JP3163231B2 - Multi-wire saw device and slicing method using the same - Google Patents
Multi-wire saw device and slicing method using the sameInfo
- Publication number
- JP3163231B2 JP3163231B2 JP06812595A JP6812595A JP3163231B2 JP 3163231 B2 JP3163231 B2 JP 3163231B2 JP 06812595 A JP06812595 A JP 06812595A JP 6812595 A JP6812595 A JP 6812595A JP 3163231 B2 JP3163231 B2 JP 3163231B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- cutting
- wafer
- semiconductor wafer
- wire saw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体インゴットブロ
ックをスライスし、半導体ウエハーへの切断に使用され
るマルチワイヤーソー装置及びこれを用いたスライス方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-wire saw device used for slicing a semiconductor ingot block and cutting it into a semiconductor wafer, and a slicing method using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のマルチワイヤーソー装置（以下、
「ＭＷＳ装置」と称す。）にて半導体の固まりである半
導体インゴットブロックの切断（スライス）を行う場
合、まず、ＭＷＳ装置内に装着されるベース板にアルミ
等の金属板又はカーボン板等をビスで止めるか、また前
記ベース板に前記金属板又はカーボン板の両端を差し込
み固定する。2. Description of the Related Art A conventional multi-wire saw device (hereinafter, referred to as a multi-wire saw device)
It will be referred to as "MWS device". In the case of cutting (slicing) a semiconductor ingot block, which is a mass of semiconductors, in (1), first, a metal plate such as aluminum or a carbon plate is fixed to a base plate mounted in the MWS device with screws, or Both ends of the metal plate or the carbon plate are inserted into the plate and fixed.
【０００３】次に、ガラス板又はカーボン板等の捨て板
１をエポキシ系接着剤で例えば前記アルミ板に張り合わ
せ、該捨て板１にエポキシ系接着剤２で半導体インゴッ
トブロック３を張り合わせていた（図５（ａ）参照）。Next, a discarded plate 1 such as a glass plate or a carbon plate is bonded to, for example, the aluminum plate with an epoxy adhesive, and a semiconductor ingot block 3 is bonded to the discarded plate 1 with an epoxy adhesive 2. 5 (a)).
【０００４】前記半導体インゴットブロック３は、例え
ばそのウエハー切断面が正方形よりなり、その厚み方向
が長い直方体よりなる。また、厚み方向に一部平坦な切
断面を有する略丸型半導体インゴットブロックであって
も良い。The semiconductor ingot block 3 is, for example, a rectangular parallelepiped whose wafer cut surface is square and whose thickness direction is long. Further, it may be a substantially round semiconductor ingot block having a partially flat cut surface in the thickness direction.
【０００５】そしてこのセットしたインゴットホルダー
をＭＷＳ装置に装着し、砥粒とオイルの混合物であるス
ラリーをかけながらスライスを開始する。スライスが進
み、捨て板１に若干（数ｍｍ）ワイヤーが切り込むと、
スライスを終了する（図５（ｂ）参照）。[0005] The ingot holder thus set is mounted on an MWS device, and slicing is started while applying a slurry which is a mixture of abrasive grains and oil. When the slicing advances and the wire is cut slightly (several mm) into the discard plate 1,
The slice ends (see FIG. 5B).
【０００６】この後、前記捨て板１及び半導体ブロック
からワイヤーを引き抜き、再びインゴットホルダーをＭ
ＷＳ装置より引き抜く。After that, the wire is pulled out from the discard plate 1 and the semiconductor block, and the ingot holder is again attached to the M.
Pull out from WS device.
【０００７】その後、半導体ウエハーに付着したスラリ
ーを軽油等で落とし、次にエポキシ系接着剤２を剥がす
ために専用の溶液に浸し、半導体ウエハーを捨て板１か
ら一枚ずつ剥離する。剥がした半導体ウエハーは、ウエ
ハーカセットに一枚ずつ手作業にて収納される。[0007] Thereafter, the slurry attached to the semiconductor wafer is dropped with light oil or the like, and then immersed in a dedicated solution to peel off the epoxy-based adhesive 2, and the semiconductor wafers are separated one by one from the discarded plate 1. The peeled semiconductor wafers are manually stored one by one in a wafer cassette.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記マ
ルチワイヤーソー装置及びこれを用いたスライス方法
は、捨て板１部分にまでワイヤーを切り込んでおり、そ
れぞれの半導体インゴットブロックのスライスにおいて
捨て板１が必要であり、コストアップの要因となってい
た。However, in the above-mentioned multi-wire saw device and the slicing method using the same, the wire is cut into the discard plate 1 portion, and the discard plate 1 is required in each slice of the semiconductor ingot block. This was a factor of cost increase.
【０００９】また、捨て板１より剥がした半導体ウエハ
ーは、ウエハーカセット収納前に隣同士がくっつきあい
剥がしにくくなり、半導体ウエハーのワレ，カケ等によ
る歩留まりの低下及び作業効率の低下の要因となってい
た。Further, the semiconductor wafers peeled off from the discard plate 1 are stuck together next to each other before the wafer cassette is stored, making it difficult for the semiconductor wafers to be peeled off. Was.
【００１０】本発明は上記課題に鑑み、材料的なコスト
ダウン及び歩留まりの向上並びに作業効率の向上が図れ
るマルチワイヤーソー装置及びこれを用いたスライス方
法を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a multi-wire saw apparatus capable of reducing material costs, improving yield, and improving work efficiency, and a slicing method using the same.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
マルチワイヤーソー装置は、所定間隔で張設されたワイ
ヤー列を用いて半導体インゴットを多数の半導体ウエハ
ーに切断するマルチワイヤーソー装置であって、前記半
導体インゴットを保持する保持手段と、前記半導体イン
ゴットを前記ワイヤーの切断方向に対して垂直方向に切
断するレーザーとを備えてなることを特徴とするもので
ある。A multi-wire saw device according to the first aspect of the present invention is a multi-wire saw device for cutting a semiconductor ingot into a large number of semiconductor wafers by using a wire array stretched at a predetermined interval. And a holding means for holding the semiconductor ingot, and a laser for cutting the semiconductor ingot in a direction perpendicular to a cutting direction of the wire.
【００１２】本発明の請求項２記載のマルチワイヤーソ
ー装置は、前記レーザーが上下，左右，前後に移動可能
に配設されてなることを特徴とするものである。A multi-wire saw device according to a second aspect of the present invention is characterized in that the laser is arranged so as to be movable up and down, left and right, and back and forth.
【００１３】本発明の請求項３記載のマルチワイヤーソ
ー装置は、前記半導体インゴットの下方に切断終了後に
落下する半導体ウエハーを収納するウエハーカセットを
設けてなることを特徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a multi-wire saw apparatus, wherein a wafer cassette for storing a semiconductor wafer which falls after the cutting is completed is provided below the semiconductor ingot.
【００１４】本発明の請求項４記載のマルチワイヤーソ
ー装置は、前記ウエハーカセットに個々の半導体ウエハ
ーを収納する収納部を有し、切断しようとする半導体ウ
エハーのレーザーの焦点位置と該半導体ウエハーを収納
する収納部の収納領域開始面とが略同一平面となるよう
制御してなる制御手段を設けてなることを特徴とするも
のである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a multi-wire saw apparatus having a storage section for storing individual semiconductor wafers in the wafer cassette, and a laser focus position of the semiconductor wafer to be cut and the semiconductor wafer. It is characterized in that control means is provided for controlling the storage area to be stored so that the storage area start surface is substantially flush with the storage area start surface.
【００１５】本発明の請求項５記載の上記請求項１記載
のマルチワイヤーソー装置を用いたスライス方法は、前
記半導体インゴットのウエハー切断面が長方形よりな
り、該半導体インゴットの短辺側を前記保持手段に固定
する工程と、該半導体インゴットをその切断面の短辺以
上長辺未満の範囲でハーフスライスする工程と、切断後
の半導体ウエハーのウエハー切断面が正方形となるよう
前記レーザーにて切断する工程とを備えてなることを特
徴とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a slicing method using the multi-wire saw apparatus according to the first aspect, wherein the semiconductor ingot has a rectangular cut surface and the short side of the semiconductor ingot is held. Fixing the semiconductor ingot, half-slicing the semiconductor ingot in a range from the short side to the long side of the cut surface, and cutting the semiconductor ingot with the laser so that the cut surface of the semiconductor wafer after cutting becomes a square. And a process.
【００１６】[0016]
【作用】上記構成によれば、本発明の請求項１記載のマ
ルチワイヤーソー装置は、半導体インゴットをワイヤー
の切断方向に対して垂直方向に切断するレーザーを備え
てなる構成なので、前記半導体インゴットをワイヤー列
とレーザーにて各半導体ウエハーに切断し分離すること
ができる。これにより、ワイヤーにて保持手段までスラ
イスする必要がなくなる。According to the above construction, the multi-wire saw device according to the first aspect of the present invention is provided with a laser for cutting the semiconductor ingot in a direction perpendicular to the cutting direction of the wire. Each semiconductor wafer can be cut and separated by a wire array and a laser. This eliminates the need for slicing the holding means with a wire.
【００１７】本発明の請求項２記載のマルチワイヤーソ
ー装置は、前記レーザーが上下，左右，前後に移動可能
に配設されてなる構成なので、上下移動により半導体ウ
エハーのウエハー切断面の縦方向の２辺の寸法を設定
し、左右移動により半導体ウエハーに切断し、前後移動
により各半導体ウエハーに対して前記レーザーの焦点位
置を調節することができる。In the multi-wire saw device according to a second aspect of the present invention, the laser is disposed so as to be movable up and down, left and right, and back and forth. By setting the dimensions of the two sides, the wafer can be cut into semiconductor wafers by moving left and right, and the focal position of the laser can be adjusted for each semiconductor wafer by moving back and forth.
【００１８】本発明の請求項３記載のマルチワイヤーソ
ー装置は、前記半導体インゴットの下方に切断終了後に
落下する半導体ウエハーを収納するウエハーカセットを
設けてなる構成なので、切断終了後の半導体ウエハーは
自動的にウエハーカセットに収納され、残存スラリーの
ために剥がれ難くなっている半導体ウエハーを人力で剥
離するという非常な労力を要する作業を省略することが
できる。The multi-wire saw device according to the third aspect of the present invention has a configuration in which a wafer cassette is provided below the semiconductor ingot for accommodating semiconductor wafers that fall after the cutting is completed. It is possible to omit a labor-intensive operation of manually peeling a semiconductor wafer that is stored in a wafer cassette and is hardly peeled off due to the remaining slurry.
