JP3212858B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP3212858B2
JP3212858B2 JP33473495A JP33473495A JP3212858B2 JP 3212858 B2 JP3212858 B2 JP 3212858B2 JP 33473495 A JP33473495 A JP 33473495A JP 33473495 A JP33473495 A JP 33473495A JP 3212858 B2 JP3212858 B2 JP 3212858B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、映像光を結像し
それを電気信号に変換する固体撮像装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図5は第1の従来例の固体撮像装置の構
成を示すブロック図である。図5において、1は固体撮
像素子、2は信号処理手段、3はアナログ−デジタル変
換手段、4は撮像素子制御手段である。図5の固体撮像
装置において、固体撮像素子1は、一撮像期間毎に入射
した光量に応じて内部に電荷を蓄積する。撮像素子制御
手段4は、固体撮像素子1が蓄積した電荷量の大きさを
示す信号を出力するとともに電荷の蓄積量を0にリセッ
トするように、固体撮像素子1を動作制御する。固体撮
像素子1からの出力信号は信号処理手段2でノイズ除
去、ガンマ補正、増幅等の処理がなされた後、アナログ
−デジタル変換手段3に入力され、デジタル値に変換さ
れて出力される。
【0003】図5における固体撮像素子1の一撮像期間
内に蓄積される電荷量と電荷蓄積時間との関係を図6に
示し、一撮像期間内に蓄積される電荷量と入射した光量
との関係を図7に示す。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図5に示す構成では、
固体撮像素子1の持つ画素位置における電荷蓄積特性に
より、撮像した画像は固定パターンノイズが含まれる画
質の悪い画像となる。固定パターンノイズは、固体撮像
素子1の最大蓄積可能電荷量の画素毎のばらつきであ
り、固体撮像素子1の持つ画素位置における電荷蓄積特
性は、固体撮像素子1自体の温度によって変化し、固定
パターンノイズの除去のために温度計測手段(温度セン
サ)を用いた固体撮像装置が提案されている。この提案
例を第2の従来例の固体撮像装置として、図8に示す。
【0005】図8は第2の従来例の固体撮像装置の構成
を示すブロック図である。図8において、1は固体撮像
素子、2は信号処理手段、3はアナログ−デジタル変換
手段、4は撮像素子制御手段、5は蓄積電荷切替手段、
6はノイズ除去手段、7は比較手段、8は記憶手段、9
は温度センサ、10は記憶手段、12は加算手段を示し
ている。図8において、固体撮像素子1、信号処理手段
2、アナログ−デジタル変換手段3、撮像素子制御手段
4は、第1の従来例の図5に示したものと同じである。
【0006】また、図8の固体撮像素子1において、一
撮像期間内に蓄積される電荷量と電荷蓄積時間との関係
を図9の実線Aで示し、一撮像期間内に蓄積される電荷
量と入射した光量との関係を図10の実線Bで示す。な
お、図9,図10の破線a,bは、比較のため図5に示
す第1の従来例の固体撮像装置の特性を示したものであ
り、図6,図7と同等のものである。
【0007】蓄積電荷切替手段5は、固体撮像素子1の
OFD(オーバーフロードレイン)制御のために固体撮
像素子1に与える電位(Vsub )を、図9に示すよう
に、一撮像期間内のある時間Tcで変えることによっ
て、一撮像期間内の最初から時間Tcまでの固体撮像素
子1の蓄積可能電荷量は第1の電荷量Qsat1(>0)で
あり、時間Tc後は第2の電荷量Qsat2(>Qsat1)に
切替わるように、撮像素子制御手段4の出力信号に変更
を加えて出力する機能を持つ。
【0008】記憶手段8には、固体撮像素子1の蓄積可
