JP3193142B2 - 基 板 - Google Patents
基 板Info
- Publication number
- JP3193142B2 JP3193142B2 JP22978592A JP22978592A JP3193142B2 JP 3193142 B2 JP3193142 B2 JP 3193142B2 JP 22978592 A JP22978592 A JP 22978592A JP 22978592 A JP22978592 A JP 22978592A JP 3193142 B2 JP3193142 B2 JP 3193142B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- conductive layer
- heat conductive
- heat
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装された半導体
素子等を冷却するための手段を有する基板に関する。
素子等を冷却するための手段を有する基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の基板の概略を示す部分断
面図である。
面図である。
【０００３】ここでは、半導体素子１０１が、基板１０
２上にＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）法によっ
て取り付けられており、リード１０３により基板１０２
上のパッド１０４と電気的に接続されている。ベアチッ
プ等の半導体素子１０１においては、放熱フィン等の冷
却手段を素子に直接取り付けることが機械的強度や絶縁
性の問題等から困難であるため、従来は、半導体素子１
０１において発生した熱を直接雰囲気中に発散したり、
リード１０３を介して基板１０２へ伝えた後、雰囲気中
に発散したりしていた。また、半導体素子１０１と基板
１０２との間の熱的な抵抗を低減するために、両者間に
樹脂や熱伝導ペースト等を充填することもあった。
２上にＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）法によっ
て取り付けられており、リード１０３により基板１０２
上のパッド１０４と電気的に接続されている。ベアチッ
プ等の半導体素子１０１においては、放熱フィン等の冷
却手段を素子に直接取り付けることが機械的強度や絶縁
性の問題等から困難であるため、従来は、半導体素子１
０１において発生した熱を直接雰囲気中に発散したり、
リード１０３を介して基板１０２へ伝えた後、雰囲気中
に発散したりしていた。また、半導体素子１０１と基板
１０２との間の熱的な抵抗を低減するために、両者間に
樹脂や熱伝導ペースト等を充填することもあった。
【０００４】ところが、基板１０２を構成する絶縁性の
主構造体として、ガラスエポキシ等の熱伝導性の低い材
料が使用された場合、基板１０２内での熱の拡散に対す
る抵抗が大きくなるため、基板１０２による実効的な放
熱面積の拡大があまり期待できないという欠点があっ
た。
主構造体として、ガラスエポキシ等の熱伝導性の低い材
料が使用された場合、基板１０２内での熱の拡散に対す
る抵抗が大きくなるため、基板１０２による実効的な放
熱面積の拡大があまり期待できないという欠点があっ
た。
【０００５】これに対して、基板１０２内部での面方向
の熱伝導特性を改善するために、基板１０２の面積とほ
ぼ同等の面積を占める金属などの良熱伝導体で構成され
る熱伝導層１０５を基板１０２の内部に設けることも試
みられているが、この熱伝導層１０５と半導体素子１０
１の間及び熱伝導層１０５と外部雰囲気との間の熱的な
抵抗が大きいという問題があった。
の熱伝導特性を改善するために、基板１０２の面積とほ
ぼ同等の面積を占める金属などの良熱伝導体で構成され
る熱伝導層１０５を基板１０２の内部に設けることも試
みられているが、この熱伝導層１０５と半導体素子１０
１の間及び熱伝導層１０５と外部雰囲気との間の熱的な
抵抗が大きいという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の基板においては、基板内部に設けられた熱伝導層と、
表面実装された半導体素子等及び外部雰囲気との間の熱
的な抵抗が大きいため、基板による実効的な放熱面積の
拡大があまり期待できず、表面実装された半導体素子等
の十分な冷却が困難であった。
の基板においては、基板内部に設けられた熱伝導層と、
表面実装された半導体素子等及び外部雰囲気との間の熱
的な抵抗が大きいため、基板による実効的な放熱面積の
拡大があまり期待できず、表面実装された半導体素子等
の十分な冷却が困難であった。
【０００７】そこで、本発明では、上記問題を解決し、
基板内部の熱伝導層と、表面実装された半導体素子等及
び外部雰囲気との熱的な接続を良好にすることが可能
で、基板による実効的な放熱面積を拡大することによ
り、表面実装された半導体素子等の十分な冷却を実現で
きる基板を提供することを目的とする。
基板内部の熱伝導層と、表面実装された半導体素子等及
び外部雰囲気との熱的な接続を良好にすることが可能
で、基板による実効的な放熱面積を拡大することによ
り、表面実装された半導体素子等の十分な冷却を実現で
きる基板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、内部に良熱伝導材で形成された熱伝導
層を有する基板において、この基板の表面に露出したパ
ッドと、このパッドと前記熱伝導層とを接続するサーマ
ルビアとを具備することを特徴とする基板を提供する。
に、本発明では、内部に良熱伝導材で形成された熱伝導
層を有する基板において、この基板の表面に露出したパ
ッドと、このパッドと前記熱伝導層とを接続するサーマ
ルビアとを具備することを特徴とする基板を提供する。
【０００９】また、この基板において、前記熱伝導層
と、前記サーマルビアとが電気伝導性のある材料で構成
され、電源あるいは電気信号の伝播に用いられることを
特徴とする基板、前記サーマルビアの前記基板の厚み方
向の両端部のうち少なくとも一方の端部が他の部分より
も太く形成されていることを特徴とする基板、前記熱伝
導層の表面あるいは内部に流体を流すための流路が設け
られていることを特徴とする基板、前記パッドが複数設
けられており、そのうちの少なくともひとつに放熱促進
手段が接続されていることを特徴とする基板をも併せて
提供する。
と、前記サーマルビアとが電気伝導性のある材料で構成
され、電源あるいは電気信号の伝播に用いられることを
特徴とする基板、前記サーマルビアの前記基板の厚み方
向の両端部のうち少なくとも一方の端部が他の部分より
も太く形成されていることを特徴とする基板、前記熱伝
導層の表面あるいは内部に流体を流すための流路が設け
られていることを特徴とする基板、前記パッドが複数設
けられており、そのうちの少なくともひとつに放熱促進
手段が接続されていることを特徴とする基板をも併せて
提供する。
【００１０】
【作用】上記した構成を有する本発明によれば、基板内
部に設けられた熱伝導層と、表面実装された半導体素子
等及び外部雰囲気とを基板表面に露出したパッド及びサ
ーマルビア介して接続することにより、両者間の熱的な
接続を良好にすることができる。これにより、基板によ
る実効的な放熱面積を拡大することができ、半導体素子
等で発生した熱を基板内部の熱伝導層を介して外部雰囲
気に効率よく輸送することができ、半導体素子等を十分
に冷却することが可能となる。
部に設けられた熱伝導層と、表面実装された半導体素子
等及び外部雰囲気とを基板表面に露出したパッド及びサ
ーマルビア介して接続することにより、両者間の熱的な
接続を良好にすることができる。これにより、基板によ
る実効的な放熱面積を拡大することができ、半導体素子
等で発生した熱を基板内部の熱伝導層を介して外部雰囲
気に効率よく輸送することができ、半導体素子等を十分
に冷却することが可能となる。
【００１１】また、熱伝導層及びサーマルビアを電気伝
導性のある材料で構成することにより、これらを電源あ
るいは電気信号を伝播する回路の一部として用いること
も可能となる。
導性のある材料で構成することにより、これらを電源あ
るいは電気信号を伝播する回路の一部として用いること
も可能となる。
【００１２】さらに、サーマルビアの端部を太くするこ
とにより、パッドあるいは熱伝導層との接触面積を拡大
することができ、半導体素子等の面内を伝導する熱の一
部をより効率よく吸収し、熱伝導層に輸送することが可
能となる。
とにより、パッドあるいは熱伝導層との接触面積を拡大
することができ、半導体素子等の面内を伝導する熱の一
部をより効率よく吸収し、熱伝導層に輸送することが可
能となる。
【００１３】加えて、熱伝導層の表面あるいは内部に冷
却用流路を設けたり、一部のパッドに放熱促進手段を設
けることにより、半導体素子等で発生した熱をより効果
的に除去することが可能となる。
却用流路を設けたり、一部のパッドに放熱促進手段を設
けることにより、半導体素子等で発生した熱をより効果
的に除去することが可能となる。
【００１４】
【実施例】本発明の実施例について、図面を参照しつつ
詳細に説明する。図１は、本発明に係る基板の一実施例
を示す部分断面図である。
詳細に説明する。図１は、本発明に係る基板の一実施例
を示す部分断面図である。
【００１５】ここでは、半導体素子１が、ガラスエポキ
シやセラミック製の基板２上に、ＣＯＢ法により実装さ
れている。この半導体素子１はリード３により基板２上
のパッド４と電気的に接続されるとともに、結合材５に
より基板２上のパッド６ａと熱的に接続される。なお、
接合材５としては、例えば金属粉を含有する熱伝導率の
高い接着剤や熱伝導ペーストなどが用いられる。
シやセラミック製の基板２上に、ＣＯＢ法により実装さ
れている。この半導体素子１はリード３により基板２上
のパッド４と電気的に接続されるとともに、結合材５に
より基板２上のパッド６ａと熱的に接続される。なお、
接合材５としては、例えば金属粉を含有する熱伝導率の
高い接着剤や熱伝導ペーストなどが用いられる。
【００１６】上記したパッド６ａは、基板２の内部に設
けられた熱伝導層７とサーマルビア８により接続され
る。ここで、熱伝導層７及びサーマルビア８は、例えば
金、銅、アルミニウム等の純金属やＡｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、
ＳｉＣ等の熱伝導率の高い良熱伝導材で構成される。サ
ーマルビア８は、通常、基板２の内部の配線（図示省
略）に干渉しないように設けられる。ただし、熱伝導層
７及びサーマルビア８を電気伝導性のある材料で構成す
ることにより、これらを電源あるいは電気信号を伝播す
る回路の一部として用いても良い。
けられた熱伝導層７とサーマルビア８により接続され
る。ここで、熱伝導層７及びサーマルビア８は、例えば
金、銅、アルミニウム等の純金属やＡｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、
ＳｉＣ等の熱伝導率の高い良熱伝導材で構成される。サ
ーマルビア８は、通常、基板２の内部の配線（図示省
略）に干渉しないように設けられる。ただし、熱伝導層
