JP3157673B2 - 仮想記憶システム - Google Patents

仮想記憶システム

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報処理装置における
仮想記憶システムに関し、特に大容量の二次記憶装置を
管理する仮想記憶システムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の仮想記憶システムでは、仮想アド
レスを物理アドレスに変換するページテーブル内にペー
ジ記述子というページごとの管理情報を備え、このペー
ジ記述子によって二次記憶装置内の格納位置等の情報を
管理していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の仮想記
憶システムでは、管理できる二次記憶装置の総容量がペ
ージ記述子のサイズによって制限され、二次記憶装置の
容量を増加することが困難であった。また、逆にページ
記述子のサイズを増やすことはページテーブルのサイズ
に大きな影響を与えるため、ページ記述子のサイズ自体
を増やすことも困難であった。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願発明は、仮想記憶空間を管理する仮想記憶シス
テムであって、一定の大きさのページごとに分割された
前記仮想記憶空間の一部を格納する主記憶装置と、前記
ページごとに分割された仮想記憶空間のうち前記主記憶
装置に格納されていない記憶空間を格納する複数の二次
記憶装置と、前記主記憶装置を前記ページごとに管理す
る主記憶管理テーブルと、前記複数の二次記憶装置の一
つを識別する二次記憶装置番号と前記ページごとに分割
された仮想記憶空間を管理する複数のページ記述子とを
含む複数のページテーブルとを含むまた、前記ページ記
述子の各々は、前記ページごとに分割された仮想記憶空
間が前記主記憶装置に格納されているか否かを表すペー
ジ不在情報と、前記ページごとに分割された仮想記憶空
間が前記主記憶装置に格納されている場合には前記主記
憶装置の物理アドレスを保持し前記ページごとに分割さ
れた仮想記憶空間が前記主記憶装置に格納されていない
場合には前記二次記憶装置内のアドレスを保持するペー
ジアドレス情報とを含む。
【0005】
【実施例】次に本願発明の仮想記憶システムの一実施例
について図面を参照して詳細に説明する。
【0006】図1を参照すると、本願発明の一実施例で
ある仮想記憶システムは、論理アドレス100によって
指示されるページテーブル200と、主記憶装置400
と、主記憶装置400を管理する主記憶管理テーブル5
00と、主記憶装置400に格納しきれない記憶領域を
退避する複数の二次記憶装置300とを含んでいる。
【0007】論理アドレス100は、ページとよばれる
一定の大きさの記憶空間を単位として管理される。論理
アドレス100は、例えば、図2に示すようにセグメン
トアドレス110と、セグメント内ページアドレス12
0と、ページ内アドレス130とから成る。セグメント
アドレス110は複数のページテーブル200の一つを
選択するために使用され、セグメント内ページアドレス
120は選択されたページテーブル内でページを選択す
るために使用される。ページ内アドレス130は主記憶
装置400上のページアドレスまたは二次記憶装置30
0上のページアドレスが決定された後にページ内のアド
レスとして使用される。
【0008】ページテーブル200は、システム内に複
数存在し、各ページテーブルは複数のページを管理す
る。この各ページテーブルに割り当てられるページ群の
各々をセグメントとよぶ。このセグメント内の複数のペ
ージの各々に対応して、ページテーブル200には、ペ
ージ不在情報とページアドレスから成るページ記述子を
含んでいる。ページ記述子のページ不在情報は、該当す
るページが主記憶上に存在するか否かを示すものであ
る。本実施例では、主記憶上に存在する場合を”1”と
し、二次記憶上に退避されている場合には”0”とする
が、これは逆であるように規定しても構わないことはい
うまでもない。また、ページ記述子のページアドレスに
は、ページが主記憶上に存在する場合には主記憶上の物
理アドレスが格納され、ページ不在状態の場合には二次
記憶装置上の二次記憶装置アドレスが格納される。
【0009】さらに、各ページテーブル200は、複数
の二次記憶装置300から一つを選択するために二次記
憶装置番号を有している。従って、実際の二次記憶装置
上の位置は、この二次記憶装置番号と上述の二次記憶装
置アドレスとを組み合わせることによって確定すること
ができる。
【0010】これら複数のページテーブル200から一
つを選択するためには、例えば図2のセグメントアドレ
スを使用する。そして、選択されたページテーブル20
0においてページ記述子を選択するためには、セグメン
ト内ページアドレス120を使用する。
【0011】主記憶装置400は、(図示しない)処理
装置からアクセスされる記憶装置であり、ページテーブ
ル200によってページごとに、物理アドレスによりア
クセスされる。
【0012】主記憶装置管理テーブル500は、主記憶
装置400を管理するための情報を格納するものであ
る。この主記憶装置管理テーブル500に格納される管
理情報の一つとして、主記憶装置400上の各ページが
二次記憶装置300上に退避される際の二次記憶装置ア
ドレスを含んでいる。
【0013】二次記憶装置300は、仮想記憶空間領域
の内、主記憶装買に格納しきれなかった領域を退避する
ためのものである。この二次記憶装置300は、システ
ム内に複数存在し、いずれの二次記憶装置300にアク
セスすべきかはページテーブル200内の二次記憶装置
番号により決定される。
【0014】次に本願発明の一実施例である仮想記憶シ
ステムにおける記憶アクセスの処理の流れについて説明
する。
【0015】図3を参照すると、本願発明の一実施例に
おける記憶アクセスでは、まず、論理アドレス100の
セグメントアドレス110によりページテーブル200
を選択する(ステップ201)。そして、論理アドレス
100のセグメント内ページアドレス120により、ペ
ージテーブル200内のページ記述子を選択する(ステ
ップ202)。
【0016】上記処理により選択されたページテーブル
200内のページ記述子において、ページ不在情報が
「ページ存在」(”1”)を示していれば(ステップ2
03)、そのページ記述子のページアドレスには主記憶
装置400の物理アドレスが格納されている。この場合
には、この物理アドレスを用いることにより(ステップ
209)、主記憶装置400にアクセスすることができ
る(ステップ208)。
【0017】上記処理により選択されたページテーブル
200内のページ記述子において、ページ不在情報が
「ページ不在」(”0”)を示している場合には(ステ
ップ203)、そのページ記述子のページアドレスには
二次記憶装置300内の二次記憶装置アドレスが格納さ
れている。この場合には、そのページテーブルの二次記
憶装置番号により、いずれの二次記憶装置300である
かを決定する(ステップ204)。そして、そのページ
記述子のページアドレスに格納されている二次記憶装置
アドレスによって二次記憶装置内のアドレスを決定する
(ステップ205)。
【0018】続いて、このようにして決定された二次記
憶装置300の該当ページを主記憶装置400上に転送
(以下、ページイン処理という)する(ステップ20
6)。このページ転送に伴って、ページテーブル200
の該当ページ記述子を書き換える(ステップ207)。
すなわち、ページ不在情報を「ページ存在」(”1”)
にして、そのページ記述子のページアドレスに格納され
ている二次記憶装置アドレスを主記憶管理テーブル50
0に退避した後、そのページ記述子のページアドレスに
主記憶装置400の物理アドレスを設定する。その後、
主記憶装置400に転送されたそのページにアクセスす
ることができる(ステップ208)。
【0019】尚、上記ページイン処理に先立って、主記
憶装置400に空きがない場合は、周知技術であるLR
U制御等によって主記憶装置400内のページを選択
し、二次記憶装置300に書き出しておく(以下、ペー
ジアウト処理という)必要がある。このページアウト処
理の際には、主記憶管理テーブル500に格納されてい
た二次記憶装置アドレスを使用して二次記憶装置300
に書出しを行なう。また、この二次記憶装置アドレスは
そのページ記述子のページアドレスに格納される。さら
に、そのページ記述子のページ不在情報を「ページ不
在」(”0”)に設定する。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ペ
ージテーブルごとに二次記憶装置番号を格納することに
より、セグメントごとに別々の二次記憶装置上に二次記
憶を確保することができる。これにより、ページ記述子
のサイズを増やすことなく二次記憶容量を増加すること
ができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の仮想記憶システムの一実施例を表すブ
ロック図である。
【図2】本発明の一実施例における論理アドレス構成の
一例である。
【図3】本発明の一実施例の仮想記憶システムの記憶ア
クセス処理の動作を表す図である。
【符号の説明】
100 論理アドレス 110 セグメントアドレス 120 セグメント内アドレス 130 ページ内アドレス 200 ページテーブル 300 二次記憶装置 400 主記憶装置 500 主記憶装置管理テーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−223544(JP,A) 特開 平1−200451(JP,A) 特開 平3−138741(JP,A) 特開 平2−310648(JP,A) 特開 平2−194452(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固定長の複数のページから構成される、
    複数のセグメントを含む仮想記憶空間の一部を格納する
    主記憶装置と、前記 仮想記憶空間の内、前記主記憶装置に格納されてい
    ない記憶空間を格納する複数の二次記憶装置と、前記複数のセグメントのそれぞれに対応し、前記複数の
    二次記憶装置のいずれかの二次記憶装置番号と該セグメ
    ントを構成する複数のページのそれぞれに対応する複数
    のエントリとを含み、各エントリが、対応するページの
    前記主記憶装置上または前記二次記憶装置上のページア
    ドレスを含むページテーブルと、 前記主記憶装置上のページに対するアクセス要求を受
    け、該ページに対応する前記ページテーブル中のエント
    リのページアドレスを参照し、該ページアドレスが主記
    憶装置上のページを指している場合には該ページをアク
    セスし、該ページアドレスが二次記憶装置上のページを
    指している場合には該ページテーブル中の前記二次記憶
    装置番号と該ページアドレスとの組み合わせにより特定
    されるページを前記主記憶装置上に読み込んでアクセス
    する記憶空間アクセス手段とを備えた ことを特徴とする
    仮想記憶システム。
  2. 【請求項2】 前記ページテーブルの各エントリが、さ
    らに、対応するページが前記主記憶装置上に存在するか
    前記二次記憶装置上に存在するかを示すページ不在情報
    を含み、 前記記憶空間アクセス手段が、 前記主記憶装置上のページに対するアクセス要求を受
    け、該ページに対応する前記ページテーブル中のエント
    リのページ不在情報を参照し、該ページ不在情報が前記
    主記憶装置上に該ページが存在することを示している場
    合には、該エントリのページアドレスが指す主記憶装置
    上のページをアクセスし、該ページ不在情報が前記二次
    記憶装置上に該ページが存在することを示している場合
    には、該ページテーブル中の前記二次記憶装置番号と該
    エントリのページアドレスとの組み合わせにより特定さ
    れるページを前記主記憶装置上に読み込んでアクセスす
    るとともに、該エントリのページ不在情報を該ページが
    前記主記憶装置上に存在する旨示すように変更する こと
    を特徴とする請求項1記載の仮想記憶システム。
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