JP3211754B2 - 半溶融成形用金属の製造装置 - Google Patents

半溶融成形用金属の製造装置

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    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D17/00Pressure die casting or injection die casting, i.e. casting in which the metal is forced into a mould under high pressure
    • B22D17/20Accessories: Details
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D17/00Pressure die casting or injection die casting, i.e. casting in which the metal is forced into a mould under high pressure
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半溶融成形用金属の製造
装置に係り、特に、極めて簡便容易に半溶融成形に適し
た微細な初晶が液相中に分散した均一な温度分布を有す
る半溶融金属が得られる半溶融成形用金属の製造装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】チクソキャスト法は、従来の鋳造法に比
べて鋳造欠陥や偏析が少なく、金属組織が均一で、金型
寿命が長いことや成形サイクルが短いなどの利点があ
り、最近注目されている技術である。この成形法(A)
において使用されるビレットは、半溶融温度領域で機械
撹拌や電磁撹拌を実施するか、あるいは加工後の再結晶
を利用することによって得られた球状化組織を特徴とす
るものである。
【0003】これに対して、従来鋳造法による素材を用
いて半溶融成形する方法も知られている。これは、たと
えば、等軸晶組織を発生しやすいマグネ合金においてさ
らに微細な結晶を生じせしめるためにZrを添加する方
法(B)や炭素系微細化剤を使用する方法(C)であ
り、またアルミ合金において微細化剤としてAl−5%
Ti−1%B母合金を従来の2倍〜10倍程度添加する
方法(D)であり、これら方法により得られた素材を半
溶融温度域に加熱し初晶を球状化させ成形する方法であ
る。
【0004】また、固溶限以内の合金に対して、固相線
近くの温度まで比較的急速に加熱した後、素材全体の温
度を均一にし局部的な溶融を防ぐために、固相線を超え
て材料が柔らかくなる適当な温度まで緩やかに加熱して
成形する方法(E)が知られている。また、傾斜冷却板
に700℃程度のアルミニウム溶湯を流し、半溶融アル
ミニウムを得、容器に集めて冷却する方法(F)が知ら
れている。
【0005】一方、ビレットを半溶融温度領域まで昇温
し成形する方法と異なり、球状の初晶を含む融液を連続
的に生成し、ビレットとして一旦固化することなく、そ
のままそれを成形するレオキャスト法(G)が知られて
いる。また、冷却体および傾斜冷却体に溶融金属を接触
させて得られた少なくとも一部が固液共存状態である金
属を半溶融温度域に保持することによりレオキャスト用
スラリーを得る方法(H)が知られている。
【0006】さらに、ビレットケースに収容された溶湯
に容器外部から、あるいは、容器の中に直接、超音波振
動を付与しながら冷却して半凝固ビレットを製造し、ビ
レットケースから該半凝固ビレットを取り出し、そのま
ま成形するか、さらに高周波誘導装置にて再加熱して成
形する鋳造装置(I)が知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た(A)の方法は撹拌法や再結晶を利用する方法のいず
れの場合も煩雑であり、製造コストが高くなる難点があ
る。また、マグネ合金においては(B)の場合には、Z
rが高くコスト的に問題であり、(C)の方法では、炭
化物系微細化剤を使用してその微細化効果を十分に発揮
させるためには、酸化防止元素であるBeを、たとえ
ば、7ppm程度に低く管理する必要があり、成形直前
の加熱処理時に酸化燃焼しやすく、作業上不都合であ
る。
【0008】一方、アルミニウム合金においては、結晶
粒径は、単に微細化剤を添加するだけでは500μm程
度であり、200μm以下の微細な結晶粒の組織を得る
ことは容易ではない。このため、多量に微細化剤を添加
する方法(D)があるが、微細化剤が炉底に沈降しやす
く工業的には難しく、かつコストも高い。さらに(E)
の方法では、固相線を超えてから緩やかに加熱して素材
の均一加熱と球状化を図ることを特徴とするチクソ成形
法が提案されているが、通常のデンドライト組織を加熱
してもチクソ組織(初晶デンドライトが球状化されてい
る)には変化しない。(F)の方法では、簡便に球状粒
子の組織を示す半溶融アルミニウムを得ることが出来る
が、そのまま成形するための条件は整っていない。しか
も(A)〜(F)のいずれの場合も、チクソ成形法によ
って半溶融成形するためには、一旦液相を固化しそのビ
レットを再度半溶融温度領域まで昇温する必要があり、
従来鋳造法に比べてコスト高になり、また原料としての
ビレットはリサイクルが難しく、また液相率もビレット
のハンドリング上の問題から高くできない。
【0009】また、(G)の方法では、球状の初晶を含
む融液を連続的に生成供給するため、コスト的、エネル
ギー的にもチクソキャストよりも有利であるが、球状組
織と液相からなる金属原料を製造する機械と最終製品を
製造する鋳造機との設備的連動が煩雑である。具体的に
は、鋳造機械が故障した場合、半溶融メタルの処置が困
る。
【0010】また、(H)の方法では、次のような問題
点がある。冷却体に接触させた後半溶融温度域に所定の
時間保持することになっているが、一旦凝固させてビレ
ットとした後再加熱後成形することを特徴とするチクソ
キャスト法と異なり、所定の時間保持後の半溶融金属を
そのまま成形する場合、工業的な連続運転を考えた時、
短時間で成形に適した所定の液相率を示す温度分布の良
い合金を得る必要がある。しかし、単に保持するだけで
は成形に適した球状初晶と液相率と温度分布を有するレ
オキャスト用の半溶融金属を得ることはできないし、ま
た、急速に冷やせば温度分布は悪くなる。また、冷却体
に溶湯を接触させると、該冷却体に凝固物が残ったり、
保持容器に残ったりして連続運転ができない。
【0011】(I)の方法では、容器内溶湯を冷却する
ための容器を使用するが容器内の金属の上部、下部は中
央部に比べて冷えやすく均一な温度分布を有する半凝固
ビレットを得ることは難しい。このため、そのまま成形
すれば不均一な組織の成形体が得られる。しかも、一旦
ビレットケースから取り出された段階での半凝固ビレッ
トの温度は該ビレットの元の形態を維持する必要がある
ところから半凝固ビレットの液相率は50%を超えるこ
とは困難であり、40%程度の液相率にならざるを得
ず、このため、ダイキャストによる成形には射出条件等
に工夫が必要である。また、仮に一旦40%未満の液相
率になった該ビレットを高周波誘導装置で再加熱しても
同様に50%を超えることは困難であるから成形には射
出条件等に工夫が必要である。また一度できた該半凝固
ビレット内の温度の大きな不均一を解消するためには時
間がかかるため、高周波装置の出力もチクソ成形の場合
に近い高い出力が一時的にではあるが必要であり、また
高サイクルの連続生産のためには高周波誘導装置を多く
設置する必要がある。
【0012】また、半溶融成形を工業的に連続で行なう
に当たり、鋳造機の故障が生じた場合、半溶融状態の金
属の保持時間が所定の保持時間以上になることがある。
金属組織に問題がないかぎり所定の温度に維持すること
が望まれるが、特に室温から昇温して保持するチクソキ
ャスト法の場合、金属組織の粗大化とビレット形状の変
形が大きい(ビレットの下部になるほど径が大きい)。
しかも半溶融状態にある各ビレットの温度を個別に管理
できなければ、このような場合通常処分され、チクソビ
レットとしての価値はなくなる。
【0013】本発明は、上述の従来の各方法の問題点に
着目し、ビレットを使用することなくしかも煩雑な方法
を採ることなく、簡便容易にかつ安価に、球状化した初
晶を含む均一な組織と均一な温度分布を有する成形に適
した半溶融金属(従来チクソキャスト法よりも高液相率
の半溶融金属まで対象となる)を得、しかも長時間の機
械トラブルに対しても半溶融金属を保持管理する場合、
および、高サイクル運転に対応して急速に所定の液相率
を有する半溶融金属を得、しかも、成形前には一定温度
範囲に調整する場合は、特に、チクソキャスト成形のた
めに通常使用される高周波誘導装置の50%以下の出力
で、速やかに該半溶融金属の温度を均一かつ一定保持し
て、半溶融成形に適した半溶融金属を製造する装置を提
供することを目的とするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上述
の課題を解決するため、第1の発明では、初晶が液相中
に分散した均一な温度分布を有する半溶融成形用金属の
製造装置であって、(1)液相線温度に対して50℃以
上の過熱度の高温に保持ざれる高温溶湯保持炉と給湯ラ
ドルを備えた液相線温度に対して50℃以下の過熱度の
低温に保持ざれる低温溶湯保持炉の構成とするか、
(2)微細化剤供給装置と温度制御用冷却治具挿入装置
を備えた給湯ラドルと該高温溶湯保持炉の構成とする
か、(3)給湯ラドルを備えた該低温溶湯保持炉と給湯
ラドルを備えた微細化剤高含溶湯保持炉の構成とする
か、(4)微細化剤溶解用高周波誘導装置を備えた給湯
ラドルと該低温溶湯保持炉の構成とするか、(5)給湯
ラドルを備えた該低温溶湯保持炉とする、のいずれかと
し、かつ、核生成部を保持容器とした溶湯給湯部と、該
給湯機から該保持容器に供給された溶湯中で結晶核を発
生させる核生成部と、該核生成部により得られた金属を
固液共存状態の成形温度まで冷却しつつ目標成形温度範
囲内に収めるように温度調整する結晶生成部と、保持容
器を天地逆転して反転させることにより半溶融金属を排
出した後の保持容器の内面を清浄化する保持容器準備部
と、前記核生成部により得られた半溶融金属を成形装置
の射出スリーブに搬送挿入するロボットを含む自動化装
置を備えた容器搬送部と、から構成されるものとした。
【0015】
【0016】また、第1の発明を主体とする第2の発明
では、溶湯給湯部を、給湯ラドルを備えた低温保持炉と
し、かつ、核生成部を、保持容器へ注湯完了と同時に湯
面から離脱させ振動を付与する浸漬型加振治具と保持容
器内の外表面部と接触させながら溶湯に振動を付与する
保持容器用加振治具とで構成した。
【0017】また、第1の発明を主体とする第3の発明
では、結晶生成部を、保持容器を載置し該保持容器の下
部を加熱するための加熱源を具備するか、または、保温
用の断熱性素材で形成された昇降自在な架台と、該保持
容器の上部を加熱するための加熱源を具備するかまたは
保温用の断熱性素材で形成されかつ保持容器内金属の温
度を測定する温度センサを具備した昇降自在な蓋と、該
保持容器の外部に配設され該保持容器の外表面に向けて
所定温度の空気を噴射する冷却装置と、から構成されて
いるものとした。
【0018】また、第1の発明を主体とする第4の発明
では、結晶生成部を、保持容器下部の保温もしくは加熱
が可能でかつ該保持容器の保持や取り出しおよび誘導装
置の加熱コイル内の位置調整のために昇降自在な架台
と、該保持容器の上部の保温もしくは加熱が可能で、か
つ、保持容器内金属の温度を測定する温度センサを具備
した昇降自在な蓋と、保持容器の外周部に配設され保持
容器内金属の温度を温度管理する加熱コイルを備えた誘
導装置と、該加熱コイルの外部に配設された該保持容器
の外表面に向けて所定温度の空気を噴射する冷却装置
と、で構成した。
【0019】また、第1の発明を主体とする第5の発明
では、結晶生成部を、保持容器下部の保温もしくは加熱
が可能でかつ該保持容器の保持や取り出しや交換および
誘導装置の加熱コイル内の位置調整のために昇降自在で
しかも回転自在な架台と、該保持容器の上部の保温もし
くは加熱が可能で、かつ、保持容器内金属の温度を測定
する温度センサを具備した昇降自在な蓋と、保持容器の
外周部に配置され保持容器内金属の温度を温度管理する
加熱コイルを備えた誘導装置と、該加熱コイルの外部に
配置された該保持容器の外表面に向けて所定温度の空気
を噴射する冷却装置と、で構成され、複数個の該結晶生
成部が1軸の回りに回転あるいは揺動することとした。
【0020】また、第1の発明を主体とする第6の発明
では、結晶生成部は、保持容器の下部の保温もしくは加
熱が可能な架台と、該保持容器の上部の保温もしくは加
熱が可能で、かつ、保持容器内金属の温度を測定する温
度センサを具備した昇降自在な蓋と、該保持容器の外表
面に向けて所定温度の空気もしくは水を必要に応じて噴
射する冷却装置とからなる冷却帯と、該保持容器の外周
部に配置され該保持容器内金属の温度を管理する加熱コ
イルを備えた誘導装置を有する温度調整帯と、から構成
した。
【0021】また、第6の発明を主体とする第7の発明
では、結晶生成部は、所定の温度まで冷却帯で冷却され
る金属を有する保持容器を温度調節帯まで所定の速度で
移動させる自動搬送装置と、誘導装置の加熱コイルもし
くは保持容器のいずれかが移動して加熱コイル内で保持
容器内の金属の温度を管理する温度調整帯と、から構成
とした。また、第1の発明を主体とする第8の発明で
は、結晶生成部は、所定の温度まで冷却帯で冷却した金
属を有する保持容器を温度調節帯まで移動させるロボッ
トを含む自動化装置を備えた搬送装置と、誘導装置の加
熱コイルもしくは保持容器のいずれかが移動して加熱コ
イル内で保持容器内の金属の温度を管理する温度調整帯
と、から構成とした。
【0022】また、第1の発明を主体とする第9の発明
では、保持容器準備部を、回転および昇降が自在で、か
つ、気体、液体、固体のいずれか一つ以上を噴射するこ
とが可能な保持容器冷却装置と、回転および昇降が自在
で、かつ、空気を必要に応じて噴射することが可能なエ
アブロウ装置と、回転および昇降が自在で、かつ、空気
を噴射することが可能なブラシを有する保持容器内面用
の清掃装置のいずれか二つ以上の装置と、回転および昇
降が自在で、かつ、非金属を塗布するスプレイ装置と、
該冷却装置、該エアブロウ装置、該清掃装置のそれぞれ
の上部に、開口部を下にした容器を移動、固定すること
が可能で、昇降自在な保持容器回転搬送装置と、から構
成した。
【0023】また、第1の発明を主体とする第10の発
明では、保持容器準備部を、回転および昇降が自在でか
つ空気を噴射することが可能なブラシを有する保持容器
内面用清掃治具と、昇降自在な保持容器固定治具からな
る清掃装置と、保持容器内面に非金属を塗布する昇降自
在な治具と、昇降自在な保持容器固定治具からなるスプ
レイ装置とで構成した。
【0024】
【発明の実施の形態】溶解炉において溶解された金属
を、所定の微細化剤を含む該金属の液相線温度に対する
過熱度が50℃未満に保持された低温溶湯として直接保
持容器に注ぐか、給湯中の保持容器内の溶湯に振動を付
与しながら該金属の液相線温度に対する過熱度が50℃
未満に保持された低温溶湯として該保持容器に注ぐか、
あるいはまた、傾斜角度を可変できる冷却板に接触させ
ながら保持容器に注ぐか、のいずれかを選択して溶湯中
に結晶核を発生させ、該溶湯を結晶生成部において該保
持容器の上部や下部を保温もしくは加熱しながら、所定
の液相率を示す温度まで冷却しつつ降温し、必要に応じ
て、高周波誘導により加熱を施して、遅くとも成形直前
までに、均一な温度分布と微細な非デンドライト状(球
状)の初晶を有する半溶融成形金属を得、ロボットによ
り該保持容器を搬送し、成形装置の射出スリーブ内に該
半溶融金属を挿入して、たとえば、ダイカストマシン等
の成形装置により成形する。
【0025】
【実施例】以下図面に基づいて、本発明の実施例の詳細
について説明する。図1〜図19は本発明の実施例に係
り、図1は半溶融成形用金属の製造装置の全体概略平面
配置図、図2は保持容器準備部における清掃装置の側面
図、図3は清掃装置の要部拡大縦断面図、図4は保持容
器加熱部の縦断面図、図5は結晶生成部における低温鋳
湯方式による核生成工程の説明図、図6は結晶生成部に
おける振動方式による核生成工程の説明図、図7は結晶
生成部における冷却板接触方式による核生成工程の説明
図、図8は結晶生成部の縦断面図、図9は半溶融成形用
金属の製造方法を説明する工程説明図、図10は半溶融
成形の連続運転時のサイクルチャートを示す説明図、図
11は本発明の成形用金属を使用した成形品の金属組織
を示す顕微鏡写真の模写図である。図12は回転機能を
有する結晶生成部、保持容器準備部からなる半溶融成形
用金属の製造装置の全体概略平面配置図、図13は図1
2の結晶生成部の詳細平面図および切断縦断面図、図1
4は保持容器準備部における回転搬送装置および清掃装
置の側面図、図15は保持容器傾転装置の側面図、図1
6は冷却帯と温度調整帯からなる結晶生成部を有する半
溶融成形用金属の製造装置の全体概略平面図、図17は
図16の結晶生成部の詳細平面図および切断縦断面図、
図18は冷却帯と温度調整帯からなる固定式の結晶生成
部を有する半溶融成形用金属の製造装置の全体概略平面
配置図、図19は図18の結晶生成部の詳細平面図およ
び切断縦断面図である。
【0026】図1に示すように、半溶融成形用金属の製
造装置100は、保持容器準備部10、保持容器加熱部
20、結晶生成部30、溶湯給湯部40、核生成部5
0、容器搬送部60から構成されている。成形装置20
0は本発明の半溶融成形用金属の製造装置100により
得られた半溶融金属MB を成形する機械の一例である。
【0027】保持容器準備部10は、図1に示すよう
に、清掃装置12とスプレイ装置14とから構成されて
いる。清掃装置12は、図2に示すように、昇降シリン
ダ12aと昇降シリンダ12aのピストンロッド先端部
に取り付けたモータ12bにより張り出されて回転自在
で空気を噴射することが可能なブラシ12cとで形成さ
れ、後述する容器搬送部60のロボット62により、射
出スリーブ200aへ給湯完了した保持容器1を搬送
し、受け台13上に天地逆にして載置され、受け台13
の直上に配置された保持容器押え13aが昇降シリンダ
13bの操作により静かに下降され、保持容器1の底面
を軽く下方に押圧して保持容器1を受け台に固定する。
その後、保持容器1内に上昇したブラシ12cを回転駆
動することにより、保持容器1の底面および側部内面を
清掃し、底面および側部内面に付着している溶湯金属の
残滓を脱落落下させるようになっている。なお、受け台
の下方周囲には、図のように密閉カバー12dが設置さ
れるとともに、残滓の落下物を集める受け皿12eが設
けられる。
【0028】その後、ブラシ12cは下方に退避し、清
掃ポジションから、保持容器1を保持したまま、受け台
13および保持容器押え13a、昇降シリンダ13bは
一体的に図1に示すスプレイ装置14の位置(スプレイ
ポシション)まで図1に示した移動シリンダ15により
横移動して静止する。スプレイ装置14は、図3に示す
ように、昇降シリンダ14aのピストンロッドの先端部
に取り付けたパイプ14bの先端のスプレイノズル14
cより供給される非金属物質を含む水溶性塗布剤および
空気を所定の時間のあいだ噴射することによって塗布剤
がスプレイされ、かつ、空気により乾燥され、保持容器
1の底面および側部内面をさらにクリーンな状態にす
る。
【0029】清掃装置12およびスプレイ装置14は、
1ショット毎に使用しても良いし、所定の回数毎に使用
しても良い。また、清掃後発生した保持容器内面に付着
していた非金属物質は受け皿12eより一定時間毎に回
収される。スプレイ作業は保持容器1に注湯される金属
溶湯と保持容器1との直接接触を防ぐためのものであ
り、保持容器1が金属製の場合は必ず必要であり、塗布
剤としては、ダイキャストに使用される黒鉛系、非黒鉛
系(タルク、雲母など含有)の離型剤あるいはBNなど
が使用される。
【0030】保持容器加熱部20は、図4に示すよう
に、シリンダ架台21の内部に上下方向に配設された昇
降シリンダ(保持容器加熱用)22により昇降が自在な
支持台23に載置され固定されたセラミック製の保持容
器加熱用架台24と保持容器加熱用架台24に載せられ
た保持容器1を加熱する加熱炉25から構成されてい
る。保持容器加熱用架台24の上に保持容器準備部10
の清掃装置12、スプレイ装置14によって清掃、スプ
レイ洗浄された保持容器1が、ロボット62により置か
れると、保持容器加熱用架台24は昇降シリンダ22に
より上昇し、支持架台23および保持容器加熱用架台2
4が、図4に示す位置まで上昇すると、保持容器1は加
熱炉25内に入るとともに、加熱炉25の内部が閉鎖さ
れる。ここで言う加熱炉25は、炉内に加熱用ヒータが
配設された場合と、炉外部から熱風が送風される場合の
いずれでも構わない。
【0031】所定の時間後、所定の温度(たとえば20
0℃)に加熱された保持容器加熱用架台24の上の保持
容器1は、昇降シリンダ22の下降により炉内から取り
出される。加熱された保持容器1は、ロボット62によ
り溶湯給湯部40に搬送され、注湯された後、核生成部
50に搬送される。ここで言う「保持容器」とは、金属
製容器または非金属製容器(セラミック容器も含む)と
するか、あるいは、非金属材料を表面にコーティングし
た金属製容器、もしくは、非金属材料を複合させた金属
製容器とする。保持容器1の厚みは、注湯直後に保持容
器壁面から凝固層が発生しないか、発生しても誘導装置
31により容易に再溶融する厚みとする
【0032】溶湯給湯部40および核生成部50は、結
晶核の生成方式により異なる。図5は、微細化剤を利用
する低温溶湯注湯方式による核生成のための溶湯給湯部
40および核生成部50の側面図を示す。図5(a)で
は、溶湯給湯部40は、高温溶湯保持炉41と給湯用ラ
ドル42aを備えた低温溶湯保持炉42で構成される。
高温溶湯保持炉41において、高融点の微細化剤(Al
−Ti−B合金)Nが溶解された650℃以上に保持さ
れた、好ましくは680℃以上の高温金属溶湯M1 が保
持される。低温溶湯保持炉42においては、高温溶湯保
持炉41から配湯され、液相線温度に対して50℃以下
の過熱度の低温に保持される。この低温金属溶湯M2
が、給湯用ラドル42aにより核生成部50である保持
容器1内に注湯され、結晶核が発生する。なお、微細化
剤としてTiのみが含まれている場合には、過熱度は3
0℃以下に保持される。また、Sr、Siの複合添加や
Ca単独添加が行なわれたMg合金においては、過熱度
は25℃以下に保持される。過熱度が上記過熱度より高
ければ、微細な球状初晶は得られない。
【0033】図5(b)では、溶湯給湯部40を、微細
化剤供給装置43、温度制御用冷却治具挿入装置51を
備えた給湯用ラドル42aと高温溶湯保持炉41で構成
される。高温溶湯保持炉41において溶解された650
℃以上、好ましくは680℃以上に保持された微細化剤
N(Tiを含有)を含む高温金属溶湯M3は給湯用ラド
ル42aより汲まれ、ラドル42a内溶湯に微細化剤
(Al−Ti−B合金)Nが微細化剤供給装置43によ
り供給、溶解される。しかる後、給湯用ラドル42a内
の金属溶湯の温度を液相線温度に対して50℃以下の過
熱度の低温にするために、温度制御用冷却治具挿入装置
51の冷却治具51aを浸漬する。これにより低温金属
溶湯が得られる。なお、浸漬に当たっては、凝固層の生
成を防止するために振動を付与する必要があるが、保持
容器1内の金属溶湯の温度が液相線温度に対して過熱度
が10℃以上の温度では振動による核の生成は期待でき
ない。したがって、低温金属溶湯M2 が給湯用ラドル4
2aにより核生成部50である保持容器1に注湯され、
結晶核が発生する。
【0034】図5(c)では溶湯給湯部40は、給湯用
ラドル42a備えた低温溶湯保持炉42と給湯用ラドル
42aを備えた低温溶湯保持炉42(微細化剤Al−T
i−B合金を多く含有する溶湯を保持する機能がある)
で構成される。低温溶湯保持炉42から給湯用ラドル4
2aより汲み出されたTi含有低温金属溶湯M5 に、低
温溶湯保持炉42において溶解されたTi、Bの高含有
低温金属溶湯M4 が給湯用ラドル42aにより希釈混合
される。低温金属溶湯M2 が給湯用ラドル42aにより
核生成部50である保持容器1に注湯され、結晶核が発
生する。
【0035】図5(d)では、溶湯給湯部40を、微細
化剤溶解用高周波誘導装置44を備えた給湯用ラドル4
2aと低温溶湯保持炉42で構成する。低温溶湯保持炉
42から給湯用ラドル42aより汲み出されたTi含有
低温金属溶湯M5 に、高周波誘導コイル(微細化剤溶解
用)44aにより溶解された微細化剤(Al−Ti−B
合金)Nが投入される。低温金属溶湯M2が給湯用ラド
ル42aにより核生成部50である保持容器1に注湯さ
れ、結晶核が発生する。図5(e)では、溶湯給湯部4
0を、給湯用ラドル42aと低温溶湯保持炉42で構成
する。融点近傍の低温金属溶湯M6 が給湯用ラドル42
aにより核生成部50である保持容器1に注湯され、結
晶核が発生する。なお、微細化剤として、Tiのみが含
まれている場合には、溶湯の温度の融点に対する過熱度
は30℃以下に保たれる。
【0036】図6は、振動方式による核生成のための溶
湯給湯部40および核生成部50の側面図を示す。溶湯
給湯部40は給湯用ラドル42aを備えた低温溶湯保持
炉42と昇降シリンダ(加振治具用)52aにより昇降
が自在な浸漬型加振治具52と保持容器用加振治具53
から構成されている。給湯用ラドル42aにより給湯中
の保持容器1内のTi含有低温金属溶湯M5 の湯面に浸
漬型加振治具52を浸漬させ、また保持容器用加振治具
53を保持容器1の外表面部接触させながら金属溶湯M
5 に振動を付与して該溶湯内に結晶核を発生させる。な
お、保持容器1に注湯される溶湯に微細化剤が含まれて
いなくても結晶核を発生させることは可能である。ここ
で使用する浸漬型加振治具52は、加振治具回りの温度
分布の不均一を防止するために注湯完了すると同時に湯
面から離脱させる。また、「振動」は、振動発生装置の
種類、振動条件(周波数、振幅)を限定するものでない
が、市販のエア式振動装置、電動式振動装置でもよく、
また使用される振動条件としては、たとえば、周波数は
10HZ〜50KHZ、好ましくは50Hz〜1kH
z、片振幅は1mm〜0.1μm、好ましくは500μ
m〜10μmが望ましい。
【0037】図7は、冷却板接触方式による核生成のた
めの溶湯給湯部40および核生成部50の側面図を示
す。溶湯給湯部40は給湯用ラドル42aを備えた溶湯
保持炉40A(高温溶湯保持炉41および低温溶湯保持
炉42)から構成されている。溶湯保持炉40A内の溶
湯の温度は特に限定されないが、温度が高いと傾斜冷却
治具70を通過した後の保持容器1の温度が液相線温度
よりも10℃以上高くなり結晶核が消滅するため、液相
線温度に対する過熱度は、50℃以下が好ましい。核生
成部50は、給湯中および給湯後に傾斜冷却治具70の
傾斜角度給湯量に合わせて、任意に、かつ、自動的に可
変できる水槽71を有する傾斜冷却治具70と保持容器
1から構成されている。給湯用ラドル42aから傾斜冷
却治具70に接触しながら注がれる保持容器1内の金属
溶湯の湯量が上限に近づくに従い、昇降シリンダ72に
より傾斜冷却治具70の傾斜角度を小さくし、注湯完了
後傾斜方向を反対側にし、傾斜冷却治具70の表面に付
着した金属を落下させて、傾斜冷却治具付着メタル回収
槽73に入れる。以上のとおり、溶湯給湯部40におい
ては、給湯用ラドル42aを使用したが、これに代えて
給湯ポンプを用いてもよい。
【0038】結晶生成部30は、図8に示すように、保
持容器1の下部の保温もしくは加熱が可能で、かつ、保
持容器1の保持や取り出しおよび誘導装置31の加熱コ
イル31a内の位置調整のために昇降シリンダ32によ
り昇降自在な支持台33の上に載置されたセラミック製
の架台34と、該保持容器1の上部の保温もしくは加熱
が可能で、かつ、保持容器内金属の温度を測定する熱電
対36を具備した昇降自在なセラミック製の蓋35と、
保持容器1の外周部に配設された保持容器内金属の温度
を管理する加熱コイル31aを備えた誘導装置31と、
加熱コイル31aの外部に配設され保持容器1の外表面
に向けて所定温度の空気を噴射する冷却装置37とこれ
ら各機器を囲む保護カバー38とから構成されている。
【0039】誘導装置31は、保持容器内金属の温度を
急速に低下させた場合、成形装置200のトラブル時
に、温度の均一化、一定化に効果的である。なお、空気
よりも急速に冷却することが必要な場合、空気を噴射す
る冷却装置に代えて、誘導装置31の位置に保持容器1
が上昇する前に水を噴射するようにしてもよい。
【0040】核生成部50において、結晶核を導入され
た金属溶湯MAを保持する保持容器1がロボット62に
よりセラミック製の架台(結晶核生成用)34の上にお
かれると、セラミック製架台34は昇降シリンダ32に
より上昇し、誘導装置31内の所定の位置に停止する。
そのあと、保持容器1上部にセラミック製の蓋35が被
覆されて固定される。しかる後、必要に応じて、所定の
時間、所定のタイミングにより、冷却装置37から保持
容器1の外表面に向けて空気が噴射され、保持容器1の
内部の金属溶湯MA を、注湯直前から0.01℃/s〜
3.0℃/sの平均冷却速度で冷却して加圧成形直前ま
で保持することにより、微細な初晶を該合金液中に晶出
させるとともに、保持容器1に入れられた半溶融金属M
Bの各部の温度を誘導装置31により、遅くとも成形す
る時までに所定の液相率を示す目標成形温度範囲内に収
めるように温度調整する。この場合、セラミック製の架
台34は、半溶融金属MB の温度管理のために、加熱コ
イル31a内の所定の高さに自動的に微調整できるよう
に構成される。なお、成形前の半溶融金属MBの一定温
度保持にこだわらなければ、誘導装置31は使用する必
要がない場合もある。
【0041】セラミック製架台(結晶生成用)34上に
載置された保持容器1内の半溶融金属MB は、所定の液
相率、所定の時間後、昇降シリンダ(結晶生成部架台
用)32の下降により、誘導装置31から取り出され、
直ちに搬送ロボット62により成形装置200の射出ス
リーブ200a(または200b)内に挿入される。
【0042】ここで「所定の液相率」とは、加圧成形に
適する液相率を意味する。ダイカスト鋳造、スクイズ鋳
造などの高圧鋳造では液相率は75%未満、好ましくは
40%〜65%とする。40%未満では保持容器1から
の取り出しが容易でなく、また取り出された素材の成形
性が劣る。一方、75%を超える場合は素材が軟らかい
ためハンドリングが難しいばかりでなく、ダイキャスト
機の金型内溶融金属を射出するためのスリーブへの挿入
時に周辺空気を巻き込み、あるいは成形された鋳造品の
金属組織には偏析が発生して均一な組織が得にくいなど
の問題がある。このため、液相率を75%以下、好まし
くは65%以下とする。但し、成形性、湯流れ性の劣る
合金、成形が困難な製品においては、75%以上の液相
率で成形する方が望ましい場合がある。この場合、保持
容器内の液相率が75%以上の半溶融金属をスリーブに
注湯しても良い。
【0043】押出法や鍛造法では、液相率を1.0%〜
70%、好ましくは10%〜65%とする。70%を超
える場合は組織の不均一が生じる惧れがある。このた
め、液相率を70%以下、好ましくは65%以下とす
る。また、1.0%未満では変形抵抗が高いので、1.
0%以上とする。なお、40%未満の液相率の合金を用
いて押出法や鍛造法を行なう場合、40%以上の液相率
で該合金を容器から取り出し、その後40%未満に液相
率を下げる。
【0044】なお、容器搬送部60のロボット62は、
従来より知られている3次元動作可能な多関節ロボット
を使用する。ロボットの自動化装置として、プログラム
入力可能なパソコンやシーケンサ、プログラマブルコン
トローラも使用する。
【0045】具体的には、以下のとおりの手順により作
業を進める。図9の工程[1]において、ラドル42a
内に入れられた完全液体である金属溶湯Mを、工程
[2]において、傾斜冷却用治具70に溶湯を接触させ
て、あるいは保持容器(セラミック塗布金属製容器)1
内に注湯され蓄えられていく溶湯に浸漬型加振治具(具
体的には加振棒52A)52により振動を付与して(注
湯完了後は加振棒52Aは引き上げる)、あるいは溶湯
の液相線温度に対する過熱度を50℃未満、好ましくは
30℃未満に保持して、保持容器内に注ぐことにより結
晶核(あるいは微細結晶)を含む液相線直上、直下の合
金を得る。
【0046】次に、工程[3]において、該合金を、
0.01℃/s〜3.0℃/sの平均冷却速度で冷却し
加圧成形直前まで保持し、微細な初晶を該合金液中に晶
出させる工程において、誘導装置31により保持該容器
1内の合金の各部の温度を、遅くとも成形する時までに
所定の液相率を示す目標成形温度範囲内(目標成形温度
に対して−5℃〜+5℃の範囲内)に収めるように温度
調整する。この場合、保持容器1内で降温する金属の代
表温度が注湯直後から目標成形温度に対して10℃以上
低下しない段階までに所定量の電流を流すために、誘導
装置31の出力は小さくてもよい。冷却に当たっては、
保持容器1の外側から保持容器1に向けて空気を噴射す
る。必要に応じて上部、下部を断熱材で保温もしくは加
熱した保持容器1において半溶融状態で保持し、導入さ
れた結晶核から微細な球状(非デンドライト状)の初晶
を生成させる(工程[3]−a、[3]−b)。
【0047】このようにして得られた所定の液相率を有
する半溶融金属MB を、工程[3]−cのように、保持
容器1を反転して天地を逆にし、成形装置(たとえば、
ダイキャストマシン)の射出スリーブ200aに挿入し
た後、成形装置200の金型キャビティ208内で加圧
成形して、成形品を得る。ここで、反転した排出された
半溶融金属MB は、酸化物の混入を防ぐために、保持容
器1内で上部に位置していた表面部をプランジャチップ
210側に置く。
【0048】図10は、半溶融成形の連続運転時のサイ
クルチャートを示す説明図である。運転条件は以下のと
おりである。ここでは説明を容易にするために、誘導装
置の数を少なくして60秒運転とした。製造装置100
の全体は、図1に示したとおりである。運転条件は、下
記のとおりである。 誘導装置(8kHz、10kW):3基 保持容器加熱炉(5容器収容):1基 成形サイクル:60秒 給湯、結晶核生成条件:微細化剤(Ti0.15
%、B0.002%含有)、保持容器給湯温度(635
℃)、図5(a)に示すとおり。 半溶融保持時間(空冷、高周波誘導装置による加
熱):150秒 合金:AC4CH(融点:615℃)
【0049】各保持容器の各工程における時間経過を、
使用した8つの保持容器について示す。60秒おきに鋳
造されていること、それに伴ない、その前後の保持容器
の位置と作業履歴が判る。この方法により製造された半
溶融成形用金属を使用して、加圧成形した成形品の金属
組織を示す顕微鏡写真の模写図を図11に示す。従来知
られている半溶融成形品とまったく遜色のない微細な組
織が認められる。図9に示す本発明による方法と従来の
チクソキャスト法、レオキャスト法の違いは図より明ら
かである。すなわち、本発明では、従来法のように半溶
融温度領域で晶出したデンドライト状の初晶を機械撹拌
や電磁撹拌で強制的に破砕球状化することはなく、半溶
融温度領域での温度低下とともに液中に導入された結晶
核を起点として晶出、成長する多数の初晶が合金自身が
持っている熱量により(必要に応じて外部から加熱保持
されることも有りうる)連続的に球状化されるととも
に、低い出力の高周波誘導加熱による均一な組織と均一
な温度分布を特徴にしており、チクソキャスト法におけ
るビレットの再昇温による半溶融化の工程が省かれてい
るため、本発明の方法は、極めて簡便で経済的な方法で
ある。
【0050】図12は回転機能を有する結晶生成部3
0、保持容器準備部10からなる半溶融成形用金属の製
造装置101の全体概略平面配置図を示す。半溶融成形
用金属の製造装置101は、保持容器準備部10、結晶
生成部30、溶湯給湯部40、核生成部50、容器搬送
部60から構成されている。成形装置200は、本発明
の半溶融成形用金属の製造装置101により得られた半
溶融金属MB を成形する機械の一例である。
【0051】保持容器準備部10は、保持容器冷却装置
11、エアブロウ装置16、清掃装置12、スプレイ装
置14、保持容器回転搬送装置17から構成されてい
る。図14は保持容器準備部10における保持容器回転
搬送装置17と清掃装置12を示す。ロータリーアクチ
ュエータ17a、17bと昇降シリンダ17cとで形成
された保持容器回転搬送装置17により、射出スリーブ
200aへ半溶融金属M B を挿入した後、シリンダ、モ
ータにより昇降、回転するノズルを有する図3に示すよ
うな装置にて水を噴出し、その後空気を噴射することに
より冷却、エアブロウした保持容器1を搬送し、受け台
13上に下降し固定する。その後図2と同様に、ブラシ
12cを回転することにより保持容器1内面を清掃す
る。ブラシ12cが下降した後、保持容器回転搬送装置
17は保持容器1を保持したまま上昇し、スプレイ装置
14の位置まで移動する。その後図3と同様にスプレイ
装置14によって保持容器1の内面に非金属物質を含む
水溶性塗布剤がスプレイされ、かつ空気により乾燥され
る。
【0052】スプレイ装置が下降した後、保持容器傾転
装置18の位置まで移動し、天地を逆にして図15に示
すような保持容器ホルダ18aに載置される。保持容器
ホルダ18aは、LMガイド18bと連結棒18c、フ
レキシブルジョイント18dからなる保持容器傾転装置
18により、給湯用ラドル42aの給湯に合わせて傾動
する。微細化剤としてTiのみを含む融点に対する過熱
度が30℃以下の金属溶湯M6 は、必要に応じて保持容
器冷却促進装置19を使用して給湯される。保持容器1
に給湯された金属溶湯M6 は結晶生成部30にロボット
62により搬送される。しかる後金属溶湯M6 は冷却さ
れ、成形温度まで冷却される。なお、保持容器冷却促進
装置は、直接保持容器の外表面に空気もしくは水などを
噴出しても良いし、あるいは冷却体を接触させても良
い。
【0053】図13(a)は図12に示す半溶融成形用
金属の製造装置の結晶生成部の詳細平面図を、図13
(b)は結晶生成部のA−A断面の切断縦断面図を示
す。結晶生成部30は、図13(a),図13(b)に
示すように保持容器1の保温もしくは加熱が可能でかつ
該保持容器1の保持や取り出しや回転2次軸39aによ
る交換(結晶核を含む金属溶湯MA を入れた保持容器と
成形温度まで下がった半溶融金属MB を入れた保持容器
の交換)および誘導装置31の加熱コイル31a内の位
置調整のために昇降自在な支持台33の上に載置された
セラミック製の架台34と、保持容器1の上部の保温も
しくは加熱が可能で、かつ、保持容器内金属の温度を測
定する熱電対36を具備した昇降自在な蓋35と、保持
容器の外周部に配置され保持容器内金属の温度を管理す
る加熱コイル31aを備えた誘導装置31と、加熱コイ
ル31aの外部に配置された保持容器1の外表面に向け
て所定温度の空気を噴射する冷却装置37とこれら各機
器を取り囲む保護カバー38と、4つの結晶生成部が1
つの軸の回りに回転もしくは揺動することができる回転
1次軸39から構成されている。
【0054】結晶核を含む金属溶湯MA を入れた保持容
器1aが支持台33の上に載置されたセラミック製の架
台34の上に載置されると、誘導装置31の中で成形温
度に調整された半溶融金属MB を入れた保持容器1bが
昇降シリンダにより下降し、次に回転2次軸による回転
により結晶生成部30の外側に出る。一方、金属溶湯M
A は昇降シリンダ32により誘導装置31の加熱コイル
31aの所定の位置に上昇し、所定の温度まで冷却装置
37により冷却され、その後誘導装置31により温度調
整される。他の保持容器1についても同様な動きであ
る。このようにして結晶生成部30の外側に出てきた半
溶融金属MB を入れた保持容器1bがロボット62によ
り搬送される。なお、ロボットから遠い位置にある保持
容器(1e、1f)と(1g、1h)は回転1次軸39
の揺動(90°回転)によりそれぞれ保持容器(1c、
1d)、(1a、1b)の位置に移動する。誘導装置3
1の役割、誘導装置31内の金属溶湯MA の冷却条件お
よび温度管理方法は図8と同じである。
【0055】図16は冷却帯47と誘導装置31を有す
る温度調整帯48からなる移動式の結晶生成部30を有
する半溶融成形用金属の製造装置102の全体概略平面
配置図を示す。半溶融成形用金属の製造装置102は、
保持容器準備部10、結晶生成部30、溶湯給湯部4
0、核生成部50、容器搬送部60から構成されてい
る。また成形装置200は、本発明の半溶融成形用金属
の製造装置101により得られた半溶融金属MB を成形
する機械の一例である。図17(a)は図16に示す半
溶融成形用金属の製造装置の結晶生成部の詳細平面図
を、図17(b)は結晶生成部のB−B断面の切断縦断
面図を示す。結晶生成部のみ図12、図13と異なる。
このため、結晶生成部30について詳述する。
【0056】結晶生成部30は図17(a),図17
(b)に示すように、保持容器1の下部の保温もしくは
加熱が可能な架台34と、保持容器1の上部の保温もし
くは加熱が可能で、かつ保持容器内金属の温度を測定す
る熱電対36を具備した昇降自在な蓋35と保持容器1
の外表面に向けて所定温度の空気もしくは水を必要に応
じて噴射する冷却装置37とからなる冷却帯47と保持
容器1を一定速度で回転させる自動搬送装置49と保持
容器1の外周部に配設され、保持容器内金属の温度を管
理する加熱コイル31aを備えた誘導装置31を有する
温度調節帯48とから構成されている。
【0057】保持容器1iが自動搬送装置49により回
転し、保持容器1mの位置まで来ると初めて誘導装置3
1により保持容器1内のメタルの温度調整が行われる。
誘導装置31は昇降シリンダ32により上昇あるいは下
降し保持容器1を囲む所定の位置に停止する。
【0058】図18は冷却帯47と誘導装置31を有す
る温度調整帯48からなる固定式の結晶生成部30を有
する半溶融成形用金属の製造装置103の全体概略平面
配置図を示す。図19(a)は図18に示す半溶融成形
用金属の製造装置の結晶生成部の詳細平面図を、図19
(b)は結晶生成部のC−C断面の切断縦断面図を示
す。結晶生成部30は、保持容器1の下部の保温もしく
は加熱が可能な架台34と、保持容器1の上部の保温も
しくは加熱が可能で、かつ保持容器内金属の温度を測定
する熱電対36を具備した昇降自在な蓋35と保持容器
1の外表面に向けて所定温度の空気もしくは水を必要に
応じて噴射する冷却装置37とからなる冷却帯47と保
持容器1の外周部に配設され、保持容器内金属の温度を
管理する加熱コイル31aを備えた誘導装置31を有す
る温度調節帯48とから構成されている。ただし、図1
6、図17の場合と異なり図9に示す結晶生成部におい
ては保持容器1は固定式であるため、所定の温度まで冷
却装置37により冷却した保持容器1はロボット62に
より温度調整帯48に搬送される。しかる後、図13の
場合と同様に、セラミックの架台34の上に載置された
保持容器内金属は誘導装置31により温度調整される。
【0059】図9に示す初晶の球状化工程における、保
持容器の冷却条件について以下に説明する。保持容器1
に注湯された合金MB が成形に適した液相率を示すまで
冷却される際に、保持容器1の上部および保持容器1の
下部が、加熱もしくは保温されない場合、該容器の上部
および/あるいは下部の合金MB の表皮部にデンドライ
ト状の初晶が発生したり、凝固層が成長し容器内の金属
の温度分布も不均一になるため、高周波誘導により加熱
しても保持容器から合金を反転してとり出す場合、保持
容器1から所定の液相率の合金を排出出来なかったり、
保持容器1内部に凝固層が残り連続成形が困難になった
り、温度分布が完全には改善されなかったりする。この
ため、注湯後成形温度までの保持時間が短い場合、冷却
過程では容器上部および/あるいは容器下部を容器中央
部より加熱したりあるいは保温し、必要に応じて注湯後
の冷却過程だけでなく、注湯前にあらかじめ該容器の上
部、下部を加熱する。
【0060】保持容器1の熱伝導率が、1.0kcal
/mhr℃未満の材質であれば、冷却時間が長くなり工
業的には不都合であるため、保持容器1の熱伝導率を
1.0kal/mhr℃以上とする。金属性の保持容器
1を使用する場合は、保持容器1の表面に非金属性物質
(例えばBN、黒鉛など)を塗布することが好ましい。
塗布する方法は機械的、化学的、物理的方法のいずれで
も構わない。
【0061】保持容器1に注湯された合金MA の平均冷
却速度が3.0℃/sよりも速ければ、所定の液相率を
示す目標成形温度範囲に収めることが誘導加熱を用いて
も容易でなく、また球状の初晶を生成することが困難で
ある。一方、平均冷却速度が0.01℃/s未満であれ
ば、冷却時間が長く、工業生産の上では不都合である。
このため、平均冷却速度は0.01℃/s〜3.0℃/
sとし、さらに好ましくは0.05℃/s〜1℃/sと
する。
【0062】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明に係る半溶融成形用金属の製造装置は、従来の機
械撹拌法、電磁撹拌法によらず、自動的かつ連続的に、
簡便容易に、かつ、低コストで、微細かつ粒状の組織を
有する優れた成形体を大量に生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半溶融成形用金属の製造装置の全
体概略平面配置図である。
【図2】本発明に係る保持容器準備部における清掃装置
の側面図である。
【図3】本発明に係る保持容器準備部における清掃装置
の要部拡大縦断面図である。
【図4】本発明に係る保持容器加熱部の縦断面図であ
る。
【図5】本発明に係る結晶生成部における低温注湯方式
による核生成工程の説明図である。
【図6】本発明に係る結晶生成部における振動方式によ
る核生成工程の説明図である。
【図7】本発明に係る結晶生成部における冷却板接触方
式による核生成工程の説明図である。
【図8】本発明に係る結晶生成部の縦断面図である。
【図9】本発明に係る半溶融成形用金属の製造方法を説
明する工程説明図である。
【図10】本発明に係る半溶融成形の連続運転時のサイ
クルチャートを示す説明図である。
【図11】本発明例の成形用金属を使用した成形品の金
属組織を示す顕微鏡写真の模写図である。
【図12】本発明に係る回転機能を有する結晶生成部、
保持容器準備部からなる半溶融成形用金属の製造装置の
全体概略平面配置図である。
【図13】本発明に係る図12の結晶生成部の(a)は
詳細平面図,(b)はA−A切断縦断面図である。
【図14】本発明に係る保持容器準備部における回転搬
送装置および清掃装置の側面図である。
【図15】本発明に係る保持容器傾転装置の側面図であ
る。
【図16】本発明に係る冷却帯と温度調整帯からなる結
晶生成部を有する半溶融成形用金属の製造装置の全体概
略平面図である。
【図17】本発明に係る図16の結晶生成部の(a)は
詳細平面図,(b)はB−B切断縦断面図である。
【図18】本発明に係る冷却帯と温度調整帯からなる固
定式の結晶生成部を有する半溶融成形用金属の製造装置
の全体概略平面配置図である。
【図19】本発明に係る図18の結晶生成部の(a)は
詳細平面図,(b)はC−C切断縦断面図である。
【符号の説明】
1、1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1
h、1i、1j、1k、1m 保持容器 10 保持容器準備部 11 保持容器冷却装置 12 清掃装置 12a 昇降シリンダ 12b モータ 12c ブラシ 12d 密閉カバー 13 受け台 13a 保持容器押え 13b 昇降シリンダ 14 スプレイ装置 14a 昇降シリンダ 14b パイプ 14c スプレイノズル 15 移動シリンダ 16 エアブロウ装置 17 保持容器回転搬送装置 18 保持容器傾転装置 18a 保持容器ホルダ 18b LMガイド 18c 連結棒 18d フレキシブルジョイント 18e 移動プレート 18f 回転中心 19 保持容器冷却促進装置 20 保持容器加熱部 20A 加熱炉 21 シリンダ架台 22 昇降シリンダ 23 支持台 24 保持容器加熱用架台 25 加熱炉 30 結晶生成部 30A シリンダ架台 31 誘導装置 31a 加熱コイル 32 昇降シリンダ 33 支持台 34 架台 35 蓋 36 熱電対 37 冷却装置 38 保護カバー 39 回転1次軸 39a 回転2次軸 40 溶湯給湯部 40A 溶湯保持炉 41 高温溶湯保持炉 42 低温溶湯保持炉 42a 給湯用ラドル 43 微細化剤供給装置 44 誘導装置 44a 加熱コイル 46 給湯機 47 冷却帯 48 温度調整帯 49 自動搬送装置 50 核生成部 51 冷却治具挿入装置 51a 冷却治具 52 浸漬型加振治具 52A 加振棒 52a 昇降用シリンダ 53 保持容器用加振治具 60 容器搬送部 62 ロボット 70 傾斜冷却用治具 71 水槽 72 昇降シリンダ 73 傾斜冷却治具付着メタル回収槽 100、101、102、103 製造装置 200 成形装置 200a 射出スリーブ(竪型) 200b 射出スリーブ(横型) 202 射出スリーブ 202a 固定金型 204a 可動金型 206 型締装置 208 金型キャビティ 210 プランジャチップ M 金属溶湯 M1 、M2 、M3 、M4 、M5 、M6 金属溶湯 MA 金属溶湯(結晶核を含む) MB 半溶融金属 N 微細化剤
フロントページの続き (72)発明者 川崎 隆 山口県宇部市大字小串字沖の山1980番地 宇部興産株式会社 機械・エンジニア リング 事業本部内 審査官 田中 則充 (56)参考文献 特開 平8−187547(JP,A) 特開 平8−243707(JP,A) 特開 平8−117947(JP,A) 特開 平6−198413(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B22D 17/00 B22D 1/00 C22C 1/02