７及びサーマルビア８を電気伝導性のある材料で構成す
ることにより、これらを電源あるいは電気信号を伝播す
る回路の一部として用いても良い。
【００１７】このような構成によれば、基板２がガラス
エポキシ等の熱伝導性の低い材料により構成されている
場合でも、半導体素子１において発生した熱を基板２内
部の熱伝導層７に効率よく輸送することが可能であり、
半導体素子１と熱伝導層７との間の熱的な接続を良好に
することができる。
エポキシ等の熱伝導性の低い材料により構成されている
場合でも、半導体素子１において発生した熱を基板２内
部の熱伝導層７に効率よく輸送することが可能であり、
半導体素子１と熱伝導層７との間の熱的な接続を良好に
することができる。
【００１８】図２は、上記したサーマルビア７の部分を
拡大して示した部分断面図である。ここで、図１に示し
た部分と同一部分に関しては同一番号を付すことにより
重複説明を省略することとする。また、パッド６ａに接
続されている半導体素子１等の図示は省略する。
拡大して示した部分断面図である。ここで、図１に示し
た部分と同一部分に関しては同一番号を付すことにより
重複説明を省略することとする。また、パッド６ａに接
続されている半導体素子１等の図示は省略する。
【００１９】サーマルビア７の形状は、図２（ａ）に示
すように、柱状のものが一般的である。これに対して、
図２（ｂ）に示すように、サーマルビア８ａ，８ｂがパ
ッド６ａ及び熱伝導層７と当接する部分（サーマルビア
８ａ，８ｂの両端部）を他の部分よりも太く形成しても
良い。
すように、柱状のものが一般的である。これに対して、
図２（ｂ）に示すように、サーマルビア８ａ，８ｂがパ
ッド６ａ及び熱伝導層７と当接する部分（サーマルビア
８ａ，８ｂの両端部）を他の部分よりも太く形成しても
良い。
【００２０】このような構成によれば、パッド６ａ及び
熱伝導層７とサーマルビア８ａ，８ｂとの接触面積が拡
大されるため、半導体素子１の面内を伝導する熱の一部
をより効率よく吸収し、熱伝導層７に輸送することが可
能となる。
熱伝導層７とサーマルビア８ａ，８ｂとの接触面積が拡
大されるため、半導体素子１の面内を伝導する熱の一部
をより効率よく吸収し、熱伝導層７に輸送することが可
能となる。
【００２１】なお、サーマルビアの形状は、図２
（ａ），（ｂ）に示した場合に限られず、同等の機能を
有するものであれば、どのような形状であっても良い。
また、図２（ｂ）に示すように、サーマルビアの両端部
を太くせずに、発熱する半導体素子１が接続されるパッ
ド６ａ側の端部のみを太くした形状にしても良い。
（ａ），（ｂ）に示した場合に限られず、同等の機能を
有するものであれば、どのような形状であっても良い。
また、図２（ｂ）に示すように、サーマルビアの両端部
を太くせずに、発熱する半導体素子１が接続されるパッ
ド６ａ側の端部のみを太くした形状にしても良い。
【００２２】再び、図１に戻って説明を続ける。基板２
の表面には、半導体素子１等が接続されていないパッド
６ｂが複数個接続されていることがある。このような場
合、これらのパッド６ｂと熱伝導層７とをサーマルビア
８により接続することにより、熱伝導層７内の熱をパッ
ド６ｂを通じて外部雰囲気に放出する役割をさせること
ができる。また、この放熱をより効率よく行わせるため
に、パッド６ｂに図示したような放熱フィン９等の放熱
促進手段を接続しても良い。なお、この放熱フィン９の
形状は本実施例のものに限られず、放熱促進手段として
の機能を有するものであればどのようなものでも良い。
の表面には、半導体素子１等が接続されていないパッド
６ｂが複数個接続されていることがある。このような場
合、これらのパッド６ｂと熱伝導層７とをサーマルビア
８により接続することにより、熱伝導層７内の熱をパッ
ド６ｂを通じて外部雰囲気に放出する役割をさせること
ができる。また、この放熱をより効率よく行わせるため
に、パッド６ｂに図示したような放熱フィン９等の放熱
促進手段を接続しても良い。なお、この放熱フィン９の
形状は本実施例のものに限られず、放熱促進手段として
の機能を有するものであればどのようなものでも良い。
【００２３】このような構成によれば、基板２がガラス
エポキシ等の熱伝導性の低い材料により構成されている
場合でも、基板２内部の熱伝導層７内の熱を外部雰囲気
に効率よく輸送することが可能であり、熱伝導層７と外
部雰囲気との間の熱的な接続を良好にすることができ
る。
エポキシ等の熱伝導性の低い材料により構成されている
場合でも、基板２内部の熱伝導層７内の熱を外部雰囲気
に効率よく輸送することが可能であり、熱伝導層７と外
部雰囲気との間の熱的な接続を良好にすることができ
る。
【００２４】以上説明したような基板２によれば、基板
２内部の熱伝導層７と半導体素子１及び外部雰囲気との
熱的な接続を良好にすることが可能となる。その結果、
熱伝導層７の有効な利用により、基板２における実効的
な放熱面積の拡大が可能となり、半導体素子１の十分な
冷却が実現できる。さらに、基板２の熱伝導特性が向上
することによる付帯的な効果として、ソルダリングにリ
フロー加熱を行う際の基板２内部の温度分布が小さくな
ることから、ソルダリング不良を減少させることが可能
となる。
２内部の熱伝導層７と半導体素子１及び外部雰囲気との
熱的な接続を良好にすることが可能となる。その結果、
熱伝導層７の有効な利用により、基板２における実効的
な放熱面積の拡大が可能となり、半導体素子１の十分な
冷却が実現できる。さらに、基板２の熱伝導特性が向上
することによる付帯的な効果として、ソルダリングにリ
フロー加熱を行う際の基板２内部の温度分布が小さくな
ることから、ソルダリング不良を減少させることが可能
となる。
【００２５】図３は、本発明に係る基板の他の実施例を
示した部分断面図である。ここで、図１に示した部分と
同一部分に関しては、同一番号を付すことにより、重複
説明を省略することとする。
示した部分断面図である。ここで、図１に示した部分と
同一部分に関しては、同一番号を付すことにより、重複
説明を省略することとする。
【００２６】本実施例においては、サーマルビア８を介
して、半導体素子１が接続されたパッド６ａに接続され
ている熱伝導層７の表面と対向する同熱伝導層７の表面
に、冷却用流路１０が設けられている。この冷却用流路
１０に、空気、水、フロン、フロロカーボン等の冷媒を
流すことにより、半導体素子１で発生した熱をより効果
的に除去することが可能となる。これにより、高発熱の
半導体素子１であっても、十分な冷却を行うことができ
る。
して、半導体素子１が接続されたパッド６ａに接続され
ている熱伝導層７の表面と対向する同熱伝導層７の表面
に、冷却用流路１０が設けられている。この冷却用流路
１０に、空気、水、フロン、フロロカーボン等の冷媒を
流すことにより、半導体素子１で発生した熱をより効果
的に除去することが可能となる。これにより、高発熱の
半導体素子１であっても、十分な冷却を行うことができ
る。
【００２７】なお、本実施例で示した冷却用流路１０
は、熱伝導層７の内部に設けても同様の効果がえられ
る。また、冷却用流路１０の形状は、本実施例のものに
限られず、種々変形が可能である。
は、熱伝導層７の内部に設けても同様の効果がえられ
る。また、冷却用流路１０の形状は、本実施例のものに
限られず、種々変形が可能である。
【００２８】以上説明した本発明に係る基板において
は、上記した放熱フィン等の放熱促進手段や冷却用流路
を任意に選択して用いることができ、性能や用途に応じ
て種々の冷却手段を有する基板とすることができる。
は、上記した放熱フィン等の放熱促進手段や冷却用流路
を任意に選択して用いることができ、性能や用途に応じ
て種々の冷却手段を有する基板とすることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板内部の熱伝導層と、表面実装された半導体素子等及
び外部雰囲気との熱的な接続を良好にすることが可能
で、基板による実効的な放熱面積を拡大することによ
り、表面実装された半導体素子等の十分な冷却を実現で
きる基板を提供することができる。
基板内部の熱伝導層と、表面実装された半導体素子等及
び外部雰囲気との熱的な接続を良好にすることが可能
で、基板による実効的な放熱面積を拡大することによ
り、表面実装された半導体素子等の十分な冷却を実現で
きる基板を提供することができる。
【図１】本発明に係る基板の一実施例を示す部分断面
図。
図。
【図２】サーマルビアの部分を拡大して示した部分断面
図
図
【図３】本発明に係る基板の他の実施例を示す部分断面
図。
図。
【図４】従来の基板を示す部分断面図。
１ 半導体素子 ２ 基板 ３ リード ４，６ａ，６ｂ パッド ５ 結合材 ７ 熱伝導層 ８ サーマルビア ９ 放熱フィン １０ 冷却用流路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 秀夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝 総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭50−155973（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−99051（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−2789（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 23/34 H05K 1/02 H05K 7/20
Claims (2)
- 【請求項１】 内部に良熱伝導材で形成された熱伝導層
を有する基板において、この基板の表面に露出したパッ
ドと、このパッドと前記熱伝導層とを接続するサーマル
ビアとを備え、前記サーマルビアの前記基板の厚み方向
の両端部のうち少なくとも一方の端部が他の部分よりも
太く形成されていることを特徴とする基板。 - 【請求項２】 内部に良熱伝導材で形成された熱伝導層
を有する基板において、この基板の表面に露出したパッ
ドと、このパッドと前記熱伝導層とを接続するサーマル
ビアとを備え、前記熱伝導層の表面あるいは内部に流体
を流すための流路が設けられていることを特徴とする基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22978592A JP3193142B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 基 板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22978592A JP3193142B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 基 板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677347A JPH0677347A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3193142B2 true JP3193142B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=16897640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22978592A Expired - Fee Related JP3193142B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 基 板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3193142B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1098287A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Toshiba Corp | 回路基板モジュールの冷却装置およびこの冷却装置を有する携帯形電子機器 |
| JP4480818B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2010-06-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| JP3998984B2 (ja) | 2002-01-18 | 2007-10-31 | 富士通株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
| WO2004068923A1 (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Cmk Corporation | メタルコア多層プリント配線板 |
| JP4710460B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-06-29 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板、その製造方法、およびパワー半導体モジュール |
| JP6202788B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2017-09-27 | キヤノン株式会社 | 電子機器 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP22978592A patent/JP3193142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677347A (ja) | 1994-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06252285A (ja) | 回路基板 | |
| JPH0846070A (ja) | ダイヤモンド放熱子を備えた集積回路パッケージ | |
| JP2008060172A (ja) | 半導体装置 | |
| US20010035577A1 (en) | Heat dissipating microelectronic package | |
| JPH06291225A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008028163A (ja) | パワーモジュール装置 | |
| JP2004022914A (ja) | 絶縁回路基板とその冷却構造及ぴパワー半導体装置とその冷却構造 | |
| JP2001217363A (ja) | 半導体装置とそのヒートシンク | |
| JP3193142B2 (ja) | 基 板 | |
| JP2002289750A (ja) | マルチチップモジュールおよびその放熱構造 | |
| JP2000156439A (ja) | パワー半導体モジュール | |
| JP2003060140A (ja) | ヒートシンクおよび放熱装置 | |
| JP2000228491A (ja) | 半導体モジュール及び電力変換装置 | |
| JPH0263146A (ja) | プリント板に装着する発熱部品の放熱構造 | |
| JPH0613487A (ja) | マルチチップモジュール | |
| JPS6066842A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3894749B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN215991320U (zh) | 线路板 | |
| JP2521624Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10125831A (ja) | ヒートシンク放熱フィン | |
| JPH05114665A (ja) | 放熱性基板 | |
| JP2919313B2 (ja) | プリント配線基板及びその実装方法 | |
| JPS6315430A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10135405A (ja) | 配線基板モジュール | |
| JP3321008B2 (ja) | 電力半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090525 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090525 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |