JP3149564B2 - 抵抗体 - Google Patents
抵抗体Info
- Publication number
- JP3149564B2 JP3149564B2 JP25983792A JP25983792A JP3149564B2 JP 3149564 B2 JP3149564 B2 JP 3149564B2 JP 25983792 A JP25983792 A JP 25983792A JP 25983792 A JP25983792 A JP 25983792A JP 3149564 B2 JP3149564 B2 JP 3149564B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- sintered body
- resistance
- resistor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗特性のばらつきを
防止でき、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できると
ともに、電力容量,及び機械的強度を向上できるように
した抵抗体に関する。
防止でき、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できると
ともに、電力容量,及び機械的強度を向上できるように
した抵抗体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、Ru酸化物,又はRu化合物
を主体としたサーメット抵抗体は精度の優れた抵抗素子
として広く用いられている。このような抵抗体は、例え
ばアルミナ基板の表面に、上記Ru酸化物等からなる抵
抗ペーストを印刷して厚膜の抵抗膜を形成し、これを80
0 〜900 ℃で焼き付ける。そして上記アルミナ基板の抵
抗膜の表面にガラスペーストを塗布した後、焼き付けて
ガラス膜を形成し、これにより湿度等に対する耐環境性
を向上するようにしている。
を主体としたサーメット抵抗体は精度の優れた抵抗素子
として広く用いられている。このような抵抗体は、例え
ばアルミナ基板の表面に、上記Ru酸化物等からなる抵
抗ペーストを印刷して厚膜の抵抗膜を形成し、これを80
0 〜900 ℃で焼き付ける。そして上記アルミナ基板の抵
抗膜の表面にガラスペーストを塗布した後、焼き付けて
ガラス膜を形成し、これにより湿度等に対する耐環境性
を向上するようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の抵抗体では、抵抗膜にガラス膜を直接コーティング
することから抵抗値が変化し易く、特性にばらつきが生
じ易いという問題がある。また上記ガラス膜にピンホー
ルが生じる場合があり、この結果湿度の高い雰囲気中で
はピンホールから水分等が侵入して抵抗特性を悪化させ
るという問題もある。さらに上記従来の抵抗体では、ア
ルミナ基板,抵抗膜,及びガラス膜の熱膨張率がそれぞ
れ異なることから、抵抗膜の基板への密着性が低く、そ
の結果大きな電力容量が得られず、100mW 程度が限度で
あった。
来の抵抗体では、抵抗膜にガラス膜を直接コーティング
することから抵抗値が変化し易く、特性にばらつきが生
じ易いという問題がある。また上記ガラス膜にピンホー
ルが生じる場合があり、この結果湿度の高い雰囲気中で
はピンホールから水分等が侵入して抵抗特性を悪化させ
るという問題もある。さらに上記従来の抵抗体では、ア
ルミナ基板,抵抗膜,及びガラス膜の熱膨張率がそれぞ
れ異なることから、抵抗膜の基板への密着性が低く、そ
の結果大きな電力容量が得られず、100mW 程度が限度で
あった。
【0004】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、抵抗特性のばらつきを回避でき、かつ湿度に
対する耐環境性を向上できるとともに、大きな電力容量
が得られる抵抗体を提供することを目的としている。
たもので、抵抗特性のばらつきを回避でき、かつ湿度に
対する耐環境性を向上できるとともに、大きな電力容量
が得られる抵抗体を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、ZnO
を主成分とする複数のセラミクスシートを、該セラミク
スシートにRuを含む抵抗ペーストを印刷してなる抵抗
膜を介在させて積層し、該積層体を上記抵抗膜とともに
