JP3212405B2 - エキシマレーザ加工方法及び装置 - Google Patents
エキシマレーザ加工方法及び装置Info
- Publication number
- JP3212405B2 JP3212405B2 JP05898993A JP5898993A JP3212405B2 JP 3212405 B2 JP3212405 B2 JP 3212405B2 JP 05898993 A JP05898993 A JP 05898993A JP 5898993 A JP5898993 A JP 5898993A JP 3212405 B2 JP3212405 B2 JP 3212405B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- excimer laser
- mask
- light emission
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
- H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
- H05K3/0035—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material of blind holes, i.e. having a metal layer at the bottom
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/30—Organic material
- B23K2103/42—Plastics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
- H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0207—Partly drilling through substrate until a controlled depth, e.g. with end-point detection
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0548—Masks
- H05K2203/056—Using an artwork, i.e. a photomask for exposing photosensitive layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
- H05K2203/163—Monitoring a manufacturing process
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエキシマレーザ加工方法
及び装置に関し、更に詳しくはエキシマレーザの照射に
より樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマアブレーション
加工において、加工の完了を適確に判定すると共に加工
中に欠陥の有無を判定するエキシマレーザ加工方法及び
製造に関する。
及び装置に関し、更に詳しくはエキシマレーザの照射に
より樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマアブレーション
加工において、加工の完了を適確に判定すると共に加工
中に欠陥の有無を判定するエキシマレーザ加工方法及び
製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、新しい加工技術としてエキシマレ
ーザによるアブレーション加工が注目されている。エキ
シマレーザは希ガスとハロゲンとの励起子を利用したガ
スレーザで、高強度の紫外線を発振する。通常の物質は
紫外線に対し強い吸収があるため、エキシマレーザ光の
ような強い光パルス（約１００MW／cm2 ）を照射すると
一瞬のうちに化学結合が破壊され表面層が蒸発する（ア
ブレーション）。この現象を利用したのがエキシマレー
ザ加工である。希ガスとハロゲンの組み合わせは多数あ
るが、材料加工でよく利用されるのはＫｒＦ（波長２４
８nm），ＸｅＣｌ（３０６nm），ＡｒＦ（１９３nm）で
ある。
ーザによるアブレーション加工が注目されている。エキ
シマレーザは希ガスとハロゲンとの励起子を利用したガ
スレーザで、高強度の紫外線を発振する。通常の物質は
紫外線に対し強い吸収があるため、エキシマレーザ光の
ような強い光パルス（約１００MW／cm2 ）を照射すると
一瞬のうちに化学結合が破壊され表面層が蒸発する（ア
ブレーション）。この現象を利用したのがエキシマレー
ザ加工である。希ガスとハロゲンの組み合わせは多数あ
るが、材料加工でよく利用されるのはＫｒＦ（波長２４
８nm），ＸｅＣｌ（３０６nm），ＡｒＦ（１９３nm）で
ある。
【０００３】レーザ加工としては、従来よりＹＡＧ，Ｃ
Ｏ2 レーザのような赤外線の熱エネルギーを利用した加
工が行われているが、このような加工では周囲の熱的損
傷が大きい。また、ビームを絞って加工するが、波長の
長い赤外光であるためスポット径を小さくすることが難
しく、さらに点加工であるためスループットが上がらな
い等の欠点を持つ。
Ｏ2 レーザのような赤外線の熱エネルギーを利用した加
工が行われているが、このような加工では周囲の熱的損
傷が大きい。また、ビームを絞って加工するが、波長の
長い赤外光であるためスポット径を小さくすることが難
しく、さらに点加工であるためスループットが上がらな
い等の欠点を持つ。
【０００４】これに対して、エキシマレーザは光で化学
結合を分解する過程を主に利用するため加工断面の仕上
がりがきれいで、また、比較的広い面積（約１０mm2 ）
を一括して加工できるため、マスクを通して露光するこ
とで微細パターンを容易に形成できるという特徴があ
る。（例えば、T.A.Znotins et al.:Laser Focus, May5
4,1987 、石坂：応用機械光学、１９９０年９月号 等
参照）
結合を分解する過程を主に利用するため加工断面の仕上
がりがきれいで、また、比較的広い面積（約１０mm2 ）
を一括して加工できるため、マスクを通して露光するこ
とで微細パターンを容易に形成できるという特徴があ
る。（例えば、T.A.Znotins et al.:Laser Focus, May5
4,1987 、石坂：応用機械光学、１９９０年９月号 等
参照）
【０００５】エキシマレーザは、金属やセラミックの加
工やマーキングに適用することも可能であるが、ポリマ
の加工に最も威力を発揮し、ポリイミド等の難加工性ポ
リマへの適用の検討が進められている。
工やマーキングに適用することも可能であるが、ポリマ
の加工に最も威力を発揮し、ポリイミド等の難加工性ポ
リマへの適用の検討が進められている。
【０００６】エキシマレーザのアブレーション加工の有
用性が注目されている分野に、多層配線基板の層間絶縁
膜に配線層間接続用の孔開け（ＶＩＡ（ビア）穴加工）
がある。電子部品を高密度実装するために回路基板は多
層化され、回路パターンは微細化されつつある。このた
め、回路基板においても、半導体素子内の多層配線と同
様に１層ずつ配線を積層していく薄膜法が注目されてい
る。薄膜法が高密度実装に適することは以前から知られ
ているが、実際に適用される例が少なかった理由とし
て、層間の接続を行うためのビア穴の形成が困難であっ
たことによる。半田付け時の耐熱性の要求から薄膜絶縁
材料としては優れた耐熱性を持つポリイミドが主に使用
されているが、薄膜法では回路基板上の絶縁膜の厚さは
数１０μｍと半導体素子に比較して１桁以上も厚いた
め、ポリイミドのような難加工性の材料に微細な孔を確
実に、且つ簡便なプロセスで形成することが困難であっ
た。
用性が注目されている分野に、多層配線基板の層間絶縁
膜に配線層間接続用の孔開け（ＶＩＡ（ビア）穴加工）
がある。電子部品を高密度実装するために回路基板は多
層化され、回路パターンは微細化されつつある。このた
め、回路基板においても、半導体素子内の多層配線と同
様に１層ずつ配線を積層していく薄膜法が注目されてい
る。薄膜法が高密度実装に適することは以前から知られ
ているが、実際に適用される例が少なかった理由とし
て、層間の接続を行うためのビア穴の形成が困難であっ
たことによる。半田付け時の耐熱性の要求から薄膜絶縁
材料としては優れた耐熱性を持つポリイミドが主に使用
されているが、薄膜法では回路基板上の絶縁膜の厚さは
数１０μｍと半導体素子に比較して１桁以上も厚いた
め、ポリイミドのような難加工性の材料に微細な孔を確
実に、且つ簡便なプロセスで形成することが困難であっ
た。
【０００７】例えば、光硬化性の材料にパターン露光を
行いエッチングするプロセスでは、光が膜の下まで浸透
しにくいという問題や、溶剤によるウエットエッチング
では穴径が高々膜厚の３倍程度までしか開けられず、ま
た穴の断面形状が逆テーパ状になり、微細化ができない
という問題がある。
行いエッチングするプロセスでは、光が膜の下まで浸透
しにくいという問題や、溶剤によるウエットエッチング
では穴径が高々膜厚の３倍程度までしか開けられず、ま
た穴の断面形状が逆テーパ状になり、微細化ができない
という問題がある。
【０００８】樹脂膜上にレジスト膜を形成し、ドライエ
ッチングする方法では、より微細な穴を形成できるが、
プロセスが煩雑で、またポリイミドに適した（エッチン
グの選択比の大きい）レジストを見出すのが困難である
という問題があった。
ッチングする方法では、より微細な穴を形成できるが、
プロセスが煩雑で、またポリイミドに適した（エッチン
グの選択比の大きい）レジストを見出すのが困難である
という問題があった。
【０００９】これに対して、エキシマレーザによるアブ
レーション加工はマスクに忠実な極めて良い形状の穴を
露光のみのプロセスで形成できるため、難加工性の膜へ
のビア穴加工の技術として注目されている。
レーション加工はマスクに忠実な極めて良い形状の穴を
露光のみのプロセスで形成できるため、難加工性の膜へ
のビア穴加工の技術として注目されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ビア穴加工を行う場合
の課題として、加工の進捗状況をどのようにモニタし、
管理するかという問題がある。エキシマレーザ加工では
１ショットごとに樹脂膜が光の強度に対応した厚さでエ
ッチングされていき、下地の電極が露出するまで加工が
進行する。従って、照射ショット数が少なかったり、何
らかの原因で光の強度が低下した場合、あるいは加工す
る膜に局部的に膜厚の厚い領域がある場合には電極が露
出しないで層間の接続不良を引き起こす。一方ショット
数が過剰な場合は加工時間が無駄になるだけでなく下地
の電極を傷めたり、電極金属の加熱によって樹脂膜を熱
劣化させたりするという問題がある。
の課題として、加工の進捗状況をどのようにモニタし、
管理するかという問題がある。エキシマレーザ加工では
１ショットごとに樹脂膜が光の強度に対応した厚さでエ
ッチングされていき、下地の電極が露出するまで加工が
進行する。従って、照射ショット数が少なかったり、何
