JP3157109B2 - Method and apparatus for firing a substrate containing a film forming material - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成素材を含む
基板に熱処理を均一に施すための焼成方法および装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking method and apparatus for uniformly performing a heat treatment on a substrate including a film forming material.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ソーダライムガラスに代表されるガラス
製基板やアルミナに代表されるセラミックス基板の上
に、金属或いは無機材料をガラスボンド成分の溶融や、
材料自体の軟化、溶融、或いは焼結により、所定の機能
を生じる膜が固着されたりするような、膜形成素材を含
む基板が知られている。例えば、螢光表示管の陽極基
板、プラズマディスプレイパネル用基板、プラズマアド
レス液晶表示装置のプラズマスイッチング基板、フィー
ルドエミッション表示装置用基板などの表示デバイス用
基板、厚膜配線基板、或いはサーマルプリンターヘッド
やイメージセンサ等の電子デバイス用基板がそれであ
る。このような電子デバイス用基板には、一般に、基板
自体のアニールのためやガラス素材を結合剤として応用
した機能材料の膜形成のために、500 乃至650(℃) 程度
の熱処理が施され、セラミック基板においてはガラス素
材を結合剤として応用した機能材料の膜形成、或いは金
属材料自体の界面の溶融を応用した機能材料の膜形成の
ために例えば500 乃至900(℃) 程度の熱処理が施され
る。2. Description of the Related Art On a glass substrate represented by soda-lime glass or a ceramic substrate represented by alumina, a metal or inorganic material is melted by a glass bond component,
2. Description of the Related Art A substrate including a film forming material is known in which a film having a predetermined function is fixed by softening, melting, or sintering of the material itself. For example, an anode substrate of a fluorescent display tube, a substrate for a plasma display panel, a plasma switching substrate for a plasma addressed liquid crystal display, a substrate for a display device such as a substrate for a field emission display, a thick film wiring substrate, or a thermal printer head or image This is a substrate for an electronic device such as a sensor. Such a substrate for an electronic device is generally subjected to a heat treatment of about 500 to 650 (° C.) to anneal the substrate itself or to form a film of a functional material using a glass material as a binder. On the substrate, a heat treatment of, for example, about 500 to 900 (° C.) is performed to form a film of a functional material using a glass material as a binder or to form a film of a functional material using melting of an interface of the metal material itself. .

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
上記膜形成素材を含む基板は、その表面にパターニング
形成される導体、抵抗、誘電体などの多層化および細密
化が図られるとともに、特に、上記表示デバイス用基板
では表示面積の大型化に伴って比較的大きな寸法のもの
を製造することが必要となっている。そのため、表示デ
バイス用基板では大きな寸法に亘って細密にパターン形
成することが要求されるとともに、上記電子デバイス用
基板では、機能を発生させる膜に与えられるパターン空
間が細密化することによって品質の確保のために膜の均
一性が一層要求される。しかしながら、上記基板の焼成
によってもたらされる品質への影響は、上記のように大
型となる程大きくなり、それらのばらつきが製品設計上
の制約となったり、製品の歩留まりを低下させる一因と
なっていた。例えば、抵抗層においては抵抗値のばらつ
き、誘電体層においては耐電圧のばらつきや残存率の不
均一による厚み寸法のばらつき、導体層においては導通
抵抗およびワイヤボンディング性やスパッタリング性な
どのばらつきが大きくなるのである。However, in recent years,
The substrate including the film-forming material has a multi-layered and fine structure of a conductor, a resistor, and a dielectric formed on the surface thereof, and in particular, the display device substrate has a large display area. It is necessary to produce relatively large dimensions. Therefore, the display device substrate is required to form a fine pattern over a large dimension. In the electronic device substrate, the quality is ensured by reducing the pattern space given to the film for generating functions. Therefore, uniformity of the film is further required. However, the influence on the quality brought by the firing of the substrate becomes larger as the size becomes larger as described above, and the variation thereof becomes a constraint on the product design or contributes to lowering the product yield. Was. For example, a resistance layer has a large variation in resistance value, a dielectric layer has a large variation in a thickness dimension due to a variation in a withstand voltage and a non-uniform residual ratio, and a conductive layer has a large variation in conduction resistance and wire bonding properties and sputtering properties. It becomes.

【０００４】また、熱処理に伴って基板素材そのものの
膨張或いは収縮による寸法変動がある場合は、機能を有
する膜のパターニング後に行われる焼成毎のパターン間
の位置合わせが困難となる。これら層品質の均一性およ
びパターン間の位置合わせの一致性は、精細なパターン
となる程或いは基板が大型となる程困難となり、製品歩
留まりが加速度的に低下するという不都合があった。例
えば40インチ以上の大型表示装置としてのプラズマディ
スプレイ用基板を例にとると、次のような歩留まり低下
要因がある。例えば、多数のセルを形成する多層構造の
各層の寸法精度が確保できない、障壁の高さおよび幅の
寸法のばらつきが生じる、抵抗付セルにおいては抵抗値
のばらつきを生じる、誘電体層においては耐電圧にばら
つきを生じる、全体的な寸法ばらつきはフロント板とリ
ヤ板とを組み合わせて放電セルを形成するときにズレを
生じる、などである。[0004] Further, when there is a dimensional change due to expansion or contraction of the substrate material itself due to the heat treatment, it becomes difficult to perform pattern alignment for each firing performed after patterning of a film having a function. The uniformity of the layer quality and the consistency of the alignment between the patterns become more difficult as the patterns become finer or as the substrate becomes larger, and there is a disadvantage that the product yield decreases at an accelerated rate. For example, in the case of a plasma display substrate as a large display device having a size of 40 inches or more, there are the following factors that lower the yield. For example, the dimensional accuracy of each layer of the multilayer structure forming a large number of cells cannot be secured, the height and width of the barrier vary, the resistance of the resistive cell varies, and the dielectric layer has resistance. Variations in voltage and overall dimensional variations include deviations when forming a discharge cell by combining a front plate and a rear plate.

【０００５】本発明は以上の事情を背景として為された
ものであり、その目的とするところは、基板内の均一な
加熱により膜形成素材を含む基板の歩留まりを高くでき
る膜形成素材を含む基板の焼成方法および装置を提供す
ることにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate including a film forming material capable of increasing the yield of the substrate including the film forming material by uniform heating in the substrate. And a baking method and apparatus.

【０００６】本発明者は上記の課題を達成するために種
々研究を重ねた結果、厚膜に含まれる金属、無機材料の
溶融或いは焼結状態、機能成分を固着させるために低下
されるガラスボンド成分、或いは誘電体にあってはガラ
ス成分そのものの軟化或いは溶融状態が基板内において
局部的に相違することを見出した。本発明は上記の知見
に基づいて為されたものである。The present inventor has conducted various studies to achieve the above-mentioned object, and as a result, the metal or inorganic material contained in the thick film is melted or sintered, and the glass bond is lowered to fix the functional component. It has been found that the softening or melting state of the glass component itself in the component or dielectric material is locally different in the substrate. The present invention has been made based on the above findings.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための第１の手段】上記の目的を達成
するための第１発明の要旨とするところは、膜形成素材
を含む複数の基板を一方向に順次搬送する過程でそれら
複数の基板の各々に均一に熱処理を施すための焼成方法
であって、その熱処理の冷却過程において、(a) 前記一
方向に沿って段階的に低くなるように室毎に設定された
設定温度と一致するように予め温度制御された複数の加
熱室内の各々で前記複数の基板の各々を所定時間収容す
ることにより、それら複数の基板の各々をその室毎の設
定温度で均熱させる均熱工程と、(b) それら複数の加熱
室内の各々で熱処理された前記複数の基板の各々をそれ
ら複数の加熱室の各々からその加熱室よりも低い設定温
度の加熱室へ順次送り出す搬出工程と、(c) 前記複数の
基板のうちの所定の基板が送り出された前記複数の加熱
室のうちの所定の加熱室内に、その加熱室の設定温度よ
りも低い温度の気体を供給する気体供給工程と、(d) そ
の気体供給工程の後に、前記所定の加熱室内に前記複数
の基板のうちの前記所定の基板に続く他の基板を送り込
む搬入工程とを、含むことにある。A first aspect of the present invention to achieve the above-mentioned object is to provide a method for transporting a plurality of substrates including a film forming material sequentially in one direction. A baking method for uniformly performing a heat treatment on each of the substrates, and in a cooling process of the heat treatment, (a) a temperature equal to a set temperature set for each chamber so as to gradually decrease along the one direction. A heat equalizing step of accommodating each of the plurality of substrates at a set temperature for each of the plurality of substrates by accommodating each of the plurality of substrates for a predetermined time in each of a plurality of heating chambers whose temperature is controlled in advance. (B) an unloading step of sequentially sending each of the plurality of substrates heat-treated in each of the plurality of heating chambers from each of the plurality of heating chambers to a heating chamber having a lower set temperature than the heating chamber; ) A predetermined group of the plurality of substrates A gas supply step of supplying a gas having a temperature lower than a set temperature of the heating chamber to a predetermined heating chamber of the plurality of heating chambers to which the gas has been sent out; and (d) after the gas supply step, And carrying in another substrate following the predetermined substrate among the plurality of substrates into the heating chamber.

【０００８】[0008]

【第１発明の効果】このようにすれば、膜形成素材を含
む複数の基板は、熱処理の冷却過程において、均熱工程
において前記一方向に沿って段階的に低くなるように室
毎に設定された設定温度でそれぞれ所定時間均熱された
後、搬出工程において加熱室から低い設定温度の加熱室
へ順次送り出されるが、気体供給工程においてそれら複
数の基板のうちの所定の基板が送り出された所定の加熱
室内にその設定温度よりも低い温度の気体が供給され、
その後、搬入工程において上記所定の基板に続く他の基
板がその所定の加熱室内に送り込まれる。このように、
一方向に沿って段階的に低くなるように室毎に設定され
た設定温度にそれぞれ維持された加熱室内で均熱を繰り
返しながら熱処理の冷却過程が行われることから、膜形
成素材を含む基板内の温度のばらつきが可及的に小さく
される。このとき、基板が送り出された加熱室には、室
内に基板が存在しない状態で設定温度よりも低温の気体
が供給されるため、その加熱室に設けられている加熱源
の出力（すなわち温度制御出力）が基板の均熱中よりも
高められた状態で安定させられ、その後、次の基板が送
り込まれる。これにより、各々の加熱室内では空室での
温度制御状態下から複数の基板の各々の熱処理が開始さ
れるため、加熱室毎の設定温度よりも高温の複数の基板
を順次熱処理することによって温度制御が不安定になる
ことが抑制されて、加熱室内に送り込まれた基板が放冷
状態となる時間が十分に短くされることから、基板内の
温度のばらつきが一層小さくされる。そのため、基板が
ガラス製である場合にあってその歪点以上の温度で熱処
理される場合は、基板内の寸法の局部的変化すなわち形
成パターンのゆがみが可及的に小さくされるので、次工
程以降のパターンとの位置ずれが防止されて、精細なパ
ターンや大型基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高
められる。また、上記のように膜形成素材を含む基板内
の温度のばらつきが可及的に小さくされることから、基
板の表面に厚膜誘電体層、隔壁状誘電体層、厚膜抵抗
層、電極層、無機着色顔料層が設けられる場合にあって
は、それら厚膜内のボンド成分として機能するガラスの
溶融、軟化の程度が一様となって、また金属−金属酸化
物系の溶融、焼結の程度が一様となって、それぞれ耐電
圧品質、隔壁の高さおよび幅寸法、抵抗値、放電品質、
光学的フィルター特性のばらつきなどが好適に小さくさ
れ、大型基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高めら
れる。さらに、上記のように抵抗値のばらつきが小さく
される結果、工程の管理負荷や、トリミングなどの工程
が削減され或いは負荷が軽減される。According to the first aspect of the present invention, the plurality of substrates including the film forming material are set for each chamber so as to gradually decrease along the one direction in the soaking process in the cooling process of the heat treatment. After being soaked for a predetermined time at the set temperature, each of the substrates is sequentially sent out from the heating chamber to a heating chamber having a lower set temperature in the unloading step, but a predetermined one of the plurality of substrates is sent out in the gas supply step. A gas having a temperature lower than the set temperature is supplied to a predetermined heating chamber,
Thereafter, in the loading step, another substrate following the predetermined substrate is sent into the predetermined heating chamber. in this way,
Since the cooling process of the heat treatment is performed while repeating soaking in the heating chamber maintained at the set temperature set for each chamber so as to gradually decrease in one direction, the inside of the substrate including the film forming material Temperature variations are minimized. At this time, since a gas at a temperature lower than the set temperature is supplied to the heating chamber to which the substrate has been sent out without the substrate in the chamber, the output of the heating source provided in the heating chamber (that is, the temperature control) Output) is stabilized at a higher level than during the soaking of the substrate, after which the next substrate is fed. Thereby, in each heating chamber, the heat treatment of each of the plurality of substrates is started from the temperature control state in the empty room, and the temperature is sequentially increased by performing the heat treatment on the plurality of substrates higher than the set temperature of each heating chamber. Instability of the control is suppressed, and the time during which the substrate sent into the heating chamber is allowed to cool is sufficiently shortened, so that the temperature variation in the substrate is further reduced. Therefore, when the substrate is made of glass and is heat-treated at a temperature equal to or higher than the strain point, local changes in dimensions within the substrate, that is, distortion of the formed pattern are reduced as much as possible. The misalignment with the subsequent pattern is prevented, and the production yield is drastically improved even for a fine pattern or a large substrate. In addition, since the temperature variation in the substrate including the film forming material is reduced as much as possible as described above, the thick film dielectric layer, the partition wall dielectric layer, the thick film resistance layer, the electrode In the case where a layer and an inorganic color pigment layer are provided, the degree of melting and softening of the glass functioning as a bond component in the thick film becomes uniform, and melting and burning of a metal-metal oxide system are performed. The degree of knotting becomes uniform, withstand voltage quality, height and width dimensions of the partition, resistance value, discharge quality,
Variations in optical filter characteristics and the like are suitably reduced, and the production yield is dramatically improved even for a large substrate. Further, as described above, as a result of reducing the variation in the resistance value, the management load of the process and the process such as trimming are reduced or the load is reduced.

【０００９】因みに、加熱室内に基板が送り込まれる
と、その基板が持ち込む熱によって加熱源の出力すなわ
ち温度制御量が低下させられることから、当初は基板が
放冷状態となる。そのため、基板が順次送り込まれるこ
とによってその熱が蓄積されると放冷状態となる時間が
次第に長くなるが、基板の放冷状態においては基板内の
各部位の熱放散性のばらつきに起因して温度ばらつきが
大きくなり易い。したがって、基板を均熱処理するに際
しては、そのような放冷状態が可及的に短くされるこ
と、すなわち温度制御出力が高く保たれることが望まれ
るのである。Incidentally, when a substrate is fed into the heating chamber, the output of the heating source, that is, the amount of temperature control is reduced by the heat brought in by the substrate. Therefore, when the heat is accumulated by successively feeding the substrates, the time in which the substrate is left to cool is gradually increased. Temperature variation tends to increase. Therefore, when the substrate is soaked, it is desired that such a cooled state be as short as possible, that is, that the temperature control output be kept high.

【００１０】また、本発明によれば、熱処理を終えた基
板が所定の加熱室から送り出された後に、その所定の加
熱室内が空室での温度制御出力とされ、その後、前記他
の基板が送り込まれることから、後に処理される基板に
対する先に処理された基板による熱的な影響が抑制され
る。そのため、寸法や熱容量等の異なる基板が連続して
処理される場合や、基板が断続的に搬送されて熱処理さ
れる場合にも、搬送条件を考慮することなく熱処理する
ことが可能であることから、焼成装置の制御が容易とな
る。Further, according to the present invention, after the substrate subjected to the heat treatment is sent out from the predetermined heating chamber, the predetermined heating chamber is subjected to a temperature control output in an empty room, and thereafter, the other substrate is output. Since the substrate is fed, the thermal effect of the previously processed substrate on the substrate to be processed later is suppressed. Therefore, even when substrates having different dimensions and heat capacities are continuously processed, or when the substrates are intermittently transferred and heat-treated, the heat treatment can be performed without considering the transfer conditions. In addition, the control of the firing device is facilitated.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための第２の手段】上記発明方法を好
適に実施するための第２発明の要旨とするところは、膜
形成素材を含む複数の基板を一方向に順次搬送する過程
でそれら複数の基板の各々に均一に熱処理を施すための
焼成装置であって、(a) トンネル状の加熱領域内の長手
方向の一部においてシャッタ装置により熱的に分割され
た状態で設けられ、加熱ヒータにより独立に温度を制御
される複数の加熱室と、(b) 前記加熱ヒータを制御して
前記複数の加熱室の各々の温度を、前記一方向に沿って
段階的に低くなるように設定された室毎の設定温度と一
致するように均一に制御する温度制御装置と、(c) 前記
複数の基板を前記トンネル状の加熱領域内において一方
向へ順次搬送する過程で、それら複数の基板の各々を前
記複数の加熱室内の各々に送り込んでそれら複数の加熱
室内の各々で所定時間の熱処理を施し、それら複数の加
熱室内の各々での熱処理を終えた基板をそれら複数の加
熱室内の各々から送り出す搬送装置と、(d) 前記複数の
加熱室内の各々に設けられ、その加熱室の設定温度より
も低い温度の気体を供給するための給気装置と、(e) 前
記複数の加熱室の各々において、前記搬送装置によって
前記複数の基板の各々が送り出されて室内にその基板が
位置しない状態で前記給気装置から前記気体を供給させ
る給気制御装置とを、含むことにある。A second aspect of the present invention for suitably implementing the above-described method is that a plurality of substrates including a film-forming material are sequentially transported in one direction. A baking apparatus for uniformly performing a heat treatment on each of a plurality of substrates, comprising: (a) a heating device provided in a part of a tunnel-shaped heating region in a longitudinal direction and thermally divided by a shutter device; A plurality of heating chambers whose temperatures are independently controlled by heaters, and (b) setting the temperature of each of the plurality of heating chambers so as to gradually decrease along the one direction by controlling the heating heater. A temperature control device that uniformly controls so as to match the set temperature of each chamber, and (c) in the process of sequentially transporting the plurality of substrates in one direction in the tunnel-shaped heating area, the plurality of substrates Each of the plurality of heating chambers A transfer device that sends a heat treatment for a predetermined time in each of the plurality of heating chambers and sends out the substrate that has completed the heat treatment in each of the plurality of heating chambers from each of the plurality of heating chambers, (d) An air supply device provided in each of the plurality of heating chambers, for supplying a gas having a temperature lower than a set temperature of the heating chamber, and (e) in each of the plurality of heating chambers, And an air supply control device that supplies the gas from the air supply device in a state where each of the substrates is sent out and the substrate is not located in the room.

【００１２】[0012]

【第２発明の効果】このようにすれば、膜形成素材を含
む基板は、熱処理の冷却過程において、搬送装置により
一方向に沿って搬送される過程で複数の加熱室に順次送
り込まれ、それら複数の加熱室において前記一方向に沿
って段階的に低くなるように室毎に設定された設定温度
で所定時間均熱されるが、基板が送り出されて加熱室が
空室となった状態で、給気装置によりその加熱室の設定
温度よりも低い温度の気体が供給される。このように、
一方向に搬送される過程で段階的に低くなるように室毎
に設定された設定温度にそれぞれ維持された複数の加熱
室内において順次均熱を繰り返しながら熱処理の冷却過
程が行われることから、膜形成素材を含む基板内の温度
のばらつきが可及的に小さくされる。このとき、基板が
送り出されて空室となった加熱室内に給気装置によって
設定温度よりも低温の気体が供給されることにより、そ
の加熱室に設けられている加熱ヒータの出力が基板の均
熱中よりも高められた状態で安定させられることから、
各加熱室内に送り込まれる基板は空室での温度制御状態
下で熱処理が開始されるため、加熱室毎の設定温度より
も高温の複数の基板を順次熱処理することによって温度
制御が不安定になることが抑制されて、加熱室内に送り
込まれた基板が放冷状態となる時間が十分に短くされ、
基板内の温度のばらつきが一層小さくされる。そのた
め、基板がガラス製である場合にあってその歪点以上の
温度で熱処理される場合は、基板内の寸法の局部的変化
すなわち形成パターンのゆがみが可及的に小さくされる
ので、次工程以降のパターンとの位置ずれが防止され
て、精細なパターンや大型基板であっても製造歩留まり
が飛躍的に高められる。また、上記のように膜形成素材
を含む基板内の温度のばらつきが可及的に小さくされる
ことから、基板の表面に厚膜誘電体層、隔壁状誘電体
層、厚膜抵抗層、電極層、無機着色顔料層が設けられる
場合にあっては、それら厚膜内のボンド成分として機能
するガラスの溶融、軟化の程度が一様となって、また金
属−金属酸化物系の溶融、焼結の程度が一様となって、
それぞれ耐電圧品質、隔壁の高さおよび幅寸法、抵抗
値、放電品質、光学的フィルター特性のばらつきなどが
好適に小さくされ、大型基板であっても製造歩留まりが
飛躍的に高められる。さらに、上記のように抵抗値のば
らつきが小さくされる結果、工程の管理負荷や、トリミ
ングなどの工程が削減され或いは負荷が軽減される。According to the second aspect of the present invention, the substrate containing the film forming material is sequentially fed into a plurality of heating chambers in the process of being transported along the one direction by the transport device in the cooling process of the heat treatment. In the plurality of heating chambers, the temperature is soaked for a predetermined time at a set temperature set for each chamber so as to gradually decrease along the one direction, but in a state where the substrate is sent out and the heating chamber is empty, A gas having a temperature lower than the set temperature of the heating chamber is supplied by the air supply device. in this way,
Since the cooling process of the heat treatment is performed while sequentially repeating the soaking in a plurality of heating chambers each maintained at the set temperature set for each chamber so as to gradually decrease in the process of being conveyed in one direction, the film Temperature variations in the substrate including the forming material are reduced as much as possible. At this time, a gas having a temperature lower than the set temperature is supplied by the air supply device into the heating chamber in which the substrate is sent out and becomes an empty chamber, so that the output of the heater provided in the heating chamber is equalized to the substrate. Because it can be stabilized in an elevated state than in the heat,
Since the heat treatment is started on the substrates sent into each heating chamber under the temperature control state in the empty chamber, the temperature control becomes unstable by sequentially heat-treating a plurality of substrates higher than the set temperature for each heating chamber. Is suppressed, the time that the substrate sent into the heating chamber is allowed to cool is sufficiently shortened,
Temperature variations in the substrate are further reduced. Therefore, when the substrate is made of glass and is heat-treated at a temperature equal to or higher than the strain point, local changes in dimensions within the substrate, that is, distortion of the formed pattern are reduced as much as possible. The misalignment with the subsequent pattern is prevented, and the production yield is drastically improved even for a fine pattern or a large substrate. In addition, since the temperature variation in the substrate including the film forming material is reduced as much as possible as described above, the thick film dielectric layer, the partition wall dielectric layer, the thick film resistance layer, the electrode In the case where a layer and an inorganic color pigment layer are provided, the degree of melting and softening of the glass functioning as a bond component in the thick film becomes uniform, and the melting and firing of a metal-metal oxide system is performed. The degree of knot becomes uniform,
Variations in withstand voltage quality, height and width dimensions of barrier ribs, resistance values, discharge quality, optical filter characteristics, and the like are suitably reduced, and the production yield is dramatically increased even for large substrates. Further, as described above, as a result of reducing the variation in the resistance value, the management load of the process and the process such as trimming are reduced or the load is reduced.

【００１３】また、膜形成素材を含む基板が一方向に間
歇的に搬送される過程で、複数の加熱室において順次熱
処理が施されることから、膜形成素材を含む基板が連続
的に搬送されることにより連続的なヒートカーブが形成
される従来の焼成装置によって膜形成素材を含む基板内
の温度差を極めて小さくしようとする場合に比較して、
全長が短縮されて装置が小型となる。In the process of intermittently transporting the substrate containing the film-forming material in one direction, heat treatment is sequentially performed in a plurality of heating chambers, so that the substrate containing the film-forming material is continuously transported. Compared to the case where the temperature difference in the substrate including the film forming material is to be extremely reduced by the conventional firing apparatus in which a continuous heat curve is formed by
The overall length is reduced and the device becomes smaller.

【００１４】[0014]

【発明の他の態様】ここで、好適には、前記第１発明の
焼成方法において、前記気体供給工程は、前記所定の加
熱室内に設定温度よりも低い温度の前記気体を供給する
ことによりその所定の加熱室内の温度をその設定温度よ
りも低下させるものである。このようにすれば、搬出工
程において基板が加熱室から送り出された後に、気体供
給工程においてその加熱室内の温度が室毎の設定温度よ
りも低下させられ、その後、設定温度と一致するように
温度制御される。そのため、基板が送り出された加熱室
は、室内に基板が存在しない状態で一旦温度が低下させ
られてから昇温させられ、再び設定温度に制御された後
に次の基板が送り込まれることから、各々の加熱室内で
は一定の温度制御状態下で複数の基板の各々の熱処理が
開始されるため、基板内の温度のばらつきが一層小さく
される。Preferably, in the firing method according to the first aspect of the present invention, the gas supply step includes supplying the gas at a temperature lower than a set temperature into the predetermined heating chamber. The temperature in a predetermined heating chamber is made lower than the set temperature. With this configuration, after the substrate is sent out of the heating chamber in the unloading step, the temperature in the heating chamber is reduced below the set temperature for each chamber in the gas supply step, and then the temperature is adjusted to match the set temperature. Controlled. Therefore, the heating chamber from which the substrate has been sent out, the temperature is once lowered in a state where no substrate is present in the chamber, then the temperature is raised, and after being controlled again to the set temperature, the next substrate is sent in. In the heating chamber, the heat treatment of each of the plurality of substrates is started under a constant temperature control state, so that the temperature variation in the substrates is further reduced.

【００１５】また、前記第１発明の焼成方法において、
前記搬入工程は、前記気体供給工程において前記所定の
加熱室内の温度制御量が高められた後、速やかに前記他
の基板をその所定の加熱室内に送り込むものである。こ
のようにすれば、気体供給工程を実施するために加熱室
内が空室とされる時間が可及的に短くなるため、基板の
処理効率が一層高められる。Further, in the firing method according to the first aspect,
In the carrying-in step, after the temperature control amount in the predetermined heating chamber is increased in the gas supply step, the other substrate is immediately sent into the predetermined heating chamber. With this configuration, the time during which the heating chamber is vacant for performing the gas supply step is shortened as much as possible, so that the processing efficiency of the substrate is further improved.

【００１６】また、好適には、前記第２発明の焼成装置
において、前記搬送装置は、前記トンネル状の加熱領域
内において長手方向と軸心方向が垂直を成すように相互
に平行に設けられて前記基板を支持し、その基板を前記
一方向へ搬送するためにその軸心回りにそれぞれ回転駆
動される複数本のローラを、更に含むものである。この
ようにすれば、膜形成素材を含む基板は、軸心回りに回
転駆動される複数本のローラによって支持され且つ前記
一方向へ搬送されるが、このようにローラで搬送する場
合には搬送装置を加熱室毎に制御して送り出しおよび送
り込みを独立に行うことが容易であるため、送り出しお
よび送り込みを全加熱室で同時に行う場合に比較して加
熱室内で基板の熱処理が行われていない時間を可及的に
短くできて、基板の処理効率が高められる。しかも、メ
ッシュベルト等によって搬送する場合に比較して、塵埃
の発生原因となるベルトの摺動がないことから加熱領域
内の清浄度が高められて、基板を均一に熱処理する過程
において形成される膜の機能が発生した塵埃によって損
なわれることが抑制される。なお、全加熱室で送り出し
および送り込みを同時に行う場合に、基板が送り出され
た加熱室を一旦空室とするためには、一室置きに基板を
搬送しなければならず、高い処理効率が得られないので
ある。Preferably, in the baking apparatus according to the second aspect of the present invention, the transfer devices are provided in parallel with each other such that a longitudinal direction and an axial direction are perpendicular to each other in the tunnel-shaped heating region. The apparatus further includes a plurality of rollers that support the substrate and that are driven to rotate around their axes in order to transport the substrate in the one direction. With this configuration, the substrate including the film-forming material is supported by the plurality of rollers that are driven to rotate around the axis and is transported in the one direction. Since it is easy to control the apparatus for each heating chamber to perform the sending and the feeding independently, compared to the case where the sending and the feeding are performed simultaneously in all the heating chambers, the time during which the heat treatment of the substrate is not performed in the heating chamber. Can be made as short as possible, and the processing efficiency of the substrate can be enhanced. In addition, compared to the case where the belt is conveyed by a mesh belt or the like, there is no sliding of the belt, which causes generation of dust, so that the degree of cleanliness in the heating area is increased, and the substrate is formed in the process of uniformly heat-treating the substrate. The function of the film is prevented from being damaged by the generated dust. In addition, in the case where the feeding and the feeding are simultaneously performed in all the heating chambers, in order to make the heating chamber to which the substrates are sent out empty once, the substrates must be transported every other chamber, and high processing efficiency is obtained. It cannot be done.

【００１７】また、前記第２発明の焼成装置において、
前記給気装置は、前記複数の加熱室の各々において前記
設定温度よりも低い温度の気体を供給するために、前記
基板の搬送方向上流側端部に設けられた給気管を含むも
のである。このようにすれば、低温の気体が高温側であ
る搬送方向上流側端部から低温側である搬送方向下流側
に向かって流されることから、加熱室内での温度勾配の
発生が一層抑制されて、基板内の温度のばらつきが一層
抑制される。Further, in the firing apparatus according to the second invention,
The air supply device includes an air supply pipe provided at an upstream end of the substrate in the transport direction in order to supply a gas having a temperature lower than the set temperature to each of the plurality of heating chambers. With this configuration, since the low-temperature gas flows from the upstream end in the transport direction, which is the high-temperature side, toward the downstream in the transport direction, which is the low-temperature side, the occurrence of the temperature gradient in the heating chamber is further suppressed. In addition, variations in temperature within the substrate are further suppressed.

【００１８】また、前記第２発明の焼成装置の搬送装置
が基板を支持して搬送するための複数本のローラを含む
場合において、それら複数本のローラはセラミックスか
ら成るものである。このようにすれば、基板と接触させ
られるローラがセラミックスから構成されることから、
加熱領域内でローラが加熱されることによって変質させ
られ或いは錆びさせられて塵埃等を発生させることが抑
制されるため、加熱領域内の清浄度が一層高められる。In the case where the transfer device of the baking apparatus according to the second invention includes a plurality of rollers for supporting and transferring the substrate, the plurality of rollers are made of ceramics. In this case, since the roller to be brought into contact with the substrate is made of ceramics,
Since the generation of dust and the like due to heating and heating of the roller in the heating region is suppressed, the cleanliness in the heating region is further enhanced.

【００１９】また、好適には、前記基板がガラス素材を
含むものである場合には、そのガラス素材の転移点或い
は歪点を基板内が均一な温度状態を保ちつつ通過するよ
うに、また、基板に含まれる膜形成材料が金属或いは無
機材料の溶融、焼結により固着される場合には、その膜
形成材料の溶融点或いは焼結点を基板内が均一な温度状
態を保ちつつ通過するように、前記室毎の設定温度は、
上記基板に含まれるガラス素材の転移点或いは歪点の近
傍の値に設定され、或いは上記基板上の膜形成材料に含
まれる金属或いは無機材料の溶融点或いは焼結点の近傍
の値に設定される。Preferably, when the substrate contains a glass material, the substrate passes through a transition point or a strain point of the glass material while maintaining a uniform temperature state in the substrate. When the contained film forming material is fixed by melting or sintering of a metal or inorganic material, the melting point or the sintering point of the film forming material is passed through the substrate while maintaining a uniform temperature state. The set temperature for each room is
Set to a value near the transition point or strain point of the glass material contained in the substrate, or set to a value near the melting point or sintering point of the metal or inorganic material contained in the film forming material on the substrate. You.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面に
基づいて詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【００２１】図１、図２、図３は、本発明の一実施例の
基板６２を一方向へ順次搬送する過程で焼成を施す形式
の連続型焼成装置１１６の構成を示しており、図１は正
面図、図２は炉体の幅方向中央を通り長手方向に沿った
断面図、図３(a) 〜(e) はそれぞれ図２におけるａ−ａ
乃至ｅ−ｅ視断面をそれぞれ示す図である。図におい
て、独立に駆動される第１搬送装置１１８、複数の第２
搬送装置１２０ａ、１２０ｂ、〜１２０ｆ（以下、特に
区別しないときは単に第２搬送装置１２０という）、第
３搬送装置１２２が直列に配置されており、基板６２
は、それら第１搬送装置１１８、第２搬送装置１２０、
第３搬送装置１２２によって一方向に搬送されることに
より、トンネル状の炉体１２４ａ、１２４ｂ（以下、特
に区別しないときは単に炉体１２４という）内を通過さ
せられるようになっている。FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 3 show the structure of a continuous baking apparatus 116 of a type in which baking is performed in the process of sequentially transporting a substrate 62 in one direction according to an embodiment of the present invention. 2 is a front view, FIG. 2 is a cross-sectional view along the longitudinal direction passing through the center of the furnace body in the width direction, and FIGS.
It is a figure which shows the cross section from ee to ee, respectively. In the figure, a first transport device 118 driven independently and a plurality of second
The transfer devices 120a, 120b, to 120f (hereinafter, simply referred to as a second transfer device 120 when not particularly distinguished) and a third transfer device 122 are arranged in series, and the substrate 62
Are the first transport device 118, the second transport device 120,
By being transported in one direction by the third transport device 122, it can be passed through tunnel-shaped furnace bodies 124 a, 124 b (hereinafter, simply referred to as the furnace body 124 unless otherwise distinguished).

【００２２】上記トンネル状の炉体１２４は、例えば内
壁がβ−スポジュメン系結晶化ガラス等の耐熱ガラスか
ら構成されたものである。炉体１２４ａ内には、基板６
２を最高処理温度まで加熱すると共にその過程で基板６
２上に印刷形成された膜に含まれているバインダ（樹
脂）を燃焼除去するための予熱ゾーン（予熱部）１２６
と、基板６２をその最高処理温度で所定時間保持するた
めの加熱ゾーン（加熱部）１２８と、基板６２を徐々に
冷却するための徐冷ゾーン（徐冷部）１３０とが設けら
れており、炉体１２４ｂ内には、基板６２を常温付近ま
で冷却するための冷却ゾーン（冷却部）１３２が設けら
れている。The tunnel-shaped furnace body 124 has an inner wall made of, for example, heat-resistant glass such as β-spodumene crystallized glass. The substrate 6 is placed in the furnace body 124a.
2 is heated to the maximum processing temperature, and in the process, the substrate 6 is heated.
Preheating zone (preheating unit) 126 for burning and removing the binder (resin) contained in the film printed and formed on 2
And a heating zone (heating unit) 128 for holding the substrate 62 at the highest processing temperature for a predetermined time, and a slow cooling zone (slow cooling unit) 130 for gradually cooling the substrate 62. A cooling zone (cooling section) 132 for cooling the substrate 62 to around room temperature is provided in the furnace body 124b.

【００２３】前記第１搬送装置１１８は、上記予熱ゾー
ン１２６および加熱ゾーン１２８に対応する位置に設け
られている。この第１搬送装置１１８は、炉体１２４ａ
の下方に設けられて連続的に駆動される減速機付モータ
１３４の回転を、チェーン１３６、および一軸線上に設
けられた複数本のラインシャフト１３８ａ、１３８ｂ、
〜１３８ｅ（以下、特に区別しないときは単にラインシ
ャフト１３８という）を介して、炉体１２４ａの長手方
向に沿って所定間隔をもって設けられたマイタギア１４
０ａ、１４０ｂ、〜１４０ｆ（以下、特に区別しないと
きは単にマイタギア１４０という）に伝達し、そのマイ
タギア１４０によってそれぞれ分担される駆動区分１２
７ａ、１２７ｂ、１２７ｃ、１２７ｄ（以下、特に区別
しないときは単に駆動区分１２７という）、駆動区分１
２９ａ、１２９ｂ（以下、特に区別しないときは単に駆
動区分１２９という）毎に図２に示されるように炉体１
２４ａ内に設けられているローラ１６６を回転させるこ
とにより、そのローラ１６６上に乗せられた基板６２を
例えば300(mm/min) 程度の所定の第１の搬送速度で連続
的に搬送するものである。The first transfer device 118 is provided at a position corresponding to the preheating zone 126 and the heating zone 128. The first transfer device 118 includes a furnace body 124a
The rotation of the motor 134 equipped with a speed reducer, which is provided below and continuously driven, is controlled by the chain 136 and a plurality of line shafts 138a, 138b provided on one axis.
Through 138e (hereinafter, simply referred to as a line shaft 138 unless otherwise specified) at predetermined intervals along the longitudinal direction of the furnace body 124a.
0a, 140b, to 140f (hereinafter simply referred to as a miter gear 140 unless otherwise specified), and the drive sections 12 respectively assigned by the miter gear 140
7a, 127b, 127c, 127d (hereinafter simply referred to as drive section 127 unless otherwise distinguished), drive section 1
29a and 129b (hereinafter simply referred to as a drive section 129 unless otherwise distinguished) as shown in FIG.
By rotating the roller 166 provided in the inside 24a, the substrate 62 placed on the roller 166 is continuously transported at a predetermined first transport speed of, for example, about 300 (mm / min). is there.

【００２４】図４は、第１搬送装置１１８および第２搬
送装置１２０の要部を中間を省略した状態で上下に配し
て拡大して示す図であり、図１に示される駆動区分１２
７ａ、１２９ｂ、１３１ｂにそれぞれ対応する部分が上
段、中段、下段にそれぞれ示されている。駆動区分１２
７ａに対応する第１搬送装置１１８のマイタギア１４０
ａには、軸心方向が炉体１２４の長手方向に沿って設け
られている原動軸１４２ａと、軸心方向が炉体１２４の
長手方向に垂直（紙面に垂直）な従動軸１４４ａとが備
えられている。モータ１３４の回転がチェーン１３６に
よってマイタギア１４０ａに伝達されて原動軸１４２ａ
が矢印の方向に回転させられると、その原動軸１４２ａ
にカップリング１４６を介して接続されているラインシ
ャフト１３８ａが原動軸１４２ａと同方向に回転させら
れると共に、従動軸１４４ａが例えば図の矢印の方向に
回転させられる。FIG. 4 is an enlarged view showing the essential parts of the first transporting device 118 and the second transporting device 120 arranged vertically, with the intermediate portion omitted, and the driving section 12 shown in FIG.
Parts corresponding to 7a, 129b, and 131b are shown in the upper, middle, and lower rows, respectively. Drive section 12
Miter gear 140 of the first transporting device 118 corresponding to 7a
a includes a driving shaft 142a whose axial direction is provided along the longitudinal direction of the furnace body 124, and a driven shaft 144a whose axial direction is perpendicular to the longitudinal direction of the furnace body 124 (perpendicular to the paper). Have been. The rotation of the motor 134 is transmitted to the miter gear 140a by the chain 136, and the driving shaft 142a
Is rotated in the direction of the arrow, its driving shaft 142a
The line shaft 138a connected to the drive shaft 142 via the coupling 146 is rotated in the same direction as the driving shaft 142a, and the driven shaft 144a is rotated, for example, in the direction of the arrow in the drawing.

【００２５】一方、図４に中段に示されている駆動区分
１２９ｂに対応するマイタギア１４０ｆ、すなわち第１
搬送装置１１８の右端部に設けられているマイタギア１
４０ｆは、原動軸１４２ｆの一端がワンウェイカップリ
ング１４８を介してラインシャフト１３８ｅに接続され
ている。また、その原動軸１４２ｆの他端部側には減速
機付モータ１５０が備えられており、その他端部にワン
ウェイカップリング１５２を介して接続されている。こ
れらのワンウェイカップリング１４８、１５２は、それ
ぞれラインシャフト１３８ｅおよびモータ１５０の図の
矢印方向の回転のみをマイタギア１４０ｆに伝達するも
のであり、モータ１５０は、後述の第２搬送装置１２０
に同期してラインシャフト１３８よりも速い回転速度で
間歇的に駆動される。そのため、モータ１５０の停止中
はラインシャフト１３８ｅの回転がワンウェイカップリ
ング１４８を介して原動軸１４２ｆに伝達され、ワンウ
ェイカップリング１５２は滑らされる一方、モータ１５
０の駆動中はワンウェイカップリング１５２を介してそ
の回転が原動軸１４２ｆに伝達され、ワンウェイカップ
リング１４８が滑らされることとなる。したがって、モ
ータ１５０の駆動中は、駆動区分１２９ｂ内のローラ１
６６上の基板６２が前記の第１の搬送速度（例えば300
[mm/min] 程度）よりも速い例えば5000(mm/min)程度の
第２の搬送速度で搬送される。なお、省略されている駆
動区分１２７ｂ、１２７ｃ、〜１２９ａは、ラインシャ
フト１３８ａ、１３８ｂ、〜１３８ｅがカップリング１
４６と同様な図示しないカップリングを介してマイタギ
ア１４０ｂ、１４０ｃ、〜１４０ｅの原動軸１４２に接
続されており、その原動軸１４２の回転に伴ってそれぞ
れに備えられている従動軸１４４が回転させられる。On the other hand, the miter gear 140f corresponding to the drive section 129b shown in the middle part of FIG.
Miter gear 1 provided at the right end of transport device 118
In 40f, one end of a driving shaft 142f is connected to a line shaft 138e via a one-way coupling 148. A motor 150 with a speed reducer is provided at the other end of the driving shaft 142f, and is connected to the other end via a one-way coupling 152. These one-way couplings 148 and 152 transmit only the rotation of the line shaft 138e and the motor 150 in the direction of the arrow in the drawing to the miter gear 140f, respectively.
, And is intermittently driven at a higher rotation speed than the line shaft 138. Therefore, while the motor 150 is stopped, the rotation of the line shaft 138e is transmitted to the driving shaft 142f via the one-way coupling 148, and the one-way coupling 152 is slid, while the motor 15
During the zero drive, the rotation is transmitted to the driving shaft 142f via the one-way coupling 152, and the one-way coupling 148 is slid. Therefore, while the motor 150 is being driven, the rollers 1 in the drive section 129b are not driven.
The substrate 62 on the substrate 66 is moved at the first transfer speed (for example, 300
For example, it is transported at a second transport speed of about 5000 (mm / min), which is faster than [mm / min]. In the drive sections 127b, 127c, to 129a, which are omitted, the line shafts 138a, 138b, to 138e have the coupling 1
The drive shafts 142 of the miter gears 140b, 140c, to 140e are connected to the drive shafts 142 through couplings (not shown) similar to the drive shafts 46, and the driven shafts 144 provided in the drive shafts 142 are rotated with the rotation of the drive shafts 142. .

【００２６】また、複数のマイタギア１４０の下方に
は、軸心方向が炉体１２４の長手方向に垂直且つ水平方
向となるように互いに平行にその長手方向に沿って配列
された複数本の回転軸１５４がそれぞれ備えられてい
る。このため、第１搬送装置１１８には、その全長に亘
って、炉体１２４の長手方向に沿って多数の回転軸１５
４が備えられている。この回転軸１５４は、従動軸１４
４の回転を例えばチェーン（或いはタイミングベルト）
１５６によって伝達されることによって、それぞれ図に
矢印で示される方向に回転させられる。このため、モー
タ１３４が駆動させられると、炉体１２４の長手方向に
沿って配列された多数の第１搬送装置１１８の回転軸１
５４が同様な回転速度、回転方向で同時に回転させられ
ることとなるが、モータ１５０が駆動させられると、マ
イタギア１４０ｆにはその回転が伝達されてワンウェイ
カップリング１４８によってラインシャフト１３８ｅの
接続が実質的に絶たれ、マイタギア１４０ｆの下方に備
えられている回転軸１５４、すなわち加熱ゾーン１２８
のうちの徐冷ゾーン１３０に隣接する駆動区分１２９ｂ
に属する回転軸１５４が、第１搬送装置１１８内の他の
駆動区分１２７、１２９ａに属する回転軸１５４よりも
速い徐冷ゾーン１３０と同様な速度で回転させられるこ
ととなる。したがって、本実施例においては、マイタギ
ア１４０ｆで駆動される駆動区分１２９ｂが基板６２の
搬送速度を変化させられる隣接領域に相当し、モータ１
５０、ワンウェイカップリング１４８、１５２によって
速度変更装置が構成されている。Below the plurality of miter gears 140, a plurality of rotating shafts arranged along the longitudinal direction of the furnace body 124 in parallel with each other so that the axial direction is perpendicular and horizontal to the longitudinal direction of the furnace body 124. 154 are provided respectively. For this reason, the first transport device 118 has a large number of rotating shafts 15 along the longitudinal direction of the furnace body 124 over its entire length.
4 are provided. The rotating shaft 154 is
4 rotation, eg chain (or timing belt)
By being transmitted by 156, each is rotated in the direction indicated by the arrow in the figure. For this reason, when the motor 134 is driven, the rotating shafts 1 of a large number of the first transporting devices 118 arranged along the longitudinal direction of the furnace body 124
When the motor 150 is driven, the rotation is transmitted to the miter gear 140f, and the one-way coupling 148 substantially connects the line shaft 138e. The rotary shaft 154 provided below the miter gear 140f, that is, the heating zone 128
Drive section 129b adjacent to slow cooling zone 130
Is rotated at a speed similar to that of the slow cooling zone 130, which is faster than the rotation shafts 154 belonging to the other drive sections 127 and 129a in the first transport device 118. Therefore, in this embodiment, the drive section 129b driven by the miter gear 140f corresponds to an adjacent area where the transfer speed of the substrate 62 can be changed, and the motor 1
The speed changing device is constituted by 50 and the one-way couplings 148 and 152.

【００２７】また、複数の第２搬送装置１２０は、図４
の下段に駆動区分１３１ｂについて示されるように、そ
れぞれ独立して間歇的に駆動される減速機付モータ１５
８ａ、１５８ｂ、〜１５８ｆ（以下、特に区別しないと
きは単にモータ１５８という）を備えたものであり、そ
のモータ１５８の下方には第１搬送装置１１８と同様
に、炉体１２４の長手方向と垂直且つ水平方向に設けら
れた複数本の回転軸１５４が備えられている。この回転
軸１５４はモータ１５８の出力軸１６０の回転をチェー
ン１５６によって伝達されることにより同方向に回転さ
せられるものである。すなわち、複数の第２搬送装置１
２０は、第１搬送装置１１８においてモータ１３４の回
転を伝達されるマイタギア１４０に代えて独立して駆動
されるモータ１５８をそれぞれ備えたものである。モー
タ１５８は、出力軸１６０が図に矢印で示される正転方
向に正転駆動されるだけではなく、交互に正転方向およ
び逆転方向に回転駆動する反転駆動可能とされている
が、正転駆動時には回転軸１５４に接続されたローラ１
６６が前記の第２の搬送速度（例えば5000[mm/min]程
度）が得られるように回転させられる一方、反転駆動時
にはそれよりも遅い例えば1300(mm/min)程度の第３の搬
送速度で基板６２が搬送方向およびその反対方向に往復
移動させられるようにローラ１６６が正転方向および逆
転方向に回転させられる。Further, the plurality of second transfer devices 120 are provided in FIG.
As shown for the drive section 131b in the lower part, the motor 15 with the speed reducer
8a, 158b,... 158f (hereinafter, simply referred to as a motor 158 unless otherwise specified), and below the motor 158, as in the case of the first transfer device 118, perpendicular to the longitudinal direction of the furnace body 124. Further, a plurality of rotation shafts 154 provided in the horizontal direction are provided. The rotation shaft 154 is rotated in the same direction by transmitting the rotation of the output shaft 160 of the motor 158 by the chain 156. That is, the plurality of second transfer devices 1
Numeral 20 includes motors 158 that are independently driven in place of the miter gear 140 to which the rotation of the motor 134 is transmitted in the first transfer device 118. The motor 158 is not only driven forward in the forward direction indicated by the arrow in the drawing, but also reversely driven to rotate alternately in the forward and reverse directions. Roller 1 connected to rotating shaft 154 during driving
66 is rotated so as to obtain the above-described second transport speed (for example, about 5000 [mm / min]), while the third transport speed of about 1300 (mm / min), which is slower during reverse driving, for example. Then, the roller 166 is rotated in the normal rotation direction and the reverse rotation direction so that the substrate 62 is reciprocated in the transport direction and the opposite direction.

【００２８】また、第３搬送装置１２２は、図１から明
らかなように、第１搬送装置１１８においてマイタギア
１４０の個数を減じ、炉体１２４の長手方向の前後が反
転された構成とされている。すなわち、駆動区分１２９
ｂと同様な構成の駆動区分１３３ａ、駆動区分１２７ｂ
等と同様な構成の駆動区分１３３ｂ、および駆動区分１
２７ａと同様な構成の駆動区分１３３ｃから構成されて
いる。そのため、炉体１２４ｂの下方に備えられた減速
機付モータ１６２の回転がチェーン１６３、ラインシャ
フト１３８ｇ、および１３８ｆを介してマイタギア１４
０ｉ、１４０ｈ、および１４０ｇに伝達され、それぞれ
の駆動区分１３３に備えられている回転軸１５４が回転
させられる。また、徐冷ゾーン１３０に隣接する駆動区
分１３３ａでは、駆動区分１２９ｂと同様に、減速機付
モータ１６４の回転がワンウェイカップリングを介して
伝達されることにより、それに属する回転軸１５４が間
歇的に他の回転軸１５４よりも速い速度すなわち第２搬
送装置１２０に同期した速度で駆動される。したがっ
て、冷却ゾーン１３２のうち、マイタギア１４０ｇで駆
動される駆動区分１３３ａも基板６２の搬送速度を変化
させられる隣接領域に相当する。As is apparent from FIG. 1, the third transfer device 122 has a configuration in which the number of miter gears 140 is reduced in the first transfer device 118 and the longitudinal direction of the furnace body 124 is inverted. . That is, the drive section 129
Drive section 133a, drive section 127b having the same configuration as that of section b.
Drive section 133b and drive section 1 having the same configuration as the above.
The driving section 133c has the same configuration as that of the driving section 133a. Therefore, the rotation of the motor with reduction gear 162 provided below the furnace body 124b is rotated by the miter gear 14 via the chain 163, the line shafts 138g, and 138f.
0i, 140h, and 140g, and the rotation shaft 154 provided in each drive section 133 is rotated. In the drive section 133a adjacent to the slow cooling zone 130, similarly to the drive section 129b, the rotation of the motor 164 with the speed reducer is transmitted via the one-way coupling, so that the rotation shaft 154 belonging thereto is intermittently driven. It is driven at a speed faster than the other rotation shafts 154, that is, at a speed synchronized with the second transport device 120. Therefore, in the cooling zone 132, the drive section 133a driven by the miter gear 140g also corresponds to an adjacent area where the transfer speed of the substrate 62 can be changed.

【００２９】図２に戻って、炉体１２４内には、複数本
の例えばアルミナ製のローラ１６６が、図３(a) 〜(e)
に図２におけるａ−ａ乃至ｅ−ｅ視断面を示すように、
両端部が炉体１２４側面から突き出すように設けられて
いる。炉体１２４の側部外側には一対の軸受け１６７、
１６７（図３(a) のみに図示）が設けられており、これ
に前記回転軸１５４がローラ１６６と同軸的にそれぞれ
支持されている。ローラ１６６は、それぞれこれら一対
の回転軸１５４に両側から挟まれた状態で設けられてお
り、前記モータ１３４の回転がチェーン１５４を介して
伝達されるその回転軸１５４の回転に伴って回転させら
れる。なお、図３(a) は、図２におけるａ−ａ視断面に
対応する図であるが、ａ₂ −ａ₂ 視断面も同様な断面形
状である。前記基板６２は、炉体１２４内においてこの
ローラ１６６に支持されている。そのため、ローラ１６
６が回転させられるとその回転に伴って一方向に搬送さ
れることとなる。このとき、第１搬送装置１１８および
第３搬送装置１２２が設けられている予熱ゾーン１２
６、加熱ゾーン１２８、冷却ゾーン１３２においてはロ
ーラ１６６が連続的に回転させられて基板６２が連続的
に搬送される一方、第２搬送装置１２０が設けられてい
る徐冷ゾーン１３０においてはローラ１６６が間歇的に
回転させられて基板６２が間歇的に搬送されることとな
る。すなわち、本実施例においては、第１搬送装置１１
８および第３搬送装置１２２が連続搬送装置に相当し、
第２搬送装置１２０が間歇搬送装置に相当する。Returning to FIG. 2, a plurality of, for example, alumina rollers 166 are provided in the furnace body 124, as shown in FIGS.
As shown in aa to ee cross sections in FIG.
Both ends are provided so as to protrude from the side surface of the furnace body 124. A pair of bearings 167 are provided on the outer side of the furnace body 124,
167 (shown only in FIG. 3 (a)) is provided, and the rotating shaft 154 is supported coaxially with the roller 166. The rollers 166 are provided so as to be sandwiched between the pair of rotating shafts 154 from both sides. The rollers 166 are rotated with the rotation of the rotating shafts 154 transmitted through the chain 154. . Incidentally, FIG. 3 (a) is a view corresponding to a-a sectional view in FIG. 2, a ₂ -a ₂ sectional view is the same cross-sectional shape. The substrate 62 is supported by the rollers 166 in the furnace body 124. Therefore, the roller 16
When the roller 6 is rotated, it is conveyed in one direction with the rotation. At this time, the preheating zone 12 in which the first transfer device 118 and the third transfer device 122 are provided.
6. In the heating zone 128 and the cooling zone 132, the roller 166 is continuously rotated to continuously transport the substrate 62, while in the slow cooling zone 130 in which the second transporting device 120 is provided, the roller 166 is rotated. Are rotated intermittently, and the substrate 62 is intermittently transported. That is, in the present embodiment, the first transport device 11
8 and the third transfer device 122 correspond to a continuous transfer device,
The second transport device 120 corresponds to an intermittent transport device.

【００３０】また、図１、図２、図３から明らかなよう
に、前記の予熱ゾーン１２６には、予熱ゾーン１２６内
の温度を検出するための複数の温度検出器ＴＣが、前記
の駆動区分１２７毎に長手方向中央の幅方向の３位置に
おいて上下に設けられると共に、炉体１２４の上側およ
び下側に複数のゾーンを形成し且つそのゾーン毎に独立
して制御されるヒータＨが、それぞれの駆動区分１２７
毎に炉体１２４の長手方向および幅方向にそれぞれ４ゾ
ーンずつ設けられている。すなわち、図１乃至図３にお
いては一部が省略されているが、図５(a) に駆動区分１
２７ａについて模式的に示すように、各駆動区分１２７
毎に基板６２の送り方向Ａおよびそれに直交する図示し
ないローラ１６６の長手方向にそれぞれ４分割された合
計１６組のヒータＨ₁₁₁₁、Ｈ₁₁₁₂、Ｈ₁₁₁₃、Ｈ₁₁₁₄、Ｈ
₁₁₂₁、Ｈ₁₁₂₂、Ｈ₁₁₂₃、Ｈ₁₁₂₄、Ｈ₁₁₃₁、Ｈ₁₁₃₂、Ｈ
₁₁₃₃、Ｈ₁₁₃₄、Ｈ₁₁₄₁、Ｈ₁₁₄₂、Ｈ₁₁₄₃、Ｈ₁₁₄₄（駆動
区分１２７ｂ、１２７ｃ、１２７ｄにはそれぞれＨ₁₂₁₁
〜Ｈ₁₂₄₄、Ｈ₁₃₁₁〜Ｈ₁₃₄₄、Ｈ₁₄₁₁〜Ｈ₁₄₄₄が備えられ
る）が炉体１２４の上下において各一対として配設さ
れ、ヒータＨ₁₁₂₁とＨ₁₁₃₁の間の位置、ヒータＨ₁₁₂₂、
Ｈ₁₁₂₃、Ｈ₁₁₃₂、およびＨ₁₁₃₃の間の位置、ヒータＨ
₁₁₂₄とＨ₁₁₃₄の間の位置にそれぞれ温度検出器Ｔ
Ｃ ₁₁₁ 、ＴＣ₁₁₂ 、ＴＣ₁₁₃ （駆動区分１２７ｂ、１２
７ｃ、１２７ｄにはそれぞれＴＣ₁₂₁ 〜ＴＣ₁₂₃ 、ＴＣ
₁₃₁ 〜ＴＣ₁₃₃ 、ＴＣ₁₄₁ 〜ＴＣ₁₄₃ ）が配設されてい
る。図２に駆動区分１２７ａの上側に一部について例示
するように、各々の温度検出器ＴＣおよびヒータＨは制
御装置１６８に接続されており、温度検出器ＴＣで検出
された温度信号に従ってヒータＨの出力が制御される。As is clear from FIGS. 1, 2 and 3, FIG.
In addition, the preheating zone 126 includes
A plurality of temperature detectors TC for detecting the temperature of
At three positions in the width direction at the center in the longitudinal direction for each drive section 127
At the top and bottom of the furnace body 124 and
And multiple zones below and independently for each zone
The heaters H controlled in the respective driving sections 127
4 zones each in the longitudinal and width directions of the furnace body 124
Are provided. That is, FIGS.
Although a part is omitted in FIG. 5, the driving section 1 is shown in FIG.
27a, each drive section 127
The feed direction A of the substrate 62 and the diagram orthogonal thereto
The roller 166 is divided into four parts each in the longitudinal direction.
A total of 16 heaters H₁₁₁₁, H₁₁₁₂, H₁₁₁₃, H₁₁₁₄, H
₁₁₂₁, H₁₁₂₂, H₁₁₂₃, H₁₁₂₄, H₁₁₃₁, H₁₁₃₂, H
₁₁₃₃, H₁₁₃₄, H₁₁₄₁, H₁₁₄₂, H₁₁₄₃, H₁₁₄₄(Drive
H is assigned to each of the sections 127b, 127c, and 127d.₁₂₁₁
~ H₁₂₄₄, H₁₃₁₁~ H₁₃₄₄, H₁₄₁₁~ H₁₄₄₄Is provided
Are provided as a pair above and below the furnace body 124, respectively.
And heater H₁₁₂₁And H₁₁₃₁Between heaters, heater H₁₁₂₂,
H₁₁₂₃, H₁₁₃₂, And H₁₁₃₃Between heaters, heater H
₁₁₂₄And H₁₁₃₄Between the temperature detectors T
C ₁₁₁, TC₁₁₂, TC₁₁₃(Drive section 127b, 12
TCs for 7c and 127d respectively₁₂₁~ TC_{one two Three}, TC
₁₃₁~ TC₁₃₃, TC₁₄₁~ TC₁₄₃) Is arranged
You. FIG. 2 shows an example of a part above the drive section 127a.
So that each temperature detector TC and heater H are controlled.
Connected to the control device 168 and detected by the temperature detector TC
The output of the heater H is controlled according to the temperature signal given.

【００３１】また、予熱ゾーン１２６には、炉体１２４
の入口側の駆動区分１２７ａの入口上部に給気管１７０
が設けられると共に、続く駆動区分１２７ｂ、１２７
ｃ、１２７ｄの基板６２の搬送方向前方側に排気管１７
２が設けられている。これら給気管１７０および排気管
１７２は、例えばローラ１６６と同様なアルミナセラミ
ックスから構成されて何れも炉体１２４の幅方向に貫通
するように設けられている。給気管１７０は、その両端
部において炉体１２４側面に備えられている給気用配管
１７４に接続されており、図示しない空気供給源から導
かれた空気を炉体１２４内に供給する。また、排気管１
７２は、その両端部において炉体１２４側面に備えられ
ている排気用配管１７６に接続されており、炉体１２４
内に供給された空気はその内部を流れる過程で複数の排
気管１７２から吸い込まれ、排出口１７８から排出され
る。これら給気管１７０および排気管１７２は、それぞ
れ図６(a) 、(b) に示されるように丸穴状のノズル１７
１或いは長穴状のノズル１８１を複数箇所に備えたもの
である。The preheating zone 126 includes a furnace body 124.
At the upper part of the inlet of the drive section 127a on the inlet side of the
Are provided, and the following drive sections 127b, 127
c, 127d, the exhaust pipe 17
2 are provided. The air supply pipe 170 and the exhaust pipe 172 are made of, for example, the same alumina ceramic as the roller 166 and are provided so as to penetrate in the width direction of the furnace body 124. The air supply pipe 170 is connected to an air supply pipe 174 provided on the side surface of the furnace body 124 at both ends thereof, and supplies air guided from an air supply source (not shown) into the furnace body 124. Also, exhaust pipe 1
Numerals 72 are connected to exhaust pipes 176 provided on the sides of the furnace body 124 at both ends thereof.
The air supplied to the inside is sucked in from the plurality of exhaust pipes 172 in the process of flowing through the inside, and is discharged from the outlet 178. As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), the air supply pipe 170 and the exhaust pipe 172
One or a long hole-shaped nozzle 181 is provided at a plurality of locations.

【００３２】また、前記加熱ゾーン１２８には、加熱ゾ
ーン１２８内の温度を検出するための複数の温度検出器
ＴＣが、駆動区分１２９毎に炉体１２４の長手方向およ
び幅方向のそれぞれ３位置において上下に設けられると
共に、炉体１２４の上側、下側および両側面上部に複数
のゾーンを形成し且つそのゾーン毎に独立して制御され
るヒータＨが、それぞれの駆動区分１２９毎に炉体１２
４の長手方向に４ゾーン、幅方向に両側面上部の各１ゾ
ーンを含む６ゾーンずつ設けられている。すなわち、図
５(b) に示されるように、各駆動区分１２９毎に基板６
２の送り方向Ａおよびそれに直交する図示しないローラ
１６６の長手方向にそれぞれ４分割された合計１６組の
ヒータＨ₂₁₁₁、Ｈ₂₁₁₂、Ｈ₂₁₁₃、Ｈ₂₁₁₄、Ｈ₂₁₂₁、Ｈ
₂₁₂₂、Ｈ_{21 23}、Ｈ₂₁₂₄、Ｈ₂₁₃₁、Ｈ₂₁₃₂、Ｈ₂₁₃₃、Ｈ
₂₁₃₄、Ｈ₂₁₄₁、Ｈ₂₁₄₂、Ｈ₂₁₄₃、Ｈ_{21 44}が炉体１２４の
上下において各一対として配設されると共に、炉体１２
４の幅方向両側の上部側面において送り方向Ａにそれぞ
れ４分割された（４組の）ヒータＨ₂₁₁₅、Ｈ₂₁₂₅、Ｈ
₂₁₃₅、Ｈ₂₁₄₅、Ｈ₂₁₁₆、Ｈ₂₁₂₆、Ｈ₂₁₃₆、Ｈ₂₁₄₆（駆動
区分１２９ｂにはＨ₂₂₁₁〜Ｈ₂₂₄₆）が両側面で一対とし
て配設されている。また、ヒータＨ₂₁₁₁内、Ｈ₂₁₁₂とＨ
₂₁₁₃との間、Ｈ₂₁₁₄内、Ｈ₂₁₂₁とＨ₂₁₃₁との間、
Ｈ ₂₁₂₂、Ｈ₂₁₂₃、Ｈ₂₁₃₂、Ｈ₂₁₃₃の間、Ｈ₂₁₂₄とＨ₂₁₃₄
との間、Ｈ₂₁₄₁内、Ｈ₂₁₄₂とＨ₂₁₄₃との間、Ｈ₂₁₄₄内の
位置にそれぞれ９組の温度検出器ＴＣ₂₁₁₁、ＴＣ_{21 12}、
ＴＣ₂₁₁₃、ＴＣ₂₁₂₁、ＴＣ₂₁₂₂、ＴＣ₂₁₂₃、ＴＣ₂₁₃₁、
ＴＣ₂₁₃₂、ＴＣ₂₁₃₃（駆動区分１２９ｂにはＴＣ₂₂₁₁〜
ＴＣ₂₂₃₃）が上下に配設されている。The heating zone 128 has a heating zone.
Temperature Detectors for Detecting Temperatures in the Temperature Range 128
The TC is applied to the longitudinal direction of the furnace body 124 for each drive section 129.
When it is provided up and down at each of three positions in the width direction
In both cases, a plurality of
And each zone is independently controlled.
Heaters H are provided in the furnace body 12 for each drive section 129.
4 zones in the longitudinal direction, 4 zones in the upper direction on both sides in the width direction
There are six zones each including a zone. That is, the figure
As shown in FIG. 5 (b), the substrate 6
2 feed direction A and rollers (not shown) orthogonal to the feed direction A
A total of 16 sets of 166 divided into four in the longitudinal direction
Heater H₂₁₁₁, H₂₁₁₂, H₂₁₁₃, H₂₁₁₄, H₂₁₂₁, H
₂₁₂₂, H_{twenty one twenty three}, H₂₁₂₄, H₂₁₃₁, H₂₁₃₂, H₂₁₃₃, H
₂₁₃₄, H₂₁₄₁, H₂₁₄₂, H₂₁₄₃, H_{twenty one 44}Of the furnace body 124
The furnace body 12 is provided as a pair at each of the upper and lower sides.
4 in the feed direction A on the upper side on both sides in the width direction.
And divided into four (four) heaters H₂₁₁₅, H₂₁₂₅, H
₂₁₃₅, H₂₁₄₅, H₂₁₁₆, H₂₁₂₆, H₂₁₃₆, H₂₁₄₆(Drive
H in section 129b₂₂₁₁~ H₂₂₄₆) Is a pair on both sides
It is arranged. Also, the heater H₂₁₁₁Of which, H₂₁₁₂And H
₂₁₁₃Between, H₂₁₁₄Of which, H₂₁₂₁And H₂₁₃₁Between
H ₂₁₂₂, H₂₁₂₃, H₂₁₃₂, H₂₁₃₃During, H₂₁₂₄And H₂₁₃₄
Between, H₂₁₄₁Of which, H₂₁₄₂And H₂₁₄₃Between, H₂₁₄₄Inside
Nine sets of temperature detectors TC at each position₂₁₁₁, TC_{twenty one 12},
TC₂₁₁₃, TC₂₁₂₁, TC₂₁₂₂, TC₂₁₂₃, TC₂₁₃₁,
TC₂₁₃₂, TC₂₁₃₃(TC section 129b₂₂₁₁~
TC₂₂₃₃) Are arranged above and below.

【００３３】また、前記の徐冷ゾーン１３０には、炉体
１２４の長手方向に沿って等間隔で複数のシャッタ装置
Ｓ₁ 、Ｓ₂ 、〜Ｓ₇ （以下、特に区別しないときは単に
シャッタ装置Ｓという）が設けられており、徐冷ゾーン
１３０が駆動区分１３１に対応する複数例えば６つの第
１加熱室Ｒ₁ 、第２加熱室Ｒ₂ 、〜第６加熱室Ｒ₆ （以
下、特に区別しないときは単に加熱室Ｒという）に分割
されている。The slow cooling zone 130 includes a plurality of shutter devices S ₁ , S ₂ ,..., S _{7 at} equal intervals along the longitudinal direction of the furnace body 124. S), and the slow cooling zone 130 has a plurality of, for example, six, first heating chambers R ₁ , second heating chambers R ₂ , to sixth heating chambers R ₆ (hereinafter particularly distinguished) corresponding to the drive section 131. When not performed, it is simply divided into a heating chamber R).

【００３４】上記のシャッタ装置Ｓは、図２に断面構造
を、図３(d) にシャッタ装置Ｓ₂ を通る断面（図２にお
けるｄ−ｄ視断面）をそれぞれ示すように、例えば炉体
１２４内壁と同様な材質の耐熱ガラス製板等から成る仕
切り板１９０、シャッタガイド１９２、１９２、および
ローラ１６６の間の位置で上下動させられる可動分割壁
に相当するシャッタ１９４と、炉体１２４の下方に位置
してそのシャッタ１９４を上下動させるための３つのス
モールジャッキ１９６、およびスモールジャッキ１９６
を駆動するモータ１９８ａ、１９８ｂ、〜１９８ｇとを
備えたものである。上記の仕切り板１９０は、図２に示
されるように２枚の耐熱ガラス製板がシャッタ１９４の
厚さに相当する小さな間隔をもって炉体１２４の上部に
固定されている。また、シャッタガイド１９２は、炉体
１２４の側面側に仕切り板１９０の下方に続いて設けら
れており、図示はしないが仕切り板１９０と同様にシャ
ッタ１９４の厚さに相当する小さな間隔をもって配置さ
れた２枚の耐熱ガラス製板から構成されている。このた
め、仕切り板１９０とシャッタガイド１９２、１９２と
によって、炉体１２４の側面から上面に至るシャッタ１
９４の厚さに相当するシャッタ案内溝が形成されてい
る。モータ１９８ａ、１９８ｂ、〜１９８ｇ（以下、特
に区別しないときは単にモータ１９８という）は制御装
置１６８によって相互に独立して駆動制御されるもので
ある。シャッタ１９４は、モータ１９８が駆動させられ
ることによりシャッタガイド１９２に形成された案内溝
内を案内されて上下させられ、その最上部位置におい
て、図２においてシャッタ装置Ｓ₁について示されるよ
うに仕切り板１９０に形成される溝内に上端が嵌め込ま
れる。このため、各加熱室Ｒは、その前後に設けられて
いるシャッタ装置Ｓが閉じられている間は隣接する加熱
室Ｒと完全に分離させられる。炉体１２４内で基板６２
を搬送するための複数のローラ１６６は相互の間に隙間
が設けられた状態で備えられていることから、その隙間
を通ってシャッタ１９４が上下させられることにより、
加熱室Ｒを完全に分離し得るのである。なお、上記のス
モールジャッキ１９６は、カップリングを介して駆動シ
ャフト２００によって相互に連結されており、モータ１
９８によって同期的に駆動される。The shutter device S described above, the cross-sectional structure in FIG. 2, as shown respectively (d-d sectional view in FIG. 2) cross-section through a shutter system S ₂ in FIG. 3 (d), for example, a furnace body 124 A shutter 194 corresponding to a movable dividing wall which can be moved up and down at a position between a partition plate 190 made of a heat-resistant glass plate or the like made of the same material as the inner wall, shutter guides 192, 192, and rollers 166, and a lower part of the furnace body 124 And three small jacks 196 for moving the shutter 194 up and down and
And 198 g to 198 g. As shown in FIG. 2, the partition plate 190 has two heat-resistant glass plates fixed to the upper portion of the furnace body 124 at a small interval corresponding to the thickness of the shutter 194. Further, the shutter guide 192 is provided below the partition plate 190 on the side surface of the furnace body 124 and is disposed at a small interval corresponding to the thickness of the shutter 194 similarly to the partition plate 190, though not shown. And two heat-resistant glass plates. For this reason, the shutter 1 extending from the side surface to the upper surface of the furnace body 124 by the partition plate 190 and the shutter guides 192, 192.
A shutter guide groove having a thickness of 94 is formed. The motors 198a, 198b, to 198g (hereinafter simply referred to as the motor 198 unless otherwise specified) are controlled independently by the control device 168. The shutter 194 is guided in the guide groove formed in the shutter guide 192 up and down by the motor 198 is driven, at its uppermost position, the partition plate as shown for the shutter apparatus S ₁ in FIG. 2 The upper end is fitted into the groove formed in 190. For this reason, each heating chamber R is completely separated from the adjacent heating chamber R while the shutter devices S provided before and after the heating chamber R are closed. Substrate 62 in furnace body 124
Roller 166 is provided in a state in which a gap is provided between the rollers 166, so that the shutter 194 is moved up and down through the gap,
The heating chamber R can be completely separated. The small jack 196 is connected to each other by a drive shaft 200 via a coupling.
98 driven synchronously.

【００３５】また、徐冷ゾーン１３０の各駆動区分１３
１には、それぞれ制御装置１６８に制御されて各加熱室
Ｒの温度を検出するための複数の温度検出器ＴＣおよび
各加熱室Ｒを加熱するための複数のヒータＨが、前記図
５(b) に示される前記加熱ゾーン１２８と同様な配設パ
ターン（駆動区分１３１ａにはＴＣ₃₁₁₁〜ＴＣ₃₁₃₃およ
びＨ₃₁₁₁〜Ｈ₃₁₄₆、駆動区分１３１ｂにはＴＣ₃₂₁₁〜Ｔ
Ｃ₃₂₃₃およびＨ₃₂₁₁〜Ｈ₃₂₄₆、駆動区分１３１ｃにはＴ
Ｃ₃₃₁₁〜ＴＣ₃₃₃₃およびＨ₃₃₁₁〜Ｈ₃₃₄₆、駆動区分１３
１ｄにはＴＣ₃₄₁₁〜ＴＣ₃₄₃₃およびＨ₃₄₁₁〜Ｈ₃₄₄₆、駆
動区分１３１ｅにはＴＣ₃₅₁₁〜ＴＣ₃₅₃₃およびＨ₃₅₁₁〜
Ｈ₃₅₄₆、駆動区分１３１ｆにはＴＣ₃₆₁₁〜ＴＣ₃₆₃₃およ
びＨ₃₆₁₁〜Ｈ₃₆₄₆）で設けられている。また、各加熱室
Ｒ内には、基板６２の搬送方向後方側（上流側）に上部
および下部から冷却用空気を供給するための給気管１８
０、１８０が備えられると共に、その冷却用空気を搬送
方向前方側（下流側）の上部から排出するための排気管
１８２とが設けられている。これら給気管１８０および
排気管１８２は、それぞれ予熱ゾーン１２６に設けられ
ている給気管１７０、排気管１７２と同様なものであ
り、丸穴状のノズル１７１或いは長穴状のノズル１８１
が設けられたアルミナセラミックス製のチューブから構
成されている。また、給気管１８０および排気管１８２
は、炉体１２４の外部に設けられた給気用配管１８４お
よび排気用配管１８６にそれぞれ接続されており、給気
管１８０に図示しない空気供給源から個々の加熱室Ｒの
給気用配管１８４毎に設けられた送気管１８５ａ、１８
５ｂ、〜１８５ｆ（送気管１８５ａのみ図示。以下、特
に区別しないときは単に送気管１８５という）を介して
冷却用空気が導かれると共に、排気管１８２から吸い込
まれた各加熱室Ｒ内の空気が排出口１８８から排出され
る。個々の送気管１８５には電磁弁２０８ａ、２０８
ｂ、〜２０８ｆ（電磁弁２０８ａのみ図示。以下、特に
区別しないときは単に電磁弁２０８という）が設けられ
ており、制御装置１６８によって加熱室Ｒ内への給気が
開始および停止させられると共に給気量が調節される。
したがって、本実施例においては、給気管１８０、給気
用配管１８４、送気管１８５、電磁弁２０８によって給
気装置が構成されている。なお、図においては、加熱室
Ｒの上下にそれぞれ設けられた給気管１８４、１８４が
共通の送気管１８５に接続されているが、それぞれ電磁
弁２０８を備えた別々の送気管１８５に接続されて独立
に制御されてもよい。Each drive section 13 of the slow cooling zone 130
1 includes a plurality of temperature detectors TC for controlling the temperature of each heating chamber R controlled by the control device 168 and a plurality of heaters H for heating each heating chamber R, respectively, as shown in FIG. ) (TC ₃₁₁₁ to TC ₃₁₃₃ and H _{3111 to} H _{3146 for} the drive section 131a, and TC _{3211 to} T 311 for the drive section 131b).
C ₃₂₃₃ and H _{3211 to} H ₃₂₄₆ , T
C _{3311 to} TC ₃₃₃₃ and H _{3311 to} H ₃₃₄₆ , drive section 13
1d includes TC ₃₄₁₁ to TC ₃₄₃₃ and H _{3411 to} H ₃₄₄₆ , and drive section 131e includes TC ₃₅₁₁ to TC ₃₅₃₃ and H ₃₅₁₁ to H ₃₅₁₁ .
H ₃₅₄₆ and TC ₃₆₁₁ to TC ₃₆₃₃ and H _{3611 to} H ₃₆₄₆ are provided in the drive section 131f. Further, inside each heating chamber R, an air supply pipe 18 for supplying cooling air from the upper and lower portions to the rear side (upstream side) in the transport direction of the substrate 62.
0 and 180, and an exhaust pipe 182 for discharging the cooling air from the upper part on the front side (downstream side) in the transport direction. The air supply pipe 180 and the exhaust pipe 182 are similar to the air supply pipe 170 and the exhaust pipe 172 provided in the preheating zone 126, respectively, and have a round hole nozzle 171 or a long hole nozzle 181.
Is provided with a tube made of alumina ceramics. In addition, the air supply pipe 180 and the exhaust pipe 182
Are connected to an air supply pipe 184 and an exhaust pipe 186 provided outside the furnace body 124, respectively, and are connected to an air supply source (not shown) from the air supply source (not shown) to the air supply pipe 184 of each heating chamber R. Air supply pipes 185a, 18 provided in
5b, to 185f (only the air supply pipe 185a is shown; hereinafter, when not particularly distinguished, simply referred to as the air supply pipe 185), the cooling air is guided, and the air in each heating chamber R sucked from the exhaust pipe 182 is removed. It is discharged from the discharge port 188. Each air supply pipe 185 has a solenoid valve 208a, 208
b, to 208f (only the solenoid valve 208a is shown; hereinafter, simply referred to as the solenoid valve 208 unless otherwise specified), and the controller 168 starts and stops the supply of air into the heating chamber R and supplies the same. The volume is adjusted.
Therefore, in the present embodiment, an air supply device is configured by the air supply pipe 180, the air supply pipe 184, the air supply pipe 185, and the solenoid valve 208. In the figure, the air supply pipes 184 and 184 provided above and below the heating chamber R are connected to a common air supply pipe 185, but are connected to separate air supply pipes 185 each having an electromagnetic valve 208. It may be controlled independently.

【００３６】また、前記の冷却ゾーン１３２には、冷却
ゾーン１３２内の温度を検出するための温度検出器ＴＣ
₄₁、ＴＣ₄₂、Ｔ₄₃が、駆動区分１３３毎に炉体１２４長
手方向中央の幅方向中央位置において上側に設けられる
と共に、炉体１２４の上側および下側にその幅寸法に略
等しい長さを有する複数の冷却ジャケットＣが、それぞ
れの駆動区分１３３毎に炉体１２４の長手方向に３列ず
つ設けられている。冷却ジャケットＣは、その内部に図
１に示される冷却水配管２０２から枝管２０４を介して
供給される冷却水が流通させられるものである。上下に
配されたそれぞれ３つの冷却ジャケットＣは相互に連結
されており、それら３つの冷却ジャケットＣ内を順次流
通させられた冷却水は、図１に示される反対側の側面に
設けられた図示しない排水管から排出される。冷却ジャ
ケットＣに供給される冷却水の流量は駆動区分１３３毎
に枝管２０４に設けられている電磁弁２０６ａ、２０６
ｂ、２０６ｃによって調節される。この冷却ゾーン１３
２に設けられている温度検出器ＴＣおよび電磁弁２０６
も前記の制御装置１６８に接続されており、温度検出器
ＴＣによって検出された温度信号に基づいて冷却ジャケ
ットＣに流通される冷却水量が制御される。The cooling zone 132 has a temperature detector TC for detecting the temperature in the cooling zone 132.
₄₁ , TC ₄₂ , and T ₄₃ are provided on the upper side at the center position in the width direction of the longitudinal center of the furnace body 124 for each drive section 133, and the length substantially equal to the width dimension is provided on the upper and lower sides of the furnace body 124. A plurality of cooling jackets C are provided for each drive section 133 in three rows in the longitudinal direction of the furnace body 124. The cooling jacket C allows the cooling water supplied from the cooling water pipe 202 shown in FIG. 1 through the branch pipe 204 to flow therein. The upper and lower three cooling jackets C are connected to each other, and the cooling water sequentially circulated through the three cooling jackets C is provided on the opposite side surface shown in FIG. Not drained from drains. The flow rate of the cooling water supplied to the cooling jacket C is controlled by solenoid valves 206 a and 206 provided in the branch pipe 204 for each drive section 133.
b, 206c. This cooling zone 13
2 provided with a temperature detector TC and a solenoid valve 206
Is also connected to the control device 168, and controls the amount of cooling water flowing through the cooling jacket C based on the temperature signal detected by the temperature detector TC.

【００３７】図７は前記制御装置１６８の構成を示す図
である。予熱ゾーン１２６、加熱ゾーン１２８、徐冷ゾ
ーン１３０、および冷却ゾーン１３２の駆動区分１２
７、１２９、１３１、１３３（或いは加熱室Ｒ）毎に所
定数ずつ設けられた炉体１２４内の温度を検出するため
の温度検出器ＴＣ₁₁₁ 、ＴＣ₁₁₂ 、〜ＴＣ₄₃により検出
された温度を示す各信号は、マルチプレクサ６８によっ
て所定の周期で時分割され、且つＡ／Ｄ変換器７０にお
いてデジタル信号に変換された後、演算制御回路７２へ
入力される。この演算制御回路７２は、例えばマイクロ
コンピュータにより構成されており、ＲＡＭの一時記憶
機能を利用しつつ予めＲＯＭに記憶されたプログラムに
従って入力信号を処理し、出力インターフェース７４を
介して、モータ駆動回路ＭＤ₁ へ第１搬送装置１１８を
連続駆動させるための信号を、モータ駆動回路ＭＤ₂ へ
第１搬送装置１１８の駆動区分１２７ｂを第２搬送装置
１２０の駆動速度に同期して駆動させるための信号をそ
れぞれ供給し、また、各ヒータ駆動回路Ｄ₁₁₁₁、
Ｄ₁₁₁₂、〜Ｄ₃₆₄₆へ、ヒータＨ₁₁₁₁、Ｈ₁₁₁₂、〜Ｈ₃₆₄₆
を駆動させるための信号を供給し、また、モータ駆動回
路ＭＤ₃₁、ＭＤ₃₂、〜ＭＤ₃₆へ第２搬送装置１２０ａ、
１２０ｂ、〜１２０ｆを間歇駆動するための信号を供給
し、また、モータ駆動回路ＭＤ_S1、ＭＤ_S2、〜ＭＤ_S7へ
シャッタ駆動モータ１９８ａ、１９８ｂ、〜１９８ｇを
駆動させるための信号を供給し、また、モータ駆動回路
ＭＤ₄₁へ第３搬送装置１２２を連続駆動させるための信
号を、モータ駆動回路ＭＤ₄₂へ第３搬送装置１２２の駆
動区分１３３ａを第２搬送装置１２０の駆動速度に同期
して駆動させるための信号をそれぞれ供給し、更に、電
磁弁駆動回路ＳＤ₁ 、ＳＤ₂ 、ＳＤ₃ 、ＳＤ_a1、Ｓ
Ｄ_a2、〜ＳＤ_a6へ電磁弁２０６ａ、２０６ｂ、２０６
ｃ、２０８ａ、２０８ｂ、〜２０８ｆを駆動させるため
の信号を供給する。FIG. 7 is a diagram showing the structure of the control device 168. Drive section 12 of preheating zone 126, heating zone 128, slow cooling zone 130, and cooling zone 132
7, 129, 131, and 133 (or the heating chamber R), the temperature detected by the temperature detectors TC ₁₁₁ , TC ₁₁₂ , and TC ₄₃ for detecting the temperature inside the furnace body 124 provided by a predetermined number. Each of the signals shown is time-divided at a predetermined cycle by the multiplexer 68, and is converted into a digital signal by the A / D converter 70, and then input to the arithmetic and control circuit 72. The arithmetic control circuit 72 is configured by, for example, a microcomputer, processes input signals in accordance with a program stored in advance in a ROM while utilizing a temporary storage function of a RAM, and outputs a motor drive circuit MD via an output interface 74. a signal for the first transfer device 118 continuously driven to _1, the signal for driving the driving segment 127b of the first transfer device 118 to the motor driving circuit MD ₂ in synchronism with the driving speed of the second conveying unit 120 And each heater drive circuit D ₁₁₁₁ ,
D _1112, to to D _3646, a heater H _1111, H _1112, ~H ₃₆₄₆
Supplying a signal for driving the, also, the motor driving circuit MD _31, MD _32, the second transfer device 120a to to MD _36,
A signal for intermittently driving the shutter driving motors 120b and 120f, and a signal for driving the shutter driving motors 198a, 198b and 198g to the motor driving circuits MD _S1 , MD _S2 and MD _S7 , A signal for continuously driving the third transport device 122 to the motor drive circuit MD _41, and a drive section 133 a of the third transport device 122 to the motor drive circuit MD ₄₂ in synchronization with the drive speed of the second transport device 120. And a solenoid valve driving circuit SD ₁ , SD ₂ , SD ₃ , SD _a1 , S
D _a2 , to SD _a6 to solenoid valves 206a, 206b, 206
c, 208a, 208b, to 208f.

【００３８】なお、上記の各ヒータＨ₁₁₁₁、Ｈ₁₁₁₂、〜
Ｈ₂₂₄₆は、予熱ゾーン１２６および加熱ゾーン１２８内
で炉体１２４の温度が幅方向において均等且つ長手方向
（基板６２の搬送方向）で所定の温度勾配が形成される
ように、また、ヒータＨ₃₁₁₁、Ｈ₃₁₁₂、〜Ｈ₃₆₄₆は、徐
冷ゾーン１３０の各加熱室Ｒ内の温度がそれぞれ予め設
定された温度で均等となるように、それぞれ予め設定さ
れた各部位の目標温度比或いは相互の出力比に従って制
御されるようになっている。例えば、炉体１２４の幅方
向中央に位置するヒータＨ₁₁₁₂、Ｈ₁₁₁₃、Ｈ₁₁₂₂、Ｈ
₁₁₂₃、〜Ｈ₃₆₄₂に比較して、幅方向端部に位置するヒー
タＨ₁₁₁₁、Ｈ₁₁₁₄、Ｈ₁₁₂₁、Ｈ₁₁₂₄、〜Ｈ ₃₆₄₄の出力が
高められる。また、炉体１２４の長手方向において低温
側（予熱ゾーン１２６および加熱ゾーン１２８の駆動区
分１２９ａにおいては基板６２の搬送方向後方側、加熱
ゾーン１２８の駆動区分１２９ｂおよび徐冷ゾーン１３
０においては搬送方向前方側）に位置するヒータ
Ｈ₁₁₁₁、Ｈ₁₁₁₂、Ｈ₁₁₁₃、Ｈ₁₁₁₄、Ｈ₁₂₁₁、Ｈ₁₂₁₂、Ｈ
₁₂₁₃、Ｈ₁₂₁₄、〜Ｈ₂₁₁₆、およびＨ₂₂₄₁、Ｈ₂₂₄₂、Ｈ
₂₂₄₃、Ｈ₂₂₄₄、Ｈ₂₂₄₅、Ｈ₂₂₄₆、Ｈ₃₁₄₁、Ｈ₃₁₄₂、Ｈ
₃₁₄₃、Ｈ₃₁₄₄、Ｈ₃₁₄₅、Ｈ₃₁₄₆、〜Ｈ₃₆₄₆は、各ゾーン
１２６、１２８、１３０の高温側（上記と反対側位置）
に位置するヒータＨ₁₁₄₁、Ｈ₁₁₄₂、Ｈ₁₁₄₃、Ｈ₁₁₄₄、Ｈ
₁₂₄₁、Ｈ₁₂₄₂、Ｈ₁₂₄₃、Ｈ ₁₂₄₄、〜Ｈ₂₁₄₆、およびＨ
₂₂₁₁、Ｈ₂₂₁₂、Ｈ₂₂₁₃、Ｈ₂₂₁₄、Ｈ₂₂₁₅、Ｈ₂₂₁₆、Ｈ
₃₁₁₁、Ｈ₃₁₁₂、Ｈ₃₁₁₃、Ｈ₃₁₁₄、Ｈ₃₁₁₅、Ｈ₃₁₁₆、〜Ｈ
₃₆₁₆に比較して出力が高められる。The above heaters H₁₁₁₁, H₁₁₁₂, ~
H₂₂₄₆In the preheating zone 126 and the heating zone 128
The temperature of the furnace body 124 is uniform in the width direction and the longitudinal direction
A predetermined temperature gradient is formed in the (transfer direction of the substrate 62)
And the heater H₃₁₁₁, H₃₁₁₂, ~ H₃₆₄₆Is the Xu
The temperature in each heating chamber R of the cooling zone 130 is set in advance.
Each is set in advance to be equal at the specified temperature.
In accordance with the target temperature ratio of each part
Is being controlled. For example, the width of the furnace body 124
Heater H located at the center₁₁₁₂, H₁₁₁₃, H₁₁₂₂, H
₁₁₂₃, ~ H₃₆₄₂Compared to the heater located at the end in the width direction.
TA H₁₁₁₁, H₁₁₁₄, H₁₁₂₁, H₁₁₂₄, ~ H ₃₆₄₄Output
Enhanced. Further, the temperature is low in the longitudinal direction of the furnace body 124.
Side (the drive zone of the preheating zone 126 and the heating zone 128)
In the portion 129a, the rear side in the transport direction of the substrate 62 is heated.
Drive section 129b of zone 128 and slow cooling zone 13
0, the heater located on the front side in the transport direction)
H₁₁₁₁, H₁₁₁₂, H₁₁₁₃, H₁₁₁₄, H₁₂₁₁, H₁₂₁₂, H
₁₂₁₃, H₁₂₁₄, ~ H₂₁₁₆, And H₂₂₄₁, H₂₂₄₂, H
₂₂₄₃, H₂₂₄₄, H₂₂₄₅, H₂₂₄₆, H₃₁₄₁, H₃₁₄₂, H
₃₁₄₃, H₃₁₄₄, H₃₁₄₅, H₃₁₄₆, ~ H₃₆₄₆Is for each zone
High temperature side of 126, 128, 130 (opposite side above)
Heater H located at₁₁₄₁, H₁₁₄₂, H₁₁₄₃, H₁₁₄₄, H
₁₂₄₁, H₁₂₄₂, H₁₂₄₃, H ₁₂₄₄, ~ H₂₁₄₆, And H
₂₂₁₁, H₂₂₁₂, H₂₂₁₃, H₂₂₁₄, H₂₂₁₅, H₂₂₁₆, H
₃₁₁₁, H₃₁₁₂, H₃₁₁₃, H₃₁₁₄, H₃₁₁₅, H₃₁₁₆, ~ H
₃₆₁₆The output is increased as compared with.

【００３９】図８および図９は、連続型焼成装置１１６
を用いて膜形成素材を含む基板６２を焼成する場合にお
いて、各基板６２毎の位置および図８において時刻ｔ₀
に搬入された基板６２の昇降温カーブをそれぞれ示すタ
イミングチャートである。なお、図８において一点鎖線
は各駆動区分１２７等の境界を示し、図に示されるよう
に徐冷ゾーン１３０においては各加熱室Ｒの境界に等し
い。すなわち、縦軸は炉体１２４内の長手方向（基板６
２の搬送方向）の位置を示している。また、右上がりに
描かれた複数本の実曲線はそれぞれ各基板６２の動きに
対応し、その傾きの大きさが搬送速度の速さを表す。以
下、これらのタイミングチャートを参照して基板６２の
焼成方法を説明する。FIGS. 8 and 9 show a continuous firing apparatus 116.
When the substrate 62 including the film forming material is baked using the method, the position of each substrate 62 and the time t _{0 in} FIG.
6 is a timing chart showing a temperature rise / fall curve of the substrate 62 carried into the storage device. In FIG. 8, the dashed line indicates the boundary of each drive section 127 and the like, and is equal to the boundary of each heating chamber R in the slow cooling zone 130 as shown in the figure. That is, the vertical axis indicates the longitudinal direction (the substrate 6) in the furnace body 124.
2 transport direction). A plurality of real curves drawn upward to the right each correspond to the movement of each substrate 62, and the magnitude of the inclination represents the speed of the transport speed. Hereinafter, a method of firing the substrate 62 will be described with reference to these timing charts.

【００４０】まず、時刻ｔ₀ において、未焼成の基板６
２が図１に示される搬入方向に従って予熱ゾーン１２６
の駆動区分１２７側から搬入される。このとき、徐冷ゾ
ーン１３０に設けられたシャッタ装置Ｓは全て閉じられ
て、各加熱室Ｒが相互に分離されており、基板６２が搬
送過程において図９に示される温度カーブで昇降温させ
られるように、炉体１２４の各ゾーン１２６、１２８、
１３０に設けられたヒータＨがフィードバック制御で駆
動されて炉体１２４内が加熱されると共に、冷却ゾーン
１３２に設けられた電磁弁２０６が駆動されて冷却ジャ
ケットＣに冷却水が流されることにより、それぞれのゾ
ーンの各部位が予め設定された目標温度に保持されてい
る。また、モータ１３４およびモータ１６２が駆動され
て第１搬送装置１１８および第３搬送装置１２２内のロ
ーラ１６６が図２における右回り方向に回転させられて
いる。このため、搬入された基板６２は、所定の第１の
搬送速度で加熱ゾーン１２８に向かって搬送される。First, at time t ₀ , the unfired substrate 6
2 according to the loading direction shown in FIG.
Are carried in from the drive section 127 side. At this time, the shutter devices S provided in the slow cooling zone 130 are all closed, the respective heating chambers R are separated from each other, and the temperature of the substrate 62 is raised and lowered by the temperature curve shown in FIG. As such, each zone 126, 128 of the furnace body 124,
The heater H provided in 130 is driven by feedback control to heat the inside of the furnace body 124, and the electromagnetic valve 206 provided in the cooling zone 132 is driven to flow cooling water through the cooling jacket C. Each part of each zone is maintained at a preset target temperature. In addition, the motor 134 and the motor 162 are driven, and the rollers 166 in the first transport device 118 and the third transport device 122 are rotated clockwise in FIG. Thus, the loaded substrate 62 is transported toward the heating zone 128 at a predetermined first transport speed.

【００４１】次いで、時刻ｔ₀ から例えば300 秒程度の
所定時間経過した時刻ｔ₁ においては、次の基板６２が
予熱ゾーン１２６に搬入され、更に300 秒程度の所定時
間経過した時刻ｔ₂ においては、更に次の基板６２が予
熱ゾーン１２６に搬入される。すなわち、予熱ゾーン１
２６には、例えば300 秒程度の所定時間毎に基板６２が
順次搬入される。このように順次搬入された基板６２
は、回転駆動されているローラ１６６に支持された状態
で予熱ゾーン１２６をその終端まで搬送される過程で、
例えば1100秒程度の時間で例えば500(℃) 程度の所定の
最高焼成温度ＭＴまで昇温させられる。図８、図９のｔ
₃ 時点はこの状態を示す。本実施例においては、この最
高焼成温度ＭＴまで昇温させられる工程が昇温工程（或
いは予熱工程）に対応する。[0041] Then, at time t ₁ has elapsed from the time t _0, for example, 300 seconds to a predetermined time, the next substrate 62 is carried into the preheating zone 126, at time t ₂ has elapsed further predetermined time of about 300 seconds Then, the next substrate 62 is carried into the preheating zone 126. That is, preheating zone 1
The substrates 62 are sequentially carried into the substrate 26 at predetermined intervals of, for example, about 300 seconds. The substrate 62 thus sequentially loaded
Is transported to the end of the preheating zone 126 while being supported by the roller 166 being driven in rotation,
For example, the temperature is raised to a predetermined maximum firing temperature MT of about 500 (° C.) in about 1100 seconds, for example. T in FIGS. 8 and 9
Time point ₃ shows this state. In the present embodiment, the step of raising the temperature to the maximum firing temperature MT corresponds to a temperature raising step (or a preheating step).

【００４２】続く加熱ゾーン１２８においては、基板６
２が最高焼成温度ＭＴに保持された状態で第１搬送装置
１１８によって予熱ゾーン１２６から連続して搬送され
る。但し、加熱ゾーン１２８内での搬送速度は、当初は
予熱ゾーン１２６と同様に第１の搬送速度とされるが、
基板６２が駆動区分１２９ｂに完全に入ると、モータ１
５０が駆動されることによって第２の搬送速度に高めら
れる。このとき、加熱ゾーン１２８と徐冷ゾーン１３０
との間に設けられているシャッタ装置Ｓ₁ が開けられる
と共に、加熱室Ｒ₁ 内のローラ１６６を駆動する第２搬
送装置１２０ａが所定の第２の搬送速度（すなわち駆動
区分１２９ｂと同様な搬送速度）で駆動される。そのた
め、基板６２は加熱ゾーン１２８から徐冷ゾーン１３０
の加熱室Ｒ₁ すなわち第１の均熱温度ＫＴ₁ に保持され
ている加熱室Ｒ₁ 内に速やかに搬送される。ｔ₄ 時点は
この状態を示している。本実施例においては、最高焼成
温度ＭＴに達してから加熱室Ｒ₁ 内に搬入されるまで、
すなわち加熱ゾーン１２８内を搬送されつつ加熱される
工程が加熱工程に対応し、その加熱時間（所謂キープ時
間）は例えば400 秒程度である。このようにして徐冷ゾ
ーン１３０に搬入された基板６２は、各加熱室Ｒ内で予
め設定されている所定温度（すなわち第１乃至第６の均
熱温度）ＫＴ₁ 、ＫＴ₂ 、〜ＫＴ₆ で所定時間保持され
て均熱され、続く加熱室Ｒに速やかに搬送される過程を
繰り返しつつ、図９に示される階段状の降温カーブに従
って徐冷される。なお、第１の均熱温度ＫＴ₁ は最高焼
成温度ＭＴよりも数 (℃) 乃至十数 (℃) 程度の所定値
ΔＫＴだけ低い温度であり、第２の均熱温度ＫＴ₂ 、第
３の均熱温度ＫＴ₃ 、〜第６の均熱温度ＫＴ₆ は、それ
ぞれ更に所定値ΔＫＴずつ低くされた温度である。In the subsequent heating zone 128, the substrate 6
2 is continuously conveyed from the preheating zone 126 by the first conveying device 118 while being kept at the maximum firing temperature MT. However, the transport speed in the heating zone 128 is initially the first transport speed as in the preheating zone 126,
When the board 62 completely enters the drive section 129b, the motor 1
By driving 50, the speed is increased to the second transport speed. At this time, the heating zone 128 and the slow cooling zone 130
To the shutter device S ₁ is provided is opened, the second transfer device 120a a predetermined second transport speed to drive the roller 166 in the heating chamber R ₁ (i.e. the same transport and driving segment 129b between the Speed). Therefore, the substrate 62 is moved from the heating zone 128 to the slow cooling zone 130.
It is conveyed rapidly to the heating chamber R ₁ or heating chamber R ₁ held first to soaking temperature KT _1. t ₄ time shows this state. In the present embodiment, until it is carried into the heating chamber R ₁ from reaching the maximum firing temperature MT,
That is, the step of heating while being conveyed in the heating zone 128 corresponds to the heating step, and the heating time (so-called keep time) is, for example, about 400 seconds. Substrate 62 which is carried into the annealing zone 130 in this way, a predetermined temperature (i.e. soaking temperature of the first to sixth) previously set in the heating chamber _{R KT 1, KT 2, ~KT} 6 The temperature is maintained for a predetermined time, the temperature is uniformed, and the process of rapidly transporting the heat to the heating chamber R is repeated, while the temperature is gradually cooled according to a stepwise temperature-falling curve shown in FIG. The first soaking temperature KT ₁ is a temperature lower than the highest firing temperature MT by a predetermined value ΔKT of several (° C.) to several tens (° C.), and the second soaking temperature KT ₂ and the third The soaking temperature KT ₃ to the sixth soaking temperature KT ₆ are temperatures further lowered by a predetermined value ΔKT, respectively.

【００４３】因に、図９に示される昇温カーブの例えば
500(℃) 程度以上の最高焼成温度ＭＴに続く所定の冷却
期間における冷却条件は、膜形成素材を含む基板６２の
熱処理の上で重要な要素である。たとえば、ＶＦＤ（螢
光表示管）やＰＤＰ（プラズマディスプレーパネル）、
ＰＡＬＣ（プラズマアドレスド液晶表示装置）、ＦＥＤ
（フィールドエミッションディスプレイ）に用いると
き、基板６２がソーダライムガラスに代表される低歪点
のガラス製である場合には、基板６２内の温度が不均一
となって各部の冷却速度が相互に相違することに起因し
てその寸法の局所的変化を発生させることから、多層厚
膜印刷の位置合わせを困難としたり、あるいはフロント
プレートとリヤプレートとの厚膜印刷面を組合わせるこ
とにより多数のセルを形成するＰＤＰやＦＥＤに用いる
ときに両者のずれによってセルを構成できない部分を生
じるので、たとえば40インチというような大型となるほ
ど製造歩留まりを加速度的に低下させる。図１０は、搬
送方向前端側の冷却速度が搬送方向後端側の冷却速度よ
りも高い従来の焼成法における基板６２の寸法（実線）
を焼成前の寸法（一点鎖線）に比較して示している。ま
た、基板６２上に多数個の厚膜印刷抵抗体や厚膜ボンデ
ィングパッドなどが設けられる場合には、基板６２内の
温度が不均一となって各部の冷却速度が相互に相違する
ことに起因して、機能を有する厚膜層に結合材として含
まれるガラス成分の溶融、軟化の程度によって、また、
厚膜に含まれる金属、無機材料粒子の溶融、焼結の程度
によって抵抗値やボンディング適性が左右されることか
ら、印刷抵抗体の抵抗値やボンディング適性のばらつき
によって基板６２が大型となるほど製造歩留まりを加速
度的に低下させる。さらに、厚膜印刷による誘電体層の
積層によって基板６２に所定高さのリブ壁を形成する場
合でも、基板６２内の温度が不均一となって各部の冷却
速度が相互に相違することに起因して厚膜に含まれるガ
ラス成分の溶融、軟化の程度によって焼成収縮率すなわ
ち厚膜の膜厚や幅寸法が左右されることから、基板６２
が大型となるほど製造歩留まりを加速度的に低下させ
る。For example, the temperature rise curve shown in FIG.
The cooling condition in a predetermined cooling period following the maximum firing temperature MT of about 500 (° C.) or more is an important factor in heat treatment of the substrate 62 including the film forming material. For example, VFD (fluorescent display tube), PDP (plasma display panel),
PALC (Plasma Addressed Liquid Crystal Display), FED
When used for (field emission display), if the substrate 62 is made of glass having a low strain point represented by soda lime glass, the temperature in the substrate 62 becomes uneven and the cooling rates of the respective parts differ from each other. This causes local changes in the dimensions of the cell, making it difficult to align the multilayer thick-film printing, or combining a large number of cells by combining the thick-film printing surfaces of the front and rear plates. When used in a PDP or FED for forming a semiconductor device, a portion where a cell cannot be formed is generated due to a shift between the two. For example, as the size becomes larger, such as 40 inches, the manufacturing yield is reduced at an accelerated rate. FIG. 10 shows a dimension (solid line) of the substrate 62 in the conventional firing method in which the cooling rate at the front end side in the transport direction is higher than the cooling rate at the rear end side in the transport direction.
Is shown in comparison with the dimension before sintering (dashed line). Further, when a large number of thick-film printed resistors and thick-film bonding pads are provided on the substrate 62, the temperature inside the substrate 62 becomes non-uniform and the cooling rates of the respective parts are different from each other. Then, depending on the degree of melting and softening of the glass component contained as a binder in the thick film layer having a function,
Since the resistance and bonding suitability depend on the degree of melting and sintering of the metal and inorganic material particles contained in the thick film, the manufacturing yield increases as the size of the substrate 62 increases due to variations in the resistance and bonding suitability of the printed resistor. Is acceleratedly reduced. Furthermore, even when a rib wall having a predetermined height is formed on the substrate 62 by laminating the dielectric layers by the thick film printing, the temperature in the substrate 62 becomes uneven and the cooling rates of the respective parts are different from each other. The firing shrinkage, that is, the thickness and width of the thick film are affected by the degree of melting and softening of the glass component contained in the thick film.
As the size becomes larger, the manufacturing yield decreases at an accelerated rate.

【００４４】図１１は、前記演算制御回路７２の作動の
要部であって、徐冷ゾーン１３０における基板６２の搬
送制御等を説明するフローチャートである。徐冷ゾーン
１３０すなわち加熱室Ｒ内に搬入された基板６２は、各
加熱室Ｒ毎にこのフローチャートに従って均熱処理され
つつ搬送される。先ず、ステップＳ１においては、後方
側駆動区分において基板６２の搬出準備が完了したか否
かが判断される。なお、「後方側駆動区分」とは、各々
の加熱室Ｒに対して加熱ゾーン１２８側（上流側）に隣
接する駆動区分を意味し、例えば加熱室Ｒ₁ に対応する
駆動区分１３１ａに対しては加熱ゾーン１２８内の駆動
区分１２９ｂが、加熱室Ｒ₂ に対応する駆動区分１３１
ｂに対しては駆動区分１３１ａがそれに相当する。した
がって、上記の後方側駆動区分の搬出準備は、例えば、
加熱室Ｒ₁ においては、前述のように駆動区分１２９ｂ
内に基板６２が完全に入ったことをもって完了し、加熱
室Ｒ₂ においては、加熱室Ｒ₁ 内で所定時間の均熱処理
すなわち第１の均熱工程が終了したことをもって完了す
る。FIG. 11 is a flowchart showing a main part of the operation of the arithmetic and control circuit 72, for example, the control of the transfer of the substrate 62 in the slow cooling zone 130 and the like. The substrate 62 carried into the slow cooling zone 130, that is, the heating chamber R, is transported while being soaked in accordance with this flowchart for each heating chamber R. First, in step S1, it is determined whether the preparation for carrying out the substrate 62 has been completed in the rear drive section. Here, the "rear-side driving classification", the drive segment 131a which means driving sections adjacent each heating zone 128 side with respect to the heating chamber R of (upstream), for example, corresponds to the heating chamber R ₁ drive segment driving segment 129b in the heating zone 128 corresponds to the heating chamber R ₂ 131
The drive section 131a corresponds to b. Therefore, the preparation for carrying out the rear drive section is, for example,
In the heating chamber R _1, the drive partitioned as described above 129b
Completed with the substrate 62 has entered completely within, at the heating chamber R _2, completed with a possible soaking or first soaking step for a predetermined time in the heating chamber R ₁ is completed.

【００４５】上記ステップＳ１の判断が肯定されると、
ステップＳ２、Ｓ３では後方側シャッタ装置Ｓが開かれ
る。上記の「後方側」の定義から明らかなように、例え
ば、加熱室Ｒ₁ においてはシャッタ装置Ｓ₁ がこの後方
側シャッタ装置Ｓに相当し、加熱室Ｒ₂ においてはシャ
ッタ装置Ｓ₂ がこれに相当する。図８の要部を拡大した
図１２に示されるようにｔ₅ 時点がこの状態を示してい
る。そして、後方側シャッタ装置Ｓが開かれると、搬入
工程に対応するステップＳ４において加熱室Ｒ内のモー
タ１５８が後方側駆動区分と同期して搬送駆動されるこ
とにより、基板６２がその加熱室Ｒ内に搬入される。例
えば加熱室Ｒ₁ においては、モータ１５０が駆動される
ことによって駆動区分１２９ｂの搬送速度が第２の搬送
速度に高められると共に、その加熱室Ｒ₁ に対応する第
２搬送装置１２０ａの搬送速度が第２の搬送速度すなわ
ち駆動区分１２９ｂと同様な搬送速度となるようにモー
タ１５８ａが正転駆動される。また、加熱室Ｒ₂ におい
ては、第２搬送装置１２０ａ、１２０ｂのモータ１５８
ａ、１５８ｂが共に第２の搬送速度が得られるように正
転駆動される。これにより、基板６２が搬出および搬入
される加熱室Ｒ等に対応する２つの駆動区分が同様な搬
送速度とされて、基板６２とローラ１６６とが何ら摺動
させられることなく、加熱室Ｒ内にその基板６２が速や
かに搬入される。If the determination in step S1 is affirmative,
In steps S2 and S3, the rear shutter device S is opened. As is apparent from the definition of "rear side" of the above, for example, a shutter device S ₁ is equivalent to the rear side shutter device S in the heating chamber R _1, the heating chamber R ₂ in which the shutter unit S ₂ Equivalent to. T ₅ point shows this state as shown in FIG. 12 of an enlarged main portion of FIG. Then, when the rear shutter device S is opened, the motor 158 in the heating chamber R is transported and driven in synchronization with the rear driving section in step S4 corresponding to the carry-in process, whereby the substrate 62 is moved to the heating chamber R. It is carried in. For example, in the heating chamber R _1, together with the conveying speed of the drive segment 129b by the motor 150 is driven is increased to the second transport speed, the transport speed of the second conveying device 120a corresponding to the heating chamber R ₁ The motor 158a is driven to rotate forward so as to have the second transport speed, that is, the transport speed similar to that of the drive section 129b. In the heating chamber R _2, second transfer device 120a, 120b of the motor 158
a and 158b are both driven to rotate forward so as to obtain the second transport speed. As a result, the two driving sections corresponding to the heating chamber R into which the substrate 62 is carried out and carried in have the same transport speed, and the substrate 62 and the rollers 166 are not slid at all, so that the inside of the heating chamber R is not moved. The substrate 62 is promptly carried in.

【００４６】上記のようにして基板６２が加熱室Ｒ内に
搬入されると、ステップＳ５において基板搬入完了と判
断されて、ステップＳ６において上記２つの駆動区分の
モータが停止させられる。例えば加熱室Ｒ₁ に基板６２
が搬入された場合には、モータ１５８ａが停止させられ
てその加熱室Ｒ₁ 内で基板６２が停止させられる一方、
モータ１５０が停止させられることにより、加熱ゾーン
１２８の駆動区分１２９ｂの搬送速度が第１の搬送速度
に復帰させられる。そして、ステップＳ７、Ｓ８におい
て開かれていた後方側シャッタＳが閉じられ、ステップ
Ｓ９において制御装置１６８内に備えられている図示し
ないタイマがリセットされ、作動させられる。図１２の
ｔ₆ 時点はこの状態を示している。なお、後方側シャッ
タ装置Ｓが開けられてから閉じられるまでの時間、すな
わち基板６２の搬送に必要な時間は、例えば30秒程度で
ある。これにより、加熱室Ｒが隣接する加熱室Ｒ等から
分離されて密閉空間とされる。そのため、隣接する加熱
室Ｒ等からの熱的な影響が遮断されて、加熱室Ｒ内に搬
入された基板６２は、その加熱室Ｒに予め設定されてい
る所定の均熱温度ＫＴ_n （ｎ＝１〜６）で均熱される。When the substrate 62 is loaded into the heating chamber R as described above, it is determined in step S5 that the loading of the substrate is completed, and the motors of the two drive sections are stopped in step S6. Substrate 62 for example in the heating chamber R ₁
While but when it is carried, the substrate 62 is stopped in its heating chamber R ₁ by the motor 158a is stopped,
By stopping the motor 150, the transport speed of the drive section 129b of the heating zone 128 is returned to the first transport speed. Then, the opened rear shutter S is closed in steps S7 and S8, and a timer (not shown) provided in the control device 168 is reset and operated in step S9. T ₆ time in FIG. 12 shows this state. The time from when the rear shutter device S is opened to when it is closed, that is, the time required for transporting the substrate 62 is, for example, about 30 seconds. As a result, the heating chamber R is separated from the adjacent heating chamber R and the like to form a closed space. Therefore, the thermal influence from the adjacent heating chamber R or the like is cut off, and the substrate 62 carried into the heating chamber R is heated to a predetermined soaking temperature KT _n (n = 1 to 6).

【００４７】この均熱処理の過程においては、ステップ
Ｓ１０において、基板６２が搬入された加熱室Ｒに対応
する駆動区分１３１の第２搬送装置１２０のモータ１５
８が反転駆動される。これにより、加熱室Ｒ内のローラ
１６６が同期的且つ周期的に反転駆動されて、図１３に
破線で移動ストロークが示されるように、基板６２は加
熱室Ｒ内においてＬで示される範囲を所定の第３の搬送
速度で面に沿った搬送方向前後に往復移動させられる。
したがって、本実施例においては、複数の第２搬送装置
１２０（往復移動装置）およびそれぞれに備えられてい
るモータ１５８を反転駆動する制御装置１６８（往復移
動制御装置）によって往復移動装置が構成されている。
この往復移動は、後のステップにおいて基板６２の搬出
が開始されるまで継続される。すなわち、本実施例にお
いては、均熱工程の実施中の全期間に亘って往復移動工
程が実施される。そのため、各加熱室Ｒ内での均熱処理
工程中において、ヒータＨと基板６２との相対位置が変
化させられることによって加熱効果が分散させられ、或
いは、基板６２の各部の温度が表面近傍の雰囲気を介し
た相互干渉によって一層均一化させられて、ヒータＨか
ら与えられる熱量や各部位の熱容量の差異等に基づく温
度ばらつきが抑制される。しかも、上記の往復移動スト
ロークｒ（＝２×ｒ／２）は、ローラ１６６の直径ｄよ
りも大きくされている。そのため、基板６２の特定部分
が定常的にローラ１６６上に位置させられないことか
ら、基板６２とローラ１６６との間の熱伝導に起因する
熱的な不均衡や、基板６２裏面のうちローラ１６６の陰
になる部分がそのローラ１６６の下側に備えられている
ヒータＨによって加熱されないことに起因する熱的な不
均衡が生じることが抑制される。したがって、均熱処理
工程において基板６２内の温度分布が一層均一になる。In the soaking process, in step S10, the motor 15 of the second transfer device 120 in the drive section 131 corresponding to the heating chamber R into which the substrate 62 has been loaded.
8 is driven in reverse. As a result, the roller 166 in the heating chamber R is synchronously and periodically inverted and driven, and the substrate 62 is moved within the heating chamber R by a predetermined range as shown by a broken line in FIG. Is reciprocated back and forth in the transport direction along the surface at the third transport speed.
Therefore, in the present embodiment, the reciprocating device is constituted by the plurality of second transporting devices 120 (reciprocating device) and the control device 168 (reciprocating device) for reversing the motor 158 provided in each of the second conveying devices 120 (reciprocating device). I have.
This reciprocating movement is continued until the unloading of the substrate 62 is started in a later step. That is, in the present embodiment, the reciprocating movement process is performed over the entire period during the execution of the soaking process. Therefore, during the soaking process in each heating chamber R, the heating effect is dispersed by changing the relative position between the heater H and the substrate 62, or the temperature of each part of the substrate 62 is reduced to the atmosphere near the surface. Are further uniformized by the mutual interference through the heater H, and the temperature variation due to the amount of heat supplied from the heater H and the difference in the heat capacity of each part is suppressed. Moreover, the reciprocating stroke r (= 2 × r / 2) is set larger than the diameter d of the roller 166. For this reason, since a specific portion of the substrate 62 is not constantly positioned on the roller 166, a thermal imbalance due to heat conduction between the substrate 62 and the roller 166 and a roller 166 on the rear surface of the substrate 62. Is prevented from being heated by the heater H provided on the lower side of the roller 166, thereby suppressing the occurrence of thermal imbalance. Therefore, the temperature distribution in the substrate 62 becomes more uniform in the soaking process.

【００４８】ステップＳ１０に続くステップＳ１１にお
いては、ステップＳ９でタイマが作動させられてから所
定時間が経過したか否かが判断される。この所定時間は
基板６２の全面が加熱室Ｒ毎に設定された温度で確実に
均熱されるために必要な時間であって、例えば180 秒程
度の時間である。当初はステップＳ１１の判断が否定さ
れるので、モータ１５８の反転駆動が継続されるが、そ
の判断が肯定されると、ステップＳ１２、Ｓ１３に進ん
で前方側シャッタ装置Ｓが開けられる。なお、前方側シ
ャッタ装置Ｓは、各加熱室Ｒにおいて冷却ゾーン１３２
側に位置するシャッタ装置Ｓである。図１２のｔ₇ 時点
はこの状態を示している。In step S11 following step S10, it is determined whether a predetermined time has elapsed since the timer was operated in step S9. The predetermined time is a time required for surely equalizing the temperature of the entire surface of the substrate 62 at the temperature set for each heating chamber R, and is, for example, about 180 seconds. Initially, the determination in step S11 is denied, so the reversal drive of the motor 158 is continued. However, if the determination is affirmed, the process proceeds to steps S12 and S13 to open the front shutter device S. The front-side shutter device S includes a cooling zone 132 in each heating chamber R.
This is the shutter device S located on the side. T ₇ point of Figure 12 shows this state.

【００４９】そして、ステップＳ１３において前方側シ
ャッタ装置Ｓが開けられたと判断されると、搬出工程に
対応するステップＳ１４に進んで前方側駆動区分と同期
して第２搬送装置１２０のモータ１５８が搬送駆動され
る。この「前方側駆動区分」は、前記の後方側駆動区分
と反対に、各々の加熱室Ｒに対して冷却ゾーン１３２側
（下流側）に隣接する駆動区分を意味し、例えば加熱室
Ｒ₁ に対応する駆動区分１３１ａに対しては加熱室Ｒ₂
に対応する駆動区分１３１ｂが、駆動区分１３１ｂに対
しては加熱室Ｒ₃ に対応する駆動区分１３１ｃが、更
に、加熱室Ｒ₆ に対応する駆動区分１３１ｆに対しては
冷却ゾーン１３２の駆動区分１３３ａがそれに相当す
る。これにより、基板６２が第２の搬送速度で次の加熱
室Ｒに搬送される。そして、基板６２の搬出が完了する
とステップＳ１５の判断が肯定されてステップＳ１６に
進んで、各加熱室Ｒに対応する駆動区分１３１のモータ
１５８が前方側駆動区分のモータと共に停止させられ、
更に、ステップＳ１７、１８において前方側シャッタ装
置Ｓが閉じられる。図１２のｔ₈ 時点はこの状態を示し
ている。なお、基板６２の搬出に要する時間すなわち前
方側シャッタ装置Ｓが開けられてから再び閉じられるま
での時間は、搬入時と同様に例えば30秒程度である。If it is determined in step S13 that the front shutter device S has been opened, the flow proceeds to step S14 corresponding to the unloading step, where the motor 158 of the second transport device 120 is transported in synchronization with the front drive section. Driven. The "front-side driving segment", as opposed to the posterior side drive segment, each cooling zone 132 side with respect to the heating chamber R of means driving segment that is adjacent to (downstream side), for example in the heating chamber R ₁ The heating chamber R ₂ for the corresponding drive section 131a
Corresponding drive segment 131b to the drive segment 131c corresponding to the heating chamber R ₃ for driving segment 131b is further driven classification 133a of the cooling zone 132 for driving segment 131f corresponding to the heating chamber R ₆ Corresponds to this. As a result, the substrate 62 is transferred to the next heating chamber R at the second transfer speed. When the unloading of the substrate 62 is completed, the determination in step S15 is affirmed, and the process proceeds to step S16, where the motor 158 of the drive section 131 corresponding to each heating chamber R is stopped together with the motor of the front drive section,
Further, in steps S17 and S18, the front shutter device S is closed. T ₈ point in FIG. 12 shows this state. The time required for unloading the substrate 62, that is, the time from when the front shutter device S is opened to when it is closed again is, for example, about 30 seconds as in the case of loading.

【００５０】ステップＳ１８に続くステップＳ１９にお
いては、制御装置１６８内に備えられている図示しない
タイマがリセットされ、作動させられる。そして、気体
供給工程に対応するステップＳ２０において、加熱室Ｒ
内に基板６２が存在しない状態で、電磁弁２０８が開け
られることにより、その加熱室Ｒ内に後方側（搬送方向
上流側）からその設定温度ＫＴよりも低い温度の気体で
ある冷却用空気が前記給気管１８０によって供給され、
前方側から排気管１８２によって排出される。この給排
気は、例えば数秒乃至十数秒程度の所定時間継続され
る。これにより、基板６２が搬出されて空になった加熱
室Ｒ内の温度が設定温度よりも低下する傾向にされてヒ
ータＨの出力すなわち温度制御量が高められる。そのた
め、時刻ｔ ₉ においてステップＳ２１で所定時間経過し
たことが判断されて、ステップＳ２２で給排気が停止さ
せられた後は、一旦低下傾向とされた加熱室Ｒ内の温度
が、フィードバック制御により良好な均熱状態を保ちつ
つ再び所定の設定温度で制御される。そして、ステップ
Ｓ１に戻って、そのフィードバック制御が実施され或い
は所定の設定温度に維持されている状態で、後方側駆動
区分からの基板６２の搬出準備完了まで待機させられ
る。図１２のｔ₁₀時点は、その待機が終了すなわち一連
のステップが一旦終了した後、更にステップＳ１の判断
が肯定された状態を示している。すなわち、本実施例に
おいては、加熱室Ｒからの基板６２の搬出とその加熱室
Ｒへの基板６２の搬入とが時間差を設けて行われるた
め、加熱室Ｒは１枚の基板６２を熱処理する毎に一旦空
室状態にされることとなる。このため、基板６２が搬出
されてから時刻ｔ₁₀において後方側シャッタ装置Ｓが開
けられるまでの間、加熱室Ｒ内が空室となった状態、す
なわち基板６２が初めて搬入される前と同様な条件下
で、ヒータＨが所定の出力値に保たれた温度制御状態が
実現されることとなり、そのような空室状態で温度制御
が開始された一定の温度制御状態下で次の基板６２が加
熱室Ｒ内に搬入される。したがって、本実施例において
は、給排気が停止されるステップＳ２２乃至続くサイク
ルのステップＳ１が、一旦低下傾向とされた加熱室Ｒ内
の温度を所定の設定温度ＫＴと一致するように制御する
温度制御工程に対応するが、実際には、その温度制御は
基板６２が間歇的に搬送されつつ熱処理される間定常的
に実施されている。また、前方側シャッタ装置Ｓが閉じ
られてから後方側シャッタ装置Ｓが開けられるまでの時
間（ｔ ₈ 〜ｔ₁₀）が、加熱室Ｒ内の温度制御状態を安定
させる安定期間に対応し、その時間は例えば30秒程度で
ある。すなわち、温度制御が安定した状態で次の基板６
２を速やかに送り込むため、安定期間は均熱期間よりも
十分に短くされていることから、図８および図１２に示
されるように、各加熱室Ｒにおける熱処理サイクルは相
互に時間的にずれて実行される。また、後方側シャッタ
装置Ｓが開けられてから再びその後方側シャッタ装置Ｓ
が開けられるまでの間が各加熱室Ｒの１サイクルであ
り、この時間は予熱ゾーン１２６への基板６２の搬入間
隔（ｔ₀ 〜ｔ ₁ 、ｔ₁ 〜ｔ₂ ）に等しい長さ、すなわち
300 秒程度である。In step S19 following step S18,
In addition, not shown provided in the control device 168.
The timer is reset and activated. And gas
In step S20 corresponding to the supply step, the heating chamber R
The solenoid valve 208 is opened in a state where the substrate 62 does not exist inside.
As a result, the rear side (in the transport direction)
Gas from the upstream side) lower than the set temperature KT
Some cooling air is supplied by the air supply pipe 180,
It is discharged from the front side by an exhaust pipe 182. This supply and discharge
Is continued for a predetermined time, for example, about several seconds to several tens of seconds.
You. As a result, the substrate 62 is unloaded and heated.
The temperature in the chamber R tends to fall below the set temperature, and
The output of the motor H, that is, the temperature control amount is increased. That
Time t ₉In step S21, a predetermined time has elapsed.
It is determined that the air supply and exhaust are stopped in step S22.
After that, the temperature in the heating chamber R, which was once apt to decrease,
Maintain good soaking condition by feedback control.
Control is again performed at a predetermined set temperature. And step
Returning to S1, the feedback control is executed or
Is driven at the rear side while maintaining the set temperature.
Wait for completion of preparation for unloading substrate 62 from section
You. T in FIG._TenThe point in time is when the wait is over,
After the step has been completed, the judgment of step S1
Indicates a positive state. That is, in this embodiment,
The substrate 62 is unloaded from the heating chamber R and the heating chamber
The transfer of the substrate 62 into the R is performed with a time lag.
Therefore, the heating chamber R is emptied every time one substrate 62 is heat-treated.
It will be in a room state. Therefore, the substrate 62 is unloaded.
Time t since_TenThe rear shutter device S is opened at
Until the heating chamber R is empty,
That is, under the same conditions as before the substrate 62 is first loaded.
The temperature control state in which the heater H is maintained at a predetermined output value
Temperature control in such an empty state.
The next substrate 62 is added under the constant temperature control state where
It is carried into the heat chamber R. Therefore, in this embodiment,
Is a cycle from step S22 in which the supply and exhaust are stopped.
Step S1 in the heating chamber R, which has once been on a downward trend
Is controlled so as to be equal to a predetermined set temperature KT.
It corresponds to the temperature control process, but in reality, the temperature control is
While the substrate 62 is heat-treated while being transported intermittently,
Has been implemented. Further, the front shutter device S is closed.
After the shutter is opened until the rear shutter device S is opened
Between (t ₈~ T_Ten) Stabilizes the temperature control state in the heating chamber R
Corresponding to a stable period, for example, about 30 seconds
is there. That is, when the temperature control is stable, the next substrate 6
2 is sent quickly, so the stable period is longer than the soaking period.
Since they are sufficiently short, they are shown in FIGS.
As shown in FIG.
They are executed with a time lag from each other. Also, the rear shutter
After the device S is opened, the shutter device S on the rear side is opened again.
Until the heating chamber R is opened, it is one cycle of each heating chamber R.
This time is between the loading of the substrate 62 into the preheating zone 126.
Interval (t₀~ T ₁, T₁~ T_Two), That is,
It is about 300 seconds.

【００５１】因みに、加熱室Ｒ内で均熱処理された基板
６２がその加熱室Ｒから搬出されると、シャッタ装置Ｓ
の開閉に伴って加熱室Ｒ内の温度分布が僅かに乱れるこ
とが予想される。このため、そのまま次の基板６２を加
熱室Ｒ内に搬入すると、その温度分布が僅かに乱れた状
態で熱処理が開始されることとなるが、このような僅か
な温度分布の乱れをフィードバック制御によって除去す
ることは困難である。したがって、基板６２は、加熱室
Ｒ内の温度分布が乱れた状態が維持されたまま熱処理さ
れて、基板６２内に温度ばらつきが生じた状態で徐冷工
程が施されることとなり得る。また、加熱室Ｒは基板６
２の均熱処理中に所定の設定温度で室内が均熱されてい
ると共に、その加熱室Ｒ内に搬入される基板６２は、そ
れまでその加熱室Ｒの設定温度よりも高温で保持されて
いることから、均熱処理した基板６２を搬出した後、直
ちに次の基板６２を搬入することを繰り返すと、基板６
２の持ち込む熱が蓄積されて、加熱室Ｒ内のヒータＨの
出力が次第に低下することが予想される。そのため、加
熱室Ｒ内の温度制御が不安定となり、或いはヒータＨが
全てオフとなって基板６２が自然放冷される状態が長時
間に亘ることとなり得ることから、基板６２内の部位毎
の熱放散し易さの相違に基づく温度ばらつきが生じ易く
なると共に、各加熱室Ｒ内での均熱処理時間を長時間必
要とすることとなる。したがって、これらの不都合を抑
制するため、上述のように基板６２の搬出後に加熱室Ｒ
内に冷却用空気を供給してその温度を一旦低下傾向にさ
せることにより、空室における温度制御状態で次の基板
６２を搬入させるのである。これによって、順次搬送さ
れる複数の基板６２は、常に同一の温度制御状態が実現
された加熱室Ｒ内に搬入されることとなる。Incidentally, when the substrate 62 that has been soaked in the heating chamber R is carried out of the heating chamber R, the shutter device S
It is expected that the temperature distribution in the heating chamber R will be slightly disturbed with the opening and closing of. For this reason, if the next substrate 62 is carried into the heating chamber R as it is, the heat treatment is started in a state in which the temperature distribution is slightly disturbed. It is difficult to remove. Therefore, the substrate 62 may be subjected to the heat treatment while maintaining the state where the temperature distribution in the heating chamber R is disturbed, and the slow cooling step may be performed in a state where the temperature variation occurs in the substrate 62. The heating chamber R is provided with the substrate 6
While the chamber is soaked at a predetermined set temperature during the soaking process 2, the substrate 62 carried into the heating chamber R is kept at a higher temperature than the set temperature of the heating chamber R until then. Therefore, after carrying out the soaked substrate 62 and immediately carrying in the next substrate 62, the substrate 6
It is expected that the heat brought in by the heater 2 will be accumulated and the output of the heater H in the heating chamber R will gradually decrease. For this reason, the temperature control in the heating chamber R becomes unstable, or the state in which the heaters H are all turned off and the substrate 62 is allowed to cool naturally can take a long time. Temperature variations based on the difference in ease of heat dissipation are likely to occur, and a long soaking time in each heating chamber R is required. Therefore, in order to suppress these inconveniences, as described above, after the substrate 62 is unloaded, the heating chamber R
By supplying cooling air into the chamber and temporarily lowering the temperature, the next substrate 62 is carried in with the temperature controlled in the vacant room. Thus, the plurality of substrates 62 sequentially transported are always loaded into the heating chamber R in which the same temperature control state is realized.

【００５２】このようにして各加熱室Ｒで相互に△ＫＴ
ずつ異なる第１均熱温度ＫＴ₁ 、第２均熱温度ＫＴ₂ 、
〜第６均熱温度ＫＴ₆ で順次均熱処理されつつ搬送され
ることにより、基板６２は、図９の徐冷工程に示される
温度カーブに従って段階的に降温させられる。したがっ
て、本実施例においては、各加熱室Ｒ内で順次均熱処理
する工程が均熱工程に相当し、基板６２の歪に密接に関
連する冷却工程の当初の所定期間、すなわちその基板６
２に含まれるガラス素材の歪或いは溶融状態を均一にす
るために大きく影響する所定期間では、基板６２が所定
値△ＫＴだけ順次低く設定されている加熱室Ｒ₁ 、
Ｒ₂ 、〜Ｒ₆ に順に搬入されてその中で均熱される。そ
して、加熱室Ｒ₆ 内での均熱処理が終了すると、その加
熱室Ｒ₆ においてステップＳ１２以下が実行されること
により、基板６２が冷却ゾーン１３２に搬出される。す
なわち、ステップＳ１２、Ｓ１３において前方側シャッ
タ装置Ｓに相当するシャッタ装置Ｓ₇ が開けられると、
ステップＳ１４においてモータ１５８ｆが正転駆動され
ると共にモータ１６４が駆動されることにより、第２搬
送装置１２０ｆすなわち駆動区分１３１ｆと第３搬送装
置１２２の駆動区分１３３ａとが同期して駆動され、基
板６２が加熱室Ｒ₆ から搬出されて冷却ゾーン１３２内
に搬入されるのである。図８および図９のｔ₁₄時点はこ
の状態を示している。その後、第３搬送装置１２２のモ
ータ１６４が停止させられて基板６２が冷却ゾーン１３
２内を第１の搬送速度で搬送されてその右端部から搬出
され、その過程で図９に示されるように昇温速度と略同
様な降温速度で急速に冷却される。図８のｔ₁₅時点はこ
の状態を示している。この冷却過程に要する時間は、例
えば700 秒程度であり、基板６２が予熱ゾーン１２６に
搬入されてから冷却が終了するまでの時間（ｔ₀ 〜
ｔ₁₅）は、例えば3500秒程度（１時間程度）である。な
お、前述のように、基板６２は例えば300 秒程度の所定
の時間間隔で予熱ゾーン１２６に順次搬入されているこ
とから、図８から明らかなように、搬入時と等しい300
秒程度の所定時間間隔で順次冷却ゾーン１３２から搬出
されていくこととなる。In this way, each heating chamber R has a mutual difference of △ KT
A first soaking temperature KT ₁ , a second soaking temperature KT ₂ ,
The substrate 62 is stepwise cooled according to the temperature curve shown in the slow cooling step of FIG. 9 by being transported while being sequentially soaked at the sixth to sixth soaking temperatures KT ₆ . Accordingly, in the present embodiment, the step of sequentially performing the soaking process in each heating chamber R corresponds to the soaking process, and the initial predetermined period of the cooling process closely related to the distortion of the substrate 62, that is, the substrate 6
In a predetermined period in which the distortion or the molten state of the glass material included in 2 is greatly affected to uniform, the heating chamber R ₁ in which the substrate 62 is set to be lower by a predetermined value ΔKT sequentially,
R ₂ , to R ₆ , are carried in order and are soaked therein. When the soaking process in the heating chamber R ₆ is completed, the substrate 62 is carried out to the cooling zone 132 by performing Step S12 and the subsequent steps in the heating chamber R ₆ . That is, when the shutter device S ₇ corresponding to the front side shutter device S is opened in step S12, S13,
In step S14, the motor 158f is driven to rotate forward and the motor 164 is driven, so that the second transfer device 120f, that is, the drive section 131f, and the drive section 133a of the third transfer apparatus 122 are driven in synchronization with each other, and the substrate 62 There is being carried is out of the heating chamber R ₆ into the cooling zone 132. T ₁₄ time points 8 and 9 shows this state. Thereafter, the motor 164 of the third transfer device 122 is stopped, and the substrate 62 is moved to the cooling zone 13.
2 and is carried out from the right end thereof at a first carrying speed. In the process, as shown in FIG. 9, it is rapidly cooled at a cooling rate substantially similar to the heating rate. T ₁₅ the time of FIG. 8 shows this state. The time required for the cooling process is, for example, about 700 seconds, and the time (from t ₀ to the time from when the substrate 62 is carried into the preheating zone 126 to when the cooling is completed).
t ₁₅ ) is, for example, about 3500 seconds (about 1 hour). As described above, since the substrate 62 is sequentially loaded into the preheating zone 126 at a predetermined time interval of, for example, about 300 seconds, as is clear from FIG.
It is sequentially carried out of the cooling zone 132 at predetermined time intervals of about seconds.

【００５３】上述のように、本実施例によれば、膜形成
素材を含む複数の基板６２は、熱処理の冷却過程におい
て、均熱工程において前記一方向に沿って段階的に低く
なるように室毎に設定された設定温度ＫＴ₁ 、ＫＴ₂ 、
〜ＫＴ₆ でそれぞれ所定時間（ｔ₄ 〜ｔ₅ ）均熱された
後、搬出工程において加熱室Ｒから低い設定温度の加熱
室Ｒへ順次送り出されるが、気体供給工程においてそれ
ら複数の基板６２のうちの所定の基板６２が送り出され
た所定の加熱室Ｒ内にその設定温度ＫＴよりも低い温度
の気体（冷却用空気）が供給され、その後、搬入工程に
おいて上記所定の基板６２に続く他の基板６２がその所
定の加熱室Ｒ内に送り込まれる。このように、一方向に
沿って段階的に低くなるように室毎に設定された設定温
度ＫＴにそれぞれ維持された加熱室Ｒ内で均熱を繰り返
しながら熱処理の冷却過程が行われることから、膜形成
素材を含む基板６２内の温度のばらつきが可及的に小さ
くされる。このとき、基板６２が送り出された加熱室Ｒ
には、室内に基板６２が存在しない状態で設定温度ＫＴ
よりも低温の冷却用空気が供給されるため、その加熱室
Ｒに設けられているヒータＨの出力が基板６２の均熱中
よりも高められた状態で安定させられ、その後、次の基
板６２が送り込まれる。これにより、各々の加熱室Ｒ内
では一定の空室での温度制御状態下で複数の基板６２の
各々の熱処理が開始されるため、加熱室Ｒ毎の設定温度
よりも高温の複数の基板６２を順次熱処理することによ
って温度制御が不安定になることが抑制されて、加熱室
Ｒ内に送り込まれた基板６２が放冷状態となる時間が十
分に短くされ、基板６２内の温度のばらつきが一層小さ
くされる。そのため、基板６２がガラス製である場合に
あっては、基板６２内の寸法の局部的変化やそれに起因
する厚膜印刷等の位置ずれが防止されて製造歩留まりが
飛躍的に高められる。特に、基板６２がソーダライムガ
ラスである場合には、その歪点以上の温度まで昇温させ
られることから、その効果が顕著となる。また、上記の
ように膜形成素材を含む基板６２内の温度のばらつきが
可及的に小さくされることから、基板６２の表面に多数
の厚膜抵抗体やリブ状壁が設けられる場合にあっては、
それら厚膜印刷層内で結合材として機能するガラスの溶
解の程度が一様となって、それら厚膜抵抗体の抵抗値の
ばらつきやリブ状壁の高さのばらつきが好適に小さくさ
れる。As described above, according to the present embodiment, the plurality of substrates 62 including the film forming material are formed such that the chambers are gradually lowered along the one direction in the soaking process in the cooling process of the heat treatment. The set temperatures KT ₁ , KT ₂ ,
ＫKT ₆ , each of them is soaked for a predetermined time (t _{4 to} t ₅ ), and then sequentially sent out from the heating chamber R to the heating chamber R having a lower set temperature in the unloading step. A gas (cooling air) having a temperature lower than the set temperature KT is supplied into the predetermined heating chamber R from which the predetermined substrate 62 has been sent out, and then another gas following the predetermined substrate 62 in the loading process. The substrate 62 is sent into the predetermined heating chamber R. As described above, since the cooling process of the heat treatment is performed while repeating the soaking in the heating chamber R maintained at the set temperature KT set for each chamber so as to gradually decrease in one direction, Temperature variations in the substrate 62 including the film forming material are reduced as much as possible. At this time, the heating chamber R from which the substrate 62 has been sent out
In the state where the substrate 62 does not exist in the room, the set temperature KT
Since the cooling air at a lower temperature is supplied, the output of the heater H provided in the heating chamber R is stabilized in a state in which the output is higher than that during the soaking of the substrate 62, and then the next substrate 62 is Sent in. As a result, in each heating chamber R, the heat treatment of each of the plurality of substrates 62 is started under a temperature control state in a certain empty chamber, and thus the plurality of substrates 62 having a higher temperature than the set temperature of each heating chamber R is started. Are successively heat-treated to prevent the temperature control from becoming unstable, the time in which the substrate 62 sent into the heating chamber R is allowed to cool is sufficiently shortened, and the temperature variation in the substrate 62 is reduced. It is made smaller. For this reason, when the substrate 62 is made of glass, local changes in dimensions within the substrate 62 and displacement of thick film printing or the like due to the local change are prevented, and the production yield is drastically increased. In particular, when the substrate 62 is made of soda-lime glass, the effect is remarkable because the temperature is raised to a temperature equal to or higher than the strain point. Further, since the temperature variation in the substrate 62 including the film forming material is reduced as much as possible as described above, there are cases where a large number of thick film resistors and rib-like walls are provided on the surface of the substrate 62. The
The degree of melting of the glass functioning as a binder in the thick-film printing layer becomes uniform, and the variation in the resistance value of the thick-film resistor and the variation in the height of the rib-like wall are reduced appropriately.

【００５４】また、本実施例によれば、大型の電子デバ
イス用基板を製造するにあたり、基板６２として安価な
ソーダライムガラスを用いることが可能となることか
ら、高歪点のガラス板を用いる場合に比較して、大幅に
安価となると同時に、硬度差による取扱時のガラスの欠
け、焼成時の厚膜層との熱膨張率差からくるガラスの割
れが発生し難い利点がある。According to the present embodiment, when manufacturing a large-sized electronic device substrate, an inexpensive soda-lime glass can be used as the substrate 62. Compared with the above, there is an advantage that the cost is significantly reduced, and at the same time, the glass is not easily broken due to a difference in hardness due to a difference in hardness and a difference in the coefficient of thermal expansion from the thick film layer during firing.

【００５５】また、本実施例によれば、熱処理を終えた
基板６２が所定の加熱室Ｒから送り出された後に、その
所定の加熱室Ｒ内が空室の状態で前記室毎の設定温度Ｋ
Ｔに維持されるようにヒータＨの出力が高められて、基
板６２の熱処理が開始される当初の状態に制御され、そ
の後、前記他の基板６２が送り込まれることから、後に
処理される基板６２に対する先に処理された基板６２に
よる熱的な影響が抑制される。そのため、寸法や熱容量
等の異なる基板６２が連続して処理される場合や、基板
６２が断続的に搬送されて熱処理される場合にも、搬送
条件を考慮することなく熱処理することが可能であるこ
とから、焼成装置１１６の制御が容易となる。Further, according to the present embodiment, after the substrate 62 subjected to the heat treatment is sent out from the predetermined heating chamber R, the predetermined heating chamber R is kept empty and the set temperature K for each chamber is set.
The output of the heater H is increased so as to be maintained at T, and is controlled to the initial state in which the heat treatment of the substrate 62 is started. After that, since the other substrate 62 is fed, the substrate 62 to be processed later is Of the substrate 62 that has been processed earlier is suppressed. Therefore, even when the substrates 62 having different dimensions and heat capacities are continuously processed, or when the substrates 62 are intermittently transferred and heat-treated, the heat treatment can be performed without considering the transfer conditions. This makes it easy to control the firing device 116.

【００５６】また、本実施例によれば、膜形成素材を含
む基板６２が第２搬送装置１２０によって間歇的に一方
向に搬送される過程で、複数の加熱室Ｒにおいて熱処理
が施されることから、膜形成素材を含む基板６２が連続
的に搬送されることにより連続的なヒートカーブが形成
される従来の焼成装置によって膜形成素材を含む基板６
２内の温度差を極めて小さくしようとする場合に比較し
て、全長が短縮されて装置が小型となる。According to the present embodiment, the heat treatment is performed in the plurality of heating chambers R during the process in which the substrate 62 containing the film forming material is intermittently transferred by the second transfer device 120 in one direction. The substrate 6 containing the film-forming material is formed by a conventional baking apparatus in which a continuous heat curve is formed by continuously transporting the substrate 62 containing the film-forming material.
As compared with the case where the temperature difference in the inside 2 is to be made extremely small, the overall length is shortened and the device becomes compact.

【００５７】また、本実施例によれば、加熱室Ｒ内に給
気管１８４によって冷却用空気を供給することによりそ
の加熱室Ｒ内の温度が低下させられる。そのため、供給
される冷却用空気によって加熱室Ｒ内の温度が速やかに
低下させられることから、加熱室Ｒを自然放冷する場合
に比較して冷却に必要な時間を短くできるため、基板６
２の処理効率が高められる。すなわち、加熱室Ｒ内にそ
の設定温度ＫＴよりも低い温度の気体を供給する気体供
給工程は、自然放冷、すなわち単に排気管１８２から加
熱室Ｒ内の高温の空気を排出することにより、その排出
の際の熱の対流に伴って低温の気体が供給されるもので
もよいが、実施例のように積極的に冷却用空気を供給す
れば、自然放冷の場合よりも処理効率が高められるので
ある。Further, according to this embodiment, the temperature in the heating chamber R is reduced by supplying the cooling air into the heating chamber R through the air supply pipe 184. For this reason, since the temperature in the heating chamber R is rapidly lowered by the supplied cooling air, the time required for cooling can be shortened as compared with the case where the heating chamber R is naturally cooled.
2, the processing efficiency is improved. That is, the gas supply step of supplying gas having a temperature lower than the set temperature KT into the heating chamber R is performed by natural cooling, that is, by simply discharging high-temperature air in the heating chamber R from the exhaust pipe 182. Although a low-temperature gas may be supplied along with the convection of heat at the time of discharging, if the cooling air is positively supplied as in the embodiment, the processing efficiency is increased compared to the case of natural cooling. It is.

【００５８】また、本実施例においては、気体供給工程
において加熱室Ｒ内のヒータＨの出力すなわち温度制御
量が高められた後、速やかに他の基板６２がその加熱室
Ｒ内に送り込まれる。そのため、気体供給工程を実施す
るために加熱室Ｒ内が空室とされる時間が可及的に短く
なるため、基板６２の処理効率が一層高められる。な
お、基板６２の均熱処理中に気体供給工程を実施する
と、その気体の流れによって却って温度ばらつきが生じ
ることから、基板６２が送り出されて空室となった状態
で冷却用空気を供給することが望ましいのである。Further, in this embodiment, after the output of the heater H in the heating chamber R, that is, the temperature control amount is increased in the gas supply step, another substrate 62 is immediately sent into the heating chamber R. Therefore, the time during which the inside of the heating chamber R is vacant for performing the gas supply step is shortened as much as possible, and the processing efficiency of the substrate 62 is further improved. Note that if the gas supply step is performed during the soaking process of the substrate 62, the temperature of the substrate 62 may be varied due to the flow of the gas. It is desirable.

【００５９】また、本実施例によれば、第１搬送装置１
１８、第２搬送装置１２０、第３搬送装置１２２から構
成される搬送装置は、トンネル状の炉体１２４内におい
て長手方向と軸心方向が垂直を成すように相互に平行に
設けられて基板６２を支持し、その基板６２を一方向へ
搬送するためにその軸心回りにそれぞれ回転駆動される
複数本のローラ１６６を、更に含むものである。このよ
うにすれば、基板６２は、軸心回りに回転駆動される複
数本のローラ１６６によって支持され且つ一方向へ搬送
されるが、このようにローラ１６６で搬送する場合には
搬送装置を加熱室Ｒ毎に制御することにより、前述のよ
うに送り出しおよび送り込みが独立に行われるため、送
り出しおよび送り込みを全加熱室Ｒで同時に行う場合に
比較して加熱室Ｒ内で基板６２の熱処理が行われていな
い時間を可及的に短くできて、基板６２の処理効率が高
められる。しかも、メッシュベルト等によって搬送する
場合に比較して、塵埃の発生原因となるベルトの摺動が
ないことから炉体１２４内の清浄度が高められて、基板
６２を均一に熱処理する過程において形成される膜の機
能が発生した塵埃によって損なわれることが抑制され
る。According to the present embodiment, the first transfer device 1
18, a transporting device including the second transporting device 120 and the third transporting device 122 are provided in parallel with each other so that the longitudinal direction and the axial direction are perpendicular to each other in the tunnel-shaped furnace body 124. And a plurality of rollers 166 that are each driven to rotate around its axis to convey the substrate 62 in one direction. With this configuration, the substrate 62 is supported by the plurality of rollers 166 that are driven to rotate around the axis and is transported in one direction. However, when the substrate 62 is transported by the rollers 166, the transport device is heated. By controlling each chamber R, the feeding and feeding are performed independently as described above, so that the heat treatment of the substrate 62 is performed in the heating chamber R as compared with the case where the feeding and feeding are performed simultaneously in all the heating chambers R. The time during which the substrate 62 is not left untouched can be reduced as much as possible, and the processing efficiency of the substrate 62 can be increased. In addition, compared to the case where the belt 62 is conveyed by a mesh belt or the like, there is no sliding of the belt, which causes generation of dust, so that the degree of cleanliness in the furnace body 124 is increased. The function of the formed film is prevented from being damaged by the generated dust.

【００６０】また、本実施例においては、給気装置を構
成する給気管１８０は、複数の加熱室Ｒの各々において
基板６２の搬送方向上流側端部に設けられている。その
ため、冷却用空気が高温側である搬送方向上流側端部か
ら低温側である搬送方向下流側に向かって流されること
から、加熱室Ｒ内での温度勾配の発生が一層抑制され
て、基板６２内の温度のばらつきが一層抑制される。Further, in the present embodiment, the air supply pipe 180 constituting the air supply device is provided at the upstream end of the substrate 62 in the transport direction in each of the plurality of heating chambers R. Therefore, since the cooling air flows from the upstream end in the transport direction, which is the high-temperature side, toward the downstream in the transport direction, which is the low-temperature side, the generation of a temperature gradient in the heating chamber R is further suppressed, and the substrate is cooled. Variations in the temperature within 62 are further suppressed.

【００６１】また、本実施例においては、搬送装置に設
けられた複数本のローラ１６６はアルミナセラミックス
から成るものである。そのため、基板６２と接触させら
れるローラ１６６がセラミックスから構成されることか
ら、炉体１２４内でローラ１６６が加熱されることによ
って変質させられ或いは錆びさせられて塵埃等を発生さ
せることが抑制されるため、炉体１２４内の清浄度が一
層高められる。In this embodiment, the plurality of rollers 166 provided in the transfer device are made of alumina ceramics. For this reason, since the roller 166 that is brought into contact with the substrate 62 is made of ceramics, it is possible to suppress the generation of dust and the like due to the deterioration or rust caused by the heating of the roller 166 in the furnace body 124. Therefore, the cleanliness inside the furnace body 124 is further enhanced.

【００６２】以上、本発明の一実施例を図面を参照して
詳細に説明したが、本発明は、更に別の態様でも実施さ
れる。While the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the present invention can be embodied in still another embodiment.

【００６３】例えば、前述の実施例においては、１枚の
基板６２を均熱処理する毎に加熱室Ｒを一旦空室状態に
するために、加熱室Ｒからの基板６２の搬出および搬入
が時間差を設けて行われていたが、例えば、基板６２が
加熱室Ｒの一室置きに収容されるように搬送する場合に
は、各加熱室Ｒにおける搬出および搬入は同時に行われ
てもよい。その場合には、第２搬送装置１２０は、第１
搬送装置１１８や第３搬送装置１２２と同様にラインシ
ャフト１３８およびマイタギア１４０で連結して１つの
モータで駆動するようにしても差し支えない。For example, in the above-described embodiment, each time one substrate 62 is soaked in heat, the heating chamber R is emptied once, so that there is a time lag between unloading and loading the substrate 62 from the heating chamber R. Although provided and performed, for example, when the substrate 62 is transported so as to be stored in every other heating chamber R, unloading and loading in each heating chamber R may be performed simultaneously. In that case, the second transfer device 120
Similar to the transfer device 118 and the third transfer device 122, the motor may be connected by the line shaft 138 and the miter gear 140 and driven by one motor.

【００６４】また、実施例においては、加熱室冷却工程
において加熱室Ｒ内に冷却用空気が供給されていたが、
自然放冷しても十分に短時間でヒータＨの出力が高めら
れる場合には、冷却用空気の供給は行われなくともよ
い。In the embodiment, the cooling air is supplied into the heating chamber R in the heating chamber cooling step.
If the output of the heater H can be increased in a sufficiently short time even after natural cooling, supply of cooling air may not be performed.

【００６５】また、実施例においては、加熱室Ｒ内での
均熱処理中に基板６２が搬送方向に往復移動させられて
いたが、加熱室Ｒ内は十分に均熱性が高められているこ
とから、この往復移動は必ずしも実施されなくともよ
い。In the embodiment, the substrate 62 is reciprocated in the transport direction during the soaking process in the heating chamber R. However, since the inside of the heating chamber R is sufficiently heated, This reciprocation does not necessarily have to be performed.

【００６６】また、実施例においては、第１搬送装置１
１８および第３搬送装置１２２は、モータ１３４或いは
１６２の回転をラインシャフト１３８およびマイタギア
１４０で伝達すると共に、搬送速度を第２搬送装置１２
０に一致させることが望まれる駆動区分１２９ｂおよび
１３３ａにモータ１５０或いは１６４およびワンウェイ
カップリング１４８等を備えて、それら駆動区分１２９
ｂおよび１３３ａの搬送速度が変化させられるように構
成されていたが、例えば、それら駆動区分１２９ｂおよ
び１３３ａを第２搬送装置１２０と同様にそれぞれ回転
速度可変のモータを備えて独立に駆動してもよい。ま
た、第１搬送装置１１８および第３搬送装置１２２の各
駆動区分も全て独立に駆動するようにしても差し支えな
い。In the embodiment, the first transfer device 1
18 and the third transfer device 122 transmit the rotation of the motor 134 or 162 by the line shaft 138 and the miter gear 140 and also set the transfer speed to the second transfer device 12.
The drive sections 129b and 133a, which are desired to be equal to 0, are provided with a motor 150 or 164 and a one-way coupling 148, etc.
Although the transport speeds of b and 133a are configured to be changed, for example, the drive sections 129b and 133a may be independently driven with variable rotation speed motors similarly to the second transport device 120. Good. In addition, all driving sections of the first transport device 118 and the third transport device 122 may be independently driven.

【００６７】また、実施例において開閉作動させられて
いたシャッタ装置Ｓは、ローラ１６６の上面から基板６
２の厚みより僅かに大きい距離だけ隔てた位置固定の部
材であってもよい。要するに、各加熱室間が独立して温
度制御を行うことを可能とするものであればよい。Further, the shutter device S which has been opened and closed in the embodiment is provided with the substrate 6 from the upper surface of the roller 166.
A member whose position is fixed at a distance slightly larger than the thickness of the second member may be used. In short, what is necessary is just to enable temperature control between the heating chambers independently.

【００６８】また、前述の実施例では、基板６２を構成
するガラス或いはその上に印刷された厚膜に含まれるガ
ラスの転移点或いは歪点を基板６２内が均一な温度状態
を保ちつつ通過するように、また、基板６２に含まれる
膜形成材料が金属或いは無機材料の溶融、焼結により固
着される場合には、その膜形成材料の溶融点或いは焼結
点を基板６２内が均一な温度状態を保ちつつ通過するよ
うに、前記第１の設定温度ＫＴ₁ 或いは第２の設定温度
ＫＴ₂ は、上記基板６２に含まれるガラス素材の転移点
或いは歪点の近傍の値に設定され、或いは上記基板６２
上の膜形成材料に含まれる金属或いは無機材料の溶融点
或いは焼結点の近傍の値に設定される。In the above embodiment, the transition point or strain point of the glass constituting the substrate 62 or the glass contained in the thick film printed thereon passes through the substrate 62 while maintaining a uniform temperature state. As described above, when the film forming material contained in the substrate 62 is fixed by melting or sintering a metal or inorganic material, the melting point or sintering point of the film forming material is set to a uniform temperature in the substrate 62. to pass while keeping the state, the first set temperature KT ₁ or second set temperature KT ₂ is set to a value near the transition point or a strain point of the glass material contained in the substrate 62, or The above substrate 62
It is set to a value near the melting point or sintering point of the metal or inorganic material contained in the above film forming material.

【００６９】また、実施例において、炉体１２４、シャ
ッタ装置Ｓがβ−スポジュメン質結晶化ガラスから構成
され、ローラ１６６はアルミナセラミックスから構成さ
れていたがこれらは他のセラミックスから構成されても
よい。例えば、炉体１２４等はアルミナセラミックスや
ムライト等から構成されてもよく、ローラ１６６はムラ
イトやスポジュメン等から構成されてもよい。また、実
施例の連続型焼成装置１１６のように、ローラ１６６を
用いたローラハースキルンにおいては、摺動部分を炉体
１２４内に設ける必要がないことから、各部の素材を耐
熱性の高い例えばＳＵＳ３１０等の金属から構成しても
よい。In the embodiment, the furnace body 124 and the shutter device S are made of β-spodumene crystallized glass, and the roller 166 is made of alumina ceramics. However, these may be made of other ceramics. . For example, the furnace body 124 and the like may be made of alumina ceramics or mullite, and the roller 166 may be made of mullite or spodumene. Further, in the roller hearth kiln using the rollers 166 as in the continuous firing apparatus 116 of the embodiment, since the sliding portion does not need to be provided in the furnace body 124, the material of each part is made of, for example, a material having high heat resistance. It may be made of a metal such as SUS310.

【００７０】その他一々例示はしないが、本発明は当業
者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実
施することができる。Although not specifically exemplified, the present invention can be embodied with various modifications and improvements based on the knowledge of those skilled in the art.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施例の連続型焼成装置の全体構成
を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a continuous firing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】図１の実施例の炉体の長手方向に沿った断面を
一部省略して示す図である。FIG. 2 is a view in which a cross section along a longitudinal direction of the furnace body of the embodiment of FIG. 1 is partially omitted.

【図３】(a) 〜(e) は、図２におけるａ−ａ乃至ｅ−ｅ
視断面にそれぞれ相当する図である。FIGS. 3A to 3E are aa to ee in FIG.
It is a figure each corresponding to a viewing cross section.

【図４】図１の実施例の搬送装置を説明する図である。FIG. 4 is a view for explaining the transfer device of the embodiment of FIG. 1;

【図５】図１の実施例の複数のヒータ配置を説明する図
である。FIG. 5 is a view for explaining a plurality of heater arrangements in the embodiment of FIG. 1;

【図６】(a) 、(b) は図１の実施例の給気管および排気
管をそれぞれ示す図である。FIGS. 6 (a) and (b) are diagrams showing an air supply pipe and an exhaust pipe of the embodiment of FIG. 1, respectively.

【図７】図１の実施例の制御回路を説明するブロック線
図である。FIG. 7 is a block diagram illustrating a control circuit according to the embodiment of FIG. 1;

【図８】図１の実施例の基板の搬送位置を示すタイムチ
ャートである。FIG. 8 is a time chart showing a substrate transfer position in the embodiment of FIG. 1;

【図９】図１の実施例の各ゾーンの設定温度すなわち基
板の焼成温度曲線を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a set temperature of each zone, that is, a firing temperature curve of a substrate in the embodiment of FIG. 1;

【図１０】従来の焼成装置における基板の局所的な寸法
変形を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating local dimensional deformation of a substrate in a conventional baking apparatus.

【図１１】図１の実施例の演算制御回路の作動を説明す
るフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart illustrating the operation of the arithmetic and control circuit of the embodiment of FIG. 1;

【図１２】図８のタイムチャートの要部を詳しく説明す
る図である。FIG. 12 is a diagram describing in detail a main part of the time chart of FIG. 8;

【図１３】図１の実施例において加熱室内での均熱処理
中の基板の往復移動を説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a reciprocating movement of the substrate during the soaking process in the heating chamber in the embodiment of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１６：連続型焼成装置 ｛１１８：第１搬送装置、１２０：第２搬送装置、１２
２：第３搬送装置｝（搬送装置） Ｈ：ヒータ Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、〜Ｒ₆ ：複数の加熱室 １６６：ローラ １６８：制御装置（温度制御装置、給気制御装置）｛１
８０：給気管、１８４：給気用配管、１８５：送気管、
２０８：電磁弁｝（給気装置）116: continuous firing device # 118: first transport device, 120: second transport device, 12
2: third transfer device} (transport device) H: heater R _1, R _2, to R _6: a plurality of heating chambers 166: roller 168: control device (temperature controller, air supply controller) {1
80: air supply pipe, 184: air supply pipe, 185: air supply pipe,
208: Solenoid valve 気 (air supply device)

フロントページの続き (72)発明者 森 洋行 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (72)発明者 市原 広信 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (72)発明者 佐藤 羊治 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (72)発明者 阪本 進 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並 2160番地九州ノリタケ株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−67541（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−252886（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−175871（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C03C 17/00 - 17/44 F27B 9/00 - 9/40 C04B 35/64 Continued on the front page (72) Inventor Hiroyuki Mori 3-36 Noritake Shinmachi, Nishi-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Inside Noritake Company Limited (72) Inventor Hironobu Ichihara 3-1-1 Noritake Shinmachi, Nishi-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Noritake Company Limited Limited (72) Inventor Yoji Sato 3-36 Noritakeshinmachi, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi Prefecture No. 36 Noritake Company Limited Limited (72) Inventor Susumu Sakamoto Yasucho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture (3) References JP-A-10-67541 (JP, A) JP-A-1-252886 (JP, A) JP-A-9-175871 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int. Cl. ⁷ , DB name) C03C 17/00-17/44 F27B 9/00-9/40 C04B 35/64

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 膜形成素材を含む複数の基板を一方向に
順次搬送する過程で該複数の基板の各々に均一に熱処理
を施すための焼成方法であって、該熱処理の冷却過程に
おいて、 前記一方向に沿って段階的に低くなるように室毎に設定
された設定温度と一致するように予め温度制御された複
数の加熱室内の各々で前記複数の基板の各々を所定時間
収容することにより、該複数の基板の各々を該室毎の設
定温度で均熱させる均熱工程と、 該複数の加熱室内の各々で熱処理された前記複数の基板
の各々を該複数の加熱室の各々から該加熱室よりも低い
設定温度の加熱室へ順次送り出す搬出工程と、 前記複数の基板のうちの所定の基板が送り出された前記
複数の加熱室のうちの所定の加熱室内に、該加熱室の設
定温度よりも低い温度の気体を供給する気体供給工程
と、 該気体供給工程の後に、前記所定の加熱室内に前記複数
の基板のうちの前記所定の基板に続く他の基板を送り込
む搬入工程とを、含むことを特徴とする膜形成素材を含
む基板の焼成方法。1. A baking method for uniformly performing a heat treatment on each of a plurality of substrates including a film forming material in a process of sequentially transporting the plurality of substrates in one direction, wherein in the cooling process of the heat treatment, By accommodating each of the plurality of substrates for a predetermined time in each of a plurality of heating chambers that are temperature-controlled in advance so as to match a set temperature set for each chamber so as to gradually decrease along one direction. A soaking step of soaking each of the plurality of substrates at a set temperature for each of the chambers; and removing each of the plurality of substrates heat-treated in each of the plurality of heating chambers from each of the plurality of heating chambers. An unloading step of sequentially sending out to a heating chamber having a lower set temperature than the heating chamber; and setting the heating chamber in a predetermined heating chamber of the plurality of heating chambers to which a predetermined substrate of the plurality of substrates has been sent. Supply gas at a temperature lower than the temperature A gas supply step, and after the gas supply step, a loading step of feeding another substrate following the predetermined substrate among the plurality of substrates into the predetermined heating chamber, comprising: A method for firing a substrate comprising: 【請求項２】 膜形成素材を含む複数の基板を一方向に
順次搬送する過程で該複数の基板の各々に均一に熱処理
を施すための焼成装置であって、 トンネル状の加熱領域内の長手方向の一部においてシャ
ッタ装置により熱的に分割された状態で設けられ、加熱
ヒータにより独立に温度を制御される複数の加熱室と、 前記加熱ヒータを制御して前記複数の加熱室の各々の温
度を、前記一方向に沿って段階的に低くなるように設定
された室毎の設定温度と一致するように均一に制御する
温度制御装置と、 前記複数の基板を前記トンネル状の加熱領域内において
一方向へ順次搬送する過程で、該複数の基板の各々を前
記複数の加熱室内の各々に送り込んで該複数の加熱室内
の各々で所定時間の熱処理を施し、該複数の加熱室内の
各々での熱処理を終えた基板を該複数の加熱室内の各々
から送り出す搬送装置と、 前記複数の加熱室内の各々に設けられ、該加熱室の設定
温度よりも低い温度の気体を供給するための給気装置
と、 前記複数の加熱室の各々において、前記搬送装置によっ
て前記複数の基板の各々が送り出されて室内に該基板が
位置しない状態で前記給気装置から前記気体を供給させ
る給気制御装置とを、含むことを特徴とする膜形成素材
を含む基板の焼成装置。2. A baking apparatus for uniformly performing heat treatment on each of a plurality of substrates including a film forming material in a process of sequentially transporting the plurality of substrates in one direction, wherein the plurality of substrates have a longitudinal shape in a tunnel-shaped heating region. A plurality of heating chambers that are provided in a part of the direction in a manner that is thermally divided by a shutter device and whose temperature is independently controlled by a heater, and that each of the plurality of heating chambers is controlled by controlling the heater. A temperature control device that uniformly controls the temperature so as to match the set temperature of each chamber set so as to be gradually lowered along the one direction; and the plurality of substrates in the tunnel-shaped heating region. In the step of sequentially transporting in one direction, each of the plurality of substrates is sent into each of the plurality of heating chambers and subjected to heat treatment for a predetermined time in each of the plurality of heating chambers, and in each of the plurality of heating chambers. Finished heat treatment A transfer device that sends out the substrate from each of the plurality of heating chambers; an air supply device provided in each of the plurality of heating chambers, for supplying a gas having a temperature lower than a set temperature of the heating chamber; In each of the plurality of heating chambers, an air supply control device that supplies the gas from the air supply device in a state where each of the plurality of substrates is sent out by the transfer device and the substrate is not located in the room. An apparatus for baking a substrate including a film forming material. 【請求項３】 前記搬送装置は、前記トンネル状の加熱
領域内において長手方向と軸心方向が垂直を成すように
相互に平行に設けられて前記基板を支持し、該基板を前
記一方向へ搬送するために該軸心回りにそれぞれ回転駆
動される複数本のローラを、更に含むものである請求項
２の膜形成素材を含む基板の焼成装置。3. The transfer device is provided in parallel with each other so that a longitudinal direction and an axial direction are perpendicular to each other in the tunnel-shaped heating area, supports the substrate, and moves the substrate in the one direction. 3. The apparatus for firing a substrate including a film-forming material according to claim 2, further comprising a plurality of rollers that are respectively driven to rotate around the axis for transport. 【請求項４】 前記給気装置は、前記複数の加熱室の各
々において該加熱室の設定温度よりも低い気体を供給す
るために、前記基板の搬送方向上流側端部に設けられた
給気管を含むものである請求項２の膜形成素材を含む基
板の焼成装置。4. An air supply pipe provided at an upstream end of the substrate in the transfer direction to supply a gas lower than a set temperature of the heating chamber to each of the plurality of heating chambers. An apparatus for firing a substrate containing the film-forming material according to claim 2.