【００１９】本発明の請求項４記載のマルチワイヤーソ
ー装置は、前記ウエハーカセットに個々の半導体ウエハ
ーを収納する収納部を有し、切断しようとする半導体ウ
エハーのレーザーの焦点位置と該半導体ウエハーを収納
する収納部の収納領域開始面とが略同一平面となるよう
制御してなる制御手段を設けてなる構成なので、切断さ
れた半導体ウエハーの厚みにバラツキが発生しても安定
して前記半導体ウエハーをウエハーカセットの収納部に
収納することができる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a multi-wire saw apparatus having a storage section for storing individual semiconductor wafers in the wafer cassette, wherein a laser focus position of the semiconductor wafer to be cut and the semiconductor wafer are determined. Since the control means is provided to control the storage area starting surface of the storage section to be stored so as to be substantially flush with the storage area, even if the thickness of the cut semiconductor wafer varies, the semiconductor wafer can be stably formed. Can be stored in the storage section of the wafer cassette.
【００２０】本発明の請求項５記載のスライス方法によ
れば、半導体インゴットのウエハー切断面が長方形より
なり、該半導体インゴットの短辺側を前記保持手段に固
定する工程と、該半導体インゴットをその切断面の短辺
以上長辺未満の範囲でハーフスライスする工程と、切断
後の半導体ウエハーのウエハー切断面が正方形となるよ
う前記レーザーにて切断する工程とを備えてなる構成な
ので、前記保持手段の一部である捨て板を使用せず、ま
た使用した場合には無駄にすることなく、従来同様、切
断後の切断面が正方形の半導体ウエハーを得ることがで
きる。According to the slicing method according to the fifth aspect of the present invention, the step of fixing the short side of the semiconductor ingot to the holding means by cutting the wafer cut surface of the semiconductor ingot into a rectangle, The holding means, which comprises a step of half-slicing in a range from the short side to the long side of the cut surface and a step of cutting with a laser so that the cut surface of the semiconductor wafer after cutting is square. A semiconductor wafer having a square cross section after cutting can be obtained as in the related art without using a waste plate, which is a part of the above, and without waste when used.
【００２１】[0021]
【実施例】図１は、本発明の第一実施例よりなるマルチ
ワイヤーソー装置を示す斜視図である。図２は、半導体
ブロックと捨て板とが接着された状態を示す斜視図であ
り、（ａ）はワイヤーによるスライス前の状態を示す図
であり、（ｂ）はスライス後の状態を示す図である。FIG. 1 is a perspective view showing a multi-wire saw device according to a first embodiment of the present invention. 2A and 2B are perspective views showing a state in which the semiconductor block and the discard plate are adhered, FIG. 2A is a view showing a state before slicing by a wire, and FIG. 2B is a view showing a state after slicing. is there.
【００２２】該マルチワイヤーソー装置（以下、「ＭＷ
Ｓ装置」と称す）は、図１に示すように、ワイヤー１１
と、該ワイヤー１１を所定間隔で張設するワイヤーガイ
ド１２と、ＭＷＳ装置内に装着されるベース板に固定さ
れ半導体インゴットブロック１３を固定する捨て板１４
と、前記半導体インゴットブロック１３を前記ワイヤー
１１による切断方向に対して垂直方向に切断するＣＯ２
レーザー１５と、切断後の半導体ウエハー１３′を収
納するウエハーカセット１６とを備えてなる構成であ
る。図１中、１７はウエハーカセット移動台である。The multi-wire saw device (hereinafter referred to as “MW”)
S device), as shown in FIG.
A wire guide 12 for stretching the wire 11 at predetermined intervals; and a discard plate 14 fixed to a base plate mounted in the MWS device and fixing the semiconductor ingot block 13.
And CO 2 for cutting the semiconductor ingot block 13 in a direction perpendicular to a cutting direction by the wire 11.
The configuration includes a laser 15 and a wafer cassette 16 for storing the semiconductor wafer 13 ′ after cutting. In FIG. 1, reference numeral 17 denotes a wafer cassette moving table.
【００２３】前記ワイヤー１１は、一例としてその直径
が例えば１８０μｍからなる。該ワイヤー１１は図示し
ないワイヤー駆動機構によって走行する。The diameter of the wire 11 is, for example, 180 μm. The wire 11 travels by a wire driving mechanism (not shown).
【００２４】前記ワイヤーガイド１２は例えば３個のワ
イヤーガイドを有しており、これらはスライスする半導
体ウエハー１３′の厚さ及び前記ワイヤー１１の直径等
に応じた溝が複数設けられ、該溝によって所定間隔で前
記ワイヤー１１を張設する。なお、図１においてはワイ
ヤーガイド２個のみ図示している。The wire guide 12 has, for example, three wire guides, which are provided with a plurality of grooves corresponding to the thickness of the semiconductor wafer 13 'to be sliced, the diameter of the wires 11, and the like. The wires 11 are stretched at predetermined intervals. FIG. 1 shows only two wire guides.
【００２５】前記半導体インゴットブロック１３は結晶
シリコンからなり、例えばそのウエハー切断面の長辺が
１１０ｍｍ、短辺が１００ｍｍで、半導体ブロック１３
の長さが１６０ｍｍの直方体よりなる。The semiconductor ingot block 13 is made of crystalline silicon. For example, the long side of the cut surface of the wafer is 110 mm and the short side is 100 mm.
Consists of a rectangular parallelepiped with a length of 160 mm.
【００２６】前記捨て板１４は例えばガラス板，カーボ
ン板等よりなり、図２に示すようにエポキシ系接着剤１
８を介して半導体インゴットブロック１３の一方の短辺
側が接着固定される。The discard plate 14 is made of, for example, a glass plate, a carbon plate, or the like, and as shown in FIG.
One short side of the semiconductor ingot block 13 is adhered and fixed via 8.
【００２７】該捨て板１４は、間にエポキシ系接着剤、
アルミ等の金属板又はカーボン板を介してＭＷＳ装置内
に装着されるベース板に固定される。前記ベース板と前
記金属板又はカーボン板とはビスで止めるか、また前記
ベース板に前記金属板又はカーボン板の両端を差し込み
固定する。The discard plate 14 has an epoxy-based adhesive in between,
It is fixed to a base plate mounted in the MWS device via a metal plate such as aluminum or a carbon plate. The base plate and the metal plate or the carbon plate are fixed with screws, or both ends of the metal plate or the carbon plate are inserted and fixed to the base plate.
【００２８】前記ＣＯ2 レーザー１５は、例えばその出
力：５００Ｗ、切断速度：２５００ｍｍ／ｍｉｎ、アシ
ストガス：Ａｉｒからなり、上下，左右，前後に移動可
能に配設され、上下移動によって半導体インゴットブロ
ック１３のウエハー切断面の長辺側において半導体ウエ
ハー１３′の長さを設定し、左右移動によって半導体半
導体ウエハー１３′を切断し、前後移動によって切断し
ようとする半導体ウエハー１３′にＣＯ2 レーザー１５
の焦点位置を合わせる。The CO 2 laser 15 comprises, for example, an output of 500 W, a cutting speed of 2500 mm / min, and an assist gas of Air. The CO 2 laser 15 is arranged so as to be movable up and down, left and right, and back and forth. The length of the semiconductor wafer 13 'is set on the long side of the wafer cutting surface, the semiconductor semiconductor wafer 13' is cut by moving left and right, and the CO 2 laser 15 is applied to the semiconductor wafer 13 'to be cut by moving back and forth.
Adjust the focal position of.
【００２９】前記ウエハーカセット１６は、切断後の半
導体ウエハー１３′を個別に収納する収納部を有し、例
えば切断する半導体ウエハー１３′の数に対応する収納
部の数を備えてなる構造である。The wafer cassette 16 has a storage section for individually storing the semiconductor wafers 13 'after cutting, and has a structure having, for example, the number of storage sections corresponding to the number of semiconductor wafers 13' to be cut. .
【００３０】以下、上記半導体インゴットブロック１３
のスライス方法についてより具体的に説明する。Hereinafter, the semiconductor ingot block 13 will be described.
Will be described more specifically.
【００３１】該半導体インゴットブロック１３の半導体
ウエハー１３′へのスライスを行う場合、まず、ＭＷＳ
装置内に装着されるベース板にアルミ等の金属板又はカ
ーボン板等をビスで止めるか、またベース板に両端を差
し込み固定する。When slicing the semiconductor ingot block 13 into the semiconductor wafer 13 ', first, the MWS
A metal plate such as aluminum or a carbon plate is fixed to a base plate mounted in the apparatus with screws, or both ends are inserted and fixed to the base plate.
【００３２】次に、ガラス板又はカーボン板等の捨て板
１４をエポキシ系接着剤で前記金属板に張り合わせ、前
記捨て板１４にエポキシ系接着剤１８で半導体インゴッ
トブロック１３を５０℃で２時間硬化し張り合わせる。Next, a discarded plate 14 such as a glass plate or a carbon plate is bonded to the metal plate with an epoxy-based adhesive, and the semiconductor ingot block 13 is cured on the discarded plate 14 with an epoxy-based adhesive 18 at 50 ° C. for 2 hours. And stick them together.
【００３３】そしてこのセットしたインゴットホルダー
をＭＷＳ装置内に装着し、砥粒とオイルの混合物である
スラリーを両端にかけながらスライスを開始する。ここ
で、スライスの各条件は、ワイヤー走行速度：６ｍ／ｍ
ｉｎ、半導体インゴットブロック１３の降下スピード：
３００μｍ、スライスする半導体ウエハー１３′の板
厚：３５０μｍとする。Then, the set ingot holder is mounted in an MWS apparatus, and slicing is started while slurry, which is a mixture of abrasive grains and oil, is applied to both ends. Here, each slice condition is as follows: wire traveling speed: 6 m / m
in, the descent speed of the semiconductor ingot block 13:
The thickness of the semiconductor wafer 13 ′ to be sliced is set to 350 μm.
【００３４】スライスが進み、図１及び図２に示すよう
にワイヤー１１が半導体インゴットブロックに１０５ｍ
ｍ〜１０７ｍｍ入った所でワイヤー走行及び半導体イン
ゴットブロック１３の降下を停止する。As the slicing progresses, the wire 11 is connected to the semiconductor ingot block by 105 m as shown in FIGS.
At a position where the distance is between m and 107 mm, the wire running and the descent of the semiconductor ingot block 13 are stopped.
【００３５】次に、ＣＯ2 レーザー１５を所定の位置、
即ちウエハー切断面の四辺が均等な長さ（半導体ウエハ
ーが１００ｍｍ×１００ｍｍ）となるようにＣＯ2 レー
ザー１５を上下移動させ、また切断開始となる左右何れ
かの一端側に位置するように左右移動させ、並びに切断
しようとする半導体ウエハーに対して焦点位置を調節す
るために前後移動させる。これを図３に示すように個々
の半導体ウエハー１３′毎にＣＯ2 レーザー１５の位置
を合わせて、個々の半導体ウエハー１３′を１枚ずつ切
断する。Next, the CO 2 laser 15 is set at a predetermined position,
That is, the CO 2 laser 15 is moved up and down so that the four sides of the cut surface of the wafer are equal in length (the semiconductor wafer is 100 mm × 100 mm), and is moved right and left so as to be positioned at one of the right and left ends to start cutting. The semiconductor wafer is moved back and forth to adjust the focal position with respect to the semiconductor wafer to be cut. As shown in FIG. 3, the position of the CO 2 laser 15 is adjusted for each individual semiconductor wafer 13 ′, and the individual semiconductor wafers 13 ′ are cut one by one.
【００３６】該切断された半導体ウエハー１３′は、図
３の如く、半導体インゴットブロック１３（半導体ウエ
ハー１３′）の下方に設置されたウエハーカセット１６
に収納される。As shown in FIG. 3, the cut semiconductor wafer 13 'is placed in a wafer cassette 16 placed below the semiconductor ingot block 13 (semiconductor wafer 13').
Is stored in.
【００３７】ここで、前記ハーフスライスされた半導体
ウエハー１３′は、それぞれ個々に厚みがバラツキ、例
えば３５０μｍ±１０μｍのバラツキが発生する。The half-sliced semiconductor wafers 13 'have individual thickness variations, for example, 350 μm ± 10 μm.
【００３８】そこで、図４に示すように、切断しようと
する半導体ウエハー１３′に対するＣＯ2 レーザー１５
の焦点位置と該半導体ウエハー１３′を収納する収納部
１６ａの収納領域開始面とが略同一平面となるよう制御
してなる制御手段１９を設け、例えば切断しようとする
半導体ウエハー１３′に対応するＣＯ2 レーザー１５の
焦点位置と該半導体ウエハー１３′に対応する収納部１
６ａとの位置を電気的に感知し、同期させて該収納部１
６ａを機械的に移動させることにより、半導体ウエハー
１３′の厚みにバラツキが発生しても、安定して全ての
半導体ウエハー１３′を個々の収納部１６ａに収納する
ことができる。これにより、収納ミスや、半導体ウエハ
ー１３′の破損等を防止できる。具体的にはウエハーカ
セット移動台１７を微調整することにより、収納部１６
ａの位置を調節する。Therefore, as shown in FIG. 4, a CO 2 laser 15 is applied to a semiconductor wafer 13 ′ to be cut.
And a control means 19 for controlling the focal position of the semiconductor wafer 13 'and the storage area start surface of the storage part 16a for storing the semiconductor wafer 13' to be substantially flush with each other, for example, corresponding to the semiconductor wafer 13 'to be cut. The storage position 1 corresponding to the focal position of the CO 2 laser 15 and the semiconductor wafer 13 ′
6a is electrically sensed and synchronized with the storage unit 1
By mechanically moving 6a, even if the thickness of semiconductor wafer 13 'varies, all semiconductor wafers 13' can be stably stored in individual storage sections 16a. As a result, a storage mistake, breakage of the semiconductor wafer 13 ', and the like can be prevented. More specifically, by finely adjusting the wafer cassette moving table 17,
Adjust the position of a.
【００３９】このように本実施例のマルチワイヤーソ装
置によれば、半導体インゴットブロック１３をワイヤー
１１の切断方向に対して垂直方向に切断するレーザー１
５を備えてなる構成なので、前記半導体インゴットブロ
ック１３をワイヤー列のワイヤー１１とレーザー１５に
て各半導体ウエハー１３′に切断し、分離することがで
きる。これにより、ワイヤー１１にて捨て板１４までス
ライスする必要がなくなる。したがって、捨て板１４を
使用せず、また使用した場合であってもリサイクルでき
るので無駄にすることなく半導体ウエハー１３′が得ら
れ、材料的なコストダウンを図ることができる。また、
溶剤等を使用することなく半導体ウエハー１３′を捨て
板１４より分離することが可能であり、作業効率の向上
も図ることができる。As described above, according to the multi-wire saw device of this embodiment, the laser 1 that cuts the semiconductor ingot block 13 in the direction perpendicular to the cutting direction of the wire 11 is used.
5, the semiconductor ingot block 13 can be cut and separated into each semiconductor wafer 13 'by the wire 11 and the laser 15 in the wire array. Thereby, it is not necessary to slice up to the discard plate 14 with the wire 11. Therefore, the semiconductor wafer 13 'can be obtained without wasting since the discarded plate 14 is not used and can be recycled even when used, and material cost can be reduced. Also,
The semiconductor wafer 13 'can be separated from the discarded plate 14 without using a solvent or the like, and the working efficiency can be improved.
【００４０】また、前記半導体インゴットブロック１３
の下方に切断終了後に落下する半導体ウエハー１３′を
収納するウエハーカセット１６を設けることにより、切
断終了後の半導体ウエハー１３′が自動的にウエハーカ
セット１６に収納され、残存スラリーのために剥がれ難
くなっている半導体ウエハーを人力で剥離するという非
常な労力を要する作業が省略できる。したがって、歩留
まりの向上及び作業効率の向上を図ることができる。The semiconductor ingot block 13
Is provided below the semiconductor wafer 13 'for storing the semiconductor wafer 13' which falls after the cutting is completed, the semiconductor wafer 13 'after the cutting is automatically stored in the wafer cassette 16, and the semiconductor wafer 13' is hardly peeled off due to the remaining slurry. It is possible to omit the labor-intensive work of manually peeling off the semiconductor wafer. Therefore, it is possible to improve the yield and the working efficiency.
【００４１】さらに、前記ウエハーカセット１６に個々
の半導体ウエハー１３′を収納する収納部１６ａを設
け、切断しようとする半導体ウエハー１３′のＣＯ2 レ
ーザー１５の焦点位置と該半導体ウエハー１３′を収納
する収納部１６ａの収納領域開始面とが略同一平面とな
るよう制御してなる制御手段１９を設けることにより、
切断された半導体ウエハー１３′の厚みにバラツキが発
生しても安定して各半導体ウエハー１３′をウエハーカ
セット１６の収納部１６ａに収納することができる。Further, a storage section 16a for storing individual semiconductor wafers 13 'is provided in the wafer cassette 16, and the focal position of the CO 2 laser 15 of the semiconductor wafer 13' to be cut and the semiconductor wafer 13 'are stored. By providing the control means 19 for controlling the storage area start surface of the storage section 16a to be substantially flush with the storage area start surface,
Even if the thickness of the cut semiconductor wafer 13 ′ varies, the semiconductor wafers 13 ′ can be stably stored in the storage portion 16 a of the wafer cassette 16.
【００４２】本発明のスライス方法によれば、半導体イ
ンゴットブロック１３のウエハー切断面が長方形よりな
り、該半導体インゴットブロック１３の短辺側を前記保
持手段に固定する工程と、該半導体インゴットブロック
１３をその切断面の短辺以上長辺未満の範囲でハーフス
ライスする工程と、切断後の半導体ウエハーのウエハー
切断面が正方形となるよう前記レーザーにて切断する工
程とを備えてなる構成なので、捨て板１４を使用せず、
また使用した場合であってもリサイクルできるので無駄
にすることなく、従来同様、切断後の切断面が正方形の
半導体ウエハー１３′が得られる。According to the slicing method of the present invention, the step of fixing the short side of the semiconductor ingot block 13 to the holding means, and the step of fixing the semiconductor ingot block 13 to the holding means are performed. A half-slicing step in a range of the short side or more and less than the long side of the cut surface, and a step of cutting with a laser so that the cut surface of the semiconductor wafer after cutting becomes a square, the discard plate Without using 14,
In addition, even when used, the semiconductor wafer 13 'having a square cut surface can be obtained as in the related art without wasting since it can be recycled.
【００４３】なお、マルチワイヤーソー装置において、
上記実施例では直方体の半導体インゴットブロックを用
いて説明したが、厚み方向に一部平坦な切断面を有し、
該切断面が保持手段にて保持されてなる半導体インゴッ
トブロックを用いても同等の効果が得られることは勿論
のことである。In the multi-wire saw device,
In the above embodiment, a rectangular parallelepiped semiconductor ingot block has been described, but has a partially flat cut surface in the thickness direction,
It goes without saying that the same effect can be obtained by using a semiconductor ingot block in which the cut surface is held by holding means.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマルチワ
イヤーソー装置によれば、半導体インゴットをワイヤー
の切断方向に対して垂直方向に切断するレーザーを備え
てなる構成なので、前記半導体インゴットをワイヤー列
とレーザーにて各半導体ウエハーに切断し分離すること
ができる。これにより、ワイヤーにて保持手段までスラ
イスする必要がなくなり、保持手段の一部である捨て板
を使用せず、また使用した場合であってもリサイクルで
きるので無駄にすることなく半導体ウエハーが得られ、
材料的なコストダウンを図れる。また、溶剤等を使用す
ることなく半導体ウエハーを保持手段より分離すること
が可能となり、作業効率を向上する。As described above, according to the multi-wire saw device of the present invention, the semiconductor ingot is provided with a laser for cutting the semiconductor ingot in a direction perpendicular to the cutting direction of the wire. Each semiconductor wafer can be cut and separated by a row and a laser. This eliminates the need for slicing the holding means with a wire, eliminates the use of a discarding plate that is a part of the holding means, and allows the semiconductor wafer to be recycled without waste because it can be recycled even when used. ,
Material costs can be reduced. Further, the semiconductor wafer can be separated from the holding means without using a solvent or the like, and the working efficiency is improved.
【００４５】また、前記半導体インゴットの下方に切断
終了後に落下する半導体ウエハーを収納するウエハーカ
セットを設けることにより、切断終了後の半導体ウエハ
ーが自動的にウエハーカセットに収納され、残存スラリ
ーのために剥がれ難くなっている半導体ウエハーを人力
で剥離するという非常な労力を要する作業が省略され、
歩留まりの向上及び作業効率の向上が図れる。In addition, by providing a wafer cassette below the semiconductor ingot for accommodating the semiconductor wafers which drop after the completion of the cutting, the semiconductor wafer after the completion of the cutting is automatically accommodated in the wafer cassette and peeled off due to the remaining slurry. The labor-intensive work of manually peeling off the difficult semiconductor wafer is omitted,
The yield and work efficiency can be improved.
【００４６】さらに、前記ウエハーカセットに個々の半
導体ウエハーを収納する収納部を有し、切断しようとす
る半導体ウエハーのレーザーの焦点位置と該半導体ウエ
ハーを収納する収納部の収納領域開始面とが略同一平面
となるよう制御してなる制御手段を設けることにより、
切断された半導体ウエハーの厚みにバラツキが発生して
も安定して前記半導体ウエハーをウエハーカセットの収
納部に収納される。Further, the wafer cassette has a storage section for storing individual semiconductor wafers, and the focal position of the laser of the semiconductor wafer to be cut and the storage area start surface of the storage section for storing the semiconductor wafer are substantially the same. By providing control means for controlling to be on the same plane,
Even if the thickness of the cut semiconductor wafer varies, the semiconductor wafer is stably stored in the storage portion of the wafer cassette.
【００４７】本発明のスライス方法によれば、半導体イ
ンゴットのウエハー切断面が長方形よりなり、該半導体
インゴットの短辺側を前記保持手段に固定する工程と、
該半導体インゴットをその切断面の短辺以上長辺未満の
範囲でハーフスライスする工程と、切断後の半導体ウエ
ハーのウエハー切断面が正方形となるよう前記レーザー
にて切断する工程とを備えてなる構成なので、従来の捨
て板を使用せず、また使用した場合には無駄にすること
なく、従来同様、切断後の切断面が正方形の半導体ウエ
ハーが得られる。According to the slicing method of the present invention, a step of fixing the short side of the semiconductor ingot to the holding means, wherein the cut surface of the wafer of the semiconductor ingot has a rectangular shape,
A step of half-slicing the semiconductor ingot in a range from a short side to a long side of the cut surface thereof, and a step of cutting the semiconductor ingot with the laser so that the cut surface of the semiconductor wafer after cutting becomes a square. Therefore, a semiconductor wafer having a square cut surface after cutting can be obtained as before, without using a conventional discarded plate and without wasting it when used.
【図１】本発明の一実施例よりなるマルチワイヤーソー
装置を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a multi-wire saw device according to an embodiment of the present invention.
【図２】半導体インゴットと捨て板との接着状態を示す
斜視図であり、（ａ）はスライス前の状態を示す図であ
り、（ｂ）はスライス後の状態を示す図である。FIGS. 2A and 2B are perspective views showing a bonding state between a semiconductor ingot and a discard plate, wherein FIG. 2A is a view showing a state before slicing, and FIG. 2B is a view showing a state after slicing.
【図３】図１のマルチワイヤーソー装置を用いたスライ
ス方法を示す図であり、（ａ）は正面断面図であり、
（ｂ）は側面図である。3A and 3B are diagrams showing a slicing method using the multi-wire saw device of FIG. 1, wherein FIG. 3A is a front sectional view,
(B) is a side view.
【図４】レーザーの焦点位置とウエハーカセットの収納
部との関係を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a relationship between a focal position of a laser and a storage portion of a wafer cassette.
【図５】従来の半導体インゴットと捨て板との接着状態
を示す斜視図であり、（ａ）はスライス前の状態を示す
図であり、（ｂ）はスライス後の状態を示す図である。FIG. 5 is a perspective view showing a state of bonding between a conventional semiconductor ingot and a discard plate, wherein (a) is a view showing a state before slicing and (b) is a view showing a state after slicing.
１１ ワイヤー １３ 半導体インゴットブロック １４ 捨て板 １５ ＣＯ2 レーザー １６ ウエハーカセット １９ 制御手段11 Wire 13 semiconductor ingot block 14 discarded plate 15 CO 2 laser 16 wafer cassettes 19 control means
Claims (5)
て半導体インゴットを多数の半導体ウエハーに切断する
マルチワイヤーソー装置であって、 前記半導体インゴットを保持する保持手段と、前記半導
体インゴットを前記ワイヤーの切断方向に対して垂直方
向に切断するレーザーとを備えてなることを特徴とする
マルチワイヤーソー装置。1. A multi-wire saw apparatus for cutting a semiconductor ingot into a large number of semiconductor wafers using a wire row stretched at a predetermined interval, comprising: holding means for holding the semiconductor ingot; A multi-wire saw device comprising: a laser for cutting in a direction perpendicular to a cutting direction of a wire.
動可能に配設されてなることを特徴とする請求項１記載
のマルチワイヤーソー装置。2. The multi-wire saw device according to claim 1, wherein the laser is arranged so as to be movable up and down, left and right, and back and forth.
後に落下する半導体ウエハーを収納するウエハーカセッ
トを設けてなることを特徴とする請求項１記載のマルチ
ワイヤーソー装置。3. The multi-wire saw device according to claim 1, further comprising a wafer cassette for storing a semiconductor wafer that drops after the cutting is completed, below the semiconductor ingot.
エハーを個別に収納する収納部を有し、切断しようとす
る半導体ウエハーのレーザーの焦点位置と該半導体ウエ
ハーを収納する収納部の収納領域開始面位置とが略同一
平面となるよう制御してなる制御手段を設けてなること
を特徴とする請求項３記載のマルチワイヤーソー装置。4. The wafer cassette has a storage section for individually storing individual semiconductor wafers, a focal position of a laser of a semiconductor wafer to be cut and a storage area start surface position of the storage section for storing the semiconductor wafer. 4. A multi-wire saw device according to claim 3, further comprising control means for controlling the two to be substantially coplanar.
断面が長方形よりなり、該半導体インゴットの短辺側を
前記保持手段に固定する工程と、該半導体インゴットを
その切断面の短辺以上長辺未満の範囲でハーフスライス
する工程と、切断後の半導体ウエハーのウエハー切断面
が正方形となるよう前記レーザーにて切断する工程とを
備えてなることを特徴とする請求項１記載のマルチワイ
ヤーソーを用いたスライス方法。5. A step of fixing a short side of the semiconductor ingot to the holding means, the step of fixing the semiconductor ingot to a shorter side and less than a longer side of the cross section of the semiconductor ingot. 2. The multi-wire saw according to claim 1, further comprising a step of half-slicing in a range, and a step of cutting with the laser so that the cut surface of the semiconductor wafer after cutting becomes a square. Slice method.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06812595A JP3163231B2 (en) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | Multi-wire saw device and slicing method using the same |
| DE69526038T DE69526038T2 (en) | 1994-12-15 | 1995-12-14 | Wire mesh saw and sawing process |
| US08/572,608 US5715806A (en) | 1994-12-15 | 1995-12-14 | Multi-wire saw device for slicing a semi-conductor ingot into wafers with a cassette for housing wafers sliced therefrom, and slicing method using the same |
| EP95119709A EP0716910B1 (en) | 1994-12-15 | 1995-12-14 | Multi-wire saw device and slice method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06812595A JP3163231B2 (en) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | Multi-wire saw device and slicing method using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08258037A JPH08258037A (en) | 1996-10-08 |
| JP3163231B2 true JP3163231B2 (en) | 2001-05-08 |
Family
ID=13364722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06812595A Expired - Fee Related JP3163231B2 (en) | 1994-12-15 | 1995-03-27 | Multi-wire saw device and slicing method using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163231B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4578637B2 (en) * | 2000-07-24 | 2010-11-10 | サムコ オレゴン コーポレーション | Interval holder and cutting method using the same |
| US20130251940A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Sheng Sun | Method of cutting an ingot for solar cell fabrication |
| TWI803019B (en) * | 2021-10-20 | 2023-05-21 | 國立中央大學 | A method of quick slicing of ingot column |
| TWI840267B (en) * | 2023-06-30 | 2024-04-21 | 國立勤益科技大學 | Ingot cutting equipment |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP06812595A patent/JP3163231B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08258037A (en) | 1996-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5715806A (en) | Multi-wire saw device for slicing a semi-conductor ingot into wafers with a cassette for housing wafers sliced therefrom, and slicing method using the same | |
| TWI314766B (en) | ||
| TWI430937B (en) | Method of removing mems devices from a handle substrate | |
| TWI312182B (en) | Method of dividing a semiconductor wafer | |
| US20080233712A1 (en) | Method of manufacturing device | |
| KR100624931B1 (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
| JP5595716B2 (en) | Processing method of optical device wafer | |
| US4227348A (en) | Method of slicing a wafer | |
| US20070128834A1 (en) | Wafer dividing method | |
| JP2009182178A (en) | Method of manufacturing device | |
| JP2004111946A (en) | Laser dicing equipment and dicing method | |
| US20060243710A1 (en) | Dicing device | |
| JP2007305687A (en) | Dicing method and dicing device of wafer | |
| US4285433A (en) | Method and apparatus for removing dice from a severed wafer | |
| JP2003161935A (en) | Device for bonding polarizing plate | |
| US20210221026A1 (en) | Wafer producing method and wafer producing apparatus | |
| JP3163231B2 (en) | Multi-wire saw device and slicing method using the same | |
| JP3325676B2 (en) | Slicing method of silicon ingot | |
| JP2018114554A (en) | Method for processing substrate | |
| JP2001144037A (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| JP2003078238A (en) | Device and method for sticking anisotropic conductor | |
| JP2007134510A (en) | Wafer mounter | |
| JPH1070095A (en) | Apparatus for entering sawed slice of block into preservation element | |
| JP2000294521A (en) | Manufacture of electronic element | |
| JPH0732281B2 (en) | Cleaving device and cleaving method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |