JP3144363B2 - 集積回路内蔵型a/d・d/a変換器の試験回路および試験方法 - Google Patents

集積回路内蔵型a/d・d/a変換器の試験回路および試験方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路内蔵型A
/D・D/A変換器の試験回路および試験方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のA/D・D/A変換器試験装置、
A/D・D/A変換器試験方法を説明するために、図
5、図6、図7を示す。これらの図において、従来のA
/D・D/A変換器試験装置、A/D・D/A変換器試
験方法について説明する。なお、これらの図中では、同
じ機能については同一の符号を付している。
【0003】図5に示す従来例1において、A/D・D
/A変換器試験装置10はA/D変換器3、D/A変換
器4、処理回路7、切換器13を含み、端子としては入
力端子1、出力端子2、A/D変換器出力端子8、D/
A変換器入力端子9を備えて構成される。
【0004】上記のA/D変換器3、D/A変換器4を
試験しない処理回路7を利用する場合、切換器13は処
理回路7の出力を選択する。A/D変換器3の試験時に
は入力端子1にアナログ試験データを印加し、A/D変
換器出力端子8から出力されるデジタルデータが規定の
値になっているかで判断をする。また、D/A変換器4
の試験時にはD/A変換器入力端子9に規定のデータを
印加し、出力端子2より出力されるD/A変換器4のア
ナログ出力データを観測し、規定の値になっているかで
判定をする。この場合、A/D変換器出力端子8および
D/A変換器入力端子9としては、それぞれA/D変換
器3の出力ビット数とD/A変換器4の入力ビット数の
数だけ必要となる。
【0005】次に図6に示す従来例2では、図5で示し
た従来例1のA/D変換器出力端子8とD/A変換器入
力端子9とを、A/D変換器出力兼D/A変換器入力端
子11として統合しおり、試験方法は従来例1と同一で
ある。A/D変換器3の試験時とD/A変換器4の試験
時でA/D変換器出力兼D/A変換器入力端子11の入
出力の機能を切り換えるために入出力切換器12を備え
る。この場合のA/D変換器出力兼D/A変換器入力端
子11の端子数は、A/D変換器3の出力ビット数とD
/A変換器4の入力ビット数のどちらか多い方になる。
【0006】図7に示す従来例3は、A/D変換器3の
出力を直接D/A変換器4に入力するための切り替え回
路13を備えており、A/D変換器3の出力デジタルデ
ータを直接D/A変換器4のデジタル入力データとして
使用する方法である。入力端子1にアナログ試験データ
を印加し出力端子2から出力されるアナログデータを観
測し、規定の値になっているかの判定をする。この場
合、A/D変換器3とD/A変換器4を合わせた特性を
測定することになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
各従来例では以下のような問題を伴う。以下において、
A/D変換器3の出力ビット数が8bit、D/A変換
器4の入力ビット数が10bitの場合について説明す
る。
【0008】図5に示した従来例1では、上に説明の通
りA/D変換器出力端子8とD/A変換器入力端子9を
合わせて18個の端子が必要となる。しかもこの端子は
A/D変換器3、D/A変換器4の試験を行なうときだ
け使用するものであり、通常は使用しない端子である。
A/D・D/A変換器試験装置10を、A/D・D/A
変換器試験装置内蔵型の半導体装置に適用すれば、端子
数の増加は使用部材の増加と共にパッケージ面積の増大
化につながる。このため、実装時にコストアップを誘引
する問題を伴う。
【0009】図6に示した従来例2では、図5に示した
従来例1に対して、A/D変換器出力端子8とD/A変
換器入力端子9を統合して、A/D変換器出力兼D/A
変換器入力端子11としたものである。この従来例2で
は必要となる端子数が10個と、図5に示した従来例1
に比べて、A/D変換器3、D/A変換器4の試験に必
要な端子数は約半分となる。しかし、それでも試験時以
外に使用しない端子が残ることになり、コストアップに
なる問題点がある。
【0010】図7に示した従来例3では、A/D変換器
3とD/A変換器4の総合の特性を測定し、さらに従来
例1にあるA/D変換器出力端子8、D/A変換器出力
端子9、従来例2にあるA/D変換器出力兼D/A変換
器入力端子11をも削除できる利点がある。しかし、例
