JP3161325B2 - セラミック積層電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミック積層電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JP3161325B2 JP3161325B2 JP05956296A JP5956296A JP3161325B2 JP 3161325 B2 JP3161325 B2 JP 3161325B2 JP 05956296 A JP05956296 A JP 05956296A JP 5956296 A JP5956296 A JP 5956296A JP 3161325 B2 JP3161325 B2 JP 3161325B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- ceramic
- forming
- resist
- green sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
形成された内部電極を有するセラミック積層電子部品の
製造方法に関し、特に、内部電極の形成から焼成に至る
までの工程が改良されたセラミック積層電子部品の製造
方法に関する。本発明は、例えば、積層コンデンサ、積
層圧電部品、セラミック多層基板などの種々のセラミッ
ク積層電子部品の製造方法に利用することができる。
部電極を有するセラミック積層電子部品の製造に際して
は、金属−セラミックス一体焼成技術が用いられてい
る。すなわち、セラミックグリーンシート上に導電ペー
ストをパターン印刷し、内部電極を形成する。次に、内
部電極が形成されたセラミックグリーンシートを複数枚
積層し、上下に内部電極の印刷されていないセラミック
グリーンシートを適宜の枚数積層し、セラミック積層体
を得る。あるいは、セラミックスペーストと導電ペース
トとを順次所定の形状に印刷し、セラミック積層体を得
る。しかる後、上記のようにして得られたセラミック積
層体を厚み方向に加圧し、セラミック層同士を密着させ
る。しかる後、セラミック積層体を焼成し、焼結体を得
る。得られた焼結体の外表面に、適宜の外部電極を形成
し、セラミック積層電子部品を得る。
求められており、セラミック積層電子部品においても小
型化及び薄型化が強く求められている。セラミック積層
電子部品の小型化及び薄型化を進める場合、内部電極間
に挟まれているセラミック層の厚みを薄くすることが必
要となり、従って、より薄いセラミックグリーンシート
を用いてセラミック積層体を作製しなければならない。
の厚みを薄くするにも限度があり、薄くなり過ぎた場合
にはセラミックグリーンシートを単体で扱うことができ
なくなる。加えて、セラミック積層体を得た段階で、内
部電極が重なり合っている部分では、内部電極が存在し
ない部分に比べて厚みが大きくなり、両者の間で段差が
生じがちであった。特に、焼結に先立って厚み方向にセ
ラミック積層体を加圧した段階で、上記段差が生じてい
るため、内部電極の重なり合っている部分においてのみ
上下の層が加圧され、他の領域では十分に加圧されず、
デラミネーションと称されている層間剥離現象が生じが
ちであった。さらに、セラミックグリーンシート中の溶
剤により、内部電極が膨潤し、所望の形状の内部電極を
正確に形成することができないこともあった。
を6μm程度以下とすることは非常に困難であった。上
記のような問題は、セラミックスペーストと導電ペース
トを交互に印刷しセラミック積層体を得る方法でも同様
であった。
に、薄膜形成法により形成された金属膜を内部電極とし
て用いる方法、例えば下記の第1〜第3の方法が提案さ
れている。
に、支持体1上にスパッタリングなどの薄膜形成法によ
り金属膜を全面に形成する。次に、上記金属膜上に電極
形状に応じた開口を有するレジスト層を形成し、フォト
リソグラフィーにより金属膜をパターン化する。このよ
うにして、図1に示されている金属膜2を形成する。し
かる後、金属膜2上において、セラミックグリーンシー
ト3を形成する。上記金属膜2及びセラミックグリーン
シート3の形成工程を繰り返すことにより、積層体4を
得る。
号公報に開示されているように、合成樹脂からなる第1
のフィルム上にセラミックグリーンシートを形成し、他
方、第2の支持フィルム上に薄膜形成法により金属膜を
形成する。しかる後、第2の支持フィルムに支持された
金属膜を第1の支持フィルム上にセラミックグリーンシ
ート上に転写し、金属膜一体化グリーンシートを得る。
上記のようにして得た金属膜一体化グリーンシートを複
数枚積層することにより、セラミック積層体を得る。
成法により金属膜を全面に形成する。次に、フォトリソ
