JP3163687B2 - 化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法 - Google Patents
化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法Info
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- chemical vapor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長装置及び
化学気相成長膜形成方法の改良に関するものである。
化学気相成長膜形成方法の改良に関するものである。
【０００２】近年の半導体装置の高集積化・微細化に伴
い、バルク配線の電気抵抗を低くし、バルク配線の電気
的特性を安定させるため、電気抵抗の低い高融点金属シ
リサイドが用いられるようになっており、バルク配線の
電気抵抗を一定に保つためには、膜質と膜厚とが一定の
高融点金属シリサイド膜を形成することが要求されてい
る。
い、バルク配線の電気抵抗を低くし、バルク配線の電気
的特性を安定させるため、電気抵抗の低い高融点金属シ
リサイドが用いられるようになっており、バルク配線の
電気抵抗を一定に保つためには、膜質と膜厚とが一定の
高融点金属シリサイド膜を形成することが要求されてい
る。
【０００３】以上のような状況から、一定の膜質と膜厚
とを備えた高融点金属シリサイド膜を形成することが可
能な化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法が要
望されている。
とを備えた高融点金属シリサイド膜を形成することが可
能な化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法が要
望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の化学気相成長装置及び化学気相成
長膜形成方法について図３により詳細に説明する。
長膜形成方法について図３により詳細に説明する。
【０００５】図３は従来の化学気相成長装置を示す図で
ある。従来の化学気相成長装置は図３に示すように、真
空配管29a とアルゴン供給管29b とを備えたロードロッ
ク室29はゲートバルブ21a を介してチャンバ21と隣接し
て設けられており、このロードロック室29内のウエーハ
キャリア10に収納されている半導体基板12を搬送機構31
を用いてチャンバ21内のヒータを内蔵したウエーハステ
ージ22に搭載してこの半導体基板12の表面に高融点金属
シリサイド膜を形成する化学気相成長装置である。
ある。従来の化学気相成長装置は図３に示すように、真
空配管29a とアルゴン供給管29b とを備えたロードロッ
ク室29はゲートバルブ21a を介してチャンバ21と隣接し
て設けられており、このロードロック室29内のウエーハ
キャリア10に収納されている半導体基板12を搬送機構31
を用いてチャンバ21内のヒータを内蔵したウエーハステ
ージ22に搭載してこの半導体基板12の表面に高融点金属
シリサイド膜を形成する化学気相成長装置である。
【０００６】このチャンバ21の壁面には図示するように
真空配管23、アルゴン供給管25、シラン供給管26、高融
点金属弗化物供給管27が設けられている。このような化
学気相成長装置を用いて化学気相成長膜を形成するに
は、まず図示しない排気手段を用いて図３に示す真空配
管29a 及び23を通してロードロック室29及びチャンバ21
内の空気を排気し、つぎに図３に示すようにアルゴン供
給管29b 及び25からアルゴンを供給してロードロック室
29及びチャンバ21内の室内圧を200mTorrにする。
真空配管23、アルゴン供給管25、シラン供給管26、高融
点金属弗化物供給管27が設けられている。このような化
学気相成長装置を用いて化学気相成長膜を形成するに
は、まず図示しない排気手段を用いて図３に示す真空配
管29a 及び23を通してロードロック室29及びチャンバ21
内の空気を排気し、つぎに図３に示すようにアルゴン供
給管29b 及び25からアルゴンを供給してロードロック室
29及びチャンバ21内の室内圧を200mTorrにする。
【０００７】ついで図３に示すような搬送機構31を用い
てロードロック室29からゲートバルブ21a を通して半導
体基板12をチャンバ21内に搬送してウエーハステージ22
の表面に載置し、シラン供給管26からシランを供給し、
高融点金属弗化物供給管27から高融点金属弗化物を供給
して室内圧を200mTorrに保持ながら、半導体基板12の表
面に高融点金属シリサイド膜を形成している。
てロードロック室29からゲートバルブ21a を通して半導
