JP3209638B2 - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JP3209638B2 JP3209638B2 JP12182994A JP12182994A JP3209638B2 JP 3209638 B2 JP3209638 B2 JP 3209638B2 JP 12182994 A JP12182994 A JP 12182994A JP 12182994 A JP12182994 A JP 12182994A JP 3209638 B2 JP3209638 B2 JP 3209638B2
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- Japan
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- ray
- film
- stress
- pattern
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィーに
使用されるＸ線露光用マスク（以下「Ｘ線マスク」と称
す）に関するもので、詳しくはＸ線照射によるパターン
の位置歪みを著しく低減させたＸ線マスクに関するもの
である。
使用されるＸ線露光用マスク（以下「Ｘ線マスク」と称
す）に関するもので、詳しくはＸ線照射によるパターン
の位置歪みを著しく低減させたＸ線マスクに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化に伴い、搭載されるパ
ターンの微細化も急速に進展してきている。その中で、
微細パターン形成のためのリソグラフィー技術も従来の
紫外光を用いる方法では原理的に限界に近づきつつあ
る。そこで、光源として放射光を用いたＸ線リソグラフ
ィー技術が注目を集め、実用化に向けて活発に研究開発
が行われている。Ｘ線リソグラフィー技術で特に注目さ
れているのは等倍近接露光による方法である。この場
合、形成されるべきパターンと同じ寸法のパターンをマ
スク上に形成させなければならない。したがって、Ｘ線
マスクにおけるパターンの位置精度が特に重要な問題と
なる。
ターンの微細化も急速に進展してきている。その中で、
微細パターン形成のためのリソグラフィー技術も従来の
紫外光を用いる方法では原理的に限界に近づきつつあ
る。そこで、光源として放射光を用いたＸ線リソグラフ
ィー技術が注目を集め、実用化に向けて活発に研究開発
が行われている。Ｘ線リソグラフィー技術で特に注目さ
れているのは等倍近接露光による方法である。この場
合、形成されるべきパターンと同じ寸法のパターンをマ
スク上に形成させなければならない。したがって、Ｘ線
マスクにおけるパターンの位置精度が特に重要な問題と
なる。
【０００３】従来のＸ線マスクの基本的な構造は図５に
示すような構造となっている。すなわち、Ｘ線吸収性パ
ターン１３と、該Ｘ線吸収性パターン１３を支持するＸ
線透過膜１２と、その外周を固定する支持枠体１１（通
常は１〜２ｍｍ厚のＳｉ）から成っている。
示すような構造となっている。すなわち、Ｘ線吸収性パ
ターン１３と、該Ｘ線吸収性パターン１３を支持するＸ
線透過膜１２と、その外周を固定する支持枠体１１（通
常は１〜２ｍｍ厚のＳｉ）から成っている。
【０００４】上記Ｘ線透過膜１２は、Ｘ線を透過させ易
いＳｉＮ、ＳｉＣ等の厚さ１〜２μｍ程度の薄膜からな
り、枠体と成る部分以外のＳｉ（支持基板）をエッチン
グ（バックエッチング、通常は異方性のウエットエッチ
ング）で除去することにより、自立した単独膜（メンブ
レン）の状態に加工され、Ｘ線転写に必要十分な透過性
を得る。このＸ線透過膜１２に用いられる材質の内、Ｓ
ｉＣはＳｉＮに比べてヤング率が高いため、メンブレン
の変形による位置歪みは小さいが、アライメントに必要
な可視光（６３３ｎｍ）の透過率が低く、また表面の平
坦度も悪いという問題点がある。一方、ＳｉＮは可視光
透過率も高く、平坦度も良好であり、Ｘ線透過膜として
有望であると考えられている。
いＳｉＮ、ＳｉＣ等の厚さ１〜２μｍ程度の薄膜からな
り、枠体と成る部分以外のＳｉ（支持基板）をエッチン
グ（バックエッチング、通常は異方性のウエットエッチ
ング）で除去することにより、自立した単独膜（メンブ
レン）の状態に加工され、Ｘ線転写に必要十分な透過性
を得る。このＸ線透過膜１２に用いられる材質の内、Ｓ
ｉＣはＳｉＮに比べてヤング率が高いため、メンブレン
の変形による位置歪みは小さいが、アライメントに必要
な可視光（６３３ｎｍ）の透過率が低く、また表面の平
坦度も悪いという問題点がある。一方、ＳｉＮは可視光
透過率も高く、平坦度も良好であり、Ｘ線透過膜として
有望であると考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｓ
ｉＮメンブレンのＸ線照射によるパターンの位置歪み
は、例えば文献「T.Arakawa,H.Okuyama,K.Okada,H.Naga
sawa,T.Syoki and Y.Yamaguchi;Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.
