JP3160315B2 - 電子ビームの照射方法及び照射装置 - Google Patents
電子ビームの照射方法及び照射装置Info
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- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D9/00—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
- C21D9/46—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for sheet metals
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- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1294—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties involving a localized treatment
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- C21D9/52—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for wires; for strips ; for rods of unlimited length
- C21D9/54—Furnaces for treating strips or wire
- C21D9/56—Continuous furnaces for strip or wire
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- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
- C21D1/06—Surface hardening
- C21D1/09—Surface hardening by direct application of electrical or wave energy; by particle radiation
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、連続走行中の金属ス
トリップに対し、電子ビームを効率良く安定して照射す
ることができる電子ビームの照射方法及び照射装置に関
するものである。
トリップに対し、電子ビームを効率良く安定して照射す
ることができる電子ビームの照射方法及び照射装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属ストリップの特性改善技術、例えば
電磁鋼板の鉄損改善技術として、電子ビームを、セラミ
ック被膜さらには絶縁被膜を被成した電磁鋼ストリップ
の表面に照射する方法が知られている（特開昭63−9621
8 号公報、特開昭63−186826号公報）。上記の技術は、
強く絞った電子ビームをストリップに対し、その幅方向
に特定のピッチで照射することを特徴としている。ここ
に１本の線状痕の形成に要するビーム照射時間は、スト
リップの特性改善効果が最大となるエネルギ入力量から
決定され、また照射ピッチも同様理由で決定される。
電磁鋼板の鉄損改善技術として、電子ビームを、セラミ
ック被膜さらには絶縁被膜を被成した電磁鋼ストリップ
の表面に照射する方法が知られている（特開昭63−9621
8 号公報、特開昭63−186826号公報）。上記の技術は、
強く絞った電子ビームをストリップに対し、その幅方向
に特定のピッチで照射することを特徴としている。ここ
に１本の線状痕の形成に要するビーム照射時間は、スト
リップの特性改善効果が最大となるエネルギ入力量から
決定され、また照射ピッチも同様理由で決定される。
【０００３】ところで電子ビームの発生装置（ＥＢガ
ン）は、一般にその特性上、ビームの走査は偏向コイル
（偏向レンズ、電子レンズとも言う）によって極めて迅
速に行うことが可能な反面、ビームの ON, OFF操作は簡
単にはできないため、ビーム照射は連続照射で行うこと
が必要とされる。
ン）は、一般にその特性上、ビームの走査は偏向コイル
（偏向レンズ、電子レンズとも言う）によって極めて迅
速に行うことが可能な反面、ビームの ON, OFF操作は簡
単にはできないため、ビーム照射は連続照射で行うこと
が必要とされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記の電子ビ
ーム照射によるストリップ特性改善技術を、実生産ライ
ンに適用する場合を考えると、ストリップの搬送速度
は、本来、その製品生産量に基づいて決定されるべきも
のであるが、電子ビームによる線状痕１本当たりの照射
時間及び照射ピッチは、上述したとおり製品の品質から
決定されるため、製品品質を考えるとストリップ搬送速
度は一義的に決定されてしまい、生産量を調整すること
ができなかった。逆に生産量を調整するには、設備の停
止日数で調整せざるを得ず、ライン駆動系の設備にムダ
が生じたり、ライン運転要員の調整等が必要であった。
ーム照射によるストリップ特性改善技術を、実生産ライ
ンに適用する場合を考えると、ストリップの搬送速度
は、本来、その製品生産量に基づいて決定されるべきも
のであるが、電子ビームによる線状痕１本当たりの照射
時間及び照射ピッチは、上述したとおり製品の品質から
決定されるため、製品品質を考えるとストリップ搬送速
度は一義的に決定されてしまい、生産量を調整すること
ができなかった。逆に生産量を調整するには、設備の停
止日数で調整せざるを得ず、ライン駆動系の設備にムダ
が生じたり、ライン運転要員の調整等が必要であった。
【０００５】上述したライン速度の律速条件を、図３を
用いて説明する。品質特性上最適な照射条件でのビーム
の走査速度をＳ、また走査ピッチをＰとする。この時、
ストリップの照射幅をＷとすると１本の線状痕を形成す
るのに必要な時間ＴS は ＴS ＝Ｗ／Ｓ ───（１） となる。このＴS の間にストリップがＰだけ搬送されれ
ば定常的に（連続的に）照射できることになり、従って
ライン速度ｖは ｖ＝Ｐ／ＴS ＝（Ｐ／Ｗ）・Ｓ ───（２） で表わされる速度に律速されることになる。
用いて説明する。品質特性上最適な照射条件でのビーム
の走査速度をＳ、また走査ピッチをＰとする。この時、
ストリップの照射幅をＷとすると１本の線状痕を形成す
るのに必要な時間ＴS は ＴS ＝Ｗ／Ｓ ───（１） となる。このＴS の間にストリップがＰだけ搬送されれ
ば定常的に（連続的に）照射できることになり、従って
ライン速度ｖは ｖ＝Ｐ／ＴS ＝（Ｐ／Ｗ）・Ｓ ───（２） で表わされる速度に律速されることになる。
【０００６】この発明は、上記の問題を有利に解決する
もので、製品品質の低下や設備の無駄を招く不利なし
に、必要に応じた生産量の調整が可能な電子ビームの照
射方法を、その照射装置と共に提案することを目的とす
る。
もので、製品品質の低下や設備の無駄を招く不利なし
に、必要に応じた生産量の調整が可能な電子ビームの照
射方法を、その照射装置と共に提案することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】さて発明者らは、上記の
問題を解決すべく鋭意研究を重ねた末に、以下に述べる
構成とすることが、所期した目的を達成する上で極めて
有効であるとの結論に達した。 (1) アイドルターゲットを設置し、ストリップ搬送速度
を変化させてもアイドルターゲットにビーム照射を行な
うことで時間調整を行ない、ストリップへの照射は品質
