JP3169917B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報処理、光計
測、光通信等に用いる半導体レーザ装置に関するもので
ある。
測、光通信等に用いる半導体レーザ装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置を図６に示した
断面図を参照して説明する。
断面図を参照して説明する。
【０００３】この構造は、素子固定台１の一側面の上方
にヒートシンク２を固定し、この上に半導体レーザチッ
プ（以後レーザチップと記す）３を固定し、レーザチッ
プ３の発光面とヒートシンク２の側面および素子固定台
１の上面を揃えるとともに、レーザチップ３の発光面と
は反対側にレーザ出力光検出用フォトダイオード４が載
置され、素子固定台１の上面に信号検出用フォトダイオ
ード５が載置されたものである。
にヒートシンク２を固定し、この上に半導体レーザチッ
プ（以後レーザチップと記す）３を固定し、レーザチッ
プ３の発光面とヒートシンク２の側面および素子固定台
１の上面を揃えるとともに、レーザチップ３の発光面と
は反対側にレーザ出力光検出用フォトダイオード４が載
置され、素子固定台１の上面に信号検出用フォトダイオ
ード５が載置されたものである。
【０００４】次に、この構造の動作を説明する。レーザ
チップ３から図面の上方に出射された出射光６は、対象
物に反射されて反射光７として信号検出用フォトダイオ
ード５に入力され、信号処理される。一方、レーザチッ
プ３の出射光面の反対側から出射されるレーザ光は、レ
ーザ出力光検出用フォトダイオード４に入力され、レー
ザ光の強弱に対応した電流信号に変換される。この信号
をレーザチップ駆動回路にフィードバックさせてレーザ
光の出力を安定に制御する。
チップ３から図面の上方に出射された出射光６は、対象
物に反射されて反射光７として信号検出用フォトダイオ
ード５に入力され、信号処理される。一方、レーザチッ
プ３の出射光面の反対側から出射されるレーザ光は、レ
ーザ出力光検出用フォトダイオード４に入力され、レー
ザ光の強弱に対応した電流信号に変換される。この信号
をレーザチップ駆動回路にフィードバックさせてレーザ
光の出力を安定に制御する。
【０００５】この従来の構成では、信号検出用フォトダ
イオード５とレーザ出力光検出用フォトダイオード４は
素子固定台１に対して水平と水平に近い面内に固定させ
るのに対して、レーザチップ３は垂直面内に固定しなけ
ればならないので、組立作業効率が悪く、位置合わせ精
度に大きな問題があった。
イオード５とレーザ出力光検出用フォトダイオード４は
素子固定台１に対して水平と水平に近い面内に固定させ
るのに対して、レーザチップ３は垂直面内に固定しなけ
ればならないので、組立作業効率が悪く、位置合わせ精
度に大きな問題があった。
【０００６】この問題を解決する構造として、図７の断
面図に示すような半導体レーザ装置がある。
面図に示すような半導体レーザ装置がある。
【０００７】この構造は、（１００）面のシリコン基板
８に、両側の斜面が（１１１）面により形成されるＶ状
の溝が形成され、同溝の斜面のうち一方の面をレーザ出
射光を反射させる反射ミラー面９とし、これに対向する
面側のシリコン基板８の主面を他方の主面に対して低く
し、低くしたシリコン基板の主面とＶ状の溝の斜面とが
交わる稜線にレーザチップ３のレーザ光が出射される前
方端面が平行になるようにレーザチップ３が固定された
ものである。
８に、両側の斜面が（１１１）面により形成されるＶ状
の溝が形成され、同溝の斜面のうち一方の面をレーザ出
射光を反射させる反射ミラー面９とし、これに対向する
面側のシリコン基板８の主面を他方の主面に対して低く
し、低くしたシリコン基板の主面とＶ状の溝の斜面とが
交わる稜線にレーザチップ３のレーザ光が出射される前
方端面が平行になるようにレーザチップ３が固定された
ものである。
【０００８】この構造によれば、レーザチップ３より水
平方向に出射された出射光を反射ミラー面９で反射させ
て、ほぼ上方へ取り出すことができる。これにより、信
号検出用フォトダイオード（図示せず）やレーザ出力光
検出用フォトダイオード（図示せず）をシリコン基板８
の主面に載置することができ、位置合わせ精度を上げる
ことができる。
平方向に出射された出射光を反射ミラー面９で反射させ
て、ほぼ上方へ取り出すことができる。これにより、信
号検出用フォトダイオード（図示せず）やレーザ出力光
検出用フォトダイオード（図示せず）をシリコン基板８
の主面に載置することができ、位置合わせ精度を上げる
ことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】（１００）面のシリコ
ン基板８に、斜面が（１１１）面により形成されるＶ状
の溝を形成した場合、溝の反射ミラー面９とシリコン基
板８の表面に対する傾きθが約５５°となるため、出射
光の中心軸はシリコン基板主面の垂直方向より約２０°
傾いてしまうという問題点があった。
ン基板８に、斜面が（１１１）面により形成されるＶ状
の溝を形成した場合、溝の反射ミラー面９とシリコン基
板８の表面に対する傾きθが約５５°となるため、出射
光の中心軸はシリコン基板主面の垂直方向より約２０°
傾いてしまうという問題点があった。
【００１０】また、各種用途のフォトダイオードをシリ
コン基板上に載置しなければならず、組立工程が複雑に
なるという問題点があった。
コン基板上に載置しなければならず、組立工程が複雑に
なるという問題点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、〈１１０〉方向を軸として５〜１５゜のオフアン
グルを有する（１００）面のシリコン基板の上に、両側
の斜面が（１１１）面により形成された台形状の溝もし
くは４つの（１１１）面に囲まれた四角錐台状の凹部が
形成され、前記（１１１）面のうち前記シリコン基板表
面に対する傾きが４５°に近い面をレーザ光を反射させ
る反射ミラー面とし、この反射ミラー面に対向する面の
上端稜線に対して半導体レーザチップの前方端面が平行
になるように前記半導体レーザチップが前記シリコン基
板に固定されるものである。
置は、〈１１０〉方向を軸として５〜１５゜のオフアン
グルを有する（１００）面のシリコン基板の上に、両側
の斜面が（１１１）面により形成された台形状の溝もし
くは４つの（１１１）面に囲まれた四角錐台状の凹部が
形成され、前記（１１１）面のうち前記シリコン基板表
面に対する傾きが４５°に近い面をレーザ光を反射させ
る反射ミラー面とし、この反射ミラー面に対向する面の
上端稜線に対して半導体レーザチップの前方端面が平行
になるように前記半導体レーザチップが前記シリコン基
板に固定されるものである。
【００１２】この構成によれば、シリコン基板の主面が
（１００）面より５〜１５゜のオフアングルを設けた面
になっているため、（１１１）面により形成された台形
状の溝もしくは四角錐台状の凹部の反射ミラー面とシリ
コン基板の主面との角度θを４０゜≦θ≦５０゜の範囲
にすることができる。このためレーザチップから出射さ
れたレーザ光は反射ミラー面で反射された後のレーザ光
の中心軸をシリコン基板主面に対してほぼ垂直方向にす
ることができる。
（１００）面より５〜１５゜のオフアングルを設けた面
になっているため、（１１１）面により形成された台形
状の溝もしくは四角錐台状の凹部の反射ミラー面とシリ
コン基板の主面との角度θを４０゜≦θ≦５０゜の範囲
にすることができる。このためレーザチップから出射さ
れたレーザ光は反射ミラー面で反射された後のレーザ光
の中心軸をシリコン基板主面に対してほぼ垂直方向にす
ることができる。
【００１３】また、溝を台形状もしくは凹部を四角錐台
状にするため、底に平坦面が形成され、レーザチップか
ら出射された正規光とは別のもれた迷光をこの底の平坦
面により正規光とは別の方向に反射分離させることがで
きる。なお、迷光が正規光に含まれると光干渉が生じて
光システムの特性を大幅に劣化させる。
状にするため、底に平坦面が形成され、レーザチップか
ら出射された正規光とは別のもれた迷光をこの底の平坦
面により正規光とは別の方向に反射分離させることがで
きる。なお、迷光が正規光に含まれると光干渉が生じて
光システムの特性を大幅に劣化させる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１５】（実施の形態１）本発明の半導体レーザ装
置の第１の実施の形態を図１に示した斜視図と断面図を
参照して説明する。
置の第１の実施の形態を図１に示した斜視図と断面図を
参照して説明する。
【００１６】これは、〈１１０〉方向を回転軸として約
１０゜のオフアングルを持たせた（１００）面のシリコ
ン基板１０上に両側の斜面が（１１１）面により形成さ
れるＶ状の溝（以後Ｖ溝と記す）１１が形成され、これ
らの斜面のうちシリコン基板１０の表面に対する傾きθ
が４５゜に近い方の面を反射ミラー面１２とし、この面
に対向する面の溝上端稜線に対して半導体レーザチップ
１３の前方端面が平行になるようにシリコン基板１０の
表面にレーザチップ１３を固定した構造である。なお、
反射ミラー面１２の表面には３０００〜５０００Åの金
薄膜１４が形成されており、ミラーの反射率は９０％以
上になっている。また、レーザチップ１３は発光部が下
側になるようにはんだ材で固定されている。
１０゜のオフアングルを持たせた（１００）面のシリコ
ン基板１０上に両側の斜面が（１１１）面により形成さ
れるＶ状の溝（以後Ｖ溝と記す）１１が形成され、これ
らの斜面のうちシリコン基板１０の表面に対する傾きθ
が４５゜に近い方の面を反射ミラー面１２とし、この面
に対向する面の溝上端稜線に対して半導体レーザチップ
１３の前方端面が平行になるようにシリコン基板１０の
表面にレーザチップ１３を固定した構造である。なお、
反射ミラー面１２の表面には３０００〜５０００Åの金
薄膜１４が形成されており、ミラーの反射率は９０％以
上になっている。また、レーザチップ１３は発光部が下
側になるようにはんだ材で固定されている。
【００１７】この構造により、レーザチップ１３から水
平方向に出射されたレーザ光のうち約半分は光路１５に
示すように反射ミラーで反射されて垂直あるいは垂直方
向に近い方向へ進み、出力光として取り出される。
平方向に出射されたレーザ光のうち約半分は光路１５に
示すように反射ミラーで反射されて垂直あるいは垂直方
向に近い方向へ進み、出力光として取り出される。
【００１８】なお、実施の形態ではＶ溝について説明し
たがＶ溝の頂点を平坦にして台形状の溝にしてもよい。
この場合には、迷光を正規光より分離させることができ
るため、光干渉をなくし、光システムの特性を向上させ
ることができる。
たがＶ溝の頂点を平坦にして台形状の溝にしてもよい。
この場合には、迷光を正規光より分離させることができ
るため、光干渉をなくし、光システムの特性を向上させ
ることができる。
【００１９】また、シリコン基板の表面として約１０゜
のオフアングルを持たせた（１００）面を使用したが、
実際使用上５〜１５゜のオフアングルを有する（１０
０）面のものでもよい。このとき反射ミラー面のシリコ
ン基板の表面に対する傾きθを４０゜≦θ≦５０゜の範
囲におさえることができる。なお、このことは後に述べ
る他の実施の形態においても同じことが言える。
のオフアングルを持たせた（１００）面を使用したが、
実際使用上５〜１５゜のオフアングルを有する（１０
０）面のものでもよい。このとき反射ミラー面のシリコ
ン基板の表面に対する傾きθを４０゜≦θ≦５０゜の範
囲におさえることができる。なお、このことは後に述べ
る他の実施の形態においても同じことが言える。
【００２０】（実施の形態２）次に、本発明の半導体レ
ーザ装置の第２の実施の形態について図２に示した斜視
図を参照して説明する。
ーザ装置の第２の実施の形態について図２に示した斜視
図を参照して説明する。
【００２１】これは、図１で説明したオフアングルを設
けた（１００）面のシリコン基板１０の上に４つの（１
１１）面に囲まれた四角錐状の凹部１６が形成され、前
記４つの（１１１）面のうち前記シリコン基板表面に対
する傾きが４５°に一番近い方の面をレーザ光を反射さ
せる反射ミラー面１７とし、この面に向い合う面の四角
錐状凹部１６の上端稜線１８に対してレーザチップ１３
の前方端面が平行になるようにレーザチップ１３がシリ
コン基板１０に固定された構造である。なお、反射ミラ
ー面１７やレーザチップ１３の構造は図１で示した通り
である。
けた（１００）面のシリコン基板１０の上に４つの（１
１１）面に囲まれた四角錐状の凹部１６が形成され、前
記４つの（１１１）面のうち前記シリコン基板表面に対
する傾きが４５°に一番近い方の面をレーザ光を反射さ
せる反射ミラー面１７とし、この面に向い合う面の四角
錐状凹部１６の上端稜線１８に対してレーザチップ１３
の前方端面が平行になるようにレーザチップ１３がシリ
コン基板１０に固定された構造である。なお、反射ミラ
ー面１７やレーザチップ１３の構造は図１で示した通り
である。
【００２２】この構造により、レーザチップ１３から水
平方向に出射されたレーザ光のうち約半分は光路１９に
示すように反射ミラー面１７で反射されて垂直あるいは
垂直に近い方向へ進み、出力光として取り出される。
平方向に出射されたレーザ光のうち約半分は光路１９に
示すように反射ミラー面１７で反射されて垂直あるいは
垂直に近い方向へ進み、出力光として取り出される。
【００２３】なお、実施の形態では四角錐状の凹部で説
明したが、この凹部の頂点を平坦にして四角錐台状の形
にしてもよい。この場合には、迷光を正規光より分離さ
せることができるため、光干渉をなくし、光システムの
特性を向上させることができる。
明したが、この凹部の頂点を平坦にして四角錐台状の形
にしてもよい。この場合には、迷光を正規光より分離さ
せることができるため、光干渉をなくし、光システムの
特性を向上させることができる。
【００２４】（実施の形態３）次に、本発明の半導体レ
ーザ装置の第３の実施の形態について図３に示した断面
図を参照して説明する。
ーザ装置の第３の実施の形態について図３に示した断面
図を参照して説明する。
【００２５】これは、〈１１０〉方向を回転軸として約
１０゜のオフアングルを持たせた（１００）面のＰ型シ
リコン基板２０上に、図１で示したＶ溝あるいは図２で
示した四角錐の凹部が形成され、このＶ溝あるいは凹部
のシリコン基板２０の表面に対する傾きが４５゜に一番
近い方の面をレーザ光を反射させる反射ミラー面２１と
し、この面のＰ型シリコン基板２０側にｎ型の拡散領域
２２が形成され、反射ミラー面２１の上に絶縁用の酸化
シリコン膜２３と金薄膜２４が積層され、反射ミラー面
２１に対向する面の上端稜線に対してレーザチップ１３
の前方端面が平行になるようにレーザチップ１３がシリ
コン基板２０に固定された構造である。
１０゜のオフアングルを持たせた（１００）面のＰ型シ
リコン基板２０上に、図１で示したＶ溝あるいは図２で
示した四角錐の凹部が形成され、このＶ溝あるいは凹部
のシリコン基板２０の表面に対する傾きが４５゜に一番
近い方の面をレーザ光を反射させる反射ミラー面２１と
し、この面のＰ型シリコン基板２０側にｎ型の拡散領域
２２が形成され、反射ミラー面２１の上に絶縁用の酸化
シリコン膜２３と金薄膜２４が積層され、反射ミラー面
２１に対向する面の上端稜線に対してレーザチップ１３
の前方端面が平行になるようにレーザチップ１３がシリ
コン基板２０に固定された構造である。
【００２６】なお、金薄膜２４の膜厚を５００〜１００
０Åとして半透過膜とし、レーザ光の一部がＰ型シリコ
ン基板２０とｎ型拡散領域２２とで構成されたフォトダ
イオードに入射される構造である。
０Åとして半透過膜とし、レーザ光の一部がＰ型シリコ
ン基板２０とｎ型拡散領域２２とで構成されたフォトダ
イオードに入射される構造である。
【００２７】この構造により、レーザチップ１３から水
平方向に出射されたレーザ光は、一部は金薄膜２４で形
成された半透過膜を通過してフォトダイオードに入射さ
れ、残りは半透過膜で反射されて光路２５に示すように
垂直あるいは垂直に近い方向に進み、出力光として取り
出される。
平方向に出射されたレーザ光は、一部は金薄膜２４で形
成された半透過膜を通過してフォトダイオードに入射さ
れ、残りは半透過膜で反射されて光路２５に示すように
垂直あるいは垂直に近い方向に進み、出力光として取り
出される。
【００２８】なお、フォトダイオードに入射された光
は、その光強度に応じて電流信号に変換され、この電流
信号がレーザチップ駆動回路に帰還されてレーザ光の出
力を一定にさせるのに使用される。
は、その光強度に応じて電流信号に変換され、この電流
信号がレーザチップ駆動回路に帰還されてレーザ光の出
力を一定にさせるのに使用される。
【００２９】（実施の形態４）次に本発明の半導体レー
ザ装置の第４の実施の形態について図４に示した断面図
を参照して説明する。
ザ装置の第４の実施の形態について図４に示した断面図
を参照して説明する。
【００３０】これは、〈１１０〉方向を回転軸として約
１０゜のオフアングルを持たせた（１００）面のＰ型シ
リコン基板２０上に、図１で示したＶ溝あるいは図２で
示した四角錐の凹部が形成され、このＶ溝あるいは凹部
のシリコン基板２０の表面に対する傾きが４５゜に一番
近い方の面をレーザ光を反射させる反射ミラー面２１と
し、この面に対向する面の上端稜線に対してレーザチッ
プ１３の前方端面が平行になるようにレーザチップ１３
がシリコン基板２０に固定され、レーザチップ１３の後
方のＰ型シリコン基板２０上にｎ型拡散領域２６が形成
された構造である。
１０゜のオフアングルを持たせた（１００）面のＰ型シ
リコン基板２０上に、図１で示したＶ溝あるいは図２で
示した四角錐の凹部が形成され、このＶ溝あるいは凹部
のシリコン基板２０の表面に対する傾きが４５゜に一番
近い方の面をレーザ光を反射させる反射ミラー面２１と
し、この面に対向する面の上端稜線に対してレーザチッ
プ１３の前方端面が平行になるようにレーザチップ１３
がシリコン基板２０に固定され、レーザチップ１３の後
方のＰ型シリコン基板２０上にｎ型拡散領域２６が形成
された構造である。
【００３１】Ｐ型シリコン基板２０とｎ型拡散領域２６
で形成されるフォトダイオードは、レーザチップ１３の
後端面から出射されたレーザ光を受光し、その光強度に
応じて変換した電流信号を発生させる。この電流信号を
レーザチップ駆動回路に帰還させて、レーザチップ１３
の前端面から出射されるレーザ光の強度を一定にさせる
モニタ用として利用される。
で形成されるフォトダイオードは、レーザチップ１３の
後端面から出射されたレーザ光を受光し、その光強度に
応じて変換した電流信号を発生させる。この電流信号を
レーザチップ駆動回路に帰還させて、レーザチップ１３
の前端面から出射されるレーザ光の強度を一定にさせる
モニタ用として利用される。
【００３２】なお、レーザチップ１３の前端面から水平
方向に出射されたレーザ光は、金薄膜が被覆された反射
ミラー面２１で反射されて垂直あるいは垂直に近い方向
に進み、出力光として取り出される。
方向に出射されたレーザ光は、金薄膜が被覆された反射
ミラー面２１で反射されて垂直あるいは垂直に近い方向
に進み、出力光として取り出される。
【００３３】なお、２７はレーザチップ１３後端面より
出射されたレーザ光の光路、２８はレーザチップ１３前
端面より出射されたレーザ光の光路を示す。
出射されたレーザ光の光路、２８はレーザチップ１３前
端面より出射されたレーザ光の光路を示す。
【００３４】（実施の形態５）次に、本発明の半導体レ
ーザ装置の第５の実施の形態について図５に示した斜視
図を参照して説明する。
ーザ装置の第５の実施の形態について図５に示した斜視
図を参照して説明する。
【００３５】この構造は、〈１１０〉方向を回転軸とし
て約１０゜のオフアングルを持たせた（１００）面のＰ
型シリコン基板２０上に両側の斜面が（１１１）面によ
り形成されるＶ溝１１が形成され、これらの斜面のうち
シリコン基板２０の表面に対する傾きが４５゜に近い方
の面を反射ミラー面１２とし、この面に対向する面の溝
上端稜線に対してレーザチップ１３の前方端面が平行に
なるようにシリコン基板２０の表面にレーザチップ１３
が固定され、レーザチップ１３の後方にｎ型拡散領域を
形成することによりレーザ出力光検出用フォトダイオー
ド２９が形成され、さらにシリコン基板２０上に信号検
出用フォトダイオード３０が形成されたものである。
て約１０゜のオフアングルを持たせた（１００）面のＰ
型シリコン基板２０上に両側の斜面が（１１１）面によ
り形成されるＶ溝１１が形成され、これらの斜面のうち
シリコン基板２０の表面に対する傾きが４５゜に近い方
の面を反射ミラー面１２とし、この面に対向する面の溝
上端稜線に対してレーザチップ１３の前方端面が平行に
なるようにシリコン基板２０の表面にレーザチップ１３
が固定され、レーザチップ１３の後方にｎ型拡散領域を
形成することによりレーザ出力光検出用フォトダイオー
ド２９が形成され、さらにシリコン基板２０上に信号検
出用フォトダイオード３０が形成されたものである。
【００３６】この構成により、レーザチップ１３の前端
面から水平方向に出射されたレーザ光は、金薄膜が被覆
された反射ミラー面１２で反射されて光路１５に示すよ
うに垂直あるいは垂直に近い方向に進み、出力光として
取り出される。この出力光が対象物で反射された信号光
３１は、信号検出用フォトダイオード３０に入力され、
信号処理される。一方、レーザチップ１３の後端面より
出射されたレーザ光は、レーザ出力光検出用フォトダイ
オード２９に入力され、光強度に応じた電流信号に変換
される。この電流信号がレーザチップ駆動回路に帰還さ
れて、レーザチップの前端面より出射されたレーザ光の
出力を一定にさせるのに利用される。
面から水平方向に出射されたレーザ光は、金薄膜が被覆
された反射ミラー面１２で反射されて光路１５に示すよ
うに垂直あるいは垂直に近い方向に進み、出力光として
取り出される。この出力光が対象物で反射された信号光
３１は、信号検出用フォトダイオード３０に入力され、
信号処理される。一方、レーザチップ１３の後端面より
出射されたレーザ光は、レーザ出力光検出用フォトダイ
オード２９に入力され、光強度に応じた電流信号に変換
される。この電流信号がレーザチップ駆動回路に帰還さ
れて、レーザチップの前端面より出射されたレーザ光の
出力を一定にさせるのに利用される。
【００３７】この構造によれば、レーザ出力光検出用フ
ォトダイオード２９と信号検出用フォトダイオード３０
を同一基板上に形成しているので小型に集積化すること
ができる。
ォトダイオード２９と信号検出用フォトダイオード３０
を同一基板上に形成しているので小型に集積化すること
ができる。
【００３８】なお、実施の形態ではレーザ出力光検出用
と信号検出用のフォトダイオードを示したが、これに限
られることはなく、フォトダイオードから得られる信号
の増幅回路、レーザチップの駆動回路および光信号処理
回路等を同一基板上に形成することができる。
と信号検出用のフォトダイオードを示したが、これに限
られることはなく、フォトダイオードから得られる信号
の増幅回路、レーザチップの駆動回路および光信号処理
回路等を同一基板上に形成することができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置によれば、
〈１１０〉方向を軸として５〜１５゜のオフアングルを
有する（１００）面のシリコン基板を用いて、（１１
１）面により形成される台形状の溝あるいは四角錐台状
の凹部を形成するので、この（１１１）面のうち一つは
シリコン基板の表面に対する傾きが約４５°となり、こ
の面を反射ミラー面とすることができる。この結果、レ
ーザチップから水平方向に出射されたレーザ光は反射ミ
ラー面で反射されて、ほぼ垂直方向に取り出すことがで
き、出射方向の位置合わせが簡単となる。
〈１１０〉方向を軸として５〜１５゜のオフアングルを
有する（１００）面のシリコン基板を用いて、（１１
１）面により形成される台形状の溝あるいは四角錐台状
の凹部を形成するので、この（１１１）面のうち一つは
シリコン基板の表面に対する傾きが約４５°となり、こ
の面を反射ミラー面とすることができる。この結果、レ
ーザチップから水平方向に出射されたレーザ光は反射ミ
ラー面で反射されて、ほぼ垂直方向に取り出すことがで
き、出射方向の位置合わせが簡単となる。
【００４０】また、溝を台形状もしくは凹部を四角錐台
状にしているため、底に平坦面が形成されるので、レー
ザチップから出射された正規光とは別のもれた迷光をこ
の底の平坦面により正規光とは別の方向に反射分離させ
ることができるので、正規光に迷光が含まれることがな
いので光干渉がなくなり、光システムの特性を向上させ
ることができる。
状にしているため、底に平坦面が形成されるので、レー
ザチップから出射された正規光とは別のもれた迷光をこ
の底の平坦面により正規光とは別の方向に反射分離させ
ることができるので、正規光に迷光が含まれることがな
いので光干渉がなくなり、光システムの特性を向上させ
ることができる。
【図１】本発明の半導体レーザ装置のＶ溝を有する場合
の斜視図と断面図
の斜視図と断面図
【図２】本発明の半導体レーザ装置の四角錐状の凹部を
有する場合の斜視図
有する場合の斜視図
【図３】反射ミラー面側にフォトダイオードが形成され
た本発明の半導体レーザ装置の断面図
た本発明の半導体レーザ装置の断面図
【図４】レーザチップの後方にフォトダイオードが形成
された本発明の半導体レーザ装置の断面図
された本発明の半導体レーザ装置の断面図
【図５】レーザチップを載置するシリコン基板上に各種
素子が形成された本発明の半導体レーザ装置の斜視図
素子が形成された本発明の半導体レーザ装置の斜視図
【図６】レーザチップが固定台に設置された従来の半導
体レーザ装置の断面図
体レーザ装置の断面図
【図７】レーザチップがシリコン基板に設置された従来
の半導体レーザ装置の断面図
の半導体レーザ装置の断面図
１０ シリコン基板 １１ Ｖ状の溝（Ｖ溝） １２、１７、２１ 反射ミラー面 １３ 半導体レーザチップ １４、２４ 金薄膜 １５、１９、２５ 光路 １６ 四角錐状凹部 １８ 反射ミラー面に向い合う面の四角錐状凹部の上端
稜線 ２０ Ｐ型シリコン基板 ２２、２６ ｎ型拡散領域 ２３ 酸化シリコン膜 ２７ レーザチップ後端面より出射されたレーザ光の光
路 ２８ レーザチップ前端面より出射されたレーザ光の光
路 ２９ レーザ出力光検出用フォトダイオード ３０ 信号検出用フォトダイオード ３１ 信号光
稜線 ２０ Ｐ型シリコン基板 ２２、２６ ｎ型拡散領域 ２３ 酸化シリコン膜 ２７ レーザチップ後端面より出射されたレーザ光の光
路 ２８ レーザチップ前端面より出射されたレーザ光の光
路 ２９ レーザ出力光検出用フォトダイオード ３０ 信号検出用フォトダイオード ３１ 信号光
フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼川 昭男 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (72)発明者 清水 裕一 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−42981（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−23163（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−153360（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭56−96665（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 G11B 7/125 G11B 7/135
Claims (1)
- 【請求項１】 ＜１１０＞方向を軸として５°〜１５°
のオフアングルを有する（１００）面のシリコン基板の
上に、両側の斜面が（１１１）面により形成された台形
状の溝あるいは４つの（１１１）面に囲まれた四角錐台
状の凹部が形成され、前記（１１１）面のうち前記シリ
コン基板表面に対する傾きが４５°に近い面をレーザ光
を反射させる反射ミラー面とし、同反射ミラー面に対向
する面の上端稜線に対して半導体レーザチップの前方端
面がほぼ平行になるように前記半導体レーザチップが前
記シリコン基板に固定されたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35894698A JP3169917B2 (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35894698A JP3169917B2 (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 半導体レーザ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2282175A Division JP2892812B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11261172A JPH11261172A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3169917B2 true JP3169917B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=18461942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35894698A Expired - Fee Related JP3169917B2 (ja) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3169917B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6920168B1 (en) * | 2000-02-22 | 2005-07-19 | Triquint Technology Holding Co. | Optical assembly |
| JP3614746B2 (ja) | 2000-03-01 | 2005-01-26 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| KR100820023B1 (ko) | 2007-03-19 | 2008-04-08 | 김정수 | 경사 거울의 제조방법 |
| JP6851550B2 (ja) * | 2018-06-13 | 2021-03-31 | 三菱電機株式会社 | 光素子の調芯方法 |
-
1998
- 1998-12-17 JP JP35894698A patent/JP3169917B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11261172A (ja) | 1999-09-24 |
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