グラフィー法により上記金属膜をパターニングする。し
かる後、パターニングされた金属膜を有する上記支持フ
ィルム上において、セラミックグリーンシートを成形
し、金属膜一体化グリーンシートを得る。次に、支持フ
ィルムに支持された金属膜一体化グリーンシートを積層
ステージ上において熱転写しつつ積層することにより、
セラミック積層体を得る。
膜を内部電極として用いる第1〜第3の方法では、導電
ペーストを用いた内部電極形成方法に比べて、内部電極
の厚みを薄くすることができる。
た第1,第2の方法のいずれにおいても、内部電極の厚
みはある程度薄くし得るものの、より一層セラミック積
層電子部品の薄型化を進めた場合には、積層数が増大
し、内部電極間で挟まれているセラミック層の厚みに対
して内部電極の厚みが大きくなってくる。そのため、第
1の方法では、図2に示すように、得られた積層体5に
おいて、セラミックグリーンシートのみが積層されてい
る部分6と内部電極8が重なり合っている部分7とで、
やはり厚みの差が生じてくる。従って、得られた積層体
を厚み方向に加圧した場合、内部電極8が重なり合って
いる部分にのみ圧力が加わりがちとなり、内部電極が重
なり合っていない領域におけるセラミック層同士の密着
性が損なわれる。よって、最終的に得られた焼結体にお
いて、デラミネーションが生じ易くなるという問題があ
った。
体上に形成した後に、レジスト層によるパターン形成及
びエッチング、レジスト層の除去等の複雑な処理を必要
とし、従って工程が煩雑となるという問題もあった。
も、やはり、薄型化の進行に伴い、内部電極が重なり合
っている部分の厚みが、内部電極の重なり合っていない
領域の厚みに比べて厚くなる。従って、同様に、得られ
た積層体において、デラミネーションが生じがちである
という問題があった。加えて、セラミックグリーンシー
トの厚みを薄くした場合には、やはり、金属膜一体化グ
リーンシートの厚みが薄くなり、取扱いが困難となる。
さらに、セラミックグリーンシート上に金属膜を転写し
て金属膜一体化グリーンシートを形成しているため、金
属膜のパターン精度が十分でないことがあった。
シートとを一体化するに際し、金属膜が存在しない部分
では、セラミックグリーンシートが第2の支持フィルム
に接触されることになる。従って、一体化後に第2の支
持フィルムを金属膜一体化グリーンシートから剥離する
必要があるので、金属膜及びセラミックグリーンシート
の双方に対しての第2の支持フィルムの剥離性が良好な
ことが要求される。しかしながら、そのような要求を満
たすことは難しく、従って、第2の支持フィルムの剥離
に際しセラミックグリーンシートが破損しがちであっ
た。
り形成してから、上記フォトリソグラフィーによりパタ
ーニングするため、工程が複雑となりがちであった。ま
た、金属膜及びセラミックグリーンシートが支持フィル
ムに接しているため、支持フィルムから転写する際に、
金属膜及びセラミックスの双方の支持フィルムに対する
剥離性が十分であることが必要であるが、このような要
求を満たすことが困難であった。
る領域と形成されていない領域との間のセラミック積層
体段階における厚みの差を解消し、従ってデラミネーシ
ョン等の発生を効果的に抑制することができ、従来の薄
膜形成法により内部電極を形成する工程を含むセラミッ
ク積層電子部品の製造方法に比べて比較的簡単な工程で
安定にセラミック積層電子部品を製造することを可能と
する方法を提供することにある。
より内部電子部品を形成する工程を含むセラミック積層
電子部品の製造方法であり、先の工程を備えることを特
徴とする。すなわち、本発明は、支持体上に第1層目の
金属膜を薄膜形成法により形成する工程と、前記第1層
目の金属膜上にパターン孔が設けられたレジスト層を形
成する工程と、前記レジスト層のパターン孔内に第1層
目の金属膜より厚みの大きい第2の金属膜を薄膜形成法
により形成する工程と、前記レジスト層及び第1,第2
の金属膜を内部に有するセラミック積層体を形成する工
程と、前記セラミック積層体を加熱しセラミックスを焼
成するとともに、第1層目の金属膜を絶縁物化し、かつ
前記レジスト層を消滅させる工程とを備えることを特徴
とする、セラミック積層電子部品の製造方法である。
記セラミック積層体を形成する工程が、第2の支持体上
にセラミックグリーンシートを形成するステップと、前
記第1の支持体上に支持された第1,第2の金属膜とレ
ジストとを含む金属膜レジストを積層体と、第2の支持
体上に支持された前記セラミックグリーンシートとを、
第1,第2の支持体から剥離して積層ステージ上にて交
互に積層するステップとを備える。
記セラミック積層体を形成する工程が、第2の支持体上
にセラミックグリーンシートを形成するステップと、前
記セラミックグリーンシート上に第1の支持体上に支持
された金属膜レジスト積層体を転写し、金属膜一体化グ
リーンシートを形成するステップと、複数の前記金属膜
一体化グリーンシートを順次転写することにより積層し
てセラミック積層体を得るステップとを備える。
体化グリーンシートを形成するステップを有する方法で
は、好ましくは、ロールプレスを用いて上記金属膜の転
写が行われ、それによって薄い金属膜が容易にかつ無理
なくセラミックグリーンシート上に転写され得る。
第2層目の金属膜より薄く形成されてりおり、この厚み
は、焼成に際して第1層目の金属膜が絶縁物化し得る程
度とされる。この第1層目の金属膜の絶縁物化は、該金
属膜を構成している金属が酸化物イオンの形態で周囲の
セラミックスに拡散することにより果たされる。この第
1層目の金属膜が絶縁物化される厚みは、第1層目の金
属膜を構成する材料及び焼成温度等の焼成条件によって
も異なるため一義的には定め得ないが、好ましくは、
0.1μm以下とされ、それによって確実に第1層目の
金属膜が絶縁物化される。
滅するレジスト樹脂を主体とするものであるが、本発明
では、焼成に際してレジスト層が消滅するため、レジス
ト層の除去のための工程を実施する必要がない。さら
に、レジスト層が消滅した部分には、焼成工程において
周囲のセラミックスが移動する。従って、空隙等の欠陥
は生じない。
滅するレジスト樹脂を含有するものであるが、好ましく
は、該レジスト樹脂に加えて、無機成分が添加される。
無機成分は、焼成により消滅しない無機材料、例えばセ
ラミックスあるいはガラス等により構成され、レジスト
層が消滅した部分における強度の低下を防止する機能を
果たす。上記のような無機成分がレジスト層に含有され
ている場合には、焼成に際してレジスト樹脂が飛散した
後に生じた部分に、周囲のセラミックスが円滑に移動
し、結果として、他のセラミック部分と同じ焼成状態が
実現される。従って、レジスト層に上記無機成分を含有
させておくことにより、より均一かつ緻密な焼結体を得
ることができる。
属膜を構成する材料は特に限定されるものではないが、
本発明のより特定的な局面では、第1層目の金属膜がC
uで構成され、第2層目の金属膜がNiで構成される。
Cuよりなる第1層目の金属膜は、焼成に際し、容易に
酸化物となって絶縁物化する。また、第2層目の金属膜
をNiで構成することにより、内部電極コストを低減す
ることができる。
を形成した後に、レジスト層を形成し、レジスト層のパ
ターン孔内に第2の金属膜を形成することにより、金属
膜レジスト層積層体が得られ、この段階までにエッチン
グやレジスト層の除去等のような煩雑な作業を必要とし
ない。すなわち、第1層目の金属膜をエッチングする工
程及びレジストを剥離する工程を省略することができ
る。従って、薄膜形成法により形成された金属膜を加工
する総時間を大幅に短縮することができ、かつエッチン
グ液の洗浄部分により不良品発生率を低下することも可
能となる。また、レジストの耐エッチング性を考慮する
必要がないため、レジストを構成する樹脂の選択幅を広
がり、材料コストの削減を果たすことができる。
するセラミック積層体を焼成する工程において、セラミ
ックスが焼成されるだけでなく、レジスト層の消滅及び
第1層目の金属膜の絶縁物化が進行する。従って、付加
的な工程を実施することなく、第2層目の金属膜により
構成された内部電極が内部に積層されたセラミック積層
電子部品用焼結体を容易にかつ安定に得ることができ
る。
されるため、第1層目の金属膜を設けたことにより、内
部電極が重なり合う領域と、内部電極が重なり合わない
領域との段差を小さくすることができ、それによってデ
ラミネーションの発生を低減することができる。
程を、第2の支持体上にセラミックグリーンシートを形
成するステップと、第1の支持体上に支持された金属膜
−レジスト積層体と、第2の支持体に支持されたセラミ
ックグリーンシートとを積層ステージ上において交互に
積層するステップにより行う場合には、各々の支持体か
ら剥離するものが単体、すなわち、第1の支持体からは
第1の金属膜、第2の支持体からはグリーンシートであ
るため、剥離力の制御がし易い。さらに、上記セラミッ
ク積層体を形成する工程を、転写法により行う場合に
は、すなわち、第2の支持体上にセラミックグリーンシ
ートを形成しておき、該セラミックグリーンシート上に
金属膜レジスト積層体を転写して金属膜一体化グリーン
シートを形成する場合には積層に際し支持体から剥離す
る部分がセラミックグリーンシートのみとなる。従っ
て、支持体に対する離型性を容易にかつ確実に制御する
ことができる。よって、転写法を用いて、より厚みの薄
いセラミックグリーンシートや電極材料を用いてセラミ
ック積層電子部品を形成することができ、かつ積層不良
や圧着不良によるデラミネーションも抑制することがで
きる。
電子部品の製造にあたり、薄型化及び内部電極積層数の
増大を図ったとしても、デラミネーション等による不良
品発生率を低減することができ、かつ比較的簡単な工程
でセラミック積層電子部品を安定に供給することが可能
となる。
説明することにより、本発明を明らかにする。
チレンテレフタレートフィルム11上にシリコン樹脂
(図示せず)をコーティングし、該ポリエチレンテレフ
タレートフィルム11上に第1層目の金属膜12を形成
する。ここでは、第1層目の金属膜として、厚み0.1
μmのAg膜が蒸着法により全面に形成されている。
iO3 粉末を10体積%含有しているキノン、ジアザイ
ド化ホルマリン樹脂を主成分とするレジストを0.8μ
mの厚みに塗布し、レジスト層を形成する。しかる後、
露光及び現像処理により、図3(b)に示すように、パ
ターン孔13aが形成されたレジスト層13を得る。
内に、第1層目の金属膜12上に第2層目の金属膜を1
4を形成する。第2層目の金属膜14は、電気めっきに
よりPdを0.8μmの厚みに成膜することにより形成
されている。この第2層目の金属膜14が後述の内部電
極を構成することになる。
リエチレンテレフタレートフィルム15を用意し、該ポ
リエチレンテレフタレートフィルム15上にBaTiO
3 を主成分とするセラミックスラリーを6μmの厚みに
なるようにシート成形し、セラミックグリーンシート1
6を得る。
層積層体17と、上記セラミックグリーンシート16と
を交互に積層し、積層体を得る。この積層体を得るに際
しては、最初に、図4に示したセラミックグリーンシー
ト16上に、第1の支持体としてのポリエチレンテレフ
タレートフィルム11に支持された金属膜レジスト層積
層体17を第2の金属膜16側から重ね、80℃程度の
温度で熱圧着した後、第1の支持体としてのポリエチレ
ンテレフタレートフィルム11を剥離する。さらに、上
記と同様に熱圧着によりセラミックグリーンシート16
及び金属膜レジスト層積層体17を順次積層する。この
ようにして、図5に示す積層体18が得られる。
積層体を得るように、厚み方向に切断し、得られた積層
体チップを大気中において1300℃の温度で焼成し
た。上記のようにして、図6に示す焼結体19が得られ
る。この焼結体19では、第2の金属膜14からなる内
部電極20が焼結体内において重なりあっている。な
お、第1層目の金属膜12は、上記焼成工程において加
熱されて絶縁物化されている。また、上記レジスト層に
ついてもレジスト樹脂が焼成に際して飛散し、他方レジ
スト層に含有されているセラミック粉末と、レジスト層
の周囲から移動してきたセラミックスにより、残りの焼
結体部分と同様に緻密な焼結構造を構成している。よっ
て、図6に示すように、内部電極20の周囲は、緻密な
セラミックスで囲まれる。
図7に側面断面図で示すように、外部電極21a,21
bを形成し、積層コンデンサ22を得た。なお、図6
は、図7の焼結体のX−X線に沿う断面を示している。
たX−X方向に切断して観察した。その結果、従来の積
層コンデンサに比べて、内部電極が重なり合っている部
分と、内部電極が重なり合っていない部分とにおける段
差が低減していることが認められた。
サの電気的特性を測定したところ、設計値どおりの特性
を示すことが確かめられた。さらに、上記観察におい
て、焼結体内においてデラミネーションの発生はなかっ
た。
の特性を測定したところ、電極取り出し部、すなわち外
部電極が形成される焼結体端面近傍において、デラミネ
ーションの発生が見られた。このデラミネーションが発
生していた積層コンデンサの割合は、25%程度であっ
た。
ンサにおいて、レジスト層が形成されている領域を焼結
体を切断して観察したところ、レジスト成分が飛散して
おり、含有されていたBaTiO3 成分は残存している
ことが確かめられた。また、この部分は他のセラミック
部分とほぼ同じ焼結状態となっていることが認められ
た。従って、周囲のセラミックスが焼成に際してこの部
分に移動し、緻密な焼結構造が実現されていると考えら
れる。
は、焼成後に消失していることが確かめられた。従っ
て、第1層目の金属膜を上記のように形成していたとし
ても、得られた積層コンデンサにおいて短絡などの問題
が生じないことがわかる。
2層目の金属膜としてPd膜に代えてNi膜を用いてレ
ジストとして、Al2 O3 粉末10体積%及びガラス粉
末5体積%を含有してなるレジスト樹脂を用い、さらに
還元雰囲気中で1200℃の温度で焼成したことを除い
ては、実施例1と同様の工程を経て、セラミック多層基
板を作製した。
1の場合と同様に、内部電極が重なり合っている部分
と、重なり合っていない部分との間の段差が低減してい
ることが確かめられた。
を測定したところ、設計値通りの特性を示すことが確か
められた。さらに、得られたセラミック多層基板を厚み
方向に切断して内部を観察したところ、デラミネーショ
ンによる欠陥は見られなかった。
他のセラミック部分とほぼ同じ焼結状態となっているこ
とが認められた。すなわち、レジスト成分が蒸発し、含
有されていたガラス成分が融解し、アルミナ成分が残存
しており、さらに周囲のセラミックスが加熱に際して移
動してきたことにより、上記焼結状態が実現されている
と考えられる。また、実施例1と同様に、第1層目の金
属膜を構成しているCuは、大部分が消失しており、従
って絶縁不良やボイドなどの不良は発生しなかった。
機粉末を添加していないレジスト樹脂からなるレジスト
を用いたことを除いては、実施例1と同様にして積層コ
ンデンサを得た。
ける内部電極重なり部分と、内部電極が重なり合ってい
ない部分との段差はあまり小さくなっていなかったが、
積層した後の加圧工程においては圧力が均一に加わった
せいか、デラミネーションの発生は従来法で得られた積
層コンデンサに比べて低減していることが確かめられ
た。
目の金属膜と第2層目の金属膜とを異種の金属材料で構
成したが、同種の金属材料を用いて第1層目の金属膜及
び第2層目の金属膜を形成してもよい。
ム31上にシリコン離型剤(図示されず)をコーティン
グしたものを用意し、該シリコン離型剤層上に第1層目
の金属膜32を形成した。第1層目の金属膜32として
は、0.1μmの厚みのCu膜を蒸着法により全面に形
成した。
み0.8μmのレジスト層を塗布した。用いたレジスト
層は、レジスト樹脂に、BaTiO3 粉末が50体積%
の割合で含有されているものを使用した。しかる後、露
光・現像処理を行ない、レジスト層にパターン孔を形成
した。上記のようにして、図9に示すパターン孔33a
が形成されたレジスト層33を形成した。
膜34(図10参照)を形成した。第2の金属膜34
は、電気メッキにより0.8μmの厚みのNi膜を形成
することにより形成した。
のPETフィルムを用意し、該PETフィルム上にBa
TiO3 粉末を主成分とするセラミックスラリーをシー
ト成形し、セラミックグリーンシートを作製した。
上に、図11に示すように、ロール状のプレス35を用
い、金属膜レジスト層積層体36(図10参照)を、第
2の支持体としてPETフィルム39上に支持されてい
るセラミックグリーンシート37上に転写し、PETフ
ィルム39を剥離し、金属膜一体化グリーンシート38
を形成した。次に、第3の支持体として、PETフィル
ム42を用意し、この上に上記金属膜一体化グリーンシ
ート38同士をその相対的な位置を高精度にコントロー
ルして積み重ね、1枚の金属膜一体化グリーンシートを
重ねる毎に熱圧着し、熱圧着後に第1の支持体としての
PETフィルム31を剥離し、積層体を得た。得られた
積層体を図12に示す。
1を厚み方向に切断し、個々の積層体コンデンサ単位の
積層体チップを得、該積層体チップを焼成して焼結体を
得た。以下、実施例1と同様にして外部電極を形成し、
積層コンデンサを作製した。
いては、実施例4と同様にして積層コンデンサを作製し
た。
切断し、焼成に先立って内部を観察したその結果、内部
電極を構成する第2層目の金属膜が重なり合っている部
分とその他の部分とで、段差はほとんど生じていなかっ
た。
結体を外部電極が形成されている端面と平行に切断し、
内部を観察した。その結果、内部電極が重なり合ってい
る部分と、重なり合っていない部分との段差はほとんど
生じていなかった。すなわち、レジスト層中にセラミッ
ク粉末が含有されているためか、焼成時に発生する段差
も生じ難いことがわかる。
は、レジストを構成している樹脂が飛散しており、含有
されていたセラミック粉末は残存していた。また、この
部分は他のセラミック部分とほぼ同じ焼結状態を示して
いた。従って、セラミック粉末が残存し、かつ周囲のセ
ラミックスが焼成に際し、移動し、周囲と同じ焼結状態
が実現されたものと考えられる。
目の金属膜は、厚みが0.1μm以下であるためか、上
記焼成により絶縁物化していた。従って、短絡や絶縁不
良、ボイドもしくはデラミネーションなどの不良の発生
し難い積層体コンデンサを安定に供給し得ることがわか
る。
前の積層体チップを厚み方向に切断し、内部電極を構成
する第2層目の金属膜が重なり合っている部分とその他
の部分との間の段差を観察したところ、実施例4で得ら
れた積層体チップに比べて段差は大きいものの、従来法
で得られた積層コンデンサの場合の積層体チップに比べ
て段差が著しく小さいことが確かめられた。
