JP3145117B2 - 電解処理のための電流発生および制御システムの改善法 - Google Patents
電解処理のための電流発生および制御システムの改善法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
- C25D11/20—Electrolytic after-treatment
- C25D11/22—Electrolytic after-treatment for colouring layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D21/12—Process control or regulation
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、従来の電解着色法、不透明化法、グレーの
領域を得る方法およびアルミニウム光学干渉着色法のよ
うな電解法において用いられる電流制御系における多く
の改良に関する。これらの改良点は、電流制御系等を必
要とする他の分野においても適用可能であることは明ら
かである。
領域を得る方法およびアルミニウム光学干渉着色法のよ
うな電解法において用いられる電流制御系における多く
の改良に関する。これらの改良点は、電流制御系等を必
要とする他の分野においても適用可能であることは明ら
かである。
発明の背景 アルミニウム電解着色法を充分満足に行うためには、
印加される電流の制御を終始精密に行う必要がある。
印加される電流の制御を終始精密に行う必要がある。
したがって、例えば、スペイン特許第498,578号およ
び対応米国特許第4,421,610号では、アルミナまたはア
ルニウム合金エレメントに対する処理のための前述した
電界着色法では、ピーク電圧が25ないし85Vの範囲にあ
り、電流密度が単位面積当たり0.3A以下の第1の相が印
加される。
び対応米国特許第4,421,610号では、アルミナまたはア
ルニウム合金エレメントに対する処理のための前述した
電界着色法では、ピーク電圧が25ないし85Vの範囲にあ
り、電流密度が単位面積当たり0.3A以下の第1の相が印
加される。
より詳しくは、このような交流電圧を得るために、多
相の回路網または多相の回路網の二次巻き線を有する変
圧器が用いられ、同じ導通角でもって正および負の半サ
イクルを導通させ、必要時には同時に変化され、その導
通角はリバースシャント型のサイリスタまたはトライア
ックによって制御される。
相の回路網または多相の回路網の二次巻き線を有する変
圧器が用いられ、同じ導通角でもって正および負の半サ
イクルを導通させ、必要時には同時に変化され、その導
通角はリバースシャント型のサイリスタまたはトライア
ックによって制御される。
サイリスタの導通角のコントロールは明らかに平均電
圧を制御するが、ピーク電圧を制御しない。従って得ら
れる結果は許容し得るが、最も有効であるとはいえな
い。
圧を制御するが、ピーク電圧を制御しない。従って得ら
れる結果は許容し得るが、最も有効であるとはいえな
い。
多くの解決策がマニホールド溶液を電界着色方法に関
する限り、提案されているが、すべてに共通する本質的
な問題はバットに供給する電流を好適にコントロールす
ることの困難性である。
する限り、提案されているが、すべてに共通する本質的
な問題はバットに供給する電流を好適にコントロールす
ることの困難性である。
更に、理論的な観点から、不透明化方法は電解方法と
同様に、陽極フィルムの転移が同様の不透明化を可能に
することが知られているが、そのようなプロセスは、実
際には非常に小さい電圧、例えば3ボルト以下でかつ更
に特定の値を要求する。現在のところその要求限界内に
維持することが可能な電流制御手段は存在しない。
同様に、陽極フィルムの転移が同様の不透明化を可能に
することが知られているが、そのようなプロセスは、実
際には非常に小さい電圧、例えば3ボルト以下でかつ更
に特定の値を要求する。現在のところその要求限界内に
維持することが可能な電流制御手段は存在しない。
光学干渉アルミニウム着色方法も知られているが、上
記問題点はより以上に深刻で、電圧の所望範囲内で電圧
値の少しの変化が得られる色の変化をもたらす。そのた
めにこのシステムは、異なる負荷特性および実際の電圧
降下における変化および所望の色の変化をもたらす負荷
電圧の変化のいずれにもおいて、工業的に開発されてい
ない。
記問題点はより以上に深刻で、電圧の所望範囲内で電圧
値の少しの変化が得られる色の変化をもたらす。そのた
めにこのシステムは、異なる負荷特性および実際の電圧
降下における変化および所望の色の変化をもたらす負荷
電圧の変化のいずれにもおいて、工業的に開発されてい
ない。
従って、電解方法に与えられる電流を制御する手段が
ないという事実はこの分野における進展を大きく阻害す
ることは疑いない。
ないという事実はこの分野における進展を大きく阻害す
ることは疑いない。
異なるアルミニウム電解着色システムの困難性を把握
するためにあらかじめ陽極化されたアルミニウムに交流
を与えた時に起こる現象を知ることは重要である: − 正の半サイクル中には陽極フィルム空隙に沈着は
ない。電流の通過を引き起こす電圧をかけた時、酸化が
起こりフィルムバリヤー厚さに増加が起こる。最終的な
フィルムバリヤー厚さはピーク印加電圧に比例する。
するためにあらかじめ陽極化されたアルミニウムに交流
を与えた時に起こる現象を知ることは重要である: − 正の半サイクル中には陽極フィルム空隙に沈着は
ない。電流の通過を引き起こす電圧をかけた時、酸化が
起こりフィルムバリヤー厚さに増加が起こる。最終的な
フィルムバリヤー厚さはピーク印加電圧に比例する。
− 負のハーフサイクル中にはWデポジションが起こ
る。一方、金属カチオンの沈着が金属粒子の形成により
起こる。例えば: Sn2+2e-−−Sn 更に、プロトンのデポジションが電解中に起こり、原
子状水素を生成する。
る。一方、金属カチオンの沈着が金属粒子の形成により
起こる。例えば: Sn2+2e-−−Sn 更に、プロトンのデポジションが電解中に起こり、原
子状水素を生成する。
H++1e-−−H プロトンの空隙底への移行のスピードは印加電圧およ
び電流密度に依存する後者はまた総回路全体のインピー
ダンスに依存する(米国特許4,421,602の電気モデル、
すなわちその第1図参照)。
び電流密度に依存する後者はまた総回路全体のインピー
ダンスに依存する(米国特許4,421,602の電気モデル、
すなわちその第1図参照)。
フィルムバリヤーの半導体的性質のために、原子状水
素は低い電圧、例えば2〜4Vで形成する。より高い電圧
を印加し、電流を増大させると、この水素は異なって作
用する: A) GH+Al2O3−−2Al3++3H2O B) H+Sn2+−−Sn+2H+ C) H+H−−H2 a)の反応は7〜8V以下の電圧で起こる。
素は低い電圧、例えば2〜4Vで形成する。より高い電圧
を印加し、電流を増大させると、この水素は異なって作
用する: A) GH+Al2O3−−2Al3++3H2O B) H+Sn2+−−Sn+2H+ C) H+H−−H2 a)の反応は7〜8V以下の電圧で起こる。
b)およびc)の反応は8Vを超過する電圧で起こる。
水素の運動エネルギーが非常に高い場合、あるいはフ
ィルムバリアー抵抗が弱い場合には、水素はフィルムバ
リアーを通過でき、反応c)が金属−酸化物界面で起こ
る。このような場合、水素分子の蓄積によって生じる圧
力は、破砕の原因になる場合がある。
ィルムバリアー抵抗が弱い場合には、水素はフィルムバ
リアーを通過でき、反応c)が金属−酸化物界面で起こ
る。このような場合、水素分子の蓄積によって生じる圧
力は、破砕の原因になる場合がある。
水素によって生じるこれらの3種の作用は、負の半サ
イクルにおいて印加される電圧を正確にコントロールす
ることによって制御することができる。正の半サイクル
に印加する電圧は、サーキットのインピーダンスを制御
下に置くのと同時に調節しなくてはならない。
イクルにおいて印加される電圧を正確にコントロールす
ることによって制御することができる。正の半サイクル
に印加する電圧は、サーキットのインピーダンスを制御
下に置くのと同時に調節しなくてはならない。
よって: a)によって、細孔の底をこのフィルムバリアーが不
透明となるよう調整することができ、あるいはフィルム
バリアーの直径および厚みが、最適な光学干渉呈色がそ
の後に得られるように調節される。
透明となるよう調整することができ、あるいはフィルム
バリアーの直径および厚みが、最適な光学干渉呈色がそ
の後に得られるように調節される。
b)によって、孔の底における金属粒子の生成が強化
される;カチオン類、例えばSn2+. 作用c)は分離したポジティブハーフサイクル電圧コ
ントロールによって制御することができ、このためフィ
ルムバリアーの厚みは増加し、よって抵抗性が増加し、
破砕を避ける。
される;カチオン類、例えばSn2+. 作用c)は分離したポジティブハーフサイクル電圧コ
ントロールによって制御することができ、このためフィ
ルムバリアーの厚みは増加し、よって抵抗性が増加し、
破砕を避ける。
これら3つの作用を分析すると、正および負の半サイ
クルの電圧および電流を分離して制御することが必要で
あることが明らかに導かれる。
クルの電圧および電流を分離して制御することが必要で
あることが明らかに導かれる。
電気的着色工程において、電流の通過は通常、電気回
路に印加される電圧を調節することによって間接的に調
節され、制御されている(米国特許第4,421,610号の図
1参照)。この調整は時間に対して電圧を直線的に変化
させるプログラムによって行われる。
路に印加される電圧を調節することによって間接的に調
節され、制御されている(米国特許第4,421,610号の図
1参照)。この調整は時間に対して電圧を直線的に変化
させるプログラムによって行われる。
電圧は回路のインピーダンスの変化によって変えるべ
きである。回路のインピーダンスの変化が直線的でない
場合は、電圧の変化もそうすることができない。それゆ
え、この工程中の、関連の回路のインピーダンスの変化
と同じ数学的アルゴリズムを電圧の調整プログラムに適
応する必要がある。
きである。回路のインピーダンスの変化が直線的でない
場合は、電圧の変化もそうすることができない。それゆ
え、この工程中の、関連の回路のインピーダンスの変化
と同じ数学的アルゴリズムを電圧の調整プログラムに適
応する必要がある。
発明の詳細な説明 ここで用いられる電流調節システムの改良は、先に述
べた問題点をすべて解決し、印加される電圧を、いつで
もこの理論的工程が実施される際の要求にあうよう、正
確に調整することができる。
べた問題点をすべて解決し、印加される電圧を、いつで
もこの理論的工程が実施される際の要求にあうよう、正
確に調整することができる。
さらに詳しくは、そして上記に到達するため、この改
良には、各単巻変圧器に正しく調節された半波整流器が
設置してあり、生じる電圧の正の半波を一方の単巻変圧
器から、そして負の半波をもう一方の単巻変圧器から得
ることができる2つの、分路となった単巻変圧器を有す
る。
良には、各単巻変圧器に正しく調節された半波整流器が
設置してあり、生じる電圧の正の半波を一方の単巻変圧
器から、そして負の半波をもう一方の単巻変圧器から得
ることができる2つの、分路となった単巻変圧器を有す
る。
これらの双方の単巻変圧器は、理論的にも、短絡の問
題に結びつく位相変移を受ける。その回路の端部には、
前述した整流器内のサイリスタの導通角度が安全に遮断
され、特に、位相反転領域近傍の正および/又は負の半
波に影響を及ぼす。
題に結びつく位相変移を受ける。その回路の端部には、
前述した整流器内のサイリスタの導通角度が安全に遮断
され、特に、位相反転領域近傍の正および/又は負の半
波に影響を及ぼす。
該構造を補足するため、本発明の他の特徴でもある
が、電流制御システムには、数理アルゴリズムによって
実行されるべきプロセスに適した適当な操作プログラム
を有するマイクロプロセッサが設けられ、該マイクロプ
ロセッサは、バットに対する入力部でセンサーを介して
充分に確定される時はいつも、負荷に印加されるべき電
圧を読み取り、電圧が確定されたパターンから逸脱する
と、単巻変圧器および半波整流器からなる制御手段に作
用し、負荷に印加される電圧または電流の充分な精度を
達成するために、かかるエレメントにおいて適切な修正
を行う。
が、電流制御システムには、数理アルゴリズムによって
実行されるべきプロセスに適した適当な操作プログラム
を有するマイクロプロセッサが設けられ、該マイクロプ
ロセッサは、バットに対する入力部でセンサーを介して
充分に確定される時はいつも、負荷に印加されるべき電
圧を読み取り、電圧が確定されたパターンから逸脱する
と、単巻変圧器および半波整流器からなる制御手段に作
用し、負荷に印加される電圧または電流の充分な精度を
達成するために、かかるエレメントにおいて適切な修正
を行う。
図面の説明 本発明の特徴を充分に説明しかつ完全に理解させるた
め、明細書に図面を添付するが、それは説明のためのも
のであって、完全に包括的ではない。
め、明細書に図面を添付するが、それは説明のためのも
のであって、完全に包括的ではない。
図1は電解プロセス用の改良された電流制御システム
を示す図である。
を示す図である。
図2は可能電圧値変化を示す第1の単巻変圧器用電圧
/時間線図である。
/時間線図である。
図3は図2と同じであるが、第2の単巻変圧器用電圧
/時間線図である。
/時間線図である。
図4は第1の半波整流器を通過後の第1の単巻変圧器
用電圧線図である。
用電圧線図である。
図5は図4と同じであるが、第2の単巻変圧器用電圧
線図である。
線図である。
図6は図5と同じであるが、バットに対するインプッ
ト、すなわち両方の単巻変圧器の合計を示す図である。
ト、すなわち両方の単巻変圧器の合計を示す図である。
図7は図6と同じであるが、実際に起こり得る両方の
単巻変圧器間の位相差を示す線図である。
単巻変圧器間の位相差を示す線図である。
図8は図7と同じであるが、図7と反対方向の位相差
に関する線図である。
に関する線図である。
図9は図7および図8における問題を回避するため
に、適当なカットを有するサイリスタ導通角を付与した
後の図6の電圧線図である。
に、適当なカットを有するサイリスタ導通角を付与した
後の図6の電圧線図である。
図10は図9の電圧波カット時の両方の単巻変圧器間の
位相差および短絡効果を示す線図である。
位相差および短絡効果を示す線図である。
図11は電解呈色システムの1つの具体例の電圧/時間
線図である。
線図である。
図12は隠蔽システムの1つの具体例の電圧/時間線図
である。
である。
図13は図11および図12と同じであるが、灰色電解呈色
用の線図である。
用の線図である。
図14は図1〜図13と同じであるが、光学干渉予備呈色
相用の線図である。
相用の線図である。
図15は青色着色の場合のもう一つの電圧/時間ダイア
グラムである。
グラムである。
本発明の好ましい具体例 上記の図において、特に図1において、本発明の主題
である電流制御システムの改善法が示されている。この
システムは、与えられた位相(3)に分路した単巻変圧
器(1)(2)の使用を含み、この単巻変圧器の一次に
は、コイル数を自動的に切り替える通常の調整器(4)
を備え、一方、単巻変圧器の二次には、半波整流器
(5)(6)が反対の位置にあり、整流器(5)が単巻
変圧器(1)の負の半波を抑圧し、整流器(6)は単巻
変圧器(2)の正の半波を抑圧し、かかる単巻変圧器お
よび半波整流器は、電解バット(8)への入力部または
接続部を示す端子(7)に分路されており、端子の一つ
は負荷(9)に接続され、他は対向電極(10)に接続さ
れる。
である電流制御システムの改善法が示されている。この
システムは、与えられた位相(3)に分路した単巻変圧
器(1)(2)の使用を含み、この単巻変圧器の一次に
は、コイル数を自動的に切り替える通常の調整器(4)
を備え、一方、単巻変圧器の二次には、半波整流器
(5)(6)が反対の位置にあり、整流器(5)が単巻
変圧器(1)の負の半波を抑圧し、整流器(6)は単巻
変圧器(2)の正の半波を抑圧し、かかる単巻変圧器お
よび半波整流器は、電解バット(8)への入力部または
接続部を示す端子(7)に分路されており、端子の一つ
は負荷(9)に接続され、他は対向電極(10)に接続さ
れる。
マイクロプロセッサ(11)は、接続線(12)を通じて
バット(8)への入力部となる端子(7)での電圧を継
続的に検出し、コイル数から予見できる論理的な値に対
し、検出値のいずれかの方向への偶発的なドリフトを検
出したとき、そのドリフトをなくすべく、単巻変圧器
(1)および(2)の調整器(4)へ最適なリセットを
与える。
バット(8)への入力部となる端子(7)での電圧を継
続的に検出し、コイル数から予見できる論理的な値に対
し、検出値のいずれかの方向への偶発的なドリフトを検
出したとき、そのドリフトをなくすべく、単巻変圧器
(1)および(2)の調整器(4)へ最適なリセットを
与える。
この構成によれば、図2で示した対称で可変の正弦波
が、調整器(4)を介して単巻変圧器(1)の出力部に
得られ、単巻変圧器(2)の場合には、図3で示した対
称の正弦波が得られる。
が、調整器(4)を介して単巻変圧器(1)の出力部に
得られ、単巻変圧器(2)の場合には、図3で示した対
称の正弦波が得られる。
半波整流器(5)は、図4に示したように、単巻変圧
器(1)の負の半波を抑圧し、半波整流器(6)は単巻
変圧器(2)の出力部において正の半波に対して同じこ
とを行う。双方の単巻変圧器が分路供給されるので、図
6に示したように、対称な正弦波がそれらの共通出力部
(7)となる端子に生じる。これらの電圧の合成が図4
および図5に示される。
器(1)の負の半波を抑圧し、半波整流器(6)は単巻
変圧器(2)の出力部において正の半波に対して同じこ
とを行う。双方の単巻変圧器が分路供給されるので、図
6に示したように、対称な正弦波がそれらの共通出力部
(7)となる端子に生じる。これらの電圧の合成が図4
および図5に示される。
実行時および、実際の電解装着を処理しない問題故
に、双方の単巻変圧器に生じた電圧に、図7で示した方
向または図8に示した反対方向への位相差があり、この
ような端部に対して、半波整流器(5)および(6)に
あるサイリスタを作用させることにより、正および負の
半波の双方には、図9に示したように、電圧の0値に近
接した領域が僅かにカットされ、それ故、上述した位相
差の場合に、図10に示したように、このようなカットが
反対方向の電圧の重なりを阻止し、このような部分的な
重なりに起因する短絡を阻止する。
に、双方の単巻変圧器に生じた電圧に、図7で示した方
向または図8に示した反対方向への位相差があり、この
ような端部に対して、半波整流器(5)および(6)に
あるサイリスタを作用させることにより、正および負の
半波の双方には、図9に示したように、電圧の0値に近
接した領域が僅かにカットされ、それ故、上述した位相
差の場合に、図10に示したように、このようなカットが
反対方向の電圧の重なりを阻止し、このような部分的な
重なりに起因する短絡を阻止する。
実施例 実施例1:ブロンズ電解着色 陽極酸化相:処理されるべき要素を、180g/の濃度
で硫酸を含有するバス中、20℃の温度で、1.5A/dm2の電
流密度で35分間予め陽極酸化した。
で硫酸を含有するバス中、20℃の温度で、1.5A/dm2の電
流密度で35分間予め陽極酸化した。
着色相:陽極酸化された要素は SO4Ni・7H2O 35g/ SO4Sn 10g/ o−フェノールスルホン酸 2g/ SO4H2 15g/ を含有するバス中で電解着色し、そして図11に示したよ
うな非対称交流電圧を印加した。
うな非対称交流電圧を印加した。
以下の色が以下の時間で得られた。
薄いブロンズ 1′ 中間のブロンズ 2′ 濃いブロンズ 3′ 黒いブロンズ 10′ 実施例2:グレーの電解着色 陽極酸化相:処理されるべき要素を、 SO4H2 180g/ グリセリン 3g/ シュウ酸 5g/ エチレングリコール 1g/ を含有するバス中、以下の条件下: 電流密度 1.7A/dm2 温度 20℃ 時間 40分 予め陽極酸化した。
不透明相:処理されるべき要素を、 SO4H2 150g/ シュウ酸 20g/ グリセリン 3g/ Al3+ 25g/ を含有するバス中、20℃の温度で予め陽極酸化した。
図12に示された非対称交流電圧を印加した。この図は
それぞれハーフサイクル(nalf−cycle)AとBの電圧
変動を示す。
それぞれハーフサイクル(nalf−cycle)AとBの電圧
変動を示す。
10分後、均一な光沢のない白っぽいフィルムが得られ
た。
た。
着色相:不透明にされた要素は SO4Ni・7H2O 35g/ SO4Sn 10g/ o−フェノールシルホン酸 2g/ SO4H2 15g/ を含有するバス中で電解着色し、そして図13に示した非
対称交流を印加した。この図はそれぞれハーフサイクル
AとBの電圧変動を示す。以下の色が以下の時間で得ら
れた: 薄いグレー 30′ 中間のグレー 1′ 濃いグレー 2′ 黒いグレー 5′ 実施例3光学的干渉着色(青色) 陽極酸化用:SO4H2 180g/、グリセリン3g/、シュ
ウ酸5g/およびエチレングリコール1g/含有する浴中
において、被処理エレメントを下記の条件下であらかじ
め陽極酸化した: 電流密度 1.7A/cm3 温度 20℃ 時間 40分間 前着色相:陽極酸化したエレメントを、下記の成分を
含有する浴中において処理した(浴温20℃): SO4H2 150g/ シュウ酸 20g/ グリセリン 3g/ Al3+ 25g/ 図14に示すような非対称交流電圧をエレメントに印加
した。図14は、半サイクルAとBの電圧変化を別々に示
す。10分後に処理を停止した。
対称交流を印加した。この図はそれぞれハーフサイクル
AとBの電圧変動を示す。以下の色が以下の時間で得ら
れた: 薄いグレー 30′ 中間のグレー 1′ 濃いグレー 2′ 黒いグレー 5′ 実施例3光学的干渉着色(青色) 陽極酸化用:SO4H2 180g/、グリセリン3g/、シュ
ウ酸5g/およびエチレングリコール1g/含有する浴中
において、被処理エレメントを下記の条件下であらかじ
め陽極酸化した: 電流密度 1.7A/cm3 温度 20℃ 時間 40分間 前着色相:陽極酸化したエレメントを、下記の成分を
含有する浴中において処理した(浴温20℃): SO4H2 150g/ シュウ酸 20g/ グリセリン 3g/ Al3+ 25g/ 図14に示すような非対称交流電圧をエレメントに印加
した。図14は、半サイクルAとBの電圧変化を別々に示
す。10分後に処理を停止した。
着色相:上記の前着色処理に付したエレメントを、下
記の成分を含有する浴中で着色した: SO4Ni・7H2O 35g/ SO4(NH4)2 20g/ BO3H4 30g/ SO4Mg 5g/ SO4H2 pHが4.2〜4.7になる量 図15に示すような非対称交流電圧を印加した。図15
は、半サイクルAとBの電圧変化を別々に示す。この着
色処理を2分間おこなったところ、濃青色が発現した。
記の成分を含有する浴中で着色した: SO4Ni・7H2O 35g/ SO4(NH4)2 20g/ BO3H4 30g/ SO4Mg 5g/ SO4H2 pHが4.2〜4.7になる量 図15に示すような非対称交流電圧を印加した。図15
は、半サイクルAとBの電圧変化を別々に示す。この着
色処理を2分間おこなったところ、濃青色が発現した。
本発明による装置に関する以上の説明によれば、本発
明の全範囲とこれによってもたらされる利点は当業者に
よって十分に理解される。
明の全範囲とこれによってもたらされる利点は当業者に
よって十分に理解される。
エレメントの材質、形態、寸法およびレイアウトは、
本発明の本質的特徴を改変しない範囲内で適宜選定すれ
ばよい。
本発明の本質的特徴を改変しない範囲内で適宜選定すれ
ばよい。
本発明を説明するために使用した用語は、限定的に解
釈されるべきでなく、広義に解釈されるべきである。
釈されるべきでなく、広義に解釈されるべきである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C25D 21/12
Claims (2)
- 【請求項1】電解処理のための電流発生および制御シス
テムの改善法であって、特に、同一の位相に分路する二
つの単巻変圧器(1)および(2)の使用を含み、各々
の単巻変圧器には、それぞれのコイル数を個別に制御す
るために駆動され、かつ常時操作される調整器(4)を
備え、この単巻変圧器(1)および(2)の二次には、
半波整流器(5),(6)を備え、一方の整流器は一方
の単巻変圧器で発生した電圧の負の半サイクルを抑圧
し、他方の整流器は他方の単巻変圧器よりの電圧の正の
半サイクルを抑圧し、これにより、両整流出力が合成さ
れる、バット(8)への入力部(7)に、対称もしくは
非対称の正および負の半波を有する正弦波電圧を発生さ
せており、 マイクロプロセッサ(11)は、前記入力部(7)におけ
る正弦波電圧が、コイル数による理論的な値からドリフ
トしたとき、そのドリフトをなくすべく、調整器(4)
にリセット信号を送出することを特徴とする電気的処理
のための電流発生および制御システムの改善法。 - 【請求項2】上記半波整流器(5)および(6)は、そ
れぞれ正および負の半波をそれらの終端、つまり、半サ
イクル毎に0電圧値にクロスする点、の近傍にて遮断す
ることで、位相変移に起因する、両半サイクル間のオー
バーラップをなくす、請求の範囲第1項記載の電解処理
のための電流発生および制御システムの改善法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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ES09100924A ES2048612B1 (es) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | Mejoras introducidas en los sistemas de generacion y control de corriente para procesos electroliticos> |
PCT/ES1991/000089 WO1992018666A1 (es) | 1991-04-11 | 1991-12-20 | Mejoras introducidas en los sistemas de generacion y control de corriente para procesos electroliticos |
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DE (1) | DE69114007T2 (ja) |
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US5963435A (en) * | 1997-03-25 | 1999-10-05 | Gianna Sweeney | Apparatus for coating metal with oxide |
AT409691B (de) * | 1997-11-11 | 2002-10-25 | Croce Wolfgang | Schaltung zur reduktion der verluste beim umformen, schalten oder steuern elektrischer leistung |
DE102007049560B4 (de) * | 2007-10-16 | 2013-07-11 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | RFID-Transponder mit hoher Abwärtsdatengeschwindigkeit |
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FR2367316A1 (fr) * | 1976-10-11 | 1978-05-05 | Empresa Nacional Aluminio | Systeme de controle automatique et de regularisation de la valeur moyenne de la tension appliquee au cours d'operations de coloration de l'aluminium anodise |
US4152221A (en) * | 1977-09-12 | 1979-05-01 | Nancy Lee Kaye | Anodizing method |
US4170739A (en) * | 1977-12-23 | 1979-10-09 | Frusztajer Boruch B | Apparatus and method for supplying direct current with superimposed alternating current |
ES474736A1 (es) * | 1978-10-31 | 1979-04-01 | Empresa Nacional Aluminio | Sistema de generacion y autocontrol de la forma de onda y - tension o corriente aplicable a procesos de coloracion elec-trolitica del aluminio anodizado. |
US4666567A (en) * | 1981-07-31 | 1987-05-19 | The Boeing Company | Automated alternating polarity pulse electrolytic processing of electrically conductive substances |
US4839002A (en) * | 1987-12-23 | 1989-06-13 | International Hardcoat, Inc. | Method and capacitive discharge apparatus for aluminum anodizing |
US5102513A (en) * | 1990-11-09 | 1992-04-07 | Guy Fournier | Apparatus and method for recovering metals from solutions |
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- 1991-04-11 ES ES09100924A patent/ES2048612B1/es not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-20 DE DE69114007T patent/DE69114007T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-20 US US07/952,547 patent/US5352346A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-20 ES ES92902244T patent/ES2079849T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-20 AU AU91268/91A patent/AU642328B2/en not_active Ceased
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- 1991-12-20 CA CA002085125A patent/CA2085125C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-20 JP JP50249792A patent/JP3145117B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-20 WO PCT/ES1991/000089 patent/WO1992018666A1/es active IP Right Grant
-
1998
- 1998-06-26 HK HK98106832A patent/HK1007578A1/xx not_active IP Right Cessation
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CA2085125A1 (en) | 1992-10-12 |
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US5352346A (en) | 1994-10-04 |
EP0533852A1 (en) | 1993-03-31 |
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AU642328B2 (en) | 1993-10-14 |
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CA2085125C (en) | 2003-12-02 |
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