31(1992)p.4459」に開示されているようにＳｉＣメンブ
レンに比べて大きく、例えばＳｉＣでは１０ＭＪ／ｃｍ
3 のＸ線吸収で位置変位量の標準偏差（σ）は２５〜３
６ｎｍであるのに対し、ＳｉＮは６．５ＭＪ／ｃｍ3 の
Ｘ線吸収に対し３３〜９７ｎｍとなっている。
ｉＮメンブレンのＸ線照射によるパターンの位置歪み
は、例えば文献「T.Arakawa,H.Okuyama,K.Okada,H.Naga
sawa,T.Syoki and Y.Yamaguchi;Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.
31(1992)p.4459」に開示されているようにＳｉＣメンブ
レンに比べて大きく、例えばＳｉＣでは１０ＭＪ／ｃｍ
3 のＸ線吸収で位置変位量の標準偏差（σ）は２５〜３
６ｎｍであるのに対し、ＳｉＮは６．５ＭＪ／ｃｍ3 の
Ｘ線吸収に対し３３〜９７ｎｍとなっている。
【０００６】Ｘ線メンブレンの照射誘起位置歪みは、最
小線幅０．２５μｍの場合、ＳｉＮで１０6 ショットに
対応する１００ＭＪ／ｃｍ3 のＸ線吸収において３σが
３０ｎｍ以下であることが要求されている。しかし、Ｓ
ｉＮメンブレンでは上述の如くＸ線照射による大きなパ
ターン位置歪みが生じるという問題点が存在する。
小線幅０．２５μｍの場合、ＳｉＮで１０6 ショットに
対応する１００ＭＪ／ｃｍ3 のＸ線吸収において３σが
３０ｎｍ以下であることが要求されている。しかし、Ｓ
ｉＮメンブレンでは上述の如くＸ線照射による大きなパ
ターン位置歪みが生じるという問題点が存在する。
【０００７】つまり、従来の構成によるＳｉＮメンブレ
ンはＳｉ支持体より引っ張り応力を受けているためにＸ
線を照射したときに、ＳｉＮ内の結合ボンドの切断によ
り応力が緩和され、それによってＳｉ支持体はメンブレ
ンをさらに外側に引っ張ることになりメンブレンが伸び
る。このことにより、メンブレンの外側に向かってパタ
ーンが歪むこととなる。実際、従来構成のＳｉＮメンブ
レンはＸ線照射により上述したような大きな位置歪みが
観測されている。
ンはＳｉ支持体より引っ張り応力を受けているためにＸ
線を照射したときに、ＳｉＮ内の結合ボンドの切断によ
り応力が緩和され、それによってＳｉ支持体はメンブレ
ンをさらに外側に引っ張ることになりメンブレンが伸び
る。このことにより、メンブレンの外側に向かってパタ
ーンが歪むこととなる。実際、従来構成のＳｉＮメンブ
レンはＸ線照射により上述したような大きな位置歪みが
観測されている。
【０００８】本発明は上記従来の問題点に鑑み為された
ものであり、その目的とするところは、Ｘ線透過膜とし
てＳｉＮを用いたときに生じるＸ線照射誘起位置歪みの
問題を解決し、パターン位置精度を長期に亘って維持可
能なＸ線マスクを提供することにある。
ものであり、その目的とするところは、Ｘ線透過膜とし
てＳｉＮを用いたときに生じるＸ線照射誘起位置歪みの
問題を解決し、パターン位置精度を長期に亘って維持可
能なＸ線マスクを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は前記課題に
鑑みて鋭意研究の結果、本発明の上記目的は、少なくと
もＸ線吸収性パターンと、該Ｘ線吸収性パターンを保持
するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜の外周を固定する支持
枠体とを有するＸ線露光用マスクにおいて、前記Ｘ線透
過膜は、引っ張り応力を有し且つＸ線を照射することに
よって応力が緩和する主Ｘ線透過膜の両面に、圧縮性応
力を有し且つＸ線を照射することによって応力が緩和す
る副Ｘ線透過膜を形成してあって、前記副Ｘ線透過膜の
応力が前記主Ｘ線透過膜の応力のＫ倍であったとき、副
Ｘ線透過膜の全膜厚を主Ｘ線透過膜の膜厚のＫ分の１倍
とすることを特徴とするＸ線露光用マスクを提供するこ
とにより達成されることを見出した。
鑑みて鋭意研究の結果、本発明の上記目的は、少なくと
もＸ線吸収性パターンと、該Ｘ線吸収性パターンを保持
するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜の外周を固定する支持
枠体とを有するＸ線露光用マスクにおいて、前記Ｘ線透
過膜は、引っ張り応力を有し且つＸ線を照射することに
よって応力が緩和する主Ｘ線透過膜の両面に、圧縮性応
力を有し且つＸ線を照射することによって応力が緩和す
る副Ｘ線透過膜を形成してあって、前記副Ｘ線透過膜の
応力が前記主Ｘ線透過膜の応力のＫ倍であったとき、副
Ｘ線透過膜の全膜厚を主Ｘ線透過膜の膜厚のＫ分の１倍
とすることを特徴とするＸ線露光用マスクを提供するこ
とにより達成されることを見出した。
【００１０】また、請求項２の発明は、前記主Ｘ線透過
膜としてＳｉＮを用いることを特徴としている。
膜としてＳｉＮを用いることを特徴としている。
【００１１】また、請求項３の発明は、前記副Ｘ線透過
膜としてＳｉＯ2 を用いることを特徴としている。
膜としてＳｉＯ2 を用いることを特徴としている。
【００１２】
【００１３】以下、本発明の構成について詳しく説明す
る。
る。
【００１４】図１は本発明のＸ線マスクの一構成例を示
す断面図である。これによると、Ｓｉで出来た支持枠体
２１の上に、引っ張り応力を有し且つＸ線を照射するこ
とによって応力が緩和する主Ｘ線透過膜２２、圧縮性応
力を有し且つＸ線を照射することによって応力が緩和す
る副Ｘ線透過膜２３、およびＸ線吸収性パターン２４が
順次形成されており、支持枠体２１の中心部分の領域は
除去されていてメンブレンとなっている。さらに、主Ｘ
線透過膜２２のメンブレン部分の裏面にも副Ｘ線透過膜
２５が形成されている。なお、支持枠体２１裏面の２６
はバックエッチング保護膜であり、該保護膜２６の表面
にも上記副Ｘ線透過膜２５が形成されているが、これら
はマスク製造時に形成されたもので製造後は除去しても
構わない。
す断面図である。これによると、Ｓｉで出来た支持枠体
２１の上に、引っ張り応力を有し且つＸ線を照射するこ
とによって応力が緩和する主Ｘ線透過膜２２、圧縮性応
力を有し且つＸ線を照射することによって応力が緩和す
る副Ｘ線透過膜２３、およびＸ線吸収性パターン２４が
順次形成されており、支持枠体２１の中心部分の領域は
除去されていてメンブレンとなっている。さらに、主Ｘ
線透過膜２２のメンブレン部分の裏面にも副Ｘ線透過膜
２５が形成されている。なお、支持枠体２１裏面の２６
はバックエッチング保護膜であり、該保護膜２６の表面
にも上記副Ｘ線透過膜２５が形成されているが、これら
はマスク製造時に形成されたもので製造後は除去しても
構わない。
【００１５】上記主Ｘ線透過膜２２としては、前述した
ように、ＳｉＮを用いるのが好適である。
ように、ＳｉＮを用いるのが好適である。
【００１６】また、上記副Ｘ線透過膜２３、２５として
は、例えばＳｉＯ2 を用いるのが好適であるが、勿論こ
れに限定されるわけではない。
は、例えばＳｉＯ2 を用いるのが好適であるが、勿論こ
れに限定されるわけではない。
【００１７】これらのＸ線透過膜は化学気相成長法（Ｃ
ＶＤ法）等の一般的な薄膜形成方法を用いて形成するこ
とが出来る。
ＶＤ法）等の一般的な薄膜形成方法を用いて形成するこ
とが出来る。
【００１８】また、上記Ｘ線吸収性パターン２４を形成
するための吸収体としては、例えばタンタル、タングス
テン等を用いるのが一般的であり、該パターン２４は通
常の電子線リソグラフィー法とそれに続くドライエッチ
ングにより形成することが出来る。
するための吸収体としては、例えばタンタル、タングス
テン等を用いるのが一般的であり、該パターン２４は通
常の電子線リソグラフィー法とそれに続くドライエッチ
ングにより形成することが出来る。
【００１９】本発明のＸ線マスクは、上述のように、Ｘ
線透過膜として例えばＳｉＮからなる主Ｘ線透過膜の両
面に該主Ｘ線透過膜より圧縮性応力を受ける副Ｘ線透過
膜を形成したことを特徴とするものである。
線透過膜として例えばＳｉＮからなる主Ｘ線透過膜の両
面に該主Ｘ線透過膜より圧縮性応力を受ける副Ｘ線透過
膜を形成したことを特徴とするものである。
【００２０】本発明の一実施例の構成として、上記主Ｘ
線透過膜はＳｉＮ、上記副Ｘ線透過膜はＳｉＯ2 からな
る場合、かかる構成のＸ線透過膜は、ＳｉＮの引っ張り
応力に対しＳｉＯ2 は圧縮応力を受けている。このと
き、ＳｉＯ2／ＳｉＮ／ＳｉＯ2の膜全体にかかる応力σ
は、 （σSiN；ＳｉＮにかかる応力、σSiO2；ＳｉＯ2 にか
かる応力、ｔSiN；ＳｉＮの膜厚、ｔSiO2；ＳｉＯ2 の
全膜厚） Ｘ線を照射するとσSiN、σSiO2 は緩和する。ここでそ
の変化量をそれぞれ△σSiN、△σSiO2 とすると全応力
変化量△σは、 なお、引っ張りと圧縮とは逆の符号である。
線透過膜はＳｉＮ、上記副Ｘ線透過膜はＳｉＯ2 からな
る場合、かかる構成のＸ線透過膜は、ＳｉＮの引っ張り
応力に対しＳｉＯ2 は圧縮応力を受けている。このと
き、ＳｉＯ2／ＳｉＮ／ＳｉＯ2の膜全体にかかる応力σ
は、 （σSiN；ＳｉＮにかかる応力、σSiO2；ＳｉＯ2 にか
かる応力、ｔSiN；ＳｉＮの膜厚、ｔSiO2；ＳｉＯ2 の
全膜厚） Ｘ線を照射するとσSiN、σSiO2 は緩和する。ここでそ
の変化量をそれぞれ△σSiN、△σSiO2 とすると全応力
変化量△σは、 なお、引っ張りと圧縮とは逆の符号である。
【００２１】ここで、後述の本発明の実施例構成では、
ｔSiO2 ＝ｔSiN／１０であり、かつ、σSiO2 ≒１０σ
SiNより△σSiO2 ≒１０△σSiNと考えられるから、 △σ≒０ となる。すなわち、上記副Ｘ線透過膜の応力が上記主Ｘ
線透過膜の応力のＫ倍であったとき、副Ｘ線透過膜の全
膜厚を好ましくは主Ｘ線透過膜の膜厚のＫ分の１倍とす
ることにより、Ｘ線透過膜全体の応力の変化はほとんど
ないことになる。したがって、本発明のＸ線マスクの構
成によれば、Ｘ線照射によるパターンの位置歪みはほと
んど生じないことになる。
ｔSiO2 ＝ｔSiN／１０であり、かつ、σSiO2 ≒１０σ
SiNより△σSiO2 ≒１０△σSiNと考えられるから、 △σ≒０ となる。すなわち、上記副Ｘ線透過膜の応力が上記主Ｘ
線透過膜の応力のＫ倍であったとき、副Ｘ線透過膜の全
膜厚を好ましくは主Ｘ線透過膜の膜厚のＫ分の１倍とす
ることにより、Ｘ線透過膜全体の応力の変化はほとんど
ないことになる。したがって、本発明のＸ線マスクの構
成によれば、Ｘ線照射によるパターンの位置歪みはほと
んど生じないことになる。
【００２２】
【作用】このように、本発明のＸ線マスクは、Ｘ線透過
膜として、引っ張り応力を有し且つＸ線を照射すること
によって応力が緩和する主Ｘ線透過膜の両面に、圧縮性
応力を有し且つＸ線を照射することによって応力が緩和
する副Ｘ線透過膜を形成し、上記副Ｘ線透過膜の応力が
上記主Ｘ線透過膜の応力のＫ倍である場合、副Ｘ線透過
膜の全膜厚を主Ｘ線透過膜の膜厚のＫ分の１倍とするこ
とにより、Ｘ線透過膜全体のＸ線照射による応力の変化
がほとんどなくなるため、これによって、Ｘ線照射によ
るによるパターンの位置歪みはほとんど生じなくなり、
パターンの位置精度が著しく向上して長期に亘り安定し
た位置精度を維持できる。
膜として、引っ張り応力を有し且つＸ線を照射すること
によって応力が緩和する主Ｘ線透過膜の両面に、圧縮性