らかの原因で光の強度が低下した場合、あるいは加工す
る膜に局部的に膜厚の厚い領域がある場合には電極が露
出しないで層間の接続不良を引き起こす。一方ショット
数が過剰な場合は加工時間が無駄になるだけでなく下地
の電極を傷めたり、電極金属の加熱によって樹脂膜を熱
劣化させたりするという問題がある。
【００１１】このため、必要十分なショット数で加工を
終了できるように、加工の進捗状況をモニタする必要が
ある。従来、照射ショット数は予め条件出しを行って設
定していたが、レーザの出力変動やビーム内の光強度分
布の変化、光学部品の劣化、膜厚変動等により必要なシ
ョット数が変化するため、頻繁に条件出しを行う必要が
あるという問題があった。
終了できるように、加工の進捗状況をモニタする必要が
ある。従来、照射ショット数は予め条件出しを行って設
定していたが、レーザの出力変動やビーム内の光強度分
布の変化、光学部品の劣化、膜厚変動等により必要なシ
ョット数が変化するため、頻繁に条件出しを行う必要が
あるという問題があった。
【００１２】一方、ビア穴加工を行う場合の重要な工程
として欠陥検査があり、どのようなビア穴加工法を採用
するにしても検査工程は必須である。特に、多層薄膜回
路においては下層の欠陥を見逃すと、その上に積層した
全ての工程が無駄になってしまう場合が多い。このため
漏れのない厳格なチェックが必要となり、多くの場合ビ
ア穴形成工程そのものよりも多くの工数、または高額の
設備を必要としている。加工欠陥には種々のモードがあ
るが、大別すると以下のものがある。
として欠陥検査があり、どのようなビア穴加工法を採用
するにしても検査工程は必須である。特に、多層薄膜回
路においては下層の欠陥を見逃すと、その上に積層した
全ての工程が無駄になってしまう場合が多い。このため
漏れのない厳格なチェックが必要となり、多くの場合ビ
ア穴形成工程そのものよりも多くの工数、または高額の
設備を必要としている。加工欠陥には種々のモードがあ
るが、大別すると以下のものがある。
【００１３】（ａ）本来ビア穴が開くべき場所に穴が開
いていない。（図１（ａ）） （ｂ）ビア穴が下地電極（導体）まで達していない。
（図１（ｂ）） （ｃ）本来穴が開いてはいけない場所に穴が開く。（図
１（ｃ）） （ｄ）ビア穴と下地電極（導体）との位置がずれてい
る。（図１（ｄ））
いていない。（図１（ａ）） （ｂ）ビア穴が下地電極（導体）まで達していない。
（図１（ｂ）） （ｃ）本来穴が開いてはいけない場所に穴が開く。（図
１（ｃ）） （ｄ）ビア穴と下地電極（導体）との位置がずれてい
る。（図１（ｄ））
【００１４】絶縁材料表面からの反射光や、絶縁材料か
らの蛍光などを検出し輪郭抽出する光学的な欠陥検査技
術が種々開発され実用化されているが、表面反射光の輪
郭抽出では図１（ａ）及び（ｃ）の欠陥は検出できても
図１（ｂ），（ｄ）の検出は難しい。透明な絶縁膜で、
しかも回路が１層であれば、アルミナやＳｉなどの支持
基板からの反射光と絶縁膜からの反射光により各々パタ
ーン認識し両者を照合することで図１（ｄ）の位置ずれ
を検査できるが、多層回路になるとビア穴を形成する配
線層のさらに下の層の配線が邪魔になり検査が困難にな
る。
らの蛍光などを検出し輪郭抽出する光学的な欠陥検査技
術が種々開発され実用化されているが、表面反射光の輪
郭抽出では図１（ａ）及び（ｃ）の欠陥は検出できても
図１（ｂ），（ｄ）の検出は難しい。透明な絶縁膜で、
しかも回路が１層であれば、アルミナやＳｉなどの支持
基板からの反射光と絶縁膜からの反射光により各々パタ
ーン認識し両者を照合することで図１（ｄ）の位置ずれ
を検査できるが、多層回路になるとビア穴を形成する配
線層のさらに下の層の配線が邪魔になり検査が困難にな
る。
【００１５】従って、本発明は、先ず、エキシマレーザ
によるアブレーション加工において、必要十分なレーザ
照射を行えるようにして、加工の完了を適確に判定し、
加工の未完と下地の損傷を防止することを目的とする。
によるアブレーション加工において、必要十分なレーザ
照射を行えるようにして、加工の完了を適確に判定し、
加工の未完と下地の損傷を防止することを目的とする。
【００１６】本発明は、また、薄膜回路基板の有機絶縁
樹脂膜へのビア穴形成において、レーザアブレーション
加工特有の現象であるエッチングポイントからの発光を
モニタし、どの場所で加工が進行しているかを検出する
とともに、加工ポイントからの発光停止により下地電極
の露出を検出することで、加工と同時に欠陥検査をし、
かつ前記方式により同時検査可能なエキシマレーザ加工
方法及び装置を提供することを目的とする。
樹脂膜へのビア穴形成において、レーザアブレーション
加工特有の現象であるエッチングポイントからの発光を
モニタし、どの場所で加工が進行しているかを検出する
とともに、加工ポイントからの発光停止により下地電極
の露出を検出することで、加工と同時に欠陥検査をし、
かつ前記方式により同時検査可能なエキシマレーザ加工
方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【００１８】本発明に従えば、エキシマレーザの照射に
より樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマレーザアブレー
ション加工において、加工中に樹脂分解時に生じる発光
を検知してその強度を測定する手段と、加工中の発光強
度の変化から加工の終点を判定する手段とを有するエキ
シマレーザ加工装置が提供される。
より樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマレーザアブレー
ション加工において、加工中に樹脂分解時に生じる発光
を検知してその強度を測定する手段と、加工中の発光強
度の変化から加工の終点を判定する手段とを有するエキ
シマレーザ加工装置が提供される。
【００１９】本発明に従えば、更に、エキシマレーザの
照射により樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマレーザア
ブレーション加工において、加工中に樹脂分解時に生じ
る発光を検知して発光位置を検出し、検出した発光位置
と設計上の加工すべき位置とを照合し、発光位置と設計
上の位置とを照合することによって欠陥の有無を検査す
ることから成るエキシマレーザ加工方法が提供される。
照射により樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマレーザア
ブレーション加工において、加工中に樹脂分解時に生じ
る発光を検知して発光位置を検出し、検出した発光位置
と設計上の加工すべき位置とを照合し、発光位置と設計
上の位置とを照合することによって欠陥の有無を検査す
ることから成るエキシマレーザ加工方法が提供される。
【００２０】本発明に従えば、更にまた、エキシマレー
ザの照射により樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマレー
ザアブレーション加工において、加工中に樹脂分解時に
生じる発光を撮像する手段と、発光位置を特定する手段
と、特定した発光位置と設計上の貫通孔を形成すべき位
置とを照合する手段、発光位置と設計上の位置とを照合
することによって欠陥の有無を検査する手段から成るエ
キシマレーザ加工装置が提供される。
ザの照射により樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマレー
ザアブレーション加工において、加工中に樹脂分解時に
生じる発光を撮像する手段と、発光位置を特定する手段
と、特定した発光位置と設計上の貫通孔を形成すべき位
置とを照合する手段、発光位置と設計上の位置とを照合
することによって欠陥の有無を検査する手段から成るエ
キシマレーザ加工装置が提供される。
【００２１】本発明に従えば、更にまた、エキシマレー
ザの照射により樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマレー
ザアブレーション加工において、加工中に被加工材料の
表面近傍を酸素ガス雰囲気とするエキシマレーザ加工方
法が提供される。
ザの照射により樹脂膜に貫通孔を形成するエキシマレー
ザアブレーション加工において、加工中に被加工材料の
表面近傍を酸素ガス雰囲気とするエキシマレーザ加工方
法が提供される。
【００２２】
【作用】本発明によれば、樹脂の分解によって発生した
プラズマからの発光をモニタすることにより例えば下地
電極の露出を検出し、それにより加工の終点を決めてお
り、また発光をモニタすることにより検出した発光位置
と、設計上の加工すべき位置とを照合し、両者の一致又
は不一致によって欠陥の有無を検査する。
プラズマからの発光をモニタすることにより例えば下地
電極の露出を検出し、それにより加工の終点を決めてお
り、また発光をモニタすることにより検出した発光位置
と、設計上の加工すべき位置とを照合し、両者の一致又
は不一致によって欠陥の有無を検査する。
【００２３】図２は本発明の原理説明図である。レーザ
アブレーションにより樹脂が分解すると、そのフラグメ
ントがプラズマとなり発光する。図２にポリイミド樹脂
をＫｒＦエキシマレーザでアブレーションしたときの可
視部の発光スペクトルを示す。ビア穴が形成されて下地
金属（ランド）が露出すると樹脂の分解による発光が停
止するため、発光強度は著しく弱まる。従って加工点か
らの発光強度を検出することにより加工の進行と終了を
確認できる。この情報をレーザ発振器に帰還し発振を停
止させれば、必要最小限の照射で加工を完了できる。
アブレーションにより樹脂が分解すると、そのフラグメ
ントがプラズマとなり発光する。図２にポリイミド樹脂
をＫｒＦエキシマレーザでアブレーションしたときの可
視部の発光スペクトルを示す。ビア穴が形成されて下地
金属（ランド）が露出すると樹脂の分解による発光が停
止するため、発光強度は著しく弱まる。従って加工点か
らの発光強度を検出することにより加工の進行と終了を
確認できる。この情報をレーザ発振器に帰還し発振を停
止させれば、必要最小限の照射で加工を完了できる。
【００２４】また、ビア穴形成位置においては、レーザ
パルスの照射開始により絶縁材料である樹脂がエッチン
グされ分解ガスが発光する、累積照射によりエッチング
が進行し穴が深くなる、穴の底が下地電極に達するとエ
ッチングが停止するので発光しなくなる。従って、どの
位置で発光しているかをモニタカメラ等の光学手段によ
って検出し、発光部分の座標と、本来ビア穴が形成され
るべき設計データとを照合することで、図１（ａ）のビ
ア穴無欠陥と図１（ｂ）のピンホール欠陥が検出でき
る。また照射ショット数の増加に伴い下地電極（ラン
ド）が露出し、最初発光していた位置からの発光が停止
するが、樹脂塗膜中の異物等によって膜が局部的に盛り
上がっている場合にはその部分だけランドが露出せず発
光が継続するので、ランドの露出不良図１（ｂ）を検出
できる。さらに、下地ランドの位置がずれていたりレー
ザ加工用マスクの位置合わせ不良によって図１（ｄ）の
不良が発生した場合は、ショット数増にともない殆どの
領域からの発光が停止するにもかかわらず、特定のビア
穴や特定領域のビア穴からのみ発光が継続するので、発
光継続部分を不良ポイントとして特定できる。
パルスの照射開始により絶縁材料である樹脂がエッチン
グされ分解ガスが発光する、累積照射によりエッチング
が進行し穴が深くなる、穴の底が下地電極に達するとエ
ッチングが停止するので発光しなくなる。従って、どの
位置で発光しているかをモニタカメラ等の光学手段によ
って検出し、発光部分の座標と、本来ビア穴が形成され
るべき設計データとを照合することで、図１（ａ）のビ
ア穴無欠陥と図１（ｂ）のピンホール欠陥が検出でき
る。また照射ショット数の増加に伴い下地電極（ラン
ド）が露出し、最初発光していた位置からの発光が停止
するが、樹脂塗膜中の異物等によって膜が局部的に盛り
上がっている場合にはその部分だけランドが露出せず発
光が継続するので、ランドの露出不良図１（ｂ）を検出
できる。さらに、下地ランドの位置がずれていたりレー
ザ加工用マスクの位置合わせ不良によって図１（ｄ）の
不良が発生した場合は、ショット数増にともない殆どの
領域からの発光が停止するにもかかわらず、特定のビア
穴や特定領域のビア穴からのみ発光が継続するので、発
光継続部分を不良ポイントとして特定できる。
【００２５】なお、マスクを通して露光するエキシマレ
ーザ加工において、前記欠陥は以下のような場合に発生
する。 （ａ）穴なし不良：マスクにパターンが形成されていな
い場合に発生するが、通常は使用前にマスクの検査を行
うので問題となることは少ない。 （ｂ）貫通不全：樹脂膜の塗布ムラや異物など、膜形成
不良に起因して発生する。比較的頻繁に発生する可能性
がある。 （ｃ）ピンホール欠陥：マスクのピンホールに起因する
もので、金属板に穴あけしたマスクでは問題とならない
が、石英ガラス板上に遮光層を形成しパターニングした
マスクでは初期欠陥以外に、繰返し使用により遮光層が
劣化し発生する場合がある。 （ｄ）位置合わせ不良：ビア穴加工マスクの位置合わせ
不良と下地電極パターン形成時の位置合わせ不良とがあ
り、多層回路では位置合わせ不良が累積して発生する場
合が多い。加工工程そのものではなく前工程に起因する
不良である。
ーザ加工において、前記欠陥は以下のような場合に発生
する。 （ａ）穴なし不良：マスクにパターンが形成されていな
い場合に発生するが、通常は使用前にマスクの検査を行
うので問題となることは少ない。 （ｂ）貫通不全：樹脂膜の塗布ムラや異物など、膜形成
不良に起因して発生する。比較的頻繁に発生する可能性
がある。 （ｃ）ピンホール欠陥：マスクのピンホールに起因する
もので、金属板に穴あけしたマスクでは問題とならない
が、石英ガラス板上に遮光層を形成しパターニングした
マスクでは初期欠陥以外に、繰返し使用により遮光層が
劣化し発生する場合がある。 （ｄ）位置合わせ不良：ビア穴加工マスクの位置合わせ
不良と下地電極パターン形成時の位置合わせ不良とがあ
り、多層回路では位置合わせ不良が累積して発生する場
合が多い。加工工程そのものではなく前工程に起因する
不良である。
【００２６】上記欠陥の有無を検出するだけであれば、
欠陥位置の特定は不要であるが、実際には検出した不良
のモードに応じて修正するのであるから欠陥位置を特定
する必要がある。不良ビア穴を特定するにはビア穴間隔
の±５０％の精度が必要である。エキシマレーザ加工で
工業的に可能な最小ビア穴径は２０μｍ（開口部）程度
でありこの場合、基本グリッドは１００μｍ程度と見込
まれる。従って、±５０μｍが要求される。この程度の
精度は、加工する基板上の位置合わせマークをモニタカ
メラを通じて検出しそこからの距離を算出することで充
分達成できる。位置検出上注意を要するのは、発光が加
工面から発生するのではなく、加工によって発生したプ
ラズマから発生することである。従って、加工する穴の
径よりも発光部が広がる。しかし、モニタカメラのゲイ
ン調整により発光部の拡がりを２０μｍ程度に抑えるこ
とができるので、基本グリッドの間隔が最小でも１００
μｍ程度であることを考慮すれば、欠陥ビア穴の特定を
阻害するものではない。
欠陥位置の特定は不要であるが、実際には検出した不良
のモードに応じて修正するのであるから欠陥位置を特定
する必要がある。不良ビア穴を特定するにはビア穴間隔
の±５０％の精度が必要である。エキシマレーザ加工で
工業的に可能な最小ビア穴径は２０μｍ（開口部）程度
でありこの場合、基本グリッドは１００μｍ程度と見込
まれる。従って、±５０μｍが要求される。この程度の
精度は、加工する基板上の位置合わせマークをモニタカ
メラを通じて検出しそこからの距離を算出することで充
分達成できる。位置検出上注意を要するのは、発光が加
工面から発生するのではなく、加工によって発生したプ
ラズマから発生することである。従って、加工する穴の
径よりも発光部が広がる。しかし、モニタカメラのゲイ
ン調整により発光部の拡がりを２０μｍ程度に抑えるこ
とができるので、基本グリッドの間隔が最小でも１００
μｍ程度であることを考慮すれば、欠陥ビア穴の特定を
阻害するものではない。
【００２７】ところで、投影露光によって加工する場合
には例えば後で説明する図６のようにレーザ光路とモニ
タ観察のための光路とを設定し加工領域からの発光をカ
メラに受けることができるが、マスクを被加工面と重ね
て加工するコンタクト露光の場合は加工部分からの発光
をマスクを通して検出する必要がある。マスクの遮光層
が金属膜の場合加工部からの発光を検出することは困難
であり本発明が適用できない。この問題については、遮
光層をレーザの発振波長のみを選択反射する誘電体多層
膜とすることで解決できる。すなわち、レーザ光に対し
ては遮光層になるが、可視光に対しては透明なので加工
部からの発光をマスクを通して観測することができる。
には例えば後で説明する図６のようにレーザ光路とモニ
タ観察のための光路とを設定し加工領域からの発光をカ
メラに受けることができるが、マスクを被加工面と重ね
て加工するコンタクト露光の場合は加工部分からの発光
をマスクを通して検出する必要がある。マスクの遮光層
が金属膜の場合加工部からの発光を検出することは困難
であり本発明が適用できない。この問題については、遮
光層をレーザの発振波長のみを選択反射する誘電体多層
膜とすることで解決できる。すなわち、レーザ光に対し
ては遮光層になるが、可視光に対しては透明なので加工
部からの発光をマスクを通して観測することができる。
【００２８】前述の如くエキシマレーザアブレーション
加工は、マスクに忠実な極めて良い形状の穴を露光のみ
のプロセスで形成できるため、難加工性の膜へのビア穴
加工技術として注目されているが、エキシマレーザによ
りポリマーにパターン加工を施す場合に加工周辺部への
煤が付着するという問題がある。この様な煤は多層配線
基板では表面の絶縁抵抗低下をもたらす恐れがあるた
め、付着した煤の除去が必要である。煤の除去には、ア
ルコールなど低表面張力の液に漬けて超音波洗浄する方
法があるが、完全に除去することは難しく、付着部分の
黒ずみは取れない。別の方法としてヘリウムガスを吹き
つけたり、水素ガスを吹きつけたりしながら加工する方
法もあるが、ヘリウムガスを使用するとコストが高くな
り、水素ガスを使用すると爆発の危険を生じ、かつ発光
検出による加工終点検査ができない、などの問題が生じ
る。然るに、本発明によれば、エキシマレーザによるア
ブレーション加工をする際に加工する有機材料の表面近
傍を、燃焼効果が高くて安価な酸素ガス雰囲気にするこ
とにより煤の発生を抑制し、かつ増大する発光強度を利
用して発光検出による加工終点検査を確実に実行するこ
とができる。
加工は、マスクに忠実な極めて良い形状の穴を露光のみ
のプロセスで形成できるため、難加工性の膜へのビア穴
加工技術として注目されているが、エキシマレーザによ
りポリマーにパターン加工を施す場合に加工周辺部への
煤が付着するという問題がある。この様な煤は多層配線
基板では表面の絶縁抵抗低下をもたらす恐れがあるた
め、付着した煤の除去が必要である。煤の除去には、ア
ルコールなど低表面張力の液に漬けて超音波洗浄する方
法があるが、完全に除去することは難しく、付着部分の
黒ずみは取れない。別の方法としてヘリウムガスを吹き
つけたり、水素ガスを吹きつけたりしながら加工する方
法もあるが、ヘリウムガスを使用するとコストが高くな
り、水素ガスを使用すると爆発の危険を生じ、かつ発光
検出による加工終点検査ができない、などの問題が生じ
る。然るに、本発明によれば、エキシマレーザによるア
ブレーション加工をする際に加工する有機材料の表面近
傍を、燃焼効果が高くて安価な酸素ガス雰囲気にするこ
とにより煤の発生を抑制し、かつ増大する発光強度を利
用して発光検出による加工終点検査を確実に実行するこ
とができる。
【００２９】図３にポリイミド樹脂を、ヘリウムガス、
酸素ガス、水素ガスの雰囲気でＫｒＦエキシマレーザで
アブレーションしたときの可視部の発光スペクトルを示
す。水素ガス雰囲気の場合は発光がほとんど検出され
ず、ヘリウムガスの場合は発光強度が小さい。これらに
対し酸素ガスの場合は発光強度が著しく増大し、マスク
を通しての発光の検出も充分可能である。
酸素ガス、水素ガスの雰囲気でＫｒＦエキシマレーザで
アブレーションしたときの可視部の発光スペクトルを示
す。水素ガス雰囲気の場合は発光がほとんど検出され
ず、ヘリウムガスの場合は発光強度が小さい。これらに
対し酸素ガスの場合は発光強度が著しく増大し、マスク
を通しての発光の検出も充分可能である。
【００３０】
【実施例】以下、実施例に従って、本発明を更に詳しく
説明するが、本発明の範囲をこれらの実施例に限定する
ものでないことはいうまでもない。
説明するが、本発明の範囲をこれらの実施例に限定する
ものでないことはいうまでもない。
【００３１】実施例１ 図４は実施例１の説明図である。図４において、スパッ
タによりガラス基板１上に厚さ２μｍの銅（Ｃｕ）膜２
を被着し、その上に厚さ４０μｍの樹脂膜３としてポリ
イミド膜（日立化成 ＰＩＸ−３５００）を被覆した。
この上にマスク４を０．４mmの間隔をおいて重ね、Ｘ−
Ｙステージ２０上に固定し、ステージを千鳥状に繰り返
し、走査しながら、レーザ１１をミラー１２及びレンズ
１３，１４を介してあて、３cm角の領域に直径５０μｍ
の孔を縦横０．２５mmのピッチで形成した。
タによりガラス基板１上に厚さ２μｍの銅（Ｃｕ）膜２
を被着し、その上に厚さ４０μｍの樹脂膜３としてポリ
イミド膜（日立化成 ＰＩＸ−３５００）を被覆した。
この上にマスク４を０．４mmの間隔をおいて重ね、Ｘ−
Ｙステージ２０上に固定し、ステージを千鳥状に繰り返
し、走査しながら、レーザ１１をミラー１２及びレンズ
１３，１４を介してあて、３cm角の領域に直径５０μｍ
の孔を縦横０．２５mmのピッチで形成した。
【００３２】以下に加工条件を示す。 レーザの発振波長：２４８nm（ＫｒＦ） 出力：３００mJ／パルス（パルス幅１６ns） パルスの繰り返し周波数：２００Hz マスク：合成石英基板４Ａ上に直径４０μｍの孔パター
ンを有する誘電体多層膜４Ｂを形成したもの。
ンを有する誘電体多層膜４Ｂを形成したもの。
【００３３】露光強度：１パルス当たり１．０Ｊ／cm2 Ｘ方向（主走査方向）移動速度：４０mm／ｓ（ストロー
ク３５mm） Ｙ方向（副走査方向）ステップ：２mm×１８段 上記条件でアブレーション加工を行い、加工中の発光