えば、A/D変換器3のビット数に比べてD/A変換器
4のビット数が大きい場合、D/A変換器4の試験がで
きない問題がある。前述例のようにA/D変換器3のビ
ット数が8bit、D/A変換器のビット数が10bi
tの場合、両者のビット数差のためD/A変換器4の上
位2bitまたは下位2bitは測定できないことにな
る。さらに大きな問題としては、A/D変換器3、D/
A変換器4の個々の特性を試験することができない。ま
た、A/D変換器3とD/A変換器4に共通のコードで
欠損等の不具合がある場合には、検出できない問題点が
ある。
【0011】以上のように上記の各従来例において、A
/D変換器およびD/A変換器の特性を個々に測定する
ためには、端子数の増大に伴うコストアップが発生す
る。また、端子数削減のためにA/D変換器とD/A変
換器を合わせた特性を測定する方法では、A/D変換器
のビット数とD/A変換器のビット数が同一でない場合
には、A/D変換器またはD/A変換器いずれかのう
ち、ビット数の多い方の変換器の全範囲の特性が測定で
きない。さらに、A/D変換器、D/A変換器の個々の
特性がまったく測定できないという問題がある。
【0012】本発明は、試験用端子を削減し、且つA/
D変換器、D/A変換器それぞれの特性の試験を可能と
した、集積回路内蔵型A/D・D/A変換器の試験回路
および試験方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項1記載の発明は、A/D変換器と、シリアル
/パラレル変換器またはパラレル/シリアル変換器と、
切換器と、D/A変換器と、通常時に使用される所定の
処理回路と、を有して集積回路に構成され、集積回路の
入出力端子間に、A/D変換器、シリアル/パラレル変
換器またはパラレル/シリアル変換器、切換器、D/A
変換器が直列に、且つ、シリアル/パラレル変換器また
はパラレル/シリアル変換器の出力が切換器の一方の選
択端子およびD/A変換器の入力が切換器の共通端子と
接続され、処理回路がシリアル/パラレル変換器または
パラレル/シリアル変換器と並列に、且つ、出力端子が
切換器の他方の選択端子と接続され、集積回路の入力端
子には、D/A変換器またはA/D変換器を試験する試
験用データとしてのアナログデータが入力され、D/A
変換器を試験する際に、シリアル/パラレル変換器で
は、該A/D変換器からの出力に基づいて、アナログデ
ータがどの電圧範囲内のものであったかを判定し、当該
判定に対応したデジタルデータを複数回得ることでパラ
レルデータとして該D/A変換器に出力し、A/D変換
器を試験する際に、パラレル/シリアル 変換器では、該
A/D変換器の出力ビットを分割し、当該分割されたビ
ット内容に応じてD/A変換器の入力ビット数と同等の
ビット数を有する符号を生成し、これを複数回分割して
該D/A変換器に出力し、D/A変換器から出力される
アナログデータを観測して該D/A変換器の特性または
A/D変換器の特性を測定することを特徴とする。
【0014】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、集積回路内蔵型A/D・D/A変換器の試
験回路は、シリアル/パラレル変換器またはパラレル/
シリアル変換器の前段または後段に記憶装置を有し、シ
リアル/パラレル変換器またはパラレル/シリアル変換
器及び記憶装置が処理回路と並列接続に構成され、記憶
装置は、D/A変換器を試験する際に、シリアル/パラ
レル変換器から出力されるパラレルデータを記憶し、A
/D変換器を試験する際に、A/D変換器から出力され
るパラレルデータを記憶することを特徴とする。
【0015】請求項3記載の発明は、A/D変換器と、
シリアル/パラレル変換器またはパラレル/シリアル変
換器と、切換器と、D/A変換器と、通常時に使用され
る所定の処理回路と、を有する集積回路内蔵型A/D・
D/A変換器の試験方法において、A/D変換器と、シ
リアル/パラレル変換器またはパラレル/シリアル変換
器と、切換器と、D/A変換器とが直列接続状態となる
ように該切換器の接続を切り替える切り替え工程と、集
積回路の入力端子にD/A変換器またはA/D変換器を
試験する試験データとしてのアナログデータを入力する
入力工程と、D/A変換器から出力されるアナログデー
タを測定する測定工程とを有し、D/A変換器を試験す
る際には、シリアル/パラレル変換器で、該A/D変換
器からの出力に基づいて、アナログデータがどの電圧範
囲内のものであったかを判定し、当該判定に対応したデ
ジタルデータを複数回得ることでパラレルデータとして
該D/A変換器に出力し、A/D変換器を試験する際に
は、パラレル/シリアル変換器で、該A/D変換器の出
力ビットを分割し、当該分割されたビット内容に応じて
D/A変換器の入力ビット数と同等のビット数を有する
符号を生成し、これを複数回分割して該D/A変換器に
出力し、測定工程により、D/A変換器の特 性またはA
/D変換器の特性を測定することを特徴とする。
【0016】請求項4記載の発明は、請求項3記載の発
明において、シリアル/パラレル変換器またはパラレル
/シリアル変換器の前段または後段に記憶装置を配し、
シリアル/パラレル変換器またはパラレル/シリアル変
換器および記憶装置が処理回路と並列接続に構成され、
D/A変換器を試験する際には、シリアル/パラレル変
換器から出力されるパラレルデータを記憶し、A/D変
換器を試験する際には、A/D変換器から出力されるパ
ラレルデータを記憶する記憶工程を有することを特徴と
する。
【0017】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる集積回路内蔵型A/D・D/A変換器の試験回路お
よび試験方法の実施の形態を詳細に説明する。図1〜図
4を参照すると本発明の集積回路内蔵型A/D・D/A
変換器の試験回路および試験方法の一実施形態が示され
ている。
【0018】図1は、本発明の第1の実施例でD/A変
換器の試験を行う場合の構成を示している。図1におい
て、A/D・D/A変換器試験装置10は、A/D変換
器3、D/A変換器4、シリアル・パラレル変換器5、
通常時の処理回路7、切換器13を内蔵している。A/
D・D/A変換器試験装置10において、試験時の切換
器13の設定は、シリアル・パラレル変換器5からのデ
ータをD/A変換器4の入力とする。
【0019】信号発生器21は、D/A変換器4を試験
するために必要なパラレルデータをシリアル変換したも
のを、デジタル的アナログデータとて出力し入力端子1
に与える。ここでのデジタル的アナログデータとは、与
えたデータをA/D変換器3にて変換した後に、容易に
デジタルデータとして判断できるようにしたものであ
る。例えば、デジタルデータの「0」と「1」のそれぞ
れを、A/D変換器3の変換レンジ範囲外である入力レ
ンジ下限より下と入力レンジの上限より上に設定したも
のである。
【0020】このデータを端子1に与えた場合、A/D
変換器3の変換出力はそれぞれオール「0」とオール
「1」、つまり変換レンジの最小値と最大値になり、こ
のデータをシリアル・パラレル変換器5においてはそれ
ぞれ「0」と「1」とに判定するように設定する。D/
A変換器4の入力データはパラレル形式のため、シリア
ル・パラレル変換器5においてパラレル形式データを構
成するために必要なシリアルデータを全て受けて、パラ
レルデータを構成した後に、D/A変換器4に出力す
る。
【0021】D/A変換器4は、このパラレル変換され
たデータをD/A変換し、D/A変換後のアナログデー
タを出力端子2に出力する。この出力データを電圧測定
器22で測定すると共に規定電圧と一致するか否かを判
定し、D/A変換器4の試験とする。以上は特定の一コ
ードに対するD/A変換器4の出力の試験のみである。
このため、以上のプロセスをD/A変換器4の特性を全
範囲にわたって試験をするために、必要なコード数分実
行する。以上のような構成、方法を用いることによりD
/A変換器4の試験のための専用データ入力端子を設け
る必要が無くなる。
【0022】図2は、本発明の第2の実施例でA/D変
換器の試験を行う場合の構成を示している。図2におい
てA/D・D/A変換器試験装置10は、A/D変換器
3、D/A変換器4、パラレル・シリアル変換器6、通
常時の処理回路7、切換器13を内蔵している。A/D
・D/A変換器試験装置10において、A/D変換器3
の試験時には、切換器13の設定を、パラレル・シリア
ル変換器6からのデータをD/A変換器4の入力とする
設定にする。
【0023】信号発生器21は、A/D変換器3を試験
するために必要なアナログデータを出力し入力端子1に
与える。A/D変換器3は、与えられたアナログデータ
をA/D変換しパラレルデータとしてパラレル・シリア
ル変換器6に入力する。入力されたパラレルデータは、
パラレル・シリアル変換器6において、D/A変換器4
の出力にてシリアルのデジタル的アナログデータとなる
データに変換され、出力される。
【0024】ここにおいて、デジタル的アナログデータ
とは、アナログデータをデジタルデータとして容易に判
断できるようにしたデータである。例えば、デジタルデ
ータの「0」と「1」を、それぞれをD/A変換器4の
入力ビット数に対して、すべて「0」とすべて「1」に
設定して構成したものである。
【0025】このデジタル的アナログデータを受けたD
/A変換器4は、出力振幅の最低値または最大値を出力
端子2に出力する。この出力端子2の電圧を電圧測定器
22で測定し、D/A変換器4の出力中点電位を閾値と
して、それより高い電圧を「1」、低い電圧を「0」と
判定する。このことにより、デジタルデータの1ビット
を認識する。A/D変換器3の出力ビット数分この処理
を繰り返し、電圧測定器21で受けたシリアルデータを
パラレルデータに変換する。これによりA/D変換器3
の出力コードを得ることができ、この出力コードと期待
値のコードとを比較判定してA/D変換器3の試験とす
る。
【0026】以上は特定の電圧に対するA/D変換器3
の出力のみの試験であるため、このプロセスをA/D変
換器3を試験をするのに必要な電圧数分実行する。以上
のような構成、方法を用いることにより、A/D変換器
3の試験のための専用データ出力端子を設ける必要が無
い。なお、シリアル・パラレル変換およびパラレル・シ
リアル変換の変換器は、一般的な変換器で足りる。
【0027】次に、第3の実施形態におけるD/A変換
器の試験方式例として、図1に示した第1の実施形態の
構成に記憶装置を加えたものを図3に示す。図3におい
てA/D・D/A変換器試験装置10は、A/D変換器
3、D/A変換器4、シリアル・パラレル変換器5、通
常時の処理回路7及び記憶装置14、切換器13を内蔵
している。A/D・D/A変換器試験装置10におい
て、D/A変換器の試験時は、切換器13の設定は記憶
装置14からのデータをD/A変換器4の入力とする設
定にする。信号発生器21からA/D変換器3およびシ
リアル・パラレル変換器5までの設定方法及び処理方法
は、第1の実施例と同じである。
【0028】図3においては、シリアル・パラレル変換
器5からのパラレルデータを記憶装置14に必要分記憶
した後、記憶データを試験すべきD/A変換器3に与え
る。実施例1ではD/A変換器3に与える1つのデータ
を構成するために、D/A変換器4のビット数分A/D
変換器3でデータ変換する必要がある。この変換を行な
う間、次のデータを与えることができない。このため、
D/A変換器4の低速での試験では問題ないものの、連
続したデータでの測定ができない。この方式を用いるこ
とにより、パラレルデータを連続でD/A変換器4に与
える試験が可能になる。
【0029】第4の実施形態のA/D変換器の試験方法
例として、図2に示した第2の実施例の構成に記憶装置
を加えたものを図4に示す。図4において、A/D・D
/A変換器試験装置10は、A/D変換器3、D/A変
換器4、パラレル・シリアル変換器6、通常時の処理回
路7および記憶装置14、切換器13を内蔵している。
【0030】A/D・D/A変換器試験装置10におい
て、A/D変換器3の試験時には、切換器13を、パラ
レル・シリアル変換器6からのデータをD/A変換器4
の入力とする設定にする。A/D変換器3の試験時には
A/D変換器3から出力されるパラレルデータを記憶装
置14に一時記憶し、この記憶したデータを順次読み出
し、パラレル・シリアル変換器6でシリアル変換し、D
/A変換器4に与える。第2の実施例の構成において
は、A/D変換器2からのパラレル出力データを、パラ
レル・シリアル変換器6が変換し終わるまで次の入力デ
ータを処理することはできない。しかし、この方式を使
用することにより、記憶装置14の記憶容量の範囲内
で、A/D変換器3の連続したデータの試験が可能であ
る。
【0031】上記で述べた記憶装置の例としては、以下
のようなものがある。A/D変換器、D/A変換器を内
蔵する装置においては、データを処理する過程において
過去のデータと現在のデータを比較して出力データを得
るために、過去のデータを記憶するための記憶装置を内
蔵することがある。
【0032】例えば、コンポジット画像データを輝度デ
ータと色データに分離する場合において、ライン間の位
相を利用して分離する方式の場合は、1水平期間分のデ
ータを記憶するラインメモリを内蔵し、フレーム間の相
関を利用して分離する方式の場合は、フレームメモリを
内蔵する。これらの記憶装置を、A/D変換器、D/A
変換器の試験の際に試験に使用するパラレルデータの一
時記憶装置として利用する。このことにより、専用の記
憶装置を持たずに実現することが可能である。
【0033】さらに、第1の実施例及び第2の実施例に
おいては、デジタル的アナログデータがHi/Loの1
bitの場合を述べた。しかし、A/D変換器3、D/
A変換器4、信号発生器21、電圧測定器22の精度が
十分とれる範囲で、第1の実施例のA/D変換器への入
力データ及び第2の実施例のD/A変換器4への入力デ
ータ階調を2bit以上にすることにより、入力データ
を与える回数及び出力データを測定する回数を減らすこ
とができる。これにより、高速処理が可能となる。
【0034】また、第3および第4の実施例において
は、装置内部のデータ転送レートが高速で外部からのデ
ータの入力や外部へのデータの出力またはそのデータを
測定することが困難な場合においても、安定して試験を
行なうことが可能である。それは、D/A変換器の場合
は低速でデータを入力し記憶装置に記憶した後に高速で
読み出しD/A変換器に与えることにより、また、A/
D変換器の場合はA/D変換した高速のデータを一度記
憶装置に記憶した後に低速で読み出すことにより、デー
タを低速で入出力することができるからである。
【0035】上記の実施形態のA/D、D/A、変換器
の試験装置では、D/A変換器の試験の際は、シリアル
のデジタル的アナログデータをA/D変換器に入力し、
装置内部でシリアル・デジタル変換した後にD/A変換
器に与え、D/A変換器のアナログ出力を測定する。ま
た、A/D変換器の試験の際は、A/D変換器出力デー
タをパラレル・シリアル変換した後にD/A変換器にア
ナログ的デジタルデータとして与え、D/A変換器の出
力をデジタル出力として判定する。
【0036】尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
【0037】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の集積回路内蔵型A/D・D/A変換器の試験回路およ
び試験方法は、D/A変換器の試験の際には、A/D変
換器からのデータをシリアル・パラレル変換しD/A変
換器に与えることにより、A/D変換器の試験の際には
A/D変換器からのデータをパラレル・シリアル変換し
てD/A変換器に与える。このことにより、D/A変換
器試験の際のデータ入力端子およびA/D変換器試験時
のデータ出力端子を設けることなく、D/A変換器及び
A/D変換器単体の試験を行なうことが可能となる。こ
のため半導体装置の場合においては、端子数の削減によ
りチップ面積の削減及びパッケージサイズの削減が可能
となり、コスト削減が可能である。また、装置内の記憶
装置にパラレルデータを一時記憶することにより、シリ
アル/パラレル変換またはパラレル/シリアル変換の変
換速度によらず実際の動作状態での試験が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の集積回路内蔵型A/D・D/A変換器
の試験回路および試験方法の第1の実施形態を示すブロ
ック構成図である。
【図2】第2の実施形態を示すブロック構成図である。
【図3】第3の実施形態を示すブロック構成図である。
【図4】第4の実施形態を示すブロック構成図である。
【図5】従来例1のブロック構成図である。
【図6】従来例2のブロック構成図である。
【図7】従来例3のブロック構成図である。
【符号の説明】
1 入力端子 2 出力端子 3 A/D変換器 4 D/A変換器 5 シリアル/パラレル変換器 6 パラレル/シリアル変換器 7 処理回路 8 A/D変換器出力端子 9 D/A変換器入力端子 10 A/D・D/A変換器試験装置 11 A/D変換器出力兼D/A変換器入力端子 12 入出力切換器 13 切換器 14 記憶装置 21 信号発生器 22 電圧測定器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G08C 13/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 A/D変換器と、シリアル/パラレル変
    換器またはパラレル/シリアル変換器と、切換器と、D
    /A変換器と、通常時に使用される所定の処理回路と、
    を有して集積回路に構成され、 前記集積回路の入出力端子間に、前記A/D変換器、前
    記シリアル/パラレル変換器または前記パラレル/シリ
    アル変換器、前記切換器、前記D/A変換器が直列に、
    且つ、前記シリアル/パラレル変換器または前記パラレ
    ル/シリアル変換器の出力が前記切換器の一方の選択端
    子および前記D/A変換器の入力が前記切換器の共通端
    子と接続され、 前記処理回路が前記シリアル/パラレル変換器または前
    記パラレル/シリアル変換器と並列に、且つ、出力端子
    が前記切換器の他方の選択端子と接続され、 前記集積回路の入力端子には、前記D/A変換器または
    前記A/D変換器を試験する試験用データとしてのアナ
    ログデータが入力され、 前記D/A変換器を試験する際に、 前記シリアル/パラレル変換器では、該A/D変換器か
    らの出力に基づいて、前記アナログデータがどの電圧範
    囲内のものであったかを判定し、当該判定に対応したデ
    ジタルデータを複数回得ることでパラレルデータとして
    該D/A変換器に出力し、 前記A/D変換器を試験する際に、 前記パラレル/シリアル変換器では、該A/D変換器の
    出力ビットを分割し、当該分割されたビット内容に応じ
    て前記D/A変換器の入力ビット数と同等のビット数を
    有する符号を生成し、これを複数回分割して該D/A変
    換器に出力し、 前記D/A変換器から出力されるアナログデータを観測
    して該D/A変換器の特性または前記A/D変換器の特
    性を測定することを特徴とする集積回路内蔵型A/D・
    D/A変換器の試験回路。
  2. 【請求項2】 前記集積回路内蔵型A/D・D/A変換
    器の試験回路は、 前記シリアル/パラレル変換器または前記パラレル/シ
    リアル変換器の前段または後段に記憶装置を有し、 前記シリアル/パラレル変換器または前記パラレル/シ
    リアル変換器及び前記記憶装置が前記処理回路と並列接
    続に構成され、 前記記憶装置は、 前記D/A変換器を試験する際に、 前記シリアル/パラレル変換器から出力されるパラレル
    データを記憶し、 前記A/D変換器を試験する際に、 前記A/D変換器から出力されるパラレルデータを記憶
    することを特徴とする請求項1記載の集積回路内蔵型A
    /D・D/A変換器の試験回路。
  3. 【請求項3】 A/D変換器と、シリアル/パラレル変
    換器またはパラレル/シリアル変換器と、切換器と、D
    /A変換器と、通常時に使用される所定の処理回路と、
    を有する集積回路内蔵型A/D・D/A変換器の試験方
    法において、 前記A/D変換器と、前記シリアル/パラレル変換器ま
    たは前記パラレル/シリアル変換器と、前記切換器と、
    前記D/A変換器とが直列接続状態となるように該切換
    器の接続を切り替える切り替え工程と、 前記集積回路の入力端子に前記D/A変換器または前記
    A/D変換器を試験する試験データとしてのアナログデ
    ータを入力する入力工程と、 前記D/A変換器から出力されるアナログデータを測定
    する測定工程とを有し、 前記D/A変換器を試験する際には、 前記シリアル/パラレル変換器で、該A/D変換器から
    の出力に基づいて、前記アナログデータがどの電圧範囲
    内のものであったかを判定し、当該判定に対応したデジ
    タルデータを複数回得ることでパラレルデータとして該
    D/A変換器に出力し、 前記A/D変換器を試験する際には、 前記パラレル/シリアル変換器で、該A/D変換器の出
    力ビットを分割し、当該分割されたビット内容に応じて
    前記D/A変換器の入力ビット数と同等のビット数を有
    する符号を生成し、これを複数回分割して該D/A変換
    器に出力し、 前記測定工程により、前記D/A変換器の特性または前
    記A/D変換器の特性を測定することを特徴とする集積
    回路内蔵型A/D・D/A変換器の試験方法。
  4. 【請求項4】 前記シリアル/パラレル変換器または前
    記パラレル/シリアル変換器の前段または後段に記憶装
    置を配し、 前記シリアル/パラレル変換器または前記パラレル/シ
    リアル変換器および前記記憶装置が前記処理回路と並列
    接続に構成され、 前記D/A変換器を試験する際には、 前記シリアル/パラレル変換器から出力されるパラレル
    データを記憶し、 前記A/D変換器を試験する際には、 前記A/D変換器から出力されるパラレルデータを記憶
    する記憶工程を有することを特徴とする請求項3記載の
    集積回路内蔵型A/D・D/A変換器の試験方法
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