JP3172100B2 - Method of manufacturing reflector - Google Patents
Method of manufacturing reflectorInfo
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- JP3172100B2 JP3172100B2 JP22279296A JP22279296A JP3172100B2 JP 3172100 B2 JP3172100 B2 JP 3172100B2 JP 22279296 A JP22279296 A JP 22279296A JP 22279296 A JP22279296 A JP 22279296A JP 3172100 B2 JP3172100 B2 JP 3172100B2
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば人工衛星
等の宇宙航行体に搭載するのに好適するリフレクタの製
造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a reflector suitable for mounting on a spacecraft such as an artificial satellite.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、アンテナシステムにおいて
は、２枚の前面及び後面リフレクタを積重して配設し、
この前面及び後面リフレクタを用いて、いわゆるＶ偏波
あるいはＨ偏波の電波を選択的に反射して自由空間に放
射するデュアルグリッドリフレクタ方式のものがある。
このリフレクタ方式は、前面及び後面リフレクタの反射
面に互いに直交する金属膜層パターン（グリッドライ
ン）を形成して、その前面及び後面リフレクタの反射面
に対向して給電部をそれぞれ対向配置し、給電部から放
射されるラインに平行なＶ偏波あるいはＨ偏波を選択的
に反射して自由空間に放射する。2. Description of the Related Art Conventionally, in an antenna system, two front and rear reflectors are stacked and arranged,
There is a dual grid reflector type in which so-called V-polarized or H-polarized radio waves are selectively reflected and radiated to free space by using the front and rear reflectors.
In this reflector system, a metal film layer pattern (grid line) is formed orthogonal to the reflection surfaces of the front and rear reflectors, and a power supply unit is disposed to face the reflection surfaces of the front and rear reflectors, respectively. V-polarization or H-polarization parallel to the line radiated from the part is selectively reflected and radiated to free space.
【０００３】上記Ｖ偏波は、例えば前面リフレクタの金
属膜層パターンに略平行な電界成分を有し、一方の給電
部から放射されると、前面リフレクタの金属膜層パター
ンで反射される。他方、Ｈ偏波は、前面リフレクタの金
属膜層パターンと直交する電界成分（即ち、後面リフレ
クタの金属膜層パターンと略平行な電界成分）を有し、
他方の給電部から放射されると、前面リフレクタを透過
して後面リフレクタの金属膜層パターンで反射される。The V-polarized wave has, for example, an electric field component substantially parallel to the metal film layer pattern of the front reflector, and when radiated from one of the power supply portions, is reflected by the metal film layer pattern of the front reflector. On the other hand, the H polarization has an electric field component orthogonal to the metal film pattern of the front reflector (that is, an electric field component substantially parallel to the metal film pattern of the rear reflector),
When radiated from the other power supply unit, it is transmitted through the front reflector and reflected by the metal film pattern of the rear reflector.
【０００４】ところで、このようなリフレクタを製造す
る製造方法としては、特公平５ー５７７６２、特公平５
ー５７７６４１号公報、特開平６ー２６０７３９号等に
開示されるているものがある。即ち、これらの公報に開
示される製造方法は、いずれも導電性膜をリフレクタ本
体を構成する絶縁基板製の表皮材に形成して、この導電
性の膜上に液状の感光性レジストを塗布する。次に、こ
の導電性膜上の感光性レジストにレーザ光を照射して露
光し、さらに現像を施して光を照射しない部分を除去
し、露出した上記導電性膜をエッチング処理して所望の
金属膜層パターンが形成されている。Incidentally, as a method of manufacturing such a reflector, Japanese Patent Publication No. 5-57762 and Japanese Patent Publication No.
And Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-260739. In other words, in the manufacturing methods disclosed in these publications, a conductive film is formed on a skin material made of an insulating substrate constituting a reflector main body, and a liquid photosensitive resist is applied on the conductive film. . Next, the photosensitive resist on the conductive film is irradiated with a laser beam to be exposed to light, and further developed to remove portions not irradiated with the light, and the exposed conductive film is etched to form a desired metal. A film layer pattern is formed.
【０００５】しかしながら、上記製造方法では、感光性
レジストを表皮材に塗布して露光・現像処理を施さなけ
ればならないことにより、そのリフレクタ製作に大形の
現像設備、レジスト除去設備、暗室設備等が必要となる
ために、リフレクタの大口径化の促進に制約を受けると
いう問題を有する。また、上記製造方法では、露光・現
像処理の際の現像工程において、その像に歪みが生じる
ために、その像の歪みによる寸法誤差により、リフレク
タの大口径化を図ると、製作精度の低下を招くという問
題を有する。However, in the above-described manufacturing method, a photosensitive resist must be applied to a skin material and subjected to exposure and development treatments. Therefore, large-sized development equipment, resist removal equipment, dark room equipment, and the like are required for manufacturing the reflector. Because of the necessity, there is a problem that the promotion of an increase in the diameter of the reflector is restricted. In the above manufacturing method, since the image is distorted in the developing step at the time of the exposure and development processing, if the diameter of the reflector is increased due to a dimensional error due to the distortion of the image, the reduction in the manufacturing accuracy is reduced. There is a problem of inviting.
【０００６】さらに、このようなリフレクタを製造する
製造方法としては、特開平６ー２２６４７７号公報に開
示されるものがある。この公報に開示される製造方法
は、基層の金属化層上に抵抗性被覆を被着して、この抵
抗性被覆上にレチクルプレートと称するホトマスクを被
せ、このホトマスクを透してレーザ光を抵抗性被覆に照
射して該抵抗性被覆をパターン形状に対応して除去（ｒ
ｅｍｏｖｅ）する。次に、エッチング処理を施して、抵
抗性被覆の除去された基層の金属化層を除去し、その
後、基層の金属化層上の抵抗性被膜を除去して金属化層
パターンを形成する。Further, as a manufacturing method for manufacturing such a reflector, there is a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-226577. In the manufacturing method disclosed in this publication, a resistive coating is applied on the metallized layer of the base layer, a photomask called a reticle plate is put on the resistive coating, and the laser light is passed through the photomask to resist the laser light. Irradiating the resistive coating to remove the resistive coating corresponding to the pattern shape (r
emove). Next, an etching process is performed to remove the metallized layer of the base layer from which the resistive coating has been removed, and thereafter, the resistive film on the metallized layer of the base layer is removed to form a metallized layer pattern.
【０００７】ところが、上記製造方法では、抵抗性被覆
を除去するのにホトマスクを用いる構成上、そのパター
ン形状に応じて、ホトマスクを交換しなければならない
という問題を有する。However, the above-described manufacturing method has a problem that the photomask must be replaced according to the pattern shape because the photomask is used to remove the resistive coating.
【０００８】また、これによると、レーザ光の光幅に制
約があり、ホトマスクを用いて大きなパターン形状に対
応する抵抗被覆を除去するため、その加工パターン形状
に制約を受けるという問題を有する。Further, according to this, there is a problem that the light width of the laser beam is limited, and the resist pattern corresponding to a large pattern shape is removed using a photomask, so that the processing pattern shape is restricted.
【０００９】さらに、曲面上にパターン加工するために
必要な座標変換、すなわち、投影面に基本パターンを投
影した図形を加工することが困難である。従って、デュ
アルグリッド反射鏡、周波数選択反射鏡に要求されるパ
ターン形状を精度良く製作する事が困難であるという問
題を有する。係る製造方法の問題は、特に、最近の宇宙
開発の分野で要求されているリフレクタの大口径化を図
る場合に、重大な課題の一つとなる。Furthermore, it is difficult to perform coordinate conversion necessary for pattern processing on a curved surface, that is, to process a figure in which a basic pattern is projected on a projection surface. Therefore, there is a problem that it is difficult to accurately produce a pattern shape required for the dual grid reflector and the frequency selective reflector. Such a problem of the manufacturing method becomes one of the serious problems particularly when the diameter of the reflector required in the field of recent space development is to be increased.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来のリフレクタの製造方法では、大形の暗室設備等が必
要となるために、リフレクタの大口径化の促進が困難で
あるという問題を有する。As described above, the conventional reflector manufacturing method has a problem that it is difficult to increase the diameter of the reflector due to the necessity of a large-sized dark room facility or the like. Have.
【００１１】この発明は上記の事情に鑑みてなされたも
ので、容易にして、簡便な製作を実現したうえで、高精
度な製作精度を実現し得るようにしたリフレクタの製造
方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method of manufacturing a reflector capable of realizing high-precision manufacturing accuracy while realizing easy and simple manufacturing. It is in.
【００１２】[0012]
【００１３】[0013]
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする手段】この発明は、反射面を
構成する絶縁基板に金属膜層を形成する第１の工程と、
前記絶縁基板の金属膜層上に可剥性樹脂を塗布して樹脂
膜を形成する第２の工程と、レーザ光を前記金属膜層を
覆う樹脂膜にスリット状に照射して該樹脂膜をスリット
状に除去したスリットを形成して、該スリット間の樹脂
膜を剥がし取るマスキング処理を施す工程であって、前
記レーザ光のレーザ光照射部と、前記絶縁基板側を３次
元的に駆動制御して、金属膜層を覆う樹脂膜にスリット
状に照射し、該樹脂膜のマスクを前記金属膜層上にパタ
ーン形状に対応して形成する第３の工程と、前記第３の
工程でマスキング処理を施した前記絶縁基板上に露出さ
れる金属膜層を、エッチング処理して除去する第４の工
程と、前記第４の工程でエッチング処理を施した前記絶
縁基板の金属膜層を覆う樹脂膜を除去し、金属膜層パタ
ーンを露出させる第５の工程とを備したリフレクタを製
造するように構成した。According to the present invention, there is provided a first step of forming a metal film layer on an insulating substrate constituting a reflection surface;
A second step of forming a resin film by applying a peelable resin on the metal film layer of the insulating substrate, and irradiating the resin film covering the metal film layer with a laser beam in a slit shape to form the resin film. Forming a slit removed in a slit shape and performing a masking process of peeling off a resin film between the slits, wherein the laser beam irradiation part of the laser beam and the insulating substrate side are three-dimensionally driven and controlled. A third step of irradiating the resin film covering the metal film layer in a slit shape to form a mask of the resin film on the metal film layer corresponding to the pattern shape; and masking in the third step. A fourth step of etching and removing the metal film layer exposed on the processed insulating substrate; and a resin covering the metal film layer of the insulating substrate subjected to the etching process in the fourth step. Remove the film and expose the metal film layer pattern A fifth step is configured so as to produce Bei the reflector.
【００１５】上記構成によれば、絶縁基板上に金属膜層
と樹脂膜を順に積層して形成し、その樹脂膜に対してレ
ーザ光を照射して該樹脂膜をスリット状に除去してスリ
ットを形成し、このスリット間の樹脂膜を除去してマス
クを樹脂膜で形成した後、エッチング処理を施し、その
後、絶縁基板の金属膜層を覆う樹脂膜を除去することに
より、金属膜層パターンが形成される。従って、レーザ
光を用いたマスク形成処理とエッチング処理を施すだけ
の製作設備を備えるだけで、簡便に高精度な金属膜層パ
ターンの形成が可能となり、容易にリフレクタ本体の大
口径化にも対応することが可能となる。According to the above construction, a metal film layer and a resin film are sequentially laminated on an insulating substrate, and the resin film is irradiated with a laser beam to remove the resin film into a slit shape. After removing the resin film between the slits and forming a mask with the resin film, performing an etching process, and then removing the resin film covering the metal film layer of the insulating substrate, thereby forming a metal film layer pattern. Is formed. Therefore, it is possible to easily form a high-precision metal film layer pattern simply by providing manufacturing equipment that only performs mask formation processing and etching processing using laser light, and it is easy to cope with a large reflector body. It is possible to do.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して詳細に説明する。先ず、この発明
の一実施の形態に係るリフレクタの製造方法を説明する
に先立ち、この発明の適用される偏波選択方式のアンテ
ナシステムについて、図１及び図２を参照して説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. First, before describing a reflector manufacturing method according to an embodiment of the present invention, an antenna system of a polarization selection system to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS.
【００１７】即ち、第１及び第２のリフレクタ１，２
は、それぞれが例えば、曲面形状に形成され、図１に示
すように指向方向に積重して配設されて前面鏡及び後面
鏡を構成する。そして、これら第１及び第２のリフレク
タ１，２の反射面には、第１及び第２の給電部３，４が
対向配置される。That is, the first and second reflectors 1 and 2
Are formed, for example, in a curved shape, and are arranged in a stack in the directional direction as shown in FIG. 1 to form a front mirror and a rear mirror. Then, the first and second power supply units 3 and 4 are arranged to face the reflection surfaces of the first and second reflectors 1 and 2, respectively.
【００１８】また、これら第１及び第２のリフレクタ
１，２には、その反射面に図２に示すように金属膜層パ
ターン（グリッドライン）１ａ，２ａが互いに直交して
設けられ、この金属膜層パターン１ａ，２ａで第１及び
第２の給電部３，４からの放射されるラインに平行なＶ
偏波及びＨ偏波をそれぞれが選択的に反射して自由空間
に放射する。The first and second reflectors 1 and 2 are provided with metal film layer patterns (grid lines) 1a and 2a on their reflecting surfaces orthogonal to each other as shown in FIG. In the film layer patterns 1a and 2a, V parallel to the lines radiated from the first and second power supply units 3 and 4
Each of the polarized light and the H polarized light is selectively reflected and emitted to free space.
【００１９】上記Ｖ偏波は、例えば第１のリフレクタ１
の金属膜層パターン１ａに略平行な電界成分を有し、第
１の給電部３から放射されると、第１のリフレクタ１の
金属膜層パターン１ａで反射される。他方、Ｈ偏波は、
第１のリフレクタ１の金属膜層パターン１ａと直交する
電界成分（即ち、第２のリフレクタ２の金属膜層パター
ン２ａと略平行な電界成分）を有し、第２の給電部４か
ら放射されると、第１のリフレクタ１を透過して第２の
リフレクタ２の金属膜層パターン２ａで反射される。The V-polarized light is transmitted to, for example, the first reflector 1
Has an electric field component substantially parallel to the metal film layer pattern 1a of the first reflector 1 and is reflected by the metal film layer pattern 1a of the first reflector 1. On the other hand, the H polarization is
It has an electric field component orthogonal to the metal film layer pattern 1a of the first reflector 1 (that is, an electric field component substantially parallel to the metal film layer pattern 2a of the second reflector 2), and is radiated from the second power supply unit 4. Then, the light passes through the first reflector 1 and is reflected by the metal film layer pattern 2 a of the second reflector 2.
【００２０】ここで、この発明の一実施の形態に係るリ
フレクタの製造方法について、図３を参照して説明す
る。即ち、第１の工程では、リフレクタを構成する表皮
材１０を、絶縁基板、例えばアラミド繊維／エポキシ樹
脂複合体で所定の曲面を有する鏡面形状に形成する（図
４参照）。この表皮材１０には、その反射面全体に金属
膜層、例えば銅箔を付着して銅膜層１１が形成される。
そして、第２の工程では、表皮材１０の銅膜層１１上
に、ストリッパブルペイントと称する剥離性に優れたい
わゆる可剥性樹脂が塗布されて樹脂膜１２を積層する如
く形成する。Here, a method of manufacturing a reflector according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. That is, in the first step, the skin material 10 constituting the reflector is formed into a mirror-like shape having a predetermined curved surface using an insulating substrate, for example, an aramid fiber / epoxy resin composite (see FIG. 4). A metal film layer, for example, a copper foil is adhered to the entire surface of the skin material 10 to form a copper film layer 11.
In the second step, a so-called strippable resin having excellent releasability, which is called strippable paint, is applied on the copper film layer 11 of the skin material 10, and the resin film 12 is formed so as to be laminated.
【００２１】ここで、樹脂膜１２としては、例えば大京
化学製のビニール系共重合樹脂を主成分とする可剥性樹
脂が用いられる。そして、この可剥性樹脂は、例えば赤
色等の染料を混入して所定の色彩に設定することによ
り、銅膜層１１上に塗布して樹脂膜１２を形成する際、
その色彩を見て塗布状況の判断が可能なことで、容易な
塗布作業が実現される。また、可剥性樹脂は、除去する
際に溶剤を使用する必要がなく、例えば手作業で簡単に
剥がすことができる。Here, as the resin film 12, for example, a peelable resin mainly composed of a vinyl copolymer resin manufactured by Daikyo Chemical is used. Then, when the strippable resin is mixed with a dye such as red and set to a predetermined color, it is applied on the copper film layer 11 to form the resin film 12,
Since the application state can be determined by looking at the color, an easy application operation is realized. Further, the strippable resin does not require the use of a solvent when it is removed, and can be easily peeled off, for example, manually.
【００２２】次に、エッチングマスク形成工程に移行さ
れて、図５に示すように表皮材１０が、その樹脂膜１２
を上面として、エッチングマスク形成装置を構成するＸ
ーＹテーブル２０に装着される。そして、表皮材１０の
樹脂膜１２には、レーザ光源２１から発射される例え
ば、ＫｒＦエキシマレーザ光等のレーザ光がレーザ光照
射部２２のレンズ２２ａ，２ｂを介して照射されて、該
樹脂膜１２の所定部が除去され、いわゆるパターンニン
グが行われる（図６参照）。これにより、表皮材１０上
の樹脂膜１２は、除去されていない部分が銅膜層１１上
に残され、その残った部分が、例えばグリッドラインと
称する銅膜層パターンを遮蔽するエッチングマスクとし
て供される。Next, the process is shifted to an etching mask forming step, and as shown in FIG.
With an upper surface as an upper surface and constituting an etching mask forming apparatus X
-Mounted on the Y table 20. Then, the resin film 12 of the skin material 10 is irradiated with laser light such as, for example, KrF excimer laser light emitted from a laser light source 21 via the lenses 22a and 2b of the laser light irradiating section 22, and the resin film 12 Twelve predetermined portions are removed, and so-called patterning is performed (see FIG. 6). As a result, the resin film 12 on the skin material 10 has an unremoved portion left on the copper film layer 11, and the remaining portion serves as an etching mask for shielding a copper film layer pattern called a grid line, for example. Is done.
【００２３】この樹脂膜１２は、色彩を施しておくこと
で、そのエッチングマスク形成状態の容易な確認が可能
となり、エッチングマスク形成の高精度化と共に、歩留
まりの向上が図れる。By providing the resin film 12 with a color, it is possible to easily confirm the state of the formation of the etching mask, and it is possible to improve the yield as well as to increase the accuracy of the formation of the etching mask.
【００２４】即ち、このＸーＹテーブル２０は、テーブ
ル駆動部２４に接続され、該テーブル駆動部２４を介し
てＸ軸及びＹ軸方向に二次元的に駆動制御される。この
ＸーＹテーブル２０には、上記レーザ光照射部２２が対
向配置される。That is, the XY table 20 is connected to a table drive unit 24, and is driven and controlled two-dimensionally in the X-axis and Y-axis directions via the table drive unit 24. The XY table 20 has the laser beam irradiating section 22 opposed thereto.
【００２５】レーザ光照射部２２は、光学系駆動部２５
を介してＸーＹテーブル２０に対向して矢印Ａ，Ｂ方向
に移動自在に設けられ、その入力側にレーザ光源２１が
光学的に接続される。このレーザ光照射部２２は、例え
ば周知のテレセントリック光学系で構成され、レーザ光
源２１からのレーザ光をＸーＹテーブル２０の表皮材１
０の樹脂膜１２上に、そのレーザスポットのずれ量がほ
とんどなく、高精度に照射を実現する。The laser beam irradiating section 22 includes an optical system driving section 25.
The laser light source 21 is optically connected to the input side of the XY table 20 so as to be movable in the directions of arrows A and B. The laser beam irradiating section 22 is composed of, for example, a well-known telecentric optical system, and transmits the laser beam from the laser light source 21 to the skin material 1 of the XY table 20.
Irradiation is realized with high accuracy with little deviation of the laser spot on the zero resin film 12.
【００２６】上記テレセントリック光学系により、Ｘー
Ｙテーブル２０上の表皮材１０の銅膜層１１上の樹脂膜
１２に照射して該レーザ光で樹脂膜１２を除去する。こ
れにより、銅膜層１１上には、除去後に残された樹脂膜
１２が、銅膜層パターンを遮蔽するエッチングマスクと
して存在される。この際、樹脂膜１２に照射するレーザ
光は、その樹脂膜１２の厚さ寸法が２０μｍであれば、
エネルギ密度１ｊ／ｃｍ2 で４０ショット、照射するこ
とにより樹脂膜１２の除去が行われる。The above-described telecentric optical system irradiates the resin film 12 on the copper film layer 11 of the skin material 10 on the XY table 20 to remove the resin film 12 with the laser light. Thereby, the resin film 12 left after the removal is present on the copper film layer 11 as an etching mask for shielding the copper film layer pattern. At this time, the laser beam applied to the resin film 12 is provided if the thickness of the resin film 12 is 20 μm.
The resin film 12 is removed by irradiating 40 shots at an energy density of 1 j / cm 2 .
【００２７】そして、上記テーブル駆動部２４及び光学
系駆動部２５には、制御部２６が接続される。制御部２
６は、テーブル駆動部２４及び光学系駆動部２５を相対
的に制御して、レーザ光照射部２２の照射位置及びＸー
Ｙテーブル２０の表皮材１０の樹脂膜１２とを曲面形状
に対応して３次元的に駆動し、レーザ光照射部２２から
のレーザ光が樹脂膜１２上に所定のパターン形状を除い
た部分に照射して、該樹脂膜１２を除去する。A control section 26 is connected to the table drive section 24 and the optical system drive section 25. Control unit 2
6 relatively controls the table driving unit 24 and the optical system driving unit 25 to make the irradiation position of the laser beam irradiation unit 22 and the resin film 12 of the skin material 10 of the XY table 20 correspond to the curved surface shape. Then, the resin film 12 is removed by irradiating the resin film 12 with a laser beam from the laser beam irradiating section 22 on a portion of the resin film 12 except for a predetermined pattern shape.
【００２８】これにより、表皮材１０の銅膜層１１上に
は、銅膜層パターンに対応して樹脂膜１２が残されて、
その樹脂膜１２によりマスクされた状態となる。これに
より、樹脂膜１２は、高精度の精度で除去されて、銅膜
層パターンのエッチングマスクとして銅膜層１１上に配
置される。As a result, the resin film 12 corresponding to the copper film layer pattern is left on the copper film layer 11 of the skin material 10,
The state is masked by the resin film 12. As a result, the resin film 12 is removed with high precision and is disposed on the copper film layer 11 as an etching mask for the copper film layer pattern.
【００２９】また、上記制御部２６には、上記レーザ光
源２１が接続され、該レーザ光源２１を上記テーブル駆
動部２４及び光学系駆動部２５に連動して駆動制御して
レーザ光を上記レーザ光照射部２２に出力される。The control section 26 is connected to the laser light source 21. The laser light source 21 is driven and controlled in conjunction with the table drive section 24 and the optical system drive section 25 to control the laser light. Output to the irradiating unit 22.
【００３０】そして、銅膜層１１上に樹脂膜１２による
エッチングマスクが形成された状態において、例えば露
出された銅膜層１１上には、さらにレーザ光が、例えば
１０ショット程度以上照射され、露出した銅膜層１１上
の酸化膜や樹脂膜１２の再付着物質が除去されて銅膜層
１１のクリーニングが行われる。この樹脂膜１２の除去
後の銅膜層クリーニング処理により、銅膜層１１は、次
の工程におけるエッチング処理において、安定したエッ
チング速度が得られて、高精度なエッチングが可能とな
る。In a state where an etching mask of the resin film 12 is formed on the copper film layer 11, for example, about 10 shots or more of laser light is further irradiated on the exposed copper film layer 11, for example. The oxide film on the copper film layer 11 and the substance re-adhering to the resin film 12 are removed, and the copper film layer 11 is cleaned. By the copper film layer cleaning process after the removal of the resin film 12, the copper film layer 11 can obtain a stable etching rate in the etching process in the next step, and can perform highly accurate etching.
【００３１】次に、上記樹脂膜１２によるエッチングマ
スクの形成された表皮材１０は、例えば塩化第２鉄をエ
ッチング溶液として、周知のエッチング処理が施されて
露出された銅膜層１１がエッチング除去される。この
際、銅膜層１１は、樹脂膜１２の除去後に実行される銅
膜層クリーニング処理により、安定したエッチング処理
が実現される。Next, the skin material 10 on which the etching mask is formed by the resin film 12 is subjected to a known etching process using, for example, ferric chloride as an etching solution, and the exposed copper film layer 11 is removed by etching. Is done. At this time, a stable etching process is realized for the copper film layer 11 by the copper film layer cleaning process performed after the removal of the resin film 12.
【００３２】その後、エッチングマスクを構成する樹脂
膜１２は、銅膜層１１から剥離されて除去され、ここ
に、表皮材１０上に銅膜層パターンが形成される。そし
て、上記のように銅膜層パターンの形成された表皮材１
０は、例えばアラミド繊維／エポキシ樹脂複合体で形成
される図示しないハニカムコアの一方面にフィルム状接
着剤を用いて接着され、このハニカムコアの他方面に
は、例えば表皮材１０と同材料の表皮材がフィルム状接
着剤を用いて接着されてデュアルグリッドリフレクタと
称するリフレクタ本体が製作される。Thereafter, the resin film 12 constituting the etching mask is peeled off from the copper film layer 11 and removed, and a copper film layer pattern is formed on the skin material 10 here. Then, the skin material 1 on which the copper film layer pattern is formed as described above.
No. 0 is adhered to one surface of a honeycomb core (not shown) formed of, for example, an aramid fiber / epoxy resin composite using a film adhesive, and the other surface of the honeycomb core is made of, for example, the same material as the skin material 10. A skin material is adhered using a film adhesive to produce a reflector body called a dual grid reflector.
【００３３】ここで、例えば上記リフレクタ本体の表皮
材１０の銅膜層パターンを含む反射面には、図示しない
保護膜が被着される。これにより、表皮材１０は、保護
膜（図示せず）により、その銅膜層パターンを含む反射
面が保護される。この保護膜（図示せず）としては、例
えばリフレクタ本体を組立てる前に、表皮材１０の銅膜
層パターンを含む反射面に被着するようにしても良い。Here, for example, a protective film (not shown) is applied to the reflection surface including the copper film layer pattern of the skin material 10 of the reflector main body. Thus, the reflective surface of the skin material 10 including the copper film layer pattern is protected by the protective film (not shown). As this protective film (not shown), for example, before assembling the reflector main body, it may be applied to the reflective surface of the skin material 10 including the copper film layer pattern.
【００３４】なお、表皮材１０は、レーザ光を用いて樹
脂膜１２の除去あるいは銅膜層１１に直接的に照射して
該銅膜層１１のクリーニングを行う際、該レーザ光のパ
ルス幅が数１０ｎｍと非常に短いため、その表皮材１０
に熱損傷を及ぼすことなく、安定した除去が実現され、
リフレクタとしての電波透過特性が初期特性状態に保た
れることが確認されている。When removing the resin film 12 or directly irradiating the copper film layer 11 with the laser light to clean the copper film layer 11, the pulse width of the laser light is changed. Because it is very short, several tens of nanometers, its skin material 10
Stable removal is achieved without causing thermal damage to
It has been confirmed that the radio wave transmission characteristics of the reflector are maintained in the initial characteristic state.
【００３５】このように、上記リフレクタの製造方法
は、表皮材１０上に銅膜層１１と樹脂膜１２を順に積層
して形成し、その樹脂膜１２に対してレーザ光を照射し
て該樹脂膜１２を除去し、その残りの樹脂膜１２で銅膜
層１１上のエッチングマスクを形成した後、エッチング
処理を施して表皮材１０の反射面に銅膜層パターンを形
成するように構成した。As described above, according to the reflector manufacturing method, the copper film layer 11 and the resin film 12 are sequentially laminated on the skin material 10 and the resin film 12 is irradiated with laser light to form the resin film. After removing the film 12 and forming an etching mask on the copper film layer 11 with the remaining resin film 12, an etching process is performed to form a copper film layer pattern on the reflection surface of the skin material 10.
【００３６】これによれば、レーザ光を用いて銅膜層１
１上の樹脂膜１２を除去してエッチングマスクを形成す
るエッチングマスク形成処理と、エッチング処理を施す
だけの製作設備を備えるだけで、簡便に高精度な銅膜層
パターンの形成が可能となるために、従来の方法に比し
て製作設備の簡略化が図れて、容易にリフレクタ本体の
大口径化に対応することができる。According to this, the copper film layer 1 is formed by using a laser beam.
By simply providing an etching mask forming process of forming an etching mask by removing the resin film 12 on the substrate 1 and a manufacturing facility that only performs the etching process, it is possible to easily form a highly accurate copper film layer pattern. In addition, the production equipment can be simplified as compared with the conventional method, and it is possible to easily cope with an increase in the diameter of the reflector main body.
【００３７】また、これによれば、レチクルプレート
（ホトマスク）を用いることなく、銅膜層１１上に樹脂
膜１２のエッチングマスク形成が可能なことにより、簡
便にして、容易なパターン形成作業が実現される。Further, according to this, an etching mask for the resin film 12 can be formed on the copper film layer 11 without using a reticle plate (photomask), thereby realizing a simple and easy pattern forming operation. Is done.
【００３８】なお、上記実施の形態では、レーザ光を銅
膜層１１上の樹脂膜１２に直接的に照射して該樹脂膜１
２を除去し、銅膜層１１に樹脂膜１２によるエッチング
マスクを形成して、エッチング処理を施すように構成し
た場合で説明したが、このエッチングマスク形成方法に
限ることなく、例えば図９及び図１０に示すように銅膜
層１１上にエッチングマスクを形成してもよい。In the above embodiment, the resin film 12 on the copper film layer 11 is directly irradiated with the laser beam to
2 is removed, an etching mask is formed on the copper film layer 11 by the resin film 12, and the etching process is performed. However, the present invention is not limited to this etching mask forming method. An etching mask may be formed on the copper film layer 11 as shown in FIG.
【００３９】即ち、銅膜層１１上に塗布して形成した樹
脂膜１２に対してレーザ光を先ずスリット状に照射し
て、該樹脂膜１２をスリット状に除去して一対のスリッ
ト１２ｂ、１２ｂを形成し（図９参照）、このスリット
１２ｂ，１２ｂ間の樹脂膜１２を剥離する如く除去して
銅膜層１１上に樹脂膜１２によるエッチングマスクを形
成し（図１０参照）、エッチング処理を施すように構成
する。That is, the resin film 12 formed by coating on the copper film layer 11 is first irradiated with a laser beam in a slit shape, and the resin film 12 is removed in a slit shape to form a pair of slits 12b, 12b. (See FIG. 9), the resin film 12 between the slits 12b, 12b is removed so as to be peeled off, and an etching mask of the resin film 12 is formed on the copper film layer 11 (see FIG. 10). It is configured to apply.
【００４０】これによれば、略同様にレーザ光を用いて
樹脂膜１２を除去するエッチングマスク形成処理とエッ
チング処理を施すだけの設備を備えるだけで、簡便に高
精度な銅膜層パターンの形成が可能となり、リフレクタ
本体の大口径化の促進を容易に図ることができる。According to this, it is possible to easily form a high-precision copper film layer pattern simply by providing an etching mask forming process for removing the resin film 12 using a laser beam and equipment for performing the etching process. And it is possible to easily promote an increase in the diameter of the reflector main body.
【００４１】また、これによれば、レーザ光の照射によ
る樹脂膜１２の除去を最小限にしたうえで、樹脂膜１２
の除去面積を大きく設定することが可能となることによ
り、レーザ光により除去された樹脂膜１２のエッチング
処理面への再付着の軽減が図れるため、さらに有効な効
果が期待される。According to this, the removal of the resin film 12 by the irradiation of the laser beam is minimized and the resin film 12 is removed.
The removal area of the resin film 12 removed by the laser beam can be reduced from being re-adhered to the etching-treated surface by setting a large removal area of the resin film, so that a more effective effect is expected.
【００４２】このエッチングマスク形成時における樹脂
膜１２の再付着に関しては、例えば図１１に示すレーザ
光を用いてスリット状に樹脂膜１２を除去して、スリッ
ト１２ｂ，１２ｂ間を剥離する如く除去してエッチング
マスク形成した後、エッチングしてパターンを形成した
場合の方が、図１２に示す樹脂膜１２の除去部分に対し
てレーザ光を直接的に照射して除去することにより、エ
ッチングマスク形成した後、エッチングしてパターンを
形成した場合に比して、除去した樹脂膜１２の再付着部
１２ａによる銅膜層１１のエッチング残り部が殆どない
ことが実験的にも確認される。Regarding the re-adhesion of the resin film 12 during the formation of the etching mask, the resin film 12 is removed in a slit shape by using, for example, a laser beam shown in FIG. 11 so that the slits 12b are separated from each other. In the case where a pattern was formed by etching after forming an etching mask by etching, the etching mask was formed by directly irradiating laser light to the removed portion of the resin film 12 shown in FIG. It is also experimentally confirmed that the etched portion of the copper film layer 11 hardly remains due to the reattached portion 12a of the removed resin film 12 as compared with the case where the pattern is formed by etching.
【００４３】上記銅膜層１１として、例えば銅箔を用い
る場合には、市販されいてる銅箔の幅が６００ｍｍ程度
と限定されることで、リフレクタの大口径化を図ると、
継ぎ目が生じることがある。そこで、この銅箔で形成す
る場合には、例えば前述したように表皮材１０上に銅箔
で形成した銅膜層１１を形成して、この銅膜層１１上に
樹脂膜１２を形成し、所望のパターン形状に対応してエ
ッチング処理して銅膜層パターンを形成した状態で、こ
の樹脂膜１２を含む表皮材１０上に上述した可剥性樹脂
を塗布した補助樹脂膜４０を形成する（図１３参照）。
次に、銅膜層１１上の樹脂膜１２は、図１４に示すよう
に補助樹脂膜４０と共に除去され、その後、銅膜層１１
に形成された継ぎ目１１ａに、例えば導電性塗料を塗布
することにより補助銅膜４１を形成する（図１５参
照）。その後、図１６に示すように表皮材１０上の補助
樹脂膜４０が除去され、ここに、継ぎ目１１ａを挟んだ
銅膜層１１が補助銅膜４１を介して連続される。When a copper foil is used as the copper film layer 11, for example, the width of a commercially available copper foil is limited to about 600 mm.
Seams may occur. Therefore, when forming with this copper foil, for example, as described above, a copper film layer 11 formed of a copper foil is formed on the skin material 10, and a resin film 12 is formed on the copper film layer 11. In a state where the copper film layer pattern is formed by performing an etching process corresponding to a desired pattern shape, the auxiliary resin film 40 formed by applying the above-described peelable resin on the skin material 10 including the resin film 12 is formed ( See FIG. 13).
Next, the resin film 12 on the copper film layer 11 is removed together with the auxiliary resin film 40 as shown in FIG.
The auxiliary copper film 41 is formed by applying, for example, a conductive paint to the seam 11a formed as described above (see FIG. 15). Thereafter, as shown in FIG. 16, the auxiliary resin film 40 on the skin material 10 is removed, and the copper film layer 11 sandwiching the seam 11 a is continued through the auxiliary copper film 41.
【００４４】上記銅膜層１１の継ぎ目１１ａに形成する
補助銅膜４１としては、例えば銅膜層１１が銅以外の金
属材料で形成される場合には、同様の金属材料で形成さ
れることとなる。For example, when the copper film layer 11 is formed of a metal material other than copper, the auxiliary copper film 41 formed at the joint 11a of the copper film layer 11 is formed of the same metal material. Become.
【００４５】また、上記実施の形態では、ライン状の銅
膜層パターンを形成したデュアルグリッドリフレクタに
適用した場合で説明したが、これに限ることなく、その
他、例えば図１７及び図１８に示すようにリフレクタ本
体の表皮材３０に銅膜層３１によるリング形状の銅膜層
パターンを多数個、所定の間隔に形成した周波数選択型
リフレクタ（ＦＳＲ）方式のリフレクタにおいても適用
可能である。In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a dual grid reflector having a line-shaped copper film layer pattern is described. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 17 and FIG. The present invention is also applicable to a frequency-selective reflector (FSR) type reflector in which a plurality of ring-shaped copper film patterns formed of a copper film layer 31 are formed on a skin material 30 of a reflector body at predetermined intervals.
【００４６】この銅膜層パターンは、その形状がリング
形状に限ることなく、使用周波数等に応じて適宜に設定
され、上述したデュアルグリッドリフレクタと同様にレ
ーザ光を用いたエッチングマスク形成工程、これに続い
てエッチング処理工程が実施されて形成される。The shape of the copper film layer pattern is not limited to a ring shape, but is appropriately set in accordance with the operating frequency and the like. An etching mask forming step using a laser beam as in the above-described dual grid reflector is performed. Subsequently, an etching process is performed to form the semiconductor device.
【００４７】さらに、上記実施の形態では、金属膜層と
して、銅箔を用いて銅膜層１１を形成した場合で説明し
たが、この銅膜層１１に換えて、アルミニウム等の各種
金属材料を用いて表皮材１０上に金属膜層をメッキ、ス
パッタリング、蒸着等により形成して、これらの金属膜
層上に樹脂膜１２を形成した後、同様に樹脂膜１２をレ
ーザ光で除去して、該樹脂膜１２で金属膜層上にエッチ
ングマスクを形成し、金属膜層パターンを形成するよう
に構成することも可能である。係る事情は、補助銅膜４
１においても同様であり、該補助銅膜４１をアルミニウ
ム等の他の金属材料に置換え構成することが可能であ
る。Further, in the above embodiment, the case where the copper film layer 11 is formed using a copper foil as the metal film layer has been described, but various metal materials such as aluminum may be used instead of the copper film layer 11. After forming a metal film layer on the skin material 10 by plating, sputtering, vapor deposition, etc., and forming the resin film 12 on these metal film layers, the resin film 12 is similarly removed by laser light, It is also possible to form an etching mask on the metal film layer with the resin film 12 to form a metal film layer pattern. The situation is that the auxiliary copper film 4
The same applies to the case of No. 1, and the auxiliary copper film 41 can be replaced with another metal material such as aluminum.
【００４８】また、さらに、上記実施の形態では、銅膜
層パターンを表皮材１０に形成した後、この表皮材１０
をハニカムコアに接着してリフレクタ本体を形成するよ
うに構成した場合で説明したが、これに限ることなく、
例えば表皮材１０上の反射面に銅膜層１１を形成し、そ
の表皮材１０をハニカムコアに接着してリフレクタ本体
を形成した後、樹脂膜１２を順に形成して、レーザ光を
用い樹脂膜１２を除去してエッチング処理を施して銅膜
層パターンを形成するように構成してもよい。Further, in the above embodiment, after the copper film layer pattern is formed on the skin material 10,
Has been described as being configured to adhere to the honeycomb core to form the reflector main body, but is not limited thereto.
For example, a copper film layer 11 is formed on a reflection surface on a skin material 10, and the skin material 10 is bonded to a honeycomb core to form a reflector main body, and then a resin film 12 is sequentially formed. 12 may be removed and an etching process may be performed to form a copper film layer pattern.
【００４９】さらに、上記実施の形態では、樹脂膜１２
を除去するのに紫外線レーザ光を用いて構成した場合で
説明したが、これに限ることなく、可視レーザ光、赤外
線レーザ光等の各種のレーザ光を用いて構成することが
可能である。Further, in the above embodiment, the resin film 12
Although the description has been given of the case where the laser beam is removed using an ultraviolet laser beam, the present invention is not limited to this, and the laser beam can be configured using various laser beams such as a visible laser beam and an infrared laser beam.
【００５０】但し、可視レーザ光、赤外線レーザ光を用
いて加工を行う場合には、樹脂膜１２の光学的特性が重
要であり、使用するレーザ光の波長に対して吸収率が高
い樹脂膜１２を設定する必要がある。樹脂膜１２の光学
的特性の例として、大京化学製プラスティーコートＭＲ
の分光特性を図７に、同じくプラスティーコート＃１０
０の分光特性を図８に示す。However, when processing is performed using visible laser light or infrared laser light, the optical characteristics of the resin film 12 are important, and the resin film 12 having a high absorptance with respect to the wavelength of the laser light used. Need to be set. As an example of the optical characteristics of the resin film 12, Plastic Coat MR manufactured by Daikyo Chemical Co., Ltd.
FIG. 7 shows the spectral characteristics of Plasticoat # 10.
FIG. 8 shows the spectral characteristics of 0.
【００５１】レーザ光源２１として、実用性の高いＳＨ
ＧーＹＡＧレーザ光（波長５３２ｎｍ）を利用する場合
には、波長５３２ｎｍに対する吸収率が２０％程度しか
ないプラスティーコート＃１００では加工することが困
難である。これに対し、波長５３２ｎｍの光に対する吸
収率が９０％以上あるプラスティーコートＭＲを用いる
と、レーザ光が効率良く樹脂膜１２に吸収されて良好な
加工が可能となる。As the laser light source 21, a highly practical SH
In the case of using G-YAG laser light (wavelength 532 nm), it is difficult to process with plastic coat # 100, which has an absorptivity of only about 20% for wavelength 532 nm. On the other hand, when a plastic coat MR having an absorptance of 90% or more for light having a wavelength of 532 nm is used, laser light is efficiently absorbed by the resin film 12 and good processing can be performed.
【００５２】このように、あらゆる種類の樹脂膜１２に
対して略１００％に近い吸収がある２８０ｎｍ以下の紫
外線レーザ光を用いる場合と異なり、可視又は赤外線レ
ーザ光を用いた場合には、それの波長で吸収率の高い樹
脂膜１２を使う必要がある。As described above, unlike the case of using the ultraviolet laser light of 280 nm or less, which absorbs almost 100% for all kinds of resin films 12, the use of the visible or infrared laser light causes It is necessary to use a resin film 12 having a high absorption at a wavelength.
【００５３】また、上記実施の形態では、レーザ光照射
部２２をテレセントリック光学系で構成して、レーザ光
源２１からのレーザ光を略平行な光強度を有したレーザ
光に変換して樹脂膜１２に照射するように構成した場合
で説明したが、これに限ることなく、例えば図１９に示
すようにテレセントリック光学系に代えて集光光学系３
３を用いてレーザ光照射部３４を構成して上記レーザ光
源２１からのレーザ光をレーザ光照射部３４で集光させ
て表皮材１０上の樹脂膜１２に照射するように構成して
もよい。この場合、レーザ光照射部３４の光学系駆動部
３２は、上記制御部２６で光軸方向に移動制御され、樹
脂膜１２上に集光される。よって、この発明は、上記実
施の形態に限ることなく、その他、この発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々の変形の実施が可能であることは勿
論である。Further, in the above embodiment, the laser beam irradiating section 22 is constituted by a telecentric optical system, and the laser beam from the laser light source 21 is converted into a laser beam having a substantially parallel light intensity, and the resin film 12 is formed. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 19, instead of the telecentric optical system, the condensing optical system 3 is used.
3, the laser light irradiating section 34 may be configured so that the laser light from the laser light source 21 is condensed by the laser light irradiating section 34 and irradiated to the resin film 12 on the skin material 10. . In this case, the movement of the optical system driving unit 32 of the laser light irradiation unit 34 in the optical axis direction is controlled by the control unit 26, and the light is focused on the resin film 12. Therefore, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、容易にして、簡便な製作を実現したうえで、高精度
な製作精度を実現し得るようにしたリフレクタの製造方
法を提供することができる。As described in detail above, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a reflector which can realize a high-precision manufacturing accuracy while realizing an easy and simple manufacturing. be able to.
【図１】この発明の適用されるアンテナシステムの概念
を説明するために示した側面図。FIG. 1 is a side view for explaining the concept of an antenna system to which the present invention is applied.
【図２】図１のアンテナシステムのリフレクタを示した
平面図。FIG. 2 is a plan view showing a reflector of the antenna system of FIG. 1;
【図３】この発明の一実施の形態に係るリフレクタの製
造方法の手順を示したフローチャート図。FIG. 3 is a flowchart showing a procedure of a reflector manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
【図４】図３で製作される表皮材の一部を取り出して示
した断面図。FIG. 4 is a sectional view showing a part of the skin material manufactured in FIG. 3;
【図５】図３に用いられるパターン形成装置を示した配
置図。FIG. 5 is a layout diagram showing a pattern forming apparatus used in FIG. 3;
【図６】図３のパターン形成状態を示した斜視図。FIG. 6 is a perspective view showing the pattern formation state of FIG. 3;
【図７】ストリッパブルペイントの分光特性を示した特
性図。FIG. 7 is a characteristic diagram showing the spectral characteristics of the strippable paint.
【図８】ストリッパプルペイントの分光特性を示した特
性図。FIG. 8 is a characteristic diagram showing the spectral characteristics of stripper pull paint.
【図９】この発明の他の実施の形態の一部を示した斜視
図。FIG. 9 is a perspective view showing a part of another embodiment of the present invention.
【図１０】図９の樹脂層の剥離作業を示した斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing the work of peeling the resin layer of FIG. 9;
【図１１】樹脂膜をスリット状に所定の間隔に除去して
スリット間を剥離したマスク形成工程の加工状態を示し
た平面図。FIG. 11 is a plan view showing a processing state of a mask forming step in which a resin film is removed at predetermined intervals in a slit shape and the slits are separated.
【図１２】樹脂膜の広い範囲をレーザ光で直接的に除去
したマスク形成工程の状態を示した平面図。FIG. 12 is a plan view showing a state of a mask forming step in which a wide area of a resin film is directly removed by a laser beam.
【図１３】銅膜層を銅箔で形成する場合の製造手順を示
した一部斜視図。FIG. 13 is a partial perspective view showing a manufacturing procedure when a copper film layer is formed of copper foil.
【図１４】図１３に続く製造手順を示した一部斜視図。FIG. 14 is a partial perspective view showing a manufacturing procedure following FIG. 13;
【図１５】図１４に続く製造手順を示した一部斜視図。FIG. 15 is a partial perspective view showing a manufacturing procedure following FIG. 14;
【図１６】図１５に続く製造手順を示した一部斜視図。FIG. 16 is a partial perspective view showing a manufacturing procedure following FIG. 15;
【図１７】この発明の適用される周波数選択型リフレク
タを示した平面図。FIG. 17 is a plan view showing a frequency selective reflector to which the present invention is applied.
【図１８】図１７の銅膜層パターンの一部を拡大して示
した平面図。FIG. 18 is an enlarged plan view showing a part of the copper film layer pattern of FIG. 17;
【図１９】この発明の他の実施の形態に係るレーザ光を
樹脂膜上に照射するための集光光学系を示した配置図。FIG. 19 is a layout diagram showing a condensing optical system for irradiating a resin film with a laser beam according to another embodiment of the present invention.
１，２…第１及び第２のリフレクタ。 １ａ，２ａ…金属膜層パターン。 ３，４…第１及び第２の給電部。 １０，３０…表皮材。 １１，３１…銅膜層。 １２…樹脂膜。 ２０…ＸーＹテーブル。 ２１…レーザ光源。 ２２，３４…レーザ光照射部。 ２２ａ，２２ｂ…レンズ。 ２４…テーブル駆動部。 ２５，３２…光学系駆動部。 ２６…制御部。 １２ａ…再付着部。 １２ｂ…スリット。 ４０…補助樹脂膜。 ４１…補助銅膜。 １１ａ…継ぎ目。 ３３…集光光学系。 1, 2,... First and second reflectors. 1a, 2a: Metal film layer pattern. 3, 4... First and second power supply units. 10, 30 ... skin material. 11, 31: Copper film layer. 12 ... Resin film. 20 XY table. 21 ... Laser light source. 22, 34 ... Laser irradiation part. 22a, 22b ... lenses. 24 ... Table drive unit. 25, 32: Optical system drive unit. 26 ... Control unit. 12a: Reattachment part. 12b ... slit. 40 ... Auxiliary resin film. 41 ... Auxiliary copper film. 11a ... seam. 33: Condensing optical system.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川田 義高 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 松中 繁樹 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 後藤 訓顕 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株式会社東芝生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平６−226477（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−86292（ＪＰ，Ａ) 特公 平５−57762（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01Q 15/00 - 15/24 H01Q 17/00 H01Q 19/00 - 19/32 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Yoshitaka Kawada 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Toshiba Institute of Industrial Science (72) Inventor Shigeki Matsunaka 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa (72) Inventor Noriaki Goto 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Production Technology Laboratory Co., Ltd. (56) References JP-A-6-226477 (JP, A) 60-86292 (JP, A) JP 5-57762 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01Q 15/00-15/24 H01Q 17/00 H01Q 19/00-19/32
Claims (4)
形成する第１の工程と、 前記絶縁基板の金属膜層上に可剥性樹脂を塗布して樹脂
膜を形成する第２の工程と、 レーザ光を前記金属膜層を覆う樹脂膜にスリット状に照
射して該樹脂膜をスリット状に除去したスリットを形成
して、該スリット間の樹脂膜を剥がし取るマスキング処
理を施す工程であって、前記レーザ光のレーザ光照射部
と、前記絶縁基板側を３次元的に駆動制御して、金属膜
層を覆う樹脂膜にスリット状に照射し、該樹脂膜のマス
クを前記金属膜層上にパターン形状に対応して形成する
第３の工程と、 前記第３の工程でマスキング処理を施した前記絶縁基板
上に露出される金属膜層を、エッチング処理して除去す
る第４の工程と、 前記第４の工程でエッチング処理を施した前記絶縁基板
の金属膜層を覆う樹脂膜を除去し、金属膜層パターンを
露出させる第５の工程とを具備したリフレクタの製造方
法。A first step of forming a metal film layer on an insulating substrate forming a reflection surface; and a second step of forming a resin film by applying a peelable resin on the metal film layer of the insulating substrate. And a masking process of irradiating the resin film covering the metal film layer with a laser beam in a slit shape to form a slit in which the resin film is removed in a slit shape, and peeling off the resin film between the slits. And controlling the three-dimensional drive of the laser light irradiation part of the laser light and the insulating substrate side to irradiate the resin film covering the metal film layer in a slit shape, and setting the mask of the resin film to the metal A third step of forming a pattern corresponding to the pattern shape on the film layer; and a fourth step of etching and removing the metal film layer exposed on the insulating substrate that has been subjected to the masking process in the third step. And etching in the fourth step. The insulation was removed resin film covering the metal film layer of the substrate, a manufacturing method of a reflector provided with the fifth step of exposing the metal layer pattern.
ング処理を施した前記金属膜層を覆う樹脂膜を含む絶縁
基板上に、補助樹脂膜を形成して、前記金属膜層上の樹
脂膜を樹脂膜上の前記補助樹脂膜と共に剥がし取り、露
出した前記金属膜層の継ぎ目に補助金属膜を形成した
後、前記絶縁基板上の補助樹脂膜を除去して金属膜層パ
ターンを形成することを特徴とする請求項１記載のリフ
レクタの製造方法。2. The method according to claim 1, further comprising: forming an auxiliary resin film on an insulating substrate including a resin film covering the metal film layer subjected to the etching process in the fourth step; the resin film was peeled off together with said auxiliary resin film on the resin film, dew
2. The method for manufacturing a reflector according to claim 1, wherein after forming an auxiliary metal film at a joint of the metal film layers, the auxiliary resin film on the insulating substrate is removed to form a metal film layer pattern. .
形成する第１の工程と、 前記絶縁基板の金属膜層上に樹脂を塗布して樹脂膜を形
成する第２の工程と、 レーザ光を前記金属膜層を覆う樹脂膜に照射して該樹脂
膜を除去するマスキング処理を施す工程であって、前記
レーザ光のレーザ光照射部と、前記絶縁基板側を３次元
的に駆動制御して、金属膜層を覆う樹脂膜に照射し、該
樹脂膜のマスクを前記金属膜層上にパターン形状に対応
して形成する第３の工程と、 前記第３の工程でマスキング処理を施した前記絶縁基板
上に露出される金属膜層を、エッチング処理して除去す
る第４の工程と、 第４の工程でエッチング処理を施した前記金属膜層を覆
う樹脂膜を含む絶縁基板上に、補助樹脂膜を形成して、
前記金属膜層上の樹脂膜を樹脂膜上の前記補助樹脂膜と
共に除去し、露出した前記金属膜層の継ぎ目に補助金属
膜を形成した後、前記絶縁基板上の補助樹脂膜を除去し
て金属膜層パターンを形成する第５の工程とを具備した
リフレクタの製造方法。3. A first step of forming a metal film layer on an insulating substrate forming a reflection surface; and a second step of applying a resin on the metal film layer of the insulating substrate to form a resin film. Irradiating the resin film covering the metal film layer with a laser beam to perform a masking process for removing the resin film, wherein the laser beam irradiation section of the laser beam and the insulating substrate side are three-dimensionally driven. Controlling, irradiating the resin film covering the metal film layer to form a mask of the resin film on the metal film layer corresponding to the pattern shape; and performing a masking process in the third step. A fourth step of removing the metal film layer exposed on the insulating substrate by performing an etching process, and a resin film covering the metal film layer subjected to the etching process in the fourth step. Then, form an auxiliary resin film,
The resin film on the metal film layer and the auxiliary resin film on the resin film
Removing both , forming an auxiliary metal film at the joint of the exposed metal film layer, and then removing the auxiliary resin film on the insulating substrate to form a metal film layer pattern. Production method.
外線レーザ光であることを特徴とする請求項１乃至３の
いずれかに記載のリフレクタの製造方法。4. The method for manufacturing a reflector according to claim 1, wherein the laser light is a visible laser light or an ultraviolet laser light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22279296A JP3172100B2 (en) | 1995-08-24 | 1996-08-23 | Method of manufacturing reflector |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-215594 | 1995-08-24 | ||
| JP21559495 | 1995-08-24 | ||
| JP22279296A JP3172100B2 (en) | 1995-08-24 | 1996-08-23 | Method of manufacturing reflector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09121117A JPH09121117A (en) | 1997-05-06 |
| JP3172100B2 true JP3172100B2 (en) | 2001-06-04 |
Family
ID=26520951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22279296A Expired - Lifetime JP3172100B2 (en) | 1995-08-24 | 1996-08-23 | Method of manufacturing reflector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3172100B2 (en) |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP22279296A patent/JP3172100B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH09121117A (en) | 1997-05-06 |
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