JP3146841B2 - ウエーハのリンス装置 - Google Patents

ウエーハのリンス装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンや化合物半導
体の単結晶ウエーハのリンス装置に関し、詳しくは、薬
液洗浄やエッチング処理後のシリコンウエーハ表面に残
留する薬液を純水により洗浄除去する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、たとえばシリコン単結晶のウエー
ハ製造工程において、アルカリ液または酸液による薬液
洗浄、もしくはエッチング処理されたシリコンウエーハ
（以下、ウエーハと略記することがある）は、その後、
水切り乾燥を行うことなく、直ちに純水によりリンスさ
れる。
【０００３】このリンス方法として、例えば多段の手振
りリンス方式がある。以下、これについて説明すると、
図３に示すように上部にリンス廃液の溢流排出部４２
と、内部下方に純水を上向きに噴出する噴出ノズル４３
とを設けたリンス槽４１を複数配置する一方、薬液で処
理後の複数枚のウエーハＷを、保持部材３５に保持され
た専用のバスケット５１に互いに適宜間隔をあけて、か
つ平行に並べて収納しておき、噴出ノズル４３から純水
を上向流で供給しながら、純水で満たされた各リンス槽
４１の純水中でバスケット５１を手振りにより上下に振
蕩し、前記各リンス槽で数回のリンスを行う方法であ
る。なお、図３のリンス槽４１内には超音波発振子３が
設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このリンス方
法では、純水がバスケット５１におけるウエーハ保持溝
部（図示せず）に十分供給されないため該溝部における
純水の置換が不十分であり、またウエーハＷから離脱し
た薬液が迅速にリンス槽４１外に排出されずに純水と混
合してリンス槽４１内に滞留してしまうため、ウエーハ
Ｗ表面に薬液が残りやすくなる結果、多段洗浄を行った
にも拘らずリンス後のウエーハＷ表面に汚れ（薬液のエ
ッチング作用に起因するとみられる面荒れ、突起、ピッ
ト等）が発生し外観不良となる問題があり、リンスを完
全に行うにはリンス槽４１を多段配備することが必要と
なり、リンス作業が面倒で長時間を要するものとなる欠
点があった。
【０００５】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、ウエーハＷを的確にリンスできる装置
を簡単な構成で提供することにある。本発明は、ヘッド
タンクから純水を落差によりリンス槽に導入し、リンス
槽内に収納したウエーハの表面に沿ってその純水を上向
流、かつ高流速で供給して、ウエーハＷから離脱した薬
液を迅速にリンス槽外へ排出することにより、ウエーハ
Ｗの洗浄効率を向上させたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のウエー
ハのリンス装置は、リンス用の純水を貯溜するヘッドタ
ンクとリンス槽とで構成され、該リンス槽は上部にリン
ス廃液の溢流排出部を有する外側の槽体と、底板に開口
部が形成され、リンスするべきウエーハを収納したバス
ケットを内部に保持するための保持部材を有する内側の
槽体とからなり、該リンス槽では前記内側の槽体が外側
の槽体内に挿入され、外側の槽体の内周面と内側の槽体
の外周面との間に区画室が形成され、前記ヘッドタンク
から純水をヘッド差により供給する純水供給管が下端開
口部を下向きにして前記区画室内に挿入され、該純水供
給管から区画室上部、区画室底部、内側の槽体の底板の
開口部を経て内側の槽体の上方へと純水の流路が形成さ
れたことを特徴とする。
【０００７】請求項２に記載のウエーハのリンス装置
は、請求項１において、内側の槽体の底板に形成された
開口部の他に、内側の槽体の周壁下端部にも開口部が形
成されたことを特徴とする。
【０００８】請求項３に記載のウエーハのリンス装置
は、請求項１において、外側の槽体の底板と内側の槽体
の底板との間に、純水を噴出する噴出ノズルが設けられ
たことを特徴とする。
【０００９】請求項４に記載のウエーハのリンス装置
（図１５〜図１７参照）は、リンス用の純水を貯溜する
ヘッドタンクと、上部にリンス廃液の溢流排出部を有す
るリンス槽と、前記ヘッドタンクから前記リンス槽にヘ
ッド差を付与した純水を供給する純水供給管とを有し、
前記リンス槽１は直方体状に形成され、該リンス槽１の
対向周壁の下半部に純水供給用のノズル１ｃが該周壁の
長手方向ほぼ全体にわたって多数形成されているととも
に、平面断面視が帯状の純水供給部材１７と１７が、リ
ンス槽１の対向周壁を構成部材として互いに対向して鉛
直方向に設けられ、純水供給部材１７はリンス槽周壁
と、その外側にリンス槽周壁と平行に設けられた平板９
と、左右の側板１０，１０と、底板とにより構成され、
純水供給部材１７の上端部は純水供給管１４に連通し、
該純水供給部材１７の長さ（水平方向の寸法）はリンス
槽１の長さとほぼ等しいことを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１に記載のリンス装置においては、ヘッ
ドタンクから純水供給管を経て区画室内に下向きに導入
された純水が、区画室上部、区画室底部、底板の開口部
を経て底板の上方へと流れる上向流になり、ヘツドタン
クと純水供給管の出口との落差がそのまま上記純水の上
向流の線速上昇に寄与し、ウエーハ表面から離脱した薬
液は純水により迅速に置換される。
【００１１】請求項２に記載のリンス装置においては、
内側槽体の底板開口部からの純水の上向流と、周壁下端
部の開口部からの純水の上向流とが形成されるため、リ
ンス効果が向上する。
【００１２】請求項３に記載のリンス装置においては、
高流速純水によるリンスの他に、噴出ノズルからの純水
によるリンス効果が加わるので、より高度のリンスが可
能となる。
【００１３】請求項４に記載のリンス装置においては、
純水供給管１４からの純水が純水供給部材１７に充満し
た状態で下向きに流れ、ノズル１ｃを介してリンス槽１
に流入し、上向流でウエーハＷに向かって供給される。
この場合、純水は純水供給部１７内で整流され、しかも
リンス槽１のほぼ全長にわたって設けられた多数のノズ
ル１ｃから供給されるため、リンス槽１内の全てのウエ
ーハＷに均一な流速で供給されるので、ムラのない高精
度のリンスを行うことができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明を、図面に示す実施例により更
に詳細に説明する。 実施例１ 図１は、本発明の実施に用いられるリンス装置の一部す
なわち、多段リンス装置における一つの段を示す概略断
面図である。この図において円筒形のリンス槽１は、上
部にリンス廃液の溢流排出部２と、底部中央に超音波振
動子３と、この超音波振動子３の直上に設けられ、純水
を上方に向けて噴出する複数の噴出ノズル４と、この噴
出ノズル４の直上に設けられ、図３に示すバスケット５
１を保持する保持部材５とを備えている。
【００１５】リンス槽１の直上に配置されたヘッドタン
ク１１は上部に、エアーベント管１２及び、純水を流入
させるための純水流入管１３と、底部に２本の純水供給
管１４とを備えている。純水供給管１４には電磁弁１５
が設けられ、この純水供給管１４の下方部は、リンス槽
１内の純水に浸漬され、リンス槽１の内周面近傍に位置
している。
【００１６】ここで、ウエーハＷのリンス要領について
説明すると、図３と同様にあらかじめ、リンスするべき
複数枚のウエーハＷをバスケット５１に互いに適宜間隔
をあけて、かつ平行に並べて収納する。また、それぞれ
のヘッドタンク１１に所定量の純水を貯溜し、それぞれ
のリンス槽１に満杯または、ほぼ満杯状態に純水を貯溜
する。
【００１７】次いで、一段目のリンス槽１の保持部材５
にバスケット５１を固定してウエーハＷの表面をほぼ鉛
直方向に沿わせ、噴出ノズル４からの純水供給を開始す
ると同時に、電磁弁１５を開放してヘッドタンク１１内
の純水を所定量、落差により純水供給管１４を介してリ
ンス槽１に供給する。この場合、あらかじめヘッドタン
ク１１内の純水貯溜量を一定とするとともに、電磁弁１
５の開放時間を一定にセットすることで、ヘッドタンク
１１からリンス槽１への純水供給量を一定にすることが
できる。
【００１８】噴出ノズル４からの純水は、上向流でウエ
ーハＷの表面に沿うようにして供給され、ヘッドタンク
１１からの純水は、落差によりリンス槽１の内周面の近
傍に沿って底部に向けて流下した後、流れの向きを変え
て上向流となり、ウエーハＷに向けて供給される。ウエ
ーハＷの表面から離脱した薬液は、これらの上向流に同
伴して流れ、溢流排出部２からリンス槽１外に排出され
る。
【００１９】この場合、リンス槽１の噴出ノズル４より
下方に滞留している、前工程の薬液で汚染された純水
は、ヘッドタンク１１より大量・急速に流下した純水に
よって置換されて上向流となり、噴出ノズル４より上方
の純水は、下方から上向流で供給される純水により一定
の向きに押し上げられ、円滑に溢流排出されるため、リ
ンス槽１内の純水置換効率が増大する。この結果、バス
ケット５１におけるウエーハ保持溝部（図示せず）に、
新たに供給された純水が円滑に流れ、該溝部における純
水の置換が十分となるのに加え、ウエーハＷ表面から離
脱した薬液は、純水に置換されてリンス槽１外に迅速に
排出されるので、リンス効率が大幅に向上する。
【００２０】上記のようにして一段目のリンスが終了し
た後、バスケット５１をリンス槽１から取り出し、第一
段のリンスの場合と同様にして二段目のリンス槽１の保
持部材５にバスケット５１を固定し、噴出ノズル４から
の純水供給を開始すると同時に、電磁弁１５を開放して
ヘッドタンク１１内の純水を所定量、落差によりリンス
槽１に供給する。以下、三段目以降のリンスを同様の要
領で行う。
【００２１】なお、上記実施例ではリンス槽１の数と、
ヘッドタンク１１の数を同一にしたが、大型のヘッドタ
ンクを一槽設け、このヘッドタンクから各段のリンス槽
に純水を供給するようにしてもよい。
【００２２】また上記実施例は、バスケット５１の全体
をリンス槽１の純水に浸漬した後、純水供給を開始する
ものであったが、純水を入れずに空の状態にされるか、
またはバスケット５１の一部が浸漬する程度に純水を貯
留したリンス槽１にバスケット５１をセットした後、純
水供給を開始することもできる。後者のリンス方法で
は、前者に比べてヘッドタンク１１から供給するべき純
水量が増大するが、バスケット５１をリンス槽１の純水
に浸漬しない状態で純水供給を開始することから、リン
ス工程における純水中への薬液の拡散が抑制しやすくな
る利点がある。いずれにしても、ウエーハＷに付着した
薬液をできるだけ短時間内に除去してリンス槽１外へ溢
流排出することが重要である。
【００２３】〔試験例１〕 図１の装置において、純水供給管１４の下端部をリン
ス槽１の溢流液面下の近い位置に設定した場合と、純
水供給管１４の下端部をリンス槽１における前記溢流液
面より約１／２の深さに設定した場合のリンス効果の比
較を行った。すなわち、それぞれの場合において、アル
カリ洗浄後のウエーハＷ（直径１５０ｍｍ）を２５枚仕
込んだバスケットを２組準備した。これらのバスケット
を容積（満杯時の純水貯溜量すなわち、前記純水貯溜容
量Ｖ）が５０リットル、横断面積が１２５０ｃｍ2 の方
形リンス槽１（幅２５ｃｍ、長さ５０ｃｍ、高さ４０ｃ
ｍ）にセットし、ヘッドタンク１１から２５リットルの
純水を１５秒間に供給しながら（この場合、純水の供給
量Ｑは０．５Ｖ、純水の供給流量は１．６７リットル／
秒、ウエーハ面に沿って流れる純水の平均線速度ｖは
１．３ｃｍ／ｓｅｃである。）、３本の噴出ノズル４か
らも純水を合計１０リットル／１５秒の流量で供給し
た。この場合、噴出ノズル４からの純水供給時間も１５
秒とした。リンス後ウエーハＷの全てを試料として採取
し、それぞれの表面の外観を集光下で目視により調べ
た。
【００２４】その結果、上記純水供給方法，の違い
による汚れ発生枚数に差は見られなかったが、では
に比べてウエーハＷの表面が滑らになることが確認され
た。このような表面状態の差は、の供給方法ではリン
ス槽１液面に供給された純水が、該液面の近傍における
溢流液の円滑な流れを妨げるために生じるものと考えら
れる。従って本発明では、純水供給管１４の下端部をリ
ンス槽１の溢流液面より下方に位置させることが好まし
い。
【００２５】〔試験例２〕 ヘッドタンク１１からリンス槽１への純水供給方法を上
記とし、リンス１バッチにおける純水の全供給量及び
リンス時の純水供給線速度と、リンス効果との関係につ
いて調べた。リンス装置、バスケットの仕様、リンスに
供したウエーハＷの寸法・枚数、リンス後のウエーハＷ
の外観検査要領等は試験例１と同一である。リンス条件
及び結果を〔表１〕に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】〔表１〕から、純水供給流量が１．６７リ
ットル／秒（この場合、純水の平均線速度は１．１４ｃ
ｍ／ｓｅｃ）では、ヘッドタンクからの純水の全供給量
Ｑを１０リットル（０．２Ｖ）とすれば十分なリンスが
行えること、また純水供給流量が０．８３リットル／秒
（この場合、純水の平均線速度は、０．５７ｃｍ／ｓｅ
ｃ）では、ヘッドタンクからの純水の全供給量を２０リ
ットルとしても、リンス結果が不十分になることがわか
る。
【００２８】すなわち、リンス効果は純水の全供給量よ
りも、供給流量（平均線速度）に強く影響されることが
わかる。換言すれば、同一量の純水を供給する場合、リ
ンス槽内純水の平均線速度を上げることにより、ウエー
ハＷから除去された薬液を迅速に純水で置換して排出
し、これにより薬液とウエーハＷとの反応を早期に止め
ることが、リンス後のウエーハＷの外観向上のために望
ましいといえる。
【００２９】したがってリンス槽の横断面積は、ウエー
ハＷ収納用のバスケットが簡便な操作で純水に浸漬する
に必要最小限のものとするのが好ましく、少量の純水で
あっても高い平均線速度が得られるため、より短時間に
効率良くリンスを行うことができる。
【００３０】なお、十分なリンスを行うために必要なリ
ンス槽の数（リンス工程の段数）は、ウエーハＷへの薬
液の残留量や、前記噴出ノズルからの純水供給流量によ
り左右されるので、実験により確認する必要がある。ま
た、ヘッドタンクからのリンス槽への純水の供給をより
均等に行うには、前記純水供給管１４の本数を３本以上
として、バスケットを包囲するように環状に設けるのが
好ましい。このようにヘッドタンクからのリンス槽への
純水の供給を高い供給線速度で、かつ均一に行うことに
より、リンス槽の数や、前記噴出ノズルからの純水の供
給量を低減することが可能になる。
【００３１】〔試験例３及び比較例１〕 図１のリンス装置を共通に用いて、本発明に基づくヘッ
ドタンクからの純水供給によるリンス方法と、従来の手
振り方式によるリンス方法を比較した。本発明では、ヘ
ッドタンク１１からリンス槽１への純水供給方法を上記
とし、リンス１バッチにおけるヘッドタンク１１から
の純水の全供給量／供給時間を２５リットル／１５秒
（平均線速度＝１．３３ｃｍ／ｓｅｃ）とし、その他の
リンス条件は試験例１と同一にした。従来の手振り方式
によるリンス方法では、あらかじめリンス槽１に純水を
満杯に貯溜し、試験例１と同一の条件で噴出ノズル４か
ら純水を供給しながら、バスケット５１をリンス槽１の
純水に浸漬したまま１５秒の間に、手振りにより上下に
１０回振蕩させた。この振蕩操作の間、噴出ノズル４か
らの純水供給を継続した。その他のリンス条件は本発明
方法と同一にした。
【００３２】各リンス方法おけるリンス開始後の経過時
間と、リンス槽１内純水のｐＨ値（溢流液面下１０ｃｍ
におけるｐＨ値）との関係を調べた。結果を図４及び図
５に示す。これらの図から、本発明方法（図４）では手
振り洗浄方式（図５）に比べてｐＨ値が急速に低下して
おり、リンス効果に優れていることがわかる。その理由
は、手振り洗浄ではウエーハに付着した薬液がリンス中
にリンス槽全体に拡散してしまい、噴出ノズルからの純
水供給量だけでは、薬液により汚れた水を新たに供給さ
れる純水に置換して迅速にリンス槽外へ排出することが
難しいのに対して、本発明では、まとまった量の純水を
短時間でリンス槽の下部から供給することにより一定方
向に押し上げることで、薬液で汚れた水を迅速に効率良
く置換して、溢流排出することができるためと考えられ
る。なお、図４において横軸の「１５秒」は、ヘッドタ
ンクからの純水供給が終了した時点を示している。
【００３３】実施例２ 図２は、本発明のリンス方法に用いられるリンス槽の概
略断面図であり、このリンス槽は、上部にリンス廃液の
溢流排出部２２及び、底部近傍に純水の噴出ノズル２３
を有する外側の槽体２１と、底板３２及び周壁３３下端
部に開口部３４が形成され、リンスするべきウエーハＷ
を収納したバスケット５１を保持するための保持部材３
５を有する内側の槽体３１とから構成されている。前記
槽体３１は槽体２１内に挿入され、底板３２は噴出ノズ
ル２３の直上に位置している。また、槽体２１の内周面
と槽体３１の外周面との間に形成された区画室３６の上
端は板体３７により閉鎖され、この板体３７にエアーベ
ント管３８が突設されている。３８ａは開閉弁である。
さらに、このリンス槽の直上には、純水供給用のヘッド
タンク（図示せず）が設けられ、これに設けられた純水
供給管１４は、その下端部が内側の槽体３１のほぼ１／
２深さの位置になるようにして前記区画室３６に挿入さ
れている。
【００３４】このリンス槽では、ヘッドタンクからの純
水は区画室３６を流下し、噴出ノズル２３からの純水と
ともに開口部３４から内側の槽体３１に供給されるの
で、ヘッドタンクからの純水がリンス槽の液面近傍にお
ける溢流液の円滑な流れを妨げることがないため、図１
に示すリンス槽１に比べて純水の使用効率が向上し、よ
り高精度のリンスが可能となる。
【００３５】実施例３ 図６は、本発明に係るリンス槽の更に別の実施例を示す
概略断面図、図７はその側面図、図８はその平面図であ
る。このリンス槽１では、保持部材５をアーム５ａの先
端部に設け、２本の噴出ノズル４を保持部材５に沿わせ
て設け、さらに、２本の純水供給管１４を鉛直方向に、
かつリンス槽１の内周面近傍に設けて、該純水供給管１
４の下端部を保持部材５の近傍に配置したものである。
【００３６】実施例４ 図９は、本発明に係るリンス槽の更に別の実施例を示す
概略断面図、図１０はその側面図、図１１はその平面図
である。このリンス槽１では、純水供給管１４の先端部
にノズル管１４ａを水平方向に延設し、該ノズル管１４
ａを噴出ノズル４の近傍に、かつ該噴出ノズル４と平行
に配置したものである。
【００３７】実施例５ 図１２は、本発明に係るリンス槽の更に別の実施例を示
す概略断面図、図１３はその側面図、図１４はその平面
図である。このリンス槽１では直方体状に構成してあ
り、図９実施例における噴出ノズル４を省略し、リンス
槽１の底板１ａの直上に、噴出口６を多数開口した噴出
板７（例えばパンチングボード）を底板１ａと平行に
（水平方向に）設けて、該噴出板７と底板１ａとリンス
槽１の周壁とで区画室１ｂを形成し、該区画室１ｂの左
右両端部に、互いに対向して設けた二つの純水供給部材
１６を連通させたものである。この純水供給部材１６
は、互いに平行状態で対向する板体（平板）８，９と、
側板１０とにより幅の狭いダクト状（平面断面視が真っ
直ぐな帯状）に構成されており、上半部は鉛直方向に設
けられて純水供給管１４に連通し、下半部はリンス槽１
側に折曲され、下端部の純水流出口は前記区画室１ｂの
周壁に形成した開口部１６ａに連通している。また、純
水供給部材１６の前記純水流出口の長さ（図１３におい
て左右方向の寸法）は、開口部１６ａの長さ（図１３に
おいて左右方向の寸法）に等しく、開口部１６ａの長さ
は噴出板７の長さ、すなわち区画室の長さにほぼ等し
い。したがって、開口部１６ａは前記純水流出口を兼ね
ている。なお、超音波振動子３は前記底板１ａの直下に
設けてある。このリンス槽１では、純水供給管１４から
の純水が純水供給部材１６に充満した状態で流れ、開口
部１６ａを介して区画室１ｂに流入し、噴出板７の噴出
口６から上向流でウエーハＷに向かって供給される。こ
の場合、純水は純水供給部材１６内で整流され、しかも
リンス槽１のほぼ全長にわたって設けられ開口部１６ａ
から供給されるため、リンス槽１内の全てのウエーハＷ
に均一な流速で供給されるので、ムラのない高精度のリ
ンスを行うことができる。
【００３８】実施例６ 図１５は、本発明に係るリンス槽の更に別の実施例を示
す概略断面図、図１６はその側面図、図１７はその平面
図である。このリンス槽１では直方体状に構成してあ
り、その周壁の下半部にノズル１ｃを、図１７に示すよ
うに該周壁の長手方向ほぼ全体にわたって多数形成する
一方、該周壁と、その外側に該周壁と平行に設けた板体
（平板）９と、左右の側板１０，１０と、底板とにより
なるダクト状の純水供給部材１７，１７を鉛直方向に、
かつ互いに対向して設け、該純水供給部材１７上部の左
右両端部（図１６を参照）に純水供給管１４を連通させ
たものである。このリンス槽１では、純水供給管１４か
らの純水が純水供給部材１７に充満した状態で流れ、ノ
ズル１ｃを介してリンス槽１に流入し、上向流でウエー
ハＷに向かって供給される。この場合、純水は純水供給
部１７内で整流され、しかもリンス槽１のほぼ全長にわ
たって設けられた多数のノズル１ｃから供給されるた
め、リンス槽１内の全てのウエーハＷに均一な流速で供
給されるので、実施例５と同様にムラのない高精度のリ
ンスを行うことができる。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
に記載のウエーハのリンス装置によれば、ヘッドタンク
から純水供給管を経てリンス槽に導入された純水が、リ
ンス槽の底部を経てその上方へと流れる上向流になり、
ヘツドタンクと純水供給管の出口との落差がそのまま上
記純水の上向流の線速上昇に寄与し、ウエーハ表面から
離脱した薬液は純水により迅速に置換される。請求項２
に記載のウエーハのリンス装置によれば内側槽体の底板
の開口部からの純水の上向流と、内側槽体の周壁下方部
の開口部からの純水の上向流とが形成されるため、リン
ス効果が向上する。請求項３に記載のウエーハのリンス
装置によれば、高流速純水によるリンスの他に噴出ノズ
ルからの純水のリンス効果が加わり、より高度のリンス
が可能となる。請求項４に記載のウエーハのリンス装置
によれば、純水供給管からの純水が純水供給部材内で整
流されてリンス槽に流入する。このため純水がリンス槽
内の全てのウエーハに均一な流速で供給されるので、ム
ラのない高精度のリンスを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施に用いられるリンス装置の一例を
示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施に用いられるリンス装置の別例を
示す要部概略断面図である。
【図３】従来のリンス方法の説明図である。
【図４】本発明方法によるリンス結果を示すグラフであ
る。
【図５】従来方法によるリンス結果を示すグラフであ
る。
【図６】本発明に係るリンス槽の更に別の実施例を示す
概略断面図である。
【図７】図６の側面図である。
【図８】図６の平面図である。
【図９】本発明に係るリンス槽の更に別の実施例を示す
概略断面図である。
【図１０】図９の側面図である。
【図１１】図９の平面図である。
【図１２】本発明に係るリンス槽の更に別の実施例を示
す概略断面図である。
【図１３】図１２の側面図である。
【図１４】図１２の平面図である。
【図１５】本発明に係るリンス槽の更に別の実施例を示
す概略断面図である。
【図１６】図１５の側面図である。
【図１７】図１５の平面図である。
【符号の説明】
１，４１ リンス槽 １ａ，３２ 底板 １ｂ，３６ 区画室 １ｃ ノズル ２，２２，４２ 溢流排出部 ３ 超音波振動子 ４，２３，４３ 噴出ノズル ５，３５ 保持部材 ５ａ アーム ６ 噴出口 ７ 噴出板 ８，９，３７ 板体 １０ 側板 １１ ヘッドタンク １２，３８ エアーベント管 １３ 純水流入管 １４ 純水供給管 １４ａ ノズル管 １５ 電磁弁 １６，１７ 純水供給部材 １６ａ，３４ 開口部 ２１ 外側の槽体 ３１ 内側の槽体 ３３ 周壁 ３８ａ 開閉弁 ５１ バスケット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−171725（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−154424（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−69939（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54528（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−49284（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−190130（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−87530（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−16446（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−109330（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−30729（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/10

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リンス用の純水を貯溜するヘッドタンク
    とリンス槽とで構成され、該リンス槽は上部にリンス廃
    液の溢流排出部を有する外側の槽体と、底板に開口部が
    形成され、リンスするべきウエーハを収納したバスケッ
    トを内部に保持するための保持部材を有する内側の槽体
    とからなり、該リンス槽では前記内側の槽体が外側の槽
    体内に挿入され、外側の槽体の内周面と内側の槽体の外
    周面との間に区画室が形成され、前記ヘッドタンクから
    純水をヘッド差により供給する純水供給管が下端開口部
    を下向きにして前記区画室内に挿入され、該純水供給管
    から区画室上部、区画室底部、内側の槽体の底板の開口
    部を経て内側の槽体の上方へと純水の流路が形成された
    ことを特徴とするウエーハのリンス装置。
  2. 【請求項２】 内側の槽体の底板に形成された開口部の
    他に、内側の槽体の周壁下端部にも開口部が形成された
    ことを特徴とする請求項１に記載のウエーハのリンス装
    置。
  3. 【請求項３】 外側の槽体の底板と内側の槽体の底板と
    の間に、純水を噴出する噴出ノズルが設けられたことを
    特徴とする請求項１に記載のウエーハのリンス装置。
  4. 【請求項４】 リンス用の純水を貯溜するヘッドタンク
    と、上部にリンス廃液の溢流排出部を有するリンス槽
    と、前記ヘッドタンクから前記リンス槽にヘッド差を付
    与した純水を供給する純水供給管とを有し、前記リンス
    槽は直方体状に形成され、該リンス槽の対向周壁の下半
    部に純水供給用のノズルが該周壁の長手方向ほぼ全体に
    わたって多数形成されているとともに、平面断面視が帯
    状である一対の純水供給部材が、前記リンス槽の対向周
    壁を構成部材として互いに対向して鉛直方向に設けら
    れ、該純水供給部材は前記リンス槽周壁と、その外側に
    前記リンス槽周壁と平行に設けられた平板と、左右の側
    板と、底板とにより構成され、該純水供給部材の上端部
    は前記純水供給管に連通し、該純水供給部材の長さは前
    記リンス槽の長さとほぼ等しいことを特徴とするウエー
    ハのリンス装置。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6354364B1 (en) 1994-03-30 2002-03-12 Nichols Aluminum-Golden, Inc. Apparatus for cooling and coating a mold in a continuous caster
US6712577B2 (en) * 1994-04-28 2004-03-30 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
EP1239512A3 (de) * 1996-04-24 2006-04-12 SCP U.S., Inc., Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus
JP3932618B2 (ja) * 1997-09-30 2007-06-20 ソニー株式会社 薬液処理装置
US6884721B2 (en) * 1997-12-25 2005-04-26 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method
US6332470B1 (en) * 1997-12-30 2001-12-25 Boris Fishkin Aerosol substrate cleaner
JP2942532B2 (ja) * 1998-02-18 1999-08-30 島田理化工業株式会社 多段階流量式洗浄方法および多段階流量式洗浄装置
US6073640A (en) * 1998-04-24 2000-06-13 Valiant Machine & Tool Inc. Part washer
EP1194613A4 (en) * 1999-04-13 2006-08-23 Semitool Inc PROCESSOR OF PARTS HAVING IMPROVED TREATMENT FLUID FLOW PROCESSING CHAMBER
FR2797405B1 (fr) * 1999-08-12 2001-10-26 Coillard Sa Ets Bac de rincage a liquide ultra propre
TWI402137B (zh) * 2008-12-10 2013-07-21 Lam Res Corp 雙重功能電極平板與利用拋光轉盤及雙重功能電極平板拋光矽電極之方法
US8562748B1 (en) 2009-01-30 2013-10-22 WD Media, LLC Multiple cleaning processes in a single tank
US8163093B1 (en) 2009-02-11 2012-04-24 Wd Media, Inc. Cleaning operations with dwell time
JP6092653B2 (ja) 2012-02-27 2017-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び洗浄方法
KR101199558B1 (ko) * 2012-03-30 2012-11-12 주식회사 워터아이 멸균 냉온수 공급기기
JP6686955B2 (ja) * 2017-03-29 2020-04-22 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの洗浄方法
CN111312625B (zh) * 2020-02-27 2022-09-13 至微半导体(上海)有限公司 一种槽体结构及防止其晃动偏移的方法
CN115132612A (zh) 2021-03-25 2022-09-30 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5787530U (ja) * 1980-11-17 1982-05-29
JPS5946032A (ja) * 1982-09-09 1984-03-15 Hitachi Ltd 洗浄装置
JPS6169983A (ja) * 1984-09-12 1986-04-10 Hitachi Ltd 処理装置
JPS61141143A (ja) * 1984-12-13 1986-06-28 Nec Corp 半導体基板の水洗装置
JPS61281532A (ja) * 1985-06-07 1986-12-11 Hitachi Ltd 半導体洗浄液の濃度調整方法及びその装置
JPS6316446U (ja) * 1986-07-17 1988-02-03
DE3715332A1 (de) * 1987-05-08 1988-12-01 Bielefeld Maschinenbau Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen von werkstuecken
JPH0724264B2 (ja) * 1988-03-23 1995-03-15 日本電気株式会社 半導体基板水洗装置
JPH01264226A (ja) * 1988-04-14 1989-10-20 Nec Corp 半導体基板の水洗装置
JP2733771B2 (ja) * 1988-07-29 1998-03-30 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 液体による処理装置
JPH0244727A (ja) * 1988-08-05 1990-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハー洗浄装置
JPH0254528A (ja) * 1988-08-17 1990-02-23 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の製造装置
JPH0269939A (ja) * 1988-09-05 1990-03-08 Nec Corp ウェット処理槽
JP2901705B2 (ja) * 1990-06-08 1999-06-07 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
US5069235A (en) * 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers
US4997490A (en) * 1990-08-02 1991-03-05 Bold Plastics, Inc. Method of cleaning and rinsing wafers
JP2942617B2 (ja) * 1990-11-05 1999-08-30 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
JPH04192419A (ja) * 1990-11-26 1992-07-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP2949644B2 (ja) * 1990-11-28 1999-09-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US5088510A (en) * 1991-02-04 1992-02-18 Bannon John H Ultrasonic parts cleaning container
JP2737424B2 (ja) * 1991-03-07 1998-04-08 日本電気株式会社 シリコンウェハー洗浄装置
JPH04290432A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
US5488964A (en) * 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
US5317778A (en) * 1991-07-31 1994-06-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic cleaning apparatus for wafers
US5415698A (en) * 1992-06-29 1995-05-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for cleaning semiconductor wafers
JP3109330U (ja) * 2004-10-14 2005-05-19 満人 上谷 医療用資機材準備シート

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