JP3189631B2 - ミキサ - Google Patents

ミキサ

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JP3189631B2 JP18729295A JP18729295A JP3189631B2 JP 3189631 B2 JP3189631 B2 JP 3189631B2 JP 18729295 A JP18729295 A JP 18729295A JP 18729295 A JP18729295 A JP 18729295A JP 3189631 B2 JP3189631 B2 JP 3189631B2
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    • H03D9/0658Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of semiconductor devices having more than two electrodes

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、直交変調器等の各
種変調器、復調器、検波器、乗算器、周波数変換器等に
用いられるミキサに関し、より特定的には、キャリア信
号と、データ信号とを混合するミキサに関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来のミキサを含む変調器の構
成を示す図である。図3において、変調器は、信号入力
端子I100 ,I200 と、信号出力端子O100 と、バイア
ス電源VG と、ミキサ100等とを備えている。
【0003】ミキサ100は、FETQ100 と、コンデ
ンサC100 と、コイルL100 とを含む。FETQ100 の
ソースSは、接地される。コンデンサC100 は、FET
Q100 のドレインDと信号出力端子O100 との間に設け
られ、混合信号So の周波数ではローインピーダンス
を、かつデータ信号Ss の周波数fs ではハイインピー
ダンスを示す容量値(例えば、10pF)を有する。コ
イルL100 は、FETQ100 のドレインDと信号入力端
子I100 との間に設けられ、混合信号So の周波数では
ハイインピーダンスを、かつデータ信号Ss ではローイ
ンピーダンスを示すインダクタンス値(例えば、10n
H)を有する。
【0004】信号入力端子I100 には、データ信号Ss
(例えば、周波数fs =50kHzの正弦波)が入力さ
れる。また、信号入力端子I100 には、直流電圧Vccが
供給されている。これにより、ミキサ100のFETQ
100 のソースSには、コイルL100 を介し、直流電圧V
ccが供給されるとともに、データ信号Ss が入力され
る。
【0005】一方、信号入力端子I200 には、キャリア
信号Sc (例えば、周波数fc =1.5GHzの正弦
波)が入力される。このキャリア信号Sc は、コンデン
サC600 を介して、FETQ100 のゲートGに入力され
る。また、FETQ100 のゲートGは、バイアス抵抗R
g1を介して、バイアス電源VG により負にバイアスされ
ている。
【0006】次いで、動作を説明する。直流電圧Vccが
給電されると、FETQ100 のドレインD−ソースS間
に直流電流が流れる。データ信号Ss は、信号入力端子
I100 からミキサ100のコイルL100 を介して、FE
TQ100 のドレインDに与えられる。一方、キャリア信
号Sc は、信号入力端子I200 から直流遮断用のコンデ
ンサC600 を介してFETQ100 のゲートGに与えられ
ている。このため、FETQ100 は、キャリア信号Sc
と、データ信号Ss とを混合することにより、そのドレ
インDから周波数(fc ±fs )の側波帯成分を含む混
合信号So を出力する。
【0007】コンデンサC100 は、データ信号Ss の通
過を阻止し、混合信号So を通過させる。したがって、
キャリア信号Sc をデータ信号Ss でAM変調した混合
信号So だけが、信号出力端子O100 から出力される。
【0008】図4は、従来の他のミキサを含む変調器の
構成を示す図であり、図3の変調器と対応する部分に同
一の番号を付し、説明を省略する。
【0009】ところで、図3のミキサ100では、FE
TQ100 のゲートGをバイアスするため、正の電源のほ
かに負のバイアス電源VG を別途用意する必要があっ
た。このため、図4のミキサ200では、FETQ100
をセルフバイアスで使用することで、図3のミキサ10
0の欠点を解決するようにしている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、携帯
電話の普及等により、低電圧動作、正の単電源で動作可
能な、低消費電力で小型のミキサの出現が望まれてい
る。
【0011】しかしながら、図3および図4のミキサで
は、FETQ100 のドレインD−ソースS間に直流電流
が流れるため、低消費電力に対応できないという第1の
問題点があった。
【0012】また、FETQ100 に直流電流が流れるの
に起因して、そのドレインD−ソースS間に一定以上の
電圧(例えば、2V以上)を必要とし、さらにバイアス
抵抗Rg2での電圧降下が生じるため、低電圧動作に対応
できないという第2の問題点があった。
【0013】それゆえに、本発明は、低電圧動作、正の
単一電源で動作が可能で、電力を消費しないミキサを提
供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
キャリア信号と、データ信号とを混合するミキサであっ
て、そのドレインに所定の電圧と、当該所定の電圧に重
畳されたデータ信号とが入力され、かつそのゲートにキ
ャリア信号が入力されることにより、当該データ信号
と、キャリア信号とを混合した混合信号を生成するFE
T、およびFETのソースをそれぞれ直流的に接地から
浮かしてそのFETに直流電流が流れないようにし、交
流的に接地する第1の少なくとも1個の容量素子を備え
る。
【0015】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
発明において、FETのドレインに接続され、混合信号
の周波数ではローインピーダンスを、かつデータ信号の
周波数ではハイインピーダンスを示す第2の容量素子を
さらに備える。
【0016】請求項3に係る発明は、請求項1または2
に記載の発明において、その一方がFETのドレインに
それぞれ接続され、混合信号の周波数ではハイインピー
ダンス、かつデータ信号の周波数ではローインピーダン
スを示すインダクタ素子をさらに備える。
【0017】請求項4に係る発明は、キャリア信号と、
データ信号とを混合するミキサであって、そのソースに
所定の電圧と、当該所定の電圧に重畳されたデータ信号
とが入力され、かつそのゲートにキャリア信号が入力さ
れることにより、当該データ信号と、キャリア信号とを
混合した混合信号を生成するFET、およびFETのド
レインをそれぞれ直流的に接地から浮かしてそのFET
に直流電流が流れないようにし、交流的に接地する第1
の少なくとも1個の容量素子を備える。
【0018】請求項5に係る発明は請求項4の発明にお
いて、FETのソースに接続され、混合信号の周波数で
はローインピーダンスを、かつデータ信号の周波数では
ハイインピーダンスを示す第2の容量素子をさらに備え
る。
【0019】請求項6に係る発明は、請求項4または5
の発明において、その一方がFETのソースに接続さ
れ、混合信号の周波数ではハイインピーダンス、かつデ
ータ信号の周波数ではローインピーダンスを示すインダ
クタ素子をさらに備える。
【0020】
【作用】請求項1または4に係る発明においては、FE
Tのそれぞれのドレイン(またはソース)に所定の電圧
を入力し、第1の容量素子により、FETのソース(ま
たはドレイン)をそれぞれ直流的に接地から浮かし、交
流的に接地するようにしている。これにより、所定の電
圧がゲートに対してドレイン・ソースを正に確保できる
低電圧でよく、しかもFETに直流電流が流れることが
ない。このため、FETの消費電力が「0」になり、低
電圧動作が可能になる。
【0021】請求項2または5に係る発明においては、
第2の容量素子は、混合信号の周波数ではローインピー
ダンスを、かつ各データ信号の周波数ではハイインピー
ダンスを示すようにしている。これにより、第2の容量
素子の容量値は、混合信号の周波数が準マイクロ波帯以
上であれば小さくてよい。このため、IC化が容易にな
る。
【0022】請求項3または6に係る発明においては、
インダクタ素子は、混合信号(fc±fm )の周波数で
はハイインピーダンス、かつデータ信号の周波数ではロ
ーインピーダンスを示すようにしている。これにより、
インダクタ素子のインダクタンス値は、混合信号の周波
数が準マイクロ波帯以上であれば小さくてよい。このた
め、IC化が容易になり、混合信号がインダクタンス素
子の他方側に流出するのを防止できる。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態の一例を説明する。図1は、本発明の一実施例
のミキサを含む変調器の構成を示す回路図である。図1
において、変調器は、信号入力端子I1 ,I2 と、信号
出力端子O1 と、バイアス電源Vgと、ミキサ1等とを
備える。
【0024】ミキサ1は、FETQ1 と、3つのコンデ
ンサC1 ,C2 ,C3 と、コイルL1 とを含む。コンデ
ンサC2 ,C3 は、FETQ1 のソースSと接地との間
に設けられており、協同してFETQ1 のソースSを直
流的に浮かし、交流的に接地する容量値(例えば、10
pF)を有する。コンデンサC1 は、FETQ1 のドレ
インDと信号出力端子O1 との間に設けられ、混合信号
So の周波数ではローインピーダンスを、かつデータ信
号Ss の周波数fs ではハイインピーダンスを示す容量
値(例えば、10pF)を有する。コイルL1 は、FE
TQ1 のドレインDと信号入力端子I1 との間に設けら
れ、混合信号So の周波数ではハイインピーダンスを、
かつデータ信号Ss ではローインピーダンスを示すイン
ダクタンス値(例えば、10nH)を有する。なお、ミ
キサ1は、コンデンサC2 ,C3を除き、1つの基板上
でIC化されている。
【0025】信号入力端子I1 には、データ信号Ss
(例えば、周波数fs =50kHzの正弦波)が入力さ
れる。また、信号入力端子I1 には、直流電圧Vccが供
給されている。これにより、ミキサ1のFETQ1 のソ
ースSには、コイルL1 を介し、直流電圧Vccが供給さ
れるとともに、データ信号Ss が入力される。
【0026】一方、信号入力端子I2 には、キャリア信
号Sc (例えば、周波数fc =1.5GHzの正弦波)
が入力される。このキャリア信号Sc は、コンデンサC
6 を介して、FETQ1 のゲートGに入力される。ま
た、FETQ1 のゲートGは、バイアス抵抗Rg を介し
て、バイアス電源VG により正にバイアスされている。
ここで、ミキサ1のFETQ1 を動作させるためには、
そのゲートGに対してそのドレインD・ソースSを正に
確保できる低電圧の直流電圧Vcc(例えば、1.5V以
下)を給電できればよい。したがって、直流電圧源Vcc
は、ミキサ1を動作させるために、1.5Vを給電でき
れば十分である。
【0027】次いで、動作を説明する。直流電圧Vccが
給電されると、ミキサ1においては、コンデンサC2 ,
C3 によりFETQ1 のソースSが直流的にオープンに
されているため、FETQ1 のドレインDとソースSと
がそれぞれ同電位になる。また、コンデンサC2 ,C3
により、直流的にオープンにされているため、FETQ
1 に直流電流が流れることがない。したがって、FET
Q1 の消費電力が「0」になる。また、電流が流れない
ため、ドレイン・ソース間に一定の電圧を必要とせず、
電圧降下が起こらないので、低電圧動作が可能になる。
【0028】データ信号Ss は、信号入力端子I1 から
ミキサ1のコイルL1 を介して、FETQ1 のドレイン
Dに与えられる。一方、キャリア信号Sc は、信号入力
端子I2 から直流遮断用のコンデンサC6 を介してFE
TQ1 のゲートGに与えられている。このため、FET
Q1 は、キャリア信号Sc と、データ信号Ss とを混合
することにより、そのドレインDから周波数(fc ±f
s )の側波帯成分を含む混合信号So を出力する。
【0029】コンデンサC1 は、データ信号Ss の通過
を阻止し、混合信号So を通過させる。したがって、キ
ャリア信号Sc をデータ信号Ss でAM変調した混合信
号So だけが、信号出力端子O1 から出力される。な
お、混合信号So は、n・fc±m・fs (n,mは正
の整数)を含んでいるため、フィルタを用いてこれらの
周波数成分の中から希望する周波数の信号(通常は、
(fc +fs )または(fc −fs )の成分)を選択し
て使用する。
【0030】なお、コンデンサC1 は、混合信号So の
周波数ではローインピーダンスを、かつデータ信号Ss
の周波数fs ではハイインピーダンスを示す容量値を有
している。したがって、データ信号Ss は、コンデンサ
C1 に流れることはなく、確実にFETQ1 のドレイン
Dに入力される。また、コイルL1 は、混合信号Soの
周波数ではハイインピーダンスを、かつデータ信号Ss
の周波数fs ではローインピーダンスを示すインダクタ
ンス値を有している。したがって、混合信号So 等がコ
イルL1 に流れることはない。また、コンデンサC1 の
容量値およびコイルL1 のインダクタンス値は混合信号
の周波数が準マイクロ波帯以上であれば小さくてよいた
め、IC化が容易である。
【0031】また、FETQ1 のゲートGにローカル信
号を入力し、FETQ1 のドレインDにコンデンサC1
を介してRF信号を入力し、ドレインDからコイルL1
を介してRF周波数とキャリア周波数の差の成分である
IF信号を得ることもできる。C1 はRF信号に対して
ローインピーダンス、IF信号に対してハイインピーダ
ンス、L1 はRF信号に対してハイインピーダンス、I
F信号に対してローインピーダンスである。IF信号周
波数は、ローカル信号周波数、RF信号周波数に比べて
低い。このように、ダウンコンバータのような使い方も
できる。
【0032】なお、上述の実施例では、AM変調器とし
て実施したが、その他の各種変調器、復調器、検波器、
乗算器、周波数変換器、イメージリジェクトミキサ等と
して実施してもよい。
【0033】また、FETQ1 のソースS−接地間に2
つのコンデンサC2 ,C3 を設けるようにしたが1つの
コンデンサで実施してもよい。
【0034】さらに、FETQ1 のドレインとソースと
の接続関係を図2に示すように変更することもできる。
【0035】
【発明の効果】請求項1または4に係る発明によれば、
所定の電圧がゲートに対してドレイン・ソースを正に確
保できる低電圧でよく、しかもFETに直流電流が流れ
ることがないので、FETの消費電力が「0」になり、
低電圧動作が可能になる。
【0036】請求項2または5に係る発明によれば、第
2の容量素子の容量値が小さくてよいので、IC化が容
易になる。
【0037】請求項3または6に係る発明によれば、イ
ンダクタ素子のインダクタンス値が小さくてよいので、
IC化が容易になり、混合信号がインダクタンス素子の
他方側に流出するのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のミキサを含む変調器の構成
を示す回路図である。
【図2】本発明の他の実施例のミキサを含む変調器の構
成を示す回路図である。
【図3】従来のミキサを含む変調器の構成を示す図であ
る。
【図4】従来の他のミキサを含む変調器の構成を示す図
である。
【符号の説明】
1…ミキサ Q1 …FET C1 ,C2 ,C3 …コンデンサ L1 …コイル Ss …データ信号 Sc …キャリア信号 So …混合信号 D…ドレイン S…ソース G…ゲート

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 キャリア信号と、データ信号とを混合す
    るミキサであって、 そのドレインに所定の電圧と、当該所定の電圧に重畳さ
    れた前記データ信号とが入力され、かつそのゲートに前
    記キャリア信号が入力されることにより、当該前記デー
    タ信号と、前記キャリア信号とを混合した混合信号を生
    成するFET、および前記FETのソースをそれぞれ直
    流的に接地から浮かしてそのFETに直流電流が流れな
    いようにし、交流的に接地する第1の少なくとも1個の
    容量素子を備える、ミキサ。
  2. 【請求項2】 前記FETのドレインに接続され、前記
    混合信号の周波数ではローインピーダンスを、かつ前記
    データ信号の周波数ではハイインピーダンスを示す第2
    の容量素子をさらに備える、請求項1に記載のミキサ。
  3. 【請求項3】 その一方が前記FETのドレインに接続
    され、前記混合信号の周波数ではハイインピーダンス、
    かつ前記データ信号の周波数ではローインピーダンスを
    示すインダクタ素子をさらに備える、請求項1または2
    に記載のミキサ。
  4. 【請求項4】 キャリア信号と、データ信号とを混合す
    るミキサであって、 そのソースに所定の電圧と、当該所定の電圧に重畳され
    た前記データ信号とが入力され、かつそのゲートに前記
    キャリア信号が入力されることにより、当該前記データ
    信号と、前記キャリア信号とを混合した混合信号を生成
    するFET、および前記FETのドレインをそれぞれ直
    流的に接地から浮かしてそのFETに直流電流が流れな
    いようにし、交流的に接地する第1の少なくとも1個の
    容量素子を備える、ミキサ。
  5. 【請求項5】 前記FETのソースに接続され、前記混
    合信号の周波数ではローインピーダンスを、かつ前記デ
    ータ信号の周波数ではハイインピーダンスを示す第2の
    容量素子をさらに備える、請求項4に記載のミキサ。
  6. 【請求項6】 その一方が前記FETのソースに接続さ
    れ、前記混合信号の周波数ではハイインピーダンス、か
    つ前記データ信号の周波数ではローインピーダンスを示
    すインダクタ素子をさらに備える、請求項4または5に
    記載のミキサ。
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