を、レンズ１５及び５００〜７００nmの可視光を透過す
るカラーフィルタ１６を通してフォトディテクタ１７で
受け、積分回路１８を通してパワーメータ１９で時間平
均出力を測定した。
ク３５mm） Ｙ方向（副走査方向）ステップ：２mm×１８段 上記条件でアブレーション加工を行い、加工中の発光
を、レンズ１５及び５００〜７００nmの可視光を透過す
るカラーフィルタ１６を通してフォトディテクタ１７で
受け、積分回路１８を通してパワーメータ１９で時間平
均出力を測定した。
【００３４】マスクが可視光に対して透明であるため、
発光をモニタすることができる。１回目、２回目の走査
のときの受光量は３００μＷであったが、３回目の走査
では２２０μＷに低下し、４回目では１０μＷ以下とな
った。そこで５回目の走査は行わず加工終了とした。
発光をモニタすることができる。１回目、２回目の走査
のときの受光量は３００μＷであったが、３回目の走査
では２２０μＷに低下し、４回目では１０μＷ以下とな
った。そこで５回目の走査は行わず加工終了とした。
【００３５】加工した孔を観察した結果、すべてが完全
な貫通孔に形成され、下地Ｃｕ膜の損傷がないことを確
認した。
な貫通孔に形成され、下地Ｃｕ膜の損傷がないことを確
認した。
【００３６】実施例２ 図５は実施例２の説明図である。図５において、スパッ
タによりガラス基板上に厚さ３μｍのアルミニウム（Ａ
ｌ）膜を被着し、その上に樹脂膜３として厚さ３０μｍ
のベンゾシクロブテン系熱硬化樹脂膜（ダウケミカル）
を被覆したワークピース２３をステージ２０上に保持し
た。
タによりガラス基板上に厚さ３μｍのアルミニウム（Ａ
ｌ）膜を被着し、その上に樹脂膜３として厚さ３０μｍ
のベンゾシクロブテン系熱硬化樹脂膜（ダウケミカル）
を被覆したワークピース２３をステージ２０上に保持し
た。
【００３７】エキシマレーザ１１のレーザ光を５mm×２
０mmのアパーチャを通してレーザビームの周辺部をカッ
トして光強度が均一な部分を取り出した後、厚さ０．２
mm銅板にドリルで０．４mmの孔を１mmピッチで開けたマ
スク２１を通して１／４に縮小投影して加工した。実施
例１と同様に発光をフォトディテクタ１７で受け、レー
ザ発振に同期して１パルスごとに受光量を積分回路１８
を通して測定し、Ａ／Ｄ変換２２してコンピュータ２４
に入力した。加工開始後の最初の５パルス分の平均（Ｉ
O ）を求めておき、測定した光量が５パルス連続でＩO
の１０％を下回ったら、コンピュータ２４からの指示に
よりレーザコントローラ２５が作動してレーザ１１の発
振を停止し、ステップモータ２６によりワークピース
（加工する樹脂膜を被着した基板）２３が載置されたス
テージ２０を１０mm移動させ、再度加工を行う。このよ
うにステップアンドリピートで加工を行った。
０mmのアパーチャを通してレーザビームの周辺部をカッ
トして光強度が均一な部分を取り出した後、厚さ０．２
mm銅板にドリルで０．４mmの孔を１mmピッチで開けたマ
スク２１を通して１／４に縮小投影して加工した。実施
例１と同様に発光をフォトディテクタ１７で受け、レー
ザ発振に同期して１パルスごとに受光量を積分回路１８
を通して測定し、Ａ／Ｄ変換２２してコンピュータ２４
に入力した。加工開始後の最初の５パルス分の平均（Ｉ
O ）を求めておき、測定した光量が５パルス連続でＩO
の１０％を下回ったら、コンピュータ２４からの指示に
よりレーザコントローラ２５が作動してレーザ１１の発
振を停止し、ステップモータ２６によりワークピース
（加工する樹脂膜を被着した基板）２３が載置されたス
テージ２０を１０mm移動させ、再度加工を行う。このよ
うにステップアンドリピートで加工を行った。
【００３８】この結果、下地Ａｌ膜に損傷を与えること
なく、すべての孔で下地Ａｌ膜を露出させることができ
た。
なく、すべての孔で下地Ａｌ膜を露出させることができ
た。
【００３９】実施例３ 図６は実施例３の説明図である。ガラス基板１上に２μ
ｍ厚の下地金属（Ｃｕ）膜２をスパッタし、リソグラフ
ィ技術によって６０μｍφの電極パターンを２００μｍ
ピッチで格子状に形成した。その上にポリイミド膜（日
立化成 ＰＩＸ−３５００ 膜厚２０μｍ）を形成し、
これを図６に示す露光系でビア穴加工した。マスク２１
には、厚さ０．２mmのモリブデン板に放電加工で０．２
mmφの穴を０．８mmピッチの格子状に形成したものを用
い、縮小率４．０倍で投影露光した。レーザ光１１は８
×２０mmのアパーチャ２７を通してビーム周辺部を除去
した後マスク２１に入射し、縮小投影により２．０×
５．０mmの領域を加工した。レーザ１１にはＬＵＭＯＮ
ＩＣＳＥＸ７００を使用し、発振波長は２４８nm（Ｋｒ
Ｆ）、露光強度は１パルス当たり０．７Ｊ／cm2 、発振
周波数１００Hzとした。加工部からの発光は図６の多層
膜ミラー１２を通して（可視光は透過する）ＣＣＤカメ
ラでモニタした。なお、ＣＣＤ撮像素子２８には１００
０×１０００素子の高解像度のものを使用した。
ｍ厚の下地金属（Ｃｕ）膜２をスパッタし、リソグラフ
ィ技術によって６０μｍφの電極パターンを２００μｍ
ピッチで格子状に形成した。その上にポリイミド膜（日
立化成 ＰＩＸ−３５００ 膜厚２０μｍ）を形成し、
これを図６に示す露光系でビア穴加工した。マスク２１
には、厚さ０．２mmのモリブデン板に放電加工で０．２
mmφの穴を０．８mmピッチの格子状に形成したものを用
い、縮小率４．０倍で投影露光した。レーザ光１１は８
×２０mmのアパーチャ２７を通してビーム周辺部を除去
した後マスク２１に入射し、縮小投影により２．０×
５．０mmの領域を加工した。レーザ１１にはＬＵＭＯＮ
ＩＣＳＥＸ７００を使用し、発振波長は２４８nm（Ｋｒ
Ｆ）、露光強度は１パルス当たり０．７Ｊ／cm2 、発振
周波数１００Hzとした。加工部からの発光は図６の多層
膜ミラー１２を通して（可視光は透過する）ＣＣＤカメ
ラでモニタした。なお、ＣＣＤ撮像素子２８には１００
０×１０００素子の高解像度のものを使用した。
【００４０】撮影した像は、画像入力ボード２９を通し
てワークステーションのフレームメモリ３０に０．１ｓ
毎に入力し、０．１ｓサイクルで設計情報（２００μｍ
ピッチで格子点上に全てビア穴がある）と照合して、設
計情報中の各加工ポイント毎に不良の有無およびモード
を判定し、不良部の位置およびモードをディスプレー上
に表示させた。
てワークステーションのフレームメモリ３０に０．１ｓ
毎に入力し、０．１ｓサイクルで設計情報（２００μｍ
ピッチで格子点上に全てビア穴がある）と照合して、設
計情報中の各加工ポイント毎に不良の有無およびモード
を判定し、不良部の位置およびモードをディスプレー上
に表示させた。
【００４１】（１）（ａ）および（ｃ）モードの検出 マスク２１上に金属片を張りつけ穴を４個塞ぐととも
に、マスクの格子点以外の場所に０．２mmφの穴を２個
あけて露光した。この結果、穴を塞いだ部分の４個の穴
を（ａ）不良として、格子点以外の場所にあけた２個の
穴に対応した位置を（ｃ）不良として、各々検出した。
に、マスクの格子点以外の場所に０．２mmφの穴を２個
あけて露光した。この結果、穴を塞いだ部分の４個の穴
を（ａ）不良として、格子点以外の場所にあけた２個の
穴に対応した位置を（ｃ）不良として、各々検出した。
【００４２】（２）（ｂ）モードの検出 ２５μｍ厚のポリイミドフィルムを１mm角に切りポリイ
ミドワニス中に入れ、これを電極形成した基板１上に塗
布して局部的な膜厚ムラを形成した。フィルムによる凸
部が１箇所ある場所を正規のマスクを用いて加工した。
発光ポイント２５０個中１５０箇所からの発光が停止し
てから０．５秒間さらに照射し最後まで発光した場所を
検出した。この結果、フィルムによって膜が盛上がった
部分を（ｂ）不良として画面上に表示した。
ミドワニス中に入れ、これを電極形成した基板１上に塗
布して局部的な膜厚ムラを形成した。フィルムによる凸
部が１箇所ある場所を正規のマスクを用いて加工した。
発光ポイント２５０個中１５０箇所からの発光が停止し
てから０．５秒間さらに照射し最後まで発光した場所を
検出した。この結果、フィルムによって膜が盛上がった
部分を（ｂ）不良として画面上に表示した。
【００４３】実施例４ ７cm角のガラス基板１上の５cm角領域内に４０μｍφの
電極を２００μｍピッチで実施例３と同様にして形成
し、その上に樹脂膜３としてベンゾシクロブテン系熱硬
化樹脂（ダウケミカル、膜厚２５μｍ）を成膜した。ま
た、厚さ１mm、７cm角の合成石英基板にＳｉＯ2 ／Ｙ2
Ｏ3 膜を積層し、２４８nm光用の多層膜ミラーを形成
し、７cm角内の５cm角領域内に３０μｍφの穴を２００
μｍピッチで形成してマスクとした。前記樹脂膜とマス
クとを０．３mmのギャップを置いて対向させ位置合わせ
した後、両者を固定して図７のようにＸＹステージ２０
上に載置した。レーザ光は第１レンズ１３でビーム中央
部において１パルス当たり０．８Ｊ／cm2 になるよう絞
った後第２レンズ１４で平行光に変換して誘電体ミラー
マスク４を通してワークに照射した。レーザ１１および
発振周波数は実施例３と同じとした。
電極を２００μｍピッチで実施例３と同様にして形成
し、その上に樹脂膜３としてベンゾシクロブテン系熱硬
化樹脂（ダウケミカル、膜厚２５μｍ）を成膜した。ま
た、厚さ１mm、７cm角の合成石英基板にＳｉＯ2 ／Ｙ2
Ｏ3 膜を積層し、２４８nm光用の多層膜ミラーを形成
し、７cm角内の５cm角領域内に３０μｍφの穴を２００
μｍピッチで形成してマスクとした。前記樹脂膜とマス
クとを０．３mmのギャップを置いて対向させ位置合わせ
した後、両者を固定して図７のようにＸＹステージ２０
上に載置した。レーザ光は第１レンズ１３でビーム中央
部において１パルス当たり０．８Ｊ／cm2 になるよう絞
った後第２レンズ１４で平行光に変換して誘電体ミラー
マスク４を通してワークに照射した。レーザ１１および
発振周波数は実施例３と同じとした。
【００４４】レーザ光１１を照射しながら、ＸＹステー
ジ２０をＸ方向に２０mm／ｓで移動させパターンエッジ
を過ぎたらＹ方向に１mm送り−Ｘ方向に同様に移動さ
せ、千鳥状に走査して全面加工を行った。このときの発
光をミラーマスク４をとおして実施例３と同様にモニタ
した。実施例３と同様０．１秒毎に発光をサンプリング
し、このときの各々の発光ポイントの座標をＸＹステー
ジ２０を動かすステップモータ２６からの信号と照合し
て算出し、設計情報と照合して欠陥を検出した。本実施
例においてビームサイズは照射部３１において約３×８
mmであり、千鳥スキャン３２によって繰返し照射する。
照射ビームの中央部２×６mmの領域３３をモニタし、加
工進行方向の先頭部分（図８のＨ）で発光位置の検出を
行い（前記欠陥（ａ），（ｃ）の検出）、最後部（図８
のＦ）で電極の露出（前記欠陥（ｂ），（ｄ））の検出
を行った。
ジ２０をＸ方向に２０mm／ｓで移動させパターンエッジ
を過ぎたらＹ方向に１mm送り−Ｘ方向に同様に移動さ
せ、千鳥状に走査して全面加工を行った。このときの発
光をミラーマスク４をとおして実施例３と同様にモニタ
した。実施例３と同様０．１秒毎に発光をサンプリング
し、このときの各々の発光ポイントの座標をＸＹステー
ジ２０を動かすステップモータ２６からの信号と照合し
て算出し、設計情報と照合して欠陥を検出した。本実施
例においてビームサイズは照射部３１において約３×８
mmであり、千鳥スキャン３２によって繰返し照射する。
照射ビームの中央部２×６mmの領域３３をモニタし、加
工進行方向の先頭部分（図８のＨ）で発光位置の検出を
行い（前記欠陥（ａ），（ｃ）の検出）、最後部（図８
のＦ）で電極の露出（前記欠陥（ｂ），（ｄ））の検出
を行った。
【００４５】上記方法でマスクとして、（ａ）や（ｃ）
の欠陥があるものを用いて加工を行った結果、マスク欠
陥検査において検出した場所で、各々のモードに対応し
た欠陥を加工時の発光によって検出することができた。
の欠陥があるものを用いて加工を行った結果、マスク欠
陥検査において検出した場所で、各々のモードに対応し
た欠陥を加工時の発光によって検出することができた。
【００４６】実施例５ ガラス基板１上の下地金属（Ｃｕ）膜２の上に樹脂膜３
としてポリイミド膜（日立化成 ＰＩＸ−３５００ 膜
厚３０μｍ）を形成したものを図９の露光系で加工し、
樹脂膜３に３cm角の領域に５０μｍφの穴を縦横０．２
５mmのピッチで形成した。
としてポリイミド膜（日立化成 ＰＩＸ−３５００ 膜
厚３０μｍ）を形成したものを図９の露光系で加工し、
樹脂膜３に３cm角の領域に５０μｍφの穴を縦横０．２
５mmのピッチで形成した。
【００４７】加工条件は以下に示す通りである。 レーザ発振機：ルモニクス ＥＸ−７００ 発振波長：２４８nm（ＫｒＦ） 出力：３００mJ／パルス（パルス幅１６ns） 露光強度：１パルス当たり１．０Ｊ／cm2 照射パルス数：１回当たり２００パルス 縮小率：４：１ 酸素ガス流量：２リットル／分
【００４８】上記条件でアブレーション加工を行い、酸
素ガス入口３４よりＯ2 を流した場合と、Ｏ2 に代えて
水素、ヘリウムガスを流した場合および大気中で加工し
たときとで煤の発生を比較した。煤の多寡は、加工前の
平均透過率（５mmφの光で測定、空間平均）を加工直後
の煤の付いている状態（Ｔ1 ）と、煤をラビング洗浄で
除去した後（Ｔ0 ）とで比較し、その比Ｔ1 ／Ｔ0 で評
価した。その結果大気中加工ではＴ1 ／Ｔ0 は約５０％
と低かったが、水素ガスを流した場合はＴ1 ／Ｔ0 は約
９５％、ヘリウムガスの場合は約８７％、酸素ガスの場
合は約８４％と、酸素ガスは水素やヘリウムガスとほぼ
同等の煤を減らす効果があることを見出した。
素ガス入口３４よりＯ2 を流した場合と、Ｏ2 に代えて
水素、ヘリウムガスを流した場合および大気中で加工し
たときとで煤の発生を比較した。煤の多寡は、加工前の
平均透過率（５mmφの光で測定、空間平均）を加工直後
の煤の付いている状態（Ｔ1 ）と、煤をラビング洗浄で
除去した後（Ｔ0 ）とで比較し、その比Ｔ1 ／Ｔ0 で評
価した。その結果大気中加工ではＴ1 ／Ｔ0 は約５０％
と低かったが、水素ガスを流した場合はＴ1 ／Ｔ0 は約
９５％、ヘリウムガスの場合は約８７％、酸素ガスの場
合は約８４％と、酸素ガスは水素やヘリウムガスとほぼ
同等の煤を減らす効果があることを見出した。
【００４９】また、上記条件でアブレーション加工を行
い、加工中の発光を５００〜７００nmの可視光を通すフ
ィルタを通してフォトディテクタで受け、積分回路を通
して時間平均出力を測定した。マスクは可視光を約９０
％透過するため発光をモニタできる。図９の露光系をＸ
−Ｙステージ２０上に固定し、ステージ２０を千鳥状に
スキャンしながらレーザ光１１で加工した。このときの
Ｘ方向移動速度は４０mm／ｓ、Ｙ方向ステップは２mm×
１８段。１回目のスキャン時の受光量は酸素ガス雰囲気
の場合、４５０μＷであったのに対し、ヘリウムガスの
場合は４０μＷ、水素ガスの場合は発光はほとんど観測
されなかった。更に酸素ガス雰囲気の場合、４回目のス
キャンで発光強度の低下が明確に分かり、加工終点が容
易に判定できたが、ヘリウム、水素ガス雰囲気の場合は
加工終点を確定することが容易ではなかった。
い、加工中の発光を５００〜７００nmの可視光を通すフ
ィルタを通してフォトディテクタで受け、積分回路を通
して時間平均出力を測定した。マスクは可視光を約９０
％透過するため発光をモニタできる。図９の露光系をＸ
−Ｙステージ２０上に固定し、ステージ２０を千鳥状に
スキャンしながらレーザ光１１で加工した。このときの
Ｘ方向移動速度は４０mm／ｓ、Ｙ方向ステップは２mm×
１８段。１回目のスキャン時の受光量は酸素ガス雰囲気
の場合、４５０μＷであったのに対し、ヘリウムガスの
場合は４０μＷ、水素ガスの場合は発光はほとんど観測
されなかった。更に酸素ガス雰囲気の場合、４回目のス
キャンで発光強度の低下が明確に分かり、加工終点が容
易に判定できたが、ヘリウム、水素ガス雰囲気の場合は
加工終点を確定することが容易ではなかった。
【００５０】以上説明したように本発明の実施例５によ
れば、エキシマレーザアブレーション加工において被加
工面の近傍を酸素ガス雰囲気にすることで、発生する煤
を低コストで効果的に抑制し、かつポリマーアブレーシ
ョンの発光強度が増大することができるため、発光検出
による加工終了検査が一層確実に出来るという効果があ
る。
れば、エキシマレーザアブレーション加工において被加
工面の近傍を酸素ガス雰囲気にすることで、発生する煤
を低コストで効果的に抑制し、かつポリマーアブレーシ
ョンの発光強度が増大することができるため、発光検出
による加工終了検査が一層確実に出来るという効果があ
る。
【００５１】実施例６ 例えば図４，７，９に示すような、エキシマレーザ加工
装置（等倍ミラーマスク法）は、実装の多種少量化、パ
ターンの微細化に対応するためのエキシマレーザによる
ポリマーへの層間接続ビア穴形成の課題の１つである、
所望の直径の穴を所望のテーパ角で確実にあけるのに使
用できるが、この装置には、加工面３とマスク４との間
にアブレーションガスを逃すために０．１〜１mmのギャ
ップ３６が設けてある。しかし、５〜５０μｍ径の穴パ
ターンを形成したマスクを用いて露光し、ギャップの大
きさと形成した穴の形状の関係について検討したとこ
ろ、主にエキシマレーザのビーム平行度が常に良いとは
いえないために、ギャップ３６が大きくなるに従って開
口部の穴径がマスクの穴径より拡がっていき、形も偏平
になってしまうこと、同時にテーパ角も大きくなること
などが分かった（図１０）。またレーザ光の光強度とテ
ーパ角との間には特に相関関係のないことも分かった
（図１１）。これらの結果から、ある膜厚を持った被加
工膜に所望の直径の穴を所望のテーパ角であけるには
０．１mm単位でギャップを制御する必要があるといえる
が、従来は０．５mmとか１mmといった一定の厚さを持っ
たスペーサをマスク４と膜３の間にかませギャップとし
ているため、微妙な調整が困難であるうえ、ビア穴への
要求や被加工膜により一々取替えなければならない問題
があった。
装置（等倍ミラーマスク法）は、実装の多種少量化、パ
ターンの微細化に対応するためのエキシマレーザによる
ポリマーへの層間接続ビア穴形成の課題の１つである、
所望の直径の穴を所望のテーパ角で確実にあけるのに使
用できるが、この装置には、加工面３とマスク４との間
にアブレーションガスを逃すために０．１〜１mmのギャ
ップ３６が設けてある。しかし、５〜５０μｍ径の穴パ
ターンを形成したマスクを用いて露光し、ギャップの大
きさと形成した穴の形状の関係について検討したとこ
ろ、主にエキシマレーザのビーム平行度が常に良いとは
いえないために、ギャップ３６が大きくなるに従って開
口部の穴径がマスクの穴径より拡がっていき、形も偏平
になってしまうこと、同時にテーパ角も大きくなること
などが分かった（図１０）。またレーザ光の光強度とテ
ーパ角との間には特に相関関係のないことも分かった
（図１１）。これらの結果から、ある膜厚を持った被加
工膜に所望の直径の穴を所望のテーパ角であけるには
０．１mm単位でギャップを制御する必要があるといえる
が、従来は０．５mmとか１mmといった一定の厚さを持っ
たスペーサをマスク４と膜３の間にかませギャップとし
ているため、微妙な調整が困難であるうえ、ビア穴への
要求や被加工膜により一々取替えなければならない問題
があった。
【００５２】然るに本例では図１２に示すように、被加
工材料を設置するワークステーション３７と透明な支持
基板上に誘電体多層膜を選択的に形成したマスク４を測
微器３８を取り付けたねじ３９で一体化した装置を用
い、被加工膜３の表面からマスク面４までの距離を次の
通り決定する。即ち、まず、ねじ３９でマスク４を上げ
てマスク４とワークステーション３７の間を広く開け、
ワークステーション３７の上に樹脂膜３を表面に有する
被加工材料を設置する。次にマスク４を被加工材料表面
と軽く接するまで下げてそこを基準（０点）とする。そ
して測微器を見ながらねじを徐々に上げていき、適当な
位置にきたらそこで止める。
工材料を設置するワークステーション３７と透明な支持
基板上に誘電体多層膜を選択的に形成したマスク４を測
微器３８を取り付けたねじ３９で一体化した装置を用
い、被加工膜３の表面からマスク面４までの距離を次の
通り決定する。即ち、まず、ねじ３９でマスク４を上げ
てマスク４とワークステーション３７の間を広く開け、
ワークステーション３７の上に樹脂膜３を表面に有する
被加工材料を設置する。次にマスク４を被加工材料表面
と軽く接するまで下げてそこを基準（０点）とする。そ
して測微器を見ながらねじを徐々に上げていき、適当な
位置にきたらそこで止める。
【００５３】上記方法で、ガラス基板２上に樹脂膜３と
してポリイミド膜（日立化成 ＰＩＸ−３５００ 膜厚
３０μｍ）を形成したものを図４，７，９のような露光
系で加工し、３cm角の領域に縦横０．２５mmのピッチで
形成した。
してポリイミド膜（日立化成 ＰＩＸ−３５００ 膜厚
３０μｍ）を形成したものを図４，７，９のような露光
系で加工し、３cm角の領域に縦横０．２５mmのピッチで
形成した。
【００５４】加工条件は以下に示す通りである。 レーザ発振機：ルモニクス ＥＸ−７００ 発振波長：２４８nm（ＫｒＦ） 出力：３００mJ／パルス（パルス幅１６ns） 露光強度：１パルス当たり１．０Ｊ／cm2 照射パルス数：１回当たり２００パルス 縮小率：４：１
【００５５】上記条件で開口部穴径５０μｍ、テーパ角
１０度の層間接続用のビア穴をあけるために、最も適当
な条件を検討したところ、４０μｍの穴径のマスクを使
用し、マスクと膜のギャップは０．３mmとすればよいこ
とが判った。そこで図１２の装置を用いて、求められた
条件の穴径のマスクを使用し、ギャップを設定して加工
した。その結果、形成されたビア穴の開口部径は４０μ
ｍ、テーパ角は１２度と、ほぼ要求を満たすことができ
た。
１０度の層間接続用のビア穴をあけるために、最も適当
な条件を検討したところ、４０μｍの穴径のマスクを使
用し、マスクと膜のギャップは０．３mmとすればよいこ
とが判った。そこで図１２の装置を用いて、求められた
条件の穴径のマスクを使用し、ギャップを設定して加工
した。その結果、形成されたビア穴の開口部径は４０μ
ｍ、テーパ角は１２度と、ほぼ要求を満たすことができ
た。
【００５６】前記実施例６によれば、被加工材料とマス
クの間に設けるギャップの調整を被加工材料を設置する
支持板とマスクとを一体化するねじ状のもので行い、そ
れによって所望の形状を持つビア穴を容易に、かつ確実
に形成することができる。
クの間に設けるギャップの調整を被加工材料を設置する
支持板とマスクとを一体化するねじ状のもので行い、そ
れによって所望の形状を持つビア穴を容易に、かつ確実
に形成することができる。
【００５７】以上説明したように本発明の第一の態様に
よれば、エキシマレーザによるアブレーション加工にお
いて、レーザの出力変動や光学部品の劣化や加工対象の
膜厚のバラツキがあっても必要十分なレーザ照射が行え
るようになり、加工の未完によるビアの接続不良と下地
電極膜の損傷を防止することができる。また、本発明の
第二の態様によれば、加工ポイントをポリマーアブレー
ションの発光によってモニタしながら加工できるので、
加工と同時に加工不良の検査をできるので、検査工程を
実質上不要にできるという効果がある。
よれば、エキシマレーザによるアブレーション加工にお
いて、レーザの出力変動や光学部品の劣化や加工対象の
膜厚のバラツキがあっても必要十分なレーザ照射が行え
るようになり、加工の未完によるビアの接続不良と下地
電極膜の損傷を防止することができる。また、本発明の
第二の態様によれば、加工ポイントをポリマーアブレー
ションの発光によってモニタしながら加工できるので、
加工と同時に加工不良の検査をできるので、検査工程を
実質上不要にできるという効果がある。
【図１】エキシマレーザ加工の欠陥モードを示す図面
〔（ａ），（ｂ），（ｃ）及び（ｄ）〕である。
〔（ａ），（ｂ），（ｃ）及び（ｄ）〕である。
【図２】本発明の原理説明図でポリイミド樹脂をＫｒＦ
エキシマレーザでアブレーションしたときの可視部の発
光スペクトルを示す。
エキシマレーザでアブレーションしたときの可視部の発
光スペクトルを示す。
【図３】ポリイミド樹脂をＨ2 ，Ｈｅ，Ｏ2 ガス雰囲気
下に、ＫｒＦエキシマレーザアブレーションした際の可
視部の発光スペクトルを示す。
下に、ＫｒＦエキシマレーザアブレーションした際の可
視部の発光スペクトルを示す。
【図４】実施例１の説明図である。
【図５】実施例２の説明図である。
【図６】実施例３の説明図である。
【図７】実施例４の説明図である。
【図８】実施例４の照射部、スキャン及びモニタリング
領域を示す図面である。
領域を示す図面である。
【図９】実施例５の説明図である。
【図１０】実施例６におけるビア穴のテーパ角とマスク
−膜間ギャップとの関係を示すグラフ図である。
−膜間ギャップとの関係を示すグラフ図である。
【図１１】実施例６におけるビア穴のテーパ角とレーザ
光強度との関係を示すグラフ図である。
光強度との関係を示すグラフ図である。
【図１２】実施例６の説明図である。
１…ガラス基板 ２…下地金属膜（Ｃｕ） ３…加工しようとする樹脂膜（ポリイミド樹脂膜） ４…ミラーマスク ４Ａ…合成石英基板 ４Ｂ…誘電体多層膜 １１…レーザ １２…ミラー １３，１４，１５…レンズ １６…カラーフィルタ １７…フォトディテクタ １８…積分回路 １９…パワーメータ ２０…ステージ ２１…マスク ２２…Ａ／Ｄ変換器 ２３…ワークピース（加工する樹脂膜を被着した基板） ２４…コンピュータ ２５…レーザコントローラ ２６…ステップモータ ２７…アパーチャ ２８…ＣＣＤ素子 ２９…画像入力ボード ３０…フレームメモリ ３１…ビーム照射部 ３２…千鳥スキャン ３３…モニタリング領域 ３４…酸素ガス入口 ３５…酸素ガス出口 ３６…ギャップ ３７…ワークステーション ３８…測微器 ３９…ねじ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大和田 保 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 石月 義克 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 橋井 秀弥 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−321088（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−307807（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−273687（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−23092（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 26/00 - 26/38 H01L 21/768
Claims (8)
- 【請求項１】 エキシマレーザの照射により樹脂膜に貫
通孔を形成するエキシマレーザアブレーション加工にお
いて、加工中に樹脂分解時に生じる発光を検知して発光
位置を検出し、検出した発光位置と設計上の加工すべき
位置とを照合し、発光位置と設計上の位置とを照合する
ことによって欠陥の有無を検査することから成るエキシ
マレーザ加工方法。 - 【請求項２】 前記樹脂膜上に誘電体多層膜に選択的に
パターン形成したマスクをおき、該マスクを透過したレ
ーザ光で加工を行い、前記発光強度を該マスクを通して
計測する請求項１記載のエキシマレーザ加工方法。 - 【請求項３】 前記樹脂膜が電子回路の多層回路基板に
おける層間絶縁膜である請求項１又は２に記載のエキシ
マレーザ加工方法。 - 【請求項４】 エキシマレーザの照射により樹脂膜に貫
通孔を形成するエキシマレーザアブレーション加工にお
いて、加工中に被加工材料の表面近傍を酸素ガス雰囲気
とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のエキシマレ
ーザ加工方法。 - 【請求項５】 エキシマレーザの照射により樹脂膜に貫
通孔を形成するエキシマレーザアブレーション加工にお
いて、加工中に樹脂分解時に生じる発光を撮像する手段
と、発光位置を特定する手段と、特定した発光位置と設
計上の貫通孔を形成すべき位置とを照合する手段、発光
位置と設計上の位置とを照合することによって欠陥の有
無を検査する手段から成るエキシマレーザ加工装置。 - 【請求項６】 前記樹脂膜上に誘電体多層膜に選択的に
パターン形成したマスクをおき、該マスクを透過したレ
ーザ光で加工を行い、前記発光強度を該マスクを通して
計測する請求項５記載のエキシマレーザ加工装置。 - 【請求項７】 加工装置が電子回路基板を形成する絶縁
樹脂へのビア穴形成装置である請求項５又は６記載のエ
キシマレーザ加工装置。 - 【請求項８】 特定位置からの発光を経時的に観測し、
該位置からの発光の停止をもって該位置での加工の終了
を判断する機能を有する請求項５〜７のいずれか１項に
記載のエキシマレーザ加工装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05898993A JP3212405B2 (ja) | 1992-07-20 | 1993-03-18 | エキシマレーザ加工方法及び装置 |
| US08/092,498 US5386430A (en) | 1992-07-20 | 1993-07-16 | Excimer laser processing method and apparatus |
| EP93305698A EP0580408B1 (en) | 1992-07-20 | 1993-07-20 | Excimer laser processing method and apparatus |
| DE69323356T DE69323356T2 (de) | 1992-07-20 | 1993-07-20 | Bearbeitungsexcimerlaserverfahren und -vorrichtung |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19244692 | 1992-07-20 | ||
| JP4-192446 | 1992-07-20 | ||
| JP05898993A JP3212405B2 (ja) | 1992-07-20 | 1993-03-18 | エキシマレーザ加工方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0687087A JPH0687087A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3212405B2 true JP3212405B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=26400008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05898993A Expired - Fee Related JP3212405B2 (ja) | 1992-07-20 | 1993-03-18 | エキシマレーザ加工方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5386430A (ja) |
| EP (1) | EP0580408B1 (ja) |
| JP (1) | JP3212405B2 (ja) |
| DE (1) | DE69323356T2 (ja) |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5628926A (en) * | 1993-12-28 | 1997-05-13 | Nec Corporation | Method of forming via holes in a insulation film and method of cutting the insulation film |
| US5614114A (en) * | 1994-07-18 | 1997-03-25 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser system and method for plating vias |
| US5841099A (en) * | 1994-07-18 | 1998-11-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets |
| US5593606A (en) * | 1994-07-18 | 1997-01-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets |
| JPH0866781A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | エキシマレーザビーム照射装置 |
| US5523543A (en) * | 1994-09-09 | 1996-06-04 | Litel Instruments | Laser ablation control system and method |
| US5843363A (en) * | 1995-03-31 | 1998-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Ablation patterning of multi-layered structures |
| US5632914A (en) * | 1995-05-24 | 1997-05-27 | Davidson Textron Inc. | Motor vehicle air bag cover having a skin with a virtually invisible tear seam formed by miniature holes |
| US5645388A (en) * | 1995-09-27 | 1997-07-08 | Lacasse; Maurice | Cantilever lift assembly for stationary small aircraft |
| US6067163A (en) * | 1995-10-31 | 2000-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Automated substrate pattern recognition system |
| US5877551A (en) * | 1996-11-18 | 1999-03-02 | Olin Corporation | Semiconductor package having a ground or power ring and a metal substrate |
| US5989989A (en) * | 1996-05-31 | 1999-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Die and cube reroute process |
| JPH1085967A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ誘起プラズマ検出方法とそれを用いるレーザ制御方法およびレーザ加工機 |
| JP3292058B2 (ja) * | 1996-10-01 | 2002-06-17 | 三菱電機株式会社 | レーザ光による配線基板の加工方法及びその装置 |
| US5868950A (en) * | 1996-11-08 | 1999-02-09 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Method to correct astigmatism of fourth yag to enable formation of sub 25 micron micro-vias using masking techniques |
| US5965043A (en) * | 1996-11-08 | 1999-10-12 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Method for using ultrasonic treatment in combination with UV-lasers to enable plating of high aspect ratio micro-vias |
| US5731047A (en) * | 1996-11-08 | 1998-03-24 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Multiple frequency processing to improve electrical resistivity of blind micro-vias |
| US6025256A (en) * | 1997-01-06 | 2000-02-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser based method and system for integrated circuit repair or reconfiguration |
| US6057180A (en) * | 1998-06-05 | 2000-05-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output |
| KR100282393B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2001-02-15 | 구자홍 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
| US6140604A (en) * | 1998-06-18 | 2000-10-31 | General Electric Company | Laser drilling breakthrough detector |
| DE19827414C2 (de) * | 1998-06-19 | 2000-05-31 | Schulz Harder Juergen | Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
| US6070901A (en) * | 1998-10-19 | 2000-06-06 | Ford Global Technologies, Inc. | Automotive instrument panel having an integral airbag |
| JP2000228439A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Advantest Corp | ステージ上のパーティクル除去方法及び清掃板 |
| US6080959A (en) * | 1999-03-12 | 2000-06-27 | Lexmark International, Inc. | System and method for feature compensation of an ablated inkjet nozzle plate |
| US6159659A (en) * | 1999-04-26 | 2000-12-12 | Creo Srl | Method for processless flexographic printing and flexographic printing plate |
| JP3756723B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2006-03-15 | 松下電工株式会社 | プリント配線板の加工方法 |
| WO2003015482A2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-20 | Orbotech Ltd. | A system and method for unveiling targets embedded in a multi-layered electrical circuit |
| US20040022947A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-02-05 | Duignan Michael T. | Method for creating microstructure patterns by contact transfer technique |
| JP4140440B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2008-08-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE102004005300A1 (de) * | 2004-01-29 | 2005-09-08 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Behandeln von Trägermaterial zur Herstellung von Schltungsträgern und Anwendung des Verfahrens |
| US7556334B2 (en) * | 2004-11-04 | 2009-07-07 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for aligning print heads |
| US20070065571A1 (en) * | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Applied Materials. Inc. | Method and apparatus for manufacturing a pixel matrix of a color filter for a flat panel display |
| US8290239B2 (en) * | 2005-10-21 | 2012-10-16 | Orbotech Ltd. | Automatic repair of electric circuits |
| US7923059B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-04-12 | Intel Corporation | Method of enabling selective area plating on a substrate |
| US20090135348A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-05-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming color filter on array flat panel displays |
| US7496885B1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Method of compensating for defective pattern generation data in a variable shaped electron beam system |
| TWI417017B (zh) * | 2009-07-30 | 2013-11-21 | Unimicron Technology Corp | 線路板的基材及其鑽孔方法 |
| US8201928B2 (en) | 2009-12-15 | 2012-06-19 | Xerox Corporation | Inkjet ejector having an improved filter |
| KR101108162B1 (ko) * | 2010-01-11 | 2012-01-31 | 서울대학교산학협력단 | 고해상도 유기 박막 패턴 형성 방법 |
| US8772671B2 (en) | 2010-06-30 | 2014-07-08 | Resonetics, LLC | Precision laser ablation |
