JP3153372B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置及び熱処
理装置及び基板処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a heat processing apparatus.
The present invention relates to a processing apparatus and a substrate processing method .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程では、
被処理基板、例えば、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基
板を載置台の上に載置して、所定の処理を施す基板処理
装置が広く用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacturing process of a semiconductor device,
2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus that mounts a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer or an LCD glass substrate on a mounting table and performs a predetermined process is widely used.
【０００３】例えば、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基
板等を加熱する加熱装置では、ホットプレート等と称さ
れる載置台は内部に抵抗加熱ヒータ等を備えており、例
えば200 ℃等の所定温度に設定可能に構成されている。
そして、このホットプレート上に半導体ウエハやＬＣＤ
用ガラス基板を直接あるいはプロキシミティーギャップ
を設けた状態で載置して、加熱処理を行うよう構成され
ている。For example, in a heating apparatus for heating a semiconductor wafer, an LCD glass substrate, or the like, a mounting table called a hot plate or the like has an internal resistance heater or the like, and is set at a predetermined temperature such as 200 ° C. It is configured to be possible.
A semiconductor wafer or LCD is placed on this hot plate.
The heat treatment is performed by placing a glass substrate for use directly or in a state where a proximity gap is provided.
【０００４】また、このような基板処理装置では、ホッ
トプレートを貫通する如く、上下動可能に構成された複
数の基板支持ピンが設けられており、これらの基板支持
ピンがホットプレート上に突出するよう上昇させた状態
で、搬送アームとの被処理基板の受け渡しを行い、これ
らの基板支持ピンがホットプレート内に格納されるよう
下降させた状態で加熱処理を実行するよう構成されてい
る。なお、従来の基板処理装置では、このような基板支
持ピンは、通常エアシリンダで駆動されるよう構成され
ている。In such a substrate processing apparatus, a plurality of substrate support pins which are vertically movable so as to penetrate the hot plate are provided, and these substrate support pins protrude above the hot plate. In the raised state, the substrate to be processed is transferred to and from the transfer arm, and the heat treatment is performed in a state where the substrate support pins are lowered so as to be stored in the hot plate. In a conventional substrate processing apparatus, such a substrate support pin is generally configured to be driven by an air cylinder.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記説
明の従来の基板処理装置では、ＬＣＤ用ガラス基板等を
ホットプレート等から持ち上げる際に、ＬＣＤ用ガラス
基板等がホットプレート等に吸着された状態となること
があり、この状態でＬＣＤ用ガラス基板等が急激に基板
支持ピンで押し上げられるため、ＬＣＤ用ガラス基板等
が破損したり、基板支持ピン上で位置ずれを起こす可能
性があるという問題があった。However, in the conventional substrate processing apparatus described above, when the glass substrate for LCD or the like is lifted from the hot plate or the like, the state in which the glass substrate for LCD or the like is adsorbed on the hot plate or the like. In this state, the glass substrate for the LCD is rapidly pushed up by the substrate support pins, so that there is a problem that the glass substrate for the LCD may be damaged or may be displaced on the substrate support pins. there were.
【０００６】また、ＬＣＤ用ガラス基板等をホットプレ
ート等から持ち上げる際に、ＬＣＤ用ガラス基板等が静
電気を帯び、この静電気によってＬＣＤ用ガラス基板等
の表面に形成された回路パターン等が破壊されてしまう
ことがあるという問題もあった。Further, when the LCD glass substrate or the like is lifted from the hot plate or the like, the LCD glass substrate or the like is charged with static electricity, and the static electricity destroys a circuit pattern or the like formed on the surface of the LCD glass substrate or the like. There was also a problem that it could happen.
【０００７】さらに、大型のＬＣＤ用ガラス基板等を急
激に加熱すると、反りが生じること等があり、例えば徐
々に加熱を行う等の加熱工程のフレキシビリティーの向
上を図ることが望まれている。Further, when a large LCD glass substrate or the like is rapidly heated, warpage may occur. For example, it is desired to improve the flexibility of a heating process such as gradually heating the glass substrate. .
【０００８】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、載置台上の被処理基板を基板支持ピンで
持ち上げる際等に、被処理基板およびその表面に形成さ
れた回路パターン等が損傷を受けたり、被処理基板が位
置ずれを起こすことを防止することができるとともに、
加熱工程のフレキシビリティーの向上を図ることのでき
る基板処理装置及び熱処理装置及び基板処理方法を提供
しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and when a substrate to be processed on a mounting table is lifted by a substrate support pin or the like, a circuit pattern or the like formed on the surface of the substrate is processed. Can be prevented from being damaged or the substrate to be processed being displaced.
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a heat treatment apparatus, and a substrate processing method capable of improving the flexibility of a heating process.
【０００９】[0009]
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】 すなわち、 請求項１の基
板処理装置は、被処理基板が載置される載置板と、前記
載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピン
と、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動
させる駆動機構と、前記載置板から前記基板に向かって
窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とす
る。また、請求項２の基板処理装置は、前記載置板から
前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構が、前記
載置板に設けられた前記被処理基板を吸着保持するため
の真空チャック用開口から前記窒素ガスを流出させる如
く構成されたことを特徴とする。また、請求項３の基板
処理装置は、前記窒素ガスを流出させる前記真空チャッ
ク用開口は、前記被処理基板の大きさに応じて切り替え
可能に構成されたことを特徴とする。また、請求項４の
基板処理装置は、前記載置板から前記基板に向かって窒
素ガスを流出させる機構が、イオン化した窒素ガスを流
出させる如く構成されたことを特徴とする。 That SUMMARY OF THE INVENTION The substrate processing apparatus of claim 1, a mounting plate for the substrate to be processed is placed, a plurality of substrate support pins provided as to penetrate the the mounting plate, A drive mechanism for moving the substrate support pins and the mounting plate relatively up and down, and from the mounting plate toward the substrate
A mechanism for discharging nitrogen gas . The substrate processing apparatus according to claim 2, from the mounting plate
Mechanism for discharging the nitrogen gas toward the substrate, 如 to the target substrate disposed on the mounting plate from the vacuum chuck opening for holding suction to drain the nitrogen gas
It is characterized by having been well structured . Further, the substrate processing apparatus according to claim 3 is characterized in that the opening for the vacuum chuck through which the nitrogen gas flows out is configured to be switchable according to the size of the substrate to be processed. Further, in the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, the substrate processing apparatus may be configured to perform a nitrogen treatment from
The mechanism for discharging the raw gas is configured to discharge the ionized nitrogen gas .
【００１１】また、請求項５の基板処理装置は、被処理
基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く
設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、
前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させ
る駆動機構とを具備した基板処理装置において、前記載
置板上に載置された前記被処理基板を前記基板支持ピン
で持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部から押
圧して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この後、前記
被処理基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴
とする。また、請求項６の基板処理装置は、前記被処理
基板が載置され当該被処理基板と前記載置板との間隔を
所定の間隔に保持するプロキシミティーピンが、前記載
置板に着脱自在に複数設けられたことを特徴とする。ま
た、請求項７の基板処理装置は、前記載置板に、前記被
処理基板の大きさに応じて着脱自在に設けられ、前記被
処理基板の周縁部を係止する複数のガイドピンを具備し
たことを特徴とする。また、請求項８の熱処理装置は、
被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、前記載
置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを
相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆
動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記
載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止およ
び途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備
したことを特徴とする。また、請求項９の熱処理装置
は、前記制御手段が、前記載置板上の前記被処理基板を
前記基板支持ピンによって持ち上げる際に、前記基板支
持ピンの相対速度を始め遅く、その後速くするよう制御
することを特徴とする。また、請求項１０の熱処理装置
は、前記制御手段が、前記載置板と前記被処理基板との
距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相
対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピ
ンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とす
る。また、請求項１１の熱処理装置は、前記制御手段
が、前記基板支持ピン上に載置された前記被処理基板
を、前記載置板上に受け渡す際に、前記被処理基板と前
記載置板との距離が、前記被処理基板を予備加熱可能な
所定の距離となった時点で一旦基板支持ピンと前記載置
板との相対的上下動を停止するよう構成されたことを特
徴とする。また、請求項１２の熱処理方法は、被処理基
板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、
所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却
する工程と、この工程の後に、前記被処理基板を基板載
置台から所定の高さまで第１の速度で離間させる工程
と、その後、前記第１の速度より速い第２の速度で前記
被処理基板を前記基板載置台からさらに離間させる工程
とを備えたことを特徴とする。また、請求項１３の熱処
理方法は、前記加熱又は冷却する工程の後に、前記被処
理基板の下方から所定の気体を流出させ、該気体により
基板載置台に載置された前記被処理基板を上方に向けて
押圧する工程を備えたことを特徴とする。また、請求項
１４の熱処理方法は、被処理基板を加熱又は冷却して処
理する基板処理方法において、所定の温度で所定時間、
前記被処理基板を加熱又は冷却する工程と、この工程の
後に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して、基板
載置台から斜めに前記被処理基板を押し上げる工程と、
この工程の後に、前記被処理基板の全体を前記基板載置
台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とす
る。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a mounting plate on which a substrate to be processed is mounted; a plurality of substrate support pins provided so as to penetrate the mounting plate;
In a substrate processing apparatus having a drive mechanism for relatively vertically moving the substrate support pins and the mounting plate, when the substrate to be processed mounted on the mounting plate is lifted by the substrate support pins. It is characterized in that the substrate to be processed is lifted obliquely by pressing one end of the substrate to be processed from below, and thereafter, the entire substrate to be processed is pushed up. According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the proximity pin on which the substrate to be processed is mounted and which maintains a predetermined interval between the substrate to be processed and the mounting plate is detachable from the mounting plate. Are provided in plurality. Further, the substrate processing apparatus according to claim 7 includes a plurality of guide pins which are detachably provided on the mounting plate according to the size of the substrate to be processed, and which lock a peripheral portion of the substrate to be processed. It is characterized by having done. The heat treatment apparatus of claim 8 is
A substrate to be processed is mounted thereon, a mounting plate to be heat-treated, and a plurality of substrate support pins provided so as to penetrate the mounting plate,
A driving mechanism that includes a drive motor and moves the substrate support pins and the mounting plate relatively up and down; and controls the driving, stopping, and rotation speed of the drive motor, and controls the relative position between the substrate support pins and the mounting plate. And a control means configured to stop the movement of the target vertically and temporarily change the speed during the movement and change the speed during the movement. Further, in the heat treatment apparatus according to claim 9, when the control means lifts the substrate to be processed on the mounting plate by the substrate support pins, the relative speed of the substrate support pins is initially reduced and then increased. It is characterized by controlling. Further, in the heat treatment apparatus according to claim 10, the control means reduces a relative speed of the substrate support pins when the distance is short, and the distance is large, according to a distance between the mounting plate and the substrate to be processed. And controlling the relative speed of the substrate support pins to be higher when the substrate support pins are present. The heat treatment apparatus according to claim 11 , wherein when the control means transfers the substrate to be processed mounted on the substrate support pins onto the mounting plate, the distance between the plates, the is temporarily so that abolish stop the relative vertical movement between the substrate support pins and the mounting plate configuration at the time of a substrate to be processed is in the backup heatable <br/> predetermined distance It is characterized by the following. Further, a heat treatment method according to claim 12 is a substrate processing method for heating or cooling a substrate to be processed,
A step of heating or cooling the substrate to be processed at a predetermined temperature for a predetermined time, and after this step, a step of separating the substrate to be processed from the substrate mounting table to a predetermined height at a first speed, and thereafter, A step of further separating the substrate to be processed from the substrate mounting table at a second speed higher than the first speed. Further, in the heat treatment method according to the thirteenth aspect , after the heating or cooling step, a predetermined gas is caused to flow out from below the substrate to be processed, and the gas is used to lift the substrate to be mounted on the substrate mounting table. And a step of pressing toward Claims
The heat treatment method of the 14 is a substrate processing method of heating or cooling a substrate to be processed, wherein at a predetermined temperature for a predetermined time,
A step of heating or cooling the substrate to be processed, and after this step, a step of pressing one end of the substrate to be processed from below to push up the substrate to be processed obliquely from a substrate mounting table,
After this step, a step of pushing up the entirety of the substrate to be processed upward from the substrate mounting table is provided.
【００１２】[0012]
【作用】上記構成の本発明の基板処理装置では、基板支
持ピンを載置板に対して上下動させる駆動機構が駆動モ
ータを備えており、制御手段によってこの駆動モータの
回転速度を制御することにより、基板支持ピンの上下動
の速度を高精度で容易に変化させることができる。した
がって、例えば、載置台上の被処理基板を基板支持ピン
によって持ち上げる際に、基板支持ピンの上昇速度を始
め遅く、その後速くするよう制御することにより、持ち
上げ動作に伴って被処理基板が破損あるいは位置ずれを
起こすことを防止できる。また、この駆動モータを所望
位置で停止させることにより、基板支持ピンの高さをあ
る範囲内で任意に設定することができ、例えば被処理基
板を段階的に徐々にホットプレートに近付けて行くこと
等によって、加熱工程を制御することができる。In the substrate processing apparatus of the present invention having the above structure, the drive mechanism for moving the substrate support pins up and down with respect to the mounting plate has a drive motor, and the control means controls the rotational speed of the drive motor. Thereby, the speed of the vertical movement of the substrate support pins can be easily changed with high accuracy. Therefore, for example, when the substrate to be processed on the mounting table is lifted by the substrate support pins, the lifting speed of the substrate support pins is controlled to be slow and then increased, so that the substrate to be processed is damaged or damaged by the lifting operation. It is possible to prevent displacement. In addition, by stopping the drive motor at a desired position, the height of the substrate support pins can be arbitrarily set within a certain range. For example, the substrate to be processed gradually approaches the hot plate. Thus, the heating step can be controlled.
【００１３】また、本発明の基板処理装置では、載置板
から気体を基板に向かって流出させ、載置板上の被処理
基板を上方に押圧することにより、基板支持ピンによる
被処理基板の持ち上を容易に行えるようにし、この持ち
上げ動作に伴って被処理基板が破損あるいは位置ずれを
起こすことを防止することができる。Further, in the substrate processing apparatus of the present invention, the gas is caused to flow out of the mounting plate toward the substrate, and the substrate to be processed on the mounting plate is pressed upward, whereby the substrate to be processed by the substrate support pins is pressed. The lifting can be easily performed, and the substrate to be processed can be prevented from being damaged or displaced due to the lifting operation.
【００１４】また、本発明の基板処理装置では、載置台
上の被処理基板の一端を下部から押圧して斜めに持ち上
げ、この後、被処理基板全体を押し上げることによっ
て、被処理基板に静電気が発生しにくくなり、被処理基
板の表面に形成された回路パターン等が静電気によって
損傷を受けることを防止することができる。Further, in the substrate processing apparatus of the present invention, one end of the substrate to be processed on the mounting table is pressed obliquely from below and lifted obliquely, and thereafter, the entire substrate to be processed is pushed up. It is less likely to occur, and it is possible to prevent circuit patterns and the like formed on the surface of the substrate to be processed from being damaged by static electricity.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明をＬＣＤ用ガラス基板の加熱処
理を行う加熱装置に適用した実施例を、図面を参照して
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a heating apparatus for heating a glass substrate for an LCD will be described below with reference to the drawings.
【００１６】図１に示すように、加熱装置１は、矩形容
器状に形成されたケース２を備えており、このケース２
内には、材質例えばアルミニウム等からなり、その上面
にＬＣＤ用ガラス基板３を載置可能に構成された矩形板
状の載置板ホットプレート４が収容されている。このホ
ットプレート４は図示しない加熱用ヒータおよび温度セ
ンサ等を備えており、例えば200 ℃等の所定の加熱温度
に温度設定可能に構成されている。As shown in FIG. 1, the heating device 1 includes a case 2 formed in a rectangular container shape.
Inside, a mounting plate hot plate 4 in the form of a rectangular plate which is made of a material such as aluminum or the like and on which the glass substrate for LCD 3 can be mounted is accommodated. The hot plate 4 includes a heating heater and a temperature sensor (not shown), and is configured to be able to set a predetermined heating temperature such as 200 ° C., for example.
【００１７】また、図２にも示すように、上記ホットプ
レート４には、例えば4 つの透孔５が設けられており、
これらの透孔５には、それぞれ基板支持ピン６が配置さ
れている。これらの基板支持ピン６は、その下部を連結
ガイド７に固定されており、この連結ガイド７は、ベル
ト８に接続されている。このベルト８は、駆動モータで
あるステップモータ９に嵌合されたプーリー１０とこの
プーリー１０の上方に設けられたプーリー１１との間に
巻回されており、ステップモータ９の回転に応じて基板
支持ピン６とホットプレート４とを相対的に上下動例え
ば基板支持ピン６が固定されたホットプレート４に対し
て上下動するよう構成されている。このステップモータ
９には、制御装置１２が電気的に接続されており、この
制御装置１２によって、ステップモータ９の起動、停
止、回転速度等が制御される。As shown in FIG. 2, the hot plate 4 is provided with, for example, four through holes 5.
Substrate support pins 6 are arranged in these through holes 5, respectively. These substrate support pins 6 have their lower parts fixed to a connection guide 7, which is connected to a belt 8. The belt 8 is wound between a pulley 10 fitted to a stepping motor 9 as a driving motor and a pulley 11 provided above the pulley 10, and the belt 8 is rotated by the rotation of the stepping motor 9. The support pins 6 and the hot plate 4 are configured to move up and down relatively with respect to the hot plate 4 to which the substrate support pins 6 are fixed, for example. A control device 12 is electrically connected to the step motor 9, and the control device 12 controls the start, stop, rotation speed, and the like of the step motor 9.
【００１８】また、図２に示すように、上記ホットプレ
ート４の上面には、断面寸法が幅例えば1 mm、深さ例え
ば1 mmの矩形状の真空チャック用溝１３が、同心状に本
実施例では4 つ（図２には3 つのみ示す。）設けられて
いる。これらの真空チャック用溝１３は大きさの異なる
複数種のＬＣＤ用ガラス基板３を吸着可能にするための
ものであり、本実施例の場合、最外側の真空チャック用
溝１３が450 mm×370mmのＬＣＤ用ガラス基板３に対応
したものである。As shown in FIG. 2, a rectangular vacuum chuck groove 13 having a cross-sectional dimension of, for example, 1 mm and a depth of, for example, 1 mm is formed on the upper surface of the hot plate 4 concentrically. In the example, four (only three are shown in FIG. 2) are provided. These vacuum chuck grooves 13 are for allowing a plurality of types of LCD glass substrates 3 having different sizes to be adsorbed. In the case of this embodiment, the outermost vacuum chuck grooves 13 are 450 mm × 370 mm. Corresponding to the glass substrate 3 for LCD.
【００１９】さらに、ホットプレート４の上面には、Ｌ
ＣＤ用ガラス基板３の周縁部を係止するためのガイドピ
ン１４およびＬＣＤ用ガラス基板３とホットプレート４
上面との間に0.5mm 程度の所定のプロキシミティーギャ
ップを形成するためのプロキシミティーピン１５が配置
されている。これらのガイドピン１４およびプロキシミ
ティーピン１５は、ホットプレート４上面に設けられた
図示しない挿入孔に着脱自在に固定されており、各ＬＣ
Ｄ用ガラス基板３の大きさに応じてこれらのガイドピン
１４およびプロキシミティーピン１５の位置を変更する
ことにより、大きさの異なるＬＣＤ用ガラス基板３に対
応できるようになっている。なお、プロキシミティーピ
ン１５は、使用しない場合もある。また、使用しない挿
入孔にはダミーのピン（蓋）が配置される。Further, on the upper surface of the hot plate 4, L
Guide pins 14 for locking the peripheral portion of glass substrate 3 for CD, glass substrate 3 for LCD and hot plate 4
Proximity pins 15 for forming a predetermined proximity gap of about 0.5 mm with the upper surface are arranged. The guide pins 14 and the proximity pins 15 are detachably fixed to insertion holes (not shown) provided on the upper surface of the hot plate 4.
By changing the positions of the guide pins 14 and the proximity pins 15 according to the size of the glass substrate 3 for D, it is possible to handle LCD glass substrates 3 having different sizes. In some cases, the proximity pin 15 is not used. Dummy pins (lids) are arranged in unused insertion holes.
【００２０】また、ケース２の側部には、開閉自在なシ
ャッタを備えた搬入・搬出口１６が設けられており、こ
の搬入・搬出口１６から図示しない搬送アーム等によ
り、ＬＣＤ用ガラス基板３の搬入および搬出を行う。A loading / unloading port 16 provided with a shutter that can be opened and closed is provided on the side of the case 2. The LCD glass substrate 3 is moved from the loading / unloading port 16 by a transport arm (not shown) or the like. Carry in and out.
【００２１】このような加熱装置では、予めホットプレ
ート４を例えば200 ℃程度の所定温度に設定しておき、
搬入・搬出口１６から搬送アーム等によりホットプレー
ト４上にＬＣＤ用ガラス基板３を位置させる。この後、
この状態で基板支持ピン６を上昇（あるいは搬送アーム
を下降）させて基板支持ピン６上にＬＣＤ用ガラス基板
３を支持し、搬送アームを後退させる。In such a heating device, the hot plate 4 is previously set at a predetermined temperature of, for example, about 200 ° C.
The glass substrate 3 for LCD is positioned on the hot plate 4 by a transfer arm or the like from the loading / unloading port 16. After this,
In this state, the substrate support pins 6 are raised (or the transfer arm is lowered) to support the LCD glass substrate 3 on the substrate support pins 6, and the transfer arm is retracted.
【００２２】そして、基板支持ピン６を下降させてＬＣ
Ｄ用ガラス基板３をホットプレート４上に載置し、真空
チャック用溝１３を真空排気することによりＬＣＤ用ガ
ラス基板３を吸着保持して所定時間加熱処理を行う。な
お、この時、プロキシミティーギャップを設けて加熱処
理を行う場合は、予めホットプレート４上の所定位置に
プロキシミティーピン１５を配置しておき、真空チャッ
クによる吸着は行わない。また、サイズの小さなＬＣＤ
用ガラス基板３の加熱を行う場合は、外側の真空チャッ
ク用溝１３の真空排気は行わない。Then, the substrate supporting pins 6 are moved down to
The glass substrate 3 for D is placed on the hot plate 4 and the groove 13 for vacuum chuck is evacuated to suck and hold the glass substrate 3 for LCD, and heat treatment is performed for a predetermined time. At this time, when performing the heat treatment with the proximity gap provided, the proximity pin 15 is arranged in a predetermined position on the hot plate 4 in advance, and the suction by the vacuum chuck is not performed. In addition, small LCD
When the heating glass substrate 3 is heated, the outer vacuum chuck groove 13 is not evacuated.
【００２３】このようにして、所定時間の加熱処理が終
了すると、次に基板支持ピン６を上昇させてホットプレ
ート４上からＬＣＤ用ガラス基板３を持ち上げる。この
時、制御装置１２は、ステップモータ９の回転を制御し
て、次のように基板支持ピン６を上昇させる。When the heat treatment for a predetermined time is completed in this way, the substrate supporting pins 6 are then raised to lift the LCD glass substrate 3 from the hot plate 4. At this time, the control device 12 controls the rotation of the step motor 9 to raise the substrate support pins 6 as follows.
【００２４】すなわち、図３（ａ）に示すように、基板
支持ピン６が下降した状態から、基板支持ピン６の上端
部がＬＣＤ用ガラス基板３の裏面に接触し、図３（ｂ）
に示すように、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート
４上から僅かに持ち上がった状態となるまで基板支持ピ
ン６を非常にゆっくりと上昇させ、この後、図３（ｃ）
に示すように、所定高さまで基板支持ピン６を速い速度
で上昇させる。このように、ゆっくりとした相対速度で
上昇させることにより、例えば、ＬＣＤ用ガラス基板３
がホットプレート４上に吸着された状態となっていて
も、ＬＣＤ用ガラス基板３に徐々に力が加わり、ＬＣＤ
用ガラス基板３が破損したり、基板支持ピン６上で位置
ずれを起こしたりすることを防止することができる。な
お、ＬＣＤ用ガラス基板３が基板支持ピン６上で位置ず
れを起こすと、ＬＣＤ用ガラス基板３を搬送アームで受
け取ることができなかったり、搬送中にＬＣＤ用ガラス
基板３がケース２等と接触して破損する可能性がある。That is, as shown in FIG. 3A, from the state where the substrate support pins 6 are lowered, the upper ends of the substrate support pins 6 come into contact with the back surface of the LCD glass substrate 3, and FIG.
As shown in FIG. 3, the substrate supporting pins 6 are raised very slowly until the LCD glass substrate 3 is slightly lifted from the hot plate 4, and thereafter, FIG.
As shown in (2), the substrate support pins 6 are raised to a predetermined height at a high speed. As described above, by increasing the relative speed slowly, for example, the LCD glass substrate 3
Is gradually adsorbed on the hot plate 4, the force is gradually applied to the LCD glass substrate 3,
It is possible to prevent the glass substrate 3 for use from being damaged or being displaced on the substrate support pins 6. If the LCD glass substrate 3 is displaced on the substrate support pins 6, the LCD glass substrate 3 cannot be received by the transfer arm, or the LCD glass substrate 3 contacts the case 2 or the like during the transfer. And may be damaged.
【００２５】また、上述した加熱工程において、ＬＣＤ
用ガラス基板３を急激に加熱することが好ましくないよ
うな場合は、基板支持ピン６を下降させてＬＣＤ用ガラ
ス基板３をホットプレート４上に載置する際に、所望高
さ位置（例えば数ミリ程度上方）で一旦基板支持ピン６
を停止させ、予備加熱した後、ＬＣＤ用ガラス基板３を
ホットプレート４上に載置するように制御装置１２から
制御を行う。これにより、例えば冷えた状態のＬＣＤ用
ガラス基板３を急激に加熱してＬＣＤ用ガラス基板３が
反ってしまうこと等を防止することができる。In the above-mentioned heating step, an LCD
When it is not preferable to rapidly heat the glass substrate 3 for use, when the substrate support pins 6 are lowered to place the glass substrate 3 for LCD on the hot plate 4, a desired height position (for example, several Board support pin 6
Is stopped, and after preheating, the control device 12 performs control so that the LCD glass substrate 3 is placed on the hot plate 4. Thereby, for example, it is possible to prevent the LCD glass substrate 3 from being warped by suddenly heating the cooled LCD glass substrate 3.
【００２６】図４は、上記構成の加熱装置１が配置され
た基板処理システムの構成を示すものである。この基板
処理システムでは、一方の端部にＬＣＤ用ガラス基板３
を収容する複数のカセットを載置可能に構成されたカセ
ットステーション３０が設けられており、このカセット
ステーション３０の側方には、中央にＬＣＤ用ガラス基
板３を搬送するためのメインアーム３１、このメインア
ーム３１の両側に各基板処理装置が位置するよう配列さ
れている。FIG. 4 shows a configuration of a substrate processing system in which the heating device 1 having the above configuration is arranged. In this substrate processing system, an LCD glass substrate 3 is provided at one end.
A cassette station 30 configured to be able to mount a plurality of cassettes accommodating the LCD glass substrate 3 is provided on the side of the cassette station 30, and a main arm 31 for transporting the LCD glass substrate 3 to the center. The substrate processing apparatuses are arranged on both sides of the main arm 31.
【００２７】基板処理装置としては、カセットステーシ
ョン３０側方に位置するように、ＬＣＤ用ガラス基板３
をブラシ洗浄するためのブラシスクラバー３２およびこ
のブラシ洗浄の後に高圧ジェット水により洗浄を施すた
めの高圧ジェット洗浄機３３が一体的に構成された洗浄
機構がメインアーム３１を挟むように2 組設けられてお
り、このうち一方の高圧ジェット洗浄機３３の側方に、
2 台の加熱装置１が積み重ねるようにして配置されてい
る。As the substrate processing apparatus, the glass substrate 3 for LCD is positioned on the side of the cassette station 30.
A brush scrubber 32 for cleaning the brush and a high-pressure jet cleaning machine 33 for cleaning the brush with high-pressure jet water after the brush cleaning are integrally provided in two sets so as to sandwich the main arm 31. And one side of the high-pressure jet washer 33,
Two heating devices 1 are arranged so as to be stacked.
【００２８】さらに、これらの機器の側方には、接続用
ユニット３４を介して、ＬＣＤ用ガラス基板３にフォト
レジストを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒー
ジョン処理装置３５、このアドヒージョン処理装置３５
の下方に配置されたクーリング装置３６、ＬＣＤ用ガラ
ス基板３にフォトレジストを塗布するレジスト塗布装置
３７、現像を行う現像装置３８、それぞれ2 台ずつ積み
重ねるようにして配置された合計4 台の加熱装置１が配
列されている。Further, beside these devices, an adhesion processing device 35 for applying a hydrophobic treatment to the LCD glass substrate 3 before applying the photoresist to the glass substrate 3 via a connection unit 34, 35
, A resist coating device 37 for applying a photoresist to the glass substrate 3 for LCD, and a developing device 38 for developing, a total of four heating devices arranged in a stack of two each. 1 is arranged.
【００２９】次に、以上のように構成された基板処理シ
ステムの動作について説明する。Next, the operation of the substrate processing system configured as described above will be described.
【００３０】まず、前工程で処理されたＬＣＤ用ガラス
基板３は、カセットステーション３０からメインアーム
３１により保持されてブラシスクラバー３２内に搬送さ
れ、この中でブラシ洗浄が行われる。更に、このＬＣＤ
用ガラス基板３は、高圧ジェット洗浄機３３にて高圧ジ
ェット水により洗浄され、加熱装置１によって乾燥され
る。First, the LCD glass substrate 3 processed in the previous process is held by the main arm 31 from the cassette station 30 and transported into the brush scrubber 32, where the brush is cleaned. Furthermore, this LCD
The glass substrate 3 is washed with high-pressure jet water in a high-pressure jet washing machine 33 and dried by the heating device 1.
【００３１】この後、ＬＣＤ用ガラス基板３は、アドヒ
ージョン処理装置３５にて疎水化処理が施され、クーリ
ング装置３６で冷却された後、フォトレジスト塗布装置
３７でフォトレジストを塗布される。そして、加熱装置
１で加熱され、ベーキング処理が施された後、図示しな
い露光装置で露光され、この後、現像装置３８による現
像、加熱装置１による乾燥が施される。Thereafter, the LCD glass substrate 3 is subjected to a hydrophobic treatment by an adhesion treatment device 35 and cooled by a cooling device 36, and then a photoresist is applied by a photoresist coating device 37. Then, after being heated by the heating device 1 and subjected to a baking process, it is exposed by an exposure device (not shown), and thereafter, is developed by the developing device 38 and dried by the heating device 1.
【００３２】図５は、本発明の他の実施例の加熱装置１
ａの要部構成を示すもので、この実施例の加熱装置１ａ
では、ホットプレート４の上面に設けられた真空チャッ
ク用溝１３から真空排気を行う真空排気配管５０に切替
弁５１が介挿されており、制御装置１２によってこの切
替弁５１の動作を切り替え、真空ポンプ５２による真空
排気（真空チャック）と気体例えば窒素ガスの窒素ガス
供給源５３からの窒素ガス供給とを切り替えて実施する
ことができるよう構成されている。FIG. 5 shows a heating apparatus 1 according to another embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows a main configuration of a heating device 1a of this embodiment.
In the apparatus, a switching valve 51 is interposed in a vacuum exhaust pipe 50 for performing vacuum exhaust from the vacuum chuck groove 13 provided on the upper surface of the hot plate 4, and the operation of the switching valve 51 is switched by the control device 12 so that the vacuum It is configured to be able to switch between vacuum evacuation (vacuum chuck) by the pump 52 and nitrogen gas supply from a nitrogen gas supply source 53 of a gas such as nitrogen gas.
【００３３】また、図５において、５４は開閉バルブで
あり、ＬＣＤ用ガラス基板３のサイズによってこれらの
開閉バルブ５４を選択的に開き、所定の真空チャック用
溝１３のみを使用して真空排気および窒素ガス供給を行
うよう構成されている。なお、他の部分については、前
述した実施例と同様に構成されているので、同一部分に
は同一符号を付して重複した説明は省略する。また、本
実施例においても、前述した実施例と同様に真空チャッ
ク用溝１３は4 つ設けられているが、図５には真空チャ
ック用溝１３および開閉バルブ５４等を3 系統のみ示
す。In FIG. 5, reference numeral 54 denotes an opening / closing valve, which is selectively opened according to the size of the glass substrate 3 for LCD. It is configured to supply nitrogen gas. Since the other parts are configured in the same manner as in the above-described embodiment, the same parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. Also in this embodiment, four vacuum chuck grooves 13 are provided as in the above-described embodiment, but FIG. 5 shows only three systems of the vacuum chuck groove 13, the opening / closing valve 54, and the like.
【００３４】上記構成のこの実施例の加熱装置１ａで
は、制御装置１２によって切替弁５１を真空ポンプ５２
側に連通するように設定しておき、真空ポンプ５２を作
動させて真空排気を行うことにより、ホットプレート４
上に載置されたＬＣＤ用ガラス基板３を吸着保持する。
なお、この後、載置中は吸着保持を解除させてもよい。
そして、この状態で所定時間加熱処理を行い、加熱処理
が終了すると、制御装置１２によって切替弁５１を窒素
ガス供給源５３側に切り替え、窒素ガス供給源５３から
窒素ガスを供給して真空チャック用溝１３からＬＣＤ用
ガラス基板３の裏面に向かって流出させるようにして、
この気体圧によってホットプレート４上に載置されたＬ
ＣＤ用ガラス基板３を、上方に向かって押圧する。これ
とともに、前述の実施例と同様にして基板支持ピン６を
最初遅く、しかる後速くなるよう上昇させることによ
り、ホットプレート４上からＬＣＤ用ガラス基板３を持
ち上げる。In the heating apparatus 1a of this embodiment having the above-described structure, the control device 12 controls the switching valve 51 to operate the vacuum pump 52.
Is set to communicate with the hot plate 4 by operating the vacuum pump 52 to perform vacuum evacuation.
The glass substrate 3 for LCD placed on top is sucked and held.
After that, the suction holding may be released during the placement.
In this state, a heating process is performed for a predetermined time. When the heating process is completed, the control device 12 switches the switching valve 51 to the nitrogen gas supply source 53 side, and supplies nitrogen gas from the nitrogen gas supply source 53 to supply a vacuum chuck. By flowing out from the groove 13 toward the back surface of the glass substrate 3 for LCD,
Due to this gas pressure, L placed on the hot plate 4
The CD glass substrate 3 is pressed upward. At the same time, the LCD glass substrate 3 is lifted from the hot plate 4 by raising the substrate support pins 6 at a low speed and then at a high speed in the same manner as in the above-described embodiment.
【００３５】したがって、基板支持ピン６が上昇開始時
に、例えば、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４
上に吸着されたような状態となっていても、真空チャッ
ク用溝１３からの窒素ガスの気体圧によってＬＣＤ用ガ
ラス基板３が全体的に上方に押圧され、ＬＣＤ用ガラス
基板３とホットプレート４との間に窒素ガスが入り込む
ので、速やかにＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート
４上から剥がれ、基板支持ピン６による持ち上げ動作時
にＬＣＤ用ガラス基板３が破損したり、基板支持ピン６
上で位置ずれを起こしたりすることを防止できる。ま
た、スムーズに剥がれるため、静電気の発生を抑制する
効果もある。特に、静電気を打ち消す（中和、除電）よ
うに窒素ガスをイオン化させておくと、この効果は著し
い。Therefore, when the substrate support pins 6 start to rise, for example, the LCD glass substrate 3
Even when the LCD glass substrate 3 is pressed upward by the gas pressure of the nitrogen gas from the vacuum chuck groove 13, the LCD glass substrate 3 and the hot plate 4 The glass substrate 3 for LCD is quickly peeled off from the hot plate 4, and the glass substrate 3 for LCD is damaged during the lifting operation by the substrate support pins 6,
It is possible to prevent misalignment from occurring. In addition, since it is peeled off smoothly, there is also an effect of suppressing generation of static electricity. In particular, this effect is remarkable when nitrogen gas is ionized so as to cancel out static electricity (neutralization and static elimination).
【００３６】なお、この実施例では、真空チャック用溝
１３から窒素ガスを送出する場合について説明したが、
窒素ガス送出用の専用の送出孔を設けたり、基板支持ピ
ン６の先端等から窒素ガスを送出するようにしてもよ
い。In this embodiment, the case where nitrogen gas is sent out from the vacuum chuck groove 13 has been described.
A dedicated delivery hole for delivering nitrogen gas may be provided, or nitrogen gas may be delivered from the tip of the substrate support pin 6 or the like.
【００３７】図６は、さらに他の実施例の基板処理装置
の構成を示すもので、この実施例の基板処理装置１ｂで
は、前述した基板支持ピン６とは別に、ベルト６０、ス
テップモータ６１、プリー６２、６３等から構成された
駆動機構により上下動自在に構成された基板突上げピン
６４が、ホットプレート４の端部に設けられた透孔６５
を貫通するように設けられている。FIG. 6 shows the structure of a substrate processing apparatus according to still another embodiment. In the substrate processing apparatus 1b according to this embodiment, a belt 60, a step motor 61, A substrate push-up pin 64, which is configured to be vertically movable by a drive mechanism including the pulleys 62, 63 and the like, is provided with a through hole 65 provided at an end of the hot plate 4.
Is provided so as to penetrate through.
【００３８】このように構成されたこの実施例の基板処
理装置１ｂでは、加熱処理が終了したＬＣＤ用ガラス基
板３を、ホットプレート４上から持ち上げる際、まず、
ステップモータ６１を駆動して基板突上げピン６４を上
昇させ、ＬＣＤ用ガラス基板３の一端を押し上げ、図６
に示すようにＬＣＤ用ガラス基板３を斜めに僅か持ち上
げる。そして、この後、基板支持ピン６を上昇させて前
述した実施例と同様にホットプレート４上からＬＣＤ用
ガラス基板３を持ち上げる。In the substrate processing apparatus 1b of this embodiment thus configured, when the LCD glass substrate 3 after the heating process is lifted from the hot plate 4, first,
The stepping motor 61 is driven to raise the substrate push-up pins 64 to push up one end of the glass substrate 3 for LCD.
The LCD glass substrate 3 is slightly lifted obliquely as shown in FIG. Thereafter, the substrate supporting pins 6 are lifted to lift the LCD glass substrate 3 from the hot plate 4 in the same manner as in the above-described embodiment.
【００３９】このように、本実施例の基板処理装置１ｂ
では、ホットプレート４上に載置されたＬＣＤ用ガラス
基板３を持ち上げる際、基板突上げピン６４で下部から
ＬＣＤ用ガラス基板３の一端を押圧し、一旦斜めに持ち
上げ剥離した後、基板支持ピン６で所定高さまで水平に
持ち上げるので、ＬＣＤ用ガラス基板３が徐々に持ち上
げられ帯電量を減少させることが可能となり、ＬＣＤ用
ガラス基板３が静電気によって強く帯電してその表面に
形成された回路パターン等が静電気によって損傷を受け
ることを防止することができる。As described above, the substrate processing apparatus 1b of this embodiment
Then, when lifting the LCD glass substrate 3 placed on the hot plate 4, one end of the LCD glass substrate 3 is pressed from below with the substrate push-up pins 64, and is lifted obliquely to be separated. 6, the LCD glass substrate 3 is gradually lifted up to a predetermined height, so that the amount of charge can be reduced, and the LCD glass substrate 3 is strongly charged by static electricity to form a circuit pattern formed on its surface. Can be prevented from being damaged by static electricity.
【００４０】この実施例では、基板突上げピン６４によ
って、ＬＣＤ用ガラス基板３を斜めに持ち上げるよう構
成したが、このような基板突上げピン６４を用いず、例
えば、図７に示す基板処理装置１ｃのように、基板支持
ピン６の長さ（高さ）を例えば１ｍｍ程度変え、長さの
長い基板支持ピン６ａによってＬＣＤ用ガラス基板３の
一端を押圧し斜めに持ち上げるようにしてもよい。In this embodiment, the LCD glass substrate 3 is obliquely lifted by the substrate push-up pins 64. However, without using such substrate push-up pins 64, for example, a substrate processing apparatus shown in FIG. As shown in 1c, the length (height) of the substrate support pins 6 may be changed, for example, by about 1 mm, and one end of the LCD glass substrate 3 may be pressed obliquely by the long substrate support pins 6a.
【００４１】また、基板支持ピン６の駆動系を分割し、
独立に上下動できるようにして、まず、１本の基板支持
ピン６を他の基板支持ピン６に先行させて上昇し、ＬＣ
Ｄ用ガラス基板３を斜めに持ち上げ、この後、他の基板
支持ピン６を同時に上昇させるようにしても、同様な効
果を得ることができる。Further, the drive system of the substrate support pins 6 is divided,
First, one substrate support pin 6 is moved up before another substrate support pin 6 so as to be able to move up and down independently.
The same effect can be obtained by lifting the glass substrate 3 for D obliquely and then raising the other substrate support pins 6 at the same time.
【００４２】さらに、図８に示すように、基板支持ピン
６の外側に、上下動可能とされた円筒状の基板突上げ機
構７０を設けたり、図９に示すように、基板支持ピン６
の内側に、上下動可能とされた棒状の基板突上げ機構７
１を設け、基板支持ピン６を２重構造として、これらの
基板突上げ機構７０、７１によってＬＣＤ用ガラス基板
３の一端を押圧し斜めに持ち上げるようにしてもよい。Further, as shown in FIG. 8, a cylindrical substrate push-up mechanism 70 which can be moved up and down is provided outside the substrate support pins 6, or as shown in FIG.
A bar-shaped substrate push-up mechanism 7 that can be moved up and down
1, the substrate support pins 6 may have a double structure, and one end of the LCD glass substrate 3 may be pressed obliquely by these substrate push-up mechanisms 70 and 71.
【００４３】なお、上記各実施例では、本発明を加熱装
置１、１ａに適用した場合について説明したが、例えば
図４に示した基板処理システムのアドヒージョン処理装
置３５、クーリング装置３６等についても同様にして適
用することができる。また、基板支持ピン６を固定にし
てホットプレート４を上下動させるようにしてもよい
し、両方とも上下動させてもよい。また、気体としては
空気、他の不活性ガスでもよい。In each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to the heating devices 1 and 1a has been described. However, the same applies to the adhesion processing device 35, the cooling device 36, and the like of the substrate processing system shown in FIG. And can be applied. Further, it may be caused to move up and down the hot plate 4 to the base plate support pin 6 is fixed, both may be moved up and down. Further, the gas may be air or another inert gas.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置及び熱処理装置及び基板処理方法によれば、載置台
上の被処理基板を基板支持ピンで持ち上げる際等に、被
処理基板およびその表面に形成された回路パターン等が
損傷を受けたり、被処理基板が位置ずれを起こすことを
防止することができるとともに、加熱工程のフレキシビ
リティーの向上を図ることができる。As described above, according to the substrate processing apparatus, the heat treatment apparatus, and the substrate processing method of the present invention, when the substrate to be processed on the mounting table is lifted by the substrate support pins, the substrate to be processed and the substrate It is possible to prevent a circuit pattern or the like formed on the surface from being damaged, or to prevent the substrate to be processed from being displaced, and to improve the flexibility of the heating step.
【図１】本発明の一実施例の加熱装置の構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a heating device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の加熱装置のホットプレートの構成を示す
図。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a hot plate of the heating device of FIG. 1;
【図３】図１の加熱装置の動作を説明するための図。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the heating device of FIG. 1;
【図４】図１の加熱装置が配置された基板処理システム
の構成を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a substrate processing system in which the heating device of FIG. 1 is arranged.
【図５】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a main part of a heating device according to another embodiment.
【図６】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating a main configuration of a heating device according to another embodiment.
【図７】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a main part of a heating device according to another embodiment.
【図８】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。FIG. 8 is a diagram illustrating a main configuration of a heating device according to another embodiment.
【図９】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。FIG. 9 is a diagram illustrating a main configuration of a heating device according to another embodiment.
１ 加熱装置 ２ ケース ３ ＬＣＤ用ガラス基板 ４ ホットプレート ５ 透孔 ６ 基板支持ピン ７ 連結ガイド ８ ベルト ９ ステップモータ １０，１１ プーリー １２ 制御装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heating device 2 Case 3 LCD glass substrate 4 Hot plate 5 Through-hole 6 Substrate support pin 7 Connection guide 8 Belt 9 Step motor 10, 11 Pulley 12 Control device
フロントページの続き (72)発明者 穴井 徳行 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 田上 公一 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 北村 晋治 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 友枝 隆之 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 岩崎 達也 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者 溝崎 健吾 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−101756（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−321651（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−56146（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 Continuing on the front page (72) Inventor Noriyuki Anai 2655 Tsukurei, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Inside Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. (72) Inventor Shinji Kitamura 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. (72) Inventor Tatsuya Iwasaki 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. (56) References JP-A-2-101756 (JP, A) JP-A-1-321651 (JP, A) JP-A-4-56146 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7) , DB name) H01L 21/68
Claims (14)
ンと、 前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させ
る駆動機構と、 前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させ
る機構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。1. A mounting plate on which a substrate to be processed is mounted, a plurality of substrate support pins provided so as to penetrate the mounting plate, and a relative vertical movement of the substrate supporting pins and the mounting plate. A substrate processing apparatus, comprising: a driving mechanism for causing the substrate to flow; and a mechanism for flowing nitrogen gas from the mounting plate toward the substrate.
ガスを流出させる機構が、前記載置板に設けられた前記
被処理基板を吸着保持するための真空チャック用開口か
ら前記窒素ガスを流出させる如く構成されたことを特徴
とする請求項１記載の基板処理装置。2. The method according to claim 1, wherein the nitrogen is applied from the mounting plate toward the substrate.
Mechanism for discharging the gas, before the target substrate provided on the mounting plate from the vacuum chuck opening for holding the adsorption according to claim 1, characterized in that it is constructed as to flow out the nitrogen gas Substrate processing equipment.
ック用開口は、前記被処理基板の大きさに応じて切り替
え可能に構成されたことを特徴とする請求項２記載の基
板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the vacuum chuck opening through which the nitrogen gas flows out is configured to be switchable in accordance with the size of the substrate to be processed.
ガスを流出させる機構が、イオン化した窒素ガスを流出
させる如く構成されたことを特徴とする請求項１〜３い
ずれか１項記載の基板処理装置。4. The method according to claim 1, further comprising :
Mechanism for discharging the gas, according to claim 1 to 3, have, characterized in that the composition described to efflux ionized nitrogen gas
The substrate processing apparatus of Zureka preceding claim.
ンと、 駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを
相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装
置において、 前記載置板上に載置された前記被処理基板を前記基板支
持ピンで持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部
から押圧して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この
後、前記被処理基板全体を押し上げるよう構成されたこ
とを特徴とする基板処理装置。5. A mounting plate on which a substrate to be processed is mounted, a plurality of substrate supporting pins provided so as to penetrate the mounting plate, and a driving motor, wherein the substrate supporting pins and the mounting plate are arranged In a substrate processing apparatus having a driving mechanism for relatively moving the substrate up and down, when lifting the substrate to be processed placed on the mounting plate with the substrate support pins, one end of the substrate to be processed is lifted from below. A substrate processing apparatus characterized in that the substrate is lifted obliquely by pressing, and thereafter, the entire substrate to be processed is pushed up.
板と前記載置板との間隔を所定の間隔に保持するプロキ
シミティーピンが、前記載置板に着脱自在に複数設けら
れたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の
基板処理装置。6. A plurality of proximity pins on which the substrate to be processed is placed and which keeps a predetermined interval between the substrate to be processed and the mounting plate are detachably provided on the mounting plate. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
に応じて着脱自在に設けられ、前記被処理基板の周縁部
を係止する複数のガイドピンを具備したことを特徴とす
る請求項１〜６いずれか１項記載の基板処理装置。7. The mounting plate according to claim 1, further comprising a plurality of guide pins detachably provided in accordance with a size of the substrate to be processed and locking a peripheral portion of the substrate to be processed. claim 1-6 the substrate processing apparatus according to any one.
置板と、 前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピ
ンと、 駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを
相対的に上下動させる駆動機構と、 前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記
基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、
途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成され
た制御手段とを具備したことを特徴とする熱処理装置。8. A mounting plate on which a substrate to be processed is mounted and subjected to heat treatment, a plurality of substrate support pins provided so as to penetrate the mounting plate, and a drive motor, wherein the substrate support pin and the mounting plate are provided. A driving mechanism for relatively moving the board up and down, controlling the drive, stop, and rotation speed of the drive motor, and performing the relative up and down movement of the substrate support pins and the mounting plate,
A heat treatment apparatus comprising: a control unit configured to be able to stop once in the middle and change the speed in the middle.
処理基板を前記基板支持ピンによって持ち上げる際に、
前記基板支持ピンの相対速度を始め遅く、その後速くす
るよう制御することを特徴とする請求項８記載の熱処理
装置。9. The method according to claim 1, wherein the control unit lifts the substrate to be processed on the mounting plate by the substrate support pins.
9. The heat treatment apparatus according to claim 8, wherein the relative speed of the substrate support pins is controlled to be low at first and then high.
処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板
支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前
記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御すること
を特徴とする請求項８記載の熱処理装置。10. The control means according to a distance between the mounting plate and the substrate to be processed, when the distance is short, the relative speed of the substrate support pins is low, and when the distance is large, the substrate support pin is low. 9. The heat treatment apparatus according to claim 8 , wherein control is performed to increase the relative speed of the pins.
に載置された前記被処理基板を、前記載置板上に受け渡
す際に、前記被処理基板と前記載置板との距離が、前記
被処理基板を予備加熱可能な所定の距離となった時点で
一旦基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動を停止
するよう構成されたことを特徴とする請求項８〜１０い
ずれか１項記載の熱処理装置。11. The control means, when transferring the substrate to be processed mounted on the substrate support pins onto the mounting plate, sets the distance between the substrate to be processed and the mounting plate to be equal to each other. And said
Once stop the relative vertical movement between the substrate support pins and the mounting plate when the substrate to be processed is in the backup heatable predetermined distance
Claims 8-10 have, characterized in that it has been to so that configuration
The heat treatment apparatus according to claim 1 .
る基板処理方法において、 所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却
する工程と、 この工程の後に、前記被処理基板を基板載置台から所定
の高さまで第１の速度で離間させる工程と、 その後、前記第１の速度より速い第２の速度で前記被処
理基板を前記基板載置台からさらに離間させる工程とを
備えたことを特徴とする基板処理方法。12. A substrate processing method for heating or cooling a substrate to be processed, comprising: heating or cooling the substrate to be processed at a predetermined temperature for a predetermined time; A step of separating the substrate to be processed from the substrate mounting table at a first speed to a predetermined height, and a step of further separating the substrate to be processed from the substrate mounting table at a second speed higher than the first speed. A substrate processing method comprising:
記被処理基板の下方から所定の気体を流出させ、該気体
により基板載置台に載置された前記被処理基板を上方に
向けて押圧する工程を備えたことを特徴とする請求項１
２記載の基板処理方法。13. After the heating or cooling step, a predetermined gas is caused to flow out from below the substrate to be processed, and the gas is used to press the substrate to be processed placed on the substrate mounting table upward. claim and comprising the step 1
3. The substrate processing method according to item 2 .
る基板処理方法において、 所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却
する工程と、 この工程の後に、前記被処理基板の一端を下部から押圧
して、基板載置台から斜めに前記被処理基板を押し上げ
る工程と、 この工程の後に、前記被処理基板の全体を前記基板載置
台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とす
る基板処理方法。14. A substrate processing method for heating or cooling a substrate to be processed, comprising: heating or cooling the substrate to be processed at a predetermined temperature for a predetermined period of time; A step of pressing one end from below to push up the substrate to be processed obliquely from the substrate mounting table; and, after this step, a step of pushing up the entirety of the substrate to be processed upward from the substrate mounting table. Characteristic substrate processing method.
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