JP3629380B2

JP3629380B2 - Coating processing system and coating processing method

Info

Publication number: JP3629380B2
Application number: JP2498499A
Authority: JP
Inventors: 孝介吉原
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-02-02
Filing date: 1999-02-02
Publication date: 2005-03-16
Anticipated expiration: 2019-02-02
Also published as: JP2000218217A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置（ＬＣＤ）基板等の基板の表面上に例えばレジスト膜のような塗布膜を形成する塗布処理システムおよび塗布処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後の半導体ウエハに対して所定パターンの露光処理を行った後にそのパターンを現像する現像処理とが行われている。このレジスト塗布処理においては、半導体ウエハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法としてスピンコーティング法等が多用されている。
【０００３】
図１１は、このスピンコーティング法を利用した従来の塗布処理ユニットの概要を示すものである。例えばスピンチャック１５１により真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で、図示しない回転駆動手段によりスピンチャック１５１とともに半導体ウエハＷを回転させ、半導体ウエハＷの上方に配置されたレジストノズル１５２からウエハＷ表面の略中央にレジスト液を滴下する。滴下されたレジスト液は、遠心力によって半導体ウエハＷの径方向外方に向かって広げられる。その後レジスト液の滴下を停止し、半導体ウエハＷの回転数を調節して膜厚を整え、さらに高速で回転させて、残余のレジストを振り切るとともに乾燥させている。これにより、半導体ウエハ上に所定膜厚のレジスト膜が形成される。
【０００４】
また、このレジスト液を塗布する塗布工程の前工程としては、レジストの定着性を高めるために、半導体ウエハに疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）を施し、冷却処理ユニットにて半導体ウエハを冷却し、その後、ウエハをレジスト塗布処理ユニットに搬入している。
【０００５】
さらに、レジスト液の塗布工程の後工程としては、レジスト液を塗布したウエハを加熱処理ユニットに搬入し、加熱プレートからの輻射熱によりウエハをプリベーク処理し、その後、冷却処理ユニットで半導体ウエハを冷却した後、露光および現像処理などを施す。
【０００６】
これらレジスト塗布および現像のための一連の工程は、各処理ユニットを一体化したレジスト塗布現像処理システムによって行われ、そこでは半導体ウエハを１枚ずつ処理する枚葉式が採用されている。そして、このようなレジスト塗布現像処理システムにおいては、複数枚（例えば２５枚単位）の半導体ウエハをカセットに収納した状態で搬入・搬出を行い、一つのロット毎に複数枚のウエハを連続して処理する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、カセットに収納した複数枚の半導体ウエハを一枚ずつ連続して処理する際、この複数枚の半導体ウエハの全てについて、同一の条件で処理できるとは限らず、例えば複数枚の半導体ウエハのうち、最初の数枚または最後の数枚のレジスト膜の膜厚が設定値とは異なる場合がある。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、複数枚の基板を一枚ずつ連続して処理する際に、これら複数の基板間に塗布膜の膜厚不均一が生じ難い塗布処理システムおよび塗布処理方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、カセットに収納した複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布処理を行う塗布処理システムであって、
塗布に先立って基板を所定温度に冷却する冷却処理ユニットと、
基板に対して塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布処理ユニットと、
冷却処理ユニットにおける冷却時間を、複数枚の基板のうち最初の所定枚数の基板について、残りの基板よりも長く設定するように制御する制御手段と
を具備することを特徴とする塗布処理システムを提供する。
【００１０】
この場合に、前記冷却処理ユニットは、基板を冷却処理する冷却プレートと、冷却プレートに対して突没自在に設けられ、冷却プレート上または近接した冷却位置とその上方の搬入搬出位置との間で基板を移動させるリフトピンとを有し、前記制御手段は、前記リフトピンを制御することにより各基板の冷却時間を制御するようにすることができる。
【００１１】
本発明の第２の観点によれば、カセットに収納した複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布処理を行う塗布処理システムであって、
基板に対して塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布処理ユニットと、
塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理ユニットと、
加熱処理ユニットにおいて、各基板について加熱処理前の待機時間を設定するとともに、最後の所定枚数の基板についてその前の基板よりも前記待機時間を長く設定するように制御する制御手段と
を具備することを特徴とする塗布処理システムが提供される。
【００１２】
この第２の観点の塗布処理システムにおいて、前記加熱処理ユニットを、基板を加熱処理する加熱プレートと、加熱プレートに対して上下動可能に設けられ、加熱プレート上またはそれに近接した位置にある加熱位置とその上方の搬入搬出位置との間で基板を移動させるリフトピンとを有するものとし、前記制御手段が、前記リフトピンを制御することにより、加熱処理前に基板をリフトピン上に載置した状態で基板を待機させるようにすることができる。
【００１３】
本発明の第３の観点によれば、カセットに収納した複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して所定温度に冷却する冷却処理工程と、
前記冷却処理後の基板に対して一枚ずつ連続して塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と
を具備し、
前記冷却処理工程の冷却時間を、複数枚の基板のうち最初の所定枚数の基板について、残りの基板よりも長く設定するように制御することを特徴とする塗布処理方法が提供される。
【００１４】
本発明の第４の観点によれば、カセットに収納した複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
前記塗布膜形成後の基板に対して一枚ずつ連続して所定温度に加熱する加熱処理工程とを具備し、
前記加熱処理工程において、各基板について加熱処理前の待機時間を設定するとともに、最後の所定枚数の基板についてその前の基板よりも前記待機時間を長く設定することを特徴とする塗布処理方法が提供される。
【００１５】
上記本発明の第１の観点および第３の観点においては、複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布処理を行うにあたり、塗布に先立って基板を所定温度に冷却する際に、複数枚の基板のうち最初の所定枚数の基板について、残りの基板よりも冷却時間を長く設定するように制御するので、最初の所定枚数において冷却不足になることが防止され、複数枚の基板の連続処理を行う際における基板間の膜厚の不均一が防止される。
【００１６】
すなわち、塗布処理工程の前工程として、基板を冷却する際には、最初の数枚は先行する基板がないかまたは少ないため、連続処理のレシピ通りの冷却時間に設定されるが、所定枚数を過ぎると、後続の工程の時間が律速となり、設定した冷却時間よりも長い時間冷却されることとなる。つまり、最初の所定枚の基板と、それ以降の基板とでは、塗布前の冷却時間が異なることとなるため、冷却時間の短い最初の所定枚数の基板における塗布膜の膜厚が厚くなってしまうものと考えられる。
【００１７】
このため、本発明では、複数枚の基板のうち最初の所定枚数の基板について、残りの基板よりも冷却時間を長く設定するように制御する。これにより、最初の所定枚数の基板における塗布膜の膜厚が厚くなるという不都合が防止され、複数枚の基板間における膜厚の不均一を解消することができる。
【００１８】
さらに、本発明の第２の観点および第４の観点においては、複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布処理を行うにあたり、加熱処理ユニットにおいて、各基板について加熱処理前の待機時間を設定するとともに、最後の所定枚数の基板についてその前の基板よりも前記待機時間を長く設定するようにしたので、各基板に対して安定した加熱処理を行うことができ、基板間の膜厚均一性が極めて良好なものとなる。
【００１９】
すなわち、加熱処理後に加熱処理ユニットにおいて基板を待機させると、熱処理後に加熱プレートの余熱によりさらに加熱されるが、このような後加熱は、塗布膜に影響を及ぼしやすく、塗布膜の安定性の観点からは好ましくない。これに対して、加熱処理前に基板を待機させると、その際に加熱されたとしても、その後に加熱処理が行われるのであるから、加熱後待機の場合に比べて塗布膜への影響は少ない。
【００２０】
また、塗布工程の後工程として、基板に対して加熱処理する際には、最後の数枚に至る前までは、加熱処理後に加熱処理ユニットにおいて一定の待機時間があり、その際の余熱により膜厚が調整されるが、最後の数枚では連続処理の都合上、加熱後の待機時間をあまりとることができず、塗布膜の膜厚が厚くなってしまう。
【００２１】
このため、本発明では、各基板について加熱処理前の待機時間を設定するとともに、最後の所定枚数の基板についてその前の基板よりも前記待機時間を長く設定するようにすることにより、このような加熱処理後の待機における不都合を解消するとともに、最後の所定枚数において加熱が不足することが防止され、最後の所定枚数の基板における塗布膜の膜厚が厚くなるという不都合が防止され、複数枚の基板間における膜厚の不均一を解消することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。図１ないし図３は、各々本発明の実施の形態が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現像処理システム１の全体構成の図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背面をそれぞれ示している。
【００２３】
この塗布現像処理システム１は、図１に示すように、被処理基板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェイス部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００２４】
前記カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向に一列に載置され、このカセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向：垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。
【００２５】
さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ_３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２６】
前記処理ステーション１１には、図１に示すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に亘って多段に配置されている。
【００２７】
主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成してもよい。
【００２８】
ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００２９】
また、図１に示すように、この例では、５つの処理ユニット群Ｇ_１、Ｇ_２、Ｇ_３、Ｇ_４、Ｇ_５が配置可能な構成であり、第１および第２の処理ユニット群Ｇ_１、Ｇ_２の多段ユニットは、システム正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ_３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ_４の多段ユニットはインターフェイス部１２に隣接して配置され、第５の処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【００３０】
図２に示すように、第１の処理ユニット群Ｇ_１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ_２でも、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機械的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【００３１】