| DE102010046966B4 (de) * | 2010-09-29 | 2018-05-24 | Infineon Technologies Ag | Baustein und Verfahren zur Herstellung eines Bausteins |
| JP2012117933A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Denso Corp | 接着構造体の製造方法 |
| KR20120097893A (ko) * | 2011-02-25 | 2012-09-05 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토 마스크 세정 방법 |
| DE102011109449B9 (de) * | 2011-08-04 | 2013-04-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum kalibrieren eines laserscanners, verwendung des verfahrens und bearbeitungssystem mit laserscanner |
| JP2013198905A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Disco Corp | レーザー加工装置 |
| CN103909351A (zh) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | 欣兴电子股份有限公司 | 线路板以及此线路板的激光钻孔方法 |
| CN106795044A (zh) * | 2014-10-03 | 2017-05-31 | 日本板硝子株式会社 | 带贯通电极玻璃基板的制造方法以及玻璃基板 |
| JP2020201221A (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
| US11999014B2 (en) * | 2019-11-22 | 2024-06-04 | Medtronic, Inc. | Laser cutting system |
| JPWO2023032038A1 (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-09 | ||
| DE102021212893A1 (de) | 2021-11-17 | 2023-05-17 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Elektrode |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4340617A (en) * | 1980-05-19 | 1982-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing a material on a surface |
| US4414059A (en) * | 1982-12-09 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Far UV patterning of resist materials |
| US4868005A (en) * | 1986-04-09 | 1989-09-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for photodeposition of films on surfaces |
| EP0365754B1 (en) * | 1988-10-28 | 1994-11-09 | International Business Machines Corporation | Enhandement of ultraviolet laser ablation and etching of organic solids |
| DE3913785A1 (de) * | 1989-04-26 | 1990-10-31 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zum thermischen abtragen durch laserstrahlen |
| US5073687A (en) * | 1989-06-22 | 1991-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for working print board by laser |
| FR2657219B1 (fr) * | 1990-01-11 | 1994-02-18 | Gim Industrie Sa | Procede de fabrication de circuits imprimes souples, circuit imprime fabrique par ce procede, et dispositif pour la mise en óoeuvre de ce procede. |
| US5211805A (en) * | 1990-12-19 | 1993-05-18 | Rangaswamy Srinivasan | Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation |
| JPH04356388A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-10 | Fujitsu Ltd | レーザアブレーション加工方法及び加工用マスク |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP05898993A patent/JP3212405B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-16 US US08/092,498 patent/US5386430A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-20 DE DE69323356T patent/DE69323356T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-20 EP EP93305698A patent/EP0580408B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69323356T2 (de) | 1999-06-10 |
| US5386430A (en) | 1995-01-31 |
| EP0580408B1 (en) | 1999-02-03 |
| EP0580408A1 (en) | 1994-01-26 |
| DE69323356D1 (de) | 1999-03-18 |
| JPH0687087A (ja) | 1994-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3212405B2 (ja) | エキシマレーザ加工方法及び装置 | |
| US4959119A (en) | Method for forming through holes in a polyimide substrate | |
| JP3817427B2 (ja) | 半導体の構成 | |
| JP2592369B2 (ja) | 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法 | |
| JP5816409B2 (ja) | レーザビア穴あけのためのスループットを高める方法 | |
| JP2003506216A (ja) | 回路シンギュレーションシステム及び方法 | |
| JP4174267B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| TWI696052B (zh) | 於基材上實施雷射消熔的裝置及方法 | |
| US6046429A (en) | Laser repair process for printed wiring boards | |
| US6849823B2 (en) | Arrangement and method for processing electrical substrates using lasers | |
| JPH0910971A (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP3400067B2 (ja) | 印刷配線板の導体切断方法及び装置 | |
| JP2000202664A (ja) | レ―ザ穴あけ加工方法 | |
| JP2002271039A (ja) | 多層基板及びその加工方法 | |
| JP2571656B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH11277261A (ja) | レーザ穴あけ加工装置 | |
| JP7387227B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP3926620B2 (ja) | レーザ加工装置およびその方法 | |
| JPH0777188B2 (ja) | 加工装置 | |
| Berenyi et al. | UV laser based direct structuring | |
| JP2004009074A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
| US7081209B2 (en) | Solder mask removal method | |
| JP2005156568A (ja) | レーザ検査装置 | |
| JP2003053580A (ja) | レーザ加工方法、プリント配線基板の製造方法及びプリント配線基板の製造装置 | |
| TW202247720A (zh) | 使用在修復期間感應及發射之光之光譜組件控制電子電路之雷射修復處理 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010612 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080719 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090719 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100719 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100719 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110719 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |