JP3175410B2 - 紫外線光源 - Google Patents
紫外線光源Info
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Description
電極発光装置に使用される紫外線光源に関するものであ
る。
ンキ類の硬化、乾燥、特殊塗料の硬化、その他塗面処理
プロセス、および化学物質の光化学反応等に広く利用さ
れている。紫外線発生装置として、従来より水銀等の発
光材料が封入された発光管にマイクロ波を照射して、発
光材料を励起させるマイクロ波無電極発光装置が利用さ
れている(例えば、特開昭50−54172号公報)。
また同様な励起方法による光源として提案されている小
原實氏発明のエキシマ放電ランプ(特開平3−1436
号公報),具体的には熊谷、小原等によって詳細に検証
されているKrFランプ、ArFランプ(雑誌「レーザ
ー研究」vol.18,no.7,p456−473
(1990)に記載)を応用することも検討され始めて
いる。
極発光装置の概略を示す。図9は長手方向に切断した横
断面図であり、図10は図9のI−I線に沿った断面図
である。1は無電極発光管であって、棒状のガラスバル
ブとその内部に封入した水銀等からなる。2はマイクロ
波空胴、3は金属材料で形成されたマイクロ波空胴壁と
して働く反射壁であり、無電極発光管1の放射光を照射
方向(矢印A方向)に集光させるよう内面が楕円又は放
物線の凹面形状となっている。4はマイクロ波空胴2に
マイクロ波を結合するためのスロットで、マイクロ波発
生手段としてのマグネトロン5で発生され導波管6で供
給されたマイクロ波電力を通過させるものである。
成すると共に発生した紫外線を通過させるメッシュであ
る。すなわち、このメッシュ7は紫外線は通過させるが
マイクロ波に対しては短絡板として働く。8は無電極発
光管1の発光により発生する熱を冷却するための送風装
置であり、反射壁3に設けた複数の通風孔9を通してエ
アーを送り、無電極発光管1および反射壁3を冷却す
る。
て、マイクロ波電力をマイクロ波空胴2にスロット4を
介して結合させると、そのマイクロ波電力が無電極発光
管1に封入した水銀等の蒸気を励起し、そこで放電が開
始して紫外線が発生する。
れるが、無電極発光管1を楕円の凹面形状の反射壁3の
焦点に予め位置させておけば、反射壁3の方向に放射し
た紫外線はそこで反射されて、メッシュ7の方向に集光
される。当然ながら、メッシュ7方向に放射した紫外線
はそのまま進行する。この結果、メッシュ7の前方に被
処理物を配置しておけば、乾燥、硬化等の処理が即座に
行われる。特にメッシュ7の前面において被処理物をベ
ルトコンベア等で順次移動させれば、連続的に大量の処
理が可能となる。
電極発光管1からは、紫外線のみならず他の可視光線や
赤外線も発生する。このため被処理物が樹脂等のように
耐熱性の低いものにコートされている場合には、無電極
発光管1から放射される光の内の長波長側の可視光線や
赤外線が、反射壁3で反射して被処理物を照射するの
で、その被処理物に変形等の損傷を与えてしまう。そこ
で、紫外線は反射するが赤外線や長波長側の可視光線は
透過させる誘電体ミラー(コールドミラー)を反射壁3
に採用する必要があった。しかし一般的に誘電体ミラー
は通常の表面が鏡面状のアルミニウム板を使用したアル
ミニウムミラーと比較すると製造コストが高くなるとい
う問題があった。
用する場合においても、紫外線のみならず他の可視光線
が発光するので同様な問題を有するが、それに加え以下
のような問題を有する。発光材料ガスにフッ素ガスを含
むKrFランプ、ArFランプ等のランプは、発光材料
ガスを封入する例えば合成石英製のバルブとフッ素が反
応し、バルブ内壁に反応生成物を生成する。この反応生
成物は紫外線フィルターとして機能し、紫外線の取り出
し効率を減少させる。さらには発光材料ガスをマイクロ
波励起手段により励起する際に、励起手段から入力され
るエネルギーが発光材料ガスの励起反応にほとんど使用
されず、石英とフッ素の反応に主として使用されると推
定され、所望の紫外線の発光効率が減少するといった問
題を有する。紫外線を透過し、フッ素との反応性に乏し
いバルブ材料としてはサファイヤが挙げられるが、サフ
ァイヤは高価であり、また加工性に乏しいという欠点を
持つ。フッ素以外のガスを使用する発光材料ガスの組合
せについては一部、前記先行文献に開示されている。通
常、各ガスの組合せ毎に反応過程が異なるため、最適発
光動作を実現する全圧力、分圧比等の封入条件も異な
る。しかし前記先行文献においてはその点については開
示されていない。
たものであり、コールドミラーを用いることなく、無電
極発光管から出射される光によって耐熱性の低い被処理
物に熱的な変形等の損傷を与えない紫外線光源を提供す
ることにある。
めに、本発明では、紫外線照射装置において無電極発光
管1内に水銀等の発光材料の代わりにXeおよびCl2
からなる混合ガス、あるいはKrおよびCl2 からなる
混合ガスを最適な封入条件で封入した紫外線光源を使用
する。
らなる混合ガスを封入して発光させた場合の分光分布
を、図8に無電極発光管1内にXeおよびCl2 からな
る混合ガスを封入して発光させた場合の分光分布を示
す。いずれも縦軸はアービタリーユニットで相対発光強
度を示し、横軸は放射波長をnmの単位で示してある。
いずれの場合も波長400nm以上には放射分布がない
ので、無電極発光管1から放射される光が反射壁3で反
射して被処理物を照射しても、その被処理物に熱などに
よる変形等の損傷を与えない。
具体的に説明する。通常、発光材料ガスの組合せよっ
て、紫外線発光のための反応過程は異なるので、最適動
作を実現する全圧力、分圧比等の封入条件も異なる。図
1は、発光材料ガスを封有する直径3cmの球状の合成
石英バルブに励起手段としてマイクロ波を使用し、発光
材料ガスとしてKrおよびCl2 からなる混合ガスを選
択した紫外線光源において、混合ガスの分圧比と波長2
22nmを中心とした半値幅±3nmの範囲の放射束と
の関係を示した説明図である。図において、縦軸はW、
横軸は分圧比を示し混合ガスの全圧力は10torrて
ある。波長222nmの発光は、分圧比Kr/Cl2 が
3乃至7の範囲内において効率よく取り出せることが分
かる。図2は、図1と同様の紫外線光源において、混合
ガスの全圧力と波長222nmを中心とした半値幅±3
nmの範囲の放射束との関係を示した説明図である。図
において、縦軸はW、横軸は全圧力(torr)であ
る。パラメータは混合ガスの分圧比である。波長222
nmの発光は、混合ガスの全圧力が7.5乃至15to
rrの範囲内において、効率よく取り出せることが分か
る。
mの球状の合成石英バルブに励起手段としてマイクロ波
を使用し、発光材料ガスとしてXeおよびCl2 からな
る混合ガスを選択した紫外線光源において、混合ガスの
分圧比と波長308nmを中心とした半値幅±3.8n
mの範囲の放射束との関係を示した説明図である。図に
おいて、縦軸はW、横軸は分圧比を示し混合ガスの全圧
力は10torrてある。波長308nmの発光は、分
圧比Xe/Cl2 が1乃至3の範囲内において効率よく
取り出せることが分かる。図4は、図3と同様の紫外線
光源において、混合ガスの全圧力と波長308nmを中
心とした半値幅±3.8nmの範囲の放射束との関係を
示した説明図である。図において、縦軸はW、横軸は全
圧力(torr)である。パラメータは混合ガスの分圧
比である。波長308nmの発光は、混合ガスの全圧力
が5乃至15torrの範囲内において、効率よく取り
出せることが分かる。
いた紫外線照射装置、例えばマイクロ波無電極発光装置
の概略を示す。図5は該装置を長手方向に切断した横断
面図であり、図6は図5のV−V線に沿った断面図であ
る。1は紫外線光源例えば無電極発光管であり、棒状の
合成石英バルブからなりその内部には25℃基準で例え
ばKrおよびCl2 の混合ガスが全圧力で5Torr、
分圧比Kr/Cl2 =5の条件で封入されている。2は
マイクロ波空胴、10は鏡面状のアルミニウム板製の反
射ミラーであり、無電極発光管1の放射光を照射方向
(矢印A方向)に集光させるよう内面が楕円又は放物線
の凹面形状となっている。またマイクロ波空胴2を形成
するための空洞壁11が設けられている。
トロンである。マグネトロン5で発生したマイクロ波電
力は、導波管6により伝播され、マイクロ波結合手段で
あるアンテナ15によりマイクロ波空胴2に導かれる。
アンテナ15は、無電極発光管1にマイクロ波電力を効
率よく結合するためのものであり、マイクロ波空胴2内
の無電極発光管1の長手方向に近接して波状に沿うよう
に伸びており、空洞壁11に接続され、空洞壁11、反
射ミラー10に形成した通孔16、17を貫通して配置
される。
すると共に発生した紫外線を通過させるメッシュであ
る。すなわち、このメッシュ7は紫外線は通過させるが
マイクロ波に対しては短絡板として働く。8は無電極発
光管1の発光により発生する熱を冷却するための送風装
置である。そして、送風装置8からのエアーを通過させ
るために、導波管6、空洞壁11に通風孔12,13を
形成すると共に、反射ミラー10にも同様な通風孔14
を形成している。
て、マイクロ波電力を無電極発光管1にアンテナ15を
介して結合させると、そのマイクロ波電力が無電極発光
管1に封入したKrおよびCl2 の混合ガスを励起し、
励起された混合ガスの基底状態へのエネルギー遷移によ
って紫外線を発生する。
れるが、無電極発光管1を楕円の凹面形状の反射ミラー
10の焦点に予め位置させておけば、反射ミラー10の
方向に放射した紫外線はそこで反射されて、メッシュ7
の方向に集光される。当然ながら、メッシュ7方向に放
射した紫外線はそのまま進行する。
配置しておけば、乾燥、硬化等の処理が即座に行われ
る。特にメッシュ7の前面において被処理物をベルトコ
ンベア等で順次移動させれば、連続的に大量の処理が可
能となる。
ウエハ上の不要レジスト膜を除去する酸素プラズマによ
るアッシング方法が実用化されている。しかし、酸素プ
ラズマによるアッシング方法においては、電界によって
加速された電子やイオンなどプラズマ中の荷電粒子がウ
エハと衝突して、またそのときの反応熱によって、ウエ
ハの表面が傷ついて半導体素子の電気的特性が損なわれ
るという、いわゆるプラズマダメージの問題を有してい
る。特に、半導体素子の高集積化の要請に伴って、プラ
ズマダメージによる電気的特性への影響を無視すること
はできない。
レジスト膜を除去するアッシング方法として、紫外線ラ
ンプから放射される紫外線を利用した光アッシング方法
が提案されている(例えば、日立評論、vol.71,
no.5,p39−45,1989.5)。この光アッ
シング方法は、レジスト膜が形成されたウエハを処理室
内に配置し、この処理室内にオゾンを導入し、ウエハ上
のレジスト膜に、紫外線ランプからの紫外線を照射する
ことにより行われる。
解して生成した活性化酸素が、レジスト膜と接触して反
応することにより進行する。従ってアッシングの速さ
は、ウエハ表面の活性化酸素の数に依存すると考えられ
ている。紫外線ランプに従来の低圧水銀ランプを使用し
た場合と、本発明による紫外線光源(25℃基準でKr
およびCl2 の混合ガスを全圧力で5Torr、分圧比
Kr/Cl2 =5の条件で直径3cmの合成石英バルブ
に封入しマイクロ波で励起)を使用した場合において、
ウエハ表面近傍の活性化酸素の数を比較してみた。低圧
水銀ランプと、本発明の光強度比を10/1、処理室内
のオゾンの存在する空間の厚みを5mm、オゾンの濃度
を7体積%として、各光源の波長に応じたオゾンの光吸
収係数を考慮して計算すると、低圧水銀ランプを使用し
た場合と、本発明による紫外線光源を使用した場合に生
成するウエハ表面近傍の活性化酸素の数の比は、1/1
0となった。すなわち、本発明の光源は、低圧水銀ラン
プの1/10の光強度で、10倍の活性化酸素を得るこ
とが可能であり、アッシング処理時間の短縮が期待でき
る。
線光源では、無電極発光管に、発光させた場合の分光分
布において波長400nm以上には放射分布がないXe
およびCl2の混合ガス、あるいはKrおよびCl2の
混合ガスを最適なガス条件で封入しているので、コール
ドミラーを用いることなく、無電極発光管から出射され
る光によって耐熱性の低い被処理物に熱的な変形等の損
傷を与えない。また通常封入する各ガスの組合せにおい
て、最適動作を実現する全圧力、分圧比という封入条件
が得られているので、効率よく紫外線を取り出すことが
できる。さらに発光材料ガスにフッ素ガスを含まないの
で、発光材料ガスを封入し紫外線を取りだす例えば合成
石英製のバルブ内壁に反応生成物が生成されない。よっ
てバルブ内壁において紫外線が減光せず、紫外線の取り
出し効率が減少しない。そして励起手段から入力される
エネルギーが材料ガスの励起反応に主として使用され、
所望の紫外線が効率よく発光する。またサファイヤに比
較して安価で加工性に富む合成石英が、放電管材料とし
て使用可能となる。
およびCl2 の混合ガスを選択した場合において、混合
ガスの分圧比と波長222nmを中心とした半値幅±3
nmの範囲の光の放射束との関係を示したデータの説明
図である。
およびCl2 の混合ガスを選択した場合において、混合
ガスの全圧力と波長222nmを中心とした半値幅±3
nmの範囲の光の放射束との関係を示したデータの説明
図である。
およびCl2 の混合ガスを選択した場合において、混合
ガスの分圧比と波長308nmを中心とした半値幅±
3.8nmの範囲の光の放射束との関係を示したデータ
の説明図である。
およびCl2 の混合ガスを選択した場合において、混合
ガスの全圧力と波長308nmを中心とした半値幅±
3.8nmの範囲の光の放射束との関係を示したデータ
の説明図である。
発光装置の概略を示し、長手方向に切断した横断面図で
ある。
を封入してマイクロ波で励起して発光させた場合の分光
分布を示した説明図である。
を封入してマイクロ波で励起して発光させた場合の分光
分布を示した説明図である。
し、長手方向に切断した横断面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】バルブ内にキセノンおよび塩素からなる混
合ガスを封入し、励起手段を用いて前記混合ガスを発光
させて紫外線を取り出す紫外線光源において、 前記混合ガスの分圧比キセノン/塩素が1乃至3の範囲
内にあり、前記混合ガスの全圧力が5乃至15torr(25℃基
準)の範囲内にあり、 前記バルブ内には電極を配置せず、前記励起手段がマイ
クロ波で あることを特徴とする紫外線光源。 - 【請求項2】バルブ内にクリプトンおよび塩素からなる
混合ガスを封入し、励起手段を用いて前記混合ガスを発
光させて紫外線を取り出す紫外線光源において、前記混合ガスの分圧比クリプトン/塩素が3乃至7の範
囲内にあり、 前記混合ガスの全圧力が7.5乃至15torr(25
℃基準)の範囲内にあり、 前記バルブ内には電極を配置せず、前記励起手段がマイ
クロ波であることを特徴とする紫外線光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17465693A JP3175410B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 紫外線光源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17465693A JP3175410B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 紫外線光源 |
Publications (2)
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JPH0714556A JPH0714556A (ja) | 1995-01-17 |
JP3175410B2 true JP3175410B2 (ja) | 2001-06-11 |
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ID=15982407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17465693A Expired - Fee Related JP3175410B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 紫外線光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3175410B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000162397A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Iwasaki Electric Co Ltd | 紫外線硬化装置 |
JP6948606B1 (ja) | 2020-08-28 | 2021-10-13 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ及び光照射装置 |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP17465693A patent/JP3175410B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0714556A (ja) | 1995-01-17 |
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