JP3152963U - 液処理装置 - Google Patents

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礼史 佐藤
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哲嗣 宮本
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Abstract

【課題】ノズル待機部におけるダミーディスペンスで発生する処理液のミストを抑えノズル待機部から処理ユニットへのミストの漏出を抑制することのできる液処理装置を提供すること。【解決手段】液処理装置に設けられる容器状の液ノズル待機容器16に、液ノズル15を挿入する開口部16aの周囲に液ノズル15を挿入した時に開口部16aを封止して略密閉するための気密部材31と、内部の雰囲気を排気する排気管38と、仮吐出の吐出に同期して排気する時間に、仮吐出の開始前に所定時間排気する時間と、仮吐出の完了後に所定時間排気する時間との少なくとも一方の排気する時間を設定して動作させる制御装置47とを備える。【選択図】 図3

Description

この考案は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板(FPD基板)といった基板の液処理装置に関する。
半導体デバイスやFPD基板の製造プロセスの一つである基板上にレジストパターンを形成する工程は、基板例えば半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いてこのレジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る一連の工程により行われ、これら一連の工程は従来から塗布、現像装置である、いわゆる液処理装置によって行われている。
これら基板の表面に対して塗布、現像を行うために例えば、レジスト塗布処理装置、現像処理装置が設けられており、それぞれに所望のプロセスに応じた処理液を吐出するための液ノズルを有している。この様な液処理処置は、液ノズルを使用しない場合に液ノズルの乾燥や汚れの付着を抑制するための待機位置を備え、この待機位置には液ノズルから仮吐出(ダミーディスペンス)するため液ノズル待機容器であるノズル待機部がそれぞれの液処理装置内に設けられている。
よって、液ノズルはノズル待機部の位置から移動して、例えば基板を保持し回転もしくは基板を保持した状態で基板の中央から処理液を滴下した後にノズル待機部に位置するように構成されている。
このノズル待機部内にてダミーディスペンスを例えば、基板の処理枚数、経過時間設定、前回のダミーディスペンスからの経過時間設定に基づいて実行したり、メンテナンス時にダミーディスペンスを実行したりする。この時にボックス状に構成されたノズル待機部内で処理液が飛散してノズル待機部の開口部から処理液の飛沫、ミストが液処理装置内に飛び出して拡散しまうことがある。
上記問題を解決するために、従来では、ノズル待機部内を局所排気する構造が良く知られている(例えば、特許文献1,2参照)。特許文献1記載のものには、更にノズル待機部の内部に処理液の緩衝部材を設けて処理液の飛沫、ミストの液処理装置内部への飛び出しを防止している。
また、特許文献2記載のものにおいては、ノズル待機部の開口部にシャッターを設けて液ノズルがノズル待機部にない時は開口部を閉塞する機構を有している。更には、液ノズルが待機状態にある時に開口部からのミストの漏れを防止するために開口部を略閉塞するためにノズル基部に開口部に向けて折り返し付きの蓋部材が設けられている。
特開2001−68402号公報(請求項1,請求項3 , 図2〜図4) 特開2000−33317号公報(段落0026,0054,図2,図5)
最近の高生産性の塗布、現像装置は、処理ユニットの処理の効率化と共に搬送装置の処理スピードも速くなり、高生産性に対応させるために液処理装置内で基板上への処理液滴下可能位置からノズル待機位置までの距離を短くして液ノズルの移動時間の無駄を排除する構成となっている。このために、ノズル待機部は基板の近傍に設けられるようになってきているため、処理液の飛沫やミストの漏出飛散による基板への付着はディフェクト欠陥となる問題がある。
よって、飛沫やミストの漏出飛散の防止が重要になっているが、工場用力としての排気量であるエネルギーの低減も求められている。また、排気の状態が悪いと、飛沫やミストは液ノズル先端やノズル外周にも付着し得るために、液ノズルが付着した液で汚染されてしまうことも考えられる。
その中で特許文献1に記載の構成はノズル待機部に排気孔が設けられている点で類似し、上記問題が懸念される。また、特許文献2に記載の蓋部材は構造体が大きく内面側が汚染されてしまうと、通常処理途上で基板上への落下も懸念されるものである。また、ノズル待機部の内部に挿入された液ノズルへのミストが付着し滴となって稼働中に現像装置の内部に落下して汚染してしまうことの考慮がされていない。
この考案はこのような事情の下のなされたのであり、その目的はノズル待機部におけるダミーディスペンスで発生する処理液のミストを抑えノズル待機部から処理ユニットへのミストの漏出を抑制することのできる液処理装置を提供することにある。
このためこの考案は、保持された基板の上方に液ノズルを移動させて所定の液処理を行なう液処理装置であって、基板を収容するカップの中央で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の表面を液処理するための液ノズルと、前記液ノズルを挿入するための開口部を備え、液ノズルを待機させて仮吐出動作を行なう時の液を液受けする液ノズル待機容器と、前記液ノズル待機容器の開口部の周囲に設けられ、前記開口部内に前記液ノズルを挿入した時に開口部を封止して密閉するための気密部材と、前記液ノズル待機容器の側方面に設けられ内部の雰囲気を排気する排気管と、前記液ノズル待機容器に設けられ、前記排気管の他方に設けられ前記排気に対応して大気を内部に流入させるための通気部と、前記仮吐出に同期して排気する時間に、前記仮吐出の開始前に所定時間排気する時間と、前記仮吐出の完了後に所定時間排気する時間との少なくとも一方の排気する時間を設定して動作させる制御装置と、を具備することを特徴とする。
この様に構成することによって、液ノズル待機容器の開口部に液ノズルを待機させて開口部を気密に塞ぎ内部を排気させることで、内部の雰囲気を液処理装置における処理する側に雰囲気を漏出させることが無い。仮吐出を実行した時も排気に引かれて発生するミストが排気管から排気回路に排出される。この時に内部の雰囲気が速やかに排出されるために内部に大気を引き込むことになる。また、排気時間の設定を仮吐出する時間以外にもその前後に時間を設定して排気させることで更に効果が高まる。
更にこの考案は、前記液ノズル待機容器は、この液ノズル待機容器の内部に仮吐出された液を排出する廃液管と、この廃液管が差し込まれ、排出される廃液を溜める貯留部とを有し、前記貯留部に溜まった廃液により前記廃液管が封止した状態で前記排気がされることを特徴とする。
この様に構成することによって、液ノズル待機容器に設けられる大気側に開放される箇所が少なくなり内部をより気密に近いものとできるので制御部による排気の制御する効果が高まる。
更にこの考案は、前記開口部に液ノズルの長さと略同じ長さかそれよりも多少長い程度に高さ方向に設けられた筒状体を備え、前記筒状体の内側に前記通気部を設けていることを特徴とする。
この様に構成することによって、液ノズルが位置する周囲に気流が流せれる様になるので液ノズルの自体にミストが付着することが無い。
更にこの考案は、前記液ノズル待機容器の内部には、前記排気される雰囲気の気流を整流するための整流板が設けられていることを特徴とする。
この様に構成することにより、液ノズルの先端から液の着地点までのいずれの場所でミストが発生しても整流板の作用により気流の排気側への流れ込みを均等に規制しているのでミストが速やかに排気できる。
更にこの考案は、前記液ノズル待機容器は、弾性部材にて保持されていることを特徴とする。
この様に構成することにより、液ノズル待機容器が例えばバネやスポンジの様な弾性部材の上に保持されているので、液ノズルを開口部に挿入するときに多少、押し込みぎみに位置させたとしても弾性部材により吸収されて気密が保たれるものである。
更にこの考案は、前記カップは横方向に複数設けられ、この複数のカップの間に前記液ノズル待機容器がそれぞれ設けられていることを特徴とする。
この様に構成することにより、複数並べられた構成の液処理のカップの横に液ノズルの待機容器を設置できる。
以上に説明したように、この考案では、液ノズル待機部におけるダミーディスペンスを行う前から液ノズル待機部の内部を排気しているので、吐出によるミストが発生したとしても内部が弱陰圧のため速やかに液ノズル待機部の外に排出される。また、吐出完了後も引き続き排気を引くので液ノズルが移動したとしても開口部からミストが漏れ出ることが無いという効果が得られる。更に、液ノズル待機部の位置でノズルを囲う部材から排気される流量に応じて大気を流入させる構成のために液ノズルにミストが付着することが無いという効果が得られる。
この考案に係る液処理装置の構成を示す概略斜視図である。 この考案に係る基板処理装置の要部の配置を示す概略断面図である。 この考案における液ノズル待機部の構成と排気回路を示す概略断面図である。 この考案における排気回路の動作タイミングを表すタイミングチャートである。 この考案における液ノズル待機部の他の構成を示す断面図である。 この考案におけるノズルスペーサの水平断面図である。 この考案における液処理装置を適用した塗布・現像装置を示す平面図である。 上記塗布・現像装置の概略斜視図である。 上記塗布・現像装置の概略断面図である。
以下に、この考案の実施形態について、図7乃至図9の塗布・現像装置の図面に基づいて説明する。ここでは、この考案に係る基板処理装置を半導体ウエハの塗布・現像装置に適用した場合について説明する。
塗布・現像装置は、キャリアブロックS1が設けられており、その載置台80a上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア80から受け渡しアームCがウエハWを取り出して処理ブロックS2に受け渡し、処理ブロックS2から受け渡しアームCが処理済みのウエハWを受け取ってキャリア70に戻すように構成されている。
前記処理ブロックS2は、図8に示すように、この例では現像処理を行うため現像処理装置の第1のブロック(DEV層)B1、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うため下層反射防止膜塗布装置が設けられる第2のブロック(BCT層)B2、レジスト膜の塗布を行うためレジスト塗布処理装置が設けられる第3のブロック(COT層)B3、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うため上層反射防止膜塗布装置の第4のブロック(TCT層)B4を、下から順に積層して構成されている。
塗布・現像装置は、第1のブロック(DEV層)B1、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第2のブロック(BCT層)B2、レジスト膜の塗布を行うための第3のブロック(COT層)B3、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第4のブロック(TCT層)B4、薬液を塗布するこの考案に係る液処理装置と、この液処理装置にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理ユニット群と、前記液処理装置と処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハWの受け渡しを行う搬送アームA1、A2、A3、A4と、で主に構成されている。
第1のブロック(DEV層)B1については、図9に示すように、一つのDEV層B1内に現像処理装置である現像ユニットが2段に積層されている。そしてDEV層B1内には、これら2段の現像ユニットにウエハWを搬送するための搬送アームA1が設けられている。つまり2段の現像ユニットに対して搬送アームA1が共通化されている構成となっている。
更に処理ブロックS2には、図7及び図9に示すように棚ユニットU5が設けられ、キャリアブロックS1からのウエハWは、受け渡しアームCによって棚ユニットU5の一つの受け渡しユニットTRS1(トラジションステージ)に受け渡されて、第2のブロック(BCT層)B2の対応する冷却処理ユニットCPL2(クーリングプレート)に、棚ユニットU5の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームD1によって順次搬送される。第2のブロック(BCT層)B2内の搬送アームA2は、この冷却処理ユニットCPL2からウエハWを受け取って、各ユニット(反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群)に搬送し、これらユニットにてウエハWには反射防止膜が形成される。
その後、ウエハWは棚ユニットU5の受け渡し待機ユニットBF2、受け渡しアームD1、棚ユニットU5の冷却処理ユニットCPL3(クーリングプレート)及び搬送アームA3を介して第3のブロック(COT層)B3に搬入され、レジスト膜が形成される。更にウエハWは、搬送アームA3→棚ユニットU5の受け渡し冷却待機ユニットBF3→受け渡しアームD1を経て棚ユニットU5における受渡し冷却ユニットCPL11(クーリングプレート)に受け渡される。次に、ウエハWは露光機との間で基板の受渡しを行うインターフェースアームBに基板を渡すために、受渡し冷却ユニットCPL11の基板を棚ユニットU5と棚ユニットU6の受渡し冷却ユニットCPL12(クーリングプレート)にウエハWを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームEによって受渡しを行なうものである。
なお、レジスト膜が形成されたウエハWは、第4のブロック(TCT層)B4にて更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハWは冷却処理ユニットCPL5(クーリングプレート)を介して搬送アームA4に受け渡され、反射防止膜の形成された後搬送アームA4により受け渡しユニットTRS4に受け渡されてから受渡し冷却ユニットCPL11に受け渡されるものである。受け渡し待機ユニットBFが付されている受け渡しユニットは複数枚のウエハWを載置可能なバッファユニットを兼ねている。
次いで、棚ユニットU6の受け渡し冷却ユニットCPL12に直接搬送された基板は、インターフェイスブロックS3に取り込まれて露光処理装置に受け渡される。ウエハWは第1の搬送装置と同じ構成の搬送装置であるインターフェースアームBにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットU6の受け渡しユニットTRS6(トラジションステージ)に載置されて処理ブロックS2に戻される。戻されたウエハWは、第1のブロック(DEV層)B1にて例えば110℃で現像前の加熱処理(ポストエクスポージャーベーク)の処理が行なわれた後に現像処理が行われ、例えば160℃で現像後の加熱処理(ポストベーク)が行なわれた後、搬送アームA1により棚ユニットU5に設けられる異種の搬送手段との受け渡しが行える構成の冷却処理装置であるTCP1(トラジションチルプレート)に受け渡されてウエハWをキャリアに収納する。これは問題の生じない温度、例えば30度以下に降温させる冷却処理をした後に受け渡しアームCがウエハWを受け取りする。その後、ウエハWは受け渡しアームCによりキャリア80に戻される。なお図7において、符号U1〜U4は各々加熱部と冷却部とを積層した加熱処理装置のユニット群である。
次に、この考案に係る液処理装置における例えば、現像処理装置に適用した実施の形態について図1、図2を参照して説明する。図1は第1のブロック(DEV層)の現像処理装置である現像処理ユニット1の概略斜視図を示し、図2は斜視図を分かり易くした概略断面図である。初めに実施の形態に係る現像処理ユニット1の構成の概要を説明する。現像処理装置である現像処理ユニット1は3つの液処理部を設けている。この液処理部である現像液処理部の基板を収容するカップ体であるカップ11a,11b,11cと液ノズルであるリンス液を吐出するリンス液ノズル12a,12b,12cと、同じく液ノズルである現像液ノズル14とを備えている。
カップ11a,11b,11cは横方向に一列に配列されている。各カップ11a,11b,11cは各々同じ構成をしており、ここでは現像処理部のカップ11aを例に挙げて説明し、カップ11b,11cについては、同一の符号にb又はcを付して説明を省略する。
現像処理部のカップ11aは、ウエハWの基板裏面の中央部を吸着して水平に保持し回転自在に構成されている基板保持部であるスピンチャック2aを備え、回転駆動機構23aによりウエハWを吸着した状態で鉛直軸回りに回転できるように構成されている。スピンチャック2aの周囲はスピンチャックに吸着されたウエハWを囲むようにして上方を開口したカップ体30aが設けられている。カップ体30aの底部側には、図2に示すように、プロセス処理中の雰囲気の排気をする排気ライン22aと、現像液やリンス液などの処理液体が流れ込むドレインライン24aと接続する構造となっている。
ウエハWを搬送アームA1からスピンチャック2aに受け渡しを行なう場合は、3本のピンが共同してウエハWの裏面を支持可能に設けられた支持ピン10aが設けられている。この支持ピン10aは図示しない昇降機構により昇降自在に構成されており、上昇した位置でウエハWを搬送アームA1から受け取り後、下降してスピンチャック2aにウエハWを受け渡しする構造となっている。
次に液ノズルである現像液ノズル15とリンス液ノズル13とを説明する。現像液ノズル15は、現像液ノズルアーム14に取り付けられ、現像液ノズルアーム基台14dにより昇降自在に構成されている。現像液ノズルアーム14は更に3つの液処理部に横移動が自在可能なガイドレール2が備えられた構造になっており、図示しない移動機構部が設けられており、後述する制御部47(制御装置)からの液処理の指示により、ウエハW上の所定の位置に移動して現像液を塗布するように構成されている。リンス液ノズル13も同様に構成されており、リンス液ノズルアーム12aに取り付けられ、ガイドレール3a上に移動可能に装着されたリンス液ノズルアーム基台14aにより昇降自在に構成されている。なお、リンス液ノズル13は、他の現像液処理部のカップ11b,11cにおいても同様に備えられている。
この現像液ノズル15とリンス液ノズル13とは、それぞれ現像液を塗布していない時間、リンス液による処理をしていない時間のように液処理に関係していない時間にはノズルの待機位置である現像液ノズル待機容器16,リンス液ノズル待機容器17a,17b,17cにおいて、それぞれのノズルは対応するノズル待機容器16,17a,17b,17cにて所定の待機状態となる。この待機状態は装置稼働中にも液仮吐出動作(ダミーディスペンス)を実行しなければならない実行動作のタイミング(時間、処理枚数、ロット条件)設定がされている場合に現像液ノズル待機容器16,リンス液ノズル待機容器17a,17b,17cがそれぞれの設定がタイムアップした液ノズルが移動されてダミーディスペンスを実行するものである。更に処理ウエハを待つ間のアイドリング中も同様に設定された指示により仮吐出(ダミーディスペンス)が実行される。
次に、この考案の適用がなされるノズル待機部である現像液ノズル待機容器16の構造について図3にて説明する。現像液ノズル待機容器16は、有底であり全体を例えば略直方体の容器形状であり、上面には現像液ノズル13を挿入するための開口部16aが設けられ、その開口部16aの周囲には、現像液ノズル13を下降させて開口部16a内に挿入した時にこの開口部16aを封止して密閉、すなわち現像液ノズル待機容器16の内側と外側とを遮蔽できるように気密部材31が取り付けられている。この気密部材31は通気性の無い弾性材料であればよく、例えばシリコンゴムやシリコンスポンジを用いることができる。現像ノズル13を下降させる際に気密部材31の密着性を向上させ、更に下降位置の調整による機密性の調整を容易にするために、現像液ノズル待機容器16を両方の端部で挟んだ位置において固定部側に載置された弾性部材33a,33bの上に保持された構造をとっている。これにより現像液ノズル待機容器16自体が下方向に押さえ込まれた時に追従して動く構造となっている。この弾性部材33a,33bは、例えばバネやスポンジ状の材料であれば良い。
現像液ノズル待機容器16の側面には、現像液ノズル待機容器16の内部の雰囲気を後述する配管回路により排気し弱陰圧にする排気管38と、排気に対応して大気を流入させるための通気流路を有する通気部32とが備えられている。排気管38は開口部16aの側方でダミーディスペンスした時の吐出方向の側面に設けられている。また、現像液ノズル待機容器16の底部は傾斜面34により現像液ノズル待機容器16内部にダミーディスペンスされた現像液を一方に寄せて排出するための廃液管35が設けられている。この廃液管35は一旦廃液を溜めておく貯留部である廃液槽36に差し込まれ、この廃液槽36の液によって封止されることとなる。廃液はこの廃液槽36から流れでた分がドレイン管37によって装置外に排出されることになる。
次に、現像液ノズル待機容器16の排気管38に接続されている配管回路について説明する。排気管38を通流する気体には現像液のミストが含まれるので、ミストトラップタンク44でミストを捕集するための接続がされている。このミストトラップタンク44を通して排気されるため排気陰圧を必要なときだけ作り出すためのエジャクター41が設けられている。このエジャクター41を作動させるためには大本に接続される圧縮空気供給源48からの圧縮空気をレギュレータ39を通して圧力設定し、制御装置である制御部47からの信号によりエアオペバルブ40を開くように構成されている。なお、ミストトラップタンク44とエジェクター41のとの間には排気流量を調整するためのフローメータ43が設けられていてもよい。
ミストトラップタンク44には、長期使用によりミストが液状化するので、ミストトラップタンク44から排出する流路44aが設けられている。この流路44aの途中にエアオペバルブ45が設けられて制御部47の信号により開閉されるように構成されている。なお、ドライブエア46は、エアオペバルブ40,45の駆動用の圧縮空気である。
次に、現像液ノズル待機容器16の排気の制御とダミーディスペンス吐出との関係の一例を図4に示す。先ず、現像液ノズル13が現像液ノズル待機容器16に挿入された状態に位置している。この時にダミーディスペンスの信号フラグがONする前に、例えば10秒間の排気を行なう前排気T1が設定されて排気が開始される。次に、ダミーディスペンスを吐出するタイミングにダミーディスペンスの吐出信号が入り、同じ設定時間分を本排気T2として同期して排気される。更にダミーディスペンスの吐出停止のタイミングにダミーディスペンスの信号フラグがOFFになった後、引き続き排気を行なう設定がされ、例えば30秒の後排気T3が行なわれる。以上のように見かけ上の排気は連続して行なわれるが、前排気T1と後排気T3とは設定値を制御部47のコントローラに入力することによって排気時間が確定し制御装置が動作する。
これにより、前排気T1を行なうことで現像液ノズル待機容器16の内部を先に弱陰圧にすることができるので、ダミーディスペンスが実行された際に発生するミストを即排気側に流れ込むこととなる。また、後排気T3を行なうことで、ダミーディスペンスが完了して稼動状態に戻った現像ノズル13が現像液ノズル待機容器16から移動したとしても、ダミーディスペンスの完了後の現像液ノズル待機容器16の内部にミスト雰囲気が無くなっているので、開口部16aからミストが流出することが無くなる。なお、この前排気T1と後排気T3は少なくとも一方が設定されていてもミスト流出抑制に効果がある。
次に、別の実施形態の現像液ノズル待機容器16の構成について、図5を用いて部分的に異なる部位を中心に説明する。それ以外の部分は図3で説明した部分と基本的に同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。先ず、開口部16aの部位に現像液ノズル13の長さと略同じ長さかそれよりも多少長い程度に高さ方向に設けられた筒状体としてのノズルスペーサ51を開口部16aに重ねる位置に備える。このノズルスペーサ51の上部には、図3で説明した気密部材31が設けられている。ノズルスペーサ51の高さ方向の略中央位置には、図3で前述した通気部32と同じ作用を排気に与えると共にダミーディスペンス時にノズル先端方向に向かう気流が起こるので、現像ノズル13へのミストの付着を抑える作用効果を有する通気部であるノズル通気部50を備えている。
現像液ノズル待機容器16の内部には、ダミーディスペンスされた現像液が最初に当たり、衝撃を緩くしてミストの発生を抑制するために設けられた傾斜板53と排気される気流を整流して発生するミストを現像液ノズル待機容器16の内部で満遍なく排気させるために整流板52を備える。
図6は、ノズルスペーサ51の内部の構造を示すために水平方向の断面図である。ノズルスペーサ51の内部には、環状の通気流路54が設けられており、この通気流路54の内周側には、例えば4箇所設けられたノズル通気部50としての通気孔55a,55b,55c,55dが設けられている。この通気孔55は4箇所と限らずとも更に多数箇所設けられていても良い。これにより排気の作用によりノズル先端部の周囲が気流に包まれた状態となるので、ミストが現像液ノズル15に付着することが無く、気密部材31の気密シールが緩い状態であってもミストが漏出することが無い。
この考案の適用は上述の記載に限られず、リンス液ノズル待機容器17a,17b,17cにも適用できる。例えば液処理装置に設けられる液ノズルであれば、洗浄装置でも塗布成膜装置であれば良く、液ノズルの方式はインクジェット方式の液ノズルであっても良い。
W 半導体ウエハ(基板)
2a スピンチャック(基板保持部)
11a,11b,11c 現像処理部のカップ
12a,12b,12c リンス液ノズルアーム
13 リンス液ノズル
14 現像液ノズルアーム
15 現像液ノズル
16 現像液ノズル待機容器
16a 開口部
31 気密部材
32 通気部
33a,33b 弾性部材
35 廃液管
36 貯留槽(貯留部)
38 排気管
41 エジェクター
44 ミストトラップタンク
47 制御部
T1 前排気
T2 本排気
T3 後排気
50 ノズル通気部
51 ノズルスペーサ(筒状体)
52 整流板
53 傾斜板
55a,55b,55c,55d 通気孔

Claims (6)

  1. 保持された基板の上方に液ノズルを移動させて所定の液処理を行なう液処理装置であって、
    基板を収容するカップの中央で基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板の表面を液処理するための液ノズルと、
    前記液ノズルを挿入するための開口部を備え、液ノズルを待機させて仮吐出動作を行なう時の液を液受けする液ノズル待機容器と、
    前記液ノズル待機容器の開口部の周囲に設けられ、前記開口部内に前記液ノズルを挿入した時に開口部を封止して密閉するための気密部材と、
    前記液ノズル待機容器の側方面に設けられ内部の雰囲気を排気する排気管と、
    前記液ノズル待機容器に設けられ、前記排気管の他方に設けられ前記排気に対応して大気を内部に流入させるための通気部と、
    前記仮吐出に同期して排気する時間に、前記仮吐出の開始前に所定時間排気する時間と、前記仮吐出の完了後に所定時間排気する時間との少なくとも一方の排気する時間を設定して動作させる制御装置と、
    を具備することを特徴とする液処理装置。
  2. 前記液ノズル待機容器は、この液ノズル待機容器の内部に仮吐出された液を排出する廃液管と、この廃液管が差し込まれ、排出される廃液を溜める貯留部とを更に有し、前記貯留部に溜まった廃液により前記廃液管が封止した状態で前記排気がされることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
  3. 前記液ノズル待機容器の開口部に液ノズルの長さと略同じ長さかそれよりも多少長い程度に高さ方向に設けられた筒状体を備え、前記筒状体の内側に前記通気部を設けていることを特徴とする請求項1乃至2のいずれかに記載の液処理装置。
  4. 前記液ノズル待機容器の内部には、前記排気される雰囲気の気流を整流するための整流板が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の液処理装置。
  5. 前記液ノズル待機容器は、弾性部材にて保持されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の液処理装置。
  6. 前記カップは横方向に複数設けられ、この複数のカップの間に前記液ノズル待機容器がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011043584A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 基板の洗浄装置及び洗浄方法
JP2017073553A (ja) * 2014-10-07 2017-04-13 大日本印刷株式会社 インプリント装置およびその制御方法
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KR20220097680A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법

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