JP3171762B2

JP3171762B2 - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP3171762B2
Application number: JP30831094A
Authority: JP
Inventors: 圭三広瀬; 一也永関
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1994-11-17
Filing date: 1994-11-17
Publication date: 2001-06-04
Anticipated expiration: 2016-06-04
Also published as: JPH08148295A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】プラズマ処理装置は、従来から例えば半
導体製造プロセスにおいては、半導体ウエハ（以下、
「ウエハ」という）などの表面処理を行うためにおいて
多く使用されているが、その中でもとりわけ所謂平行平
板型のプラズマ処理装置は、均一性に優れ、大口径ウエ
ハの処理が可能である等の長所を有し、また装置構成も
比較的簡易であるから、数多く使用されている。

【０００３】前記従来の一般的な平行平板型のプラズマ
処理装置は、処理室内の上下に電極が対向して平行に設
けられており、被処理体であるウエハは、通常下側の電
極に載置され、例えばエッチング処理の場合には、この
処理室内にエッチングガスを導入すると共に、高周波電
力を少なくとも前記いずれかの電極に印加してプラズマ
を発生させ、エッチングガスの解離によって生じたエッ
チャントイオンによって、前記ウエハをエッチングする
ように構成されている。

【０００４】ところでプラズマ処理による処理加工は、
半導体デバイスの高集積化に伴ってますます微細な加工
や、処理速度の向上が要求されている。そのため電極間
に発生させるプラズマの密度も、より高密度化すること
が必要である。

【０００５】この点に関し、例えば特開昭５７−１５９
０２６号「ドライエッチング方法」の公報には、新しい
プラズマ発生方法としてマグネトロンを用いたマグネト
ロン方式のプラズマ処理装置が開示され、また特公昭５
８−１２３４６「プラズマエッチング装置」の公報にお
いては、通常の電極以外に上下電極中間にグリッド状等
の共通アノード電極を採用した構成が開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たまずマグネトロン方式のプラズマ処理装置では、比較
的高真空で高密度のプラズマを得ることができるが、高
周波電界の周波数に比べて磁界の変化がかなり遅いの
で、磁界の変動に伴ってプラズマ状態が変化し、この変
化がイオンのエネルギーや方向性に変動を与えるため、
素子ダメージあるいは加工形状の劣化が起こるおそれが
ある。また共通アノード構成では、イオンエネルギーと
電流密度を独立に制御できるメリットはあるが、グリッ
ドを介してプラズマが拡散してしまい、ウエハに入射す
るイオン電流密度は低くなり、処理レート（例えばエッ
チングレート）が低下するおそれがある。そして高い微
細加工に伴って、高周波、高真空度雰囲気となってくる
と、電極と処理容器内壁とのインピーダンスが低下し、
プラズマがより拡散しやすい環境となってくる。

【０００７】叙上のようにプラズマが処理室内で拡散し
てしまうと、プラズマ密度の低下をもたらしてエッチン
グレートが低下し、しかも通常処理容器内の下部電極の
下方周辺空間にある部材にデポが付着して、処理容器内
に汚染原因となるパーティクルを発生させてしまうおそ
れがある。またプラズマが拡散するということは、対向
電極間の処理空間における単位体積あたりの所定のプラ
ズマを発生させるのに必要以上の電力が必要であること
を意味し、いわゆる所定密度のプラズマを発生させるた
めの電力効率がよくなかった。かかる問題を解決するに
は、プラズマを拡散させないことが有効であるが、単に
処理空間の周囲を接地電極で覆う構成では、処理容器内
に導入する処理ガスの流通を妨げ好ましくない。

【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記したようにより高微細なプラズマ処理加工を
実施する上において、比較的簡素な平行平板形式の装置
構成を採りつつプラズマの拡散を抑えて、例えばエッチ
ングレートなどの処理速度、並びに電力効率を向上させ
ると共に、デポの付着をできるだけ防止して汚染原因の
発生を抑制させることを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１によれば、処理容器に設けた排気口から処
理容器内が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上
下平行に対向して設けられた上部電極と下部電極との、
少なくとも一方の電極に高周波電力を印加して前記処理
容器内にプラズマを発生させて、前記下部電極上の被処
理体に対し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構
成されたプラズマ処理装置において、前記被処理体より
も下方でかつ前記排気口よりも上方に位置して下部電極
周囲空間の上方を覆う環状の薄板形状のプラズマ漏出防
止体を有し、このプラズマ漏出防止体は前記処理容器と
同電位であって、かつ多数のガス流通開口を具備してな
り、さらに前記高周波電力のパワーは３ｋＷ以下，前記
処理容器内のプロセス圧力は５０ｍＴｏｒｒ以下であっ
て，前記ガス流通開口の径は，２．０mm以下であること
を特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。この場
合，前記ガス流通開口の径は，１．６mm以下としてもよ
い。

【００１０】また請求項３では、プラズマの拡散防止効
果をさらに向上させるプラズマ処理装置として、内径が
被処理体の外径よりも大きい略円筒形のプラズマ漏出防
止体が上部電極と下部電極との対向空間の周囲を覆うよ
うに設けられ、このプラズマ漏出防止体は当該処理容器
と同電位であって、かつ多数のガス流通開口を具備して
なり、さらに前記高周波電力のパワーは３ｋＷ以下，前
記処理容器内のプロセス圧力は５０ｍＴｏｒｒ以下であ
って，前記ガス流通開口の径は，２．０mm以下であるこ
とを特徴とする，プラズマ処理装置が提供される。さら
に前記ガス流通開口の径は，１．６mm以下としてもよ
い。この場合、請求項５のように、前記プラズマ漏出防
止体が被処理体に対して上下動自在となるように構成し
たり、請求項６のように、前記プラズマ漏出防止体に対
して下部電極が上下動自在となるように構成してもよ
い。

【００１１】また以上の構成にかかる各プラズマ処理装
置において使用されるプラズマ漏出防止体は、例えば請
求項７のようにパンチングメタルやメッシュによって構
成してもよい。またその材質は、パーティクル発生の可
能性の少ない導体、例えば表面が酸化処理されたアルミ
ニウムやあるいはＳｉＣなどの導体、あるいはＳｉなど
の半導体を用いることができる。

【００１２】さらに前記した各プラズマ漏出防止体にお
けるガス流通開口の大きさは，処理容器内の処理圧力に
応じて決定すれば好ましく、またプラズマ漏出防止体自
体の厚さも、請求項８に記載したように、３mm以下に設
定することが好ましい。

【００１３】

【作用】請求項１に記載のプラズマ処理装置によれば、
処理容器と同電位のプラズマ漏出防止体が、被処理体よ
りも下方で排気口よりも上方に位置して下部電極周囲空
間の上方を覆っている。そしてこの種のプラズマ処理装
置における処理容器は通常接地されているので、処理容
器内に発生したプラズマは、このプラズマ漏出防止体に
よって下部電極周囲空間への拡散が防止される。従っ
て、その分プラズマ密度、電力効率も向上する。もちろ
ん処理容器内に導入された処理ガスは、ガス流通開口を
介して排気口から排気されるので、ガスの流通に支障は
ない。

【００１４】また請求項３，４では、プラズマ漏出防止
体の形状が、内径が被処理体の外径よりも大きい略円筒
形であるから、上部電極と下部電極との間の極めて狭小
な処理空間内にプラズマを閉じこめることができる。そ
して後述の実施の形態で示したように，請求項３，４の
プラズマ処理装置では，プラズマの漏出を完全に防止で
きる。

【００１５】請求項５では、プラズマ漏出防止体の形状
が、内径が被処理体の外径よりも大きい略円筒形であっ
て、しかもこのプラズマ漏出防止体は、被処理体に対し
て上下動自在となるように構成されているので、処理の
際にこのプラズマ漏出防止体を下降させて上部電極と下
部電極との間の極めて狭小な処理空間内にプラズマを閉
じこめることができる。しかも上昇も自在であるから、
例えば下部電極上に被処理体を載置したり、あるいは処
理後に処理容器外へと搬出する際に、支障なくこれを実
施することができる。また請求項６によれば、前記請求
項５の場合とは逆に、被処理体を載置する下部電極側が
上下動自在であるから、処理の際に上昇させ、被処理体
の搬出入の際に下降させることにより、前記請求項５と
同様な作用効果が得られる。

【００１６】請求項７のようにプラズマ漏出防止体にパ
ンチングメタルを用いたり、メッシュを用いれば、プラ
ズマ漏出防止体の製作や、必要な形状への成型が容易で
ある。

【００１７】請求項６によれば、処理容器内の処理圧力
に応じてガス流通開口の大きさが決定されるので、処理
に応じた最適なガス流通開口の大きさが容易に設定でき
る。

【００１８】また請求項７によれば、プラズマ漏出防止
体自体の厚さが、３mm以下に設定してあるので、ガス流
通開口を通過する際のガスコンダクタンスを小さく抑え
ることができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき説
明すると、図１は本実施例にかかるエッチング処理装置
１の断面を模式的に示しており、このエッチング処理装
置１は、例えば表面が酸化アルマイト処理されたアルミ
ニウムなどからなる円筒形状に成形された処理容器２を
有しており、この処理容器２は接地線３によって接地さ
れている。前記処理容器２内に形成される処理室内の底
部には、セラミックなどの絶縁材からなる断面略凹形の
絶縁支持材４を介して、被処理体、例えば半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）Ｗを載置するための略円柱
状の下部電極を構成するサセプタ５が設けられている。

【００２０】前記サセプタ５の内部には、平面略環状の
冷媒室６が設けられており、この冷媒室６には例えばパ
ーフルオロポリエーテルなどの温度調節用の冷媒が冷媒
導入管７を介して導入可能であり、導入された冷媒はこ
の冷媒室６内を循環し、冷媒排出管８を通じて外部に排
出される。その間生ずる冷熱は冷媒室６から前記サセプ
タ５を介して前記ウエハＷに対して伝熱され、このウエ
ハＷの処理面を所望する温度まで冷却することが可能で
ある。

【００２１】前記サセプタ５は、その上面中央部が凸状
の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電
チャック１１が設けられている。この静電チャック１１
は、２枚の高分子ポリイミド・フィルムによって導電層
１２が挟持された構成を有しており、この導電層１２に
対して、処理容器２外部に設置されている高圧直流電源
１３から、例えば１．５ｋＶの直流高電圧を印加するこ
とによって、この静電チャック１１上面に載置されたウ
エハＷは、クーロン力よってその位置で吸着保持される
ようになっている。

【００２２】そして前記静電チャック１１には、前記ウ
エハＷを昇降させるリフターピン（図示せず）用の孔並
びに、伝熱ガス供給孔１４が同心円状に形成されてい
る。また各伝熱ガス供給孔１４には、伝熱ガス供給管１
５が接続されており、所定の温度に制御された例えばＨ
ｅ（ヘリウム）ガスが、前記ウエハＷ裏面と静電チャッ
ク表面との間に形成される微小空間に供給され、前出冷
媒室６からウエハＷへの伝熱効率を高めることが可能に
なっている。

【００２３】前記サセプタ５の上端周縁部には、静電チ
ャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、環状
のフォーカスリング１６が配置されている。このフォー
カスリング１４は反応性イオンを引き寄せない絶縁性の
材質からなり、プラズマによって発生した反応性イオン
を、その内側のウエハＷにだけ効果的に入射せしめるよ
うに構成されている。

【００２４】前記サセプタ５の上方には、このサセプタ
５と平行に対向して、これより約１５〜２０ｍｍ程度離
間させた位置に、上部電極２１が、絶縁材２２を介し
て、処理容器２の上部に支持されている。この上部電極
２１は、前記サセプタ５との対向面に、多数の拡散孔２
３を有する、例えばＳｉＣ又はアモルファスカーボンか
らなる電極板２４と、この電極板２４を支持する導電性
材質、例えば表面が酸化アルマイト処理されたアルミニ
ウムからなる、電極支持体２５とによって構成されてい
る。

【００２５】前記上部電極２１における電極支持体２５
の中央にはガス導入口２６が設けられ、さらにこのガス
導入口２６には、バルブ２７を介してガス導入管２８が
接続されている。このガス導入管２８には、マスフロー
コントローラ２９を介して、所定のエッチング反応ガ
ス、例えばＣＦ₄ガスを供給する処理ガス供給源３０が
接続されている。

【００２６】一方前記処理容器２の側壁下方には排気口
４１が設けられており、さらにこの排気口４１には、タ
ーボ分子ポンプなどの排気手段４２に通ずる排気管４３
が接続されており、前記排気手段４２の作動によって、
処理容器２内は、所定の減圧雰囲気、例えば１０ｍＴｏ
ｒｒ〜２００ｍＴｏｒｒまでの任意の減圧度にまで真空
引きできるように構成されている。

【００２７】そして前記ウエハＷより下方かつ排気口４
１よりも上方の位置にて、図２に示したプラズマ漏出防
止体５１が、水平に設置されてサセプタ５の周囲空間が
覆われている。このプラズマ漏出防止体５１は、全体と
して環状の薄板形状をなし、その材質は、表面が酸化処
理されたアルミニウムからなっている。そして図２に示
したように、このプラズマ漏出防止体５１には、ガス流
通開口を構成するための多数の透孔５２が形成されてい
る。

【００２８】従って、例えばアルミニウム製のパンチン
グメタルを使用することにより、このプラズマ漏出防止
体５１は極めて容易に製作できるものとなっている。も
ちろんアルミニウム製のパンチングメタルに変えてアル
ミニウム製のメッシュを使用してもよい。また材質もア
ルミニウムに限らず、例えばＳｉＣや、さらにはＳｉを
用いることも可能である。

【００２９】また図３に示したように、前記透孔５２の
径ｄは２mm以下が好ましく、本実施例では、１．６mmに
設定してある。この透孔５２の径ｄの大きさは処理圧力
の減圧度に応じて設定することにより、最も好適なガス
コンダクタンスの抑制とプラズマの漏出防止を図ること
ができる。例えばそのように１．６mmに設定した場合、
処理容器内にプラズマを励起させる高周波電源（例えば
後述の相対的高周波電源６４）からのパワーが３ｋＷ以
下、プロセス圧力が５０ｍＴｏｒｒ以下では、プラズマ
の漏出を完全に防止できる。また径の大きさを２．０mm
に設定した場合には、プロセス圧力が５０ｍＴｏｒｒ以
下のとき、パワーが１ｋＷ以下であれば、同様にプラズ
マの漏出を完全に防止できる。なおプラズマ漏出防止体
５１の厚さＤについては、３mm以下にする方が、ガスコ
ンダクタンスを抑えて、良好な流通が可能になる。さら
に透孔５２の形成数については、本実施例では、プラズ
マ漏出防止体５１全体に対する開口率が３５％となるよ
うに設定されている。もちろんこの開口率は、プロセス
条件等に応じて適宜増減できるものである。

【００３０】かかる構成を有するプラズマ漏出防止体５
１は、その外周縁近傍を処理容器２内壁の係止突起２ａ
に、内周縁近傍を絶縁支持材４の上端部にそれぞれ載置
させ、例えば図３のように、ボルト５３によって固定さ
れる。これによってプラズマ漏出防止体５１は処理容器
２内壁と導通して、処理容器２内壁と同一電位、本実施
例では、接地されることになる。なおプラズマ漏出防止
体５１の支持に関しては、例えば導体の支柱を処理容器
２の底部に立設させ、この支柱によって支持するように
してもよい。

【００３１】前記エッチング処理装置１の処理容器２内
にプラズマを発生させるための高周波電力の印加構成
は、次のようになっている。即ち下部電極を構成するサ
セプタ５へは、整合器６１を介して、相対的低周波電源
６２から、例えば周波数が４００ｋＨｚの電力が印加さ
れ、一方上部電極２１に対しては、整合器６３を介し
て、相対的高周波電源６４から、例えば周波数が２７．
１２ＭＨｚの電力が印加されるように構成されている。

【００３２】そして以上の構成にかかるエッチング処理
装置１には、ゲートバルブ６５を介して、ロードロック
室６６が隣接しており、このロードロック室６６内に設
けられた搬送アームなどの搬送手段６７によって、被処
理体であるウエハＷは、前記処理容器２とこのロードロ
ック室６６との間で搬送される

【００３３】本実施例にかかるエッチング処理装置１は
以上のように構成されており、例えば、このエッチング
処理装置１を用いて、シリコン基板を有するウエハＷ上
のシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）のエッチングを実施する
場合について説明すると、まず被処理体であるウエハＷ
は、ゲートバルブ６５が開放された後、搬送手段６７に
よってロードロック室６６から処理容器２内へと搬入さ
れ、静電チャック１１上に載置される。そして高圧直流
電源１３の印加によって前記ウエハＷは、この静電チャ
ック１１上に吸着保持される。その後搬送手段６７がロ
ードロック室６６内へ後退したのち、処理容器２内は排
気手段４２によって真空引きされていく。

【００３４】他方バルブ２７が開放されて、マスフロー
コントローラ２９によってその流量が調整されつつ、処
理ガス供給源３０からＣＦ₄ガスが、ガス導入管２８、
ガス導入口２６を通じて上部電極２１へと導入され、さ
らに電極板２４の拡散孔２３を通じて、図１中の矢印に
示される如く、前記ウエハＷに対して均一に吐出され
る。

【００３５】そして処理容器２内の圧力は例えば５０ｍ
Ｔｏｒｒに設定、維持された後、相対的低周波電源６２
から相対的低周波がサセプタ５に、相対的高周波電源６
４から相対的高周波が上部電極２１にそれぞれ印加され
ると、これら上部電極２１とサセプタ５との間にプラズ
マが発生し、前記処理容器２内に導入されたＣＦ₄ガス
を解離させて生じたラジカル成分によって、ウエハＷ表
面のシリコンの酸化膜（ＳｉＯ₂）がエッチングされて
いく。

【００３６】かかるエッチング処理におけるプラズマ
は、その周囲から処理容器２内全体に拡散しようとする
が、既述の如く、ウエハＷの面より下方のサセプタ５の
周囲空間は、プラズマ漏出防止体５１によって覆われて
おり、しかもこのプラズマ漏出防止体５１は、処理容器
２内壁と同電位、即ち接地されているので、発生したプ
ラズマはこのプラズマ漏出防止体５１より下方に拡散す
ることはない。従って、その分プラズマ密度は向上し、
ウエハＷに対するエッチングレートは向上している。し
かも結果的に所定のプラズマ密度を得るための電力効率
も向上している。

【００３７】さらにプラズマ漏出防止体５１より下方に
はプラズマが拡散しないので、例えば排気口４１がプラ
ズマに曝されることはなく、従ってデポも付着せず、処
理容器２内を汚染することもない。

【００３８】もちろん処理容器２内の処理ガスはプラズ
マ漏出防止体５１の透孔５２を通過することができるの
で、排気や、処理容器２内の所定の減圧雰囲気の維持に
支障をきたさない。

【００３９】前記実施例にかかるエッチング処理装置１
においては、プラズマ漏出防止体５１の形状が環状の円
板形状であり、それによってウエハＷの面より下方のサ
セプタ５の周囲空間へのプラズマの拡散を防止するよう
にしていたが、これに代えて例えば図４に示した略円筒
形のプラズマ漏出防止体７１を用いて、プラズマの拡散
をさらに抑制し、プラズマ密度の向上を図ることも可能
である。

【００４０】前記プラズマ漏出防止体７１は、その材質
並びに透孔７２の大きさ、厚さ、全体の開口率は前出プ
ラズマ漏出防止体５１と同一に設定してあり、かかる構
成からなるプラズマ漏出防止体７１は、図５に示した第
２実施例にかかるエッチング処理装置７３に使用でき
る。なお図５中、前出第１実施例にかかるエッチング処
理装置１における部材番号と同一の番号で示される部材
は、同一の部材構成を表している。

【００４１】そしてこのエッチング処理装置７３の処理
容器７４の上部で、上部電極２１を支持している絶縁材
２２の外周に、前記プラズマ漏出防止体７１を取り付
け、さらに前記プラズマ漏出防止体７１の上端部を処理
容器７４と接触させ、このプラズマ漏出防止体７１を処
理容器２と同一電位、即ち本実施例においても接地させ
る。

【００４２】一方下部電極を構成するサセプタ７５につ
いては、モータなどの駆動機構７６の昇降シャフト７７
によって上下動自在に構成し、この昇降シャフト７７の
周囲空間は、ベローズ７８によって、サセプタ７５の外
周空間と気密に遮断されている。そしてエッチング処理
においてサセプタ７５を上昇させた場合、図５に示した
ように、プラズマ漏出防止体７１の下端面が、サセプタ
７５と接触しない範囲で近接させるように設定する。

【００４３】なお処理容器７４とロードロック室６６と
を結ぶゲートバルブ７９の設定位置（高さ）は、前出第
１実施例におけるエッチング処理装置１の場合よりも下
げられており、サセプタ７５を下降させたときに、プラ
ズマ漏出防止体７１の下端面の下方にてウエハＷの搬送
が可能なように設定されている。

【００４４】以上の構成にかかるエッチング処理装置７
３においては、エッチング処理時においては、図５に示
したように、処理空間となる上部電極２１とサセプタ７
５との対向空間の周囲が、略円筒形のプラズマ漏出防止
体７１によって覆われているので、発生したプラズマ
は、当該対向空間から拡散することはない。従って、前
出第１実施例におけるエッチング処理装置１の場合より
もさらにプラズマ密度を向上させることが可能である。
そしてそれに伴ってエッチングレートはさらに向上し、
また所定のプラズマ密度を得るための電力効率も極めて
良好である。さらにまた処理容器７４内壁とプラズマ漏
出防止体７１との間に存在する各種部材、例えばゲート
バルブ７９の出入口もプラズマに曝されることはないの
で、デポ付着箇所はさらに低減し、処理容器７４内の汚
染防止がさらに図れる。

【００４５】なおこのエッチング処理装置７３において
は、サセプタ７５の方を上下動作せる構成を採ったが、
これに代えて上部電極２１側をサセプタ７５に対して上
下動させる構成を採っても、第２実施例と全く同様な作
用効果が得られる。

【００４６】また前記した各実施例は、いずれも被処理
体が半導体ウエハの場合について説明したが、それに限
らず本発明は、例えばＬＣＤ基板を処理対象とする装置
構成とすることも可能である。また前出各実施例は、上
下電極に高周波電力を印加する構成であったが、いずれ
か一方に印加する構成のプラズマ処理装置においても適
用可能である。

【００４７】

【発明の効果】請求項１〜７に記載の発明によれば、処
理容器内に導入される処理ガスの排気を損ねることな
く、プラズマ密度、電力効率も向上させることができ
る。しかもプラズマ漏出防止体と排気口との間の空間内
へのプラズマの侵入を完全に防止したり、あるいは従来
よりも大きくこれを抑えることができるので、当該空間
内に存在する各種部材にデポが付着することを抑制する
ことが可能である。また特に請求項２、３、４に記載の
プラズマ処理装置は、請求項１の場合よりもプラズマ密
度がさらに向上する。

【００４８】請求項７に記載のプラズマ処理装置によれ
ば、プラズマ漏出防止体の製作、成型が容易であり、ま
た請求項８によれば、排気の際のガスコンダクタンスを
小さく抑えることができるので、ガスの流通性が良好で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例にかかるエッチング処理装
置の断面説明図である。

【図２】図１のエッチング処理装置に使用したプラズマ
漏出防止体の斜視図である。

【図３】図２のプラズマ漏出防止体と処理容器内壁との
固定の様子を示す要部断面図である。

【図４】本発明の第２実施例にかかるエッチング処理装
置に使用したプラズマ漏出防止体の斜視図である。

【図５】本発明の第２実施例にかかるエッチング処理装
置の断面説明図である。

【符号の説明】

１エッチング処理装置２処理容器５サセプタ２１上部電極４１排気口４２排気手段５１プラズマ漏出防止体５２透孔６２相対的低周波電源６４相対的高周波電源Ｗウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05H 1/46 C23F 4/00 H01L 21/3065 C23C 16/50

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】処理容器に設けた排気口から処理容器内
が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上下平行に
対向して設けられた上部電極と下部電極との、少なくと
も一方の電極に高周波電力を印加して前記処理容器内に
プラズマを発生させて、前記下部電極上の被処理体に対
し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構成された
プラズマ処理装置において、前記被処理体よりも下方でかつ前記排気口よりも上方に
位置して下部電極周囲空間の上方を覆う環状の薄板形状
のプラズマ漏出防止体を有し、このプラズマ漏出防止体
は前記処理容器と同電位であって、かつ多数のガス流通
開口を具備してなり、さらに前記高周波電力のパワーは３ｋＷ以下，前記処理
容器内のプロセス圧力は５０ｍＴｏｒｒ以下であって，
前記ガス流通開口の径は，２．０mm以下であることを特
徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項２】前記ガス流通開口の径は，１．６mm以下
であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処
理装置。
【請求項３】処理容器に設けた排気口から処理容器内
が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上下平行に
対向して設けられた上部電極と下部電極との、少なくと
も一方の電極に高周波電力を印加して前記処理容器内に
プラズマを発生させて、前記下部電極上の被処理体に対
し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構成された
プラズマ処理装置において、内径が被処理体の外径よりも大きい略円筒形のプラズマ
漏出防止体が上部電極と下部電極との対向空間の周囲を
覆うように設けられ、このプラズマ漏出防止体は当該処
理容器と同電位であって、かつ多数のガス流通開口を具
備してなり、さらに前記高周波電力のパワーは３ｋＷ以下，前記処理
容器内のプロセス圧力は５０ｍＴｏｒｒ以下であって，
前記ガス流通開口の径は，２．０mm以下であることを特
徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項４】前記ガス流通開口の径は，１．６mm以下
であることを特徴とする，請求項３に記載のプラズマ処
理装置。
【請求項５】前記プラズマ漏出防止体は被処理体に対
して上下動自在となるように構成されていることを特徴
とする、請求項３又は４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】前記プラズマ漏出防止体に対して下部電
極が上下動自在となるように構成されていることを特徴
とする、請求項３又は４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】前記プラズマ漏出防止体はパンチングメ
タル又はメッシュからなることを特徴とする、請求項
１、２、３，４，５又は６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】プラズマ漏出防止体の厚さは３mm以下で
あることを特徴とする、請求項１、２、３、４、５，６
又は７に記載のプラズマ処理装置。