JP3183653B2 - フレキシブル基板 - Google Patents

フレキシブル基板

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフレキシブル基板の
技術分野にかかり、特に、多層のフレキシブル基板の技
術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】フレキシブル基板のうち、両面にパター
ニングされた金属膜が設けられている両面フレキシブル
基板は、配線の自由度が高いことから多用されている。
両面フレキシブル基板の金属膜間の従来技術の接続方法
を説明する。
【０００３】先ず、スルーホール接続法を説明すると、
図７(ａ)を参照し、符号１１０はフレキシブル基板の原
反であり、ポリイミドフィルム１１１の表面及び裏面に
銅箔から成る金属膜１１２、１１３が貼付されている。
【０００４】この原反１１０にドリル等で穴開け加工
し、貫通孔１１８を形成する(図７(ｂ))。次いで、全体
をカーボン処理した後、電解メッキすると、図７(ｃ)に
示すように、貫通孔１１８内及び金属膜１１２、１１３
表面に銅メッキ膜１１５が成長し、二層の金属膜１１
２、１１３が貫通孔１１８の内側の銅メッキ膜１１５に
よって接続される。
【０００５】次に、バイヤホール法を説明すると、図８
(ａ)を参照し、銅箔から成る金属膜１２２上にポリイミ
ドフィルム１２１が貼付された原反１２０を用意し、フ
ォトリソグラフ工程によってポリイミドフィルム１２１
に開口部１２８を形成する(図８(ｂ))。
【０００６】開口部１２８底面には金属膜１２２が露出
しており、その状態で、開口部１２８底面に露出する金
属膜１２２の表面、及びポリイミドフィルム１２１の表
面に、スパッタリング法によって銅薄膜を形成した後、
電解メッキすると、ポリイミドフィルム１２１の表面及
び開口部１２８の内周面と、開口部１２８底面に露出す
る金属膜１２２表面に銅メッキ膜１２３が形成される。
この銅メッキ膜１２３は開口部１２８底面で金属膜１２
２と接続される。
【０００７】しかし、スルーホール接続法では、ドリル
を用いて貫通孔１１８を一個一個形成しているため、貫
通孔１１８を多数形成する場合には長時間を要するとい
う問題がある。また、貫通孔１１８の大きさも０．２ｍ
ｍφ程度が限界であり、微細化の要求を満足させること
ができない。
【０００８】バイヤホール法で金属膜１２３を形成した
場合、銅メッキ膜１２３とポリイミドフィルム１２１と
の間の接着力が小さく、剥離しやすいと言う問題があ
る。また、銅メッキ膜１２３にピンホール等の欠陥部が
生じやすく信頼性に劣ってしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合に鑑みて創作されたものであり、その目的は、
開口部を形成しなくても金属膜同士を接続できる技術を
提供することにある。
【００１０】上記課題を解決するために、請求項１記載
の発明は、溶剤が含まれる第１の樹脂フィルムを、前記
溶剤の沸点よりも低い温度で加熱処理し、バンプが立設
された第２の金属膜の前記バンプを前記第１の樹脂フィ
ルム表面側に押し当て、前記バンプを前記第１の樹脂フ
ィルム中に押し込み、前記バンプ先端を前記第１の樹脂
フィルム裏面側の第１の金属膜に当接させた後、前記第
１又は第２の金属膜の少なくとも一方をパターニング
し、前記第１の樹脂フィルム表面を少なくとも部分的に
露出させた状態で加熱処理し、前記第１の樹脂フィルム
中に残留する溶剤を前記第１の樹脂フィルムの露出部分
から放出させ、前記第１の樹脂フィルムを硬化させるこ
とを特徴とするフレキシブル基板の製造方法である。請
求項２記載の発明は、請求項１記載のフレキシブル基板
の製造方法であって、前記バンプを前記第１の樹脂フィ
ルムに押し当て、前記バンプを前記第１の樹脂フィルム
中に押し込む際、前記第１の樹脂フィルムを加熱し、軟
化させることを特徴とするフレキシブル基板の製造方法
である。請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２
のいずれか１項記載のフレキシブル基板の製造方法であ
って、前記第１の樹脂フィルムを硬化させた後、前記バ
ンプと前記第１の金属膜のいずれか一方に超音波を印加
し、前記バンプを前記第１の金属膜に超音波融着させる
ことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法である。
請求項４記載の発明は、前記第１の樹脂フィルムの硬化
前には、前記第１又は第２の金属膜のいずれか一方だけ
をパターニングしておく請求項３記載のフレキシブル基
板の製造方法であって、パターニングされていない金属
膜を、前記超音波接続後にパターニングすることを特徴
とするフレキシブル基板の製造方法である。請求項５記
載の発明は、第１の金属膜上に第１の樹脂フィルムを形
成し、バンプが立設された第２の金属膜の前記バンプを
前記第１の樹脂フィルム表面側に押し当て、前記バンプ
を前記第１の樹脂フィルム中に押し込み、前記バンプ先
端を前記第１の樹脂フィルム裏面側の前記第１の金属膜
に当接させた後、前記第１又は第２の金属膜のいずれか
一方をパターニングし、前記第１の樹脂フィルム表面を
少なくとも部分的に露出させた状態で加熱処理し、前記
第１の樹脂フィルムを硬化させ、前記バンプと前記第１
の金属膜のいずれか一方に超音波を印加し、前記バンプ
を前記第１の金属膜に超音波融着させ、パターニングさ
れていない金属膜を、前記超音波接続後にパターニング
することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法であ
る。請求項６記載の発明は、フレキシブル基板の製造方
法であって、前記バンプを前記第１の樹脂フィルムに押
し当てる際、前記第１の樹脂フィルムを加熱し、軟化さ
せることを特徴とするフレキシブル基板の製造方法であ
る。請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求項６のい
ずれか１項記載のフレキシブル基板の製造方法であっ
て、パターニングされた前記第１又は第２の金属膜の表
面に第２の樹脂フィルムを形成した後、第３の金属膜上
に立設されたバンプを前記第２の樹脂フィルムに押し当
てて内部に押し込み、前記パターニングされた前記第１
又は前記第２の金属膜に当接させた後、前記第３の金属
膜をパターニングし、次いで、前記第２の樹脂フィルム
を硬化させることを特徴とするフレキシブル基板の製造
方法である。請求項８記載の発明は、請求項７記載のフ
レキシブル基板の製造方法であって、前記第２の樹脂フ
ィルムの硬化後、前記第３の金属膜上に形成されたバン
プに超音波を印加し、前記バンプを前記第１又は第２の
金属膜に超音波融着させることを特徴とするフレキシブ
ル基板の製造方法である。請求項９記載の発明は、パタ
ーニングされた複数の金属膜が樹脂フィルムを間に挟ん
で積層され、各層の金属膜のうち、隣接する２層の金属
膜間がバンプによって電気的に接続されたフレキシブル
基板であって、前記樹脂フィルムは、溶剤が含有された
状態で前記溶剤の沸点以下の温度に加熱処理された後、
前記バンプが表面に押し当てられ、前記バンプが前記樹
脂フィルム中に押し込まれ、次いで、加熱処理によって
前記溶剤が放出され、硬化されたことを特徴とするフレ
キシブル基板である。請求項１０記載の発明は、請求項
９記載のフレキシブル基板であって、前記樹脂フィルム
は、少なくとも表面の一部が露出する状態で硬化された
ことを特徴とするフレキシブル基板である。請求項１１
記載の発明は、請求項８又は請求項９のいずれか１項記
載のフレキシブル基板であって、前記バンプが接続され
る前記２層の金属膜のうち、一方の金属膜と前記バンプ
とは超音波融着されていることを特徴とするフレキシブ
ル基板である。
【００１１】本発明は上記のように構成されており、第
１の樹脂フィルムにバンプを押し当て、第１の樹脂中に
バンプを押し込んでおり、従って、第１の樹脂フィルム
に開口部を形成しなくても、バンプを第１の樹脂フィル
ムの下層に位置する金属膜に当接させることができる。
バンプを第１の樹脂フィルム中に押し込むときには第１
の樹脂フィルムを加熱し、軟化させるとよい。また、バ
ンプに超音波を印加し、バンプが当接された部分の樹脂
フィルムを掘削するようにしてもよい。
【００１２】第１の樹脂フィルムを加熱しながらバンプ
を埋め込んだ場合、第１、第２の金属膜は、第１の樹脂
フィルム上に接着されている。その状態で第１、第２の
金属膜のうち、すくなくとも一方の金属膜をパターニン
グして開口部を形成し、第１の樹脂フィルムの表面を部
分的に露出させた状態で加熱処理すると、溶剤や水分は
露出部分から放出され、第１の樹脂フィルムは硬化し、
両面配線のフレキシブル基板が得られる。硬化時の熱収
縮により、バンプが第１の金属膜に押しつけられ、第
１、第２の金属膜がバンプによって電気的に接続され
る。
【００１３】第１の樹脂フィルムの硬化後、第１の金属
膜と第２の金属膜の間に超音波を印加すると、第１の金
属膜とバンプとの間が超音波融着される。超音波は、第
１、第２の金属膜のいずれに加えてもよい。
【００１４】なお、金属膜間の接続に用いるバンプの高
さは、埋め込まれる対象である第１の樹脂フィルムの厚
みよりも大きくしておくとよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のフレキシブル基板の一例
をその製造工程と共に説明する。図１(ａ)を参照し、符
号１１は厚み１０μｍ〜２０μｍ程度の圧延銅箔から成
る第１の金属膜であり、この第１の金属膜１１の裏面と
表面に、それぞれキャリアフィルム３２と感光性フィル
ム３３を貼付する(図１(ｂ))。
【００１６】次に、写真工程により、感光性フィルム３
３をパターニングし、開口部３４を形成する(図１
(ｃ))。この開口部３４の底面には第１の金属膜１１が
露出している。
【００１７】その状態で全体をメッキ液に浸漬し、電解
メッキ法を行うと、開口部３４底面に露出する第１の金
属膜１１上に銅が析出する。銅の析出により、開口部３
４内は銅で充填される。図１(ｄ)の符号２１は、開口部
３４内に析出した銅によって形成されたバンプを示して
いる。
【００１８】次に、キャリアフィルム３２と感光性フィ
ルム３３を除去すると、第１の金属膜１１の表面と裏面
が露出する。この第１の金属膜１１の表面にはバンプ２
１が直立している(図１(ｅ))。
【００１９】第１の金属膜１１とは別に、９μｍ〜３５
μｍの圧延銅箔から成る第２の金属膜１２を用意し(図
２(ｆ))、その表面にポリイミド前駆体溶液を塗布し、
熱処理してポリイミドフィルムから成る第１の樹脂フィ
ルム１６を形成する(図２(ｇ))。
【００２０】熱処理温度はポリイミド前駆体溶液の溶剤
の沸点よりも低い温度である。ここで用いたポリイミド
前駆体溶液はＮ−メチルピロリドンを溶剤としており、
その沸点２０２℃よりも低い温度(１５０℃〜２００℃)
で熱処理した。この状態の第１の樹脂フィルム１６はわ
ずかしかイミド化されていない。
【００２１】次に、図２(ｈ)に示すように、上記の処理
を行った第１の金属膜１１上のバンプ２１と、第２の金
属膜１２上の第１の樹脂フィルム１６とを対向させ、熱
プレスで圧着すると、バンプ２１が第１の樹脂フィルム
１６中に押し込まれる。
【００２２】図２(ｉ)は、バンプ２１が樹脂フィルム１
６中に押し込まれ、第１の樹脂フィルム１６の下層に位
置する第１の金属膜１１に当接された状態を示してい
る。
【００２３】熱プレスで圧着されることにより、第１の
樹脂フィルム１６に接着性が発現し、第１の金属膜１１
は第１の樹脂フィルム１６に接着される。ここでの熱プ
レス条件は、５０ｋｇ／ｃｍ2、１５０℃であり熱圧着
時間は１０分程度である。
【００２４】次に、第２の金属膜１２表面にパターニン
グしたレジスト膜を形成し、エッチングすると、第２の
金属膜１２がパターニングされる。エッチングを行った
後、レジスト膜を除去するとパターニングされた第２の
金属膜１２を有するフレキシブル基板３が得られる(図
３(ｊ))。図３(ｊ)の符号３５は、パターニングされた
第２の金属膜１２によって構成される配線の分離部分で
あり、金属膜１２に形成された開口部である。開口部３
５の底面には、第１の樹脂フィルム１６が露出してい
る。他方、第１の樹脂フィルム１６裏面の第１の金属膜
１１側では第１の樹脂フィルム１６は露出していない。
【００２５】このフレキシブル基板３を１６０℃〜３５
０℃に加熱すると、第１の樹脂フィルム１６に含まれて
いた溶剤や水分は、パターニングされた金属膜１２の開
口部３５から大気中に放出され、ガス抜きが行われ、第
１の樹脂フィルム１６がイミド化される。
【００２６】このイミド化により、第１の樹脂フィルム
１６は硬化し、第１、第２の金属膜１１、１２は第１の
樹脂フィルム１６に固定される。このとき、第１の樹脂
フィルム１６は熱収縮し、バンプ２１は金属膜１２に押
しつけられ、第１、第２の金属膜１１、１２間は、バン
プ２１によって電気的に接続される。
【００２７】次に、その電気的接続の信頼性を高めるた
め、バンプ２１と第２の金属膜１２とを超音波接続す
る。
【００２８】図６の符号５０は、その超音波接続に用い
る超音波接続装置を示している。この超音波接続装置５
０は、平板状の台座５６と、台座５６上に立設された２
本のガイド棒５７1、５７2と、ガイド棒５７1、５７2に
上下移動可能に取り付けられた発振部５１と、発振部５
１先端に取り付けられたホーン５２とを有している。
【００２９】台座５６上にはワーク５８が配置されてお
り、そのワーク５８上部に、上記イミド化が行われたフ
レキシブル基板３を配置する。
【００３０】ホーン５２の先端部分５４は平坦に加工さ
れており、先端部分５４をワーク５８の表面と平行に
し、超音波接続装置５０に設けられたエアシリンダー５
３を動作させ、発振部５１及びホーン５２をガイド棒５
７1、５７2に沿って垂直に降下させると、ホーン５２の
先端部分５４はフレキシブル基板３に密着する。
【００３１】図３(ｋ)はその状態を示しており、エアシ
リンダー５３により、ホーン５２の先端部分５４をフレ
キシブル基板３に押しつけると、第１の樹脂フィルム１
６は、第１、第２の金属膜１１、１２やバンプ２１に比
べて柔らかいので、バンプ２１の先端部分が第２の金属
膜１２に強く押し付けられる。
【００３２】その状態で発振部５１を動作させ、ホーン
５２に超音波を印加すると、ホーン５２内で超音波は共
鳴し、ホーン５２の先端部分５４が超音波振動する。そ
の超音波振動により、第２の金属膜１２とバンプ２１と
の間が摺動し、バンプ２１の先端部分が金属膜１２に超
音波融着される。この場合、予めバンプ２１に半田メッ
キを施しておくと一層超音波融着され易い。
【００３３】超音波接続装置５０からフレキシブル基板
３を取り出し、第１の金属膜１１表面にパターニングし
たレジスト膜を形成し、第１の金属膜１１のエッチング
を行う。エッチング後、レジスト膜は除去する。図３
(ｌ)の符号３６は、パターニングされた第１の金属膜１
１に形成された開口部分を示している。
【００３４】パターニングされた第１の金属膜１１を有
するフレキシブル基板４は、第１の樹脂フィルム１６の
表面及び裏面に第１、第２の金属膜１１、１２が形成さ
れており、第１、第２の金属膜１１、１２の開口部３
６、３５底面には、第１の樹脂フィルム１６が露出して
いる。
【００３５】このフレキシブル基板４の各金属膜１２、
１７の表面にカバーコート液を塗布し、フィルム化し、
カバーレイ２５、２６を形成すると、両面フレキシブル
基板５が得られる。カバーレイ２５、２６の所定領域に
図示しない開口を形成し、金属膜１１、１２を露出させ
ておくと、その露出した部分に他の電子部品を接続でき
る。
【００３６】カバーレイ２５、２６を形成した場合、両
面フレキシブル基板５が得られるが、第１、第２の金属
膜１１、１２が露出したフレキシブル基板４を用いて多
層構造のフレキシブル基板を製造することもできる。
【００３７】図４(ａ)は、第１の樹脂フィルム１６の表
面と裏面に第１、第２の金属膜１１、１２が露出した状
態のフレキシブル基板４である(このフレキシブル基板
４は、図３(ｌ)で示したフレキシブル基板４である)。
このフレキシブル基板４の表面にポリイミド前駆体溶液
を塗布し、熱処理し、図４(ｂ)の符号１８で示すポリイ
ミド膜から成る第２の樹脂フィルム１８を形成する。こ
の第２の樹脂フィルム１８は未だイミド化されていな
い。
【００３８】バンプ２２が立設された第３の金属膜１３
を用意し、バンプ２２を第２の樹脂フィルム１８に向け
て配置し(図４(ｃ))、バンプ２２を第２の樹脂フィルム
１８に当接させ、加熱しながら押圧すると、バンプ２２
が第２の樹脂フィルム１８に押し込まれ、バンプ２２の
先端が、パターニングされた第２の金属膜１２に当接す
る。このとき、第３の金属膜１３は、第２の樹脂フィル
ム１８に接着される。
【００３９】次に、パターニングしたレジスト膜を第３
の金属膜１３表面に形成し、エッチングによって第３の
金属膜１３をパターニングする。
【００４０】図４(ｅ)の符号３７はパターニングした第
３の金属膜１３の開口部を示している。この開口部３７
の底面には、第２の樹脂フィルム１８表面が露出してお
り、その状態で、上記と同じ条件で熱処理すると、開口
部３７から溶剤や水分が放出され、第２の樹脂フィルム
１８がイミド化される。
【００４１】このイミド化により、第３の金属膜１３が
第２の樹脂フィルム１８に固定されると共に、第２の樹
脂フィルム１８が熱収縮し、バンプ２２が第２の金属膜
１２に押圧され、第２、第３の金属膜１２、１３間がバ
ンプ２２によって電気的に接続される。このように、第
１〜第３の金属膜１１、１２、１３は、バンプ２１、２
２によって電気的に接続される。
【００４２】次に、この状態のフレキシブル基板６を、
図６の超音波接続装置５０のワーク５８上に配置し、ホ
ーン５２の先端部分５４を当接させ、超音波を加える
と、バンプ２２は超音波振動し、当接している第２の金
属膜１２に超音波融着される。超音波融着後、超音波接
続装置５０から取り出すと、図５(ｇ)の符号７で示す多
層構造のフレキシブル基板が得られる。
【００４３】なお、このフレキシブル基板７上にポリイ
ミド前駆体を塗布して樹脂フィルムを形成し、更にバン
プが立設された金属膜を樹脂フィルム上に積層させ、イ
ミド化してもよい。その場合、図４(ｂ)〜(ｅ)及び図５
(ｆ)の工程を繰り返し行うことになる。
【００４４】また、このフレキシブル基板７の表面及び
裏面にカバーレイ溶液を塗布し、硬化させて第１、第３
の金属膜１１、１３上にカバーレイ２７、２８を形成し
てもよい。
【００４５】以上説明したように、本発明によれば、ポ
リイミドフィルムに予め開口部を設けなくても、金属配
線膜同士をバンプで接続できるので、工程を簡略化する
ことができる。
【００４６】また、超音波接続装置を用い、バンプと金
属配線膜間を強く電気的に接続できるので、信頼性が向
上する。
【００４７】なお、多層のフレキシブル基板８を形成す
る際、上記製造工程では２回に分けて超音波接続を行っ
たが、超音波を一回印加することで、第１〜第３の金属
膜１１、１２、１３を、バンプ２１、２２を介して接続
させてもよい。バンプ表面には半田被膜や金被膜を形成
しておき、超音波接続を行いやすくすることもできる。
【００４８】また、上記実施例では第１、第２の樹脂フ
ィルム１６、１８にポリイミドフィルムを用いたが、変
性エポキシ樹脂等の他の樹脂のフィルムを用いてもよ
い。その場合でも硬化前の樹脂フィルムにバンプを押し
込んだ後、樹脂フィルムの表面又は裏面に配置されてい
る金属膜の少なくとも一方をパターニングし、部分的に
樹脂フィルムを露出させた状態で熱処理し、樹脂フィル
ムを硬化させるとよい。
【００４９】要するに、本発明は、硬化前の樹脂フィル
ムにバンプを押し込み、樹脂フィルムの表面と裏面に配
置された金属膜同士をバンプで接続させた後、樹脂フィ
ルムを部分的に露出させた状態で硬化させるフレキシブ
ル基板製造方法を広く含むものである。
【００５０】なお、上記の金属膜は銅で構成されていた
が、他の金属を用いることもできる。また、金属膜上に
金などのメッキ被膜を形成しておいてもよい。
【００５１】以上は第１の金属膜１１をパターニングす
る前に樹脂フィルム１６を硬化させたが、第１、第２の
金属膜１１、１２をパターニングした後、樹脂フィルム
１６を硬化させてもよい。
【００５２】逆に、第１の金属膜１１をパターニングし
た後、その表面の樹脂フィルム１６中に、第２の金属膜
１２上に立設するバンプ２１を押し込み、その状態で樹
脂フィルム１６を硬化させてもよい。要するに、バンプ
が当接される金属膜は、金属箔状であってもパターニン
グされた配線膜の状態であってもよい。
【００５３】
【発明の効果】開口部を形成せずに、樹脂フィルムの下
層に配置された金属膜にバンプを当接させられるので、
工程が簡略化する。また、バンプとバンプが当接されて
いる金属膜との間に超音波を印加し、超音波融着させて
いるので、電気的信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】(ａ)〜(ｅ)：本発明のフレキシブル基板製造方
法の工程を説明するための図(前半)
【図２】(ｆ)〜(ｉ)：本発明のフレキシブル基板製造方
法の工程を説明するための図(中半)
【図３】(ｊ)〜(ｍ)：本発明のフレキシブル基板製造方
法の工程を説明するための図(後半)
【図４】(ａ)〜(ｅ)：多層構造の本発明のフレキシブル
基板の製造方法を説明するための図(前半)
【図５】(ｆ)〜(ｈ)：多層構造の本発明のフレキシブル
基板の製造方法を説明するための図(後半)
【図６】本発明の製造に用いる超音波融着装置の例
【図７】(ａ)〜(ｃ)：従来技術のスルーホール法の工程
を説明するための図
【図８】(ａ)〜(ｃ)：従来技術のバイヤホール法の工程
を説明するための図
【符号の説明】
１１……第１の金属膜 １２……第２の金属膜 １３……第３の金属膜 １６……第１の樹脂フィルム １８……第２の樹脂フィルム ２１、２２……バンプ ３〜７……フレキシブル基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/46

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】溶剤が含まれる第１の樹脂フィルムを、前
    記溶剤の沸点よりも低い温度で加熱処理し、バンプが立
    設された第２の金属膜の前記バンプを前記第１の樹脂フ
    ィルム表面側に押し当て、前記バンプを前記第１の樹脂
    フィルム中に押し込み、前記バンプ先端を前記第１の樹
    脂フィルム裏面側の第１の金属膜に当接させた後、 前記第１又は第２の金属膜の少なくとも一方をパターニ
    ングし、前記第１の樹脂フィルム表面を少なくとも部分
    的に露出させた状態で加熱処理し、前記第１の樹脂フィ
    ルム中に残留する溶剤を前記第１の樹脂フィルムの露出
    部分から放出させ、前記第１の樹脂フィルムを硬化させ
    ることを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
  2. 【請求項２】前記バンプを前記第１の樹脂フィルムに押
    し当て、前記バンプを前記第１の樹脂フィルム中に押し
    込む際、前記第１の樹脂フィルムを加熱し、軟化させる
    ことを特徴とする請求項１記載のフレキシブル基板の製
    造方法。
  3. 【請求項３】前記第１の樹脂フィルムを硬化させた後、
    前記バンプと前記第１の金属膜のいずれか一方に超音波
    を印加し、前記バンプを前記第１の金属膜に超音波融着
    させることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれ
    か１項記載のフレキシブル基板の製造方法。
  4. 【請求項４】前記第１の樹脂フィルムの硬化前には、前
    記第１又は第２の金属膜のいずれか一方だけをパターニ
    ングしておく請求項３記載のフレキシブル基板の製造方
    法であって、 パターニングされていない金属膜を、前記超音波接続後
    にパターニングすることを特徴とするフレキシブル基板
    の製造方法。
  5. 【請求項５】第１の金属膜上に第１の樹脂フィルムを形
    成し、バンプが立設された第２の金属膜の前記バンプを
    前記第１の樹脂フィルム表面側に押し当て、前記バンプ
    を前記第１の樹脂フィルム中に押し込み、前記バンプ先
    端を前記第１の樹脂フィルム裏面側の前記第１の金属膜
    に当接させた後、前記第１又は第２の金属膜のいずれか
    一方をパターニングし、前記第１の樹脂フィルム表面を
    少なくとも部分的に露出させた状態で加熱処理し、前記
    第１の樹脂フィルムを硬化させ、 前記バンプと前記第１の金属膜のいずれか一方に超音波
    を印加し、前記バンプを前記第１の金属膜に超音波融着
    させ、 パターニングされていない金属膜を、前記超音波接続後
    にパターニングすることを特徴とするフレキシブル基板
    の製造方法。
  6. 【請求項６】前記バンプを前記第１の樹脂フィルムに押
    し当てる際、前記第１の樹脂フィルムを加熱し、軟化さ
    せることを特徴とする請求項５記載のフレキシブル基板
    の製造方法。
  7. 【請求項７】パターニングされた前記第１又は第２の金
    属膜の表面に第２の樹脂フィルムを形成した後、第３の
    金属膜上に立設されたバンプを前記第２の樹脂フィルム
    に押し当てて内部に押し込み、前記パターニングされた
    前記第１又は前記第２の金属膜に当接させた後、前記第
    ３の金属膜をパターニングし、次いで、前記第２の樹脂
    フィルムを硬化させることを特徴とする請求項１乃至請
    求項６のいずれか１項記載のフレキシブル基板の製造方
    法。
  8. 【請求項８】前記第２の樹脂フィルムの硬化後、前記第
    ３の金属膜上に形成されたバンプに超音波を印加し、前
    記バンプを前記第１又は第２の金属膜に超音波融着させ
    ることを特徴とする請求項７記載のフレキシブル基板の
    製造方法。
  9. 【請求項９】パターニングされた複数の金属膜が樹脂フ
    ィルムを間に挟んで積層され、各層の金属膜のうち、隣
    接する２層の金属膜間がバンプによって電気的に接続さ
    れたフレキシブル基板であって、 前記樹脂フィルムは、溶剤が含有された状態で前記溶剤
    の沸点以下の温度に加熱処理された後、前記バンプが表
    面に押し当てられ、前記バンプが前記樹脂フィルム中に
    押し込まれ、次いで、加熱処理によって前記溶剤が放出
    され、硬化されたことを特徴とするフレキシブル基板。
  10. 【請求項１０】前記樹脂フィルムは、少なくとも表面の
    一部が露出する状態で硬化されたことを特徴とする請求
    項９記載のフレキシブル基板。
  11. 【請求項１１】前記バンプが接続される前記２層の金属
    膜のうち、一方の金属膜と前記バンプとは超音波融着さ
    れていることを特徴とする請求項９又は請求項１０のい
    ずれか１項記載のフレキシブル基板。
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