JP3167625B2 - 基板のウェット洗浄方法 - Google Patents
基板のウェット洗浄方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板のウェット洗
浄方法に関し、さらに詳細には、半導体基板、液晶素子
用ガラス基板、カラーフィルタ基板などのような各種の
基板の洗浄方法に関し、特に、半導体、液晶素子、カラ
ーフィルタなどの製造工程において、不良の原因となる
各種の基板上のゴミや汚れのような有機物や無機物の付
着物（以下、単に「付着物」と称する。）を除去する基
板のウェット洗浄方法に関する。
浄方法に関し、さらに詳細には、半導体基板、液晶素子
用ガラス基板、カラーフィルタ基板などのような各種の
基板の洗浄方法に関し、特に、半導体、液晶素子、カラ
ーフィルタなどの製造工程において、不良の原因となる
各種の基板上のゴミや汚れのような有機物や無機物の付
着物（以下、単に「付着物」と称する。）を除去する基
板のウェット洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体基板、液晶素子用ガラ
ス基板、カラーフィルタ基板などの各種の基板（以下、
単に「基板」と称する。）をウェット洗浄する技術とし
ては、例えば、薬剤（Ｈ2ＳＯ4、Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＮＨ
4ＯＨ、有機アルカリ剤、界面活性剤など）や純水など
の洗浄剤（以下、単に「洗浄剤」と称する。）を使用し
ての浸漬洗浄、超音波洗浄、ブラシ洗浄、スプレー洗浄
などを組み合わせて洗浄を行って基板上の付着物を除去
し、洗浄剤として純水ではなくて薬剤を使用した場合に
はそれから純水などによるリンス洗浄を行った後に、Ｉ
ＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気による乾燥やス
ピンナーあるいはエアーナイフによる乾燥などを行うこ
とが一般的であった。
ス基板、カラーフィルタ基板などの各種の基板（以下、
単に「基板」と称する。）をウェット洗浄する技術とし
ては、例えば、薬剤（Ｈ2ＳＯ4、Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＮＨ
4ＯＨ、有機アルカリ剤、界面活性剤など）や純水など
の洗浄剤（以下、単に「洗浄剤」と称する。）を使用し
ての浸漬洗浄、超音波洗浄、ブラシ洗浄、スプレー洗浄
などを組み合わせて洗浄を行って基板上の付着物を除去
し、洗浄剤として純水ではなくて薬剤を使用した場合に
はそれから純水などによるリンス洗浄を行った後に、Ｉ
ＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気による乾燥やス
ピンナーあるいはエアーナイフによる乾燥などを行うこ
とが一般的であった。
【０００３】しかしながら、上記した従来の技術のよう
に、基板上の付着物を除去するための洗浄として、洗浄
剤を使用して浸漬洗浄、超音波洗浄、ブラシ洗浄、スプ
レー洗浄などの種々の洗浄方法を組み合わせて洗浄して
も、充分な洗浄効果を得るためには、所定の時間が必要
となるので、洗浄装置としてスループットが悪化すると
いう問題点があった。
に、基板上の付着物を除去するための洗浄として、洗浄
剤を使用して浸漬洗浄、超音波洗浄、ブラシ洗浄、スプ
レー洗浄などの種々の洗浄方法を組み合わせて洗浄して
も、充分な洗浄効果を得るためには、所定の時間が必要
となるので、洗浄装置としてスループットが悪化すると
いう問題点があった。
【０００４】また、高スループットを維持するために
は、当該洗浄装置の長さが長くなるという問題点があっ
た。
は、当該洗浄装置の長さが長くなるという問題点があっ
た。
【０００５】一方、特開平５−２２４１６７号公報に開
示されたように、ウェット洗浄の直前に、ガラス単基板
の表面に波長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの紫外
線を大気中で照射し、ガラス単基板上の無機物の付着物
を効率よく除去する洗浄方法が提案されている。
示されたように、ウェット洗浄の直前に、ガラス単基板
の表面に波長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの紫外
線を大気中で照射し、ガラス単基板上の無機物の付着物
を効率よく除去する洗浄方法が提案されている。
【０００６】しかしながら、この特開平５−２２４１６
７号公報に開示された洗浄方法においては、洗浄効率を
決定するＯ（1 D）（オゾンラジカル：活性化酸素）の生
成方法が１条件しかないので、充分な濃度のオゾンラジ
カルを得ることができずに、充分な洗浄効果を得ること
ができないという問題点があった。
７号公報に開示された洗浄方法においては、洗浄効率を
決定するＯ（1 D）（オゾンラジカル：活性化酸素）の生
成方法が１条件しかないので、充分な濃度のオゾンラジ
カルを得ることができずに、充分な洗浄効果を得ること
ができないという問題点があった。
【０００７】即ち、波長が１８４．９ｎｍと２５３．７
ｎｍの紫外線によるオゾンラジカルの生成反応式は、図
１に示すように、波長が１８４．９ｎｍの紫外線により
Ｏ2からＯ3を生成し、波長が２５３．７ｎｍの紫外線に
よりＯ3からＯ（1 D）（オゾンラジカル）を生成すると
いうように、必ず２段階の生成過程を必要とするため
に、オゾンラジカルの発生効率が低く、充分な濃度のオ
ゾンラジカルを発生させることができないものであっ
た。
ｎｍの紫外線によるオゾンラジカルの生成反応式は、図
１に示すように、波長が１８４．９ｎｍの紫外線により
Ｏ2からＯ3を生成し、波長が２５３．７ｎｍの紫外線に
よりＯ3からＯ（1 D）（オゾンラジカル）を生成すると
いうように、必ず２段階の生成過程を必要とするため
に、オゾンラジカルの発生効率が低く、充分な濃度のオ
ゾンラジカルを発生させることができないものであっ
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記したよ
うな従来の技術の有する種々の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、充分な濃度のオ
ゾンラジカルを発生させることにより、基板上の付着物
を効率よく除去することができるようにして、それによ
りウェット洗浄時間の短縮を図ることを可能にし、ウェ
ット洗浄時間の短縮により洗浄剤の使用量も低減させる
ことができる基板のウェット洗浄方法を提供しようとす
るものである。
うな従来の技術の有する種々の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、充分な濃度のオ
ゾンラジカルを発生させることにより、基板上の付着物
を効率よく除去することができるようにして、それによ
りウェット洗浄時間の短縮を図ることを可能にし、ウェ
ット洗浄時間の短縮により洗浄剤の使用量も低減させる
ことができる基板のウェット洗浄方法を提供しようとす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうち請求項１に記載の発明は、基板上の付
着物を除去するための基板のウェット洗浄方法におい
て、洗浄剤を使用する直前に、大気中において波長が１
７２ｎｍにピークをもつ紫外線を基板の表面に照射する
ようにしたものである。
に、本発明のうち請求項１に記載の発明は、基板上の付
着物を除去するための基板のウェット洗浄方法におい
て、洗浄剤を使用する直前に、大気中において波長が１
７２ｎｍにピークをもつ紫外線を基板の表面に照射する
ようにしたものである。
【００１０】ここで、基板とは、上記したように、半導
体基板、液晶素子用ガラス基板、カラーフィルタ基板な
どの各種の基板を意味する。また、付着物とは、上記し
たように、各種の基板上のゴミや汚れのような有機物や
無機物を意味する。また、洗浄剤とは、薬剤（Ｈ2Ｓ
Ｏ4、Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＮＨ4ＯＨ、有機アルカリ剤、界
面活性剤など）や純水などを意味する。
体基板、液晶素子用ガラス基板、カラーフィルタ基板な
どの各種の基板を意味する。また、付着物とは、上記し
たように、各種の基板上のゴミや汚れのような有機物や
無機物を意味する。また、洗浄剤とは、薬剤（Ｈ2Ｓ
Ｏ4、Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＮＨ4ＯＨ、有機アルカリ剤、界
面活性剤など）や純水などを意味する。
【００１１】従って、本発明のうち請求項１に記載の発
明によれば、基板上の付着物を除去するための基板のウ
ェット洗浄方法において、洗浄剤を使用する直前に、基
板の表面に波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を大
気中で照射することにより、図２の式１および式２に示
す生成反応式によってオゾンラジカルが発生される。こ
れら式１および式２の２つの生成反応式によると、特開
平５−２２４１６７号公報に開示された洗浄方法たる波
長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍとの紫外線の同時
照射によるよりも、オゾンラジカルを効率よく多量に発
生することができ、オゾンラジカルを高濃度に発生する
ことができる。
明によれば、基板上の付着物を除去するための基板のウ
ェット洗浄方法において、洗浄剤を使用する直前に、基
板の表面に波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を大
気中で照射することにより、図２の式１および式２に示
す生成反応式によってオゾンラジカルが発生される。こ
れら式１および式２の２つの生成反応式によると、特開
平５−２２４１６７号公報に開示された洗浄方法たる波
長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍとの紫外線の同時
照射によるよりも、オゾンラジカルを効率よく多量に発
生することができ、オゾンラジカルを高濃度に発生する
ことができる。
【００１２】こうして発生された高濃度のオゾンラジカ
ルにより、基板の表面の有機物の汚れを酸化分解して除
去することができるとともに、表面張力を下げて濡れ性
を向上させることができ、洗浄剤の使用による洗浄時に
無機物の汚れの除去効率を向上することができる。
ルにより、基板の表面の有機物の汚れを酸化分解して除
去することができるとともに、表面張力を下げて濡れ性
を向上させることができ、洗浄剤の使用による洗浄時に
無機物の汚れの除去効率を向上することができる。
【００１３】また、こうした酸化分解の効果をさらに向
上させるために、例えば、請求項２に記載の発明のよう
に、基板を加熱し、加熱された上記基板の表面に大気中
において波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を照射
するようにしてもよい。
上させるために、例えば、請求項２に記載の発明のよう
に、基板を加熱し、加熱された上記基板の表面に大気中
において波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を照射
するようにしてもよい。
【００１４】基板を加熱する際には、例えば、請求項３
に記載の発明のように、波長が１７２ｎｍにピークをも
つ紫外線と遠赤外線とを照射し、遠赤外線により基板を
加熱するようにしてもよい。
に記載の発明のように、波長が１７２ｎｍにピークをも
つ紫外線と遠赤外線とを照射し、遠赤外線により基板を
加熱するようにしてもよい。
【００１５】そして、波長が１７２ｎｍにピークをもつ
紫外線と遠赤外線とを照射する場合には、例えば、請求
項４に記載の発明のように、波長が１７２ｎｍにピーク
をもつ紫外線を基板の一方の側の表面に照射し、遠赤外
線を基板の他方の側の表面に照射するようにしてもよ
い。
紫外線と遠赤外線とを照射する場合には、例えば、請求
項４に記載の発明のように、波長が１７２ｎｍにピーク
をもつ紫外線を基板の一方の側の表面に照射し、遠赤外
線を基板の他方の側の表面に照射するようにしてもよ
い。
【００１６】さらに、波長が１７２ｎｍにピークをもつ
紫外線と遠赤外線とは、例えば、請求項５に記載の発明
のように、両者を基板の表面に同時に照射するようにし
てもよい。
紫外線と遠赤外線とは、例えば、請求項５に記載の発明
のように、両者を基板の表面に同時に照射するようにし
てもよい。
【００１７】具体的には、例えば、波長が１７２ｎｍに
ピークをもつ紫外線を基板の表側の表面に照射するとと
もに、基板の裏側の表面に遠赤外線を照射して基板を加
熱し、基板の表側の表面の温度を上昇させて、基板の表
側の表面に存在するオゾンラジカルによる基板の表側の
表面上の有機物の酸化分解作用を促進するようにする。
ピークをもつ紫外線を基板の表側の表面に照射するとと
もに、基板の裏側の表面に遠赤外線を照射して基板を加
熱し、基板の表側の表面の温度を上昇させて、基板の表
側の表面に存在するオゾンラジカルによる基板の表側の
表面上の有機物の酸化分解作用を促進するようにする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明に
よる基板のウェット洗浄方法の実施の形態の一例を詳細
に説明するものとする。
よる基板のウェット洗浄方法の実施の形態の一例を詳細
に説明するものとする。
【００１９】図３は、本発明による基板のウェット洗浄
方法の実施に用いる枚葉式の洗浄装置の概略断面構成説
明図である。
方法の実施に用いる枚葉式の洗浄装置の概略断面構成説
明図である。
【００２０】この洗浄装置は、第１槽１０と、第２槽１
２と、第３槽１４と、第４槽１６との４槽を備えてお
り、これら第１槽１０、第２槽１２、第３槽１４および
第４槽１６の中央部を搬送用ローラー１８が貫通するよ
うになされていて、この搬送用ローラー１８によって、
基板２０が第１槽１０→第２槽１２→第３槽１４→第４
槽１６へと入口から出口へ向けて連続的に送られるよう
になされている。
２と、第３槽１４と、第４槽１６との４槽を備えてお
り、これら第１槽１０、第２槽１２、第３槽１４および
第４槽１６の中央部を搬送用ローラー１８が貫通するよ
うになされていて、この搬送用ローラー１８によって、
基板２０が第１槽１０→第２槽１２→第３槽１４→第４
槽１６へと入口から出口へ向けて連続的に送られるよう
になされている。
【００２１】第１槽１４内には、搬送用ローラー１８の
上方に波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を基板２
０に照射する紫外線ユニット２２が設けられ、搬送用ロ
ーラー１８の下方に遠赤外線を基板１０に照射する遠赤
外線ユニット２４が設けられている。また、搬送用ロー
ラー１８と紫外線ユニット２２との間には、波長が１７
２ｎｍの紫外線を透過する石英ガラス板２６が配設され
ている。
上方に波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を基板２
０に照射する紫外線ユニット２２が設けられ、搬送用ロ
ーラー１８の下方に遠赤外線を基板１０に照射する遠赤
外線ユニット２４が設けられている。また、搬送用ロー
ラー１８と紫外線ユニット２２との間には、波長が１７
２ｎｍの紫外線を透過する石英ガラス板２６が配設され
ている。
【００２２】第２槽１２乃至第４槽１６は、ウェット洗
浄を行うための槽である。ここで、第２槽１２はブラシ
洗浄ユニットであり、第２槽１２内には、搬送用ローラ
ー１８の上方および下方に基板２０へ洗浄剤を噴射する
ための洗浄剤用シャワーノズル２８が設けられていると
ともに、基板２０をブラシ洗浄するためのロールブラシ
３０が設けられている。
浄を行うための槽である。ここで、第２槽１２はブラシ
洗浄ユニットであり、第２槽１２内には、搬送用ローラ
ー１８の上方および下方に基板２０へ洗浄剤を噴射する
ための洗浄剤用シャワーノズル２８が設けられていると
ともに、基板２０をブラシ洗浄するためのロールブラシ
３０が設けられている。
【００２３】また、第３槽１４はリンス用ユニットであ
り、第３槽１４内には、搬送用ローラー１８の上方およ
び下方に基板２０へ純水を噴射するためのリンス用シャ
ワーノズル３２が設けられている。
り、第３槽１４内には、搬送用ローラー１８の上方およ
び下方に基板２０へ純水を噴射するためのリンス用シャ
ワーノズル３２が設けられている。
【００２４】そして、第４槽１６は乾燥用ユニットであ
り、第４槽１６内には、搬送用ローラー１８の上方およ
び下方に基板２０を乾燥するためのエアーナイフ３４が
設けられている。
り、第４槽１６内には、搬送用ローラー１８の上方およ
び下方に基板２０を乾燥するためのエアーナイフ３４が
設けられている。
【００２５】従って、この洗浄装置においては、入口か
ら送られた基板２０は、まず紫外線ユニット２２によっ
て、表側の表面に波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外
線が照射される。また、このときに、波長が１７２ｎｍ
にピークをもつ紫外線の照射により発生されるオゾンラ
ジカルの酸化分解作用を促進するために、遠赤外線ユニ
ット２４によって基板２０の裏側の表面に遠赤外線を照
射し、基板２０を加熱するようになされている。
ら送られた基板２０は、まず紫外線ユニット２２によっ
て、表側の表面に波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外
線が照射される。また、このときに、波長が１７２ｎｍ
にピークをもつ紫外線の照射により発生されるオゾンラ
ジカルの酸化分解作用を促進するために、遠赤外線ユニ
ット２４によって基板２０の裏側の表面に遠赤外線を照
射し、基板２０を加熱するようになされている。
【００２６】上記のようにして、第１槽１０において波
長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を基板２０の表側
の表面に照射した後に、搬送用ローラー１８によって基
板２０を第２槽１２以降へ順次搬送し、ウェット洗浄を
行うものである。
長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を基板２０の表側
の表面に照射した後に、搬送用ローラー１８によって基
板２０を第２槽１２以降へ順次搬送し、ウェット洗浄を
行うものである。
【００２７】ウェット洗浄としては、ブラシ洗浄ユニッ
トたる第２槽１２において、洗浄剤用シャワーノズル２
８から基板２０の表面に洗浄剤を噴射し、ロールブラシ
３０により洗浄を行う。
トたる第２槽１２において、洗浄剤用シャワーノズル２
８から基板２０の表面に洗浄剤を噴射し、ロールブラシ
３０により洗浄を行う。
【００２８】次に、リンス用ユニットたる第３槽１４に
おいて、リンス用シャワーノズル３２から基板２０の表
面に純水を噴射し、洗浄剤をリンスする。
おいて、リンス用シャワーノズル３２から基板２０の表
面に純水を噴射し、洗浄剤をリンスする。
【００２９】その後に、乾燥用ユニットたる第４槽１６
において、エアーナイフ３４により水切り乾燥を行うも
のである。
において、エアーナイフ３４により水切り乾燥を行うも
のである。
【００３０】出願人は、本発明による基板のウェット洗
浄方法の洗浄効果を評価するために実験を行ったもので
あり、以下にその実験の結果を説明するが、この実験に
おいては基板２０として「３００ｍｍ×４００ｍｍ×
１．１ｍｍ」のＣｒ膜付き基板を用いた。洗浄条件とし
ては、以下の洗浄条件（Ａ）乃至洗浄条件（Ｄ）の４つ
の条件で実験を行った。
浄方法の洗浄効果を評価するために実験を行ったもので
あり、以下にその実験の結果を説明するが、この実験に
おいては基板２０として「３００ｍｍ×４００ｍｍ×
１．１ｍｍ」のＣｒ膜付き基板を用いた。洗浄条件とし
ては、以下の洗浄条件（Ａ）乃至洗浄条件（Ｄ）の４つ
の条件で実験を行った。
【００３１】（Ａ）図３に示す洗浄装置を用いて、「波
長が１７２ｎｍの紫外線を照射する（第１槽１０）→洗
浄剤として純水を用いてブラシ洗浄する（第２槽１２）
→純水を用いてリンスする（第３槽１４）→エアーナイ
フ３４で乾燥する（第４槽１６）」という処理を行う
（本発明による基板のウェット洗浄方法である。）。
長が１７２ｎｍの紫外線を照射する（第１槽１０）→洗
浄剤として純水を用いてブラシ洗浄する（第２槽１２）
→純水を用いてリンスする（第３槽１４）→エアーナイ
フ３４で乾燥する（第４槽１６）」という処理を行う
（本発明による基板のウェット洗浄方法である。）。
【００３２】（Ｂ）図３に示す洗浄装置を用いて、「波
長が１７２ｎｍの紫外線および遠赤外線を同時に照射す
る（第１槽１０）→洗浄剤として純水を用いてブラシ洗
浄する（第２槽１２）→純水を用いてリンスする（第３
槽１４）→エアーナイフ３４で乾燥する（第４槽１
６）」という処理を行う（本発明による基板のウェット
洗浄方法である。）。
長が１７２ｎｍの紫外線および遠赤外線を同時に照射す
る（第１槽１０）→洗浄剤として純水を用いてブラシ洗
浄する（第２槽１２）→純水を用いてリンスする（第３
槽１４）→エアーナイフ３４で乾燥する（第４槽１
６）」という処理を行う（本発明による基板のウェット
洗浄方法である。）。
【００３３】（Ｃ）「洗浄剤として純水を用いてブラシ
洗浄する→純水を用いてリンスする→エアーナイフで乾
燥する」という処理を行う（従来の基板の洗浄方法であ
る。）。
洗浄する→純水を用いてリンスする→エアーナイフで乾
燥する」という処理を行う（従来の基板の洗浄方法であ
る。）。
【００３４】（Ｄ）「波長が１８４．９ｎｍと２５３．
７ｎｍの紫外線を同時に照射する→洗浄剤として純水を
用いてブラシ洗浄する→純水を用いてリンスする→エア
ーナイフで乾燥する」という処理を行う（従来の基板の
洗浄方法である。）。
７ｎｍの紫外線を同時に照射する→洗浄剤として純水を
用いてブラシ洗浄する→純水を用いてリンスする→エア
ーナイフで乾燥する」という処理を行う（従来の基板の
洗浄方法である。）。
【００３５】なお、各波長の紫外線ならびに遠赤外線の
照射強度に関しては、波長が１７２ｎｍにピークをもつ
紫外線はおよそ８０Ｗであり、波長が１８４．９ｎｍと
２５３．７ｎｍの紫外線はおよそ６００Ｗであり、遠赤
外線はおよそ３２Ｗであった。また、照射時間は、それ
ぞれ６０秒であった。
照射強度に関しては、波長が１７２ｎｍにピークをもつ
紫外線はおよそ８０Ｗであり、波長が１８４．９ｎｍと
２５３．７ｎｍの紫外線はおよそ６００Ｗであり、遠赤
外線はおよそ３２Ｗであった。また、照射時間は、それ
ぞれ６０秒であった。
【００３６】ブラシ洗浄の条件は、１００ｒｐｍで回転
しているナイロン製のロールブラシ３０で６０秒間ブラ
シ洗浄を行い、その際に洗浄剤用シャワーノズル２８か
ら６０秒間純水を噴射した。
しているナイロン製のロールブラシ３０で６０秒間ブラ
シ洗浄を行い、その際に洗浄剤用シャワーノズル２８か
ら６０秒間純水を噴射した。
【００３７】リンスの処理の条件は、リンス用シャワー
ノズル３２から６０秒間純水を噴射した。
ノズル３２から６０秒間純水を噴射した。
【００３８】また、実験にあたって、基板に付着した無
機物の評価に関しては、基板の洗浄前の１μｍ以上のパ
ーティクルを１０００個付着した状態からの変化をみる
こととし、基板に付着した有機物の評価に関しては、基
板の洗浄前の水に対する接触角度５０度からの変化をみ
ることとした。なお、この接触角度が小さいほど、基板
上の有機物の付着が少ないことが知られている。
機物の評価に関しては、基板の洗浄前の１μｍ以上のパ
ーティクルを１０００個付着した状態からの変化をみる
こととし、基板に付着した有機物の評価に関しては、基
板の洗浄前の水に対する接触角度５０度からの変化をみ
ることとした。なお、この接触角度が小さいほど、基板
上の有機物の付着が少ないことが知られている。
【００３９】ここで、パーティクルの個数の検査にあた
っては、レーザー式のパーティクル検査装置を使用し、
接触角度の検査にあたっては、接触角度測定器を使用し
た。そして、上記した洗浄条件（Ａ）、洗浄条件
（Ｂ）、洗浄条件（Ｃ）および洗浄条件（Ｄ）のそれぞ
れの洗浄条件で洗浄した後の基板の１μｍ以上のパーテ
ィクルの個数と水に対する接触角度とは、図４に示す図
表のような結果となり、本発明による基板の洗浄方法た
る洗浄条件（Ａ）および洗浄条件（Ｂ）において良好な
結果が得られ、特に、洗浄条件（Ｂ）において極めて良
好な結果が得られた。
っては、レーザー式のパーティクル検査装置を使用し、
接触角度の検査にあたっては、接触角度測定器を使用し
た。そして、上記した洗浄条件（Ａ）、洗浄条件
（Ｂ）、洗浄条件（Ｃ）および洗浄条件（Ｄ）のそれぞ
れの洗浄条件で洗浄した後の基板の１μｍ以上のパーテ
ィクルの個数と水に対する接触角度とは、図４に示す図
表のような結果となり、本発明による基板の洗浄方法た
る洗浄条件（Ａ）および洗浄条件（Ｂ）において良好な
結果が得られ、特に、洗浄条件（Ｂ）において極めて良
好な結果が得られた。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、充分な濃度のオゾンラジカルを発生させる
ことができるものであり、それにより基板上の付着物を
効率よく除去することができるようになり、このためウ
ェット洗浄時間の短縮を図ることが可能となって、ウェ
ット洗浄時間の短縮により洗浄剤の使用量も低減させる
ことができるという優れた効果を奏する。
ているので、充分な濃度のオゾンラジカルを発生させる
ことができるものであり、それにより基板上の付着物を
効率よく除去することができるようになり、このためウ
ェット洗浄時間の短縮を図ることが可能となって、ウェ
ット洗浄時間の短縮により洗浄剤の使用量も低減させる
ことができるという優れた効果を奏する。
【図１】波長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎｍの紫外
線によるオゾンラジカルの生成反応式を示す説明図であ
る。
線によるオゾンラジカルの生成反応式を示す説明図であ
る。
【図２】本発明による基板のウェット洗浄方法における
オゾンラジカルの生成反応式を示す説明図である。
オゾンラジカルの生成反応式を示す説明図である。
【図３】本発明による基板のウェット洗浄方法の実施に
用いる枚葉式の洗浄装置の概略断面構成説明図である。
用いる枚葉式の洗浄装置の概略断面構成説明図である。
【図４】本発明による基板のウェット洗浄方法と従来の
基板の洗浄方法との比較実験の結果の図表を示す説明図
である。
基板の洗浄方法との比較実験の結果の図表を示す説明図
である。
１０ 第１槽 １２ 第２槽 １４ 第３槽 １６ 第４槽 １８ 搬送用ローラー ２０ 基板 ２２ 紫外線ユニット ２４ 遠赤外線ユニット ２６ 石英ガラス板 ２８ 洗浄剤用シャワーノズル ３０ ロールブラシ ３２ リンス用シャワーノズル ３４ エアーナイフ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−224167（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−231735（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−132266（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−159237（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−78372（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−127829（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−249603（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−318236（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−120950（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−240128（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−299287（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/10
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上の付着物を除去するための基板の
ウェット洗浄方法において、 洗浄剤を使用する直前に、大気中において波長が１７２
ｎｍにピークをもつ紫外線を基板の表面に照射すること
を特徴とする基板のウェット洗浄方法。 - 【請求項２】 基板上の付着物を除去するための基板の
ウェット洗浄方法において、 洗浄剤を使用する直前に、基板を加熱し、加熱された前
記基板の表面に大気中において波長が１７２ｎｍにピー
クをもつ紫外線を照射することを特徴とする基板のウェ
ット洗浄方法。 - 【請求項３】 基板上の付着物を除去するための基板の
ウェット洗浄方法において、 洗浄剤を使用する直前に、大気中において波長が１７２
ｎｍにピークをもつ紫外線と遠赤外線とを基板の表面に
照射することを特徴とする基板のウェット洗浄方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の基板のウェット洗浄方
法において、 前記波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線を前記基板
の一方の側の表面に照射し、前記遠赤外線を前記基板の
他方の側の表面に照射することを特徴とする基板のウェ
ット洗浄方法。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４のいずれか１項
に記載の基板のウェット洗浄方法において、 前記波長が１７２ｎｍにピークをもつ紫外線と遠赤外線
とを同時に照射することを特徴とする基板のウェット洗
浄方法。
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|---|---|---|---|
| JP21603596A JP3167625B2 (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 基板のウェット洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21603596A JP3167625B2 (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 基板のウェット洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050646A JPH1050646A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3167625B2 true JP3167625B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=16682272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21603596A Ceased JP3167625B2 (ja) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 基板のウェット洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3167625B2 (ja) |
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| JP4596231B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2010-12-08 | 岩崎電気株式会社 | 活性酸素殺菌装置 |
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| CN103869529B (zh) | 2014-03-27 | 2016-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 拼接式曲面液晶显示装置 |
| CN109248878B (zh) * | 2018-08-31 | 2020-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种清洗平台以及清洗方法 |
-
1996
- 1996-07-29 JP JP21603596A patent/JP3167625B2/ja not_active Ceased
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1050646A (ja) | 1998-02-20 |
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