JP3209700B2 - 光起電力装置及びモジュール - Google Patents
光起電力装置及びモジュールInfo
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体接合として
結晶系シリコンと非晶質シリコンとの接合を備えたＨＩ
Ｔ構造の光起電力装置（太陽電池）及びその装置から構
成されたモジュールに関する。
結晶系シリコンと非晶質シリコンとの接合を備えたＨＩ
Ｔ構造の光起電力装置（太陽電池）及びその装置から構
成されたモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、単結晶シリコン或いは多結晶シリ
コン等の結晶系シリコン半導体と、非晶質シリコンに代
表される非晶質半導体との半導体接合を備えた光起電力
装置として、例えば、特開平４−１３０６７１号公報
（Ｈ０１Ｌ ３１／０４）に記載されているＨＩＴ構造
の光起電力装置が知られている。
コン等の結晶系シリコン半導体と、非晶質シリコンに代
表される非晶質半導体との半導体接合を備えた光起電力
装置として、例えば、特開平４−１３０６７１号公報
（Ｈ０１Ｌ ３１／０４）に記載されているＨＩＴ構造
の光起電力装置が知られている。
【０００３】このＨＩＴ構造の光起電力装置において
は、互いに逆導電型の関係を有する単結晶半導体と非晶
質半導体との間に、真性の非晶質半導体層を介在させる
ことで、その光起電力特性を大幅に向上させている。
は、互いに逆導電型の関係を有する単結晶半導体と非晶
質半導体との間に、真性の非晶質半導体層を介在させる
ことで、その光起電力特性を大幅に向上させている。
【０００４】ところで、かかる結晶系シリコンを用いた
光起電力装置にあっては、材料費の節減のため、結晶系
シリコン基板の厚さを１５０μｍ程度にまで薄膜化する
ことが検討されている。
光起電力装置にあっては、材料費の節減のため、結晶系
シリコン基板の厚さを１５０μｍ程度にまで薄膜化する
ことが検討されている。
【０００５】しかしながら、光入射側電極として透明導
電膜／受光面電極構造を用い、裏面側電極として金属膜
／集電極構造を用いた従来の光起電力装置にあっては、
基板の薄膜化に伴い、前記透明導電膜と金属膜との熱膨
張係数の差に起因するストレスの影響が増大し、基板に
そりが生じるという課題がある。そして、かかる課題を
解決するために、裏面側電極も透明導電膜／集電極構造
にすることが検討されている。
電膜／受光面電極構造を用い、裏面側電極として金属膜
／集電極構造を用いた従来の光起電力装置にあっては、
基板の薄膜化に伴い、前記透明導電膜と金属膜との熱膨
張係数の差に起因するストレスの影響が増大し、基板に
そりが生じるという課題がある。そして、かかる課題を
解決するために、裏面側電極も透明導電膜／集電極構造
にすることが検討されている。
【０００６】従来のこの種光起電力装置につき、断面図
の図３を参照して説明する。同図において、１はｎ型の
単結晶シリコンの半導体からなる基板、２，３は真性の
非晶質シリコンからなるｉ型層及びｐ型非晶質シリコン
からなるｐ型層であり、基板１の光入射側、即ち表面に
順次積層されている。４はｉ型層２及びｐ型層３からな
る表面半導体層、５は酸化スズ（ＳｎＯ2 ），酸化イン
ジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）又はＩｎ2 Ｏ3 にＳｎを添加した
ＩＴＯの表面透明導電膜であり、ｐ型層３上に形成され
ている。６はＡｇからなる線状の受光面電極であり、表
面透明導電膜５上に形成されている。
の図３を参照して説明する。同図において、１はｎ型の
単結晶シリコンの半導体からなる基板、２，３は真性の
非晶質シリコンからなるｉ型層及びｐ型非晶質シリコン
からなるｐ型層であり、基板１の光入射側、即ち表面に
順次積層されている。４はｉ型層２及びｐ型層３からな
る表面半導体層、５は酸化スズ（ＳｎＯ2 ），酸化イン
ジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）又はＩｎ2 Ｏ3 にＳｎを添加した
ＩＴＯの表面透明導電膜であり、ｐ型層３上に形成され
ている。６はＡｇからなる線状の受光面電極であり、表
面透明導電膜５上に形成されている。
【０００７】そして、基板１の光入射側とは反対側、即
ち裏面に、ｉ型層２及びｎ型非晶質シリコンからなるｎ
型層７が積層された裏面半導体層８が形成され、その裏
面半導体層８上に裏面透明導電膜９が形成され、裏面透
明導電膜９上にＡｇからなる線状の集電極１０が形成さ
れている。
ち裏面に、ｉ型層２及びｎ型非晶質シリコンからなるｎ
型層７が積層された裏面半導体層８が形成され、その裏
面半導体層８上に裏面透明導電膜９が形成され、裏面透
明導電膜９上にＡｇからなる線状の集電極１０が形成さ
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の前記装置の場
合、金属が酸化することにより、表面透明導電膜５，受
光面電極６間及び裏面透明導電膜９，集電極１０間の密
着性が低下し、両電極６，１０が剥離して信頼性が低下
するという問題点がある。
合、金属が酸化することにより、表面透明導電膜５，受
光面電極６間及び裏面透明導電膜９，集電極１０間の密
着性が低下し、両電極６，１０が剥離して信頼性が低下
するという問題点がある。
【０００９】本発明は、前記の点に留意し、受光面電極
及び集電極の剥離を防止し、しかも、熱処理によるそり
をなくし、信頼性が向上したＨＩＴ構造の光起電力装置
及びモジュールを提供することを目的とする。
及び集電極の剥離を防止し、しかも、熱処理によるそり
をなくし、信頼性が向上したＨＩＴ構造の光起電力装置
及びモジュールを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の請求項１記載の光起電力装置は、ｎ型の単
結晶シリコンからなる基板と、該基板の光入射側に設け
られたＰ型の非晶質シリコンからなるｐ型層と、前記基
板の光入射側とは反対側に設けられたｎ型の非晶質シリ
コンからなるｎ型層と、を備え、 前記ｐ型層上及び前記
ｎ型層上にそれぞれ表面透明導電膜及び裏面透明導電膜
が形成され、 前記ｐ型層と前記表面透明導電膜との界
面、及び前記ｎ型層と前記裏面透明導電膜との界面に、
それぞれ金属からなる受光面電極及び集電極が、面対称
の略同一パターンで形成されたものである。
に、本発明の請求項１記載の光起電力装置は、ｎ型の単
結晶シリコンからなる基板と、該基板の光入射側に設け
られたＰ型の非晶質シリコンからなるｐ型層と、前記基
板の光入射側とは反対側に設けられたｎ型の非晶質シリ
コンからなるｎ型層と、を備え、 前記ｐ型層上及び前記
ｎ型層上にそれぞれ表面透明導電膜及び裏面透明導電膜
が形成され、 前記ｐ型層と前記表面透明導電膜との界
面、及び前記ｎ型層と前記裏面透明導電膜との界面に、
それぞれ金属からなる受光面電極及び集電極が、面対称
の略同一パターンで形成されたものである。
【００１１】したがって、受光面電極及び集電極が、ｐ
型層上及びｎ型層に直接接し、両電極と両層との界面に
極薄い合金層が形成され、この合金層により両電極と両
層との密着性が向上し、両電極の剥離を防止することが
できる。
型層上及びｎ型層に直接接し、両電極と両層との界面に
極薄い合金層が形成され、この合金層により両電極と両
層との密着性が向上し、両電極の剥離を防止することが
できる。
【００１２】
【００１３】
【００１４】しかも、両電極を面対称の略同一パターン
に形成することにより、熱処理によるそりをなくすこと
ができる。そのため、信頼性の高いＨＩＴ構造の光起電
力装置を提供することができる。
に形成することにより、熱処理によるそりをなくすこと
ができる。そのため、信頼性の高いＨＩＴ構造の光起電
力装置を提供することができる。
【００１５】また、本発明の請求項２記載のモジュール
は、請求項１記載の光起電力装置から構成されたもので
あり、受光面電極及び集電極の剥離及び熱処理によるそ
りがなく、信頼性の高いモジュールを得ることができ
る。
は、請求項１記載の光起電力装置から構成されたもので
あり、受光面電極及び集電極の剥離及び熱処理によるそ
りがなく、信頼性の高いモジュールを得ることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の１形態につき、断面図の図
１及び製造プロセスの説明図の図２Ａ，Ｂ，Ｃを参照し
て説明する。それらの図において、図３と同一符号は同
一もしくは相当するものを示し、異なる点は、つぎの通
りである。
１及び製造プロセスの説明図の図２Ａ，Ｂ，Ｃを参照し
て説明する。それらの図において、図３と同一符号は同
一もしくは相当するものを示し、異なる点は、つぎの通
りである。
【００１７】ｎ型の単結晶シリコンの半導体からなる基
板１の表面半導体層４のｐ型層３と表面透明導電膜５と
の界面に受光面電極６を介在し、裏面半導体層８のｎ型
層７と裏面透明導電膜９との界面に集電極１０を介在
し、かつ、集電極１０と受光面電極６との電極パターン
を略同一パターン，即ち面対称にし、かつ、表面透明導
電膜５及び受光面電極６と、裏面透明導電膜９及び集電
極１０とを面対称、即ち基板１側に両電極６，１０を配
置し、この上にそれぞれ両透明導電膜５，９を配置して
いる。
板１の表面半導体層４のｐ型層３と表面透明導電膜５と
の界面に受光面電極６を介在し、裏面半導体層８のｎ型
層７と裏面透明導電膜９との界面に集電極１０を介在
し、かつ、集電極１０と受光面電極６との電極パターン
を略同一パターン，即ち面対称にし、かつ、表面透明導
電膜５及び受光面電極６と、裏面透明導電膜９及び集電
極１０とを面対称、即ち基板１側に両電極６，１０を配
置し、この上にそれぞれ両透明導電膜５，９を配置して
いる。
【００１８】つぎに製造方法について説明する。まず、
図２Ａに示すように、基板１の表面にｉ型層２及びｐ型
層３をプラズマＣＶＤ法により順次積層して表面半導体
層４を形成し、つぎに、図２Ｂに示すように、基板１の
裏面にｉ型層２及びｎ型層７をプラズマＣＶＤ法により
順次積層して裏面半導体層８を形成する。
図２Ａに示すように、基板１の表面にｉ型層２及びｐ型
層３をプラズマＣＶＤ法により順次積層して表面半導体
層４を形成し、つぎに、図２Ｂに示すように、基板１の
裏面にｉ型層２及びｎ型層７をプラズマＣＶＤ法により
順次積層して裏面半導体層８を形成する。
【００１９】そして、図２Ｃに示すように、ｐ型層３上
にペースト状の受光面電極６をスクリーン印刷法を用い
てパターン形成し、受光面電極６と同様に、ｎ型層７上
に集電極１０を形成し、所定の温度で焼成する。その
後、図１に示すように、ｐ型層３及びｎ型層７上に表
面，裏面透明導電膜５，９をスパッタ法により形成す
る。
にペースト状の受光面電極６をスクリーン印刷法を用い
てパターン形成し、受光面電極６と同様に、ｎ型層７上
に集電極１０を形成し、所定の温度で焼成する。その
後、図１に示すように、ｐ型層３及びｎ型層７上に表
面，裏面透明導電膜５，９をスパッタ法により形成す
る。
【００２０】なお、前記形態の場合、装置の裏面側は透
光性を有するため、装置単体では、特性が大きく低下す
ることになる。
光性を有するため、装置単体では、特性が大きく低下す
ることになる。
【００２１】しかし、実際にモジュールとして使用する
場合は、装置の裏面に、白色の、ポリビニルフロライド
（ＰＶＦ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の樹脂或いは金
属からなる高反射材料を設けることにより、特性の低下
を防ぐことができる。
場合は、装置の裏面に、白色の、ポリビニルフロライド
（ＰＶＦ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の樹脂或いは金
属からなる高反射材料を設けることにより、特性の低下
を防ぐことができる。
【００２２】
【００２３】そして、ＩＴＯからなる透明導電膜とＡｇ
からなる電極との組み合わせを例にとって説明したが、
透明導電膜としてＳｎＯ2 ，酸化亜鉛（ＺｎＯ）、電極
として鉛（Ｐｂ），チタン（Ｔｉ）を用いた組み合わせ
であってもよい。
からなる電極との組み合わせを例にとって説明したが、
透明導電膜としてＳｎＯ2 ，酸化亜鉛（ＺｎＯ）、電極
として鉛（Ｐｂ），チタン（Ｔｉ）を用いた組み合わせ
であってもよい。
【００２４】（実施例）つぎに実施例について説明す
る。基板の両面に形成したＨＩＴ構造の半導体層及び透
明導電膜の形成条件を表１に示す。
る。基板の両面に形成したＨＩＴ構造の半導体層及び透
明導電膜の形成条件を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】なお、透明導電膜は、電極形成後、１３０
℃〜２５０℃の温度で焼成し、表１の条件を用いて形成
した。
℃〜２５０℃の温度で焼成し、表１の条件を用いて形成
した。
【００２７】つぎに、図１及び図３の光起電力装置の熱
サイクル試験を実施し比較した。熱サイクルは、−４０
℃で１時間保持した後に、２時間かけて＋９０℃に昇温
し、次いで＋９０℃で１時間保持した後に、２時間かけ
て再度−４０℃に降温し、このプロセスを２００回行っ
た。その結果を表２に示す。
サイクル試験を実施し比較した。熱サイクルは、−４０
℃で１時間保持した後に、２時間かけて＋９０℃に昇温
し、次いで＋９０℃で１時間保持した後に、２時間かけ
て再度−４０℃に降温し、このプロセスを２００回行っ
た。その結果を表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】図１の装置の場合、図３の装置に比して特
性の低下が抑えられていることが明らかであり、図３の
装置の特性の低下は、主に曲線因子であり、電極の剥離
による抵抗増大が原因である。
性の低下が抑えられていることが明らかであり、図３の
装置の特性の低下は、主に曲線因子であり、電極の剥離
による抵抗増大が原因である。
【００３０】なお、両電極６，１０の形成には通常銀ペ
ースト等の、ペースト状の樹脂に金属を混入させたもの
をｐ型層３或いはｎ型層７上に塗布し、焼成工程を経て
形成する。
ースト等の、ペースト状の樹脂に金属を混入させたもの
をｐ型層３或いはｎ型層７上に塗布し、焼成工程を経て
形成する。
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。本発明の光
起電力装置は、基板の光入射側の非晶質シリコンからな
るｐ型層とその上の表面透明導電膜との界面、及び基板
の光入射側と反対側の非晶質シリコンからなるｎ型層と
その上の裏面透明導電膜との界面に、それぞれ金属から
なる受光面電極及び集電極を、面対称の略同一パターン
で形成したため、両電極が両層に直接接し、両電極と両
層との界面に極薄い合金層が形成され、この合金層によ
り両電極と両層との密着性が向上し、受光面電極及び集
電極の剥離を防止することができ、しかも、受光面電極
と集電極とが面対称の略同一パターンで形成されたた
め、熱処理による電極のそりをなくすことができ、信頼
性の高いＨＩＴ構造の光起電力装置を提供することがで
きる。
ているため、つぎに記載する効果を奏する。本発明の光
起電力装置は、基板の光入射側の非晶質シリコンからな
るｐ型層とその上の表面透明導電膜との界面、及び基板
の光入射側と反対側の非晶質シリコンからなるｎ型層と
その上の裏面透明導電膜との界面に、それぞれ金属から
なる受光面電極及び集電極を、面対称の略同一パターン
で形成したため、両電極が両層に直接接し、両電極と両
層との界面に極薄い合金層が形成され、この合金層によ
り両電極と両層との密着性が向上し、受光面電極及び集
電極の剥離を防止することができ、しかも、受光面電極
と集電極とが面対称の略同一パターンで形成されたた
め、熱処理による電極のそりをなくすことができ、信頼
性の高いＨＩＴ構造の光起電力装置を提供することがで
きる。
【００３４】
【００３５】また、前記装置を用いてモジュールを構成
することにより、信頼性の高いＨＩＴ構造のモジュール
を得ることができる。
することにより、信頼性の高いＨＩＴ構造のモジュール
を得ることができる。
【図１】本発明の実施の１形態の断面図である。
【図２】Ａ，Ｂ，Ｃは図１の製造プロセスの説明図であ
る。
る。
【図３】従来例の断面図である。
４ 表面半導体層 ５ 表面透明導電膜 ６ 受光面電極 ８ 裏面半導体層 ９ 裏面透明導電膜 １０ 集電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型の単結晶シリコンからなる基板と、
該基板の光入射側に設けられたＰ型の非晶質シリコンか
らなるｐ型層と、前記基板の光入射側とは反対側に設け
られたｎ型の非晶質シリコンからなるｎ型層と、を備
え、 前記ｐ型層上及び前記ｎ型層上にそれぞれ表面透明電極
膜及び裏面透明電極膜が形成され、 前記ｐ型層と前記表面透明導電膜との界面、及び前記ｎ
型層と前記裏面透明導電膜との界面に、それぞれ金属か
らなる受光面電極及び集電極が、面対称の略同一パター
ンで形成されている ことを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光起電力装置から構成さ
れたことを特徴とするモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09527797A JP3209700B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 光起電力装置及びモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09527797A JP3209700B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 光起電力装置及びモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275926A JPH10275926A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3209700B2 true JP3209700B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=14133288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09527797A Expired - Fee Related JP3209700B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 光起電力装置及びモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3209700B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE602004032509D1 (de) | 2004-01-13 | 2011-06-16 | Sanyo Electric Co | Photovoltaisches Bauelement |
| JP5535709B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-07-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池、その太陽電池を用いた太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 |
| WO2012105148A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換素子 |
| JP5328849B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2013-10-30 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| WO2013094233A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール |
| WO2013128566A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP6389639B2 (ja) * | 2014-05-14 | 2018-09-12 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP09527797A patent/JP3209700B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10275926A (ja) | 1998-10-13 |
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