評価と同様にして分析したところ、第1層目の金属膜部
分は焼成により絶縁物化していることが認められた。ま
た、得られた積層コンデンサでは、短絡、絶縁不良、ボ
イドの発生及びデラミネーションの発生などの不良は発
生していなかった。
際しては、支持フィルムに接触しているのはセラミック
グリーンシートだけであった。従って、上記フィルムの
離型剤層についてはセラミックグリーンシート対する離
型性のみを考慮すればよいため、市販されている適宜の
離型剤を用いて、上記離型剤層を容易に設計することが
できる。
しての支持フィルムを剥離する際の面剥離力を測定し
た。結果を式の表1に示す。
施例4,5のセラミックグリーンシートから、1/3の
力で剥離することが可能であった。従って、転写不良の
問題が生じ難く、従って、デラミネーションの発生を著
しく低減し得ることがわかる。
めの断面図。
体の断面図。
の支持体上に第1層目の金属膜を形成した状態及びレジ
スト層及び第2層目の金属膜を形成した状態を示す各断
面図。
成形した状態を示す断面図。
面図。
ための模式的断面図。
の金属膜を形成した状態を示す断面図。
スト層を形成した状態を示す断面図。
膜を形成した状態を示す断面図。
金属シートを得る工程を説明するための部分切欠断面
図。
Claims (9)
- 【請求項1】 支持体上に第1層目の金属膜を薄膜形成
方法により形成する工程と、 前記第1層目の金属膜上にパターン孔が設けられたレジ
スト層を形成する工程と、 前記レジスト層のパターン孔内に、第1層目の金属膜よ
り厚みの大きい第2の金属膜を薄膜形成方法により形成
する工程と、 前記レジスト層及び第1,第2の金属膜を内部に有する
セラミック積層体を形成する工程と、 前記セラミック積層体を加熱しセラミックスを焼成する
とともに、第1層目の金属膜を絶縁物化し、かつ前記レ
ジスト層を消滅させる工程とを備えることを特徴とす
る、セラミック積層電子部品の製造方法。 - 【請求項2】 前記セラミック積層体を形成する工程
が、 第2の支持体上にセラミックグリーンシートを形成する
ステップと、 前記第1の支持体上に支持された第1,第2の金属膜と
レジストとを含む金属膜レジスト積層体と、第2の支持
体上に支持された前記セラミックグリーンシートとを、
第1,第2の支持体から剥離して積層ステージ上にて交
互に積層するステップとを備える、請求項1に記載のセ
ラミック積層電子部品の製造方法。 - 【請求項3】 前記積層体を形成する工程が、 第2の支持体上にセラミックグリーンシートを形成する
ステップと、 前記セラミックグリーンシート上に第1の支持体上に支
持された第1,第2の金属膜とレジストとを含む金属膜
レジスト積層体を転写し、金属膜一体化グリーンシート
を形成するステップと、 複数の前記金属膜一体化グリーンシートを順次転写する
ことにより積層してセラミック積層体を得るステップと
を備える、請求項1に記載のセラミック積層電子部品の
製造方法。 - 【請求項4】 前記金属膜レジスト積層体をセラミック
グリーンシート上に転写するに当たり、ロール状プレス
を用いる、請求項3に記載のセラミック積層電子部品製
造方法。 - 【請求項5】 前記第1層目の金属膜の厚みが0.1μ
m以下となるように第1層目の金属膜を形成する、請求
項1〜4のいずれかに記載のセラミック積層電子部品の
製造方法。 - 【請求項6】 前記レジスト層が、レジスト樹脂と、無
機成分とを含む、請求項1〜5のいずれかに記載のセラ
ミック積層電子部品の製造方法。 - 【請求項7】 前記無機成分としてセラミックスを用い
る、請求項6に記載のセラミック積層電子部品の製造方
法。 - 【請求項8】 前記無機成分としてガラスを用いる、請
求項6に記載のセラミック積層電子部品の製造方法。 - 【請求項9】 前記第1層目の金属膜がCuからなり、
第2層目の金属膜がNiからなる、請求項1〜8のいず
れかに記載のセラミック積層電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05956296A JP3161325B2 (ja) | 1995-03-16 | 1996-03-15 | セラミック積層電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-57303 | 1995-03-16 | ||
JP5730395 | 1995-03-16 | ||
JP05956296A JP3161325B2 (ja) | 1995-03-16 | 1996-03-15 | セラミック積層電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08316094A JPH08316094A (ja) | 1996-11-29 |
JP3161325B2 true JP3161325B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=26398324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05956296A Expired - Fee Related JP3161325B2 (ja) | 1995-03-16 | 1996-03-15 | セラミック積層電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3161325B2 (ja) |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP05956296A patent/JP3161325B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08316094A (ja) | 1996-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100230122B1 (ko) | 모놀리식 세라믹 전자 장치 및 이의 제조방법 | |
JP5267268B2 (ja) | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH03126206A (ja) | 積層コンデンサの製造方法 | |
JP3772622B2 (ja) | 薄膜積層コンデンサおよびその実装方法 | |
JP4573956B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JPH09190947A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JPH04314876A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP3351043B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
JP2000340448A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JPH0786083A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP3152098B2 (ja) | セラミック積層電子部品の製造方法 | |
JP3161325B2 (ja) | セラミック積層電子部品の製造方法 | |
JP2004179348A (ja) | セラミック積層体の製法 | |
JPH09129486A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP3367184B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JPH06302469A (ja) | 積層セラミックコンデンサの内部電極形成方法 | |
JP2970238B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP2002198255A (ja) | 積層型電子部品 | |
JP3218886B2 (ja) | 転写用金属膜及びセラミック積層電子部品の製造方法 | |
JPH06232000A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP2000012375A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP3309646B2 (ja) | セラミック積層電子部品の製造方法 | |
JPH08124787A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2002110451A (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JPH0855754A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090223 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090223 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100223 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |