JP3209734B2 - 半導体集積回路及びその検査方法 - Google Patents

半導体集積回路及びその検査方法

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JP3209734B2 JP26897899A JP26897899A JP3209734B2 JP 3209734 B2 JP3209734 B2 JP 3209734B2 JP 26897899 A JP26897899 A JP 26897899A JP 26897899 A JP26897899 A JP 26897899A JP 3209734 B2 JP3209734 B2 JP 3209734B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速に動作する半
導体集積回路の改良に関し、詳しくは、半導体集積回路
の持つ動作速度よりも低速で動作する検査装置を用いて
検査可能な半導体集積回路の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、超高速インターフェイス技術の研
究が進んで、IEEE1394規格の通り高速伝送され
た画像データをディスプレイに表示できるようになり、
LSIの高速動作化は飛躍的に進歩している。しかし、
高速動作するLSIを検査するための検査装置の開発
は、LSIの開発速度に比較して遅れがあるのが現状で
ある。
【0003】従来より、高速LSIを検査する検査装置
には、被検査LSIの高速動作に対応してデータを高速
に発生するデータ発生装置と、高速LSIの検査結果と
して得られた転送レートの高い高速信号を期待値と比較
する高速用比較器とを備える。通常、高速動作するデバ
イスを検査する場合、高速データ送信試験では、検査装
置のデータ発生装置から所定パターンの低速データを被
検査デバイスに入力し、その後、被検査デバイスの論理
回路内のPLL(位相同期ループ)等を用いて前記入力
データを高速に分周して、転送レートの高い高速データ
とし、この高速データを被検査デバイス内の高速送信回
路で検査装置に送信し、検査装置内で高速比較器を用い
て前記受信された高速データを期待値と比較している。
一方、高速データ受信試験では、検査装置のデータ発生
装置から転送レートの高い高速データを被検査デバイス
に送信し、この被検査デバイス内で、前記高速データを
高速受信回路で受信し、その後、内部の論理回路で転送
レートの低い低速データに分周し、この低速データを検
査装置内の比較器で期待値と比較して、検査を行ってい
る。
【0004】図7は、従来の検査装置を用いた高速デバ
イスの検査の構成の一例を示す。この一例は、米国テラ
ダイン(TERADYNE)社の高速LSIテスターJ
971のテスト構成である。同図において、DUT(被
検査デバイス)70が高速転送処理を必要とする場合、
高速データ送信試験では、検査装置60のデータ発生装
置61が転送レートが通常の例えば50Mbps の入力パ
ターンをDUT70に入力する。その入力パターンはD
UT70内の第1の論理回路71が受信し、この第1の
論理回路71内のPLL等(図示せず)で高速に分周し
た後、この転送レートの高い例えば400Mbps の高速
パターン信号を高速送信回路72から検査装置60へ出
力する。検査装置60では、比較器62は受信結果であ
る高速パターンとデータ発生装置61からの期待値パタ
ーンとを比較して、検査結果を出力する。
【0005】一方、高速データ受信試験では、検査装置
60の高速用データ発生装置63は、DUT70のデー
タ転送速度に等しい転送速度で高速パターン信号をDU
T70に出力し、DUT70では、高速受信回路73が
前記高速パターン信号を受信し、第2の論理回路74で
この高速パターン信号を低速に分周して、通常の転送レ
ート(50Mbps)の低速パターンとし、その後、受信
結果である前記低速パターンを検査装置60内の比較器
64で期待値と比較する。
【0006】従って、従来の検査装置60では、高速デ
ータ送信試験では高速用比較器62を、高速データ受信
試験では高速用データ発生装置63を各々搭載する必要
がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、検査装
置60の高速用データ発生装置63及び高速用比較器6
2は非常に高価であって、コスト面から見ると、検査コ
ストの増大が大きな問題となっている。
【0008】また、近年の半導体集積回路はより一層の
高速化を目差しており、このため、LSI検査装置は、
半導体集積回路の高速化に良好に追随していないのが現
状である。また、半導体集積回路の高速化の速度に追随
したとしても、半導体集積回路が高速化される毎に、そ
の高速化に対応して検査装置を交換するのは莫大なコス
トを要する。更に、LSIが高速化する毎にLSI検査
装置を変更する場合に、異なるメーカーのLSI検査装
置を使用すれば、プログラムの変換等に長時間を要する
等の問題も生じる。
【0009】更に、被検査デバイスが高速になると、転
送された信号の遅延スキューや信号配線に起因する転送
信号の電位降下に対しても検査が必要になるものの、従
来では、検査装置において遅延時間や電位降下量等を制
御していたため、被検査デバイスが受信する信号の遅延
スキュー等のワーストケースの検査は可能であるが、被
検査デバイス内で生じる遅延スキューや信号の電位降下
量のワーストケースの検査は行い得なかった。
【0010】本発明は、前記従来の問題点を解決するも
のであり、その目的は、通常の低速信号用の検査装置で
検査可能な半導体集積回路を提供することにある。
【0011】また、本発明の他の目的は、前記目的に加
えて、検査される半導体集積回路内で意図的に電位降下
と遅延スキューとを起こさせ、高速信号の転送時に半導
体集積回路内で起こり得るワーストケースの検査を行う
ことが可能な半導体集積回路を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明では、半導体集積回路内の送信回路で送信す
る高速信号を自己の半導体集積回路内の受信回路で受信
し、この受信した高速信号を低速信号に変換し、この低
速信号に基づいて検査する構成を採用する。
【0013】更に、検査される半導体集積回路内に、高
速信号の電位を降下させる電位制御回路を設けたり、高
速差動信号を構成する2つの信号間に遅延スキューを強
制的に生じさせる遅延回路を設ける。
【0014】即ち、請求項記載の発明の半導体集積回
路は、転送レートの高い高速差動信号を送信する送信回
路と、受信回路とを備えると共に、外部検査装置に接続
される検査時に前記外部検査装置から転送レートの低い
低速信号が入力され、前記高速差動信号を生成して前記
送信回路に出力する第1の論理回路と、前記送信回路と
前記受信回路とを結ぶ2本の配線より成る差動信号配線
と、前記差動信号配線に配置され、前記検査時に閉じ
て、前記送信回路から送信される高速差動信号を前記受
信回路に送るスイッチ手段と、前記受信回路が受信した
高速差動信号を入力し、この高速差動信号を他の低速信
号に変換する第2の論理回路と、前記第2の論理回路に
入力される高速差動信号を構成する2つの信号の何れか
一方を遅延させる遅延回路とを備えたことを特徴とす
る。
【0015】請求項記載の発明は、前記請求項記載
の半導体集積回路において、前記第1の論理回路は、生
成する高速差動信号の電位レベルを高く又は低く制御す
る電位制御回路を備えることを特徴とする。
【0016】請求項記載の発明の半導体集積回路は、
外部の検査装置に接続される検査時に、前記検査装置か
ら転送レートの低い信号が入力され、データ信号及びス
トローブ信号より成る転送レートの高い高速差動信号を
生成して出力する第1の論理回路と、前記第1の論理回
路が生成した高速差動信号を送信する送信回路と、前記
検査時に前記送信回路が送信した高速差動信号を、その
データ信号とストローブ信号とを入れ換えて受信する受
信回路と、前記受信回路が受信した高速差動信号を入力
し、この高速差動信号に含まれる前記ストローブ信号を
転送レートの低い低速信号に変換する第2の論理回路
と、前記第2の論理回路により変換される低速信号の期
待値が予め記憶された記憶回路とを備えたことを特徴と
する。
【0017】請求項記載の発明の半導体集積回路の検
査方法は、データ信号及びストローブ信号より成る転送
レートの高い高速差動信号を送信する送信回路と、受信
回路とを備えた半導体集積回路の検査方法であって、前
記送信回路から送信された高速差動信号を前記データ信
号とストローブ信号を入れ換えて受信し、前記受信した
高速差動信号のストローブ信号をこのストローブ信号の
期待値と比較することを特徴とする。
【0018】以上の構成により、請求項1ないし請求項
記載の発明では、従来の検査で送信回路が外部の検査
装置へ出力する高速データを被検査デバイス内の受信回
路で受信して、被検査デバイス内で低速データに変換
し、この低速データに基づいて検査するので、検査装置
には従来のように高速用比較器62や高速用データ発生
装置63が不要である。従って、安価な検査装置を使用
して、データを高速転送する半導体集積回路を良好に検
査することができる。また、請求項1記載の発明では、
遅延回路が高速差動信号のスキューを強制的に作り出す
ので、前記高速差動信号のスキューがどれだけ大きな値
になれば誤動作に至るかの遅延のワーストケースの検査
をすることが可能になる。
【0019】特に、請求項記載の発明では、被検査デ
バイスの検査時には、電位制御回路が、送信回路から送
信する高速信号の電位レベルを所定電圧(例えば3.3
V)から段階的に低下させることができるので、この被
検査デバイスを使用した通常動作時に前記高速信号の電
位レベルがどれだけ降下した時点で誤動作に至るかの電
位降下のワーストケースの検査をすることが可能にな
る。
【0020】更に、請求項及び請求項載の発明で
は、検査時に受信回路が高速差動信号のデータ信号とス
トローブ信号とを入れ換えて受信しても、記憶回路に
は、予め、前記受信回路にはストローブ信号として受信
した本来のデータ信号の期待値が記憶されているので、
前記受信回路が受信したストローブ信号と記憶回路に記
憶された期待とを比較することにより、被検査デバイス
の検査が可能である。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。先ず、最初に本発明
の基礎となる技術を説明する。
【0022】(第1の基礎技術) 図1は第1の基礎技術の半導体集積回路を検査する場合
のブロック構成を示す。同図において、10は検査装
置、20は被検査デバイス(半導体集積回路)である。
【0023】前記検査装置10は、検査イネーブル信号
Data_Enを出力するデータ発生装置11と、被検
査デバイス(以下、DUTという)20から出力される
低転送レート(例えば50Mbps程度)の出力信号パ
ターンData_Rxとデータ発生装置11からの期待
値とを比較する比較器12とを備える。
【0024】前記DUT20は、検査装置10のデータ
発生装置11からの検査イネーブル信号Data_En
を入力する第1の論理回路21を有する。この第1の論
理回路21は、通常の転送レート(例えば50Mbp
s)の低速信号パターンを予め記憶するレジスタ28を
内蔵する。更に、前記第1の論理回路21は、前記検査
イネーブル信号Data_Enが入力された検査時に、
前記レジスタ28の低速信号パターンを分周して、前記
通常の転送レートよりも高い転送レート(例えば400
Mbps程度の転送レート)の高速信号パターンSpe
edData_Txを生成し、この高速信号パターンS
peedData_Txを出力する。
【0025】更に、前記DUT20は、前記高速信号S
peedData_Txを送信する高速送信回路22
と、高速受信回路23とを有する。前記高速送信回路2
2と高速受信回路23との間は信号配線27で接続さ
れ、この信号配線27にはスイッチ回路(スイッチ手
段)24が配置され、このスイッチ回路24はテスト制
御回路25により制御される。前記テスト制御回路25
は、DUT20が前記検査装置10からの検査イネーブ
ル信号Data_Enを受けた検査時に、前記スイッチ
回路24を閉じて、高速送信回路22が出力する高速信
号パターンSpeedData_Txを前記高速受信回
路23に受信させるものである。
【0026】前記高速送信回路22から送信される高速
信号パターンSpeedData_Tx自体は、図1か
ら判るように、前記スイッチ回路24が閉じた検査時に
は、前記高速受信回路23に送られる以外に、DUT2
0の外部にもそのまま送信される。
【0027】加えて、前記DUT20には、高速受信回
路23が受信した400Mbps程度の高速信号パター
ンSpeedData_Txを、逆に50Mbps程度
の通常レートの低速信号パターンData_Rxに逆変
換する第2の論理回路26が備えられる。この逆変換さ
れた低速信号パターンData_Rxは、検査装置10
に出力される。
【0028】次に、本基礎技術の半導体集積回路の検査
を具体的に説明する。図1において、検査装置10のデ
ータ発生装置11が検査イネーブル信号Data_En
をDUT20に出力すると、このDUT20内の第1の
論理回路21は、レジスタ28に記憶された50Mbp
s程度の低転送レートのテストパターンを高転送レート
の例えば400Mbps程度の高速信号(テストパター
ン)SpeedData_Txに変換し、このテストパ
ターンは高速送信回路22から送信される。
【0029】この検査時には、DUT20内のスイッチ
回路24が閉じられ、DUT20内部では高速受信回路
23が前記テストパターンSpeedData_Txを
そのまま受信することになる。前記スイッチ回路24の
ON/OFFはテスト制御回路25によって制御され
る。テスト制御回路25はテスト時にスイッチ回路24
をON、通常動作ではOFFに制御する。DUT20内
部での短絡により、高速受信回路23は400Mbps
程度の前記テストパターンSpeedData_Txを
受信し、受信した結果のパターンを高速のまま第2の論
理回路26へ出力する。第2の論理回路26は、400
Mbpsの受信結果パターンSpeedData_Tx
を、今度は検査装置10の比較器12が対応できる50
Mbps程度の通常転送レートの低速パターンData
_Rxに分周して、検査装置10の比較器12に出力す
る。前記比較器12は、DUT20の低速パターンDa
ta_Rxと、検査装置10のデータ発生装置11の期
待値パターンとを50Mbpsの転送レートで比較す
る。
【0030】従って、図1においてDUT20の高速送
信回路22と高速受信回路23とが、検査時にはスイッ
チ回路24により内部で短絡され、且つ受信回路23で
受信された高速テストパターンSpeedData_T
xが通常転送レートの低速パターンData_Rxに変
換されるので、検査装置10では50Mbps程度の通
常転送レートの検査イネーブル信号Data_Enでも
って高速データの転送検査が可能である。換言すれば、
高速送信回路22で出力された400Mbps程度の高
速信号パターンSpeedData_Txは従来のよう
に直ちに検査装置10には送信されず、DUT20内の
受信回路23で前記高速信号パターンSpeedDat
a_Txを受信し、第2の論理回路26で再び50Mb
ps程度の低速パターンData_RXに分周した後に
検査装置10に出力し、検査装置10内の比較器12で
検査するので、検査装置10に高速信号用のデータ発生
装置及び高速信号用比較器を必要としない。
【0031】また、スイッチ回路24及びテスト制御回
路25を備えるので、被検査デバイスの通常動作から検
査への切り換え時には、高速送信回路22と高速受信回
路23とを短絡させて検査を行うことができる。
【0032】(第2の基礎技術) 図2は本発明の第2の基礎技術を示す。同図に示すDU
T20’では、第1の論理回路21’内に電位制御回路
29を含む。この電位制御回路29は、第1の論理回路
21によって400Mbps程度の転送レートに変換さ
れた高速信号パターンの中心電位(例えば1.8V)を
任意の電圧範囲(例えば0.5Vの範囲)で降下させ
て、この高速信号SpeedData_Txを送信回路
22へ出力する。前記電位制御回路29は、外部から4
ビットのレベル制御信号Level In1、Level In2、Level
In3及びLevel In4を受け、これ等の制御信号の組合せに
より、高速信号SpeedData_Txの電位レベル
の降下幅又は上昇幅が決定される。例えば、これ等信号
の組合せが「0001」であれば10mV降下させ、
「0100」であれば100mV上昇させる。
【0033】その他の構成は前記第1の基礎技術と同様
である。高速送信回路22は高速受信回路23に高速信
号パターンSpeedData_Txを出力し、第2の
論理回路26は中心電位の降下した高速受信信号パター
ンSpeedData_Txを受信し、50Mbps程
度の低速信号パターンData_Rxに変換して、検査
装置10へ出力する。
【0034】ここで、前記電位制御回路29により、高
速信号パターンSpeedData_Txの中心電位を
所定電圧範囲(例えば0.5Vの範囲)内で降下変動さ
せることができるので、DUT20の通常使用時にDU
T20内で生じる高速信号の電圧降下のワーストケース
を検査することが可能である。
【0035】(第の実施の形態) 次に、本発明の第の実施の形態を説明する。図3は本
発明の第の実施の形態の半導体集積回路を検査する場
合の全体構成を示すブロック図である。
【0036】同図において、DUT30は、検査装置1
0に搭載されたデータ発生装置11からの図4(a)に
示す検査イネーブル信号Data_Enを入力する第1
の論理回路31を有する。この第1の論理回路31は、
図4(b)に示すような通常の転送レート(例えば50
Mbps)の低速信号パターンを予め記憶するレジスタ
38を内蔵する。更に、前記第1の論理回路31は、前
記検査イネーブル信号Data_Enが入力された検査
時に、前記レジスタ38の低速信号パターンを分周し
て、前記通常の転送レートよりも高い転送レート(例え
ば400Mbps程度の転送レート)の高速差動信号パ
ターンSpeedData_Txを生成するDSエンコ
ーダ(符号化器)(図示せず)を有し、この生成した高
速差動信号パターンSpeedData_Txを出力す
る。前記高速差動信号パターンSpeedData_T
xは、図4(c)に示すように、データ信号Dataと
ストローブ信号Strobeとの2つの信号よりなる差
動信号である。
【0037】また、前記DUT30は、前記第1の論理
回路31からの高速差動信号パターンSpeedDat
a_Txを送信する高速送信回路32と、高速受信回路
33とを有する。この高速送信回路32と高速受信回路
33との間には、差動信号線路37が配置され、この差
動信号線路37にはスイッチ回路34が配置される。テ
スト制御回路35は、検査時にスイッチ回路34を閉じ
て、高速送信回路32が出力する高速差動信号パターン
SpeedData_TxをDUT30内で高速受信回
路33に受信させる。
【0038】更に、前記DUT30は第2の論理回路3
6を備える。この第2の論理回路36は、前記高速受信
回路33が受信した400bps程度の高速差動信号パ
ターンSpeedData_Txを、50Mbps程度
の通常転送レートの低速差動信号パターンに逆変換する
DSデコーダ(復号化器)(図示せず)を有する。この
逆変換された低速差動信号パターンは、前記高速差動信
号パターンと同様に、データ信号とストローブ信号とか
ら成る。更に、前記第2の論理回路36にはレジスタ
(記憶回路)39が備えられる。このレジスタ39は、
前記逆変換された低速信号パターンの期待値を予め記憶
する。前記第2の論理回路36は、前記逆変換した低速
信号パターンと前記レジスタ39の期待値とを比較し、
その比較結果信号Data_Rxを検査装置10に出力
する。この比較結果信号を図4(e)に示す。図3にお
いて、前記高速受信回路33と第2の論理回路36との
間の差動信号配線のうち、ストローブ信号が伝送される
配線には、遅延回路Dが配置される。
【0039】以下、本実施の形態の半導体集積回路の検
査を具体的に説明する。図3において、検査装置10の
データ発生装置11が検査イネーブル信号Data_E
nをDUT30内の第1の論理回路31に送る。
【0040】DUT30では、第1の論理回路31が5
0Mbps程度の検査イネーブル信号Data_Enを
受けて、DUT30が本来持つ動作周波数(例えば、4
00Mbps)の高速テストパターンSpeedDat
a_Txを生成する。その際、第1の論理回路31のD
Sエンコーダは、高速テストパターンSpeedDat
a_Txとして、データ信号とストローブ信号とから成
る差動信号パターンを生成し、高速送信回路32へ出力
する。
【0041】DUT30内では、スイッチ回路34がテ
スト制御回路35により制御されて閉じられている。従
って、高速送信回路32から送信された高速差動信号S
peedData_Txは、DUT30内で高速受信回
路33でそのまま受信される。受信された高速差動パタ
ーンSpeedData_Txは高速のまま第2の論理
回路36へ出力される。
【0042】前記高速差動信号パターンSpeedDa
ta_Txが高速受信回路33から第2の論理回路36
へ出力される際、ストローブ配線上に配置された遅延回
路Dを通過する。この遅延回路Dは、ストローブ信号パ
ターンを強制的に遅延させ、この遅延したストローブ信
号が第2の論理回路36内のDSデコーダに入力され
る。前記第2の論理回路36のDSデコーダは、符号化
された高速差動信号パターンを復号化して、400Mb
psの高速受信結果パターンSpeedData_Tx
を50Mbps程度の通常周波数の低速差動信号パター
ンData_Rxに戻す。この低速差動信号パターン
は、第2の論理回路36内のレジスタ39に記憶された
期待値と比較され、その比較結果信号Data_Rxが
検査装置10に出力される。検査装置10では、比較器
12が前記DUT30からの比較結果信号Data_R
xをデータ発生装置11からの期待値と照合する。
【0043】ここに、遅延回路Dは高速差動信号に含ま
れるストローブ信号を強制的に遅延させるので、検査装
置等と接続している場合の高速差動信号の任意のスキュ
ー値をDUT30内に持たせることができる。従って、
遅延回路Dの遅延値を種々変更すれば、高速差動信号の
スキューのワーストケース(最大スキュー値)を検査で
きる。
【0044】更に、第1の論理回路31がDSエンコー
ダを含むので、検査時には、その検査目的に合致した適
切なデータ信号とストローブ信号とから成る差動信号パ
ターンを生成できる。また、データ信号とストローブ信
号とに基づいてクロック信号を生成するので、送信回路
32及び受信回路33は高速のクロック信号で動作す
る。加えて、前記生成されたクロック信号のエッジは、
データ信号のエッジに対して遅延するので、遅延回路D
により遅延されたストローブ信号をクロック信号で確実
にラッチできる。
【0045】尚、本実施の形態では、遅延回路Dをスト
ローブ信号配線に配置したが、データ信号配線に配置し
ても良いのは勿論である。つまり、遅延回路Dは、受信
回路33と第2の論理回路36との間の差動信号配線の
何れか一方の配線に配置すれば良い。
【0046】また、図3に示した第1の論理回路31を
図2に示した第1の論理回路21’に変更して、第1の
論理回路の内部に電位制御回路29を備えても良い。
【0047】(第の実施の形態) 続いて、本発明の第の実施の形態を図5に基づいて説
明する。本実施の形態は、IEEE1394規格の物理
層LSIの送受信回路を持つ半導体集積回路を検査する
場合を示している。
【0048】同図において、DUT40内部の高速送受
信回路42の信号出力側から信号入力側までの短絡構造
を利用して、検査モードの設定により、高速送受信回路
42の内部でデータ信号をストローブ信号として受信さ
せる。通常動作では、データ信号をストローブ信号とし
て受信することはできない。検査モード時にデータ信号
をストローブ信号として受け取る場合には、第2の論理
回路46内のレジスタ49には、前記ストローブ信号の
期待値が予め記憶される。具体的に説明すると、次の通
りである。
【0049】IEEE1394規格では、データ信号と
ストローブ信号とのエクスクルーシブORでクロック信
号を生成する構造を採用する。また、この検査モード時
には、図4(d)に示すように、データ信号Dataと
ストローブ信号Strobeとが入れ換って受信される
ことになる。例えば、データ信号として「010110
10」を高速送信した場合には、高速送受信回路42は
内部でストローブ信号「00001111」を高速受信
する。この関係上、前記受信したストローブ信号のパタ
ーンを期待値としてレジスタ49に持たせておけば、検
査が可能になる。
【0050】前記送受信回路42内の短絡構造には、前
記第1及び第2の基礎技術のスイッチ回路27、37は
配置されない。その他の構成は、前記第の実施の形態
と同様であるので、その説明を省略する。
【0051】(第の実施の形態) 次に、本発明の第の実施の形態を説明する。本実施の
形態は、IEEE1394規格の差動ケーブルを使用し
て検査を行う場合を示す。図6は本実施の形態の半導体
集積回路を検査する場合の全体構成を示すブロック図で
ある。
【0052】図6では、検査装置10とDUT50とを
備える。DUT50は2つのポートを持つ構成であり、
ポート1及びポート2には、各々、前記第の実施の形
態のDUT20と同様に、レジスタ38を持つ第1の論
理回路31、高速送信回路32、高速受信回路33、レ
ジスタ39を持つ第2の論理回路36、前記高速送信回
路32から高速受信回路33に至る短絡構造とが設けら
れる。前記短絡構造には図3のスイッチ回路34は配置
されない。検査装置10は第の実施の形態の検査装置
10と同一構成である。
【0053】前記ポート1の高速送信回路32とポート
2の高速受信回路33とは、検査時に、IEEE139
4規格の差動ケーブル57により接続される。同様に、
ポート2の高速送信回路32とポート1の高速受信回路
33とは、検査時に、IEEE1394規格の差動ケー
ブル57により接続される。テスト制御回路55は、検
査時に、複数ポートを使用する検査モードに切り換え
て、例えばポート1の高速送信回路32により高速信号
データSpeedData_Txを送信し、この高速信
号データSpeedData_TxをDUT50の外部
で差動ケーブル57を経由して再びDUT内のポート2
の受信回路33で受信するように、各ポートの論理回路
31、36を制御する。
【0054】つまり、本実施の形態では、前記第の実
施の形態で行ったように送信回路42の出力側と受信回
路43の入力側との短絡構造を利用した高速差動信号の
送受信に代えて、その高速差動信号の送受信をDUT5
0外部の差動ケーブル57でループバックさせて行った
ものである。
【0055】従って、本実施の形態では、検査モード時
には、差動ケーブル57を使用して、一方のポートの送
信回路32から送信された高速差動信号を一旦外部の差
動ケーブル57に出力し、この差動ケーブル57を経て
他方のポートの受信回路33で受信する構成であるの
で、送信回路32から送信された高速差動信号に含まれ
る高速データ信号は、前記第の実施の形態のように高
速ストローブ信号としてではなく、そのままデータ信号
として受信される。従って、各ポートの第2の論理回路
36に内蔵するレジスタ39には、予め、データ信号の
期待値を記憶すればよい。また、DUT50の通常動作
時に実際に使用する差動ケーブルを用いるので、高速差
動信号のより確かな保証が可能になる。
【0056】尚、以上の説明では、検査装置10のデー
タ発生装置11からは検査イネーブル信号Data_E
nを発生させたが、50Mbpsの低速信号パターン
(テストパターン)を発生してDUTに出力する構成を
採用しても良い。また、DUT内の第2の論理回路内に
期待値を記憶するレジスタを設け、検査時に得られた低
速信号をこのレジスタの期待値と比較したが、本発明は
これに限定されず、その他、検査装置10内に期待値を
格納しておき、DUTからは検査時に得られた低速信号
を検査装置10に出力し、検査装置10内で前記低速信
号と期待値との比較を行う場合も含むものである。
【0057】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項記載の発明によれば、送信回路から送信される高
速信号を自らの受信回路で受信し、低速信号に変換する
ので、信号の高速転送を行う半導体集積回路の検査であ
っても、検査装置の高速用比較器及び高速用データ発生
装置を不要にして、低コストの検査装置を使用した検査
が可能である。更に、請求項1記載の発明によれば、遅
延回路が高速差動信号のスキューを強制的に作り出すの
で、遅延スキューの検査をも行うことができる。
【0058】特に、本発明の請求項記載の発明によれ
ば、信号配線長に起因する高速信号の電位の降下検査も
可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の基礎技術の半導体集積回路を検
査する場合の全体構成を示す図である。
【図2】本発明の第2の基礎技術の半導体集積回路を検
査する場合の全体構成を示す図である。
【図3】本発明の第の実施の形態の半導体集積回路を
検査する場合の全体構成を示す図である。
【図4】(a)は第の実施の形態における検査イネー
ブル信号の波形を示す図、(b)は第1の論理回路のレ
ジスタに記憶する低速信号データの波形を示す図、
(c)は高速差動信号波形を示す図、(d)は第の実
施の形態における第2の論理回路が変換した低速信号デ
ータの波形を示す図、(e)は第の実施の形態におけ
る第2の論理回路から検査装置に出力される比較結果信
号を示す図である。
【図5】本発明の第の実施の形態の半導体集積回路を
検査する場合の全体構成を示す図である。
【図6】本発明の第の実施の形態の半導体集積回路を
検査する場合の全体構成を示す図である。
【図7】従来のテスト回路装置の構成図である。
【符号の説明】
10 検査装置 11 データ発生装置 12 比較器 20、30 被検査デバイス(半導体集積回
路) 21、31 第1の論理回路 22、32 高速送信回路 23、33 高速受信回路 24、34 スイッチ回路(スイッチ手段) 25、35、55 テスト制御回路 26、36 第2の論理回路 27 信号配線 28 レジスタ D 遅延回路 29 電位制御回路 37 差動信号配線 39 レジスタ(記憶回路) 57 差動ケーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−264673(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/28 - 31/3193

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 転送レートの高い高速差動信号を送信す
    る送信回路と、 受信回路とを備えると共に、 外部検査装置に接続される検査時に前記外部検査装置か
    ら転送レートの低い低速信号が入力され、前記高速差動
    信号を生成して前記送信回路に出力する第1の論理回路
    と、 前記送信回路と前記受信回路とを結ぶ2本の配線より成
    る差動信号配線と、 前記差動信号配線に配置され、前記検査時に閉じて、前
    記送信回路から送信される高速差動信号を前記受信回路
    に送るスイッチ手段と、 前記受信回路が受信した高速差動信号を入力し、この高
    速差動信号を他の低速信号に変換する第2の論理回路
    と、 前記第2の論理回路に入力される高速差動信号を構成す
    る2つの信号の何れか一方を遅延させる遅延回路とを備
    えたことを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の論理回路は、生成する高速差
    動信号の電位レベルを高く又は低く制御する電位制御回
    路を備えることを特徴とする請求項記載の半導体集積
    回路。
  3. 【請求項3】 外部の検査装置に接続される検査時に、
    前記検査装置から転送レートの低い信号が入力され、デ
    ータ信号及びストローブ信号より成る転送レートの高い
    高速差動信号を生成して出力する第1の論理回路と、 前記第1の論理回路が生成した高速差動信号を送信する
    送信回路と、 前記検査時に前記送信回路が送信した高速差動信号を、
    そのデータ信号とストローブ信号とを入れ換えて受信す
    る受信回路と、 前記受信回路が受信した高速差動信号を入力し、この高
    速差動信号に含まれる前記ストローブ信号を転送レート
    の低い低速信号に変換する第2の論理回路と、 前記第2の論理回路により変換される低速信号の期待値
    が予め記憶された記憶回路とを備えたことを特徴とする
    半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 データ信号及びストローブ信号より成る
    転送レートの高い高速差動信号を送信する送信回路と、
    受信回路とを備えた半導体集積回路の検査方法であっ
    て、 前記送信回路から送信された高速差動信号を前記データ
    信号とストローブ信号を入れ換えて受信し、 前記受信した高速差動信号のストローブ信号をこのスト
    ローブ信号の期待値と比較することを特徴とする半導体
    集積回路の検査方法。
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