上必要とされる照射時間、ピッチとなるようにする。 (2) アイドルターゲット照射において一点を常時照射す
るとアイドルターゲットが損傷するが、照射位置を変化
させればアイドルターゲットの損傷を防ぐことができ
る。 (3) アイドルターゲットの設置位置はビーム偏向可能な
範囲でかつ、通常ストリップに照射する範囲を外す。 (4) アイドルターゲットは常にビーム照射されると、た
とえ照射位置を常時変化させたとしても加熱による損傷
が考えられる。他方ビーム通路は真空であり対流による
熱放散が期待できないため熱がこもり易い。従って積極
的に抜熱することが好ましいが、この点についてはアイ
ドルターゲットを冷却装置付きとすることで解決でき
る。 この発明は、上記の知見に立脚するものである。
問題を解決すべく鋭意研究を重ねた末に、以下に述べる
構成とすることが、所期した目的を達成する上で極めて
有効であるとの結論に達した。 (1) アイドルターゲットを設置し、ストリップ搬送速度
を変化させてもアイドルターゲットにビーム照射を行な
うことで時間調整を行ない、ストリップへの照射は品質
上必要とされる照射時間、ピッチとなるようにする。 (2) アイドルターゲット照射において一点を常時照射す
るとアイドルターゲットが損傷するが、照射位置を変化
させればアイドルターゲットの損傷を防ぐことができ
る。 (3) アイドルターゲットの設置位置はビーム偏向可能な
範囲でかつ、通常ストリップに照射する範囲を外す。 (4) アイドルターゲットは常にビーム照射されると、た
とえ照射位置を常時変化させたとしても加熱による損傷
が考えられる。他方ビーム通路は真空であり対流による
熱放散が期待できないため熱がこもり易い。従って積極
的に抜熱することが好ましいが、この点についてはアイ
ドルターゲットを冷却装置付きとすることで解決でき
る。 この発明は、上記の知見に立脚するものである。
【０００８】すなわち、この発明の要旨構成は次のとお
りである。 １．連続走行中の金属ストリップに対し、電子ビームを
連続的に照射する方法において、金属ストリップに対す
る必要照射時以外の待機時に、別途用意したアイドルタ
ーゲットに電子ビーム照射を行うものとし、その際該ア
イドルターゲットに対する電子ビームの照射位置を常時
変化させることを特徴とする電子ビームの照射方法。 ２．連続走行中の金属ストリップに対し、電子ビームを
連続的に照射する装置であって、偏向コイルをそなえる
電子ビーム源と、金属ストリップに対する必要照射時以
外の待機時に電子ビームを受けるアイドルターゲットを
そなえ、該アイドルターゲットを円弧状又はリング状と
し、かつこのアイドルターゲットを、電子ビーム源と金
属ストリップの照射開始点とを結ぶ線に直角な平面上
に、その中心を該照射開始点と一致させて配置したこと
を特徴とする電子ビームの照射装置。 ３．上記２において、アイドルターゲットが冷却装置を
そなえる電子ビームの照射装置。
りである。 １．連続走行中の金属ストリップに対し、電子ビームを
連続的に照射する方法において、金属ストリップに対す
る必要照射時以外の待機時に、別途用意したアイドルタ
ーゲットに電子ビーム照射を行うものとし、その際該ア
イドルターゲットに対する電子ビームの照射位置を常時
変化させることを特徴とする電子ビームの照射方法。 ２．連続走行中の金属ストリップに対し、電子ビームを
連続的に照射する装置であって、偏向コイルをそなえる
電子ビーム源と、金属ストリップに対する必要照射時以
外の待機時に電子ビームを受けるアイドルターゲットを
そなえ、該アイドルターゲットを円弧状又はリング状と
し、かつこのアイドルターゲットを、電子ビーム源と金
属ストリップの照射開始点とを結ぶ線に直角な平面上
に、その中心を該照射開始点と一致させて配置したこと
を特徴とする電子ビームの照射装置。 ３．上記２において、アイドルターゲットが冷却装置を
そなえる電子ビームの照射装置。
【０００９】以下、この発明を具体的に説明する。図１
に基づき、この発明の基本概念を説明する。図中、番号
１は電子ビーム発生装置（ＥＢガン）、２は金属ストリ
ップ、３は電子ビーム、４はアイドルターゲット、５は
真空チャンバーである。さて金属ストリップ２は、真空
チャンバー５内を紙面に垂直方向に走っているものとす
る。ＥＢガン１は、真空チャンバー５の上面に設置され
ていて、ストリップ２の上面に向けて電子ビーム３を照
射する。この時電子ビーム３は、ＥＢガン１に取り付け
られたビーム傾向コイルによって最大θ1 まで偏向でき
るものとする。そしてストリップ照射は、θ3 ＜θ1 を
満足するθ3 で偏向を行なう。
に基づき、この発明の基本概念を説明する。図中、番号
１は電子ビーム発生装置（ＥＢガン）、２は金属ストリ
ップ、３は電子ビーム、４はアイドルターゲット、５は
真空チャンバーである。さて金属ストリップ２は、真空
チャンバー５内を紙面に垂直方向に走っているものとす
る。ＥＢガン１は、真空チャンバー５の上面に設置され
ていて、ストリップ２の上面に向けて電子ビーム３を照
射する。この時電子ビーム３は、ＥＢガン１に取り付け
られたビーム傾向コイルによって最大θ1 まで偏向でき
るものとする。そしてストリップ照射は、θ3 ＜θ1 を
満足するθ3 で偏向を行なう。
【００１０】ここにアイドルターゲット４は、θ3 ＜ｘ
＜θ1 の範囲に設置し、ストリップ２を照射しない時す
なわち罫書きピッチ間のアイドルタイムには、このアイ
ドルターゲット４を照射することで時間調整を図ること
ができ、かくしてストリップ搬送速度のフレキシブルな
変更が可能となる。またアイドルターゲット４を照射
中、ビーム３を角度θ2 で揺動させることによって該タ
ーゲット４の損傷を軽減し、その寿命延長を図ることが
できる。とはいえアイドルターゲット４は真空チャンバ
ー５の中に設置されるため、空気による放熱ができない
ので、たとえビーム３を揺動させてもその熱は内部こも
り、温度上昇が避けられない。しかしながらこの点につ
いては、アイドルターゲット４に水冷装置を設けること
で解決できる。
＜θ1 の範囲に設置し、ストリップ２を照射しない時す
なわち罫書きピッチ間のアイドルタイムには、このアイ
ドルターゲット４を照射することで時間調整を図ること
ができ、かくしてストリップ搬送速度のフレキシブルな
変更が可能となる。またアイドルターゲット４を照射
中、ビーム３を角度θ2 で揺動させることによって該タ
ーゲット４の損傷を軽減し、その寿命延長を図ることが
できる。とはいえアイドルターゲット４は真空チャンバ
ー５の中に設置されるため、空気による放熱ができない
ので、たとえビーム３を揺動させてもその熱は内部こも
り、温度上昇が避けられない。しかしながらこの点につ
いては、アイドルターゲット４に水冷装置を設けること
で解決できる。
【００１１】以上のように、アイドルターゲットを設置
することにより、ストリップの搬送速度を罫書速度、照
射ピッチを基準としてではなく、製品生産量に基づいて
決定できるようになる。また、アイドルターゲットに対
して上記したような揺動照射や冷却手段を付加すること
により、寿命を実用上問題ない程度まで長くできる。
することにより、ストリップの搬送速度を罫書速度、照
射ピッチを基準としてではなく、製品生産量に基づいて
決定できるようになる。また、アイドルターゲットに対
して上記したような揺動照射や冷却手段を付加すること
により、寿命を実用上問題ない程度まで長くできる。
【００１２】アイドルターゲットの設置位置は、上記の
例だけに限るものではなく、図２に示すようなものでも
よい。ＥＢガン１は走行するストリップに対してライン
直角に電子ビーム３を照射、罫書くのであれば、当然ラ
イン長手方向（走行方向）にもビーム偏向を行なう。図
２の例は、これを利用してアイドルターゲット４をライ