応力を有し且つＸ線を照射することによって応力が緩和
する副Ｘ線透過膜を形成し、上記副Ｘ線透過膜の応力が
上記主Ｘ線透過膜の応力のＫ倍である場合、副Ｘ線透過
膜の全膜厚を主Ｘ線透過膜の膜厚のＫ分の１倍とするこ
とにより、Ｘ線透過膜全体のＸ線照射による応力の変化
がほとんどなくなるため、これによって、Ｘ線照射によ
るによるパターンの位置歪みはほとんど生じなくなり、
パターンの位置精度が著しく向上して長期に亘り安定し
た位置精度を維持できる。
【００２３】
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明する。
明する。
【００２５】なお、図２は本発明のＸ線マスクの製造プ
ロセスを工程順に示す断面図であり、これを参照して説
明する。
ロセスを工程順に示す断面図であり、これを参照して説
明する。
【００２６】先ず、支持枠体２１となる基板（図中、基
板の状態のものも符号２１で示してある）として、Ｓｉ
（３インチ、２ｍｍ厚）のウエハー上に、減圧化学気相
成長法により、例えばＳｉＨ2Ｃｌ2およびＮＨ3 を原料
ガスとして成膜温度を例えば８５０℃で主Ｘ線透過膜２
２であるＳｉＮ膜を２μｍの厚さに形成した。なお、上
記Ｓｉウエハーの裏面にも同様にバックエッチング保護
膜２６としてＳｉＮ膜を形成した。さらに、Ｓｉウエハ
ー上のＳｉＮ膜の上に副Ｘ線透過膜２３として、ＳｉＯ
2 膜を電子ビーム蒸着法により１００ｎｍの厚さに形成
した。次いで、ＳｉＯ2 膜の上に、Ｘ線吸収性パター
ンを形成するための吸収体２４’としてＴａ膜をスパッ
タリングにより０．７μｍの厚さに形成した（同図
（ａ）参照）。
板の状態のものも符号２１で示してある）として、Ｓｉ
（３インチ、２ｍｍ厚）のウエハー上に、減圧化学気相
成長法により、例えばＳｉＨ2Ｃｌ2およびＮＨ3 を原料
ガスとして成膜温度を例えば８５０℃で主Ｘ線透過膜２
２であるＳｉＮ膜を２μｍの厚さに形成した。なお、上
記Ｓｉウエハーの裏面にも同様にバックエッチング保護
膜２６としてＳｉＮ膜を形成した。さらに、Ｓｉウエハ
ー上のＳｉＮ膜の上に副Ｘ線透過膜２３として、ＳｉＯ
2 膜を電子ビーム蒸着法により１００ｎｍの厚さに形成
した。次いで、ＳｉＯ2 膜の上に、Ｘ線吸収性パター
ンを形成するための吸収体２４’としてＴａ膜をスパッ
タリングにより０．７μｍの厚さに形成した（同図
（ａ）参照）。
【００２７】次に、電子線レジストを表面に塗布して電
子ビーム露光法によりパターニングした後、Ｔａをドラ
イエッチングにより部分的に除去してＸ線吸収性パター
ン２４を形成した（同図（ｂ）参照）。
子ビーム露光法によりパターニングした後、Ｔａをドラ
イエッチングにより部分的に除去してＸ線吸収性パター
ン２４を形成した（同図（ｂ）参照）。
【００２８】次いで、パターンが形成されていない側
（裏面）の中央付近の３０×３０ｍｍの領域のバックエ
ッチング保護膜２６をドライエッチングにより除去した
後、ＫＯＨ水溶液によりＳｉ基板のバックエッチングを
行い、これにより中央に２５×２５ｍｍのメンブレン部
分を形成した（同図（ｃ）参照）。
（裏面）の中央付近の３０×３０ｍｍの領域のバックエ
ッチング保護膜２６をドライエッチングにより除去した
後、ＫＯＨ水溶液によりＳｉ基板のバックエッチングを
行い、これにより中央に２５×２５ｍｍのメンブレン部
分を形成した（同図（ｃ）参照）。
【００２９】さらに、この裏面にも副Ｘ線透過膜２５と
して表面側と同じＳｉＯ2 膜を電子ビーム蒸着法により
１００ｎｍの厚さに形成した（同図（ｄ）参照）。
して表面側と同じＳｉＯ2 膜を電子ビーム蒸着法により
１００ｎｍの厚さに形成した（同図（ｄ）参照）。
【００３０】このようにして本発明のＸ線マスクが出来
上がる。
上がる。
【００３１】出来上がったＸ線マスクについてＸ線照射