図３に示すように、第３の処理ユニット群Ｇ_３では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられている。
【００３２】
第４の処理ユニット群Ｇ_４でも、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３３】
このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【００３４】
前記インターフェイス部１２は、図１に示すように、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置２３が配置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ_４の多段ユニットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００３５】
また前記塗布現像処理システム１では、図１に示すように、既述の如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットが配置できるようになっているが、この第５の処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットは、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２からみて、側方へシフトできるように構成されている。したがって、この第５の処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお第５の処理ユニット群Ｇ_５の多段ユニットは、そのように案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウエハ搬送機構２２に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【００３６】
このようなレジスト塗布現像処理システムにおいては、カセットステーション１０において、ウエハ搬送体２１によりウエハカセットＣＲから一枚のウエハＷが取り出され、処理ユニット群Ｇ_３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装置４６により、まず、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）において、レジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。引き続き、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、後述するようにして塗布膜が形成される。
【００３７】
塗布処理終了後、ウエハＷはプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にてプリベーク処理され、その後クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却される。冷却されたウエハＷは、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、処理ユニット群Ｇ_４のイクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。
【００３８】
その後、ウエハＷはウエハ搬送体２４によりインターフェイス部１２に搬送去れ、周辺露光装置２３により周辺露光されて余分なレジストが除去された後、インターフェイス部１２に隣接して設けられた図示しない露光装置により所定のパターンに露光される。
【００３９】
露光後のウエハＷは、再びインターフェイス部１２に戻され、ウエハ搬送体２４により、イクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、いずれかのポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。
【００４０】
その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンを現像する。現像終了後、ウエハＷはいずれかのポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬送されてポストベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。このような一連の処理が終了後、処理ユニット群Ｇ_３のイクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に戻され、いずれかのカセットＣＲに収容される。
【００４１】
これらの処理は、複数のウエハＷが次々に処理ステーション１１に供給されて連続的に行われる。
【００４２】
次に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）について説明する。図４および図５は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面図および略平面図である。
【００４３】
このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰの内側にはスピンチャック５２が配置されている。スピンチャック５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられた開口５０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介してたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降ガイド手段６２と結合されている。駆動モータ５４の側面にはたとえばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャケット６４が取り付けられ、フランジ部材５８は、この冷却ジャケット６４の上半部を覆うように取り付けられている。
【００４４】
レジスト塗布時、フランジ部材５８の下端５８ａは、開口５０ａの外周付近でユニット底板５０に密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８との間でウエハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を上方へ持ち上げることでフランジ部材５８の下端がユニット底板５０から浮くようになっている。
【００４５】
ウエハＷの表面にレジスト液を吐出するためのレジストノズル８６は、レジスト供給管８８を介して、エアーオペバルブ（図示略）に接続されている。このレジストノズル８６はレジストノズルスキャンアーム９２の先端部にノズル保持体１００を介して着脱可能に取り付けられている。このレジストノズルスキャンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動可能な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９６と一体にＹ方向に移動するようになっている。
【００４６】
また、レジストノズルスキャンアーム９２は、レジストノズル待機部９０でレジストノズル８６を選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方向にも移動するようになっている。
【００４７】
さらに、レジストノズル待機部９０でレジストノズル８６の吐出口が溶媒雰囲気室の口９０ａに挿入され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル先端のレジスト液が固化または劣化しないようになっている。また、複数本のレジストノズル８６が設けられ、例えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズルが使い分けられるようになっている。
【００４８】
また、レジストノズルスキャンアーム９２の先端部（ノズル保持体１００）には、ウエハ表面へのレジスト液の吐出に先立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らすための溶剤例えばシンナーを吐出するシンナーノズル１０１が取り付けられている。このシンナーノズル１０１は図示しない溶剤供給管を介してシンナー供給部（１３８、図７）に接続されている。シンナーノズル１０１とレジストノズル８６はレジストノズルスキャンアーム９２のＹ移動方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置するように取り付けられている。
【００４９】
さらに、ガイドレール９４上には、レジストノズルスキャンアーム９２を支持する垂直支持部材８６だけでなく、リンスノズルスキャンアーム１２０を支持しＹ方向に移動可能な垂直支持部材１２２も設けられている。このリンスノズルスキャンアーム１２０の先端部にはサイドリンス用のリンスノズル１２４が取り付けられている。Ｙ方向駆動機構（図示せず）によってリンスノズルスキャンアーム１２０およびリンスノズル１２４はカップＣＰの側方に設定されたリンスノズル待機位置（実線の位置）とスピンチャック５２に設置されているウエハＷの周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間で並進または直線移動するようになっている。
【００５０】
このように構成されたレジスト塗布装置ユニット（ＣＯＴ）において、レジスト液の消費量が比較的少ない省レジスト方式のレジスト液の塗布動作について、以下に説明する。
【００５１】
まず、主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８によってレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内のカップＣＰの真上までウエハＷが搬送されると、そのウエハＷは、例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降ガイド手段６２によって上昇してきたスピンチャック５２によって真空吸着される。主ウエハ搬送機構２２はウエハＷをスピンチャック５２に真空吸着せしめた後、保持部材４８をレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内から引き戻し、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）へのウエハＷの受け渡しを終える。
【００５２】
次いで、スピンチャック５２はウエハＷがカップＣＰ内の定位置まで下降し、駆動モータ５４によってスピンチャック５２の回転駆動が開始される。その後、レジストノズル待機部９０からのノズル保持体１００の移動が開始される。このノズル保持体１００の移動はＹ方向に沿って行われる。
【００５３】
溶剤ノズル１０１の吐出口がスピンチャック５２の中心（ウエハＷの中心）上に到達したところで、溶剤、例えばシンナーを、回転するウエハＷの表面に供給する。ウエハＷの表面に供給されたシンナーは遠心力によってウエハＷ中心からその周囲全域にむらなく広がる。このように、レジスト液の塗布に先立ってシンナー等の溶剤で半導体ウエハＷ表面の表面全体を濡らす、いわゆるプリウエット処理を行うことにより、レジストがより拡散しやすくなり、結果としてより少量のレジスト液量で均一なレジスト膜を形成することができる。
【００５４】
続いて、ノズル保持体１００は、レジストノズル８６の吐出口がウエハＷの中心上に到達するまでＹ方向に移動される。そして、ウエハＷが所定の回転数で回転された状態で、レジストノズル８６の吐出口からレジスト液が、回転するウエハＷの表面の中心に滴下され、遠心力によりウエハＷの中心から周辺に向けて拡散されて、ウエハＷ上にレジスト膜が形成される。この際に、レジスト消費量の削減の観点からは、比較的高速度、例えば、３０００ｒｐｍ以上で回転される。
【００５５】
レジスト液の滴下終了後、必要に応じてウエハＷの回転速度が所定時間所定の回転数まで減速されて膜厚が調整され、ついで、ウエハＷの回転速度が加速されて、残余のレジスト液が振り切られるとともに乾燥され、所定厚さのレジスト膜が形成される。
【００５６】
その後、ノズル保持体１００がホームポジションに戻され、図示しない洗浄手段により、ウエハＷの背面がバックリンスされ、また、必要があれば、図示しない洗浄手段により、ウエハＷの側縁部がサイドリンスされる。その後、ウエハＷの回転速度が加速されて、バックリンスおよびサイドリンスのリンス液が振り切られ、その後、ウエハＷの回転が停止されて、塗布処理工程が終了する。
【００５７】
次に、図６を参照して、本発明の加熱処理ユニットであるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）について説明する。図６は、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の概略断面図である。
【００５８】
プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）は、昇降自在のカバー１３１を有し、このカバー１３１の下側には、ウエハＷを加熱するための加熱プレート１３２がその加熱面を水平にして配置されている。この加熱プレート１３２には、ヒーター（図示せず）が装着されており、所望の温度に設定可能となっている。
【００５９】
この加熱プレート１３２の表面には、複数の固定ピン（プロキシミティピン）１３３が設けられており、これらの固定ピン１３３によって加熱プレート１３２との間に微少間隔をおいてウエハＷが保持されている。すなわち、プロキシミティ方式が採用されており、加熱プレート１３２とウエハＷとの直接の接触を避け、加熱プレート１３２からの輻射熱によって、ウエハＷが加熱処理されるようになっている。これにより、加熱プレート１３２からのウエハＷの汚染および剥離帯電が防止される。なお、ウエハＷが直接加熱プレート１３２に載置されるようにしてもよい。
【００６０】
また、加熱プレート１３２の複数の孔を通挿して、複数のリフトピン１３４が昇降自在に設けられている。これらリフトピン１３４の下部は、支持部材１３５により、水平方向移動自在に支持されており、この支持部材１３５は、昇降機構１３６により昇降されるように構成されている。この昇降機構１３６によるリフトピン１３４の昇降動作は、設定器１３８の設定に基づいてコントローラ１３７により制御される。
【００６１】
このように構成されたプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）において、昇降機構１３６によって支持部材１３５が上昇されると、リフトピン１３４は、上昇してレジスト液が塗布されたウエハＷを受け取る。次いで、リフトピン１３４が下降して、ウエハＷが加熱プレート１３２に近接した加熱位置に配置される。これにより、ウエハＷは、加熱プレート１３２からの輻射熱によって加熱処理される。加熱処理終了後、リフトピン１３４が再び上昇して、ウエハＷが搬出位置まで持ち上げられる。
【００６２】
次に、図７を参照して本発明の冷却処理ユニットであるクーリングユニット（ＣＯＬ）について説明する。図７は、クーリングユニット（ＣＯＬ）の概略断面図である。図７に示すように、このクーリングユニット（ＣＯＬ）は、基本的に図６のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）とほぼ同様の構造を有している。
【００６３】
クーリングユニット（ＣＯＬ）は、昇降自在のカバー１４１を有し、このカバー１４１の下側には、ウエハＷを冷却するための冷却プレート１４２がその冷却面を水平にして配置されている。この冷却プレート１４２には、冷媒流路が設けられており、ウエハＷを所定の温度冷却可能となっている。
【００６４】
この冷却プレート１４２の表面には、複数の固定ピン（プロキシミティピン）１４３が設けられており、これらの固定ピン１４３によって冷却プレート１４２との間に微少間隔をおいてウエハＷが保持されている。なお、ウエハＷが直接冷却プレート１４２に載置されるようにしてもよい。
【００６５】
また、冷却プレート１４２の複数の孔を通挿して、複数のリフトピン１４４が昇降自在に設けられている。これらリフトピン１４４の下部は、支持部材１４５により、水平方向移動自在に支持されており、この支持部材１４５は、昇降機構１４６により昇降されるように構成されている。この昇降機構１４６によるリフトピン１４４の昇降動作は、設定器１４８の設定に基づいてコントローラ１４７により制御される。
【００６６】
このように構成されたクーリングユニット（ＣＯＬ）において、昇降機構１４６によって支持部材１４５が上昇されると、リフトピン１４４は、上昇して例えば疎水化処理が終了したウエハＷを受け取る。次いで、リフトピン１４４が下降して、ウエハＷが冷却プレート１４２に近接した冷却位置に配置される。これにより、ウエハＷは、冷却プレート１３２によって冷却される。冷却処理終了後、リフトピン１４４が再び上昇して、ウエハＷが搬出位置まで持ち上げられる。
【００６７】
次に、塗布工程の前工程として冷却処理するクーリングユニット（ＣＯＬ）の制御について説明する。
図８は、レジスト塗布現像処理システムにおいて、カセットに収納した複数枚のウエハＷについて一枚ずつ上記一連の処理を行った場合におけるウエハＷの最初からの枚数とレジスト膜厚の関係の一例を示すグラフであり、複数枚（例えば２５枚単位）のウエハＷのうち、最初の２〜３枚のウエハＷが残りの多数枚のウエハＷに比べてレジスト膜の膜厚が厚くなっている。
【００６８】
この原因としては、ウエハＷがアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）で疎水化処理された後にクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却される際、最初の２〜３枚のウエハＷに関しては、先行するウエハＷがないかまたは少ないため、連続処理のレシピ通りの冷却時間に設定されるが、これを過ぎると、レジスト塗布後のプリベーク処理の時間が律速となり、設定した冷却時間よりも長い時間冷却されることとなるためと考えられる。つまり、最初の２〜３枚のウエハと、それ以降のウエハとでは、レジスト塗布前の冷却時間が異なることとなるため、冷却時間の短い最初の２〜３枚のウエハにおけるレジスト膜厚が厚くなってしまうものと考えられる。
【００６９】
そこで、本実施の形態では、最初の２〜３枚のウエハについて、残りのウエハよりも冷却時間が長くなるように制御する。具体的には、設定器１４８を最初の２〜３枚のウエハの冷却時間が長くなるように設定しておき、この設定に基づいて、コントローラ１４７により昇降機構１４６によるリフトピン１４４の昇降動作を制御する。これにより、最初の２〜３枚のウエハも十分に冷却することができ、冷却不足になることが防止され、ウエハ間の膜厚の不均一を防止することができる。
【００７０】
次に、上述したベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の制御について説明する。
図９は、レジスト塗布現像処理システムにおいて、カセットに収納した複数枚のウエハＷについて一枚ずつ上記一連の処理を行った場合におけるウエハＷの最初からの枚数とレジスト膜厚の関係の他の例を示すグラフであり、複数枚（例えば２５枚単位）のウエハＷのうち、最後の２〜３枚のウエハＷが他の多数枚のウエハＷに比べてレジスト膜の膜厚が厚くなっている。
【００７１】
この原因としては、レジスト塗布工程の後工程として、ウエハＷに対してプリベーク処理（加熱処理）する際には、最後の２〜３枚に至る前までは、プリベーク処理後にプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）において、リフトピン１３４にウエハＷを載置した状態で所定時間待機され、その際の余熱により膜厚が調整されるが、最後の２〜３枚では連続処理の都合上、加熱後の待機時間をあまりとることができないためと考えられる。
【００７２】
そこで、図１０に示すように、複数枚のウエハＷのうち、最後の２〜３枚のウエハＷについて、プリベーク処理の前に、リフトピン１３４によりウエハＷを載置した状態で待機するように制御する。具体的には、設定器１３８を最後の２〜３枚のウエハについて、加熱前にリフトピン１３４上に所定時間待機されるように設定しておき、この設定に基づいて、コントローラ１３７により昇降機構１３６によるリフトピン１３４の昇降動作を制御する。これにより、最後の２〜３枚のウエハについて、トータルの余熱時間を他のウエハと同様にすることができ、最後の２〜３枚のウエハのレジスト膜が厚くなるという不都合が防止され、複数枚のウエハ間におけるレジスト膜厚の不均一を解消することができる。
【００７３】
また、このようなプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）では、プリベーク処理後にウエハを待機させると、プリベーク処理後に加熱プレート１３２の余熱によりさらに加熱されるが、このような後加熱は、レジスト膜に影響を及ぼしやすく、レジスト膜の安定性の観点からは好ましくない。これに対して、プリベーク処理前にユニット内にウエハを待機させると、その際に加熱されたとしても、その後に加熱処理が行われるのであるから、プリベーク後の待機の場合に比べてレジスト膜への影響は少ない。したがって、コントローラ１３７によってリフトピン１３４を制御し、複数のウエハの全てにおいてプリベーク処理前の待機が行われるようにし、かつウエハ間の膜厚の不均一が生じないように、各ウエハの前待機の時間を制御する。このように、各ウエハについてプリベーク処理前の待機時間を設定するとともにその長さを制御するようにすることにより、上述のようなプリベーク処理後の待機における不都合を解消するとともに、最後の２〜３枚のウエハが加熱不足となってレジスト膜の膜厚が厚くなるという不都合が防止され、複数枚のウエハ間における膜厚の不均一を解消することができる。
【００７４】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、塗布膜としてレジスト膜を用いた場合について説明したが、他の膜、例えば、ポリイミド膜であっても用いることができる。ポリイミド膜の場合にも、塗布前の冷却処理および加熱後の加熱処理の条件が不十分であると、上述した図８および図９と同様な膜厚のウエハ間ばらつきが生じるが、上述と同様の制御を行うことにより、このようなばらつきを解消することができる。また、半導体ウエハにレジスト液を塗布する場合について説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例えばＬＣＤ基板に塗布液を塗布する場合にも本発明を適用することができる。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布処理を行うにあたり、塗布に先立って基板を所定温度に冷却する際に、複数枚の基板のうち最初の所定枚数の基板について、残りの基板よりも冷却時間を長く設定するように制御するので、最初の所定枚数において冷却不足になることが防止され、複数枚の基板の連続処理を行う際における基板間の膜厚の不均一が防止される。
【００７６】
さらに、複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布処理を行うにあたり、加熱処理ユニットにおいて、各基板について加熱処理前の待機時間を設定するとともに、最後の所定枚数の基板についてその前の基板よりも前記待機時間を長く設定するようにしたので、各基板に対して安定した加熱処理を行うことができるとともに、最後の所定枚数において加熱が不足することが防止され、基板間の膜厚均一性が極めて良好なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図。
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。
【図４】図１に示した塗布現像処理システムに装着したレジスト塗布処理ユニットの全体構成を示す断面図。
【図５】図４に示したレジスト塗布処理ユニットの平面図。
【図６】図１のシステムに装着されたプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）を示す概略断面図。
【図７】図１のシステムに装着されたクーリングユニット（ＣＯＬ）を示す概略断面図。
【図８】レジスト塗布現像処理システムにおいて、カセットに収納した複数枚のウエハＷについて一枚ずつ上記一連の処理を行った場合におけるウエハＷの最初からの枚数とレジスト膜厚の関係の一例を示すグラフ。
【図９】レジスト塗布現像処理システムにおいて、カセットに収納した複数枚のウエハＷについて一枚ずつ上記一連の処理を行った場合におけるウエハＷの最初からの枚数とレジスト膜厚の関係の他の例を示すグラフ。
【図１０】ウエハをリフトピンにより前待機している状態のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）を示す概略断面図。
【図１１】従来のレジスト塗布装置の概略構成図。
【符号の説明】
５２……スピンチャック（回転手段）
８６……レジストノズル（塗布液吐出ノズル）
１３２……加熱プレート
１３４，１４４……リフトピン
１３７，１４７……コントローラ
１４２……冷却プレート
ＣＯＬ……クーリングユニット（冷却処理ユニット）
ＰＲＥＢＡＫＥ……ベーキングユニット（加熱処理ユニット）
Ｗ……半導体ウエハ（基板）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a coating processing system and a coating processing method for forming a coating film such as a resist film on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal display (LCD) substrate.
[0002]
[Prior art]
For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process for forming a resist film on the surface of a semiconductor wafer and a predetermined pattern exposure process are performed on the semiconductor wafer after the resist coating, and then the pattern is developed. Development processing is performed. In this resist coating process, a spin coating method or the like is frequently used as a method for uniformly coating a resist solution on the surface of a semiconductor wafer.
[0003]
FIG. 11 shows an outline of a conventional coating processing unit using this spin coating method. For example, in a state where the wafer W is fixedly held by vacuum chucking by the spin chuck 151, the semiconductor wafer W is rotated together with the spin chuck 151 by a rotation driving means (not shown), and the surface of the wafer W is transferred from the resist nozzle 152 disposed above the semiconductor wafer W. A resist solution is dropped in the approximate center of The dropped resist solution is spread outward in the radial direction of the semiconductor wafer W by centrifugal force. Thereafter, the dropping of the resist solution is stopped, the number of rotations of the semiconductor wafer W is adjusted to adjust the film thickness, and the film is further rotated at a high speed so that the remaining resist is shaken off and dried. Thereby, a resist film having a predetermined thickness is formed on the semiconductor wafer.
[0004]
In addition, as a pre-process of the coating process for applying the resist solution, the semiconductor wafer is subjected to a hydrophobization process (HMDS process) to improve the resist fixing property, and then the semiconductor wafer is cooled by a cooling processing unit. The wafer is carried into the resist coating unit.
[0005]
Further, as a subsequent step of the resist solution coating step, the wafer coated with the resist solution is carried into a heat treatment unit, the wafer is pre-baked by radiant heat from a heating plate, and then the semiconductor wafer is cooled by a cooling processing unit. Thereafter, exposure and development are performed.
[0006]
A series of these steps for resist coating and development is performed by a resist coating and developing processing system in which the processing units are integrated, and a single wafer processing method for processing semiconductor wafers one by one is adopted. In such a resist coating and developing system, a plurality of (for example, 25 units) semiconductor wafers are carried in and out in a state of being stored in a cassette, and a plurality of wafers are continuously provided for each lot. To process.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a plurality of semiconductor wafers stored in a cassette are successively processed one by one, not all of the plurality of semiconductor wafers can be processed under the same conditions. Of these, the film thickness of the first few or the last several resist films may be different from the set value.
[0008]
The present invention has been made in view of such circumstances, and when a plurality of substrates are successively processed one by one, a coating processing system in which a non-uniform coating film thickness hardly occurs between the plurality of substrates, and It aims at providing the coating processing method.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention, there is provided a coating processing system for performing coating processing on a plurality of substrates stored in a cassette one by one continuously,
A cooling unit that cools the substrate to a predetermined temperature prior to application;
A coating processing unit for supplying a coating liquid to a substrate to form a coating film;
Control means for controlling the cooling time in the cooling processing unit to be set longer than the remaining substrates for the first predetermined number of substrates among the plurality of substrates;
An application processing system is provided.
[0010]
In this case, the cooling processing unit is provided so as to be able to project and retract with respect to the cooling plate for cooling the substrate, and between the cooling position on or near the cooling plate and the loading / unloading position above it. And a lift pin for moving the substrate, and the control means controls the cooling time of each substrate by controlling the lift pin.
[ 0011 ]
First of the present invention 2 According to the aspect of the present invention, there is provided a coating processing system that performs coating processing continuously on a plurality of substrates stored in a cassette one by one,
A coating processing unit for supplying a coating liquid to a substrate to form a coating film;
A heat treatment unit for heating the substrate on which the coating film is formed;
In the heat treatment unit, set the waiting time before heat treatment for each substrate In the last predetermined number of substrates, the waiting time is set longer than the previous substrate. Control means to control and
A coating treatment system is provided.
[ 0012 ]
this In the coating treatment system of the second aspect, the heat treatment unit includes a heating plate that heat-treats the substrate, a heating position that is provided so as to be movable up and down with respect to the heating plate, and is located on or near the heating plate. It has a lift pin that moves the substrate to and from the loading / unloading position above it, and the control means controls the lift pin so that the substrate is placed on the lift pin before the heat treatment. It can be made to wait.
[ 0013 ]
First of the present invention 3 According to the above aspect, a cooling process step of continuously cooling each of the plurality of substrates stored in the cassette to a predetermined temperature, and
A coating film forming step of continuously supplying a coating liquid one by one to the substrate after the cooling treatment to form a coating film;
Comprising
There is provided a coating processing method characterized in that the cooling time of the cooling processing step is controlled to be set longer than the remaining substrates for the first predetermined number of substrates among the plurality of substrates.
[ 0014 ]
First of the present invention 4 According to this aspect, a coating film forming step of continuously forming a coating film by supplying a coating liquid one by one to a plurality of substrates stored in a cassette;
A heat treatment step of continuously heating to a predetermined temperature one by one with respect to the substrate after the coating film is formed,
In the heat treatment step, for each substrate, a standby time before the heat treatment is set. The waiting time is set longer for the last predetermined number of boards than for the previous board. A coating treatment method is provided.
[ 0015 ]
First aspect and first aspect of the invention 3 In this aspect, when performing the coating process on each of the plurality of substrates one by one, when cooling the substrate to a predetermined temperature prior to coating, the first predetermined number of substrates among the plurality of substrates Since the control is performed so that the cooling time is set longer than that of the remaining substrates, it is prevented that the cooling is insufficient in the first predetermined number of sheets, and the film thickness between the substrates when continuous processing of a plurality of substrates is performed. Non-uniformity is prevented.
[ 0016 ]
That is, as a pre-process of the coating process, when the substrate is cooled, the first few sheets are set to the cooling time according to the recipe of the continuous process because there are no or few preceding substrates. After that, the time of the subsequent process becomes rate-determining, and cooling is performed for a longer time than the set cooling time. That is, since the cooling time before coating differs between the first predetermined number of substrates and the subsequent substrates, the film thickness of the coating film on the first predetermined number of substrates with a short cooling time is increased. It is considered a thing.
[ 0017 ]
For this reason, in the present invention, control is performed so that the cooling time is set longer than that of the remaining substrates for the first predetermined number of substrates among the plurality of substrates. Thereby, the disadvantage that the thickness of the coating film on the first predetermined number of substrates is increased is prevented, and the unevenness of the thickness between the plurality of substrates can be eliminated.
[ 0018 ]
Furthermore, the present invention 2 Perspective and number 4 In this aspect, in performing the coating process one by one for a plurality of substrates, the heating unit sets a waiting time before the heating process for each substrate. The waiting time is set longer for the last predetermined number of boards than for the previous board. Thus, stable heat treatment can be performed on each substrate, and the film thickness uniformity between the substrates becomes extremely good.
[ 0019 ]
That is, if the substrate is put on standby in the heat treatment unit after the heat treatment, it is further heated by the residual heat of the heating plate after the heat treatment, but such post-heating tends to affect the coating film, and the viewpoint of the stability of the coating film Is not preferable. On the other hand, if the substrate is put on standby before the heat treatment, even if it is heated at that time, the heat treatment is performed after that, so the effect on the coating film is less than in the case of waiting after the heat treatment. .
[ 0020 ]
Also In addition, when heat-treating the substrate as a subsequent process of the coating process, there is a certain waiting time in the heat-treatment unit after the heat-treatment until the last several sheets, and the film thickness is due to the residual heat at that time However, in the last few sheets, the waiting time after heating cannot be taken much for convenience of continuous processing, and the film thickness of the coating film becomes thick.
[ 0021 ]
For this reason, in this invention, while setting the waiting time before heat processing about each board | substrate, The waiting time is set longer for the last predetermined number of boards than for the previous board. By doing so, while eliminating the inconvenience in standby after such heat treatment, Insufficient heating at the last predetermined number is prevented, The disadvantage that the film thickness of the coating film on the last predetermined number of substrates becomes thick is prevented, and the unevenness of the film thickness among the plurality of substrates can be eliminated.
[ 0022 ]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 to FIG. 3 are diagrams showing the overall configuration of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) coating and developing treatment system 1 in which an embodiment of the present invention is employed. FIG. 1 is a plan view, FIG. Shows the front, and FIG. 3 shows the back.
[ 0023 ]
As shown in FIG. 1, the coating and developing processing system 1 includes a plurality of wafers W as wafers to be processed in a wafer cassette CR. For example, 25 wafers are loaded into the system from the outside or unloaded from the system. A cassette station 10 for loading / unloading wafers W into / from the cassette CR, and various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafers W one by one in the coating and developing process are arranged in multiple stages. A configuration in which a processing station 11 arranged and an interface unit 12 for transferring the wafer W between an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11 are integrally connected. ing.
[ 0024 ]
In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality of, for example, up to four wafer cassettes CR are placed at the positions of the positioning projections 20a on the cassette mounting table 20, with the respective wafer entrances facing the processing station 11 side. A wafer carrier 21 mounted in a line in the X direction and movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z direction: vertical direction) of the wafers stored in the wafer cassette CR is provided in each wafer cassette. The CR is selectively accessed.
[ 0025 ]
Further, the wafer transfer body 21 is configured to be rotatable in the θ direction, and as will be described later, a third processing unit group G on the processing station 11 side. ₃ It is also possible to access an alignment unit (ALIM) and an extension unit (EXT) belonging to the multi-stage unit section.
[ 0026 ]
As shown in FIG. 1, the processing station 11 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 22 equipped with a wafer transfer device, and all of the processing units are arranged in one or more sets around it. It is arranged in multiple stages.
[ 0027 ]
As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is equipped with a wafer transfer device 46 that can move up and down in the vertical direction (Z direction) inside a cylindrical support 49. The cylindrical support 49 is connected to a rotation shaft of a motor (not shown), and is rotated integrally with the wafer transfer device 46 around the rotation shaft by the rotational driving force of the motor, thereby causing the wafer transfer. The device 46 is rotatable in the θ direction. In addition, you may comprise the cylindrical support body 49 so that it may connect with another rotating shaft (not shown) rotated by the said motor.
[ 0028 ]
The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 that are movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafers W between the processing units is realized by these holding members 48.
[ 0029 ]
Also, as shown in FIG. 1, in this example, five processing unit groups G ₁ , G ₂ , G ₃ , G ₄ , G ₅ Can be arranged, and the first and second processing unit groups G ₁ , G ₂ Are arranged on the front side of the system (front side in FIG. 1), and the third processing unit group G ₃ The multi-stage unit is arranged adjacent to the cassette station 10 and the fourth processing unit group G ₄ The multi-stage unit is arranged adjacent to the interface unit 12 and is connected to the fifth processing unit group G. ₅ The multi-stage unit can be arranged on the back side.
[ 0030 ]
As shown in FIG. 2, the first processing unit group G ₁ In the cup CP, two spinner type processing units, for example, a resist coating processing unit (COT) and a developing unit (DEV), which perform predetermined processing by placing the wafer W on the spin chuck in the cup CP, are stacked in two stages in order from the bottom. ing. Second processing unit group G ₂ However, two spinner type processing units, for example, a resist coating processing unit (COT) and a development unit (DEV) are stacked in two stages in order from the bottom. These resist coating processing units (COT) are preferably arranged at the lower stage in this manner because the drain of the resist solution is troublesome both mechanically and in terms of maintenance. However, it is of course possible to arrange them in the upper stage as needed.
[ 0031 ]
As shown in FIG. 3, the third processing unit group G ₃ Then, an oven-type processing unit that carries out a predetermined process by placing the wafer W on the mounting table SP, for example, a cooling unit (COL) that performs a cooling process, or an adhesion that performs a so-called hydrophobizing process to improve the fixability of the resist. Unit (AD), alignment unit (ALIM) for alignment, extension unit (EXT), pre-baking unit (PREBAKE) for performing heat treatment before exposure processing, and post-baking unit (POBAKE) for performing heat treatment after exposure processing ), For example, are stacked in eight steps from the bottom.
[ 0032 ]
Fourth processing unit group G ₄ However, oven-type processing units such as cooling units (COL), extension / cooling units (EXTCOL), extension units (EXT), cooling units (COL), pre-baking units (PREBAKE) and post-baking units (POBAKE) Are stacked in, for example, eight steps from the bottom.
[ 0033 ]
Thus, the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) having a low processing temperature are arranged in the lower stage, and the baking unit (PREBAKE), the post-baking unit (POBAKE) and the adhesion unit (AD) having a high processing temperature are arranged. ) In the upper stage can reduce the thermal mutual interference between the units. Of course, a random multistage arrangement may be used.
[ 0034 ]
As shown in FIG. 1, the interface unit 12 has the same dimensions as the processing station 11 in the depth direction (X direction), but is set to a smaller size in the width direction. A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages on the front part of the interface part 12, while a peripheral exposure device 23 is arranged on the back part, and a central part. Is provided with a wafer carrier 24. The wafer transfer body 24 moves in the X direction and the Z direction to access both cassettes CR and BR and the peripheral exposure apparatus 23. The wafer transfer body 24 is configured to be rotatable also in the θ direction, and a fourth processing unit group G on the processing station 11 side. ₄ It is also possible to access an extension unit (EXT) belonging to the multi-stage unit and a wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side.
[ 0035 ]
In the coating and developing processing system 1, as shown in FIG. 1, the fifth processing unit group G indicated by a broken line is also shown on the back side of the main wafer transfer mechanism 22 as described above. ₅ Multi-stage units can be arranged, but this fifth processing unit group G ₅ The multi-stage unit is configured to be able to shift sideways along the guide rail 25 as viewed from the main wafer transfer mechanism 22. Therefore, this fifth processing unit group G ₅ Even when the multi-stage unit is provided as shown in the figure, the space is secured by sliding along the guide rail 25, so that the main wafer transfer mechanism 22 can be easily maintained from behind. It has become. The fifth processing unit group G ₅ The multi-stage unit is not limited to the linear slide shift along the guide rail 25 as described above, but is rotated and shifted to the outside of the system as shown by the one-dot chain reciprocating rotation arrow in FIG. Even with this configuration, it is easy to secure a space for maintenance work on the main wafer transfer mechanism 22.
[ 0036 ]
In such a resist coating and developing processing system, one wafer W is taken out from the wafer cassette CR by the wafer carrier 21 in the cassette station 10, and the processing unit group G ₃ To the extension unit (EXT). The wafer W is first subjected to a hydrophobization process (HMDS process) for improving the resist fixing property in the adhesion processing unit (AD) by the wafer transfer device 46 of the main wafer transfer mechanism 22. Since this process involves heating, the wafer W is then transferred to the cooling unit (COL) by the wafer transfer device 46 and cooled. Subsequently, the wafer W is transferred to the resist coating unit (COT) by the wafer transfer device 46, and a coating film is formed as described later.
[ 0037 ]
After the coating process is completed, the wafer W is pre-baked by a pre-baking unit (PREBAKE) and then cooled by a cooling unit (COL). The cooled wafer W is transferred to an alignment unit (ALIM), aligned there, and then processed into a processing unit group G. ₄ To the extension unit (EXT).
[ 0038 ]
Thereafter, the wafer W is transferred to the interface unit 12 by the wafer transfer body 24 and is subjected to peripheral exposure by the peripheral exposure device 23 to remove excess resist, and then is exposed by an exposure device (not shown) provided adjacent to the interface unit 12. A predetermined pattern is exposed.
[ 0039 ]
The exposed wafer W is again returned to the interface unit 12 and is transferred to the extension unit (EXT) by the wafer transfer body 24. Then, the wafer W is transferred to one of the post-baking units (POBAKE) by the wafer transfer device 46, subjected to post-exposure baking, and then cooled by the cooling unit (COL).
[ 0040 ]
Thereafter, the wafer W is transferred to a developing unit (DEV) where the exposure pattern is developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to one of the post-baking units (POBAKE) and subjected to a post-baking process, and then cooled by the cooling unit (COL). After such a series of processing ends, the processing unit group G ₃ Is returned to the cassette station 10 via the extension unit (EXT) and accommodated in one of the cassettes CR.
[ 0041 ]
These processes are performed continuously by supplying a plurality of wafers W to the processing station 11 one after another.
[ 0042 ]
Next, the resist coating unit (COT) will be described. 4 and 5 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view showing the overall configuration of the resist coating unit (COT).
[ 0043 ]
An annular cup CP is disposed at the center of the resist coating unit (COT), and a spin chuck 52 is disposed inside the cup CP. The spin chuck 52 is rotationally driven by a drive motor 54 while the wafer W is fixedly held by vacuum suction. The drive motor 54 is disposed in an opening 50a provided in the unit bottom plate 50 so as to be movable up and down. Are combined. A cylindrical cooling jacket 64 made of, for example, SUS is attached to the side surface of the drive motor 54, and the flange member 58 is attached so as to cover the upper half of the cooling jacket 64.
[ 0044 ]
At the time of resist application, the lower end 58a of the flange member 58 is in close contact with the unit bottom plate 50 in the vicinity of the outer periphery of the opening 50a, thereby sealing the inside of the unit. When the wafer W is transferred between the spin chuck 52 and the holding member 48 of the main wafer transfer mechanism 22, the elevating drive means 60 lifts the drive motor 54 or the spin chuck 52 upward to lower the lower end of the flange member 58. From the unit bottom plate 50.
[ 0045 ]
A resist nozzle 86 for discharging a resist solution onto the surface of the wafer W is connected to an air operated valve (not shown) via a resist supply pipe 88. The registration nozzle 86 is detachably attached to the tip of the registration nozzle scan arm 92 via the nozzle holder 100. The registration nozzle scan arm 92 is attached to an upper end portion of a vertical support member 96 that is horizontally movable on a guide rail 94 laid in one direction (Y direction) on the unit bottom plate 50, and is not shown in the Y direction. The drive mechanism moves in the Y direction integrally with the vertical support member 96.
[ 0046 ]
The resist nozzle scan arm 92 is also movable in the X direction perpendicular to the Y direction in order to selectively attach the resist nozzle 86 in the resist nozzle standby section 90, and in the X direction by an X direction drive mechanism (not shown). It is supposed to move.
[ 0047 ]
Furthermore, the resist nozzle standby portion 90 inserts the discharge port of the resist nozzle 86 into the solvent atmosphere chamber port 90a and is exposed to the solvent atmosphere therein, so that the resist solution at the nozzle tip is not solidified or deteriorated. Yes. Also, a plurality of resist nozzles 86 are provided, and these nozzles can be used properly according to the type of resist solution, for example.
[ 0048 ]
Further, a thinner nozzle 101 that discharges a solvent, for example, thinner, to wet the wafer surface onto the wafer surface prior to the discharge of the resist solution onto the wafer surface is attached to the tip of the resist nozzle scan arm 92 (nozzle holder 100). It has been. The thinner nozzle 101 is connected to a thinner supply unit (138, FIG. 7) via a solvent supply pipe (not shown). The thinner nozzle 101 and the resist nozzle 86 are attached so that each discharge port is positioned on a straight line along the Y movement direction of the resist nozzle scan arm 92.
[ 0049 ]
Further, on the guide rail 94, not only a vertical support member 86 that supports the registration nozzle scan arm 92 but also a vertical support member 122 that supports the rinse nozzle scan arm 120 and is movable in the Y direction is provided. A rinse nozzle 124 for side rinse is attached to the tip of the rinse nozzle scan arm 120. The rinse nozzle scan arm 120 and the rinse nozzle 124 are set to the side of the cup CP by the Y-direction drive mechanism (not shown), and the wafer W mounted on the spin chuck 52 is positioned on the spin chuck 52. Translation or linear movement is performed with respect to the rinse liquid discharge position (dotted line position) set immediately above the peripheral portion.
[ 0050 ]
In the resist coating apparatus unit (COT) configured as described above, a resist-saving resist solution coating operation in which the resist solution consumption is relatively small will be described below.
[ 0051 ]
First, when the wafer W is transferred to the position just above the cup CP in the resist coating unit (COT) by the holding member 48 of the main wafer transfer mechanism 22, the wafer W is moved up and down by means of elevating driving means 60 made of an air cylinder, for example. Vacuum suction is performed by the spin chuck 52 that has been lifted by the lift guide means 62. After the wafer W is vacuum-sucked by the spin chuck 52, the main wafer transfer mechanism 22 pulls the holding member 48 back from the resist coating unit (COT), and finishes delivering the wafer W to the resist coating unit (COT).
[ 0052 ]
Next, the spin chuck 52 moves down to a fixed position in the cup CP, and the drive motor 54 starts to rotate the spin chuck 52. Thereafter, the movement of the nozzle holder 100 from the resist nozzle standby unit 90 is started. The movement of the nozzle holder 100 is performed along the Y direction.
[ 0053 ]
When the discharge port of the solvent nozzle 101 reaches the center of the spin chuck 52 (the center of the wafer W), a solvent such as thinner is supplied to the surface of the rotating wafer W. The thinner supplied to the surface of the wafer W spreads uniformly from the center of the wafer W to the entire periphery thereof by centrifugal force. In this way, by performing a so-called prewetting process in which the entire surface of the semiconductor wafer W is wetted with a solvent such as thinner prior to the application of the resist solution, the resist is more easily diffused, resulting in a smaller amount of resist solution A uniform resist film can be formed in an amount.
[ 0054 ]
Subsequently, the nozzle holder 100 is moved in the Y direction until the discharge port of the resist nozzle 86 reaches the center of the wafer W. Then, in a state where the wafer W is rotated at a predetermined number of revolutions, a resist solution is dropped from the discharge port of the resist nozzle 86 onto the center of the surface of the rotating wafer W and is directed from the center of the wafer W to the periphery by centrifugal force. The resist film is formed on the wafer W. At this time, from the viewpoint of reducing resist consumption, the rotation is performed at a relatively high speed, for example, 3000 rpm or more.
[ 0055 ]
After completion of the dropping of the resist solution, the rotational speed of the wafer W is reduced to a predetermined rotational speed for a predetermined time as necessary to adjust the film thickness, and then the rotational speed of the wafer W is accelerated so that the remaining resist liquid is removed. It is shaken off and dried to form a resist film having a predetermined thickness.
[ 0056 ]
Thereafter, the nozzle holder 100 is returned to the home position, and the back surface of the wafer W is back rinsed by a cleaning unit (not shown). If necessary, the side edge of the wafer W is side rinsed by a cleaning unit (not shown). Is done. Thereafter, the rotational speed of the wafer W is accelerated, the rinse liquid of the back rinse and the side rinse is shaken off, and then the rotation of the wafer W is stopped, and the coating process is completed.
[ 0057 ]
Next, with reference to FIG. 6, the prebaking unit (PREBAKE) which is the heat processing unit of this invention is demonstrated. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the pre-baking unit (PREBAKE).
[ 0058 ]
The pre-baking unit (PREBAKE) has a cover 131 that can be moved up and down, and a heating plate 132 for heating the wafer W is disposed below the cover 131 with its heating surface horizontal. The heating plate 132 is equipped with a heater (not shown) and can be set to a desired temperature.
[ 0059 ]
A plurality of fixing pins (proximity pins) 133 are provided on the surface of the heating plate 132, and the wafer W is held by the fixing pins 133 at a slight interval from the heating plate 132. . That is, the proximity method is adopted, and direct contact between the heating plate 132 and the wafer W is avoided, and the wafer W is heated by the radiant heat from the heating plate 132. Thereby, contamination of the wafer W from the heating plate 132 and peeling charging are prevented. Note that the wafer W may be directly placed on the heating plate 132.
[ 0060 ]
Further, a plurality of lift pins 134 are provided so as to be movable up and down by inserting a plurality of holes in the heating plate 132. The lower portions of the lift pins 134 are supported by a support member 135 so as to be movable in the horizontal direction. The support member 135 is configured to be lifted and lowered by a lifting mechanism 136. The raising / lowering operation of the lift pin 134 by the raising / lowering mechanism 136 is controlled by the controller 137 based on the setting of the setting device 138.
[ 0061 ]
In the pre-baking unit (PREBAKE) configured as described above, when the support member 135 is raised by the elevating mechanism 136, the lift pins 134 are raised to receive the wafer W coated with the resist solution. Next, the lift pins 134 are lowered and the wafer W is placed at a heating position close to the heating plate 132. Thereby, the wafer W is heated by the radiant heat from the heating plate 132. After completion of the heat treatment, the lift pins 134 are raised again, and the wafer W is lifted to the unloading position.
[ 0062 ]
Next, a cooling unit (COL) which is a cooling processing unit of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic sectional view of a cooling unit (COL). As shown in FIG. 7, this cooling unit (COL) has basically the same structure as the pre-baking unit (PREBAKE) of FIG.
[ 0063 ]
The cooling unit (COL) has a cover 141 that can be raised and lowered, and a cooling plate 142 for cooling the wafer W is disposed below the cover 141 with its cooling surface horizontal. The cooling plate 142 is provided with a coolant channel so that the wafer W can be cooled at a predetermined temperature.
[ 0064 ]
A plurality of fixing pins (proximity pins) 143 are provided on the surface of the cooling plate 142, and the wafer W is held by the fixing pins 143 with a slight gap between the fixing plate 143 and the cooling plate 142. . Note that the wafer W may be directly placed on the cooling plate 142.
[ 0065 ]
Further, a plurality of lift pins 144 are provided so as to be movable up and down by inserting a plurality of holes in the cooling plate 142. The lower portions of the lift pins 144 are supported by a support member 145 so as to be movable in the horizontal direction, and the support member 145 is configured to be lifted and lowered by a lifting mechanism 146. The lifting operation of the lift pin 144 by the lifting mechanism 146 is controlled by the controller 147 based on the setting of the setting device 148.
[ 0066 ]
In the cooling unit (COL) configured as described above, when the support member 145 is lifted by the lifting mechanism 146, the lift pins 144 are lifted to receive, for example, the wafer W that has been subjected to the hydrophobic treatment. Next, the lift pins 144 are lowered and the wafer W is placed at a cooling position close to the cooling plate 142. Thereby, the wafer W is cooled by the cooling plate 132. After completion of the cooling process, the lift pins 144 are raised again, and the wafer W is lifted to the unloading position.
[ 0067 ]
Next, control of a cooling unit (COL) that performs a cooling process as a pre-process of the coating process will be described.
FIG. 8 shows an example of the relationship between the initial number of wafers W and the resist film thickness when the above-described series of processing is performed for each of a plurality of wafers W stored in a cassette in the resist coating and developing processing system. In the graph, among the plurality of wafers W (for example, in units of 25 wafers), the first two to three wafers W are thicker than the remaining many wafers W.
[ 0068 ]
This is because, when the wafer W is hydrophobized by the adhesion processing unit (AD) and then cooled by the cooling unit (COL), the preceding wafers W are not related to the first two to three wafers W. Because there is no or less, the cooling time is set according to the recipe for continuous processing, but if this is exceeded, the pre-baking time after resist coating will be rate-determined and the cooling time will be longer than the set cooling time. It is thought to be. In other words, since the first 2-3 wafers and the subsequent wafers have different cooling times before resist coating, the resist film thickness of the first 2-3 wafers with a short cooling time is large. It is thought that it will become.
[ 0069 ]
Therefore, in the present embodiment, control is performed so that the first two to three wafers have a longer cooling time than the remaining wafers. Specifically, the setting device 148 is set so that the cooling time of the first two to three wafers is lengthened, and based on this setting, the controller 147 controls the lifting operation of the lift pins 144 by the lifting mechanism 146. To do. As a result, the first two to three wafers can be sufficiently cooled, and it is possible to prevent the cooling from being insufficient and to prevent the film thickness from being uneven between the wafers.
[ 0070 ]
Next, the control of the baking unit (PREBAKE) will be described.
FIG. 9 shows another example of the relationship between the initial number of wafers W and the resist film thickness when the above-described series of processing is performed for each of a plurality of wafers W stored in a cassette in the resist coating and developing system. Among the plurality of wafers W (for example, in units of 25 wafers), the last two to three wafers W have a thicker resist film than the other many wafers W. .
[ 0071 ]
The reason for this is that when the wafer W is pre-baked (heat-treated) as a subsequent process of the resist coating process, the pre-baking unit (PREBAKE) is used after the pre-baking process until the last two or three wafers. , The wafer W is placed on the lift pins 134 for a predetermined time, and the film thickness is adjusted by the residual heat at that time. However, for the last two or three sheets, the waiting time after heating is set for convenience of continuous processing. This is probably because it cannot be taken much.
[ 0072 ]
Therefore, as shown in FIG. 10, the last two to three wafers W among the plurality of wafers W are controlled to stand by with the wafers W placed by the lift pins 134 before the pre-baking process. To do. Specifically, the setting device 138 is set to wait for a predetermined time on the lift pins 134 before heating for the last two to three wafers, and based on this setting, the controller 137 moves the lifting mechanism 136. The lifting / lowering operation of the lift pins 134 is controlled. As a result, the total remaining heat time for the last two to three wafers can be made the same as other wafers, and the inconvenience that the resist film of the last two to three wafers becomes thick is prevented. It is possible to eliminate unevenness of the resist film thickness between the wafers.
[ 0073 ]
In such a pre-baking unit (PREBAKE), if the wafer is put on standby after the pre-baking process, it is further heated by the residual heat of the heating plate 132 after the pre-baking process. Such post-heating affects the resist film. This is not preferable from the viewpoint of the stability of the resist film. On the other hand, if the wafer is put on standby in the unit before the pre-baking process, even if it is heated at that time, the heating process is performed after that. Is less affected. Therefore, the controller 137 controls the lift pins 134 so that all of the plurality of wafers are in a standby state before the pre-bake process, and in order to prevent non-uniform film thickness between the wafers, To control. In this way, by setting the standby time before the pre-baking process and controlling the length of each wafer, the inconvenience in the standby after the pre-baking process as described above is eliminated, and the last two to three are performed. Inconvenience that the resist film becomes thick due to insufficient heating of the wafers can be prevented, and the uneven film thickness among the wafers can be eliminated.
[ 0074 ]
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, although the case where a resist film is used as the coating film has been described in the above embodiment, other films such as a polyimide film can also be used. Also in the case of a polyimide film, if the conditions for the cooling treatment before coating and the heat treatment after heating are insufficient, the wafer-to-wafer variations similar to those shown in FIGS. By performing this control, it is possible to eliminate such variations. Although the case where the resist solution is applied to the semiconductor wafer has been described, the present invention can also be applied to the case where the application solution is applied to a substrate other than the semiconductor wafer, for example, an LCD substrate.
[ 0075 ]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when performing a coating process on each of a plurality of substrates one by one, when cooling the substrate to a predetermined temperature prior to coating, Of these, the first predetermined number of substrates are controlled so that the cooling time is set longer than the remaining substrates, so that the first predetermined number of substrates is prevented from being insufficiently cooled, and when performing continuous processing of a plurality of substrates. The film thickness non-uniformity between the substrates is prevented.
[ 0076 ]
Furthermore, in performing the coating process continuously for each of the plurality of substrates, in the heat treatment unit, a standby time before the heat treatment is set for each substrate. The waiting time is set longer for the last predetermined number of boards than for the previous board. So that stable heat treatment can be performed on each substrate. In addition, it is possible to prevent insufficient heating at the last predetermined number. The film thickness uniformity between the substrates becomes extremely good.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing an overall configuration of a semiconductor wafer coating and developing treatment system according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a front view of the coating and developing treatment system shown in FIG.
FIG. 3 is a rear view of the coating and developing treatment system shown in FIG. 1;
4 is a cross-sectional view showing an overall configuration of a resist coating processing unit mounted on the coating and developing processing system shown in FIG. 1;
5 is a plan view of the resist coating unit shown in FIG. 4. FIG.
6 is a schematic cross-sectional view showing a pre-baking unit (PREBAKE) installed in the system of FIG. 1. FIG.
7 is a schematic cross-sectional view showing a cooling unit (COL) attached to the system of FIG.
FIG. 8 shows an example of the relationship between the initial number of wafers W and the resist film thickness when the above-described series of processing is performed for each of a plurality of wafers W stored in a cassette in the resist coating and developing processing system. Graph.
FIG. 9 shows another example of the relationship between the initial number of wafers W and the resist film thickness when the above-described series of processing is performed for each of a plurality of wafers W stored in a cassette in the resist coating and developing system. Graph showing.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a pre-baking unit (PREBAKE) in a state where a wafer is waiting in front by lift pins.
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a conventional resist coating apparatus.
[Explanation of symbols]
52 …… Spin chuck (rotating means)
86 …… Registration nozzle (coating liquid discharge nozzle)
132 …… Heating plate
134, 144 ... Lift pin
137, 147 ... Controller
142 …… Cooling plate
COL …… Cooling unit (cooling unit)
PREBAKE …… Baking unit (heat treatment unit)
W …… Semiconductor wafer (substrate)

Claims

カセットに収納した複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布処理を行う塗布処理システムであって、
塗布に先立って基板を所定温度に冷却する冷却処理ユニットと、
基板に対して塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布処理ユニットと、
冷却処理ユニットにおける冷却時間を、複数枚の基板のうち最初の所定枚数の基板について、残りの基板よりも長く設定するように制御する制御手段と
を具備することを特徴とする塗布処理システム。A coating processing system that performs coating processing one by one on a plurality of substrates stored in a cassette,
A cooling unit that cools the substrate to a predetermined temperature prior to application;
A coating processing unit for supplying a coating liquid to a substrate to form a coating film;
A coating processing system comprising: a control unit configured to control a cooling time in the cooling processing unit so that a first predetermined number of substrates among the plurality of substrates is set longer than the remaining substrates.

前記冷却処理ユニットは、
基板を冷却処理する冷却プレートと、
冷却プレートに対して突没自在に設けられ、冷却プレート上または近接した冷却位置とその上方の搬入搬出位置との間で基板を移動させるリフトピンと、
を有し、
前記制御手段は、前記リフトピンを制御することにより各基板の冷却時間を制御することを特徴とする請求項１に記載の塗布処理システム。The cooling processing unit includes:
A cooling plate for cooling the substrate;
A lift pin provided so as to be able to project and retract with respect to the cooling plate, and for moving the substrate between a cooling position on or near the cooling plate and a loading / unloading position above the cooling plate;
Have
The coating processing system according to claim 1, wherein the control unit controls a cooling time of each substrate by controlling the lift pins.

カセットに収納した複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布処理を行う塗布処理システムであって、
基板に対して塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布処理ユニットと、
塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理ユニットと、
加熱処理ユニットにおいて、各基板について加熱処理前の待機時間を設定するとともに、最後の所定枚数の基板についてその前の基板よりも前記待機時間を長く設定するように制御する制御手段と
を具備することを特徴とする塗布処理システム。A coating processing system that performs coating processing one by one on a plurality of substrates stored in a cassette,
A coating processing unit for supplying a coating liquid to a substrate to form a coating film;
A heat treatment unit for heating the substrate on which the coating film is formed;
The heat treatment unit includes a control unit that sets a standby time before the heat treatment for each substrate and controls the last predetermined number of substrates to set the standby time longer than the previous substrate. A coating treatment system characterized by

前記加熱処理ユニットは、
基板を加熱処理する加熱プレートと、
加熱プレートに対して上下動可能に設けられ、加熱プレート上またはそれに近接した位置にある加熱位置とその上方の搬入搬出位置との間で基板を移動させるリフトピンと、
を有し、
前記制御手段は、前記リフトピンを制御することにより、加熱処理前に基板をリフトピン上に載置した状態で基板を待機させることを特徴とする請求項３に記載の塗布処理システム。The heat treatment unit includes:
A heating plate for heat-treating the substrate;
A lift pin provided so as to be movable up and down with respect to the heating plate and moving the substrate between a heating position on or near the heating plate and a loading / unloading position above the heating plate;
Have
4. The coating processing system according to claim 3, wherein the control unit controls the lift pins to cause the substrate to stand by in a state where the substrate is placed on the lift pins before the heat treatment. 5.

カセットに収納した複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して所定温度に冷却する冷却処理工程と、
前記冷却処理後の基板に対して一枚ずつ連続して塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と
を具備し、
前記冷却処理工程の冷却時間を、複数枚の基板のうち最初の所定枚数の基板について、残りの基板よりも長く設定するように制御することを特徴とする塗布処理方法。A cooling process step of continuously cooling to a predetermined temperature one by one for a plurality of substrates stored in a cassette;
A coating film forming step of continuously forming a coating film by supplying a coating liquid one by one to the substrate after the cooling treatment,
A coating processing method, wherein the cooling time of the cooling processing step is controlled to be set longer than the remaining substrates for a first predetermined number of substrates among a plurality of substrates.

カセットに収納した複数枚の基板に対して一枚ずつ連続して塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
前記塗布膜形成後の基板に対して一枚ずつ連続して所定温度に加熱する加熱処理工程と
を具備し、
前記加熱処理工程において、各基板について加熱処理前の待機時間を設定するとともに、最後の所定枚数の基板についてその前の基板よりも前記待機時間を長く設定することを特徴とする塗布処理方法。A coating film forming step of continuously forming a coating film by supplying a coating liquid one by one to a plurality of substrates stored in a cassette;
A heat treatment step of continuously heating to a predetermined temperature one by one with respect to the substrate after the coating film is formed,
In the heat treatment step, a standby time before the heat treatment is set for each substrate, and the standby time is set longer than the previous substrate for the last predetermined number of substrates.