能電荷量をQsat1に設定した場合、実際に蓄積される電
荷量をアナログ−デジタル変換したデータが記憶されて
おり、アナログ−デジタル変換手段3から出力されるデ
ータに対応する画素と、記憶手段8から出力されるデー
タに対応する画素とが同じになるように、撮像素子制御
手段4によって動作制御される。
【0009】温度センサ9は固体撮像素子1またはその
周辺の温度を測定し、記憶手段10は保持している変換
表に基づいて、温度センサ9から入力された温度データ
に対応する補正係数を出力する。記憶手段10から出力
された補正係数と記憶手段8から出力されたデータは加
算手段12において加算され、比較手段7には加算手段
12の加算結果が入力される。比較手段7は、アナログ
−デジタル変換手段3と加算手段12から入力されたデ
ータの大きさを比較し、その結果を出力する機能を持
つ。
【0010】ノイズ除去手段6は、比較手段7から入力
した比較結果に基づいて、アナログ−デジタル変換手段
3の出力が加算手段12の出力より小さい場合は、アナ
ログ−デジタル変換手段3から入力したデータをそのま
ま出力し、アナログ−デジタル変換手段3の出力が加算
手段12の出力以上の場合は、加算手段12の出力デー
タを基準にしてアナログ−デジタル変換手段3からの入
力データを補正して出力する。
【0011】図8の固体撮像装置では、固体撮像素子1
の蓄積可能電荷量を第1の電荷量Qsat1に設定した場合
に、実際に蓄積される電荷量が、固体撮像素子1または
固体撮像素子1の周辺温度によって変化したとき、記憶
手段8に記憶されているデータはノイズ除去手段6にお
ける基準値としての意味をなさなくなるため、温度セン
サ9、記憶手段10、加算手段12によって、記憶手段
8に記憶されているデータを温度特性に基づいて補正し
ている。
【0012】このように第2の従来例では、固体撮像素
子1の持つ画素位置における電荷蓄積特性が固体撮像素
子1自体の温度によって変化するため、温度センサ9で
固体撮像素子1の温度を測定し、記憶手段8に記憶され
ているデータを温度特性に基づいて補正することによ
り、固体撮像素子1の固定パターンノイズを除去して画
質劣化を防止している。
【0013】しかしながら、第2の従来例で用いている
温度センサ9は、固体撮像素子1のパッケージ表面の温
度を測定するものであり、固体撮像素子1のパッケージ
表面の温度は周囲温度に依存し、例えば周囲温度が変化
しても固体撮像素子1自体の温度は一定の場合もあり、
固体撮像素子1自体の温度と温度センサ9により計測し
た温度とが異なる場合があった。このように温度センサ
9では、固体撮像素子1の正確な温度を計測することが
できず、したがって、固体撮像素子1自体の温度とは異
なる計測温度を用いて、記憶手段8に記憶されているデ
ータを補正することになれば、固定パターンノイズの除
去が良好に行われず、良い画質の得られないものとな
る。
【0014】この発明は、固体撮像素子自体の正確な温
度に応じて固体撮像素子の固定パターンノイズを除去
し、良好な画質の得られる固体撮像装置を提供すること
を目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の固体撮像
装置は、固体撮像素子と、固体撮像素子の最大蓄積可能
電荷量に対応するデータを保持する記憶手段と、固体撮
像素子の暗電流を計測する暗電流計測手段と、暗電流の
値に対応する記憶手段のデータの補正量を出力するデー
タ補正量設定手段と、最大蓄積可能電荷量に対応するデ
ータをデータの補正量を用いて補正し基準レベルとして
出力する基準レベル設定手段と、固体撮像素子の出力信
号レベルが基準レベル以上のときに制御信号を出力する
比較手段と、比較手段の制御信号に応答して基準レベル
に基づいて固体撮像素子の出力信号を補正するノイズ除
去手段とを備えている。
【0016】この構成によれば、固体撮像素子の暗電流
の対数値が温度に比例することを利用して、固体撮像素
子の出力から暗電流の計測を行い、その計測値に基づい
て最大蓄積可能電荷量に対応するデータを補正すること
により、温度によって固定パターンノイズの変化する固
体撮像素子を用いても、固体撮像素子自体の正確な温度
に応じて固体撮像素子の固定パターンノイズを除去し、
固定パターンノイズによる画質劣化のない画像を得るこ
とができる。
【0017】請求項2記載の固体撮像装置は、蓄積可能
電荷量を制御可能な固体撮像素子と、固体撮像素子の蓄
積可能電荷量を零より大きな第1の電荷量と第1の電荷
量より大きな第2の電荷量とに切替可能で、一撮像期間
内において第1の電荷量,第2の電荷量の順に切替えを
行う蓄積電荷切替手段と、固体撮像素子の第1の電荷量
に対応するデータを保持する記憶手段と、固体撮像素子
の暗電流を計測する暗電流計測手段と、暗電流の値に対
応する記憶手段のデータの補正量を出力するデータ補正
量設定手段と、第1の電荷量に対応するデータをデータ
の補正量を用いて補正し基準レベルとして出力する基準
レベル設定手段と、固体撮像素子の出力信号レベルが基
準レベル以上のときに制御信号を出力する比較手段と、
比較手段の制御信号に応答して基準レベルに基づいて固
体撮像素子の出力信号を補正するノイズ除去手段とを備
えている。
【0018】この構成によれば、請求項1の構成同様、
温度によって固定パターンノイズの変化する固体撮像素
子を用いても、固体撮像素子自体の正確な温度に応じて
固体撮像素子の固定パターンノイズを除去し、固定パタ
ーンノイズによる画質劣化のない画像を得ることができ
る。さらに、一撮像期間内において第1の電荷量,第2
の電荷量の順に切替えを行う蓄積電荷切替手段を有する
ことにより、固体撮像素子のオーバーフロードレイン制
御を行うことができる。
【0019】請求項3記載の固体撮像装置は、請求項2
記載の固体撮像装置において、固体撮像素子の蓄積可能
電荷量を第1の電荷量と第2の電荷量とに切替可能であ
る蓄積電荷切替手段に代えて、固体撮像素子の蓄積可能
電荷量を零と第1の電荷量と第2の電荷量とに切替可能
で、一撮像期間内において零,第1の電荷量,第2の電
荷量の順に切替えを行う蓄積電荷切替手段を設けたこと
を特徴とする。
【0020】この構成によれば、請求項2の構成におい
て、蓄積電荷切替手段が固体撮像素子の蓄積可能電荷量
を、一撮像期間内において零,第1の電荷量,第2の電
荷量の順に切替えを行うことにより、固体撮像素子の撮
像時間が短くなり、フィルムカメラのシャッタスピード
を速くした場合と同じ効果が得られ、移動物体の撮像に
対し、“ぶれ”の少ない画像を得ることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を用いて説明する。図1はこの発明の第1の実
施の形態の固体撮像装置の構成を示すブロック図であ
る。図1において、1は固体撮像素子、2は信号処理手
段、3はアナログ−デジタル変換手段、4は撮像素子制
御手段、6はノイズ除去手段、7は比較手段、8は記憶
手段、10は記憶手段(データ補正量設定手段)、11
は減算手段(暗電流計測手段)、12は加算手段(基準
レベル設定手段)、13は遅延手段(暗電流計測手段)
である。なお、固体撮像素子1、信号処理手段2、アナ
ログ−デジタル変換手段3、撮像素子制御手段4、ノイ
ズ除去手段6、比較手段7、記憶手段8、記憶手段10
および加算手段12は、図8に示したものと同じであ
る。
【0022】図2は、有効画素部において、その画素の
入射光を遮蔽した状態でのアナログ−デジタル変換手段
3の出力波形を示す図である。図2において、は一水
平期間、は有効画素部の出力期間、は空送り部の出
力期間を示しているまた、図3は固体撮像素子1の概
略構成図であり、21はフォトダイオード、22はVC
CD(垂直方向CCD)、23はHCCD(水平方向C
CD)、24は出力アンプである。
【0023】まず、図2および図3を参照しながら、こ
の発明の実施の形態におけるポイントを説明する。図2
の期間における有効画素部の出力には、図3のフォト
ダイオード21、VCCD22、HCCD23および出
力アンプ24で発生するノイズ成分を含んでおり、ま
た、図2の期間における空送り部の出力には、図3の
VCCD22、HCCD23および出力アンプ24で発
生するノイズ成分を含んでいる。したがって、図2の期
間とにおける出力の差、すなわち有効画素部の出力
と空送り部の出力の差は、フォトダイオード21におけ
るノイズ成分、すなわちフォトダイオード21の暗電流
の大きさを示すことになる。
【0024】この実施の形態では、フォトダイオード2
1の暗電流の対数値が温度に比例することを利用して、
固体撮像素子の出力(図1ではアナログ−デジタル変換
手段3の出力)から暗電流の計測を行い、その計測値に
基づいて固定パターンノイズの除去をするための係数を
修正することにより、固体撮像素子およびその周辺温度
に左右されない、良い画質の映像を得るようにしたもの
である。
【0025】さらに、図1を参照しながら第1の実施の
形態について説明する。記憶手段8には、固体撮像素子
1の固定パターンノイズに相当する電荷量をアナログ−
デジタル変換したデータ、すなわち固体撮像素子1の最
大蓄積可能電荷量に対応するデータが記憶されており、
アナログ−デジタル変換手段3から出力されるデータに
対応する画素と、記憶手段8から出力されるデータに対
応する画素とが同じになるように、撮像素子制御手段4
によって動作制御される。
【0026】減算手段11は、アナログ−デジタル変換
手段3の出力と遅延手段13の出力とを入力して、図2
の期間における有効画素部の出力と期間における空
送り部の出力との差、すなわち暗電流を計算し、その結
果を出力する。記憶手段10は保持している変換表に基
づいて、減算手段11の出力する値に対応する補正係数
を出力する。この記憶手段10は、撮像素子制御手段4
によって記憶手段8と同様にして、動作制御される。記
憶手段10から出力された補正係数と記憶手段8から出
力されたデータは加算手段12において加算され、比較
手段7には加算手段12の加算結果が入力される。
【0027】比較手段7は、アナログ−デジタル変換手
段3と加算手段12から入力されたデータの大きさを比
較し、その結果をノイズ除去手段6へ出力する。ノイズ
除去手段6は、比較手段7から入力した比較結果に基づ
いて、アナログ−デジタル変換手段3の出力が加算手段
12の出力より小さい場合は、アナログ−デジタル変換
手段3から入力したデータをそのまま出力し、アナログ
−デジタル変換手段3の出力が加算手段12の出力(基
準レベル)以上の場合は、加算手段12の出力データを
基準にしてアナログ−デジタル変換手段3からの入力デ
ータを補正して出力する。すなわち、固定パターンノイ
ズ成分の減算されたデータが出力される。
【0028】図1において、固体撮像素子1の固定パタ
ーンノイズに相当するデータが記憶手段8に記憶されて
いる場合、記憶手段8に記憶されているデータは、固体
撮像素子1の温度変化によってノイズ除去手段6におけ
る基準値としての意味をなさなくなるため、記憶手段1
0、減算手段11、加算手段12、遅延手段13によっ
て、記憶手段8に記憶されているデータを温度特性に基
づいて補正する。
【0029】以上のようにこの第1の実施の形態によれ
ば、温度によって固定パターンノイズの変化する固体撮
像素子1を用いても、固体撮像素子1自体の正確な温度
に応じて固定パターンノイズを除去することができ、固
定パターンノイズによる画質劣化のない画像を得ること
ができる。つぎに、この発明の第2の実施の形態につい
て説明する。
【0030】図4はこの発明の第2の実施の形態の固体
撮像装置の構成を示すブロック図である。図4におい
て、1は固体撮像素子、2は信号処理手段、3はアナロ
グ−デジタル変換手段、4は撮像素子制御手段、5は蓄
積電荷切替手段、6はノイズ除去手段、7は比較手段、
8は記憶手段、10は記憶手段(データ補正量設定手
段)、11は減算手段(暗電流計測手段)、12は加算
手段(基準レベル設定手段)、13は遅延手段(暗電流
計測手段)である。この図4において、固体撮像素子
1、信号処理手段2、アナログ−デジタル変換手段3、
撮像素子制御手段4、ノイズ除去手段6、比較手段7、
記憶手段8、記憶手段10、減算手段11、加算手段1
2および遅延手段13は、図1の第1の実施の形態で示
したものと同じである。
【0031】蓄積電荷切替手段5は、第2の従来例(図
8)に示したものと同じで、固体撮像素子1のOFD
(オーバーフロードレイン)制御のために、固体撮像素
子1に与える電位(Vsub )を、一撮像期間内のある時
間Tc(図9参照)で変えることによって、一撮像期間
内の最初から時間Tcまでの固体撮像素子1の蓄積可能
電荷量は第1の電荷量Qsat1(>0)であり、時間Tc
後は第2の電荷量Qsat2(>Qsat1)に切替わるよう
に、撮像素子制御手段4の出力信号に変更を加えて出力
する機能を持つ。
【0032】記憶手段8には、固体撮像素子1の蓄積可
能電荷量を第1の電荷量Qsat1に設定した場合、実際に
蓄積される電荷量をアナログ−デジタル変換したデータ
が記憶されており、アナログ−デジタル変換手段3から
出力されるデータに対応する画素と、記憶手段8から出
力されるデータに対応する画素とが同じになるように、
撮像素子制御手段4によって動作制御される。
【0033】減算手段11は、アナログ−デジタル変換
手段3の出力と遅延手段13の出力とを入力し、図2の
における有効画素部の出力とにおける空送り部の出
力との差、すなわち暗電流を計算し、その結果を出力す
る。記憶手段10は保持している変換表に基づいて、減
算手段11の出力する値に対応する補正係数を出力す
る。この記憶手段10は、撮像素子制御手段4によって
記憶手段8と同様にして、動作制御される。記憶手段1
0から出力された補正係数と記憶手段8から出力された
データは加算手段12において加算され、比較手段7に
は加算手段12の加算結果が入力される。
【0034】比較手段7は、アナログ−デジタル変換手
段3と加算手段12から入力されたデータの大きさを比
較し、その結果をノイズ除去手段6へ出力する。ノイズ
除去手段6は、比較手段7から入力した比較結果に基づ
いて、アナログ−デジタル変換手段3の出力が加算手段
12の出力より小さい場合は、アナログ−デジタル変換
手段3から入力したデータをそのまま出力し、アナログ
−デジタル変換手段3の出力が加算手段12の出力(基
準レベル)以上の場合は、加算手段12の出力データを
基準にしてアナログ−デジタル変換手段3からの入力デ
ータを補正して出力する。
【0035】図4の固体撮像装置において、固体撮像素
子1の蓄積可能電荷量を第1の電荷量Qsat1に設定した
場合、実際に蓄積される電荷量は正確にQsat1とはなら
ず、多少の誤差(実際に蓄積された電荷量とQsat1の
差)を持つ。同様なことは第1の実施の形態(図1の固
体撮像装置)の固体撮像素子1においても発生するが、
第2の実施の形態では、この誤差を比較手段7、記憶手
段8、撮像素子制御手段4により各画素毎に検知し、さ
らに、固体撮像素子1の温度もしくはその周辺温度の変
化によって、その実際に蓄積される電荷量が変化するこ
とに対して、記憶手段10、減算手段11、遅延手段1
3によって補正を行ない、ノイズ除去手段6でその誤差
の大きさに応じて加算もしくは減算することにより、誤
差を除去し、Qsat1に揃えることができる。
【0036】以上のようにこの第2の実施の形態によれ
ば、温度によって固定パターンノイズの変化する固体撮
像素子1を用いても、固体撮像素子1自体の正確な温度
に応じて固定パターンノイズを除去し、画質劣化を伴う
ことなく、ダイナミックレンジの向上を図ることができ
る。また、蓄積電荷切替手段5は、固体撮像素子1の蓄
積可能電荷量を、第1の電荷量Qsat1と第2の電荷量Q
sat2との他に、零にも切替可能とし、一撮像期間内にお
いて零,第1の電荷量Qsat1,第2の電荷量Qsat2の順
に切替えを行うようにすることにより、固体撮像素子1
の撮像時間が短くなり、フィルムカメラのシャッタスピ
ードを速くした場合と同じ効果が得られ、移動物体の撮
像に対し、“ぶれ”の少ない画像を得ることができる。
【0037】なお、前述のように第1および第2の実施
の形態では、図8のような温度センサ9を用いていない
ため、固体撮像素子1の周囲温度に左右されず、固体撮
像素子1自体の正確な温度に応じて固定パターンノイズ
を除去した良好な画質を得ることができる。なお、この
発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、この
発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
をこの発明の範囲から除外するものではない。
【0038】
【発明の効果】請求項1記載の固体撮像装置は、固体撮
像素子と、固体撮像素子の最大蓄積可能電荷量に対応す
るデータを保持する記憶手段と、固体撮像素子の暗電流
を計測する暗電流計測手段と、暗電流の値に対応する記
憶手段のデータの補正量を出力するデータ補正量設定手
段と、最大蓄積可能電荷量に対応するデータをデータの
補正量を用いて補正し基準レベルとして出力する基準レ
ベル設定手段と、固体撮像素子の出力信号レベルが基準
レベル以上のときに制御信号を出力する比較手段と、比
較手段の制御信号に応答して基準レベルに基づいて固体
撮像素子の出力信号を補正するノイズ除去手段とを備え
てあり、固体撮像素子の暗電流の対数値が温度に比例す
ることを利用して、固体撮像素子の出力から暗電流の計
測を行い、その計測値に基づいて最大蓄積可能電荷量に
対応するデータを補正することにより、温度によって固
定パターンノイズの変化する固体撮像素子を用いても、
固体撮像素子自体の正確な温度に応じて固定パターンノ
イズを除去することができ、固定パターンノイズによる
画質劣化のない画像を得ることができる。
【0039】請求項2記載の固体撮像装置は、蓄積可能
電荷量を制御可能な固体撮像素子と、固体撮像素子の蓄
積可能電荷量を零より大きな第1の電荷量と第1の電荷
量より大きな第2の電荷量とに切替可能で、一撮像期間
内において第1の電荷量,第2の電荷量の順に切替えを
行う蓄積電荷切替手段と、固体撮像素子の第1の電荷量
に対応するデータを保持する記憶手段と、固体撮像素子
の暗電流を計測する暗電流計測手段と、暗電流の値に対
応する記憶手段のデータの補正量を出力するデータ補正
量設定手段と、第1の電荷量に対応するデータをデータ
の補正量を用いて補正し基準レベルとして出力する基準
レベル設定手段と、固体撮像素子の出力信号レベルが基
準レベル以上のときに制御信号を出力する比較手段と、
比較手段の制御信号に応答して基準レベルに基づいて固
体撮像素子の出力信号を補正するノイズ除去手段とを備
えてあり、請求項1の構成同様、温度によって固定パタ
ーンノイズの変化する固体撮像素子を用いても、固体撮
像素子自体の正確な温度に応じて固定パターンノイズを
除去することができ、固定パターンノイズによる画質劣
化のない画像を得ることができる。さらに、一撮像期間
内において第1の電荷量,第2の電荷量の順に切替えを
行う蓄積電荷切替手段を有することにより、固体撮像素
子のオーバーフロードレイン制御を行うことができる。
【0040】請求項3記載の固体撮像装置は、請求項2
記載の固体撮像装置において、蓄積電荷切替手段が、固
体撮像素子の蓄積可能電荷量を零と第1の電荷量と第2
の電荷量とに切替可能で、一撮像期間内において零,第
1の電荷量,第2の電荷量の順に切替えを行うようにし
たことにより、固体撮像素子の撮像時間が短くなり、フ
ィルムカメラのシャッタスピードを速くした場合と同じ
効果が得られ、移動物体の撮像に対し、“ぶれ”の少な
い画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態の固体撮像装置の
構成を示すブロック図。
【図2】この発明の実施の形態におけるアナログ−デジ
タル変換手段の出力波形を示す図。
【図3】この発明の実施の形態における固体撮像素子の
概略構成図。
【図4】この発明の第2の実施の形態の固体撮像装置の
構成を示すブロック図。
【図5】第1の従来例の固体撮像装置の構成を示すブロ
ック図。
【図6】第1の従来例の固体撮像装置のCCDの一撮像
期間内に蓄積される電荷量と電荷蓄積時間の関係を示す
特性図。
【図7】第1の従来例の固体撮像装置のCCDの一撮像
期間内に蓄積される電荷量と入射した光量の関係を示す
図。
【図8】第2の従来例の固体撮像装置の構成を示すブロ
ック図。
【図9】第2の従来例の固体撮像装置のCCDの一撮像
期間内に蓄積される電荷量と電荷蓄積時間の関係を示す
特性図。
【図10】第2の従来例の固体撮像装置のCCDの一撮
像期間内に蓄積される電荷量と入射した光量の関係を示
す図。
【符号の説明】
1 固体撮像素子 2 信号処理手段 3 アナログ−デジタル変換手段 4 撮像素子制御手段 5 蓄積電荷切替手段 6 ノイズ除去手段 7 比較手段 8 記憶手段 9 温度センサ 10 記憶手段(データ補正量設定手段) 11 減算手段(暗電流計測手段) 12 加算手段(基準レベル設定手段) 13 遅延手段(暗電流計測手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 5/335

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固体撮像素子と、 前記固体撮像素子の最大蓄積可能電荷量に対応するデー
    タを保持する記憶手段と、 前記固体撮像素子の暗電流を計測する暗電流計測手段
    と、 前記暗電流の値に対応する前記記憶手段のデータの補正
    量を出力するデータ補正量設定手段と、 前記最大蓄積可能電荷量に対応するデータを前記データ
    の補正量を用いて補正し基準レベルとして出力する基準
    レベル設定手段と、 前記固体撮像素子の出力信号レベルが前記基準レベル以
    上のときに制御信号を出力する比較手段と、 前記比較手段の前記制御信号に応答して前記基準レベル
    に基づいて前記固体撮像素子の出力信号を補正するノイ
    ズ除去手段とを備えた固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 蓄積可能電荷量を制御可能な固体撮像素
    子と、 前記固体撮像素子の蓄積可能電荷量を零より大きな第1
    の電荷量と前記第1の電荷量より大きな第2の電荷量と
    に切替可能で、一撮像期間内において前記第1の電荷
    量,前記第2の電荷量の順に切替えを行う蓄積電荷切替
    手段と、 前記固体撮像素子の前記第1の電荷量に対応するデータ
    を保持する記憶手段と、 前記固体撮像素子の暗電流を計測する暗電流計測手段
    と、 前記暗電流の値に対応する前記記憶手段のデータの補正
    量を出力するデータ補正量設定手段と、 前記第1の電荷量に対応するデータを前記データの補正
    量を用いて補正し基準レベルとして出力する基準レベル
    設定手段と、 前記固体撮像素子の出力信号レベルが前記基準レベル以
    上のときに制御信号を出力する比較手段と、 前記比較手段の前記制御信号に応答して前記基準レベル
    に基づいて前記固体撮像素子の出力信号を補正するノイ
    ズ除去手段とを備えた固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 固体撮像素子の蓄積可能電荷量を第1の
    電荷量と第2の電荷量とに切替可能である蓄積電荷切替
    手段に代えて、固体撮像素子の蓄積可能電荷量を零と前
    記第1の電荷量と前記第2の電荷量とに切替可能で、一
    撮像期間内において零,前記第1の電荷量,前記第2の
    電荷量の順に切替えを行う蓄積電荷切替手段を設けたこ
    とを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
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