体基板12をチャンバ21内に搬送してウエーハステージ22
の表面に載置し、シラン供給管26からシランを供給し、
高融点金属弗化物供給管27から高融点金属弗化物を供給
して室内圧を200mTorrに保持ながら、半導体基板12の表
面に高融点金属シリサイド膜を形成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の化
学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法において
は、半導体基板が収納されているウエーハキャリアを載
置しているロードロック室及びチャンバ内の空気を排気
しているが、空気中に含まれていた水蒸気の排出には長
時間が必要であるため、初期に処理される半導体基板
と、最終に処理される半導体基板がチャンバ内に搬送さ
れた場合、チャンバ内の水蒸気の濃度が最終に近づく程
低くなるから、最終に処理される半導体基板の高融点金
属シリサイド膜の成長速度が低くなり、成長する高融点
金属シリサイド膜厚が薄くなると、シート抵抗が上昇す
るという問題点があった。
学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法において
は、半導体基板が収納されているウエーハキャリアを載
置しているロードロック室及びチャンバ内の空気を排気
しているが、空気中に含まれていた水蒸気の排出には長
時間が必要であるため、初期に処理される半導体基板
と、最終に処理される半導体基板がチャンバ内に搬送さ
れた場合、チャンバ内の水蒸気の濃度が最終に近づく程
低くなるから、最終に処理される半導体基板の高融点金
属シリサイド膜の成長速度が低くなり、成長する高融点
金属シリサイド膜厚が薄くなると、シート抵抗が上昇す
るという問題点があった。
【０００９】本発明は以上のような状況から、簡単且つ
容易に設けることができる水蒸気供給管をチャンバの壁
面に設けることにより、反応ガス中の水蒸気の濃度を一
定に保持でき、膜質と膜厚が一定な高融点金属シリサイ
ド膜を形成することが可能となる化学気相成長装置及び
化学気相成長膜形成方法の提供を目的としたものであ
る。
容易に設けることができる水蒸気供給管をチャンバの壁
面に設けることにより、反応ガス中の水蒸気の濃度を一
定に保持でき、膜質と膜厚が一定な高融点金属シリサイ
ド膜を形成することが可能となる化学気相成長装置及び
化学気相成長膜形成方法の提供を目的としたものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の化学気相成長装
置は、チャンバ内のウエーハステージに搭載した半導体
基板の表面に高融点金属シリサイド膜を形成する化学気
相成長装置であって、このチャンバ内に水蒸気を供給す
る水蒸気供給管をこのチャンバの壁面に具備するように
構成する。
置は、チャンバ内のウエーハステージに搭載した半導体
基板の表面に高融点金属シリサイド膜を形成する化学気
相成長装置であって、このチャンバ内に水蒸気を供給す
る水蒸気供給管をこのチャンバの壁面に具備するように
構成する。
【００１１】本発明の化学気相成長膜形成方法は、上記
の化学気相成長装置を用い、このチャンバの壁面に設け
た真空配管からこのチャンバ内の空気を排気し、このチ
ャンバの壁面に設けた不活性ガス供給管から不活性ガス
を供給し、このチャンバの壁面に設けたシラン供給管か
らシランを供給し、ついでこのチャンバの壁面に設けた
高融点金属弗化物供給管から高融点金属弗化物を供給す
る工程を含む化学気相成長膜形成方法において、このチ
ャンバの壁面に設けたこの水蒸気供給管によりこのチャ
ンバ内に水蒸気を供給する工程を含むように構成する。
の化学気相成長装置を用い、このチャンバの壁面に設け
た真空配管からこのチャンバ内の空気を排気し、このチ
ャンバの壁面に設けた不活性ガス供給管から不活性ガス
を供給し、このチャンバの壁面に設けたシラン供給管か
らシランを供給し、ついでこのチャンバの壁面に設けた
高融点金属弗化物供給管から高融点金属弗化物を供給す
る工程を含む化学気相成長膜形成方法において、このチ
ャンバの壁面に設けたこの水蒸気供給管によりこのチャ
ンバ内に水蒸気を供給する工程を含むように構成する。
【００１２】
【作用】即ち本発明においては、図１に示すように化学
気相成長装置のチャンバ１の壁面に真空配管３、水蒸気
供給管４、シラン供給管６、高融点金属弗化物供給管７
を設けているので、チャンバ１内のウエーハステージ２
に半導体基板12を搭載し、化学気相成長膜形成工程中に
このチャンバ１内に水蒸気を供給しているから、この半
導体基板12の表面に高融点金属シリサイド膜を形成する
場合に、シランや高融点金属弗化物等の反応ガス中の水
蒸気の濃度が一定になるように制御することが可能とな
るので膜質と膜厚が一定な高融点金属シリサイド膜を形
成することが可能となる。
気相成長装置のチャンバ１の壁面に真空配管３、水蒸気
供給管４、シラン供給管６、高融点金属弗化物供給管７
を設けているので、チャンバ１内のウエーハステージ２
に半導体基板12を搭載し、化学気相成長膜形成工程中に
このチャンバ１内に水蒸気を供給しているから、この半
導体基板12の表面に高融点金属シリサイド膜を形成する
場合に、シランや高融点金属弗化物等の反応ガス中の水
蒸気の濃度が一定になるように制御することが可能とな
るので膜質と膜厚が一定な高融点金属シリサイド膜を形
成することが可能となる。
【００１３】成長圧力 200mTorr の時に水分の分圧10-8
〜10-9Torrにコントロールすれば、抵抗上昇は起きなか
った。しかし、分圧が10-10Torr 台に落ちると、抵抗上
昇が起きる。
〜10-9Torrにコントロールすれば、抵抗上昇は起きなか
った。しかし、分圧が10-10Torr 台に落ちると、抵抗上
昇が起きる。
【００１４】
【実施例】以下図２により本発明の一実施例の化学気相
成長装置及び化学気相成長膜形成方法を詳細に説明す
る。
成長装置及び化学気相成長膜形成方法を詳細に説明す
る。
【００１５】図２は本発明による一実施例の化学気相成
長装置を示す図である。本実施例の化学気相成長装置は
図２に示すように、真空配管9aとアルゴン供給管9bとを
備えたロードロック室９はゲートバルブ1aを介してチャ
ンバ１と隣接して設けられており、このロードロック室
９内のウエーハキャリア10に収納されている半導体基板
12を搬送機構11を用いてチャンバ１内のヒータを内蔵し
たウエーハステージ２に搭載してこの半導体基板12の表
面に高融点金属シリサイド膜を形成する化学気相成長装
置である。
長装置を示す図である。本実施例の化学気相成長装置は
図２に示すように、真空配管9aとアルゴン供給管9bとを
備えたロードロック室９はゲートバルブ1aを介してチャ
ンバ１と隣接して設けられており、このロードロック室
９内のウエーハキャリア10に収納されている半導体基板
12を搬送機構11を用いてチャンバ１内のヒータを内蔵し
たウエーハステージ２に搭載してこの半導体基板12の表
面に高融点金属シリサイド膜を形成する化学気相成長装
置である。
【００１６】このチャンバ１の壁面には図示するように
真空配管３、アルゴン供給管５、シラン供給管６、高融
点金属弗化物供給管７が設けられている。このような化
学気相成長装置を用いて化学気相成長膜を形成するに
は、まず図示しない排気手段を用いて図２に示す真空配
管9a及び３を通してロードロック室９及びチャンバ１内
の空気を排気し、つぎに図２に示すようにアルゴン供給
管9a及び５からアルゴンを供給して、ロードロック室９
及びチャンバ１内の室内圧を200mTorrにする。
真空配管３、アルゴン供給管５、シラン供給管６、高融
点金属弗化物供給管７が設けられている。このような化
学気相成長装置を用いて化学気相成長膜を形成するに
は、まず図示しない排気手段を用いて図２に示す真空配
管9a及び３を通してロードロック室９及びチャンバ１内
の空気を排気し、つぎに図２に示すようにアルゴン供給
管9a及び５からアルゴンを供給して、ロードロック室９
及びチャンバ１内の室内圧を200mTorrにする。
【００１７】ついで図２に示すような搬送機構11を用い
てロードロック室９からゲートバルブ1aを通して半導体
基板12をチャンバ１内に搬送してウエーハステージ２の
表面に載置し、シラン供給管６からシランを供給し、高
融点金属弗化物供給管７から高融点金属弗化物を供給
し、水蒸気供給管４から水蒸気を供給して室内圧を200m
Torrに保持ながら、半導体基板12の表面に高融点金属シ
リサイド膜を形成している。
てロードロック室９からゲートバルブ1aを通して半導体
基板12をチャンバ１内に搬送してウエーハステージ２の
表面に載置し、シラン供給管６からシランを供給し、高
融点金属弗化物供給管７から高融点金属弗化物を供給
し、水蒸気供給管４から水蒸気を供給して室内圧を200m
Torrに保持ながら、半導体基板12の表面に高融点金属シ
リサイド膜を形成している。
【００１８】図２に示すようにバブラー８にて発生させ
た水蒸気を水蒸気供給管４を通してチャンバ１に供給す
ることができるので、Ｑマス等により水蒸気の含有率を
制御してチャンバ１内の水蒸気の濃度を一定に保持する
ことが可能となる。
た水蒸気を水蒸気供給管４を通してチャンバ１に供給す
ることができるので、Ｑマス等により水蒸気の含有率を
制御してチャンバ１内の水蒸気の濃度を一定に保持する
ことが可能となる。
【００１９】本実施例においては、直接水蒸気をチャン
バ１内に供給しているが、水蒸気の供給はチャンバ１に
直接供給せずにロードロック室９に供給して間接にチャ
ンバ１内に供給することも可能であり、また水蒸気の供
給はバブラー８を用いないで水蒸気を含む空気、窒素、
不活性ガス等を用いることも可能である。
バ１内に供給しているが、水蒸気の供給はチャンバ１に
直接供給せずにロードロック室９に供給して間接にチャ
ンバ１内に供給することも可能であり、また水蒸気の供
給はバブラー８を用いないで水蒸気を含む空気、窒素、
不活性ガス等を用いることも可能である。
【００２０】水蒸気を供給する時期は、高融点金属シリ
サイド膜成長前だけでも良く、成長中にも継続して供給
しても良い。このように高融点金属シリサイド膜成長工
程前或いは工程中にも水蒸気を供給してチャンバ１内の
水蒸気の量を一定になるように制御することが可能とな
るので、膜質と膜厚が一定な高融点金属シリサイド膜を
形成することが可能となる。
サイド膜成長前だけでも良く、成長中にも継続して供給
しても良い。このように高融点金属シリサイド膜成長工
程前或いは工程中にも水蒸気を供給してチャンバ１内の
水蒸気の量を一定になるように制御することが可能とな
るので、膜質と膜厚が一定な高融点金属シリサイド膜を
形成することが可能となる。
【００２１】このように化学気相成長装置のロードロッ
ク室９内のウエーハキャリア10に半導体基板12を収納し
てこのロードロック室９からチャンバ１内のウエーハス
テージ２に半導体基板12を搭載し、チャンバ１内のウエ
ーハステージ２の表面に載置した半導体基板12の表面に
タングステンシリサイド膜を形成する化学気相成長装置
のこのチャンバ１内に水蒸気を供給するす水蒸気供給管
４をこのチャンバ１の壁面に設け、化学気相成長膜形成
工程中に水蒸気を供給する工程を設けているので、供給
するシランやＷＦ6 等の反応ガス中の水蒸気の濃度が一
定になるように制御することが可能となるので膜質と膜
厚が一定な高融点金属シリサイド膜を形成することが可
能となる。
ク室９内のウエーハキャリア10に半導体基板12を収納し
てこのロードロック室９からチャンバ１内のウエーハス
テージ２に半導体基板12を搭載し、チャンバ１内のウエ
ーハステージ２の表面に載置した半導体基板12の表面に
タングステンシリサイド膜を形成する化学気相成長装置
のこのチャンバ１内に水蒸気を供給するす水蒸気供給管
４をこのチャンバ１の壁面に設け、化学気相成長膜形成
工程中に水蒸気を供給する工程を設けているので、供給
するシランやＷＦ6 等の反応ガス中の水蒸気の濃度が一
定になるように制御することが可能となるので膜質と膜
厚が一定な高融点金属シリサイド膜を形成することが可
能となる。
【００２２】なお、以上説明した本発明の一実施例で
は、不活性ガスにアルゴン(Ar)を選び、高融点金属にタ
ングステン(Ｗ)を選んで説明してきたが、他にも変形は
可能である。例えば、不活性ガスには、ネオン(Ne),キ
セノン(Xe),クリプトン(Kr)等を選ぶこともできるし、
高融点金属には、モリブデン(Mo), チタン(Ti)等を選ぶ
ことができ、同様の効果を得ることが可能である。
は、不活性ガスにアルゴン(Ar)を選び、高融点金属にタ
ングステン(Ｗ)を選んで説明してきたが、他にも変形は
可能である。例えば、不活性ガスには、ネオン(Ne),キ
セノン(Xe),クリプトン(Kr)等を選ぶこともできるし、
高融点金属には、モリブデン(Mo), チタン(Ti)等を選ぶ
ことができ、同様の効果を得ることが可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造の変更により、チャンバ内の
水蒸気の量が一定になるように制御することができるか
ら、水蒸気の量の減少による高融点金属シリサイド膜成
長速度の低下に伴うシート抵抗の上昇を防止することが
可能となるので、形成される高融点金属シリサイド膜の
膜厚、膜質を一定に保持することができる利点があり、
著しい信頼性向上の効果が期待できる化学気相成長装置
及び化学気相成長膜形成方法の提供が可能である。
によれば極めて簡単な構造の変更により、チャンバ内の
水蒸気の量が一定になるように制御することができるか
ら、水蒸気の量の減少による高融点金属シリサイド膜成
長速度の低下に伴うシート抵抗の上昇を防止することが
可能となるので、形成される高融点金属シリサイド膜の
膜厚、膜質を一定に保持することができる利点があり、
著しい信頼性向上の効果が期待できる化学気相成長装置
及び化学気相成長膜形成方法の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例の化学気相成長装置を
模式的に示す図、
模式的に示す図、
【図２】 本発明による一実施例の化学気相成長装置を
示す図、
示す図、
【図３】 従来の化学気相成長装置を示す図、
１はチャンバ、 1aはゲートバルブ、 ２はウエーハステージ、 ３は真空配管、 ４は水蒸気供給管、 ５はアルゴン供給管、 ６はシラン供給管、 ７は高融点金属弗化物供給管、 ８はバブラー、 ９はロードロック室、 9aは真空配管、 9bはアルゴン供給管、 10はウエーハキャリア、 11は搬送機構、 12は半導体基板、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/42 C30B 25/14 C30B 25/16 H01L 21/285 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバ(1)内のウエーハステージ(2)に
搭載した半導体基板(12)の表面に高融点金属シリサイド
膜を形成する化学気相成長装置であって、 前記チャンバ(1) 内に水蒸気を供給する水蒸気供給管
(4) を前記チャンバ(1)の壁面に具備することを特徴と
する化学気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の化学気相成長装置を用
い、このチャンバ(1)の壁面に設けた真空配管(3) から
前記チャンバ(1) 内の空気を排気し、このチャンバ(1)
の壁面に設けた不活性ガス供給管(5) から不活性ガスを
供給し、前記チャンバ(1) の壁面に設けたシラン供給管
(6) からシランを供給し、ついで前記チャンバ(1) の壁
面に設けた高融点金属弗化物供給管(7) から高融点金属
弗化物を供給する工程を含む化学気相成長膜形成方法に
おいて、 前記チャンバ(1)の壁面に設けた前記水蒸気供給管(4)に
より前記チャンバ(1)内に水蒸気を供給する工程を含む
ことを特徴とする化学気相成長膜形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29558791A JP3163687B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法 |
| US07/972,390 US5298278A (en) | 1991-11-12 | 1992-11-06 | Chemical vapor phase growth method and chemical vapor phase growth apparatus |
| GB9223675A GB2261444B (en) | 1991-11-12 | 1992-11-12 | Chemical vapor phase growth method and chemical vapor phase growth apparatus |
| KR1019920021232A KR960013526B1 (ko) | 1991-11-12 | 1992-11-12 | 화학기상성장방법 및 화학기상성장장치 |
| US08/181,249 US5409540A (en) | 1991-11-12 | 1994-01-13 | Chemical vapor phase growth method and chemical vapor phase growth apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29558791A JP3163687B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132392A JPH05132392A (ja) | 1993-05-28 |
| JP3163687B2 true JP3163687B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17822561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29558791A Expired - Fee Related JP3163687B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5298278A (ja) |
| JP (1) | JP3163687B2 (ja) |
| KR (1) | KR960013526B1 (ja) |
| GB (1) | GB2261444B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013542091A (ja) * | 2010-08-19 | 2013-11-21 | サフィエ フェルナンド アンドレス ビエンソバス | ３次元印刷サポートを利用してのシステムおよび２次元印刷方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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