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 微細な初晶が液相中に分散した均一な温
    度分布を有する半溶融成形用金属の製造装置であって、
    (1)液相線温度に対して50℃以上の過熱度の高温に
    保持ざれる高温溶湯保持炉と給湯ラドルを備えた液相線
    温度に対して50℃以下の過熱度の低温に保持ざれる低
    温溶湯保持炉の構成とするか、(2)微細化剤供給装置
    と温度制御用冷却治具挿入装置を備えた給湯ラドルと該
    高温溶湯保持炉の構成とするか、(3)給湯ラドルを備
    えた該低温溶湯保持炉と給湯ラドルを備えた微細化剤高
    含溶湯保持炉の構成とするか、(4)微細化剤溶解用高
    周波誘導装置を備えた給湯ラドルと該低温溶湯保持炉の
    構成とするか、(5)給湯ラドルを備えた該低温溶湯保
    持炉とする、のいずれかとし、かつ、核生成部を保持容
    器とした溶湯給湯部と、 該給湯機から該保持容器に供給された溶湯中で結晶核を
    発生させる核生成部と、 該核生成部により得られた金属を固液共存状態の成形温
    度まで冷却しつつ目標成形温度範囲内に収めるように温
    度調整する結晶生成部と、 保持容器を天地逆転して反転させることにより半溶融金
    属を排出した後の保持容器の内面を清浄化する保持容器
    準備部と、 前記核生成部により得られた半溶融金属を成形装置の射
    出スリーブに搬送挿入するロボットを含む自動化装置を
    備えた容器搬送部と、から構成されてなる半溶融成形用
    金属の製造装置。
  2. 【請求項2】 溶湯給湯部を、給湯ラドルを備えた低温
    保持炉とし、かつ、核生成部を、保持容器へ注湯完了と
    同時に湯面から離脱させ振動を付与する浸漬型加振治具
    と保持容器内の外表面部と接触させながら溶湯に振動を
    付与する保持容器用加振治具とで構成した請求項1記載
    の半溶融成形用金属の製造装置。
  3. 【請求項3】 結晶生成部を、保持容器を載置し該保持
    容器の下部を加熱するための加熱源を具備するか、また
    は、保温用の断熱性素材で形成された昇降自在な架台
    と、該保持容器の上部を加熱するための加熱源を具備す
    るかまたは保温用の断熱性素材で形成されかつ保持容器
    内金属の温度を測定する温度センサを具備した昇降自在
    な蓋と、 該保持容器の外部に配設され該保持容器の外表面に向け
    て所定温度の空気を噴射する冷却装置と、から構成した
    請求項1記載の半溶融成形用金属の製造装置。
  4. 【請求項4】 結晶生成部を、保持容器下部の保温もし
    くは加熱が可能でかつ該保持容器の保持や取り出しおよ
    び誘導装置の加熱コイル内の位置調整のために昇降自在
    な架台と、 該保持容器の上部の保温もしくは加熱が可能で、かつ、
    保持容器内金属の温度を測定する温度センサを具備した
    昇降自在な蓋と、 保持容器の外周部に配設され保持容器内金属の温度を温
    度管理する加熱コイルを備えた誘導装置と、 該加熱コイルの外部に配設された該保持容器の外表面に
    向けて所定温度の空気を噴射する冷却装置と、で構成し
    た請求項記載の半溶融成形用金属の製造装置。
  5. 【請求項5】 結晶生成部は、保持容器下部の保温もし
    くは加熱が可能でかつ該保持容器の保持や取り出しや交
    換および誘導装置の加熱コイル内の位置調整のために昇
    降自在でしかも回転自在な架台と、 該保持容器の上部の保温もしくは加熱が可能で、かつ、
    保持容器内金属の温度を測定する温度センサを具備した
    昇降自在な蓋と、 保持容器の外周部に配置され保持容器内金属の温度を温
    度管理する加熱コイルを備えた誘導装置と、 該加熱コイルの外部に配置された該保持容器の外表面に
    向けて所定温度の空気を噴射する冷却装置と、で構成さ
    れ、複数個の該結晶生成部が1軸の回りに回転あるいは
    揺動することを特徴とする請求項記載の半溶融成形用
    金属の製造装置。
  6. 【請求項6】 結晶生成部は、保持容器の下部の保温も
    しくは加熱が可能な架台と、 該保持容器の上部の保温もしくは加熱が可能で、かつ、
    保持容器内金属の温度を測定する温度センサを具備した
    昇降自在な蓋と、 該保持容器の外表面に向けて所定温度の空気もしくは水
    を必要に応じて噴射する冷却装置とからなる冷却帯と、 該保持容器の外周部に配置され該保持容器内金属の温度
    を管理する加熱コイルを備えた誘導装置を有する温度調
    整帯と、から構成された請求項記載の半溶融成形用金
    属の製造装置。
  7. 【請求項7】 結晶生成部は、所定の温度まで冷却帯で
    冷却される金属を有する保持容器を温度調節帯まで所定
    の速度で移動させる自動搬送装置と、 誘導装置の加熱コイルもしくは保持容器のいずれかが移
    動して加熱コイル内で保持容器内の金属の温度を管理す
    る温度調整帯と、から構成された請求項6記載の半溶融
    成形用金属の製造装置。
  8. 【請求項8】 結晶生成部は、所定の温度まで冷却帯で
    冷却した金属を有する保持容器を温度調節帯まで移動さ
    せるロボットを含む自動化装置を備えた搬送装置と、 誘導装置の加熱コイルもしくは保持容器のいずれかが移
    動して加熱コイル内で保持容器内の金属の温度を管理す
    る温度調整帯と、から構成された請求項6記載の半溶融
    成形用金属の製造装置。
  9. 【請求項9】 保持容器準備部を、回転および昇降が自
    在で、かつ、気体、液体、固体のいずれか一つ以上を噴
    射することが可能な保持容器冷却装置と、回転および昇
    降が自在で、かつ、空気を必要に応じて噴射することが
    可能なエアブロウ装置と、 回転および昇降が自在で、かつ、空気を噴射することが
    可能なブラシを有する保持容器内面用の清掃装置のいず
    れか二つ以上の装置と、 回転および昇降が自在で、かつ、非金属を塗布するスプ
    レイ装置と、該冷却装置、該エアブロウ装置、該清掃装
    置のそれぞれの上部に、開口部を下にした容器を移動、
    固定することが可能で、昇降自在な保持容器回転搬送装
    置と、から構成した請求項1記載の半溶融成形用金属の
    製造装置。
  10. 【請求項10】 保持容器準備部を、回転および昇降が
    自在でかつ空気を噴射することが可能なブラシを有する
    保持容器内面用清掃治具と、昇降自在な保持容器固定治
    具からなる清掃装置と、保持容器内面に非金属を塗布す
    る昇降自在な治具と、昇降自在な保持容器固定治具から
    なるスプレイ装置とで構成した請求項1記載の半溶融成
    形用金属の製造装置。
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