JP3149351B2 - 磁気センサ素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、地磁気コンパス等
に使用される磁気センサ素子及びその製造方法に係り、
とくにアモルファス磁性合金箔を用いて構成した高感度
で出力特性の安定した磁気センサ素子及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の地磁気コンパス等に使用
される磁気センサ素子は、図８に示すように環状磁心４
０に出力巻線４１及び励磁巻線４２を施した環状磁心形
平行フラックスゲート構造のものが一般的であった。そ
の磁心材料は、高透磁率、低保磁力、低磁歪の磁性材料
としてパーマロイ（透磁率μ:100,000〜300,000）が広
く使用されていた。

【０００３】また、アモルファス磁性合金の細線を用い
た磁気センサ素子が特公平７−８２０８２号に提案され
ている。この特公平７−８２０８２号の磁気センサ素子
は、アモルファス磁性合金の細線をパイプに挿通し、パ
イプ内に樹脂を充填した構造を持つ。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の環状
磁心形平行フラックスゲート構造の磁気センサ素子で用
いられているパーマロイのトロイダルコアの形状は、直
径２０mm前後で、地磁気コンパス等のセンサユニット全
体に対する磁気センサ素子の占有面積は３０〜４０％程
度となる。センサユニットの小型化には、磁気センサ素
子の小型化が必須であるが、環状磁心形平行フラックス
ゲート構造の磁気センサ素子を用いる限り、小型化が困
難である。また、トロイダルコアに対して出力巻線とは
別に環状に巻く励磁巻線が必要であり、巻線作業の自動
化が困難で、作業コストも高くなる欠点もある。

【０００５】特公平７−８２０８２号で提案されたアモ
ルファス磁性合金の細線を用いる磁気センサ素子の場
合、外部応力による磁気特性の変化が問題となってい
る。また、外部応力による磁気特性の変化が少なくなる
ような固定方法が難しいきらいがある。

【０００６】本発明は、上記の点に鑑み、絶縁基板に固
着されたアモルファス磁性合金箔を用いることで感度の
向上、小形化、出力特性の安定化を図るとともに、巻線
作業を容易として低コスト化を図った磁気センサ素子及
びその製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気センサ素子は、非磁性で熱膨張率が１
０〜１５ppm／℃のＢＴレジン又は熱膨張率が１４〜１
８ppm／℃のガラス・エポシキ樹脂で構成されかつ棒状
部の両端に幅広部を形成した絶縁基板に、直線帯状部の
両端に該直線帯状部よりも幅又は径の大きな端子接続電
極部を有するコバルト系アモルファス磁性合金箔を固着
して前記端子接続電極部を前記幅広部上に位置させ、前
記直線帯状部上に絶縁被膜となるレジストを設け、当該
レジストの設けられていない前記端子接続電極部にはん
だ付着性の良好な金属膜を設け、前記端子接続電極部に
励磁用端子をはんだ又は導電性ペーストで接続固定し、
前記棒状部及び当該棒状部に配置された前記直線帯状部
を周回する検出巻線を設け、前記検出巻線の両端を前記
幅広部に設けた検出用端子にそれぞれはんだ又は導電性
ペーストで接続し、前記励磁用端子、検出用端子の少な
くとも一部が前記絶縁基板の下側にあるようにしたこと
を特徴としている。

【０００９】

【００１０】本発明の磁気センサ素子の製造方法は、コ
バルト系アモルファス磁性合金箔を非磁性で熱膨張率が
１０〜１５ppm／℃のＢＴレジン又は熱膨張率が１４〜
１８ppm／℃のガラス・エポシキ樹脂の絶縁基板に接着
し、前記コバルト系アモルファス磁性合金箔を直線帯状
部の両端に該直線帯状部よりも幅又は径の大きな端子接
続電極部を有するようにエッチング処理によりパターン
加工する工程と、前記直線帯状部上に絶縁被膜となるレ
ジストを設け、当該レジストの設けられていない前記端
子接続電極部にはんだ付着性の良好な金属膜を設ける工
程と、前記端子接続電極部に励磁用端子をはんだ又は導
電性ペーストで接続固定する工程と、 棒状部の両端に幅
広部を形成後の前記絶縁基板における前記棒状部及び当
該棒状部に配置された前記直線帯状部を周回する検出巻
線を設けて、当該検出巻線の両端を前記幅広部に設けた
検出用端子にそれぞれはんだ又は導電性ペーストで接続
する工程とを備え、 前記絶縁基板に固定後の前記励磁用
端子、検出用端子の少なくとも一部が前記絶縁基板の下
側にあるようにしたことを特徴としている。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気センサ素
子及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明す
る。

【００１２】図１及び図２は完成状態の磁気センサ素子
を示している。これらの図において、１は非磁性の絶縁
基板であり、棒状部１ａの両端部に幅の広い幅広部１ｂ
を形成したものであり、ガラス・エポシキ樹脂、ＢＴレ
ジン（ガラス布基材ビスマレイミド・トリアジン樹脂）
のコンポジット材で構成されている。絶縁基板１上には
アモルファス磁性合金箔による外部磁界検出用の磁性体
部２及び端子接続電極部（端子接続ランド）４が接着等
で固着されている。アモルファス磁性合金箔の磁性体部
２は直線帯状部２ａの両端に端子接続電極部（端子接続
ランド）２ｂを有するパターンであり、直線帯状部２ａ
が棒状部１ａに沿いかつ端子接続電極部２ｂが幅広部１
ｂ上に位置するように配設されている。アモルファス磁
性合金箔の一対の端子接続電極部４は前記幅広部１ｂに
それぞれ配置されている。前記端子接続電極部２ｂは前
記直線帯状部２ａよりも大きな幅（もしくは径）を有す
る形状であり、端子接続電極部４についても同様であ
る。アモルファス磁性合金箔は高感度（微小な磁界変化
に対して大きな出力電圧を発生できること）を要求され
るため、高透磁率、低磁歪、低保磁力のものとして、コ
バルト系アモルファス磁性合金箔（透磁率μ:30,000〜
1,000,000）が最適である。なお、図１では端子接続電
極部２ｂが略方形、端子接続電極部４が円形であるが、
いずれも方形、円形等の任意の形状を取り得る。前記絶
縁基板１の前記端子接続電極部２ｂ，４が位置する部分
には当該絶縁基板１及びアモルファス磁性合金箔を貫通
するように端子取付用貫通穴５，６がそれぞれ形成され
ている。

【００１３】図１の斜線部Ｐで示すようにアモルファス
磁性合金箔のうち直線帯状部２ａを覆いかつ端子接続電
極部２ｂ，４は覆わない如く、ソルダレジスト１０が形
成され、このソルダレジスト１０で覆われていないアモ
ルファス磁性合金箔の領域、すなわち端子接続電極部２
ｂ，４にはんだ付着性の良好な金属めっき膜（例えばは
んだめっき膜、錫めっき膜等）が形成されている。ソル
ダレジスト１０は直線帯状部２ａを覆って絶縁する絶縁
被膜として機能する。

【００１４】前記アモルファス磁性合金箔で形成された
磁性体部２の両端部の端子接続電極部２ｂの端子取付用
貫通穴５には励磁用端子ピン１１がそれぞれ挿入され、
はんだ又は導電性ペースト１５で端子接続電極部２ｂに
接続固定されている。同様に、一対のアモルファス磁性
合金箔で構成された端子接続電極部４の端子取付用貫通
穴６にも検出用端子ピン１２がそれぞれ挿入され、はん
だ又は導電性ペースト１５で端子接続電極部４に接続固
定されている。図２のように、各端子は少なくとも一部
が絶縁基板１の下側にある。

【００１５】前記絶縁基板１の棒状部１ａ及びそこに配
置された直線帯状部２ａの周囲を周回するようにウレタ
ン線等の絶縁被覆線で検出巻線１３が巻回され、検出巻
線１３の両端は前記検出用端子ピン１２に接続される。
例えば、検出用端子ピン１２をはんだ又は導電性ペース
ト１５で端子接続電極部４に接続固定する際に、検出巻
線１３の両端もはんだ又は導電性ペースト１５で検出用
端子ピン１２に接続固定すればよい。なお、絶縁基板１
の形状寸法は、例えば全長約１５mm、棒状部１ａの幅約
２mm、厚さ約２mm、アモルファス磁性合金箔の直線帯状
部２ａの長さ約１０mm、幅約１mm程度である。

【００１６】図３乃至図５で多面取り用の長尺絶縁基板
材を用いた磁気センサ素子の製造方法について説明す
る。

【００１７】図３は磁気センサ素子の製造工程図であ
り、アモルファス磁性合金箔の接着工程＃１では、図４
のように分割したときに磁気センサ素子の絶縁基板とな
る非磁性の長尺絶縁基板材（多面取り基板材）２１に、
同形状のアモルファス磁性合金箔２２をエポキシ樹脂系
のシート状プリプレグ（pre-preg）２３を介在させて加
熱、加圧して接着する。ここで、長尺絶縁基板材２１は
ガラス・エポシキ樹脂、ＢＴレジン、その他のコンポジ
ット材であり、アモルファス磁性合金箔は高透磁率、低
磁歪、低保磁力のものとして、コバルト系アモルファス
磁性合金箔が望ましい。

【００１８】エッチング処理工程＃２では、長尺絶縁基
板材２１片面に貼り付けられたアモルファス磁性合金箔
２２上にエッチングレジスト（ドライフィルム）を貼
り、さらにその上にフォトマスク（フィルム）を貼り付
けて、露光し、フォトマスクを外し現像処理して、所望
のパターンのエッチングレジストを残し、該エッチング
レジストで覆われていないアモルファス磁性合金箔部分
を除去することで所望のアモルファス磁性合金箔のパタ
ーンを作成する。すなわち、図１の絶縁基板１の大きさ
に対応した長尺絶縁基板材２１の個々の区画Ｂに対し、
図１に示した直線帯状部２ａの両端に端子接続電極部
（端子接続ランド）２ｂを有する磁性体部２のパターン
及び端子接続電極部（端子接続ランド）４のパターンを
エッチング処理によりそれぞれ形成する。

【００１９】ドリル穴あけ工程＃３では図１の励磁用端
子ピン１１及び検出用端子ピン１２を差し込んで取り付
けるための端子取付用貫通穴５，６をドリル加工によっ
てそれぞれ形成する。

【００２０】電極部のはんだめっき工程＃４では、前記
長尺絶縁基板材２１のアモルファス磁性合金箔パターン
のある側にソルダレジスト液（エポキシ樹脂系）を塗布
し、その上にフォトマスク（図１の斜線部Ｐのみにレジ
ストが形成されるようにするためのフィルム）を貼り付
け、露光する。露光後、前記図１の斜線部Ｐの範囲のソ
ルダレジストが硬化して残る。その後、電解めっきによ
るはんだめっきを、ソルダレジストが塗布されていない
領域、すなわち端子接続電極部２ｂ，４に施す。はんだ
めっきを端子接続電極部２ｂ，４に施しておくことで、
端子ピン１１，１２のはんだ付けによる接着強度（ピー
ル強度）を１ｋｇ以上とすることができる。

【００２１】その後、基板外形の打ち抜き工程＃５で、
前記長尺絶縁基板材２１を図５のように個々の絶縁基板
１が連なった形状に打ち抜き、さらに必要個所を切断し
て図１の絶縁基板１を得る。

【００２２】そして、端子装着及び巻線工程＃６で図１
及び図２の如く絶縁基板１の端子取付用貫通穴５，６に
対して励磁用端子ピン１１及び検出用端子ピン１２を差
し込むとともに、ソルダレジスト１０が絶縁被膜となっ
て直線帯状部２ａを覆っている絶縁基板１の棒状部１ａ
の周囲に、ウレタン線等の絶縁被覆線を自動巻線機等で
所定回数巻回して検出巻線１３とし、その巻線端を検出
用端子ピン１２に絡げてはんだ付け又は導電性ペースト
で端子接続電極部４、検出用端子ピン１２及び検出巻線
１３を相互に接続する。同時に励磁用端子ピン１１を端
子接続電極部２ｂに対してはんだ付け又は導電性ペース
トで接続処理する。

【００２３】以上の各工程＃１乃至＃６により図１及び
図２に示した個々の磁気センサ素子を能率的に製造する
ことができる。

【００２４】図６は直交フラックスゲート構造の磁気セ
ンサ素子の出力波形を示すものであり、図１及び図２に
示した磁気センサ素子の励磁用端子ピン１１間にパルス
発生回路（図１中仮想線で示す）３０を接続して、アモ
ルファス磁性合金箔による磁性体部２の直線帯状部２ａ
にパルス電圧を印加し、外部磁界Ｈexを直線帯状部２ａ
に平行に与えた場合において、パルス電圧の立ち下がり
に検出巻線１３に急峻なパルス電圧が発生することを示
している。地磁気レベルの外部磁界（約０.３Ｏｅ）で
検出巻線１３の両端に数１００ｍＶ（ピーク値）の検出
出力電圧が得られる。なお、外部磁界Ｈexが直線帯状部
２ａに平行でない場合、直線帯状部２ａに平行な磁界成
分に比例した検出出力電圧が前記検出巻線１３に現れ
る。

【００２５】図７は前記外部磁界Ｈexを変化させた場合
の、外部磁界Ｈexと検出巻線１３の検出出力電圧との関
係（磁界の強さ−出力電圧特性）を基板材質や外部応力
を変化させた場合毎に示す。但し、検出巻線１３の巻数
２００回、印加パルス電圧の立ち下がり時間０．５μ
Ｓ、磁性体部２に流れる励磁電流１５０ｍＡとした。図
中、曲線（イ）は絶縁基板１として紙フェノール樹脂を
用いたもので絶縁基板１の上下方向に５００gfの外部応
力を印加した場合である。検出感度及び直線性共に悪い
ことが解る。曲線（ロ）は絶縁基板１としてガラス・エ
ポシキ樹脂又はＢＴレジンを用い、ソルダレジストを設
けず、外部応力無しの場合である。この曲線（ロ）のと
き、検出感度及び直線性共に最もよい。また、曲線
（ハ）は絶縁基板１としてガラス・エポシキ樹脂又はＢ
Ｔレジンを用い、かつソルダレジストを設け、外部応力
無しの場合である。この曲線（ハ）は、図１及び図２の
実施の形態の構成であり、地磁気レベルの磁界の強さの
範囲（０．５Ｏｅ位まで）では前記曲線（ロ）と検出感
度及び直線性共に殆ど差異がない。曲線（ニ）は絶縁基
板１としてガラス・エポシキ樹脂又はＢＴレジンを用
い、ソルダレジストを設けず、絶縁基板１の上下方向に
５００gfの外部応力を印加した場合（ソルダレジスト付
きの場合も同様）である。曲線（ニ）では検出感度及び
直線性共に低下するが低下量は僅かであり、紙フェノー
ル樹脂の曲線（イ）に比べ格段に優れている。

【００２６】なお、絶縁基板材の選定にあっては、磁気
センサ素子に加わる熱衝撃によって、基板材とアモルフ
ァス磁性合金箔の熱膨張率の差により、アモルファス磁
性合金箔に応力がかかる可能性があるため、使用するア
モルファス磁性合金箔の熱膨張率に近い熱膨張率の基板
材を用いる。例えば、コバルト系アモルファス磁性材の
熱膨張率：１２〜１３ppm／℃であるのに対し、ＢＴレ
ジンの熱膨張率：１０〜１５ppm／℃、ガラス・エポシ
キ樹脂の熱膨張率：１４〜１８ppm／℃、アルミナの熱
膨張率：５〜６ppm／℃であり、アモルファス磁性合金
箔をコバルト系アモルファス磁性材で形成した場合、Ｂ
Ｔレジンやガラス・エポシキ樹脂の熱膨張率がコバルト
系アモルファス磁性材に近似しているので好ましいこと
が判る。

【００２７】この図１及び図２に示した実施の形態によ
れば、次の通りの効果を得ることができる。

【００２８】(1) 高透磁率、低磁歪のアモルファス磁
性合金（例えば、コバルト系で透磁率μ:30,000〜1,00
0,000）を磁性体として利用することで、感度の向上、
小型化が可能である。

【００２９】(2) アモルファス磁性合金箔を絶縁基板
材に貼り付けて、プリント基板の製造方法を利用してア
モルファス磁性合金箔及び絶縁基板材を所望の形状に簡
単に仕上げることができ、アモルファス磁性合金箔のパ
ターン位置及び形状の精度が高く、製造容易であり、安
価に製造できる。

【００３０】(3) 直交フラックスゲート方式の磁気セ
ンサ素子とすることで、磁性体が直線帯状（棒状）で済
み、別に励磁巻線を設ける必要がなく、小型化でき（従
来の環状磁心形平行フラックスゲート方式の半分位の占
有面積にでき）、検出巻線１３を設けるときの巻線作業
性の改善が可能である。

【００３１】(4) 絶縁基板１として剛性の大きなガラ
ス・エポシキ樹脂、ＢＴレジン等を用い、これに磁性体
としてのアモルファス磁性合金箔を貼り付けることで、
外部応力による磁気特性の変化を少なくすることがで
き、ひいては安定した直線性の良い出力を検出巻線１３
の両端に得ることができる。また、ガラス・エポシキ樹
脂、ＢＴレジンはアモルファス磁性合金箔と熱膨張係数
が近いので、アモルファス磁性合金箔の接着の信頼性を
十分確保できる。

【００３２】(5) アモルファス磁性合金箔による磁性
体２の直線帯状部２ａ上に絶縁被膜となるソルダレジス
ト１０が設けられており、当該レジスト１０の設けられ
ていない端子接続電極部２ｂ，４にはんだ付着性の良好
な金属めっき膜としてのはんだめっき膜が形成されてお
り、励磁用端子ピン１１，検出用端子ピン１２のはんだ
付けによる十分な固着強度を確保できる。

【００３３】(6) ソルダレジスト１０がアモルファス
磁性合金箔の直線帯状部２ａを検出巻線１３から絶縁す
る絶縁被膜として機能するから、検出巻線１３を巻回す
る際に絶縁用の巻枠等は不要であり、構造を簡素化する
ことができる。

【００３４】(7) コバルト系アモルファス磁性合金は
非常に高価な材料であるが、１個当たりの使用量は僅か
０.０００８ｇ程度であり、製造歩留まりを考慮すれ
ば、製品コストにしめるアモルファス磁性合金の材料費
は僅かである。

【００３５】なお、上記の実施の形態では、絶縁基板１
に対し励磁用端子ピン１１，検出用端子ピン１２を差し
込んで取り付ける端子構造を示したが、絶縁基板を挟持
するクリップ端子等の種々の端子構造を採用することが
可能である。但し、磁気コンパスに使用される場合、磁
気センサ素子の実装精度が問題となるため、端子ピンの
方が精度上好ましいと思われる。

【００３６】また、アモルファス磁性合金箔の端子接続
電極部２ｂ，４にはんだめっきを施したが、はんだ付着
性の良い金属めっき膜として錫めっき等を施すようにし
ても差し支えない。

【００３７】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気セン
サ素子によれば、外部磁界を検出するための直線帯状部
を有する磁性体部を高透磁率、低磁歪のコバルト系アモ
ルファス磁性合金箔で構成し、該アモルファス磁性合金
箔を剛性に優れたＢＴレジン又はガラス・エポシキ樹脂
の絶縁基板に固着し、該絶縁基板に励磁用端子及び検出
用端子を設けた構造とすることで、感度の向上、検出出
力の安定化、更には小型化を図ることができる。また、
検出巻線の巻線作業が簡単になるため、製造容易であ
り、原価低減を図ることができる。さらに、ガラス・エ
ポシキ樹脂、ＢＴレジンは、コバルト系アモルファス磁
性合金箔と熱膨張係数が近いので、該アモルファス磁性
合金箔の接着の信頼性を十分確保できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態であって磁気センサ素子の
完成状態を示す一部を断面とした平面図である。

【図２】同じく一部を断面とした正面図である。

【図３】図１の磁気センサ素子の製造工程図である。

【図４】長尺絶縁基板材に対するアモルファス磁性合金
箔の接着工程を説明する分解斜視図である。

【図５】基板外形の打ち抜き工程終了後の長尺絶縁基板
材を示す平面図である。

【図６】磁気センサ素子の磁性体部に印加するパルス電
圧波形と、その立ち下がりに検出巻線に発生する出力電
圧波形をそれぞれ示す波形図である。

【図７】外部磁界の強さと検出巻線に発生する検出出力
電圧（ピーク値）との関係を、絶縁基板材質及び外部応
力の有無に対応させて示すグラフである。

【図８】従来の環状磁心形平行フラックスゲート構造の
磁気センサ素子を示す平面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 １ａ 棒状部 １ｂ 幅広部 ２ 磁性体部 ２ａ 直線帯状部 ２ｂ，４ 端子接続電極部 ５，６ 端子取付用貫通穴 １０ ソルダレジスト １１ 励磁用端子ピン １２ 検出用端子ピン １３ 検出巻線 ２１ 長尺絶縁基板材 ２２ アモルファス磁性合金箔 ２３ プリプレグ ３０ パルス発生回路

フロントページの続き (72)発明者 渡辺 正人 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティ ーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−163686（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−198912（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−206083（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−173988（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−56219（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 33/04 - 33/05

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性で熱膨張率が１０〜１５ppm／℃
   のＢＴレジン又は熱膨張率が１４〜１８ppm／℃のガラ
   ス・エポシキ樹脂で構成されかつ棒状部の両端に幅広部
   を形成した絶縁基板に、直線帯状部の両端に該直線帯状
   部よりも幅又は径の大きな端子接続電極部を有するコバ
   ルト系アモルファス磁性合金箔を固着して前記端子接続
   電極部を前記幅広部上に位置させ、前記直線帯状部上に
   絶縁被膜となるレジストを設け、当該レジストの設けら
   れていない前記端子接続電極部にはんだ付着性の良好な
   金属膜を設け、前記端子接続電極部に励磁用端子をはん
   だ又は導電性ペーストで接続固定し、前記棒状部及び当
   該棒状部に配置された前記直線帯状部を周回する検出巻
   線を設け、前記検出巻線の両端を前記幅広部に設けた検
   出用端子にそれぞれはんだ又は導電性ペーストで接続
   し、前記励磁用端子、検出用端子の少なくとも一部が前
   記絶縁基板の下側にあるようにしたことを特徴とする磁
   気センサ素子。
2. 【請求項２】 コバルト系アモルファス磁性合金箔を非
   磁性で熱膨張率が１０〜１５ppm／℃のＢＴレジン又は
   熱膨張率が１４〜１８ppm／℃のガラス・エポシキ樹脂
   の絶縁基板に接着し、前記コバルト系アモルファス磁性
   合金箔を直線帯状部の両端に該直線帯状部よりも幅又は
   径の大きな端子接続電極部を有するようにエッチング処
   理によりパターン加工する工程と、 前記直線帯状部上に絶縁被膜となるレジストを設け、当
   該レジストの設けられていない前記端子接続電極部には
   んだ付着性の良好な金属膜を設ける工程と、前記端子接続電極部に励磁用端子をはんだ又は導電性ペ
   ーストで接続固定する工程と、 棒状部の両端に幅広部を形成後の 前記絶縁基板における
   前記棒状部及び当該棒状部に配置された前記直線帯状部
   を周回する検出巻線を設けて、当該検出巻線の両端を前
   記幅広部に設けた検出用端子にそれぞれはんだ又は導電
   性ペーストで接続する工程とを備え、 前記絶縁基板に固定後の前記励磁用端子、検出用端子の
   少なくとも一部が前記絶縁基板の下側にあるようにした
   ことを特徴とする磁気センサ素子の製造方法。