一体焼結して直方体状のセラミクス焼結体を形成し、該
焼結体にガラスを拡散させるとともに、該焼結体の表面
に上記抵抗膜に電気的に接続される外部電極を形成した
ことを特徴する抵抗体である。
を主成分とする複数のセラミクスシートを、該セラミク
スシートにRuを含む抵抗ペーストを印刷してなる抵抗
膜を介在させて積層し、該積層体を上記抵抗膜とともに
一体焼結して直方体状のセラミクス焼結体を形成し、該
焼結体にガラスを拡散させるとともに、該焼結体の表面
に上記抵抗膜に電気的に接続される外部電極を形成した
ことを特徴する抵抗体である。
【0006】ここで、上記ガラス材料としては、セラミ
クスと抵抗膜とを一体焼結する際の焼成温度以下の軟化
点を有し、かつ絶縁性を有するものであればよく、特に
限定するものではないが、耐酸性や耐溶剤性に優れたも
のを用いるのが望ましい。また、上記ガラスを拡散させ
る手段としては、ガラス,又はガラス質の材料にワニス
等を加えてペースト状とし、これを焼結体の表面に付着
させる方法、または上記ガラス材料を溶融,蒸発させた
雰囲気下で焼結体を熱処理して拡散浸透させる方法等が
採用でき、特に限定するものではない。
クスと抵抗膜とを一体焼結する際の焼成温度以下の軟化
点を有し、かつ絶縁性を有するものであればよく、特に
限定するものではないが、耐酸性や耐溶剤性に優れたも
のを用いるのが望ましい。また、上記ガラスを拡散させ
る手段としては、ガラス,又はガラス質の材料にワニス
等を加えてペースト状とし、これを焼結体の表面に付着
させる方法、または上記ガラス材料を溶融,蒸発させた
雰囲気下で焼結体を熱処理して拡散浸透させる方法等が
採用でき、特に限定するものではない。
【0007】また、上記ガラスの拡散量を変化させるこ
とにより抵抗値を任意にコントロールすることが可能で
あり、この拡散量はガラス量や熱処理時の雰囲気濃度,
温度,あるいは時間等を適宜設定することとなる。ちな
みに、拡散量を増やすほど抵抗値は大きくなる。
とにより抵抗値を任意にコントロールすることが可能で
あり、この拡散量はガラス量や熱処理時の雰囲気濃度,
温度,あるいは時間等を適宜設定することとなる。ちな
みに、拡散量を増やすほど抵抗値は大きくなる。
【0008】さらに、上記抵抗体を製造するには、複数
のセラミクスシートをこれの間に上記抵抗膜を介在させ
て積層し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結して焼結
体を形成し、しかる後、この焼結体にガラスを外部から
拡散させることとなる。
のセラミクスシートをこれの間に上記抵抗膜を介在させ
て積層し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結して焼結
体を形成し、しかる後、この焼結体にガラスを外部から
拡散させることとなる。
【0009】
【作用】本発明に係る抵抗体によれば、ZnOを主成分
とする複数のセラミクスシートをRuを含む抵抗膜を介
在させて積層し、該積層体を一体焼結してなる直方体状
のセラミクス焼結体にガラスを拡散させ、さらに上記焼
結体の表面に上記抵抗膜に接続される外部電極を形成し
たので、上記抵抗膜の周囲はセラミクスで覆われてお
り、しかも焼結体の表面はガラス膜で覆われていること
から、従来の抵抗膜に直接ガラスコーティングする場合
のような抵抗値の変化による特性のばらつきを回避でき
る。また、上記抵抗膜の周囲は同一の材料の焼結体で囲
まれることから、放熱性を向上でき、かつ熱膨張の差に
よる歪も小さくでき、それだけ大きな電力容量を得るこ
とができる。さらに、上記焼結体にガラスを拡散させた
ことにより、焼結体に含まれる微細な空孔を埋めること
ができることから、従来のピンホールによる問題を解消
でき、湿度等に対する耐環境性を改善でき、寿命を向上
できる。さらには、上記ガラスの拡散により抵抗体素子
の機械的強度を向上できる。
とする複数のセラミクスシートをRuを含む抵抗膜を介
在させて積層し、該積層体を一体焼結してなる直方体状
のセラミクス焼結体にガラスを拡散させ、さらに上記焼
結体の表面に上記抵抗膜に接続される外部電極を形成し
たので、上記抵抗膜の周囲はセラミクスで覆われてお
り、しかも焼結体の表面はガラス膜で覆われていること
から、従来の抵抗膜に直接ガラスコーティングする場合
のような抵抗値の変化による特性のばらつきを回避でき
る。また、上記抵抗膜の周囲は同一の材料の焼結体で囲
まれることから、放熱性を向上でき、かつ熱膨張の差に
よる歪も小さくでき、それだけ大きな電力容量を得るこ
とができる。さらに、上記焼結体にガラスを拡散させた
ことにより、焼結体に含まれる微細な空孔を埋めること
ができることから、従来のピンホールによる問題を解消
でき、湿度等に対する耐環境性を改善でき、寿命を向上
できる。さらには、上記ガラスの拡散により抵抗体素子
の機械的強度を向上できる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図1及び図2は本発明の一実施例による抵抗体を説
明するための図である。図において、1は本実施例のサ
ーメット抵抗体である。この抵抗体1は略直方体状のセ
ラミクス焼結体3の内部にRu酸化物,又はその化合物
からなる抵抗膜4を埋設して構成されている。この抵抗
膜4の左, 右端面4a,4bは上記焼結体3の左, 右側
面3a,3bに露出しており、残り他の端面は焼結体3
内に封入されている。また、上記焼結体3の左, 右側面
3a,3bにはAg−Pdからなる外部電極5が被覆形
成されており、該外部電極5は上記抵抗膜4の各端面4
a,4bに電気的に接続されている。
る。図1及び図2は本発明の一実施例による抵抗体を説
明するための図である。図において、1は本実施例のサ
ーメット抵抗体である。この抵抗体1は略直方体状のセ
ラミクス焼結体3の内部にRu酸化物,又はその化合物
からなる抵抗膜4を埋設して構成されている。この抵抗
膜4の左, 右端面4a,4bは上記焼結体3の左, 右側
面3a,3bに露出しており、残り他の端面は焼結体3
内に封入されている。また、上記焼結体3の左, 右側面
3a,3bにはAg−Pdからなる外部電極5が被覆形
成されており、該外部電極5は上記抵抗膜4の各端面4
a,4bに電気的に接続されている。
【0011】また、上記焼結体3は、ZnOを主成分と
し、これに副添加物を混合してなる複数のセラミクスシ
ート2を積層して積層体を形成し、この積層体を一体焼
結して形成されたものである。そしてこの場合に、厚さ
方向中央に位置する1枚のセラミクスシート2の上面に
上記抵抗膜4をパターン形成し、この抵抗膜4が形成さ
れたセラミクスシート2に残りのセラミクスシート2を
サンドイッチ状に重ね合わせている。
し、これに副添加物を混合してなる複数のセラミクスシ
ート2を積層して積層体を形成し、この積層体を一体焼
結して形成されたものである。そしてこの場合に、厚さ
方向中央に位置する1枚のセラミクスシート2の上面に
上記抵抗膜4をパターン形成し、この抵抗膜4が形成さ
れたセラミクスシート2に残りのセラミクスシート2を
サンドイッチ状に重ね合わせている。
【0012】そして、上記焼結体3の表面部分にはガラ
ス層6が形成されている。このガラス層6は、上記焼結
体3とガラス粉末とを磁性容器内に収容し、この磁性容
器を回転させながら上記ガラス粉末の軟化点以上の温度
で熱処理し、これによりガラスを上記焼結体3内に拡散
浸透させて形成したものである。
ス層6が形成されている。このガラス層6は、上記焼結
体3とガラス粉末とを磁性容器内に収容し、この磁性容
器を回転させながら上記ガラス粉末の軟化点以上の温度
で熱処理し、これによりガラスを上記焼結体3内に拡散
浸透させて形成したものである。
【0013】次に本実施例の作用効果について説明す
る。本実施例の抵抗体1によれば、焼結体3に抵抗膜4
を埋設するとともにガラス層6を形成したので、この抵
抗膜4の周囲はセラミクスで覆われていることから、従
来のガラスコーティングを不要にでき、それだけ抵抗値
の変化による特性のばらつきを回避できる。また、焼結
体3の外表面部分にガラスを拡散させたので、これによ
り焼結体3内の空孔を埋めることができ、ピンホールの
問題も解消できることから、湿度等に対する耐環境性を
向上でき、寿命特性を向上できる。
る。本実施例の抵抗体1によれば、焼結体3に抵抗膜4
を埋設するとともにガラス層6を形成したので、この抵
抗膜4の周囲はセラミクスで覆われていることから、従
来のガラスコーティングを不要にでき、それだけ抵抗値
の変化による特性のばらつきを回避できる。また、焼結
体3の外表面部分にガラスを拡散させたので、これによ
り焼結体3内の空孔を埋めることができ、ピンホールの
問題も解消できることから、湿度等に対する耐環境性を
向上でき、寿命特性を向上できる。
【0014】また、上記抵抗膜4の周囲はセラミクス材
料で囲まれていることから、放熱性を向上でき、かつ熱
膨張率の差による歪も少なくでき、それだけ電力容量を
向上できる。ちなみに、従来の抵抗素子では100mW 程度
であったのに対して、本実施例の抵抗体1では、従来素
子の体積に比較して小型化を図りながら2〜10倍以上の
電力容量が得られる。
料で囲まれていることから、放熱性を向上でき、かつ熱
膨張率の差による歪も少なくでき、それだけ電力容量を
向上できる。ちなみに、従来の抵抗素子では100mW 程度
であったのに対して、本実施例の抵抗体1では、従来素
子の体積に比較して小型化を図りながら2〜10倍以上の
電力容量が得られる。
【0015】さらに、本実施例では、焼結体3にガラス
層6を形成したことにより、抵抗体1の抗折強度を向上
できるとともに、ガラスの拡散量を変化させることによ
り抵抗値をコントロールすることが可能であるから、用
途を拡大できる。さらにまた複数の抵抗膜4を積層化で
きることから、同一パターン,同一工程で抵抗値の異な
る各種の抵抗体を自由に設計でき、この点からも用途を
拡大できる。
層6を形成したことにより、抵抗体1の抗折強度を向上
できるとともに、ガラスの拡散量を変化させることによ
り抵抗値をコントロールすることが可能であるから、用
途を拡大できる。さらにまた複数の抵抗膜4を積層化で
きることから、同一パターン,同一工程で抵抗値の異な
る各種の抵抗体を自由に設計でき、この点からも用途を
拡大できる。
【0016】なお、上記実施例では、焼結体3の外表面
部分にガラス層6を形成した場合を例にとって説明した
が、本発明は焼結体3の内部全域わたってに拡散させて
もよく、あるいは焼結体の表面にガラスを付着させても
よい。
部分にガラス層6を形成した場合を例にとって説明した
が、本発明は焼結体3の内部全域わたってに拡散させて
もよく、あるいは焼結体の表面にガラスを付着させても
よい。
【0017】次に本実施例の抵抗体1の一製造方法につ
いて説明する。まず、ZnOを主成分とし、これにB
i,Sb,Co,MnをBi2 O3 ,Sb2 O3 ,Co
O,MnO酸化物に換算してそれぞれ1.0 mol %,0.5mo
l %,0.5mol %,0.5mol %となるよう配合してセラミク
ス粉末を形成する。この粉末に純水を加えてボールミル
で粉砕混合してスラリーを形成する。
いて説明する。まず、ZnOを主成分とし、これにB
i,Sb,Co,MnをBi2 O3 ,Sb2 O3 ,Co
O,MnO酸化物に換算してそれぞれ1.0 mol %,0.5mo
l %,0.5mol %,0.5mol %となるよう配合してセラミク
ス粉末を形成する。この粉末に純水を加えてボールミル
で粉砕混合してスラリーを形成する。
【0018】次に、上記スラリーを蒸発乾燥させて、75
0 ℃で2時間仮焼成する。この仮焼成物を粗粉砕し、こ
れに純水を加えてボールミルで微粉砕してセラミクス原
料を形成する。次いで、この原料に、エチルアルコール
及びトルエンを6:4の割合で混合した溶媒を加えてボ
ールミルで混合してスラリーを形成する。
0 ℃で2時間仮焼成する。この仮焼成物を粗粉砕し、こ
れに純水を加えてボールミルで微粉砕してセラミクス原
料を形成する。次いで、この原料に、エチルアルコール
及びトルエンを6:4の割合で混合した溶媒を加えてボ
ールミルで混合してスラリーを形成する。
【0019】上記スラリーをドクタブレード法により、
厚さ70μm のグリーンシートを形成し、このグリーシー
トを乾燥させた後、所定の大きさにカットして矩形状の
セラミクスシート2を多数枚形成する。
厚さ70μm のグリーンシートを形成し、このグリーシー
トを乾燥させた後、所定の大きさにカットして矩形状の
セラミクスシート2を多数枚形成する。
【0020】次に、RuO2 :Ru2 Pb2 O7 :Ru
2 Bi2 O7 =6:2:2mol 比で配合してなる組成物
に、ビヒクル及びガラスを加えて抵抗ペーストを形成す
る。この抵抗ペーストを上記1枚のセラミクスシート2
の上面に印刷して抵抗膜4を形成する。この場合、上記
抵抗膜4の左, 右端面4a,4bがセラミクスシート2
の左, 右外縁に位置し、残り他の端面はシート2の内側
に位置するよう形成する。
2 Bi2 O7 =6:2:2mol 比で配合してなる組成物
に、ビヒクル及びガラスを加えて抵抗ペーストを形成す
る。この抵抗ペーストを上記1枚のセラミクスシート2
の上面に印刷して抵抗膜4を形成する。この場合、上記
抵抗膜4の左, 右端面4a,4bがセラミクスシート2
の左, 右外縁に位置し、残り他の端面はシート2の内側
に位置するよう形成する。
【0021】次いで、上記抵抗膜4が形成されたセラミ
クスシート2の上面,及び下面に複数枚のセラミクスシ
ート2を重ね合わせて積層し、これに2t/cm2 の圧力を
加えて圧着し、これにより積層体を形成する。次に、こ
の積層体を所定の大きさにカットし、これを400 ℃に加
熱してバインダーを飛散させた後、930 ℃に昇温加熱し
て3時間焼成し、これにより焼結体3を得る。これによ
り得られた焼結体3をバレル研磨する。
クスシート2の上面,及び下面に複数枚のセラミクスシ
ート2を重ね合わせて積層し、これに2t/cm2 の圧力を
加えて圧着し、これにより積層体を形成する。次に、こ
の積層体を所定の大きさにカットし、これを400 ℃に加
熱してバインダーを飛散させた後、930 ℃に昇温加熱し
て3時間焼成し、これにより焼結体3を得る。これによ
り得られた焼結体3をバレル研磨する。
【0022】そして、上記焼結体3を磁性容器内に収容
するとともに、この容器内に所定量のホウケイ酸ガラス
粉末を入れる。この状態で上記磁性容器を回転させなが
ら上記ガラス粉末の軟化点以上の800 ℃に加熱し、2時
間熱処理する。この熱処理によって、上記ガラス粉末が
焼結体3の表面部分に拡散浸透して付着し、これにより
ガラス層6が形成されることとなる。
するとともに、この容器内に所定量のホウケイ酸ガラス
粉末を入れる。この状態で上記磁性容器を回転させなが
ら上記ガラス粉末の軟化点以上の800 ℃に加熱し、2時
間熱処理する。この熱処理によって、上記ガラス粉末が
焼結体3の表面部分に拡散浸透して付着し、これにより
ガラス層6が形成されることとなる。
【0023】最後に、上記焼結体3の左, 右側面3a,
3bにAg:Pd=7:3wt比からなる電極ペーストを
塗布し、これを850 ℃で10分間焼き付けて外部電極5を
形成し、該外部電極5と抵抗膜4の左, 右端面4a,4
bとを電気的に接続する。これにより本実施例の抵抗体
1が製造される。
3bにAg:Pd=7:3wt比からなる電極ペーストを
塗布し、これを850 ℃で10分間焼き付けて外部電極5を
形成し、該外部電極5と抵抗膜4の左, 右端面4a,4
bとを電気的に接続する。これにより本実施例の抵抗体
1が製造される。
【0024】
【表1】
【0025】
【表2】
【0026】次に本実施例の抵抗体1の効果を確認する
ために行った試験について説明する。この試験は、表1
及び表2に示すように、ホウケイ酸ガラス粉末の添加量
を0.3 〜1.5 wt%の範囲とし、これによりガラスの拡
散,付着量を変化させて上記製造方法により多数の実施
例試料No. 3〜No. 7を作成した。そして上記各実施例
試料No. 3〜No. 7の抵抗値(Ω),3CV(3σ/平
均×100 %) ,電力容量(mW) ,及び抵抗値の直線性
(α)を測定した。この直線性はα=1/log( R1m A /
R0.1mA )により求めた。また、上記各実施例試料の抗
折強度Kg, 及び1Wの電力を負荷したプレッシャークッ
カー(2気圧, 湿度100 %RH) により96時間後の抵抗値の
変化率%を測定した。なお、比較するために、ガラスの
拡散,及び熱処理をしない比較試料NO. 1と、ガラスの
拡散をしないで熱処理のみ施した比較試料NO. 2を作成
し、これについても同様の測定を行った。
ために行った試験について説明する。この試験は、表1
及び表2に示すように、ホウケイ酸ガラス粉末の添加量
を0.3 〜1.5 wt%の範囲とし、これによりガラスの拡
散,付着量を変化させて上記製造方法により多数の実施
例試料No. 3〜No. 7を作成した。そして上記各実施例
試料No. 3〜No. 7の抵抗値(Ω),3CV(3σ/平
均×100 %) ,電力容量(mW) ,及び抵抗値の直線性
(α)を測定した。この直線性はα=1/log( R1m A /
R0.1mA )により求めた。また、上記各実施例試料の抗
折強度Kg, 及び1Wの電力を負荷したプレッシャークッ
カー(2気圧, 湿度100 %RH) により96時間後の抵抗値の
変化率%を測定した。なお、比較するために、ガラスの
拡散,及び熱処理をしない比較試料NO. 1と、ガラスの
拡散をしないで熱処理のみ施した比較試料NO. 2を作成
し、これについても同様の測定を行った。
【0027】表2からも明らかなように、ガラスを拡散
しない両比較試料NO. 1,NO. 2の場合、電力容量,直
線性,抗折強度等のいずれの特性も使用可能なレベルと
なっているが、抗折強度では2.6,2.3Kg 、抵抗変化率で
は5.2,5.6 %と満足できる値が得られていない。これに
対してガラスを拡散させた各実施例試料NO. 3〜NO.7
の場合は、抵抗値のばらつきが9.0 〜13%, 電力容量が
1360〜1530mW, 直線性が1.00〜1.01と満足できる値が得
られている。しかも抗折強度では3.2,〜4.3Kg、抵抗変
化率では2.2 〜1.1 %と上記比較試料に比べて大幅に向
上しており、寿命特性が向上していることがわかる。ま
た、上記実施例試料NO. 3〜NO. 7では、ガラスの拡散
量を増やすほど抵抗値が大きくなっており、このことか
ら拡散量をコントロールすることにより抵抗値を任意に
設定できることがわかる。
しない両比較試料NO. 1,NO. 2の場合、電力容量,直
線性,抗折強度等のいずれの特性も使用可能なレベルと
なっているが、抗折強度では2.6,2.3Kg 、抵抗変化率で
は5.2,5.6 %と満足できる値が得られていない。これに
対してガラスを拡散させた各実施例試料NO. 3〜NO.7
の場合は、抵抗値のばらつきが9.0 〜13%, 電力容量が
1360〜1530mW, 直線性が1.00〜1.01と満足できる値が得
られている。しかも抗折強度では3.2,〜4.3Kg、抵抗変
化率では2.2 〜1.1 %と上記比較試料に比べて大幅に向
上しており、寿命特性が向上していることがわかる。ま
た、上記実施例試料NO. 3〜NO. 7では、ガラスの拡散
量を増やすほど抵抗値が大きくなっており、このことか
ら拡散量をコントロールすることにより抵抗値を任意に
設定できることがわかる。
【0028】
【発明の効果】以上のように本発明に係る抵抗体によれ
ば、ZnOを主成分とする複数のセラミクスシートをR
uを含む抵抗膜を介在させて積層して一体焼結し、該焼
結体にガラスを拡散させるとともに、該焼結体の表面に
上記抵抗膜に接続される外部電極を形成したので、抵抗
値の変化による特性のばらつきを回避でき、かつ湿度に
対する耐環境性を向上できる効果があるとともに、電力
容量,及び寿命特性を向上できる効果がある。
ば、ZnOを主成分とする複数のセラミクスシートをR
uを含む抵抗膜を介在させて積層して一体焼結し、該焼
結体にガラスを拡散させるとともに、該焼結体の表面に
上記抵抗膜に接続される外部電極を形成したので、抵抗
値の変化による特性のばらつきを回避でき、かつ湿度に
対する耐環境性を向上できる効果があるとともに、電力
容量,及び寿命特性を向上できる効果がある。
【図1】本発明の一実施例による抵抗体を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図2】上記実施例の抵抗体の製造方法を示す分解斜視
図である。
図である。
1 抵抗体 3 焼結体 4 抵抗膜 6 ガラス層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 晃慶 京都府長岡京市天神2丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 後 外茂昭 京都府長岡京市天神2丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平4−18701(JP,A) 特開 昭60−201601(JP,A) 特開 昭64−67901(JP,A) 特開 昭52−41856(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01C 7/00
Claims (1)
- 【請求項1】 ZnOを主成分とする複数のセラミクス
シートを、該セラミクスシートにRuを含む抵抗ペース
トを印刷してなる抵抗膜を介在させて積層し、該積層体
を上記抵抗膜とともに一体焼結して直方体状のセラミク
ス焼結体を形成し、該焼結体にガラスを拡散させるとと
もに、該焼結体の表面に上記抵抗膜に電気的に接続され
る外部電極を形成したことを特徴する抵抗体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25983792A JP3149564B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 抵抗体 |
US08/127,747 US5430429A (en) | 1992-09-29 | 1993-09-27 | Ceramic resistor wherein a resistance film is embedded |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25983792A JP3149564B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 抵抗体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06112007A JPH06112007A (ja) | 1994-04-22 |
JP3149564B2 true JP3149564B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=17339681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25983792A Expired - Fee Related JP3149564B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3149564B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP25983792A patent/JP3149564B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06112007A (ja) | 1994-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3149564B2 (ja) | 抵抗体 | |
JP4802353B2 (ja) | 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JPH11340090A (ja) | 粒界絶縁型積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP2560891B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
JP3189419B2 (ja) | 抵抗体 | |
US5430429A (en) | Ceramic resistor wherein a resistance film is embedded | |
JP2976250B2 (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
JP3245933B2 (ja) | 抵抗体 | |
JP2983096B2 (ja) | 積層形電圧非直線抵抗器の製造方法 | |
JP3245946B2 (ja) | 抵抗体 | |
JPH0214501A (ja) | 電圧非直線抵抗器 | |
JP3528972B2 (ja) | Ntcサーミスタ | |
JPH0536503A (ja) | 積層型バリスタ | |
JPH0142612B2 (ja) | ||
JP3316552B2 (ja) | 抵抗体の製造方法 | |
JPS63219115A (ja) | 積層型半導体磁器電子部品の製造方法 | |
JP3632592B2 (ja) | チップサーミスタおよびその製造方法 | |
JP2504226B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
JPS622612A (ja) | 積層型セラミツクコンデンサ素子 | |
JPH02276203A (ja) | 積層型サーミスタの製造方法 | |
JP3289354B2 (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 | |
JP2000091106A (ja) | 積層型半導体セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2682259B2 (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
JPH06310304A (ja) | Ntcサーミスタ | |
JPH04306803A (ja) | 積層型バリスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |