JP3210627B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Description
関し、特に、開閉動作時における金属汚染やパーティク
ルの発生を防止するスリットバルブの改良に関するもの
である。
製造装置の全体構成を示す概略平面図である。図におい
て、半導体製造装置10は、トランスファチャンバ12
を中心に、半導体ウェハを収容したウェハカセット(図
示しない)を配置したロードロックチャンバ14、各種
のプロセスが実施されるプロセスチャンバ16及びクー
ルダウンチャンバ18が配置されている。トランスファ
チャンバ12内には、半導体ウェハを搬送するウェハ搬
送ロボット20が配置されている。また、トランスファ
チャンバ12と、クールダウンチャンバ18を除くロー
ドロックチャンバ14又はプロセスチャンバ16との間
は、開閉扉であるスリットバルブ部(図示しない)が設
けられており、エアーシリンダ等により開閉される。
リットバルブ部の概略断面図である。図において、トラ
ンスファチャンバ12とロードロックチャンバ14又は
プロセスチャンバ16との間には、スリットバルブ部2
2が形成されている。スリットバルブ部22は、スリッ
トバルブインサート23及びスリットバルブドア24を
有し、ウェハ搬送ロボット20により半導体ウェハ(図
示しない)が通過する際に、図示しないエアーシリンダ
等によりスリットバルブドア24がスリットバルブイン
サート23に対して開閉される。スリットバルブインサ
ート23の対向面25に面したスリットバルブドア24
の表面24aには、O−リング26が抜け止め用のアリ
溝27に装着され、チャンバ間の気密性が維持される。
は以上のように構成され、ロードロックチャンバ14の
ウェハカセットに搭載された半導体ウェハは、ウェハ搬
送ロボット20により所定のシーケンスに従って、トラ
ンスファチャンバ12を通り、プロセスチャンバ16等
を移動する。その際、スリットバルブインサート23及
びスリットバルブドア24の材料が金属である場合、O
−リング26によりチャンバ間の気密性が維持され、同
時にスリットバルブインサート23及びスリットバルブ
ドア24の接触が防止されている。ところが、O−リン
グ26の劣化や弾力性の低下などにより、スリットバル
ブインサート23の対向面25及びスリットバルブドア
24の表面24aが互いに接触する場合がある。この
時、この両者の接触により、金属汚染やパーティクルの
発生を生じ、半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル
付着などの悪影響を及ぼすという問題点があった。
のであり、半導体ウェハに重金属汚染、パーティクル付
着などが起こることを防止する半導体製造装置を得るこ
とを目的とする。
発明は、複数のチャンバを有し所定のチャンバ間を開閉
して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マルチチ
ャンバ型の半導体製造装置であって、前記スリットバル
ブ部は、半導体ウェハが内部を通過するスリットバルブ
インサートと、このスリットバルブインサートのトラン
スファチャンバ側を開閉するスリットバルブドアとを有
し、前記スリットバルブドアの表面及びその角部を覆っ
て、テトラフルオロエチレン又はポリイミド系樹脂テー
プからなるライナーが設けられていることを特徴とする
半導体製造装置である。
を有し所定のチャンバ間を開閉して連通するスリットバ
ルブ部を備えた枚葉式マルチチャンバ型の半導体製造装
置であって、前記スリットバルブ部は、半導体ウェハが
内部を通過するスリットバルブインサートと、このスリ
ットバルブインサートのトランスファチャンバ側を開閉
するスリットバルブドアとを有し、これらスリットバル
ブインサートの対向面及びスリットバルブドアの表面に
テトラフルオロエチレン又はポリイミド系樹脂テープか
らなるライナーが設けられていることを特徴とする半導
体製造装置である。
記スリットバルブドアの全面に設けられ、かつ前記スリ
ットバルブインサートの全面に設けられていることを特
徴とする。請求項4に記載の発明は、複数のチャンバを
有し所定のチャンバ間を開閉して連通するスリットバル
ブ部を備えた枚葉式マルチチャンバ型の半導体製造装置
であって、前記スリットバルブ部は、半導体ウェハが内
部を通過するスリットバルブインサートと、このスリッ
トバルブインサートのトランスファチャンバ側を開閉す
るスリットバルブドアとを有し、前記スリットバルブド
アの表面及びその角部を覆って、テトラフルオロエチレ
ン又はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが設け
られ、かつ前記スリットバルブインサートの対向面にテ
トラフルオロエチレン又はポリイミド系樹脂テープから
なるライナーが設けられていることを特徴とする半導体
製造装置である。
表面及びその角部を覆って、テトラフルオロエチレン又
はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが設けられ
ているので、O−リングの劣化や弾力性の低下などによ
り、これらのスリットバルブインサート及びスリットバ
ルブドアが互いに接触しようとする場合にも、ライナー
によって接触が回避される。従って、スリットバルブイ
ンサート及びスリットバルブドアの接触による金属汚染
やパーティクルの発生が防止され、半導体ウェハに重金
属汚染やパーティクル付着などを生じない。
ライナーはテトラフルオロエチレンからなる。
のライナーはポリイミド系樹脂テープからなる。
に係る半導体製造装置の実施形態について説明する。
製造装置のスリットバルブ部の概略断面図である。な
お、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。ま
た、図6に示す枚葉式マルチチャンバ型半導体製造装置
の全体構成は従来技術において説明したが、本発明にお
いても同様に適用されるものである。
ロードロックチャンバ14又はプロセスチャンバ16と
の間には、スリットバルブ部22が形成されている。ス
リットバルブ部22は、スリットバルブインサート23
A及びスリットバルブドア24Aを有し、ウェハ搬送ロ
ボット20により半導体ウェハ(図示しない)が通過す
る際に、図示しないエアーシリンダ等によりスリットバ
ルブドア24Aがスリットバルブインサート23Aに対
して開閉される。スリットバルブインサート23Aの対
向面25Aに面したスリットバルブドア24Aの表面2
4aには、ライナー30が設けられている。このライナ
ー30は、テトラフルオロエチレン例えばテフロン(デ
ュポン社製商標名)をライニングしたり、ポリイミド系
樹脂テープ例えばカプトンテープを貼り付けるなど、従
来法により設けることができる。
トバルブドア24Aの表面24aには、その周縁部に抜
け止め用のアリ溝27が形成されており、このアリ溝2
7にO−リング26が装着され、チャンバ間の気密性が
維持される。
に構成され、ロードロックチャンバ14のウェハカセッ
トに搭載された半導体ウェハは、ウェハ搬送ロボット2
0により所定のシーケンスに従って、トランスファチャ
ンバ12を通り、プロセスチャンバ16等を移動する。
その際、スリットバルブドア24Aが図示しないエアー
シリンダ等によりスリットバルブインサート23Aに対
して開閉され、スリットバルブインサート23A及びス
リットバルブドア24Aの材料が金属である場合、O−
リング26によりチャンバ間の気密性が維持されると共
に、スリットバルブインサート23A及びスリットバル
ブドア24Aの接触が防止されている。
の低下などにより、スリットバルブインサート23Aの
対向面25及びスリットバルブドア24Aの表面24a
が互いに接触しようとする場合にも、スリットバルブド
ア24Aの表面24aに設けられたライナー30の弾力
性によって接触が回避される。従って、スリットバルブ
インサート23A及びスリットバルブドア24Aの接触
による金属汚染やパーティクルの発生が防止され、半導
体ウェハに重金属汚染、パーティクル付着などを生じな
い。また、ライナー30の材料となる有機系高分子材料
は、高温となるチャンバ内では気化するため、半導体ウ
ェハの汚染源となることはない。
0をスリットバルブドア24Aの表面24aに設けた場
合について説明したが、図4に示すように、ライナー3
0をスリットバルブドア24Aの表面だけでなくその側
面にも設けてもよく、さらに、裏面を含めたスリットバ
ルブドア24Aの全面に設けてもよい。また、図5に示
すように、スリットバルブインサート23Aの対向面2
5Aの表面にも共にライナーを設けてもよく、さらに金
属汚染やパーティクルの発生が防止される。一方、スリ
ットバルブインサート23Aの対向面25Aのみにライ
ナーを設けてもよく、上述と同様な効果が得られる。ま
た、スリットバルブインサート23Aの全面にライナー
を設けてもよい。
商標)やカプトン(登録商標)テープに限らず、ライニ
ングできる材料であって、耐摩耗性を有し高温において
気化し得る材料であれば、同様に使用することができ
る。なお、テフロンは耐腐食性が高いため、腐食性の高
い処理ガスが使用される場合にも、好適に使用すること
ができる。また、半導体製造装置としては、エピタキシ
ャル成長装置や高速熱処理アニール装置、熱CVD装置
等、種々のプロセスを実施する装置が適用可能である。
スリットバルブインサートの対向面及びスリットバルブ
ドアの表面の少なくとも一方にライナーが設けられてい
るので、O−リングの劣化や弾力性の低下などにより、
これらのスリットバルブインサート及びスリットバルブ
ドアが互いに接触しようとする場合にも、ライナーによ
って接触が回避される。従って、スリットバルブインサ
ート及びスリットバルブドアの接触による金属汚染やパ
ーティクルの発生が防止され、半導体ウェハに重金属汚
染やパーティクル付着などを生じない半導体製造装置が
得られるという効果を奏する。
リットバルブ部の概略断面図である。
トバルブドアの概略部分断面図である。
ある。
構成を示す概略平面図である。
部の概略断面図である。
14…ロードロックチャンバ、16…プロセスチャン
バ、18…クールダウンチャンバ、20…ウェハ搬送ロ
ボット、22…スリットバルブ部、23A…スリットバ
ルブインサート、24a…表面、24A…スリットバル
ブドア、25A…対向面、26…O−リング、27…ア
リ溝、30…ライナー。
Claims (4)
- 【請求項1】 複数のチャンバを有し所定のチャンバ間
を開閉して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マ
ルチチャンバ型の半導体製造装置であって、前記スリッ
トバルブ部は、半導体ウェハが内部を通過するスリット
バルブインサートと、このスリットバルブインサートの
トランスファチャンバ側を開閉するスリットバルブドア
とを有し、前記スリットバルブドアの表面及びその角部
を覆って、テトラフルオロエチレン又はポリイミド系樹
脂テープからなるライナーが設けられていることを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 複数のチャンバを有し所定のチャンバ間
を開閉して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マ
ルチチャンバ型の半導体製造装置であって、前記スリッ
トバルブ部は、半導体ウェハが内部を通過するスリット
バルブインサートと、このスリットバルブインサートの
トランスファチャンバ側を開閉するスリットバルブドア
とを有し、これらスリットバルブインサートの対向面及
びスリットバルブドアの表面にテトラフルオロエチレン
又はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが設けら
れていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項3】 前記ライナーは、前記スリットバルブド
アの全面に設けられ、かつ前記スリットバルブインサー
トの全面に設けられていることを特徴とする請求項2に
記載の半導体製造装置。 - 【請求項4】 複数のチャンバを有し所定のチャンバ間
を開閉して連通するスリットバルブ部を備えた枚葉式マ
ルチチャンバ型の半導体製造装置であって、前記スリッ
トバルブ部は、半導体ウェハが内部を通過するスリット
バルブインサートと、このスリットバルブインサートの
トランスファチャンバ側を開閉するスリットバルブドア
とを有し、前記スリットバルブドアの表面及びその角部
を覆って、テトラフルオロエチレン又はポリイミド系樹
脂テープからなるライナーが設けられ、かつ前記スリッ
トバルブインサートの対向面にテトラフルオロエチレン
又はポリイミド系樹脂テープからなるライナーが設けら
れていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27844798A JP3210627B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27844798A JP3210627B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000114179A JP2000114179A (ja) | 2000-04-21 |
JP3210627B2 true JP3210627B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=17597473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27844798A Expired - Fee Related JP3210627B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3210627B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349031A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-15 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
US6889627B1 (en) * | 2001-08-08 | 2005-05-10 | Lam Research Corporation | Symmetrical semiconductor reactor |
US20050109276A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Applied Materials, Inc. | Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber |
JP4821314B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-11-24 | ダイキン工業株式会社 | 半導体製造装置用バルブの弁体およびその製造方法 |
JP5243089B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のシール構造、シール方法およびプラズマ処理装置 |
US8011381B2 (en) * | 2008-10-02 | 2011-09-06 | Applied Material, Inc. | Balanced purge slit valve |
JP5190387B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2013-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空装置及び基板処理装置 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP27844798A patent/JP3210627B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000114179A (ja) | 2000-04-21 |
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