によるパターンの位置歪みの測定を行った。図３は本実
施例における位置歪み測定の為上記Ｘ線マスクに形成し
たパターンを示したもので、このパターンが２５×２５
ｍｍのメンブレン領域内に２５００μｍピッチで１０×
１０形成されている。なお、パターン位置測定は、ニコ
ン製光波干渉式座標測定機を使用した。位置座標の測定
再現精度は３０ｎｍ（３σ）である。
によるパターンの位置歪みの測定を行った。図３は本実
施例における位置歪み測定の為上記Ｘ線マスクに形成し
たパターンを示したもので、このパターンが２５×２５
ｍｍのメンブレン領域内に２５００μｍピッチで１０×
１０形成されている。なお、パターン位置測定は、ニコ
ン製光波干渉式座標測定機を使用した。位置座標の測定
再現精度は３０ｎｍ（３σ）である。
【００３２】図４に本実施例におけるＸ線マスクのＸ線
照射によるパターンの位置歪みの様子を示した。図中、
矢印はＸ線照射前に測定した座標と約１００ＭＪ／ｃｍ
3 のＸ線吸収後（１０6 ショットに対応）に測定した座
標との差を表現したものである。
照射によるパターンの位置歪みの様子を示した。図中、
矢印はＸ線照射前に測定した座標と約１００ＭＪ／ｃｍ
3 のＸ線吸収後（１０6 ショットに対応）に測定した座
標との差を表現したものである。
【００３３】その結果、本実施例においてσは１０ｎｍ
以下となり、位置歪みが従来例に比べて著しく低減さ
れ、パターンの位置歪みはほとんど生じない。
以下となり、位置歪みが従来例に比べて著しく低減さ
れ、パターンの位置歪みはほとんど生じない。
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のＸ
線マスクによれば、Ｘ線透過膜として、引っ張り応力を
有し且つＸ線を照射することによって応力が緩和する主
Ｘ線透過膜の両面に、圧縮性応力を有し且つＸ線を照射
することによって応力が緩和する副Ｘ線透過膜を形成
し、上記副Ｘ線透過膜の応力が上記主Ｘ線透過膜の応力
のＫ倍である場合、副Ｘ線透過膜の全膜厚を主Ｘ線透過
膜の膜厚のＫ分の１倍とすることにより、Ｘ線透過膜全
体のＸ線照射による応力の変化がほとんどなくなるた
め、これによって、Ｘ線照射によるパターンの位置歪み
はほとんど生じなくなり、パターンの位置精度が著しく
向上して長期に亘り安定した位置精度を維持できるとい
う優れた効果を奏する。
線マスクによれば、Ｘ線透過膜として、引っ張り応力を
有し且つＸ線を照射することによって応力が緩和する主
Ｘ線透過膜の両面に、圧縮性応力を有し且つＸ線を照射
することによって応力が緩和する副Ｘ線透過膜を形成
し、上記副Ｘ線透過膜の応力が上記主Ｘ線透過膜の応力
のＫ倍である場合、副Ｘ線透過膜の全膜厚を主Ｘ線透過
膜の膜厚のＫ分の１倍とすることにより、Ｘ線透過膜全
体のＸ線照射による応力の変化がほとんどなくなるた
め、これによって、Ｘ線照射によるパターンの位置歪み
はほとんど生じなくなり、パターンの位置精度が著しく
向上して長期に亘り安定した位置精度を維持できるとい
う優れた効果を奏する。
【００３５】
【図１】本発明のＸ線マスクの一実施例の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明のＸ線マスクの製造プロセスを工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における位置歪み測定のための
パターンを示す図である。
パターンを示す図である。
【図４】本発明の実施例におけるＸ線照射による位置歪
みの様子を示した図である。
みの様子を示した図である。
【図５】従来のＸ線マスクの断面図である。
１１ 支持枠体 １２ Ｘ線透過膜 １３ Ｘ線吸収性パターン １４ バックエッチング保護膜 ２１ 支持枠体 ２２ 主Ｘ線透過膜 ２３ 副Ｘ線透過膜 ２４ Ｘ線吸収性パターン ２５ 副Ｘ線透過膜 ２６ バックエッチング保護膜 ３０ 位置歪み測定用Ｘ線吸収性パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−157031（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−285932（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163368（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129190（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−200530（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくともＸ線吸収性パターンと、該Ｘ
線吸収性パターンを保持するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過
膜の外周を固定する支持枠体とを有するＸ線露光用マス
クにおいて、前記Ｘ線透過膜は、引っ張り応力を有し且
つＸ線を照射することによって応力が緩和する主Ｘ線透
過膜の両面に、圧縮性応力を有し且つＸ線を照射するこ
とによって応力が緩和する副Ｘ線透過膜を形成してあっ
て、前記副Ｘ線透過膜の応力が前記主Ｘ線透過膜の応力
のＫ倍であったとき、副Ｘ線透過膜の全膜厚を主Ｘ線透
過膜の膜厚のＫ分の１倍とすることを特徴とするＸ線露
光用マスク。 - 【請求項２】 前記主Ｘ線透過膜としてＳｉＮを用いる
ことを特徴とする請求項１記載のＸ線露光用マスク。 - 【請求項３】 前記副Ｘ線透過膜としてＳｉＯ2 を用い
ることを特徴とする請求項１又は２記載のＸ線露光用マ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12182994A JP3209638B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP12182994A JP3209638B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | Ｘ線露光用マスク |
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| JPH07307280A JPH07307280A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3209638B2 true JP3209638B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=14820965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP12182994A Expired - Fee Related JP3209638B2 (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
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1994
- 1994-05-11 JP JP12182994A patent/JP3209638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07307280A (ja) | 1995-11-21 |
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