ン長手方向位置に設置したものである。
例だけに限るものではなく、図２に示すようなものでも
よい。ＥＢガン１は走行するストリップに対してライン
直角に電子ビーム３を照射、罫書くのであれば、当然ラ
イン長手方向（走行方向）にもビーム偏向を行なう。図
２の例は、これを利用してアイドルターゲット４をライ
ン長手方向位置に設置したものである。
【００１３】上述したとおり、電子ビームの照射位置制
御は偏向コイルを用いて行われ、またアイドリング中は
アイドルターゲットに対し揺動照射状態で待機している
が、アイドルターゲットでの照射位置とストリップ照射
開始点との距離が一定でないと、ストリップ照射開始点
へのビーム移動時間（偏向コイルの立上り時間）が一定
とならないため、ストリップ照射開始点が不安定になる
ことが懸念される。具体的には、ビーム照射でストリッ
プに線状痕を形成する場合、数10〜数100μｍ単位でビ
ームの停留時間：数10μｓ程度の移動を繰り返して一本
の線を創生するのであるが、照射開始点へのビーム移動
時間が一定でないと、照射開始点のビーム停留時間が長
くなったり、短くなったりするため、所定の特性改善に
対して外乱要因となる。
御は偏向コイルを用いて行われ、またアイドリング中は
アイドルターゲットに対し揺動照射状態で待機している
が、アイドルターゲットでの照射位置とストリップ照射
開始点との距離が一定でないと、ストリップ照射開始点
へのビーム移動時間（偏向コイルの立上り時間）が一定
とならないため、ストリップ照射開始点が不安定になる
ことが懸念される。具体的には、ビーム照射でストリッ
プに線状痕を形成する場合、数10〜数100μｍ単位でビ
ームの停留時間：数10μｓ程度の移動を繰り返して一本
の線を創生するのであるが、照射開始点へのビーム移動
時間が一定でないと、照射開始点のビーム停留時間が長
くなったり、短くなったりするため、所定の特性改善に
対して外乱要因となる。
【００１４】この点については、アイドルターゲット照
射時の電子ビーム走査を、ストリップ照射開始点を中心
とした円弧状とし、アイドルターゲットからストリップ
照射開始点までの移動距離を常に一定、従ってビーム移
動時間を一定とすることで解決できる。装置に関してい
えば、アイドルターゲットを円弧状又はリング状とし、
かつこのアイドルターゲットを、電子ビーム源と金属ス
トリップの照射開始点とを結ぶ線に直角な平面上に、そ
の中心がストリップ照射開始点と一致するように配置す
ることである。
射時の電子ビーム走査を、ストリップ照射開始点を中心
とした円弧状とし、アイドルターゲットからストリップ
照射開始点までの移動距離を常に一定、従ってビーム移
動時間を一定とすることで解決できる。装置に関してい
えば、アイドルターゲットを円弧状又はリング状とし、
かつこのアイドルターゲットを、電子ビーム源と金属ス
トリップの照射開始点とを結ぶ線に直角な平面上に、そ
の中心がストリップ照射開始点と一致するように配置す
ることである。
【００１５】図４に、上記のような照射を行うのに適し
たビーム照射装置の好適例を示す。図中、構成の骨子は
前掲図１と共通するので同一の番号を付して示し、番号
６がリング状のアイドルターゲットである。さて、電子
ビーム照射は、照射開始点Ｓから照射終了点Ｅへ向けて
ストリップ２を横切る向きに行われる。このときアイド
ルターゲット６はリング状をしており、電子ビーム源と
照射開始点Ｓとを結ぶ線に直角な平面上で、その中心
“Ｏ”が照射開始点Ｓへのビーム経路に一致するように
取り付けられている。待機中において、アイドルターゲ
ット６を照射中のビーム３′は、このアイドルターゲッ
ト６の上をストリップへの照射開始点Ｓを中心として円
を描いて走査している。そして次の照射指令が出るとＳ
へ向けてビーム３′は移動するが、どの位置からＳへ移
動しても移動距離が等しいので、Ｓへの移動時間のバラ
ツキはなくなるのである。
たビーム照射装置の好適例を示す。図中、構成の骨子は
前掲図１と共通するので同一の番号を付して示し、番号
６がリング状のアイドルターゲットである。さて、電子
ビーム照射は、照射開始点Ｓから照射終了点Ｅへ向けて
ストリップ２を横切る向きに行われる。このときアイド
ルターゲット６はリング状をしており、電子ビーム源と
照射開始点Ｓとを結ぶ線に直角な平面上で、その中心
“Ｏ”が照射開始点Ｓへのビーム経路に一致するように
取り付けられている。待機中において、アイドルターゲ
ット６を照射中のビーム３′は、このアイドルターゲッ
ト６の上をストリップへの照射開始点Ｓを中心として円
を描いて走査している。そして次の照射指令が出るとＳ
へ向けてビーム３′は移動するが、どの位置からＳへ移
動しても移動距離が等しいので、Ｓへの移動時間のバラ
ツキはなくなるのである。
【００１６】図５は、別例を示したものである。前掲図
４による方法では、ＥＢガン１はストリップ照射に必要
なＳ〜Ｅのビーム偏向能力以上にアイドルターゲット６
を走査するための偏向能力が必要であった。一般にＥＢ
ガン１のビーム偏向能力は平面的に見てｘ，ｙ方向同じ
である場合が多く、その場合図５で示されるＡのような
円形となる。ストリップ照射範囲はビーム偏向能力に対
してできるかぎり大きくすることが望まれる。というの
は、それにより同一幅を照射するガン台数を削減できる
からである。この例は、ビーム偏向能力範囲Ａに対し、
能力一ぱいの所にストリップ照射開始点Ｓ、終了点Ｅを
配置し、同時にビーム偏向能力範囲Ａ内にアイドルター
ゲットを設置した例である。この例において、アイドル
ターゲット７は円形の一部を取った円弧状形とし、その
大きさはビーム偏光範囲Ａ内とする。またその円弧中心
“Ｏ”はストリップ照射開始位置Ｓに一致させる。アイ
ドルターゲット照射中のビーム３′はターゲット上をＳ
を中心とした円弧状に往復走査する。そして次の照射指
令によりＳへ向けてビーム移動を行なうのである。
４による方法では、ＥＢガン１はストリップ照射に必要
なＳ〜Ｅのビーム偏向能力以上にアイドルターゲット６
を走査するための偏向能力が必要であった。一般にＥＢ
ガン１のビーム偏向能力は平面的に見てｘ，ｙ方向同じ
である場合が多く、その場合図５で示されるＡのような
円形となる。ストリップ照射範囲はビーム偏向能力に対
してできるかぎり大きくすることが望まれる。というの
は、それにより同一幅を照射するガン台数を削減できる
からである。この例は、ビーム偏向能力範囲Ａに対し、
能力一ぱいの所にストリップ照射開始点Ｓ、終了点Ｅを
配置し、同時にビーム偏向能力範囲Ａ内にアイドルター
ゲットを設置した例である。この例において、アイドル
ターゲット７は円形の一部を取った円弧状形とし、その
大きさはビーム偏光範囲Ａ内とする。またその円弧中心
“Ｏ”はストリップ照射開始位置Ｓに一致させる。アイ
ドルターゲット照射中のビーム３′はターゲット上をＳ
を中心とした円弧状に往復走査する。そして次の照射指
令によりＳへ向けてビーム移動を行なうのである。
【００１７】実施例 ストリップの特性改善効果が最大となるビーム走査速度
が10ｍ/s、走査ピッチが10mmであり、またビーム照射幅
が 100mmであるとき、一本の線状痕を形成するのに必要
な時間ＴS は、 ＴS ＝ (100mm)／（10×103mm/s)＝ 0.01 ｓ となる。従来法に従って連続ビーム照射を行うには、0.
01ｓでストリップを走査ピッチである10mmだけ搬送する
必要があるから、ライン速度ｖは、 ｖ＝(10mm)／(0.01 s)＝ 1000 mm/s＝60 mpm に律速される。
が10ｍ/s、走査ピッチが10mmであり、またビーム照射幅
が 100mmであるとき、一本の線状痕を形成するのに必要
な時間ＴS は、 ＴS ＝ (100mm)／（10×103mm/s)＝ 0.01 ｓ となる。従来法に従って連続ビーム照射を行うには、0.
01ｓでストリップを走査ピッチである10mmだけ搬送する
必要があるから、ライン速度ｖは、 ｖ＝(10mm)／(0.01 s)＝ 1000 mm/s＝60 mpm に律速される。
【００１８】実生産ラインにおいては、連続ラインの前
後の条件とくに接続溶接などにより減速を余儀なくされ
る。ここにライン速度が 60mpmから40mpmまでの減速を
余儀なくされた場合、走査ピッチ：10mmの搬送に要する
時間は (10mm)／ (40×1000mm／60 s) ＝ 0.015 s となるが、ＴS は0.01ｓであるから、 0.005ｓだけビー
ム照射をOFF する必要が生じる。しかしながらかような
短時間のON−OFF 操作は、簡単には行うことができない
ため、ON−OFF 操作前後の領域については所望特性を得
ることはできなかった。
後の条件とくに接続溶接などにより減速を余儀なくされ
る。ここにライン速度が 60mpmから40mpmまでの減速を
余儀なくされた場合、走査ピッチ：10mmの搬送に要する
時間は (10mm)／ (40×1000mm／60 s) ＝ 0.015 s となるが、ＴS は0.01ｓであるから、 0.005ｓだけビー
ム照射をOFF する必要が生じる。しかしながらかような
短時間のON−OFF 操作は、簡単には行うことができない
ため、ON−OFF 操作前後の領域については所望特性を得
ることはできなかった。
【００１９】この点、この発明では、余分な 0.005ｓ間
については電子ビームをアイドルターゲットに照射する
ことで連続照射を活用することができ、ON−OFF 操作を
行う必要がないので、特性の劣化を招くおそれはない。
このようにこの発明では、アイドルターゲットを利用す
ることにより、実生産ラインにおいてフレキシブルにラ
イン速度を選定することができる。
については電子ビームをアイドルターゲットに照射する
ことで連続照射を活用することができ、ON−OFF 操作を
行う必要がないので、特性の劣化を招くおそれはない。
このようにこの発明では、アイドルターゲットを利用す
ることにより、実生産ラインにおいてフレキシブルにラ
イン速度を選定することができる。
【００２０】
【発明の効果】かくしてこの発明に従い、金属ストリッ
プに電子ビームを照射する場合に、アイドルターゲット
を別途設け、金属ストリップに対する必要照射時以外
は、このアイドルターゲットに電子ビーム照射を行なう
ことにより、ストリップ搬送速度がビーム照射条件の規
制を受けることがなくなり、かくして工業上ムダのない
生産を実施することが可能となった。
プに電子ビームを照射する場合に、アイドルターゲット
を別途設け、金属ストリップに対する必要照射時以外
は、このアイドルターゲットに電子ビーム照射を行なう
ことにより、ストリップ搬送速度がビーム照射条件の規
制を受けることがなくなり、かくして工業上ムダのない
生産を実施することが可能となった。
【図１】この発明の基本概念の説明図である。
【図２】この発明に従う照射装置の模式図である。
【図３】ライン速度の律速条件の算出図である。
【図４】この発明に従う照射装置の別例を示す模式図で
ある。
ある。
【図５】この発明に従う照射装置の別例を示す模式図で
ある。
ある。
１ 電子ビーム発生装置（ＥＢガン） ２ 金属ストリップ ３ 電子ビーム ４ アイドルターゲット ５ 真空チャンバー ６ リング状アイドルターゲット ７ 円弧状アイドルターゲット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日名 英司 岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な し） 川崎製鉄株式会社 水島製鉄所内 (72)発明者 若林 清 岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な し） 川崎製鉄株式会社 水島製鉄所内 (72)発明者 直井 孝之 岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な し） 川崎製鉄株式会社 水島製鉄所内 (72)発明者 相澤 均 岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な し） 川崎製鉄株式会社 水島製鉄所内 (56)参考文献 特開 昭63−36971（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C21D 9/46 501 C21D 8/12 H01F 1/16 B23K 26/00 - 26/18
Claims (3)
- 【請求項１】 連続走行中の金属ストリップに対し、電
子ビームを連続的に照射する方法において、金属ストリ
ップに対する必要照射時以外の待機時に、別途用意した
アイドルターゲットに電子ビーム照射を行うものとし、
その際該アイドルターゲットに対する電子ビームの照射
位置を常時変化させることを特徴とする電子ビームの照
射方法。 - 【請求項２】 連続走行中の金属ストリップに対し、電
子ビームを連続的に照射する装置であって、 偏向コイルをそなえる電子ビーム源と、金属ストリップ
に対する必要照射時以外の待機時に電子ビームを受ける
アイドルターゲットをそなえ、該アイドルターゲットを
円弧状又はリング状とし、かつこのアイドルターゲット
を、電子ビーム源と金属ストリップの照射開始点とを結
ぶ線に直角な平面上に、その中心を該照射開始点と一致
させて配置したことを特徴とする電子ビームの照射装
置。 - 【請求項３】 請求項２において、アイドルターゲット
が冷却装置をそなえる電子ビームの照射装置。
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