し、可変成形ビームによる描画と一括
縮小転写による描画とを切り換えて描画するものであ
る。

【０００９】また、本発明による第２の電子線描画装置
は、例えば図１及び図２に示す如く、電子銃（１）と、
この電子銃から放出された電子線が照射される第１の矩
形の開口パターン（３ａ）が形成された第１の電子線透
過マスク（３）と、第２の矩形の開口パターン（２１）
と縮小転写用のパターン（２０−６２）とこの縮小転写
用のパターンを分割してなる複数の分割パターン（２０
−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５３）とを含
む複数の転写パターンが配列された第２の電子線透過マ
スク（１０）と、その第１の矩形の開口パターン（３
ｃ）を透過した電子線を偏向させて、その第２の電子線
透過マスクのその縮小転写用のパターン（２０−６２）
にその電子線を照射する際には、この縮小転写用のパタ
ーンの全部又は一部にその電子線を照射すると共に、そ
の第２の電子線透過マスクのその複数の分割パターン
（２０−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５３）
の１つにその電子線を照射する際には、この分割パター
ンの全部にその電子線を照射する偏向手段（５，８）
と、この電子線が照射された転写パターンの縮小像をタ
ーゲット（１６）上に結像する結像手段（１２，１５）
と、そのターゲット（１６）への電子線の照射量を調整
する照射量制御手段（２ａ，２ｂ，１１）とを有し、可
変成形ビームによる描画と一括縮小転写による描画とを
切り換えて描画するものである。

【００１０】この場合、それら複数の分割パターン（２
０−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５３）の面
積はそれぞれその縮小転写用のパターン（２０−６２）
の面積の３／５〜１／２５程度であることが望ましい。

【００１１】

【作用】斯かる本発明の第１の電子線描画装置によれ
ば、その第２の電子線透過マスク（７）には開口パター
ンの幅Ｌａの１／２以上の幅Ｌｂの遮蔽領域（１９）が
設けられ、同様にその第３の電子線透過マスク（１０）
には転写パターンの幅Ｌｃの１／２以上の幅Ｌｄの遮蔽
領域（２２）が設けられている。従って、第１の矩形の
開口パターン（３ｃ）を透過した電子線を、その第２の
電子線透過マスク（７）を介して順次偏向手段（５，
８）で横ずれさせて、その第２の電子線透過マスク（１
０）の或る縮小転写用のパターン（２０−ｊ）及び遮蔽
領域（２２）上にその電子線を照射することにより、そ
の縮小転写用のパターン（２０−ｊ）の任意の幅の分割
パターンの像がターゲット（１６）上に描画される。

【００１２】この場合、その縮小転写用のパターン（２
０−ｊ）全体のターゲット（１６）上の面積を例えば５
μｍ角とすると、その分割パターンの大きさは幅がほぼ
０になるまで小さくできる。そして、このような分割パ
ターンをターゲット（１６）上に投影して、照射量制御
手段（２ａ，２ｂ，１１）を用いて電子線のドーズを調
整することにより、従来よりも小さいピッチで近接効果
の補正を行うことができ、より良好に近接効果補正が行
われる。

【００１３】次に、第２の電子線描画装置によれば、そ
の第２の電子線透過マスク（１０）には、縮小転写用の
パターン（２０−６２）とこの縮小転写用のパターンを
分割してなる複数の分割パターン（２０−２７，２０−
３６，２０−４４，２０−５３）とが配列されている。
そして、照射量制御手段（２ａ，２ｂ，１１）を用いて
電子線のドーズを調整することにより、それら分割パタ
ーン（２０−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５
３）の像を順次ターゲット（１６）上に描画する。これ
により、従来よりも小さいピッチで近接効果の補正を行
うことができ、より良好に補正が行われる。

【００１４】また、特にそれら複数の分割パターンの面
積がそれぞれその縮小転写用のパターン（２０−６２）
の面積の３／５〜１／２５程度であるときには、近接効
果の補正を従来の３／５〜１／２５程度の面積単位で行
うことができる。また、分割パターンの面積がその縮小
転写用のパターン（２０−６２）に比べて小さすぎる
と、描画時間が長くなる不都合がある。従って、分割の
割合がその程度の場合に近接効果が良好に補正されると
共に、特に露光時間がそれ程長くならない。

【００１５】

【実施例】以下、本発明による電子線描画装置の一実施
例につき図面を参照して説明する。本例は、セルプロジ
ェクション方式の縮小転写による描画と可変成形ビーム
による描画とを切り換えて描画する描画装置に本発明を
適用したものである。

【００１６】図１は本例の電子線描画装置の構成を示
し、この図１において、１は電子銃である。この電子銃
１から順にブランキング用の上段の偏向器２ａ、ブラン
キング用の下段の偏向器２ｂ、第１成形開口板３、コン
デンサーレンズ４、セル選択用の偏向器５、第１成形レ
ンズ６及び第２成形開口板７を配置する。第１成形開口
板３の光軸ＡＸを含む中央部には正方形の１個の開口パ
ターン３ａを形成する。第２成形開口板７の下に、可変
成形用の偏向器８、第２成形レンズ９及びステンシルマ
スク１０を配置する。第２成形レンズ９により第２成形
開口板７の開口パターンの像をステンシルマスク１０上
に結像する。即ち、第２成形開口板７の配置面とステン
シルマスク１０の配置面とは共役である。

【００１７】このステンシルマスク１０の下側に順に、
ブランキングアパーチャ板１１、縮小レンズ１２、副偏
向器１３、主偏向器１４、対物レンズ１５及びターゲッ
ト１６を配置する。ブランキング用の偏向器２ａ及び２
ｂが動作していない状態ではブランキングアパーチャ板
１１の開口内にクロスオーバー像（電子線源の像）が結
像される。これに対して、偏向器２ａ及び２ｂを動作さ
せることにより、そのクロスオーバー像をブランキング
アパーチャ板１１の遮蔽部上に結像して、ターゲット１
６への電子線の照射を中断することができる。これによ
りターゲット１６への電子線の各ショットのドーズを調
整することができ、偏向器２ａ，２ｂ及びブランキング
アパーチャ板１１は照射量制御手段として機能する。

【００１８】図２（ａ）は図１の第２成形開口板７のパ
ターンを示し、この図２（ａ）に示すように、第２成形
開口板７のパターン領域を９行×９列の小領域に分割す
る。そして、光軸ＡＸの直下の１個の小領域を除く８０
個の小領域にはそれぞれ比較的大きな矩形又は正方形の
開口パターン１７−１，１７−２〜１７−８０を形成す
る。また、その光軸ＡＸの直下の小領域には、可変成形
ビーム用の正方形の開口パターン１８を形成する。

【００１９】また、ｉ番目（ｉ＝１〜８０）の開口パタ
ーン１７−ｉのＸ方向及びこれに垂直なＹ方向の幅をそ
れぞれＬａ及びＭａとすると、この開口パターン１７−
ｉとこのパターンに隣接する開口パターンとの間にはＸ
方向の幅がＬｂでＹ方向の幅がＭｂの遮蔽領域１９を形
成する。この場合、遮蔽領域１９のＸ方向の幅Ｌｂは幅
Ｌａの１／２以上に設定し、遮蔽領域１９のＹ方向の幅
Ｍｂは幅Ｍａの１／２以上に設定する。即ち、以下の関
係が成立している。 Ｌｂ≧Ｌａ／２，Ｍｂ≧Ｍａ／２ （１）

【００２０】図２（ｂ）は図１のステンシルマスク１０
のパターンを示し、この図２（ｂ）に示すように、ステ
ンシルマスク１０のパターン領域も９行×９列の小領域
に分割する。これらステンシルマスク１０上の８１個の
小領域又はその近傍にはそれぞれ図２（ａ）の第２成形
開口板７の８１個の小領域を通過した電子線が１対１で
結像される。そして、図２（ｂ）のステンシルマスク１
０において、光軸ＡＸの上の１個の小領域を除く８０個
の小領域にはそれぞれ、メモリセル等の繰り返しの基本
となる転写用パターン２０−１，２０−２，２０−３〜
２０−８０を形成する。また、光軸ＡＸ上の１個の小領
域上には可変成形ビーム用の正方形の開口パターン２１
を形成する。この開口パターン２１は、第２成形開口板
７上の開口パターン１８に対して共役である。

【００２１】また、ｊ番目（ｊ＝１〜８０）の転写用パ
ターン２０−ｊのＸ方向及びこれに垂直なＹ方向の最大
の幅をそれぞれＬｃ及びＭｃとすると、この転写用パタ
ーン２０−ｊとこのパターンに隣接する転写用パターン
との間にはＸ方向の幅がＬｄでＹ方向の幅がＭｄの遮蔽
領域２２を形成する。この場合、遮蔽領域２２のＸ方向
の幅Ｌｄは幅Ｌｃの１／２以上に設定し、遮蔽領域２２
のＹ方向の幅Ｍｄは幅Ｍｃの１／２以上に設定する。即
ち、以下の関係が成立している。 Ｌｄ≧Ｌｃ／２，Ｍｄ≧Ｍｃ／２ （２）

【００２２】また、図２（ｂ）において、転写用パター
ン２０−６２は全面に回路パターン等が形成されている
が、この転写用パターン２０−６２を複数に分割したパ
ターンが形成された転写用パターン２０−２７，２０−
３６，２０−４４，２０−５３をもステンシルマスク１
０上に配置する。従って、本例では順次転写用パターン
２０−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５３のパ
ターンをターゲット１６上に縮小転写することによって
も、転写用パターン２０−６２のパターンと同一のパタ
ーンを描画することができる。

【００２３】図１の装置の基本的な動作につき説明する
に、電子銃１から放出された電子線は第１成形開口板３
の正方形の開口パターン３ａを一様な強度で照明する。
第１成形開口板３で断面が正方形に整形された電子線
は、コンデンサーレンズ４及び第１成形レンズ６を介し
て第２成形開口板７の一つの開口パターン上又はその近
傍に照射され、この領域に第１成形開口板３の開口パタ
ーンの像が結像される。この際に、セル選択用の偏向器
５に与える電圧を調整することによって第２成形開口板
７の開口パターン群の任意の一つの開口パターン又はそ
の近傍が照明される。

【００２４】その電子線により照明された第２成形開口
板７の開口パターンの全部又は一部の像が、第２成形レ
ンズ９によりステンシルマスク１０の対応する領域上に
結像される。ステンシルマスク１０を透過した電子線
は、縮小レンズ１２及び対物レンズ１５を介してターゲ
ット１６上に集束され、そのステンシルマスク１０上の
選択されたパターンの全部又は一部の縮小像がターゲッ
ト１６上に露光される。この際に、ターゲット１６上で
可変成形ビームによる描画を行うときには、第２成形開
口板７の開口パターン１８及びステンシルマスク１０の
開口パターン２１が選択される。そして、偏向器８を動
作させてステンシルマスク１０上で電子線を横ずれさせ
ることにより、ターゲット１６上で断面が可変の矩形の
電子ビームによる描画を行うことができる。

【００２５】一方、メモリセル等のパターンを縮小転写
する場合には、ステンシルマスク１０上の転写用パター
ン２０−１，２０−２〜２０−８０の何れかが選択さ
れ、この選択されたパターンの全部又は一部が縮小され
てターゲット１６上に露光される。

【００２６】次に、図３及び図４を参照して本例で近接
効果を補正する露光を行う場合の動作につき説明する。
この場合、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２成
形開口板７上の開口パターン１７−２及びステンシルマ
スク１０上の転写用パターン２０−２を選択して描画を
行うものとする。

【００２７】先ず、図１の第１成形開口板３の開口パタ
ーン３ａの第２成形開口板７上での像を３ａＧとして、
図１の偏向器５を動作させて、図３（ａ）に示すよう
に、開口パターン１７−２上でその像３ａＧをＸ方向に
横ずれさせる。その開口パターン３ａの像３ａＧは開口
パターン１７−２よりやや大きい程度である。また、本
例では幅Ｌａの開口パターン１７−２とそれにＸ方向に
隣接する開口パターン１７−１との間には幅Ｌｂ（≧Ｌ
ａ／２）の遮光領域１９が形成されているが、その像３
ａＧは最大でもその遮光領域１９を超えて開口パターン
１７−１にかからない程度に横ずれさせる。従って、開
口パターン１７−２と像３ａＧとが重なったパターン領
域２３を照射する電子線だけがステンシルマスク１０に
向かう。

【００２８】次に、その領域２３を通過した電子線は、
図１の第２成形レンズ９によりステンシルマスク１０の
対応する転写パターン２０−２の上にその領域２３の像
２３Ｇを結像する。この際に、図１の可変成形ビーム用
の偏向器８を動作させて、図３（ｂ）に示すように、そ
のＸ方向の幅Ｌｃの転写パターン２０−２上でその領域
２３の像２３ＧをＸ方向に横ずれさせる。図３（ａ）の
開口パターン１７−２全体の像は転写用パターン２０−
２よりやや大きい程度である。また、本例では幅Ｌｃの
転写用パターン２０−２とそれにＸ方向に隣接する転写
用パターン２０−１との間には幅Ｌｄ（≧Ｌｃ／２）の
遮光領域２２が形成されているが、その像２３Ｇは最大
でもその遮光領域２２を超えて転写用パターン２０−１
にかからない程度に横ずれさせる。

【００２９】従って、転写用パターン２０−２と像２３
Ｇとが重なったパターン領域２４を照射する電子線だけ
がターゲット１６に向かう。これにより、ターゲット１
６上には転写用パターン２０−２の一部のパターン領域
２４の縮小像が描画される。また、図２に示すように、
第２成形開口板７及びステンシルマスク１０にはそれぞ
れＹ方向にも遮光領域１９及び２２が設けてあるため、
転写用パターン２０−２をＹ方向に制限したパターンを
も同様にターゲット１６上に縮小転写することができ
る。

【００３０】また、図３（ａ）及び（ｂ）において、遮
光領域１９の幅Ｌｂは開口パターン１７−２の幅Ｌａの
１／２以上であり、遮光領域２２の幅Ｌｄは転写用パタ
ーン２０−２の幅Ｌｃの１／２以上であるため、開口パ
ターン３ａの像３ａＧ及び像２３Ｇをそれぞれ最大限横
ずれさせることにより、転写用パターン２０−２と像２
３Ｇとが重なったパターン領域２４の面積はほぼ０にす
ることができる。そして、転写用パターン２０−２の一
部のパターンの縮小像をターゲット１６上に描画してい
る際には、ブランキング用の偏向器２ａ，２ｂ及びブラ
ンキングアパーチャ板１１を用いてそのターゲット１６
に対する電子線のドーズを調整する。

【００３１】その場合、パターンを高密度に描画する領
域では、その転写用パターン２０−２の全体をそのまま
ターゲット１６上に露光する。そして、パターンが粗な
領域ではその転写用パターン２０−２を一部ずつターゲ
ット１６上に露光すると共に、各露光におけるドーズを
多くする。これにより後方散乱電子の量がターゲット１
６の全面でほぼ一様になり近接効果が補正される。更
に、転写用パターン２０−２を部分的に露光してそれぞ
れドーズを調整することにより、近接効果の補正ピッチ
を従来よりも小さくでき、より良好に近接効果を補正で
きる。

【００３２】例えばターゲット１６に電子線を入射させ
たときの後方散乱電子の拡がり半径はほぼその電子線の
レンジ程度である。ターゲット１６がシリコン（Ｓｉ）
基板の場合、５０ｋＶで加速された電子線のシリコン中
のレンジは１５μｍ程度である。従って、後方散乱電子
の拡がり半径が１５μｍ程度であるから、この１／５程
度のピッチ即ち３μｍピッチで補正描画を行えば近接効
果はかなり良好に補正ができる。従って、５μｍ角の縮
小像に対応するステンシルマスク１０上の転写用パター
ンのうち幅及び長さがそれぞれ３／５の領域だけ照明し
て、この領域を通過した電子ビームで補正描画を行えば
よい。

【００３３】また、タングステン（Ｗ）等の重金属中で
の電子線のレンジは２．５μｍ程度であるが、通常タン
グステン等の層は薄いので、後方散乱電子の拡がり半径
は２．５μｍとシリコン基板の場合の１５μｍとの中間
の５μｍ程度であり、１μｍピッチ程度で補正露光を行
えばよい。従って１μｍ×１μｍの大きさの縮小像のビ
ームでドーズを補正して描画を行えばよい。

【００３４】図４を参照して、より具体的に説明する。
図４（ａ）はターゲット１６上のパターンの一例を示
し、この図４（ａ）において、２５−１，２５−２，２
５−３，‥‥は周辺部の低密度（粗）のパターンであ
り、点線で示す領域２６内には高密度のパターン２７が
僅かな隙間で多数配列されているとする。この場合、領
域２６の内部を周辺部では細かく、中央部では５μｍ角
に分割する。即ち、中央の領域３３の一辺の長さＬは５
μｍであり、５μｍ角とは図３（ｂ）の転写用パターン
２０−２の全体の縮小像と同じ面積である。そして、領
域２８では中央部の１．５倍のドーズを与え、領域２９
では１．４倍、領域３０では１．３倍、領域３１では
１．２倍、領域３２では１．１倍のドーズを与える。更
に、周辺の低密度のパターン２５−１，２５−２，２５
−３，‥‥は可変成形ビームで描画すると共に、そのド
ーズは中央の領域３３の場合の２．１倍とした。

【００３５】次に、図４（ｂ）はシリコン（Ｓｉ）基板
表面にタングステン（Ｗ）が０．２μｍの厚みで部分的
に蒸着されているターゲット上に描画する場合を示し、
この図４（ｂ）において、３４がタングステンの下地パ
ターンである。そして、下地パターン３４の周辺部では
領域を細かく分割し、下地パターン３４から離れた所で
は領域３５のように５μｍ角に分割する。即ち、領域３
５の一辺Ｌ２は５μｍである。そして、領域３５のドー
ズを１とすると、領域３６では０．９倍、領域３７では
０．８倍、領域３８では０．７倍、領域３９では０．６
５倍、領域４０では０．６倍、領域４１では０．５倍の
ドーズでそれぞれ描画した。

【００３６】次に、図２（ｂ）に示すステンシルマスク
１０上の分割された転写用パターン２０−２７，２０−
３６，２０−４４，２０−５３を用いて近接効果を補正
する方法について説明する。その前に、図３（ａ）及び
（ｂ）のように転写用パターン２０−２の一部のみを照
明する方法の場合には次のような不都合がある。即ち、
図３（ｂ）の領域２４のパターンをターゲット１６上に
露光する際には、その領域２４に隣接する領域のパター
ンもそのターゲット１６上で接続されるように露光され
る。このターゲット１６上の接続部には図３（ａ）の開
口パターン１７−２のエッジの像が現れる。

【００３７】この場合、開口パターン１７−２のステン
シルマスク１０上の像は、図１の第２成形開口板７から
ステンシルマスク１０の間で余分に空間電荷効果を受け
ているため、その像のエッジがシャープでない。そのた
めに、ターゲット１６上のパターンの接続部が歪む虞が
ある。その対策として、図２（ｂ）に示すステンシルマ
スク１０上の小面積の転写用パターン２０−２７，２０
−３６，２０−４４，２０−５３の像をターゲット１６
上に順にドーズを調整しながら露光する。これにより、
空間電荷効果で開口パターン１７−２のエッジが不鮮明
になった場合でも、ターゲット１６上には接続部の歪の
無い、且つ近接効果が補正されたパターンを描画でき
る。

【００３８】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。

【００３９】

【発明の効果】本発明の第１の電子線描画装置によれ
ば、第２及び第３の電子線透過マスクの遮蔽領域に電子
線を順次横ずれさせて転写パターンの一部だけをドーズ
を変えてターゲット上に描画できるので、セルプロジェ
クション方式で描画を行う場合にも近接効果を良好に補
正できる利点がある。この場合、マスクパターンの形状
を変える必要がないので、パターンを部分的に太らせた
り細らせたりして近接効果の補正を行う場合よりも簡単
に近接効果が補正できる。

【００４０】また、第２の電子線描画装置によれば、分
割パターンをドーズを変えてターゲット上に描画するこ
とにより、セルプロジェクション方式で描画を行う場合
にも近接効果を良好に補正できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電子線描画装置の一実施例の縦断
面に沿う端面図である。

【図２】（ａ）は図１の第２成形開口板７のパターンを
示す平面図、（ｂ）は図１のステンシルマスク１０のパ
ターンを示す平面図である。

【図３】（ａ）は図１の第２成形開口板７上での電子線
の横ずれの説明図、（ｂ）は図１のステンシルマスク１
０上での電子線の横ずれの説明図である。

【図４】（ａ）は実施例で近接効果の補正を行う際のタ
ーゲット上での領域の分割方法の一例を示す平面図、
（ｂ）はターゲット上での領域の分割方法の他の例を示
す平面図である。

【符号の説明】

１ 電子銃 ２ａ，２ｂ ブランキング用の偏向器 ３ 第１成形開口板 ４ コンデンサーレンズ ５ セル選択用の偏向器 ６ 第１成形レンズ ７ 第２成形開口板 ８ 可変成形ビーム用の偏向器 ９ 第２成形レンズ １０ ステンシルマスク １１ ブランキングアパーチャ板 １２ 縮小レンズ １３ 副偏向器 １４ 主偏向器 １５ 対物レンズ １６ ターゲット １７−１，１７−２，１７−３，‥‥ 開口パターン ２０−１，２０−２，２０−３，‥‥ 転写用パターン

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子銃と、 該電子銃から放出された電子線が照射される第１の矩形
   の開口パターンが形成された第１の電子線透過マスク
   と、複数の矩形の開口パターンが配列されると共に、該複数
   の開口パターンの間にそれぞれ該開口パターンの幅の１
   ／２以上の幅の遮蔽領域が形成された第２の電子線透過
   マスクと、 前記第１の矩形の開口パターンを透過した電子線を偏向
   させて前記第２の電子線透過マスクの前記複数の開口パ
   ターンの１つの開口パターンの全部又は一部に照射する
   第１の偏向手段と、 第２の矩形の開口パターン及び縮小転写用のパターンを
   含む複数の転写パターンが配列されると共に、該複数の
   転写パターンの間にそれぞれ該転写パターンの幅の１／
   ２以上の幅の遮蔽領域が形成された第３の電子線透過マ
   スクと、 前記第２の電子線透過マスクの前記複数の開口パターン
   の１つを透過した電子線を偏向させて前記第３の電子線
   透過マスクの前記複数の転写パターンの１つの転写パタ
   ーンの全部又は一部に照射する第２の偏向手段と、 該電子線が照射された転写パターンの全部又は一部の縮
   小像をターゲット上に結像する結像手段と、 前記ターゲットへの電子線の照射量を調整する照射量制
   御手段とを有し、 可変成形ビームによる描画と一括縮小転写による描画と
   を切り換えて描画することを特徴とする電子線描画装
   置。
2. 【請求項２】 電子銃と、 該電子銃から放出された電子線が照射される第１の矩形
   の開口パターンが形成された第１の電子線透過マスク
   と、 第２の矩形の開口パターンと縮小転写用のパターンと該
   縮小転写用のパターンを分割してなる複数の分割パター
   ンとを含む複数の転写パターンが配列された第２の電子
   線透過マスクと、 前記第１の矩形の開口パターンを透過した電子線を偏向
   させて、前記第２の電子線透過マスクの前記縮小転写用
   のパターンに前記電子線を照射する際には、該 縮小転写
   用のパターンの全部又は一部に前記電子線を照射すると
   共に、前記第２の電子線透過マスクの前記複数の分割パ
   ターンの１つに前記電子線を照射する際には、該分割パ
   ターンの全部に前記電子線を照射する偏向手段と、 該電子線が照射された転写パターンの縮小像をターゲッ
   ト上に結像する結像手段と、 前記ターゲットへの電子線の照射量を調整する照射量制
   御手段とを有し、 可変成形ビームによる描画と一括縮小転写による描画と
   を切り換えて描画することを特徴とする電子線描画装
   置。