JP3204668B2 - キラルなホスフイン - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
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-
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- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/40—Esters thereof
- C07F9/4003—Esters thereof the acid moiety containing a substituent or a structure which is considered as characteristic
- C07F9/4025—Esters of poly(thio)phosphonic acids
-
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- C07F9/42—Halides thereof
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式 式中、 Ｒは低級アルキル、低級アルコキシまたは保護された
ヒドロキシであり、 R1は低級アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、
塩素または臭素であり、 R2は低級アルキルまたは低級アルコキシであり、そし
て ｎは０、１または２であり、 の新規なラセミ体の及び光学的に活性なリン化合物に関
する。
ヒドロキシであり、 R1は低級アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、
塩素または臭素であり、 R2は低級アルキルまたは低級アルコキシであり、そし
て ｎは０、１または２であり、 の新規なラセミ体の及び光学的に活性なリン化合物に関
する。
本発明は、また、式Ｉのリン化合物の製造に関する。
用語「低級アルキル」は、本発明の範囲において、１
〜４個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分枝鎖状のア
ルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ｎ−ブチル、イソブチルおよびｔ−ブチルを意
味する。用語「低級アルコキシ」は、アルキル残基が上
の意味を有する基を意味する。用語「フェノキシ」およ
び「ベンジルオキシ」は、本発明の範囲において、フェ
ニル残基が置換されていないばかりでなく、かつまたメ
タ−またはパラ−位置において置換されているか、ある
いは多置換されていてもよい置換基を意味する。低級ア
ルキル基、好ましくはメチル基は、ことにここで置換基
として考えられる。ヒドロキシ基の保護基として、本発
明の範囲において、ことに通常のエーテル形成基、例え
ば、ベンジル、アリル、ベンジルオキシカルボニル、低
級アルコキシメチル、２−メトキシエトキシメチルなど
が考えられる。
〜４個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分枝鎖状のア
ルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ｎ−ブチル、イソブチルおよびｔ−ブチルを意
味する。用語「低級アルコキシ」は、アルキル残基が上
の意味を有する基を意味する。用語「フェノキシ」およ
び「ベンジルオキシ」は、本発明の範囲において、フェ
ニル残基が置換されていないばかりでなく、かつまたメ
タ−またはパラ−位置において置換されているか、ある
いは多置換されていてもよい置換基を意味する。低級ア
ルキル基、好ましくはメチル基は、ことにここで置換基
として考えられる。ヒドロキシ基の保護基として、本発
明の範囲において、ことに通常のエーテル形成基、例え
ば、ベンジル、アリル、ベンジルオキシカルボニル、低
級アルコキシメチル、２−メトキシエトキシメチルなど
が考えられる。
式Ｉのリン化合物は、ラセミ体の形態でばかりでな
く、かつまた光学的に活性な形態で存在することができ
る。Ｒが低級アルキルである式Ｉの組成物のうちで、光
学的に活性な化合物は好ましい。
く、かつまた光学的に活性な形態で存在することができ
る。Ｒが低級アルキルである式Ｉの組成物のうちで、光
学的に活性な化合物は好ましい。
そのうち、式Ｉの好ましい化合物は、ｎが０であり、
R1がフェノキシ、エトキシまたは塩素であり、そしてＲ
がメトキシ、メトキシメチルオキシまたはメチル、こと
にメトキシである化合物である。
R1がフェノキシ、エトキシまたは塩素であり、そしてＲ
がメトキシ、メトキシメチルオキシまたはメチル、こと
にメトキシである化合物である。
式Ｉのことに好ましい化合物は、次の通りである： （RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエ
ステル）、 （RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチルエス
テル）、 （RS）−［6,6−ビス（メトキシメトキシ）ビフェニ
ル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸ジフェニルエス
テル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−［6,6−ビス（メトキシメト
キシ）ビフェニル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸
ジフェニルエステル）、 （RS）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメチルビフェニ
ル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエス
テル）、 （RS）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメチルビフェニ
ル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステ
ル）、 （RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジクロライド）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジクロライ
ド）。
イル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエ
ステル）、 （RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチルエス
テル）、 （RS）−［6,6−ビス（メトキシメトキシ）ビフェニ
ル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸ジフェニルエス
テル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−［6,6−ビス（メトキシメト
キシ）ビフェニル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸
ジフェニルエステル）、 （RS）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメチルビフェニ
ル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエス
テル）、 （RS）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメチルビフェニ
ル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステ
ル）、 （RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジクロライド）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジクロライ
ド）。
本発明による式Ｉの化合物は、例えば、式 式中、 Ｒ、R2およびｎは上記の意味を有し、そして R3は低級アルコキシ、フェノキシまたはベンジルオキ
シである、 の化合物をウルマンカップリング（Ullmann coupling）
に付し、必要に応じて、こうして得られる（RS）型で存
在する式 式中、 Ｒ、R2、R3およびｎは上記の意味を有する、 の化合物を、ジベンゾイル酒石酸またはジ−ｐ−トルイ
ル酒石酸を使用して、（Ｒ）型および（Ｓ）型に分割し
そして、必要に応じて、式IIIのラセミ体のまたは光学
的に活性なリン化合物の中のR3により表される低級アル
コキシ基を塩素または臭素で置換するすることによっ
て、調製することができる。
シである、 の化合物をウルマンカップリング（Ullmann coupling）
に付し、必要に応じて、こうして得られる（RS）型で存
在する式 式中、 Ｒ、R2、R3およびｎは上記の意味を有する、 の化合物を、ジベンゾイル酒石酸またはジ−ｐ−トルイ
ル酒石酸を使用して、（Ｒ）型および（Ｓ）型に分割し
そして、必要に応じて、式IIIのラセミ体のまたは光学
的に活性なリン化合物の中のR3により表される低級アル
コキシ基を塩素または臭素で置換するすることによっ
て、調製することができる。
式（II）の化合物を（RS）型で存在する式IIIの化合
物に転化することは、本発明に従いウルマンカップリン
グにより実施する。これはそれ自体知られておりかつこ
れに通常のウルマンのカップリングにより実施すること
ができる反応である。こうして、この反応は式IIの化合
物を不活性有機溶媒、例えば、N,N−ジメチルホルムア
ミド中で、例えば、ヨウ素で活性化した銅粉末とともに
約110℃〜約200℃の温度に加熱することによって実施す
ることができる。必要に応じて、反応は、また、溶媒の
不存在下に、すなわち、溶融物中で実施することができ
る。
物に転化することは、本発明に従いウルマンカップリン
グにより実施する。これはそれ自体知られておりかつこ
れに通常のウルマンのカップリングにより実施すること
ができる反応である。こうして、この反応は式IIの化合
物を不活性有機溶媒、例えば、N,N−ジメチルホルムア
ミド中で、例えば、ヨウ素で活性化した銅粉末とともに
約110℃〜約200℃の温度に加熱することによって実施す
ることができる。必要に応じて、反応は、また、溶媒の
不存在下に、すなわち、溶融物中で実施することができ
る。
出発物質として使用する一般式IIの化合物は新規であ
りそして、また、本発明の目的である。Ｒが低級アルキ
ルと異なるとき、それらは、例えば一般式 式中、 R2、R3およびｎは上記の意味を有し、そして R4は低級アルコキシまたは保護されたヒドロキシであ
る、 の化合物をオルト−リチウム化／ヨウ素化反応にかける
ことによって製造することができる。
りそして、また、本発明の目的である。Ｒが低級アルキ
ルと異なるとき、それらは、例えば一般式 式中、 R2、R3およびｎは上記の意味を有し、そして R4は低級アルコキシまたは保護されたヒドロキシであ
る、 の化合物をオルト−リチウム化／ヨウ素化反応にかける
ことによって製造することができる。
式IVの化合物のオルト−リチウム化はそれ自体知られ
ている方法で実施することができる。例えば、この反応
はは式IVの化合物をリチウムアミド、例えば、リチウム
ジイソプロピルアミドまたはリチウム2,2,6,6−テトラ
メチルピペリジンと、テトラヒドロフラン中で０℃以
下、好ましくは約−50℃〜約−78℃の温度において、反
応させることによって実施することができる。引き続く
ヨウ素化は便利には分子状ヨウ素、IClまたはIBrを使用
して、同様にテトラヒドロフラン中で同様に−50℃以下
の温度において実施することができる。
ている方法で実施することができる。例えば、この反応
はは式IVの化合物をリチウムアミド、例えば、リチウム
ジイソプロピルアミドまたはリチウム2,2,6,6−テトラ
メチルピペリジンと、テトラヒドロフラン中で０℃以
下、好ましくは約−50℃〜約−78℃の温度において、反
応させることによって実施することができる。引き続く
ヨウ素化は便利には分子状ヨウ素、IClまたはIBrを使用
して、同様にテトラヒドロフラン中で同様に−50℃以下
の温度において実施することができる。
Ｒが低級アルキルである式IIの出発物質は、例えば、
式 式中、 R2、R3およびｎは上記の意味を有し、そして R4は低級アルキルである、 の化合物から出発して製造することができる。
式 式中、 R2、R3およびｎは上記の意味を有し、そして R4は低級アルキルである、 の化合物から出発して製造することができる。
これは、便利には、ニトロ基のアミノ基への一般に知
られている還元により、例えば、触媒、例えば、Pd/Cの
存在下に水素により還元し、引き続いてそれ自体知られ
ている方法によりジアゾ化／ヨウ素化することによって
実施する。
られている還元により、例えば、触媒、例えば、Pd/Cの
存在下に水素により還元し、引き続いてそれ自体知られ
ている方法によりジアゾ化／ヨウ素化することによって
実施する。
出発物質として使用する式IVおよびＶの化合物は、既
知の化合物であるか、あるいはそれ自体知られている方
法により容易に調製することができる既知の化合物に類
似する；化合物IV、例えば、J.J.モナグル（Monagle）e
t al.、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリ
ー（J.Org.Chem.）、32、2477（1967）に従う、および
化合物Ｖ、例えば、K.S.ペトラキス（Petrkis）et a
l.、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイ
アティー（J.Am.Chem.Soc.）、1987、109、2831に従
う。
知の化合物であるか、あるいはそれ自体知られている方
法により容易に調製することができる既知の化合物に類
似する；化合物IV、例えば、J.J.モナグル（Monagle）e
t al.、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリ
ー（J.Org.Chem.）、32、2477（1967）に従う、および
化合物Ｖ、例えば、K.S.ペトラキス（Petrkis）et a
l.、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイ
アティー（J.Am.Chem.Soc.）、1987、109、2831に従
う。
（RS）型で存在するIIIの化合物の（−）−または
（＋）−O,O′−ジベンゾイル酒石酸（DBT）または
（−）−または（＋）−O,O′−ジ−ｐ−トルイル酒石
酸（DTT）によるラセミ体の分割は、ホスフィンオキシ
ドのラセミ体の分割に類似する方法で実施することがで
きるが、これは実際には技術水準に関すると予期せざる
ことであった。これは便利には不活性有機溶媒中で約０
℃〜約60℃の温度において実施される。溶媒として、こ
こでことにクロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、
酢酸イソプロピル、アセトン、アルコール、例えば、メ
タノールまたはエタノールなど、ならびにそれらの混合
物を述べることのできる。
（＋）−O,O′−ジベンゾイル酒石酸（DBT）または
（−）−または（＋）−O,O′−ジ−ｐ−トルイル酒石
酸（DTT）によるラセミ体の分割は、ホスフィンオキシ
ドのラセミ体の分割に類似する方法で実施することがで
きるが、これは実際には技術水準に関すると予期せざる
ことであった。これは便利には不活性有機溶媒中で約０
℃〜約60℃の温度において実施される。溶媒として、こ
こでことにクロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、
酢酸イソプロピル、アセトン、アルコール、例えば、メ
タノールまたはエタノールなど、ならびにそれらの混合
物を述べることのできる。
式IIIの化合物と（−）−または（＋）−DBTまたはDT
Tとのこうして得られた付加物は、引き続いて、無機塩
基でホスフィンオキシドの付加物に類似する方法で処理
することができ、これによりそれぞれの（Ｒ）または
（Ｓ）型が遊離する。
Tとのこうして得られた付加物は、引き続いて、無機塩
基でホスフィンオキシドの付加物に類似する方法で処理
することができ、これによりそれぞれの（Ｒ）または
（Ｓ）型が遊離する。
R3が式IIIのラセミ体のまたは光学的に活性なリン化
合物において低級アルコキシであるとき、これは塩素ま
たは臭素で置換することができる。この置換はそれ自体
知られている方法で、例えば、塩化チオニル、臭化チオ
ニルまたは五酸化リンとの反応により不活性有機溶媒中
で実施することができる。
合物において低級アルコキシであるとき、これは塩素ま
たは臭素で置換することができる。この置換はそれ自体
知られている方法で、例えば、塩化チオニル、臭化チオ
ニルまたは五酸化リンとの反応により不活性有機溶媒中
で実施することができる。
あるいは、Ｒが低級アルキルである式IIIの化合物
は、式 式中、 R2およびｎは上記の意味を有し、そして Ｒ′は低級アルキルである、 から出発して得ることができる。
は、式 式中、 R2およびｎは上記の意味を有し、そして Ｒ′は低級アルキルである、 から出発して得ることができる。
これは簡単なかつそれ自体知られている方法におい
て、例えば、式VIの化合物を式 式中、 R3は上記の意味を有する、 の化合物と、第三アミン、例えば、トリエチルアミンお
よび触媒、例えば、Pd（Ｐ−（フェニル）３）４の存在
下にまたは触媒、例えば、PdCl2またはNiCl2の存在下に
反応させることによって実施することができる。
て、例えば、式VIの化合物を式 式中、 R3は上記の意味を有する、 の化合物と、第三アミン、例えば、トリエチルアミンお
よび触媒、例えば、Pd（Ｐ−（フェニル）３）４の存在
下にまたは触媒、例えば、PdCl2またはNiCl2の存在下に
反応させることによって実施することができる。
式Ｉの化合物、ことに光学的に活性な形態は、既知で
あるばかりでなく、かつまた新規なジホスフィン配位子
の調製における価値ある中間体である。さらに、これら
は遷移金属、ことにVIII族の金属、例えば、ルテニウ
ム、ロジウムまたはイリジウム、これらは、なかでも、
非対称水素化において触媒として働く、との錯塩の価値
ある構築ブリックである。
あるばかりでなく、かつまた新規なジホスフィン配位子
の調製における価値ある中間体である。さらに、これら
は遷移金属、ことにVIII族の金属、例えば、ルテニウ
ム、ロジウムまたはイリジウム、これらは、なかでも、
非対称水素化において触媒として働く、との錯塩の価値
ある構築ブリックである。
式Ｉの化合物は述べたジホスフィン配位子の中に容易
に転化することができる。この場合において、R1が低級
アルコキシである式Ｉの化合物を使用するとき、低級ア
ルコキシは好ましくはまず塩素または臭素で置換するこ
とを考慮しなくてはならない。
に転化することができる。この場合において、R1が低級
アルコキシである式Ｉの化合物を使用するとき、低級ア
ルコキシは好ましくはまず塩素または臭素で置換するこ
とを考慮しなくてはならない。
この転化は、便利には、式 R5MgX または R5Li 式中、 Ｘは塩素、臭素またはヨウ素である、 のアリール−またはヘテロアリール−グリニヤール化合
物またはリチウム化合物との反応により実施し、ここで
式 式中、 Ｒ、R2およびｎは上記の意味を有し、そして R5は、例えば、フェニル、置換フェニルまたはα−フ
リルである、 の化合物が得られ、引き続いてこれを還元して、式 式中、 Ｒ、R2、ｎおよびR5は上記の意味を有する、 のジホスフィン配位子にする。
物またはリチウム化合物との反応により実施し、ここで
式 式中、 Ｒ、R2およびｎは上記の意味を有し、そして R5は、例えば、フェニル、置換フェニルまたはα−フ
リルである、 の化合物が得られ、引き続いてこれを還元して、式 式中、 Ｒ、R2、ｎおよびR5は上記の意味を有する、 のジホスフィン配位子にする。
ことに置換基R5の意味に依存して、式VIIIの化合物は
既知であるか、あるいは新規なジホスフィン配位子であ
る。
既知であるか、あるいは新規なジホスフィン配位子であ
る。
式Ｉの化合物とR5MgXまたはR5Liとの反応はそれ自体
知られている方法で実施することができる。好ましく
は、これは、例えば、グリニヤール反応の条件下に実施
する。好ましくは、R1がフェノキシである式Ｉの化合物
を式R5MgXの化合物と反応させ、そしてR1が塩素または
臭素である化合物を式R5−LiまたはR5MgXの化合物と反
応させる。
知られている方法で実施することができる。好ましく
は、これは、例えば、グリニヤール反応の条件下に実施
する。好ましくは、R1がフェノキシである式Ｉの化合物
を式R5MgXの化合物と反応させ、そしてR1が塩素または
臭素である化合物を式R5−LiまたはR5MgXの化合物と反
応させる。
式VIIのラセミ体化合物または（Ｒ）または（Ｓ）型
で存在する化合物の還元は、それ自体知られている方法
で実施することができる。これは、例えば、シラン、例
えば、トリクロロシランで芳香族炭化水素、例えば、沸
騰するキシレンまたはアセトニトリルなどの中で、便利
には補助塩基、例えば、トリエチルアミンまたは好まし
くはトリブチルアミンの存在下に実施することができ
る。必要に応じて、この還元は圧力下にオートクレーブ
中で実施することができる。
で存在する化合物の還元は、それ自体知られている方法
で実施することができる。これは、例えば、シラン、例
えば、トリクロロシランで芳香族炭化水素、例えば、沸
騰するキシレンまたはアセトニトリルなどの中で、便利
には補助塩基、例えば、トリエチルアミンまたは好まし
くはトリブチルアミンの存在下に実施することができ
る。必要に応じて、この還元は圧力下にオートクレーブ
中で実施することができる。
Ｒは低級アルキルである式IIIの化合物に関して、一
般に、式VIIまたはVIIIの引き続く化合物の段階におい
てラセミ体の分割を実施することが好ましい。しかしな
がら、またこの場合において、ラセミ体の分割はそれ自
体知られている方法、例えば、S.オーツカ（Otsuka）et
al.、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソ
サイアティー（J.Am.Chem.Soc.）、1971、93、4301に記
載されている方法に従い実施することができる。
般に、式VIIまたはVIIIの引き続く化合物の段階におい
てラセミ体の分割を実施することが好ましい。しかしな
がら、またこの場合において、ラセミ体の分割はそれ自
体知られている方法、例えば、S.オーツカ（Otsuka）et
al.、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソ
サイアティー（J.Am.Chem.Soc.）、1971、93、4301に記
載されている方法に従い実施することができる。
すべての前述の反応−ラセミ体の分割を除外する−
は、便利には、不活性ガス、例えば、アルゴンまたは窒
素の雰囲気下に実施する。
は、便利には、不活性ガス、例えば、アルゴンまたは窒
素の雰囲気下に実施する。
式Ｉの化合物の製造および使用に類似して、次の式 式中、 R1は上記の意味を有する、 のビナフチル型の化合物は、同様に製造しそして使用す
ることができる。ビナフチル環は通常の方法で置換する
ことができる。
ることができる。ビナフチル環は通常の方法で置換する
ことができる。
次の実施例によって、本発明をさらに説明する。これ
らの本実施例は本発明を限定するものではない。これら
の実施例において、選択した略号は次の意味を有する。
らの本実施例は本発明を限定するものではない。これら
の実施例において、選択した略号は次の意味を有する。
TLC:薄層クロマトグラフィー DBT:O,O′−ジベンゾイル酒石酸 すべての温度はセ氏である。
実施例１ ａ）76.5g（0.122モル）の（２−ヨード−３−メトキシ
フェニル）ホスホン酸ジフェニルエステル（75％の純
度）および25.0g（0.393モル）の活性化銅粉末を、アル
ゴン雰囲気下に、凝縮器、温度計および不活性ガスの処
理のためのヘッドピースを装備した１リットルの４首ス
ルホン化フラスコの中に入れ、そして20mlのN,N−ジメ
チルホルムアミドを流入させた。暗褐色懸濁液を140℃
（油浴温度）に１時間加熱した後、TLC分析に従うと完
全な転化が起こった。冷却した反応混合物を丸底フラス
コの中に塩化メチレンで移し、そして70℃で回転蒸発器
により蒸発乾固した。残留物を200mlの塩化メチレンで
処理し、この混合物をよく撹拌し、濾過し、そして濾過
残留物を100mlの塩化メチレンで洗浄した。濾液を100ml
の飽和NH4Cl溶液で３回洗浄し、これにより少量の形成
した固体を最初の洗浄操作で濾過し、引き続いて硫酸マ
グネシウムで乾燥し、濾過し、そして濃縮した。高真空
（約10Pa）下に80℃で２時間乾燥した後、59.6gの粗製
の（RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）が得られ
た。
フェニル）ホスホン酸ジフェニルエステル（75％の純
度）および25.0g（0.393モル）の活性化銅粉末を、アル
ゴン雰囲気下に、凝縮器、温度計および不活性ガスの処
理のためのヘッドピースを装備した１リットルの４首ス
ルホン化フラスコの中に入れ、そして20mlのN,N−ジメ
チルホルムアミドを流入させた。暗褐色懸濁液を140℃
（油浴温度）に１時間加熱した後、TLC分析に従うと完
全な転化が起こった。冷却した反応混合物を丸底フラス
コの中に塩化メチレンで移し、そして70℃で回転蒸発器
により蒸発乾固した。残留物を200mlの塩化メチレンで
処理し、この混合物をよく撹拌し、濾過し、そして濾過
残留物を100mlの塩化メチレンで洗浄した。濾液を100ml
の飽和NH4Cl溶液で３回洗浄し、これにより少量の形成
した固体を最初の洗浄操作で濾過し、引き続いて硫酸マ
グネシウムで乾燥し、濾過し、そして濃縮した。高真空
（約10Pa）下に80℃で２時間乾燥した後、59.6gの粗製
の（RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）が得られ
た。
ba）50mlのジクロロメタン中のａ）に従い得られた59.6
gの粗製のジフェニルエステルの溶液を１リットルの丸
底フラスコの中に入れ、そして100mlの酢酸エチル中の3
5.8g（0.10モル）の（−）−O,O′−ジベンゾイル−Ｌ
−酒石酸で処理した。次いでこの溶液を回転蒸発器で60
0ミリバールにおいて蒸発させ、これによりCH2Cl2を蒸
留除去し、そして白色固体が分離した。これを吸引濾過
し、20mlの酢酸エチルおよび20mlのヘキサンで３回洗浄
し、そして高真空（約10Pa）下に乾燥した。21.8gの
（Ｒ）−ジフェニルエステル／（−）−DBT付加物が白
色粉末として得られた。［α］D 20＝−95.6（ｃ＝１、
エタノール中）。
gの粗製のジフェニルエステルの溶液を１リットルの丸
底フラスコの中に入れ、そして100mlの酢酸エチル中の3
5.8g（0.10モル）の（−）−O,O′−ジベンゾイル−Ｌ
−酒石酸で処理した。次いでこの溶液を回転蒸発器で60
0ミリバールにおいて蒸発させ、これによりCH2Cl2を蒸
留除去し、そして白色固体が分離した。これを吸引濾過
し、20mlの酢酸エチルおよび20mlのヘキサンで３回洗浄
し、そして高真空（約10Pa）下に乾燥した。21.8gの
（Ｒ）−ジフェニルエステル／（−）−DBT付加物が白
色粉末として得られた。［α］D 20＝−95.6（ｃ＝１、
エタノール中）。
母液および洗浄溶液を１つの側に配置して、他方の対
掌体を得た。
掌体を得た。
bb）機械的撹拌機を有する１リットルのエルレンマイヤ
ーフラスコ中で、ba）に従い得られた物質を100mlのジ
クロロメタン、50mlの飽和NaHCO3溶液および50mlの蒸留
水で、固体のすべてが溶解するまで（30分）、粉砕し
た。相を分離し、そして有機相を100mlの半飽和NaHCO3
溶液で２回、50mlの蒸留水および50mlの飽和NaCl溶液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、そして蒸
発させた。油状残留物を20mlのｔ−ブチルメチルエステ
ルで処理し、これにより結晶化が開始した。蒸発および
高真空（約10Pa）下に60℃で１時間乾燥後、13.8g
（Ｒ）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）が白色結晶
として得られた。融点125−125.5℃；［α］D 20＝−18.
9（ｃ＝１、CHCl3中）。
ーフラスコ中で、ba）に従い得られた物質を100mlのジ
クロロメタン、50mlの飽和NaHCO3溶液および50mlの蒸留
水で、固体のすべてが溶解するまで（30分）、粉砕し
た。相を分離し、そして有機相を100mlの半飽和NaHCO3
溶液で２回、50mlの蒸留水および50mlの飽和NaCl溶液で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、そして蒸
発させた。油状残留物を20mlのｔ−ブチルメチルエステ
ルで処理し、これにより結晶化が開始した。蒸発および
高真空（約10Pa）下に60℃で１時間乾燥後、13.8g
（Ｒ）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）が白色結晶
として得られた。融点125−125.5℃；［α］D 20＝−18.
9（ｃ＝１、CHCl3中）。
ca）１リットルの丸底フラスコ中でba）からの母液およ
び洗浄溶液を蒸発させた。残留物を100mlのジクロロメ
タンの中に取り、そしてこの溶液を50mlの飽和NaHCO3溶
液および50mlの脱イオン水と共に30分間粉砕した。相の
分離し、そして有機相を100mlの半飽和NaHCO3溶液、50m
lの脱イオン水および50mlの飽和NaCl溶液で洗浄し、MgS
O4上で乾燥し、濾過し、そして濃縮した。得られた褐色
油状物を50mlのジクロロメタン中に取り、そしてこの溶
液を100mlの酢酸エチル中の18.0g（0.050モル）のO,O′
−ジベンゾイル−Ｄ−酒石酸の溶液で処理した。次いで
この溶液を回転蒸発器で600ミリバールにおいて濃縮
し、これによりCH2Cl2を留去し、そして白色固体が分離
した。これを吸引濾過し、20mlの酢酸エチルおよび20ml
のヘキサンで３回洗浄し、そして高真空（約10Pa）下に
乾燥した。22gの（Ｓ）−ジフェニルエステル／（＋）
−DBT付加物が淡黄色粉末として得られた。［α］D 20＝
＋96（ｃ＝１、エタノール中）。
び洗浄溶液を蒸発させた。残留物を100mlのジクロロメ
タンの中に取り、そしてこの溶液を50mlの飽和NaHCO3溶
液および50mlの脱イオン水と共に30分間粉砕した。相の
分離し、そして有機相を100mlの半飽和NaHCO3溶液、50m
lの脱イオン水および50mlの飽和NaCl溶液で洗浄し、MgS
O4上で乾燥し、濾過し、そして濃縮した。得られた褐色
油状物を50mlのジクロロメタン中に取り、そしてこの溶
液を100mlの酢酸エチル中の18.0g（0.050モル）のO,O′
−ジベンゾイル−Ｄ−酒石酸の溶液で処理した。次いで
この溶液を回転蒸発器で600ミリバールにおいて濃縮
し、これによりCH2Cl2を留去し、そして白色固体が分離
した。これを吸引濾過し、20mlの酢酸エチルおよび20ml
のヘキサンで３回洗浄し、そして高真空（約10Pa）下に
乾燥した。22gの（Ｓ）−ジフェニルエステル／（＋）
−DBT付加物が淡黄色粉末として得られた。［α］D 20＝
＋96（ｃ＝１、エタノール中）。
cb）ca）に従い得られた物質をbb）に記載するように処
理した。13.9gの（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニ
ル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエス
テル）が白色結晶として得られた。融点124−125℃；
［α］D 20＝＋18.7（ｃ＝１、CHCl3中）。
理した。13.9gの（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニ
ル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエス
テル）が白色結晶として得られた。融点124−125℃；
［α］D 20＝＋18.7（ｃ＝１、CHCl3中）。
ｄ）出発物質として使用した（２−ヨード−３−メトキ
シフェニル）ホスホン酸ジフェニルエステルは次のよう
にして製造した： daa）50mlの乾燥テトラヒドロフラン中の13.0g（0.535
モル）のマグネシウム削り片の懸濁液を、アルゴン雰囲
気下に、撹拌機、凝縮器、温度計および不活性ガス処理
のためのヘッドピースを装備した0.5リットルの４つ首
フラスコの中に入れた。次いで200mlの乾燥テトラヒド
ロフラン中の93.5g（0.50モル）の３−ブロモアニソー
ルの溶液を90分以内に、反応温度が35℃を越えないよう
な方法で、滴々添加した。添加後、この混合物を追加の
150mlの乾燥テトラヒドロフランで希釈して、グリニヤ
ール試薬の沈澱を防止した。
シフェニル）ホスホン酸ジフェニルエステルは次のよう
にして製造した： daa）50mlの乾燥テトラヒドロフラン中の13.0g（0.535
モル）のマグネシウム削り片の懸濁液を、アルゴン雰囲
気下に、撹拌機、凝縮器、温度計および不活性ガス処理
のためのヘッドピースを装備した0.5リットルの４つ首
フラスコの中に入れた。次いで200mlの乾燥テトラヒド
ロフラン中の93.5g（0.50モル）の３−ブロモアニソー
ルの溶液を90分以内に、反応温度が35℃を越えないよう
な方法で、滴々添加した。添加後、この混合物を追加の
150mlの乾燥テトラヒドロフランで希釈して、グリニヤ
ール試薬の沈澱を防止した。
dab）259.8（0.967モル）のジフェニルクロロホスフェ
ートおよび200mlの乾燥テトラヒドロフランを、撹拌
機、凝縮器、温度計および不活性ガス処理のためのヘッ
ドピースおよびCO2/アセトンの冷却浴を装備した0.5リ
ットルの４つ首フラスコの中に入れ、そしてこの溶液を
−78℃に冷却した。ここでこれにbaa）に従い調製した
グリニヤール試薬の溶液を、反応温度が−70℃を越えな
いような方法で、滴々添加した。添加の完結後、この混
合物を撹拌しながら室温に一夜加温させた。反応混合物
は、多少の微細な白色沈澱を含有し、10リットルの撹拌
容器内で２リットルの氷水、２リットルの飽和NaHCO3溶
液および１リットルのジエチルエーテルの混合物の中に
注いだ。10分間激しく撹拌した後、水性相を分離し、そ
して有機相を順次に１リットルの飽和NaHCO3溶液、200m
lの25％のアンモニアで洗浄しそして500mlの飽和NaCl溶
液で３回洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、こ
の溶液を蒸発させ、残留物を１リットルのジエチルエー
テル中に取り、そしてこの溶液を０℃に一夜放置した。
これにより分離した白色固体（12g）を濾過により除去
し、そして廃棄した。濾液を蒸発させ、高真空（約10P
a）下に乾燥し、得られた残留物（163gの黄色油）を300
mlのヘキサン／トルエン1:1中に取り、そしてこの溶液
を500gのシリカゲルで濾過した。まず３リットルのヘキ
サンおよび８リットルのヘキサン／酢酸エチル9:1で溶
離し、その後２リットルのヘキサン／酢酸エチル4:14:1
および２リットルのヘキサン／酢酸エチル7:3で洗浄す
ることによって、高真空（約10Pa）下に40℃で乾燥後、
118gのわずかに黄色がかった油として（３−メトキシフ
ェニル）ホスホン酸ジフェニルエステルが得られた。
ートおよび200mlの乾燥テトラヒドロフランを、撹拌
機、凝縮器、温度計および不活性ガス処理のためのヘッ
ドピースおよびCO2/アセトンの冷却浴を装備した0.5リ
ットルの４つ首フラスコの中に入れ、そしてこの溶液を
−78℃に冷却した。ここでこれにbaa）に従い調製した
グリニヤール試薬の溶液を、反応温度が−70℃を越えな
いような方法で、滴々添加した。添加の完結後、この混
合物を撹拌しながら室温に一夜加温させた。反応混合物
は、多少の微細な白色沈澱を含有し、10リットルの撹拌
容器内で２リットルの氷水、２リットルの飽和NaHCO3溶
液および１リットルのジエチルエーテルの混合物の中に
注いだ。10分間激しく撹拌した後、水性相を分離し、そ
して有機相を順次に１リットルの飽和NaHCO3溶液、200m
lの25％のアンモニアで洗浄しそして500mlの飽和NaCl溶
液で３回洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、こ
の溶液を蒸発させ、残留物を１リットルのジエチルエー
テル中に取り、そしてこの溶液を０℃に一夜放置した。
これにより分離した白色固体（12g）を濾過により除去
し、そして廃棄した。濾液を蒸発させ、高真空（約10P
a）下に乾燥し、得られた残留物（163gの黄色油）を300
mlのヘキサン／トルエン1:1中に取り、そしてこの溶液
を500gのシリカゲルで濾過した。まず３リットルのヘキ
サンおよび８リットルのヘキサン／酢酸エチル9:1で溶
離し、その後２リットルのヘキサン／酢酸エチル4:14:1
および２リットルのヘキサン／酢酸エチル7:3で洗浄す
ることによって、高真空（約10Pa）下に40℃で乾燥後、
118gのわずかに黄色がかった油として（３−メトキシフ
ェニル）ホスホン酸ジフェニルエステルが得られた。
db）撹拌機、温度計、不活性ガス処理のためのヘッドピ
ース、圧力バランスをもつ滴下漏斗およびCO2/アセトン
冷却浴を装備した、1.5リットルの４つ首フラスコの中
に、300mlの乾燥テトラヒドロフランを入れた。70ml
（0.412モル）の2,2,6,6−テトラメチルピペリジンを注
射器を使用してそれに添加し、そしてこの溶液を−78℃
に冷却した。210ml（0.336モル）のヘキサン中の1.6Nの
ブチルリチウム溶液を鋼のカニューレを経て滴下漏斗の
中に充填した。ブチルリチウム溶液を反応器の中に約10
分以内に滴下して入れ、これにより温度は約−50℃に上
昇し、そして白色沈澱が形成した。CO2/アセトン冷却浴
を氷／エタノール浴と置換し、そして反応混合物を約−
15℃にさらに30分間撹拌し、次いで再び−78℃に加熱し
た。
ース、圧力バランスをもつ滴下漏斗およびCO2/アセトン
冷却浴を装備した、1.5リットルの４つ首フラスコの中
に、300mlの乾燥テトラヒドロフランを入れた。70ml
（0.412モル）の2,2,6,6−テトラメチルピペリジンを注
射器を使用してそれに添加し、そしてこの溶液を−78℃
に冷却した。210ml（0.336モル）のヘキサン中の1.6Nの
ブチルリチウム溶液を鋼のカニューレを経て滴下漏斗の
中に充填した。ブチルリチウム溶液を反応器の中に約10
分以内に滴下して入れ、これにより温度は約−50℃に上
昇し、そして白色沈澱が形成した。CO2/アセトン冷却浴
を氷／エタノール浴と置換し、そして反応混合物を約−
15℃にさらに30分間撹拌し、次いで再び−78℃に加熱し
た。
250mlの乾燥テトラヒドロフランおよび95.2g（0.280
モル）の（３−メトキシフェニル）ホスホン酸ジフェニ
ルエステル（dabからの物質）をアルゴン雰囲気下に別
の１リットルの丸底フラスコの中に入れ、そしてこの溶
液を−78℃に冷却する。ここでこの溶液を鋼のカニュー
レを経て上の反応混合物の中に約10分以内に入れ、これ
により温度は約−68℃に上昇し、そして半透明のカラメ
ル色の溶液が生じた。これは−78℃でさらに30分間撹拌
した。
モル）の（３−メトキシフェニル）ホスホン酸ジフェニ
ルエステル（dabからの物質）をアルゴン雰囲気下に別
の１リットルの丸底フラスコの中に入れ、そしてこの溶
液を−78℃に冷却する。ここでこの溶液を鋼のカニュー
レを経て上の反応混合物の中に約10分以内に入れ、これ
により温度は約−68℃に上昇し、そして半透明のカラメ
ル色の溶液が生じた。これは−78℃でさらに30分間撹拌
した。
150mlの乾燥テトラヒドロフラン中の71.06g（0.280モ
ル）の溶液を別の250mlのシュレンク（Schlenk）管の中
で調製し、そしてこの溶液を鋼のカニューレを経て反応
装置の滴下漏斗の中に移した。ここで反応混合物を15分
以内にヨウ素溶液の急速滴々添加により滴定し、これに
より反応温度は−65℃に上昇した。約170mlのヨウ素溶
液のうちの約145mlを添加した後、反応混合物の赤の着
色が止まるとき、添加を中断し、そして反応混合物を放
置して０℃に加温した。次いで、反応混合物を200mlの
脱イオン水中の100gのチオ硫酸ナトリウム5H2Oの溶液を
150mlで処理し、激しく撹拌し、引き続いて100mlの飽和
NaHCO3溶液で処理した。２相系を濾過して形成した沈澱
を除去し、そして相を分離した。水性相を250mlの酢酸
エチルで再抽出し、そして一緒にした有機相を250mlの
飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、そ
して蒸発させた。残留物を500mlの酢酸エチル中に取
り、そしてこの溶液を250mlの脱イオン水で３回そして2
50mlの飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、濾過し、そして濃縮した。残留物を500mlの酢酸エ
チル中に取り、そしてこの溶液を250mlの脱イオン水で
３回そして250mlの飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥し、濾過しそして濃縮した。残留物（118g
の黄色油）を170mlのトルエン中に取り、そしてこの溶
液を115mlのヘキサンで処理し、これにより白色沈澱が
分離した。これを濾過により除去した、そして濾液を45
0gのシリカゲルのカラムに適用した。副生物をまず２リ
ットルのヘキサン／酢酸エチル9:1および３リットルの
ヘキサン／酢酸エチル8:2で溶離した。引き続いて、最
終生成物を含有する分画は２リットルのヘキサン／酢酸
エチル7:3で溶離した。蒸発および高真空（約10Pa）下
に60℃で乾燥後、76.5gのオレンジ色油が得られた。こ
れは1H−NMR分析に従い75モル％の（２−ヨード−３−
メトキシフェニル）ホスホン酸ジフェニルエステルから
成っていた。
ル）の溶液を別の250mlのシュレンク（Schlenk）管の中
で調製し、そしてこの溶液を鋼のカニューレを経て反応
装置の滴下漏斗の中に移した。ここで反応混合物を15分
以内にヨウ素溶液の急速滴々添加により滴定し、これに
より反応温度は−65℃に上昇した。約170mlのヨウ素溶
液のうちの約145mlを添加した後、反応混合物の赤の着
色が止まるとき、添加を中断し、そして反応混合物を放
置して０℃に加温した。次いで、反応混合物を200mlの
脱イオン水中の100gのチオ硫酸ナトリウム5H2Oの溶液を
150mlで処理し、激しく撹拌し、引き続いて100mlの飽和
NaHCO3溶液で処理した。２相系を濾過して形成した沈澱
を除去し、そして相を分離した。水性相を250mlの酢酸
エチルで再抽出し、そして一緒にした有機相を250mlの
飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、そ
して蒸発させた。残留物を500mlの酢酸エチル中に取
り、そしてこの溶液を250mlの脱イオン水で３回そして2
50mlの飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、濾過し、そして濃縮した。残留物を500mlの酢酸エ
チル中に取り、そしてこの溶液を250mlの脱イオン水で
３回そして250mlの飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥し、濾過しそして濃縮した。残留物（118g
の黄色油）を170mlのトルエン中に取り、そしてこの溶
液を115mlのヘキサンで処理し、これにより白色沈澱が
分離した。これを濾過により除去した、そして濾液を45
0gのシリカゲルのカラムに適用した。副生物をまず２リ
ットルのヘキサン／酢酸エチル9:1および３リットルの
ヘキサン／酢酸エチル8:2で溶離した。引き続いて、最
終生成物を含有する分画は２リットルのヘキサン／酢酸
エチル7:3で溶離した。蒸発および高真空（約10Pa）下
に60℃で乾燥後、76.5gのオレンジ色油が得られた。こ
れは1H−NMR分析に従い75モル％の（２−ヨード−３−
メトキシフェニル）ホスホン酸ジフェニルエステルから
成っていた。
実施例２ 実施例１に類似する方法で次の化合物を調製した： （RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、融点145
−146℃。
イル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、融点145
−146℃。
（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、融点125
−126℃；［α］D 20＝−33.3（ｃ＝１、CHCl3中）。
イル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、融点125
−126℃；［α］D 20＝−33.3（ｃ＝１、CHCl3中）。
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、融点125
−126℃；［α］D 20＝＋32.7（ｃ＝１、CHCl3中）。
イル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、融点125
−126℃；［α］D 20＝＋32.7（ｃ＝１、CHCl3中）。
（２−ヨード−３−メトキシフェニル）ホスホン酸ジ
エチルエステル、融点99−101℃。
エチルエステル、融点99−101℃。
（RS）−［6,6′−ビス（メトキシメトキシ）ビフェ
ニル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸ジエチルエス
テル）。
ニル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸ジエチルエス
テル）。
（Ｒ）−［6,6′−ビス（メトキシメトキシ）ビフェ
ニル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸ジエチルエス
テル）、融点119−120℃；［α］D 20＝−22（ｃ＝１、C
HCl3中）。
ニル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸ジエチルエス
テル）、融点119−120℃；［α］D 20＝−22（ｃ＝１、C
HCl3中）。
（Ｓ）−［6,6′−ビス（メトキシメトキシ）ビフェ
ニル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸ジエチルエス
テル）、融点118−119℃；［α］D 20＝＋20.6（ｃ＝
１、CHCl3中）。
ニル−2,2′−ジイル］ビス（ホスホン酸ジエチルエス
テル）、融点118−119℃；［α］D 20＝＋20.6（ｃ＝
１、CHCl3中）。
［２−ヨード−３−（メトキシメトキシ）フェニル］
ホスホン酸ジエチルエステル。
ホスホン酸ジエチルエステル。
実施例３ 2.43g（5.0モル）の（RS）−（6,6′−ジメトキシビ
フェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチル
エステル）（実施例２に従い調製した）、3.63ml（5.93
g、50ミリモル）の塩化チオニルおよび0.38mlの乾燥N,N
−ジメチルホルムアミドの溶液をアルゴン雰囲気下に３
時間還流沸騰させた。過剰の塩化チオニルを引き続いて
蒸留し、そして残留物を高真空（約10Pa）下に100℃に
１時間乾燥した。得られた粘性油をCH2Cl2の中に取っ
た。少量の不溶性物質を濾過した後、白色粉末を分離し
た。濾過し、エーテルで洗浄し、そして高真空（約10P
a）下に乾燥すると、1.60gの（RS）−（6,6′−ジメト
キシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジ
クロライド）が得られた、融点195−198℃。
フェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチル
エステル）（実施例２に従い調製した）、3.63ml（5.93
g、50ミリモル）の塩化チオニルおよび0.38mlの乾燥N,N
−ジメチルホルムアミドの溶液をアルゴン雰囲気下に３
時間還流沸騰させた。過剰の塩化チオニルを引き続いて
蒸留し、そして残留物を高真空（約10Pa）下に100℃に
１時間乾燥した。得られた粘性油をCH2Cl2の中に取っ
た。少量の不溶性物質を濾過した後、白色粉末を分離し
た。濾過し、エーテルで洗浄し、そして高真空（約10P
a）下に乾燥すると、1.60gの（RS）−（6,6′−ジメト
キシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジ
クロライド）が得られた、融点195−198℃。
上に類似する方法で次の化合物を調製した： （Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジクロライド）、融点172−178
℃；［α］D 20＝＋51.3（ｃ＝１、CHCl3中）。
イル）ビス（ホスホン酸ジクロライド）、融点172−178
℃；［α］D 20＝＋51.3（ｃ＝１、CHCl3中）。
（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ホスホン酸ジクロライド）、融点172−178
℃；［α］D 20＝−50.2（ｃ＝１、CHCl3中）。
イル）ビス（ホスホン酸ジクロライド）、融点172−178
℃；［α］D 20＝−50.2（ｃ＝１、CHCl3中）。
実施例４ 実施例1aに類似する方法で次の化合物を調製した： （RS）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、黄色油とし
て。1 H−NMR;250MHz/CDCl3）:7.83（dd,J＝7.5,14.5,2芳香
族のＨ）;7.45−7.30（m,4芳香族のＨ）;4.0−3.6（m,2
P（OCH2CH3）２）;1.99（s,2CH3）;1.14（t,J＝7,2P（O
CH2CH3）２）。
ル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）、黄色油とし
て。1 H−NMR;250MHz/CDCl3）:7.83（dd,J＝7.5,14.5,2芳香
族のＨ）;7.45−7.30（m,4芳香族のＨ）;4.0−3.6（m,2
P（OCH2CH3）２）;1.99（s,2CH3）;1.14（t,J＝7,2P（O
CH2CH3）２）。
MS（198,037）:454（71,M+）、317（100,M+−Ｐ（Ｏ）
（OEt）２）。
（OEt）２）。
出発物質として使用した（２−ヨード−３−メチルフ
ェニル）ホスホン酸ジエチルエステルは次のようにして
調製した： ａ）15.52g（55ミリモル）のトリフルオロメタンスルホ
ン酸無水物を、50mlのピリジン中の7.66g（50ミリモ
ル）の３−メチル−２−ニトロフェノールの溶液に−５
℃において30分以内に滴々添加した。反応混合物を−５
℃〜室温において一夜撹拌し、エーテルで希釈し、そし
て氷水中に注いだ。有機相は分離し、1N塩酸、飽和NaHC
O3および飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥し、濾過し、そして蒸発した。残留物はヘキサン／エ
ーテル1:1で濾過し、その後12gのトリフルオロメタンス
ルホン酸（２−ニトロ−３−メチルフェニルエステル）
が無色の結晶として得られた、融点24−26℃。
ェニル）ホスホン酸ジエチルエステルは次のようにして
調製した： ａ）15.52g（55ミリモル）のトリフルオロメタンスルホ
ン酸無水物を、50mlのピリジン中の7.66g（50ミリモ
ル）の３−メチル−２−ニトロフェノールの溶液に−５
℃において30分以内に滴々添加した。反応混合物を−５
℃〜室温において一夜撹拌し、エーテルで希釈し、そし
て氷水中に注いだ。有機相は分離し、1N塩酸、飽和NaHC
O3および飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥し、濾過し、そして蒸発した。残留物はヘキサン／エ
ーテル1:1で濾過し、その後12gのトリフルオロメタンス
ルホン酸（２−ニトロ−３−メチルフェニルエステル）
が無色の結晶として得られた、融点24−26℃。
ｂ）1.43g（5.0ミリモル）のトリフルオロメタンスルホ
ン酸（２−ニトロ−３−メチルフェニルエステル）、0.
76g（5.5ミリモル）のジエチルホスファイト、0.76g
（7.5ミリモル）のトリエチルアミン、0.20g（0.17ミリ
モル）のテトラキス（トリフェニル−ホスフィン）パラ
ジウムおよび5mlのトルエンの混合物を90℃に40時間加
熱した。暗い黄色の溶液をエーテルおよびH2O処理し、
相を分離し、そして有機相をH2O、2N塩酸、飽和NaHCO3
溶液および飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾
燥し、濾過し、そして蒸発させた。シリカゲルのクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル25〜40％）は、0.
906gの２−ニトロ−３−メチルフェニルホスフィン酸ジ
エチルエステルが黄色液状として得られた。
ン酸（２−ニトロ−３−メチルフェニルエステル）、0.
76g（5.5ミリモル）のジエチルホスファイト、0.76g
（7.5ミリモル）のトリエチルアミン、0.20g（0.17ミリ
モル）のテトラキス（トリフェニル−ホスフィン）パラ
ジウムおよび5mlのトルエンの混合物を90℃に40時間加
熱した。暗い黄色の溶液をエーテルおよびH2O処理し、
相を分離し、そして有機相をH2O、2N塩酸、飽和NaHCO3
溶液および飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾
燥し、濾過し、そして蒸発させた。シリカゲルのクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル25〜40％）は、0.
906gの２−ニトロ−３−メチルフェニルホスフィン酸ジ
エチルエステルが黄色液状として得られた。
ｃ）50mlのエタノール中の3.62g（13.25ミリモル）の２
−ニトロ−３−メチルフェニルホスフィン酸ジエチルエ
ステルを、200mgの５％Pd/Cの存在下に１気圧のH2下に
水素化した。５時間後、この混合物を酢酸エチルで希釈
し、少量のSiO2で濾過し、そして蒸発し、次いで3.31g
の（２−アミノ−３−メチルフェニル）ホスホン酸ジエ
チルエステルが赤味がかった油として得られた。
−ニトロ−３−メチルフェニルホスフィン酸ジエチルエ
ステルを、200mgの５％Pd/Cの存在下に１気圧のH2下に
水素化した。５時間後、この混合物を酢酸エチルで希釈
し、少量のSiO2で濾過し、そして蒸発し、次いで3.31g
の（２−アミノ−３−メチルフェニル）ホスホン酸ジエ
チルエステルが赤味がかった油として得られた。
ｄ）5mlのH2O中の914mg（13.25ミリモル）のNaNO2の溶
液を、12mlの50％H2SO4中の3.31g（13.25ミリモル）の
（２−アミノ−３−メチルフェニル）ホスホン酸ジエチ
ルエステルの溶液に、０℃において20分以内に滴々添加
した。さらに10分間撹拌した後、反応混合物を10mlのエ
ーテルでカバーし、そして12.5mlのH2O中の3.30g（19.8
8ミリモル）のKIの溶液を０〜５℃において滴々添加し
た。添加の完結後、この混合物を10mlのエーテルで処理
し、そして２相系を０℃〜室温においてさらに２時間撹
拌した。仕上げのために、この混合物を少量のNa2S2O3
で、そしてエーテルおよびH2Oで処理し、相を分離し、
そして有機相を2N塩酸、H2O、飽和NaHCO3溶液および飽
和HCl溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過
し、そして蒸発させた。シリカゲルのクロマトグラフィ
ー（ヘキサン／酢酸エチル1:1）にかけ、次いで20mlの
ヘキサン/2mlのエーテルから−15℃において結晶化する
と、3.47gの（２−ヨード−３−メチルフェニル）ホス
ホン酸ジエチルエステルが白色結晶として得られた、融
点56−58℃。
液を、12mlの50％H2SO4中の3.31g（13.25ミリモル）の
（２−アミノ−３−メチルフェニル）ホスホン酸ジエチ
ルエステルの溶液に、０℃において20分以内に滴々添加
した。さらに10分間撹拌した後、反応混合物を10mlのエ
ーテルでカバーし、そして12.5mlのH2O中の3.30g（19.8
8ミリモル）のKIの溶液を０〜５℃において滴々添加し
た。添加の完結後、この混合物を10mlのエーテルで処理
し、そして２相系を０℃〜室温においてさらに２時間撹
拌した。仕上げのために、この混合物を少量のNa2S2O3
で、そしてエーテルおよびH2Oで処理し、相を分離し、
そして有機相を2N塩酸、H2O、飽和NaHCO3溶液および飽
和HCl溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過
し、そして蒸発させた。シリカゲルのクロマトグラフィ
ー（ヘキサン／酢酸エチル1:1）にかけ、次いで20mlの
ヘキサン/2mlのエーテルから−15℃において結晶化する
と、3.47gの（２−ヨード−３−メチルフェニル）ホス
ホン酸ジエチルエステルが白色結晶として得られた、融
点56−58℃。
実施例５ 4.40g（10.1ミリモル）の（RS）−2,2′−ジヨード−
6,6′−ジメチルビフェニル、75mg（0.42ミリモル）のP
dCl2および4.07g（24.5ミリモル）のトリエチルホスフ
ァイトの混合物を160℃（浴温度）に撹拌しながら加熱
した。形成した臭化エチルを蒸留ブリッジで弱いN2流の
助けにより蒸留除去した。各場合において１時間の期間
後、反応混合物をさらに各回３つの部分の4.07（24.5ミ
リモル）のトリエチルホスファイトで処理した。５時間
後、過剰のトリエチルホスファイトを高真空（約10Pa）
下に80〜100℃で蒸留した。残留する褐色油をシリカゲ
ルのクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル1:1、
次いで酢酸エチル/EtOH ０％→10％）にかけ、これに
より1.80gの（RS）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,
2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）が
得られた。分析試料をバルブチューブで約220℃（0.2ミ
リバール）において蒸留した。
6,6′−ジメチルビフェニル、75mg（0.42ミリモル）のP
dCl2および4.07g（24.5ミリモル）のトリエチルホスフ
ァイトの混合物を160℃（浴温度）に撹拌しながら加熱
した。形成した臭化エチルを蒸留ブリッジで弱いN2流の
助けにより蒸留除去した。各場合において１時間の期間
後、反応混合物をさらに各回３つの部分の4.07（24.5ミ
リモル）のトリエチルホスファイトで処理した。５時間
後、過剰のトリエチルホスファイトを高真空（約10Pa）
下に80〜100℃で蒸留した。残留する褐色油をシリカゲ
ルのクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル1:1、
次いで酢酸エチル/EtOH ０％→10％）にかけ、これに
より1.80gの（RS）−（6,6′−ジメチルビフェニル−2,
2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）が
得られた。分析試料をバルブチューブで約220℃（0.2ミ
リバール）において蒸留した。
IR（410 409/120;film）:1245（Ｐ＝Ｏ）;1056、1026
（Ｐ−Ｏ）、784（1,2,3−３置換ベンゼン）。1 H−NMR（303 747;250 MHz/CDCl3）:7.8 ３（dd,J＝
7.5,14.5,2芳香族のＨ）;7.45−7.30（m,4芳香族の
Ｈ）;4.03−3.6（m,2P（OCH2CH3）２）;1.99（s,2C
H3）;1.14（t,J＝7.2P（OCH2CH3）２）。
（Ｐ−Ｏ）、784（1,2,3−３置換ベンゼン）。1 H−NMR（303 747;250 MHz/CDCl3）:7.8 ３（dd,J＝
7.5,14.5,2芳香族のＨ）;7.45−7.30（m,4芳香族の
Ｈ）;4.03−3.6（m,2P（OCH2CH3）２）;1.99（s,2C
H3）;1.14（t,J＝7.2P（OCH2CH3）２）。
MS（249 430）:454（70,M+）、317（100,M+−Ｐ（Ｏ）
（OEt）２］）。
（OEt）２］）。
実施例６ 20g（46.07ミリモル）の（RS）−2,2′−ジヨード−
6,6′−ジメチルビフェニル、23.72g（101.3ミリモル）
のジフェニルホスファイト、12g（119ミリモル）のトリ
エチルアミンおよび2.62g（2.26ミリモル）のPd（Ｐ−
（フェニル）３）４をシュレンク管中で撹拌しながら10
0℃に20時間加熱した。その後、反応混合物を回転蒸発
器で濃縮し、残留物をCH2Cl2中に溶解し、そしてNaOH溶
液で処理した。有機相を水で洗浄し、そして硫酸ナトリ
ウムで乾燥した。有機相の濃縮に得られた残留物をメタ
ノールから再結晶化した。21.1gの（RS）−（6,6′−ジ
メチルビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸
ジフェニルエステル）が淡ベージュ色の粉末得られた。
6,6′−ジメチルビフェニル、23.72g（101.3ミリモル）
のジフェニルホスファイト、12g（119ミリモル）のトリ
エチルアミンおよび2.62g（2.26ミリモル）のPd（Ｐ−
（フェニル）３）４をシュレンク管中で撹拌しながら10
0℃に20時間加熱した。その後、反応混合物を回転蒸発
器で濃縮し、残留物をCH2Cl2中に溶解し、そしてNaOH溶
液で処理した。有機相を水で洗浄し、そして硫酸ナトリ
ウムで乾燥した。有機相の濃縮に得られた残留物をメタ
ノールから再結晶化した。21.1gの（RS）−（6,6′−ジ
メチルビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸
ジフェニルエステル）が淡ベージュ色の粉末得られた。
IR（KBr）:1592、1490、1277、1214、1185、1157、92
6、764、733、687。1 H−NMR;（250MHz,CDCl3）:8.12−6.74（m,26芳香族の
Ｈ）、1.98（s,2芳香族のCH3）。
6、764、733、687。1 H−NMR;（250MHz,CDCl3）:8.12−6.74（m,26芳香族の
Ｈ）、1.98（s,2芳香族のCH3）。
MS:646（0.3,M+）;553（100,M+−OC6H5）;413（M+−Ｐ
（Ｏ）（O6H5）２。
（Ｏ）（O6H5）２。
実施例７ ａ）678mg（10ミリモル）の（Ｒ）−（6,6′−ジメトキ
シビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフ
ェニルエステル）（実施例１に従い調製した）を、10ml
のテトラヒドロフラン中の1.57g（10ミリモル）のブロ
モベンゼンおよび243mg（10ミリモル）のマグネシウム
削り片から調製したフェニルマグネシウムブロミドの中
に室温において導入した。反応混合物を室温において30
分間撹拌し、引き続いて還流下に２時間沸騰させた。仕
上げのために、この混合物を50mlの飽和NH4Cl溶液およ
び50mlの酢酸エチルで処理し、相を分離し、そして有機
相を飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、濾過し、そして濃縮した。残留物を少量のCH2Cl2中
に溶解し、そしてこの溶液を50gのカラムに適用した。
酢酸エチルで溶離し、次いでテトラヒドロフランで溶離
すると、白色粉末が得られ、これをCH2Cl2/t−ブチルメ
チルエーテルから結晶化した。510mgの（Ｒ）−（6,6′
−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフ
ェニルホスフィンオキシド）。融点337℃（熱分析）；
［α］D 20＝＋128.4（ｃ＝１、CHCl3中）。
シビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフ
ェニルエステル）（実施例１に従い調製した）を、10ml
のテトラヒドロフラン中の1.57g（10ミリモル）のブロ
モベンゼンおよび243mg（10ミリモル）のマグネシウム
削り片から調製したフェニルマグネシウムブロミドの中
に室温において導入した。反応混合物を室温において30
分間撹拌し、引き続いて還流下に２時間沸騰させた。仕
上げのために、この混合物を50mlの飽和NH4Cl溶液およ
び50mlの酢酸エチルで処理し、相を分離し、そして有機
相を飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、濾過し、そして濃縮した。残留物を少量のCH2Cl2中
に溶解し、そしてこの溶液を50gのカラムに適用した。
酢酸エチルで溶離し、次いでテトラヒドロフランで溶離
すると、白色粉末が得られ、これをCH2Cl2/t−ブチルメ
チルエーテルから結晶化した。510mgの（Ｒ）−（6,6′
−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフ
ェニルホスフィンオキシド）。融点337℃（熱分析）；
［α］D 20＝＋128.4（ｃ＝１、CHCl3中）。
ｂ）凝縮器、温度計、滴下漏斗および機械的撹拌機を装
備した0.5リットルの４つ首フラスコに、アルゴン雰囲
気下に、4.50g（6.12ミリモル）の（Ｒ）−（6,6′−ジ
メトキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニ
ルホスフィンオキシド）、10ml（41.9ミリモル）のトリ
ブチルアミン、60mlのキシレン異性体混合物および4.0m
l（5.37g、39.6ミリモル）のトリクロロキシレンを供給
した。ミルク状白色混合物を還流下に４時間加熱し、こ
れによりほとんど半透明の溶液が生じた。冷却後、100m
lの脱酸素した30％の水酸化ナトリウム溶液を撹拌しな
がら内部温度が70℃を越えないような方法で添加し、そ
してこの混合物を70℃でさらに１時間撹拌した。H2Oお
よびCH2Cl2の添加後、相を分離し、そして有機相を２×
50mlの30％の水酸化ナトリウム溶液、H2Oおよび飽和NH4
Cl溶液およびNaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥し、濾過し、そして蒸発させた。得られた白色粉末
（4.40g）をCH2Cl2中に溶解し、この溶液をエタノール
で処理し、そしてCH2Cl2を回転蒸発器で蒸発させた。沈
澱した固体を濾過し、エタノールおよびペンタンで洗浄
し、そして高真空（約10Pa）下に100℃で１時間乾燥し
た。3.90gの（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−
2,2′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）が白色
結晶として得られた；融点214−215℃；［α］D 20＝＋4
2.4（ｃ＝１、CHCl3中）。
備した0.5リットルの４つ首フラスコに、アルゴン雰囲
気下に、4.50g（6.12ミリモル）の（Ｒ）−（6,6′−ジ
メトキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニ
ルホスフィンオキシド）、10ml（41.9ミリモル）のトリ
ブチルアミン、60mlのキシレン異性体混合物および4.0m
l（5.37g、39.6ミリモル）のトリクロロキシレンを供給
した。ミルク状白色混合物を還流下に４時間加熱し、こ
れによりほとんど半透明の溶液が生じた。冷却後、100m
lの脱酸素した30％の水酸化ナトリウム溶液を撹拌しな
がら内部温度が70℃を越えないような方法で添加し、そ
してこの混合物を70℃でさらに１時間撹拌した。H2Oお
よびCH2Cl2の添加後、相を分離し、そして有機相を２×
50mlの30％の水酸化ナトリウム溶液、H2Oおよび飽和NH4
Cl溶液およびNaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥し、濾過し、そして蒸発させた。得られた白色粉末
（4.40g）をCH2Cl2中に溶解し、この溶液をエタノール
で処理し、そしてCH2Cl2を回転蒸発器で蒸発させた。沈
澱した固体を濾過し、エタノールおよびペンタンで洗浄
し、そして高真空（約10Pa）下に100℃で１時間乾燥し
た。3.90gの（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−
2,2′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）が白色
結晶として得られた；融点214−215℃；［α］D 20＝＋4
2.4（ｃ＝１、CHCl3中）。
類似する方法で次の化合物を調製した： （Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）、融点33
6.5℃（熱分析）；［α］D 20＝−130.4（ｃ＝１、CHCl3
中）。
イル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）、融点33
6.5℃（熱分析）；［α］D 20＝−130.4（ｃ＝１、CHCl3
中）。
（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）、融点21
4−215℃；［α］D 20＝−41.7（ｃ＝１、CHCl3中）。
イル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）、融点21
4−215℃；［α］D 20＝−41.7（ｃ＝１、CHCl3中）。
（RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点300℃（熱分解）。
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点300℃（熱分解）。
（RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点247−249℃。
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点247−249℃。
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点318℃；［α］D 20＝＋103.5（ｃ＝１、CHCl3中）。
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点318℃；［α］D 20＝＋103.5（ｃ＝１、CHCl3中）。
（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点321℃；［α］D 20＝−105（ｃ＝１、CHCl3中）。
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点321℃；［α］D 20＝−105（ｃ＝１、CHCl3中）。
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点209−210℃；［α］D 20＝＋33.2（ｃ＝１、CHCl
3中）。
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点209−210℃；［α］D 20＝＋33.2（ｃ＝１、CHCl
3中）。
（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点208−209℃；［α］D 20＝−32.5（ｃ＝１、CHCl
3中）。
イル）ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィンオキシド）、融
点208−209℃；［α］D 20＝−32.5（ｃ＝１、CHCl
3中）。
（RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン
オキシド］、融点282−283℃。
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン
オキシド］、融点282−283℃。
（RS）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィ
ン］。
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィ
ン］。
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン
オキシド］、融点213−214℃；［α］D 20＝＋92.5（ｃ
＝１、CHCl3中）。
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン
オキシド］、融点213−214℃；［α］D 20＝＋92.5（ｃ
＝１、CHCl3中）。
（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン
オキシド］、融点207−208℃；［α］D 20＝−93.6（ｃ
＝１、CHCl3中）。
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン
オキシド］、融点207−208℃；［α］D 20＝−93.6（ｃ
＝１、CHCl3中）。
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィ
ン］、融点225−226℃；［α］D 20＝＋7.5（ｃ＝１、CH
Cl3中）。
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィ
ン］、融点225−226℃；［α］D 20＝＋7.5（ｃ＝１、CH
Cl3中）。
（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィ
ン］、融点225−226℃；［α］D 20＝−7.3（ｃ＝１、CH
Cl3中）。
イル）ビス［ビス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィ
ン］、融点225−226℃；［α］D 20＝−7.3（ｃ＝１、CH
Cl3中）。
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−４−ビフェニルホスフィンオキシ
ド）。
イル）ビス（ジ−４−ビフェニルホスフィンオキシ
ド）。
（Ｓ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−４−ビフェニルホスフィンオキシ
ド）。
イル）ビス（ジ−４−ビフェニルホスフィンオキシ
ド）。
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジ
イル）ビス（ジ−４−ビフェニルホスフィン）、［α］
D 20＝＋39（ｃ＝１、CHCl3中）。
イル）ビス（ジ−４−ビフェニルホスフィン）、［α］
D 20＝＋39（ｃ＝１、CHCl3中）。
（Ｓ）−6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ジ−４−ビフェニルホスフィン）、［α］D
20＝−39.4（ｃ＝１、CHCl3中）。
ル）ビス（ジ−４−ビフェニルホスフィン）、［α］D
20＝−39.4（ｃ＝１、CHCl3中）。
実施例８ ａ）10mlのテトラヒドロフラン中の1.57g（10.0ミリモ
ル）のブロモベンゼンおよび0.243g（10.0ミリモル）の
から調製したフェニルマグネシウムブロミドの溶液を、
−78℃において、100mlのテトラヒドロフラン中の448mg
（1.0ミリモル）の（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジクロライ
ド）の溶液に滴々添加した。添加の完結後、冷却浴を除
去し、そして反応混合物を室温に加温した。仕上げのた
めに、混合物を飽和NH4Cl溶液で処理し、有機相を分離
し、飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、
濾過し、そして蒸発させた。残留物をCH2Cl2中に取り、
この溶液を酢酸エチルで処理し、そしてCH2Cl2を回転蒸
発器で蒸発させた。濾過および乾燥すると、0.50gの
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）が白色粉末
として得られた；［α］D 20＝＋127.7（ｃ＝１、CHCl3
中）。
ル）のブロモベンゼンおよび0.243g（10.0ミリモル）の
から調製したフェニルマグネシウムブロミドの溶液を、
−78℃において、100mlのテトラヒドロフラン中の448mg
（1.0ミリモル）の（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジクロライ
ド）の溶液に滴々添加した。添加の完結後、冷却浴を除
去し、そして反応混合物を室温に加温した。仕上げのた
めに、混合物を飽和NH4Cl溶液で処理し、有機相を分離
し、飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、
濾過し、そして蒸発させた。残留物をCH2Cl2中に取り、
この溶液を酢酸エチルで処理し、そしてCH2Cl2を回転蒸
発器で蒸発させた。濾過および乾燥すると、0.50gの
（Ｒ）−（6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイ
ル）ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）が白色粉末
として得られた；［α］D 20＝＋127.7（ｃ＝１、CHCl3
中）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特表 平５−507294（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07F 9/40 C07F 9/38 C07F 9/42
Claims (9)
- 【請求項１】一般式 式中、 Ｒは低級アルキル、低級アルコキシ、ベンジルオキシ、
アリルオキシ、ベンジルオキシメチルオキシ、低級アル
コキシメチルオキシまたは２−メトキシエトキシメチル
オキシであり、 R1は低級アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、塩
素または臭素であり、 R2は低級アルキルまたは低級アルコキシであり、そして ｎは０、１または２である、 のラセミ体の及び光学的に活性なリン化合物。 - 【請求項２】ｎが０である請求の範囲第１項記載のラセ
ミ体の及び光学的に活性なリン化合物。 - 【請求項３】R1がフェノキシ、エトキシまたは塩素であ
り、そしてＲがメトキシ、メトキシメチルオキシまたは
メチルである請求の範囲第１または２項記載のラセミ体
の及び光学的に活性なリン化合物。 - 【請求項４】（RS）−、（Ｒ）−または（Ｓ）−（6,
6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホ
スホン酸ジフェニルエステル）。 - 【請求項５】（RS）−、（Ｒ）−または（Ｓ）−（6,
6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホ
スホン酸ジエチルエステル）。 - 【請求項６】（RS）−、（Ｒ）−または（Ｓ）−（6,
6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホス
ホン酸ジフェニルエステル）。 - 【請求項７】（RS）−、（Ｒ）−または（Ｓ）−（6,
6′−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホス
ホン酸ジエチルエステル）。 - 【請求項８】（RS）−、（Ｒ）−または（Ｓ）−（6,
6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ホ
スホン酸ジクロライド）。 - 【請求項９】一般式 式中、 Ｒは低級アルキル、低級アルコキシ、ベンジルオキシ、
アリルオキシ、ベンジルオキシメチルオキシ、低級アル
コキシメチルオキシまたは２−メトキシエトキシメチル
オキシであり、 R1は低級アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、塩
素または臭素であり、 R2は低級アルキルまたは低級アルコキシであり、そして ｎは０、１または２である、 のラセミ体のまたは光学的に活性なリン化合物の製造す
る方法であって、式 式中、 Ｒ、R2およびｎは上記の意味を有し、そして R3は低級アルコキシ、フェノキシまたはベンジルオキシ
である、 の化合物をウルマンカップリングに付し、必要に応じ
て、こうして得られる式 式中、 Ｒ、R2、R3およびｎは上記の意味を有する、 の、（RS）型で存在する化合物を、ジベンゾイル酒石酸
またはジ−ｐ−トルイル酒石酸を使用して、（Ｒ）型お
よび（Ｓ）型に分割し、そして必要に応じて、式IIIの
ラセミ体のまたは光学的に活性なリン化合物中のR3によ
り表される低級アルコキシ基を塩素または臭素で置換す
ることを特徴とする方法。
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|---|---|---|---|
| CH794/91-0 | 1991-03-15 | ||
| CH79491 | 1991-03-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50591592A Expired - Lifetime JP3204668B2 (ja) | 1991-03-15 | 1992-03-12 | キラルなホスフイン |
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| CA2240107C (en) * | 1997-07-02 | 2008-04-15 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Novel diphenylarsines |
| US6162929A (en) * | 1997-12-23 | 2000-12-19 | Hoffmann-La Roche Inc. | Process for the manufacture of bisphosphine oxide and bisphosphonate compounds |
| DE10056310A1 (de) | 2000-11-14 | 2002-05-16 | Bayer Ag | Verbessertes Verfahren zur Herstellung von enantiomerenreinen(5,5`-Dichlor-6,6`-dimethoxybiphenyl-2,2`-diyl)-bis-(diphenylphosphinoxiden) |
| US7094725B2 (en) | 2003-07-11 | 2006-08-22 | The Hong Kong Polytechnic University | Biphenyldiphosphine compounds |
| US20060008876A1 (en) | 2004-07-07 | 2006-01-12 | Shami A S E | ME-5, ME-2, and EPP2: human protein antigens reactive with autoantibodies present in the serum of women suffering from endometriosis |
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