JP3137823B2 - チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 - Google Patents

チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装用のチップ部
品型ＬＥＤ及びその製造方法に関し、各種表示パネル、
液晶表示装置のバックライト、照光スイッチ等の光源と
して利用される。
【０００２】
【従来の技術】各種表示パネル、液晶表示装置のバック
ライト、照光スイッチ等の光源として、従来よりチップ
部品型ＬＥＤが利用されている。
【０００３】このような従来のチップ部品型ＬＥＤの構
造の一例を、図１４乃至図１６に示す。
【０００４】図１４に示すチップ部品型ＬＥＤは、カソ
ード側である一方のリードフレーム端子６０に、Ａｇペ
ーストでＬＥＤチップ６１を実装し、このＬＥＤチップ
６１とアノード側である他方のリードフレーム端子６２
とを金属細線（Ａｕ線等）６３で接続し、さらに全体を
透明樹脂６４で封止した構造となっている。
【０００５】また、図１５に示すチップ部品型ＬＥＤ
は、絶縁基板７０の表面に形成された一方の配線パター
ン７４上にＬＥＤチップ７１を接着し、対になっている
他方の配線パターン７５とこのＬＥＤチップ７１とを金
属細線（Ａｕ線等）７２で接続し、さらにＬＥＤチップ
７１と金属細線７２とを含む絶縁基板７０の表面を透明
樹脂７３で封止した構造となっている。
【０００６】また、図１６に示すチップ部品型ＬＥＤ
は、絶縁基板８１，８２を２層構造としたもので、上部
の絶縁基板８２に貫通穴８３を形成し、この貫通穴８３
内の底部（すなわち、絶縁基板８１の上面）まで延設し
て一方の配線パターン８４を形成し、貫通穴８３内の前
記配線パターン８４上にＬＥＤチップ８５を実装し、こ
のＬＥＤチップ８５と、他方の配線パターン８６とを金
属細線（Ａｕ線等）８７で接続し、さらにＬＥＤチップ
８５と金属細線８７とを含む絶縁基板８２の表面を透明
樹脂８８で封止した構造となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１４
に示すチップ部品型ＬＥＤは、リードフレーム端子６０
にＬＥＤチップ６１を固定する構造であるため、十分な
強度を得るためには、少なくともリードフレーム端子６
０を厚くする必要があるとともに、各リードフレーム６
０，６２の先端部を含めてＬＥＤチップ６１の全体を樹
脂封止する必要があるため、全体的に厚くなる。また、
ＬＥＤチップ６１の点灯時に側面や裏面への光が漏れて
しまうため、上方への反射効率が低いといった問題があ
った。
【０００８】また、図１５に示すチップ部品型ＬＥＤ
は、絶縁基板７０上にＬＥＤチップ７１が設けられた構
造であるため、ＬＥＤチップ７１の点灯時に側面へ光が
漏れてしまうため、その分上方への反射効率が低いとい
った問題があった。
【０００９】また、図１６に示すチップ部品型ＬＥＤ
は、貫通穴８３内にＬＥＤチップ８５を実装することで
薄型化が達成されているものの、貫通穴８３の内周面が
底面に対して垂直に形成されていることから、ＬＥＤチ
ップ８５の点灯時の上方への光の反射効率が低いといっ
た問題があった。また、２枚の絶縁基板８１，８２を必
要とすることから、薄型化が困難であるとともに、コス
ト的にも高くなるといった問題があった。
【００１０】さらに、図１５及び図１６に示すチップ部
品型ＬＥＤは、共にＬＥＤチップ７１，８５を絶縁基板
７０，８２上に実装することから、絶縁基板７０，８２
は実装可能な最低限度の厚みが必要となる。
【００１１】本発明はこのような問題点を解決すべく創
案されたもので、その目的は、ＬＥＤチップを実装する
ための基板厚みを無くして薄型化を達成するとともに、
点灯時の光の反射効率の向上を図ったチップ部品型ＬＥ
Ｄ及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載された本発明のチップ部品型ＬＥＤ
は、貫通穴が形成された絶縁基板の裏面に、一方の配線
パターンを形成する金属薄板が添設され、前記貫通穴内
の前記金属薄板上にＬＥＤチップが実装され、このＬＥ
Ｄチップと前記絶縁基板の表面に形成された他方の配線
パターンとが電気的に接続されて透明樹脂により封止さ
れた構造とする。
【００１３】また、請求項２に記載された本発明のチッ
プ部品型ＬＥＤは、貫通穴が形成された絶縁基板の裏面
に、一方の配線パターンを形成する金属薄板が添設さ
れ、前記貫通穴内の前記金属薄板上にＬＥＤチップが実
装され、このＬＥＤチップと前記絶縁基板の表面に形成
された他方の配線パターンとが電気的に接続されて透明
樹脂により封止されたもので、前記貫通穴の内周面が、
絶縁基板の裏面側から表面側に向かって漸次拡開する傾
斜面に形成されたものである。
【００１４】また、請求項３に記載された本発明に係わ
るチップ部品型ＬＥＤの製造方法は、絶縁基板に貫通穴
を開設した後、裏面に金属薄板を添設する第１の工程
と、無電解及び電解メッキ法を用いて前記絶縁基板の表
面、裏面及び側面と前記貫通穴の内周面とにメッキ層を
形成する第２の工程と、絶縁基板の裏面に添設した前記
金属薄板及び絶縁基板の表面、裏面及び側面に形成した
前記メッキ層を分離して１対の電極を形成する第３の工
程と、前記貫通穴内の底面である前記金属薄板に導電材
料を用いてＬＥＤチップを実装し、このＬＥＤチップと
前記絶縁基板の表面に形成された他方の電極とを導電材
料で接続する第４の工程と、前記ＬＥＤチップと前記導
電材料とを透光性の樹脂にて封止する第５の工程とを具
備するものである。
【００１５】また、請求項４に記載された本発明に係わ
るチップ部品型ＬＥＤの製造方法は、表面のＬＥＤチッ
プを実装する部分を除いて、絶縁基板の表面、裏面及び
側面に金属層を形成する第１の工程と、レーザ光を前記
絶縁基板のＬＥＤチップ実装部分に照射して、裏面の金
属層まで達する貫通穴を形成する第２の工程と、前記貫
通穴の内周面に金属層を形成する第３の工程と、絶縁基
板の表面、裏面及び側面に形成した前記金属層を分離し
て１対の電極層を形成する第４の工程と、前記貫通穴内
の底面である前記金属層に導電材料を用いてＬＥＤチッ
プを実装し、このＬＥＤチップと前記絶縁基板の表面に
形成された他方の電極層とを導電材料で接続する第５の
工程と、前記ＬＥＤチップと前記導電材料とを透光性の
樹脂にて封止する第６の工程とを具備するものである。
【００１６】
【作用】請求項１に記載された発明の作用について説明
する。
【００１７】貫通穴が形成された絶縁基板の裏面に、一
方の配線パターンを形成する金属薄板を添設し、貫通穴
内の金属薄板上にＬＥＤチップを実装し、このＬＥＤチ
ップと絶縁基板の表面に形成された他方の配線パターン
とを電気的に接続して、透明樹脂により封止した構造と
する。すなわち、絶縁基板の裏面に金属薄板を添設する
ことにより、金属薄板は絶縁基板によってその形状が保
持される。そのため、この金属薄板に容易にＬＥＤチッ
プを実装することができ、さらに金属細線で接続した場
合にも、変形することがない。つまり、絶縁基板が金属
薄板を保持することで、ＬＥＤチップの金属薄板上への
実装、金属細線の接続、透光性樹脂での封止といった作
業が容易に行えるものである。
【００１８】また、貫通穴の底部の金属薄板にＬＥＤチ
ップを実装する構造であるため、従来は必要であったＬ
ＥＤチップを実装するための基板（主に図１３及び図１
４に示す構造のもの）が不要となり、極薄型が達成でき
る。すなわち、従来のチップ部品型ＬＥＤの厚みは、図
１４に示すものでは１．１mm程度、図１５及び図１６に
示すものでは０．８mm程度であったが、本願のものでは
０．６mm以内に厚みを抑えることが可能となる。
【００１９】請求項２に記載された発明の作用について
説明する。
【００２０】貫通穴が形成された絶縁基板の裏面に、一
方の配線パターンを形成する金属薄板を添設し、貫通穴
内の金属薄板上にＬＥＤチップを実装し、このＬＥＤチ
ップと絶縁基板の表面に形成された他方の配線パターン
とを電気的に接続して、透明樹脂により封止する。この
とき、貫通穴の内周面を、絶縁基板の裏面側から表面側
に向かって漸次拡開する傾斜面に形成する。これによ
り、ＬＥＤチップの点灯時、側面に向かう光は傾斜面で
反射されて上方に向かうことから、上方への反射効率が
向上することになる。因みに、貫通穴の内周面を傾斜面
としたことによるＬＥＤチップ点灯時の反射効率は、平
板基板上にＬＥＤチップを実装した場合（図１４乃至図
１６に示す場合）と比較して、３０パーセント以上増大
させることができる。
【００２１】請求項３に記載された発明の作用について
説明する。
【００２２】第１の工程では、絶縁基板に貫通穴を開設
した後、裏面に金属薄板を添設する。このように、まず
絶縁基板に貫通穴を開けることから、貫通穴は機械的な
ドリル等によっても開けることができる。このことは、
絶縁基板を何枚も重ねて貫通穴を一度に開けることを可
能とするものであり、低コスト化が実現できる。また、
絶縁基板の裏面に金属薄板を添設する方法としては、金
属薄板を単に接着剤で貼り合わせるといった簡単な方法
が可能である。
【００２３】次に、第２の工程では、無電解及び電解メ
ッキ法を用いて前記絶縁基板の表面、裏面及び側面と前
記貫通穴の内周面とにメッキ層を形成し、第３の工程
で、絶縁基板の裏面に添設した前記金属薄板及び絶縁基
板の表面、裏面及び側面に形成した前記メッキ層を分離
して１対の電極を形成する。そして、第４の工程では、
前記貫通穴内の底面である前記金属薄板に導電材料を用
いてＬＥＤチップを実装し、このＬＥＤチップと前記絶
縁基板の表面に形成された他方の電極とを導電材料で接
続し、次の第５の工程で、前記ＬＥＤチップと前記導電
材料とを透光性の樹脂にて封止して、チップ部品型ＬＥ
Ｄの製造を終了する。
【００２４】請求項４に記載された本発明の作用につい
て説明する。
【００２５】第１の工程では、表面のＬＥＤチップを実
装する部分を除いて、絶縁基板の表面、裏面及び側面に
金属層を形成し、次の第２の工程で、レーザ光を前記絶
縁基板のＬＥＤチップ実装部分に照射して、裏面の金属
層まで達する貫通穴を形成する。レーザ光で絶縁基板の
対象エリアを除去すると、レーザ光は中心部から広がる
ように絶縁部を除去していくため、形成された貫通穴の
内周面は自然と傾斜面に形成される。つまり、レーザ光
を絶縁基板の表面側から照射することにより、貫通穴の
内周面は、絶縁基板の裏面側から表面側に向かって漸次
拡開する傾斜面に形成される。
【００２６】次に、第３の工程では、前記貫通穴の内面
（周面及び底面）に金属層を形成し、次の第４の工程
で、絶縁基板の表面、裏面及び側面に形成した前記金属
層を分離して１対の電極層を形成し、次の第５の工程
で、前記貫通穴内の底面である前記金属層に導電材料を
用いてＬＥＤチップを実装し、このＬＥＤチップと前記
絶縁基板の表面に形成された他方の電極層とを導電材料
で接続する。そして、第６の工程で、前記ＬＥＤチップ
と前記導電材料とを透光性の樹脂にて封止して、チップ
部品型ＬＥＤの製造を終了する。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 〔実施例１〕図１及び図２は、本発明のチップ部品型Ｌ
ＥＤの断面図及び平面図を示しており、請求項１及び２
に対応した実施例である。
【００２８】図において、貫通穴１２が形成された絶縁
基板１０の表面１０２に金属層７，８が形成され、裏面
１０１に金属薄板５，６が添設されている。また、貫通
穴１２の内周面は、絶縁基板１０の裏面１０１側から表
面１０２側に向かって漸次拡開する傾斜面１２１に形成
されている。
【００２９】また、表面１０２の金属層７と裏面１０１
の金属薄板５とを接続し、かつ貫通穴１２の傾斜面１２
１及び底面１２２（金属薄板５）まで延設するように一
方の配線パターン９が形成され、表面１０２の金属層８
と裏面１０１の金属薄板６とを接続するように他方の配
線パターン４が形成されている。
【００３０】そして、このように形成された貫通穴１２
内の底面１２２（金属薄板５）にＬＥＤチップ１が実装
され、このＬＥＤチップ１と絶縁基板１０の表面１０２
に形成された他方の配線パターン４とがＡｕ等の金属細
線２で接続され、これらＬＥＤチップ１と金属細線２と
が透明樹脂（透光性の樹脂）１１により封止された構造
となっている。なお、図中の符号１６は、はんだ付け時
の絶縁性を確保するためのレジスト層、符号１７はＡｇ
ペースト等の導電材料である。
【００３１】次に、上記構成のチップ部品型ＬＥＤの製
造方法について、図３を参照して説明する。この製造方
法は、請求項３に対応している。
【００３２】第１の工程では、表面１０２に金属層７，
８を有する絶縁基板１０に、内周壁が傾斜面１２１であ
る貫通穴１２を開設し、裏面１０１に金属薄板５，６を
貼り合わせる。ただし、このときの金属薄板５，６は、
この時点では連続した１枚の金属薄板である〔図３
（ａ）参照〕。
【００３３】また、貫通穴１２の形成に際しては、裏面
１０１に金属薄板５，６を貼り合わせる前に行うことか
ら、機械的なドリル等によって開けることができる。そ
のため、絶縁基板１０を何枚も重ねて、各絶縁基板１０
に貫通穴１２を一度に開けることが可能となる。ただ
し、この場合の開通穴１２は円筒形であって、その内周
面は垂直面となる。そのため、傾斜面にするための加工
が必要となるが、低コスト化は実現できる。
【００３４】第２の工程では、無電解及び電解メッキ法
を用いて、上記構成の絶縁基板１０の表面１０２、裏面
１０１及び側面１０３，１０４と、貫通穴１２内の傾斜
面１２１及び底面１２２とにメッキ層１５を形成する。
ここで、絶縁基板１０の表面とは、具体的には表面１０
２に形成された金属層７，８の表面のことであり、絶縁
基板１０の裏面とは、具体的には金属薄板５，６の表面
のことである〔図３（ｂ）参照〕。
【００３５】第３の工程では、絶縁基板１０の裏面１０
１側のメッキ層１５を金属薄板５，６とともに分離処理
してそれぞれ配線パターン（アノード側及びカソード側
となる一対の電極）９，４を形成する。同じく、絶縁基
板１０の表面１０２側のメッキ層も金属層７，８に分離
する。分離処理は、例えばエッチングやレーザ加工等で
金属部分を除去することにより行う。また、必要に応じ
て残った金属部分に電解メッキ法にて金属層を積み上げ
る。例えば、銅フィルムと銅メッキで配線パターン９，
４を形成した後、その金属層上にＮｉ，ＡｇあるいはＡ
ｕ，パラジウム等を積層する。これは、金属表面の保護
あるいは金属線との接続性のためである。これにより、
基板の処理を完了する。また、絶縁基板１０の裏面１０
１には、はんだ付け時の絶縁性を確保するためのレジス
ト層１６を形成する〔図３（ｃ）参照〕。
【００３６】第４の工程では、このようにして形成した
絶縁基板１０の貫通穴１２内の底面１２２（具体的に
は、金属薄板５上に形成された配線パターン９上））
に、Ａｇペースト等の導電材料１７を用いてＬＥＤチッ
プ１を実装し、このＬＥＤチップ１と絶縁基板１０の表
面１０２に形成された他方の配線パターン４とを、Ａｕ
等の金属細線２で接続する〔図３（ｄ）参照〕。
【００３７】第５の工程では、これらＬＥＤチップ１と
金属細線２とを内包するようにして、絶縁基板１０の表
面１０２に透明樹脂（透光性の樹脂）１１を充填し、Ｌ
ＥＤチップ１と金属細線２とを完全に封止する。これに
より、図１に示す構造のチップ部品型ＬＥＤが作製され
る。 〔実施例２〕 図４及び図５は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの他の実
施例を示す断面図及び平面図である。
【００３８】図において、貫通穴３２が形成された絶縁
基板３０に、その表面３０２から、各側面３０３，３０
４を経て裏面３０１に至る金属層２７，２８が形成され
ている。本実施例では、金属層２７がカソード側、金属
層２８がアノード側となる。また、貫通穴３２の内周面
は、絶縁基板３０の裏面３０１側から表面３０２側に向
かって漸次拡開する湾曲面３２１に形成されている。
【００３９】また、カソード側である金属層２７を延設
する形で、貫通穴３２の内周面に金属層２９が形成され
ている。
【００４０】そして、このように形成された貫通穴３２
内の底面３２２（具体的には、金属層２７上に形成され
た金属層２９））にＬＥＤチップ２１が実装され、この
ＬＥＤチップ２１と絶縁基板３０の表面３０２に形成さ
れたアノード側の金属層２８とがＡｕ等の金属細線２２
で接続され、これらＬＥＤチップ２１と金属細線２２と
が透明樹脂（透光性の樹脂）３１により封止された構造
となっている。なお、図中の符号３６は、はんだ付け時
の絶縁性を確保するためのレジスト層、符号３７はＡｇ
ペースト等の導電材料である。
【００４１】次に、上記構成のチップ部品型ＬＥＤの製
造方法について、図６を参照して説明する。この製造方
法は、請求項４に対応している。
【００４２】第１の工程では、絶縁基板３０の表面３０
２、裏面３０１及び両側面３０３，３０４に金属層２
７，２８を形成し、この後、表面３０２のＬＥＤチップ
２１を実装する部分２３の金属層を除去する。ただし、
ＬＥＤチップ２１を実装する部分２３の金属層を除去さ
れた後の金属層２７，２８は、この時点では絶縁基板３
０の裏面３０１側で連続した１枚の金属層である〔図６
（ａ）参照〕。
【００４３】第２の工程では、レーザ光を前記絶縁基板
３０のＬＥＤチップ実装部分２３に照射して、裏面３０
１の金属層２７まで達する貫通穴３２を形成する。レー
ザ光で絶縁基板３０の対象エリアを除去すると、レーザ
光は中心部から広がるように絶縁部を除去していくた
め、形成された貫通穴３２の内周面は自然と湾曲面３２
１に形成される〔図６（ｂ）参照〕。つまり、レーザ光
を絶縁基板３０の表面３０２側から照射することによ
り、貫通穴３２の内周面は、絶縁基板３０の裏面３０１
側から表面３０２側に向かって漸次拡開する湾曲面３２
１に形成される。
【００４４】ただし、貫通穴３２の形成は、レーザ光に
よる加工の他、薬品による樹脂部のエッチングや機械加
工（ドリルによる穴開け加工等）でもよい。エッチング
の場合には、レーザ光による加工と同様に、中心部から
広がるように絶縁部を除去していくため、形成された貫
通穴３２の内周壁は自然と湾曲面３２１に形成される。
【００４５】第３の工程では、貫通穴３２の内面（周面
及び底面）に、金属層２７を延設する形で金属層２９を
形成する〔図６（ｃ）参照〕。貫通穴３２内に金属層２
９を形成するのは、ＬＥＤチップ２１の点灯時の光の反
射効率を向上させるためであるが、絶縁基板３０が白色
の樹脂である場合には、貫通穴３２の内周面も白色であ
ることから、この場合には金属層２９は無くてもよい
（図７参照）。
【００４６】第４の工程では、絶縁基板３０の表面３０
２及び裏面３０１に形成した金属層をそれぞれ分離して
１対の電極層（最終的な形状であるカソード側の金属層
２７とアノード側の金属層２８）を形成する〔図６
（ｄ）参照〕。
【００４７】この後、絶縁基板３０の裏面３０１に、は
んだ付け時の絶縁性を確保するためのレジスト層３６を
形成する〔図６（ｅ）参照〕。つまり、レジスト層３６
によって、完成したチップ部品型ＬＥＤをはんだ付けす
る際の、裏面でのショートを防止する。
【００４８】第５の工程では、貫通穴３２内の底面３２
２である金属層２９に、Ａｇペースト等の導電材料３７
を用いてＬＥＤチップ２１を実装し、このＬＥＤチップ
２１と絶縁基板３０の表面３０２に形成された他方の金
属層２８とを、Ａｕ等の金属細線２２で接続する。そし
て、第６の工程で、ＬＥＤチップ２１と金属細線２２と
を透光性の樹脂３１にて封止する。これにより、図４に
示す構造のチップ部品型ＬＥＤが作製される。なお、図
７は、実施例２に対応したチップ部品型ＬＥＤの変形例
を示している。 ［実施の形態３］ 図８は、本発明のチップ部品型ＬＥＤの他の実施例を示
す断面図であり、図１に示すチップ部品型ＬＥＤの変形
例である。
【００４９】同図において、貫通穴５２が形成された絶
縁基板５０の表面５０２に金属層４７，４８が形成さ
れ、裏面５０１に金属薄板４５，４６が添設されてい
る。また、貫通穴５２の内周面は、本実施例では円筒形
状に形成されており、傾斜面とはされていない。
【００５０】また、表面５０２の金属層４７と裏面５０
１の金属薄板４５とを接続し、かつ貫通穴５２の内周面
及び底面５２２（金属薄板４５）まで延設するように一
方の配線パターン４９が形成され、表面５０２の金属層
４８と裏面５０１の金属薄板４６とを接続するように他
方の配線パターン４４が形成されている。
【００５１】そして、このように形成された貫通穴５２
内の底面５２２（金属薄板４５）にＬＥＤチップ４１が
実装され、このＬＥＤチップ４１と絶縁基板５０の表面
５０２に形成された他方の配線パターン４４とがＡｕ等
の金属細線４２で接続されている。
【００５２】また、絶縁基板５０の表面５０２に反射ケ
ース板５３が添設されており、この反射ケース板５３
に、ＬＥＤチップ４１と金属細線４２とを内包する大径
の貫通穴５４が形成されている。この貫通穴５４は、反
射ケース板５３の裏面５３１側から表面５３２側に向か
って漸次拡開する傾斜面５４１に形成されている。そし
て、絶縁基板５０の貫通穴５２及び反射ケース板５３の
貫通穴５４に透明樹脂５１が充填されて、ＬＥＤチップ
４１と金属細線４２とが樹脂封止された構造となってい
る。なお、図中の符号５６は、はんだ付け時の絶縁性を
確保するためのレジスト層、符号５７はＡｇペースト等
の導電材料である。
【００５３】次に、上記構成のチップ部品型ＬＥＤの製
造方法について、図９を参照して説明する。
【００５４】第１の工程では、表面５０２に金属層４
７，４８を有する絶縁基板５０に、貫通穴５２を開設
し、裏面５０１に金属薄板４５，４６を貼り合わせる。
ただし、このときの金属薄板４５，４６は、この時点で
は連続した１枚の金属薄板である〔図９（ａ）〕。
【００５５】また、貫通穴５２の形成に際しては、裏面
５０１に金属薄板４５，４６を貼り合わせる前に行うこ
とから、機械的なドリル等によって開けることができ
る。そのため、絶縁基板５０を何枚も重ねて、各絶縁基
板５０に貫通穴５２を一度に開けることが可能となり、
低コスト化が実現できる。
【００５６】第２の工程では、無電解及び電解メッキ法
を用いて、上記構成の絶縁基板５０の表面５０２、裏面
５０１及び両側面５０３，５０４と、貫通穴５２の内周
面５２１及び底面５２２とにメッキ層５５を形成する。
ここで、絶縁基板５０の表面とは、具体的には表面５０
２に形成された金属層４７，４８の表面のことであり、
絶縁基板５０の裏面とは、具体的には金属薄板４５，４
６の表面のことである〔図９（ｂ）〕。
【００５７】第３の工程では、絶縁基板５０の裏面側の
メッキ層５５〔図９（ｂ）参照〕を金属薄板４５，４６
とともに分離処理してそれぞれ配線パターン４４，４９
を形成する。分離処理は、例えばエッチングやレーザ加
工等で金属部分を除去することにより行う。これによ
り、基板の処理を完了する。また、絶縁基板５０の裏面
５０１には、はんだ付け時の絶縁性を確保するためのレ
ジスト層５６を形成する〔図９（ｃ）〕。
【００５８】第４の工程では、このようにして形成した
絶縁基板５０の表面５０２側に、ＬＥＤチップ４１と金
属細線４２とを内包する大径の貫通穴５４が形成された
反射ケース板５３を添設する〔図９（ｄ）〕。
【００５９】第５の工程では、絶縁基板５０の貫通穴５
２内の底面５２２（具体的には、金属薄板４５上に形成
されたメッキ層）に、Ａｇペースト等の導電材料５７を
用いてＬＥＤチップ４１を実装し、このＬＥＤチップ４
１と絶縁基板５０の表面５０２に形成された他方の配線
パターン４４とを、Ａｕ等の金属細線４２で接続する
〔図９（ｅ）〕。
【００６０】第６の工程では、絶縁基板５０の貫通穴５
２及び反射ケース板５３の貫通穴５４に透明樹脂５１を
注入して、ＬＥＤチップ４１と金属細線４２とを完全に
樹脂封止する。これにより、図８に示す構造のチップ部
品型ＬＥＤが作製される。
【００６１】図８に示す構造では、反射ケース板５３を
絶縁基板５０とは別に設けることにより、反射ケース板
５３に形成する貫通穴５４を大きくできるので、傾斜面
５４１も大きく広いものとなり、その分上方への反射効
率が向上するものである。また、樹脂封止は、貫通穴５
２及び５４に樹脂を注入するだけでよく、形状を保持す
るための型を必要としないことから、簡単に行えるとい
った利点がある。因みに、図１４乃至図１６に示す従来
のチップ部品型ＬＥＤでは、樹脂封止のための型が必要
となる。
【００６２】さらに、ＬＥＤチップ４１を直接金属薄板
４５上に実装することから、従来の基板が不要となり、
その分薄型化が可能になるとともに、材料コストの低減
も図ることができる。さらにまた、ＬＥＤチップ４１を
実装する周辺部以外は絶縁基板５３で保持されているた
め、十分な強度が確保でき、金属細線４２の取り付けや
樹脂封止等も安定して行えるものである。
【００６３】なお、この反射ケース板５３を設ける構成
を、図４及び図５に示す構造のチップ部品型ＬＥＤに適
用することが可能である。このときの製造方法は、上記
実施例２で示したレジスト層３６を形成する第５の工程
〔図６（ｅ）〕の後に、上記した第４の工程〔図９
（ｄ）〕から第６の工程までを行えばよい。 〔実施例４〕図１０乃至図１３は、図１及び図４に示す
チップ部品型ＬＥＤのさらに変形例を示すもので、封止
樹脂１１，３１の表面をレンズ形状としたものである。
これにより、ＬＥＤチップ１，２１の点灯時、斜め上方
に散乱状態で放出される光がこのレンズ面で集光されて
上方に向かうことから、上方への反射効率がさらに向上
することになる。
【００６４】図１０及び図１１に示すものは、封止樹脂
１１，３１の形状を半円柱状（いわゆるかまぼこ型）に
形成したもの、図１２に示すものは、封止樹脂１１，３
１の天面の一部を凹ませてレンズ形状（破線により示
す）５８に加工（インナーレンズ）したもの、図１３に
示すものは、封止樹脂１１，３１の天面に半円球状のレ
ンズ５９を付加したものである。図１２に示すインナー
レンズに加工したものでは、反射効率の向上の他、チッ
プマウンター等での表面実装時に吸着固定しやすいとい
った効果をも併せ持っている。
【００６５】なお、本実施例では、絶縁基板に対して１
対のパターンを有する１チップＬＥＤランプとしたが、
同手法で複数のパターンを形成し、複数個のＬＥＤチッ
プを接続させると、容易に多色（複数ＬＥＤチップ）発
光のＬＥＤランプを構成できる。
【００６６】
【発明の効果】本発明のチップ部品型ＬＥＤは、貫通穴
が形成された絶縁基板の裏面に、一方の配線パターンを
形成する金属薄板を添設し、貫通穴内の金属薄板上にＬ
ＥＤチップを実装し、このＬＥＤチップと絶縁基板の表
面に形成された他方の配線パターンとを電気的に接続し
て透明樹脂により封止した構造としたので、ＬＥＤチッ
プを直接金属薄板上に実装することから、従来の基板が
不要となり、その分薄型化が可能になるとともに、材料
コストの低減も図ることができる。また、ＬＥＤチップ
を実装する周辺部以外は絶縁基板で保持されているた
め、十分な強度が確保でき、金属細線の取り付けや樹脂
封止等も安定して行えるものである。
【００６７】また、本発明のチップ部品型ＬＥＤは、上
記構成に加えて、貫通穴の内周面を、絶縁基板の裏面側
から表面側に向かって漸次拡開する傾斜面に形成したの
で、ＬＥＤチップの点灯時、側面に向かう光は傾斜面で
反射されて上方に向かうことから、上方への反射効率が
向上するものである。
【００６８】また、本発明に係わるチップ部品型ＬＥＤ
の製造方法は、絶縁基板に貫通穴を開設した後、裏面に
金属薄板を添設する第１の工程と、無電解及び電解メッ
キ法を用いて前記絶縁基板の表面、裏面及び側面と前記
貫通穴の内周面とにメッキ層を形成する第２の工程と、
絶縁基板の裏面に添設した前記金属薄板及び絶縁基板の
表面、裏面及び側面に形成した前記メッキ層を分離して
１対の電極を形成する第３の工程と、前記貫通穴内の底
面である前記金属薄板に導電材料を用いてＬＥＤチップ
を実装し、このＬＥＤチップと前記絶縁基板の表面に形
成された他方の電極とを導電材料で接続する第４の工程
と、前記ＬＥＤチップと前記導電材料とを透光性の樹脂
にて封止する第５の工程とを備えた構成としたので、第
１の工程では、絶縁基板に貫通穴を開設した後、裏面に
金属薄板を添設することから、貫通穴は機械的なドリル
等によっても開けることができる。そのため、絶縁基板
を何枚も重ねて貫通穴を一度に開けることが可能となる
ことから、低コスト化が実現できる。また、絶縁基板の
裏面に金属薄板を添設する方法として、金属薄板を単に
接着剤で貼り合わせるといった簡単な方法を用いること
ができる。
【００６９】また、本発明に係わるチップ部品型ＬＥＤ
の製造方法は、表面のＬＥＤチップを実装する部分を除
いて、絶縁基板の表面、裏面及び側面に金属層を形成す
る第１の工程と、レーザ光を前記絶縁基板のＬＥＤチッ
プ実装部分に照射して、裏面の金属層まで達する貫通穴
を形成する第２の工程と、前記貫通穴の内周面に金属層
を形成する第３の工程と、絶縁基板の表面、裏面及び側
面に形成した前記金属層を分離して１対の電極層を形成
する第４の工程と、前記貫通穴内の底面である前記金属
層に導電材料を用いてＬＥＤチップを実装し、このＬＥ
Ｄチップと前記絶縁基板の表面に形成された他方の電極
層とを導電材料で接続する第５の工程と、前記ＬＥＤチ
ップと前記導電材料とを透光性の樹脂にて封止する第６
の工程とを備えた構成としたので、第２の工程では、レ
ーザ光を絶縁基板のＬＥＤチップ実装部分に照射して、
裏面の金属層まで達する貫通穴を形成することから、レ
ーザ光で絶縁基板の対象エリアを除去すると、レーザ光
は中心部から広がるように絶縁部を除去していくため、
形成された貫通穴の内周面を同時に傾斜面（湾曲面）に
形成することができる。つまり、レーザ光を照射するだ
けで、貫通穴の形成の内周壁の傾斜面の形成とを同時に
行うことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１に対応したチップ部品型ＬＥ
Ｄの断面図である。
【図２】本発明の実施例１に対応したチップ部品型ＬＥ
Ｄの平面図である。
【図３】図１に示す構造のチップ部品型ＬＥＤの製造方
法を説明するための工程図である。
【図４】本発明の実施例２に対応したチップ部品型ＬＥ
Ｄの断面図である。
【図５】本発明の実施例２に対応したチップ部品型ＬＥ
Ｄの平面図である。
【図６】図４に示す構造のチップ部品型ＬＥＤの製造方
法を説明するための工程図である。
【図７】本発明の実施例２に対応したチップ部品型ＬＥ
Ｄの変形例を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例３に対応したチップ部品型ＬＥ
Ｄの断面図である。
【図９】図８に示す構造のチップ部品型ＬＥＤの製造方
法を説明するための工程図である。
【図１０】図１及び図４に示すチップ部品型ＬＥＤのさ
らに変形例を示すもので、封止樹脂の形状を半円柱状に
形成した例を示す正面図である。
【図１１】図１及び図４に示すチップ部品型ＬＥＤのさ
らに変形例を示すもので、封止樹脂の形状を半円柱状に
形成した例を示す側面図である。
【図１２】図１及び図４に示すチップ部品型ＬＥＤのさ
らに変形例を示すもので、封止樹脂の天面の一部を凹ま
せてレンズ形状に加工した例を示す正面図である。
【図１３】図１及び図４に示すチップ部品型ＬＥＤのさ
らに変形例を示すもので、封止樹脂の天面に半円球状の
レンズを付加した例を示す正面図である。
【図１４】従来のチップ部品型ＬＥＤの構造の一例を示
す断面図である。
【図１５】従来のチップ部品型ＬＥＤの構造の一例を示
す断面図である。
【図１６】従来のチップ部品型ＬＥＤの構造の一例を示
す断面図である。
【符号の説明】
１，２１ ＬＥＤチップ ２，２２ 金属細線 ４，９ 配線パターン ５，６ 金属薄板 ７，８，２７，２８ 金属層 １０，３０ 絶縁基板 １１，３１ 透明樹脂 １２，３２ 貫通穴 １２１，３２１ 傾斜面 １１，３１ 透明樹脂

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基板外面に、搭載されるＬＥＤチッ
    プと電気的接続される配線パターンを形成してなるチッ
    プ部品型ＬＥＤにおいて、 前記絶縁基板には貫通穴が形成され、該貫通穴が形成さ
    れた絶縁基板の裏面に、前記配線パターンと接続される
    金属薄板を添設し、該貫通穴内の底面における前記金属
    薄板上に前記ＬＥＤチップを搭載してなる ことを特徴と
    するチップ部品型ＬＥＤ。
  2. 【請求項２】 前記貫通穴の内周面が、絶縁基板の裏面
    側から表面側に向かって漸次拡開する傾斜面に形成され
    たことを特徴とする請求項１に記載のチップ部品型ＬＥ
    Ｄ。
  3. 【請求項３】 絶縁基板に貫通穴を開設した後、裏面に
    金属薄板を添設する第１の工程と、無電解及び電解メッ
    キ法を用いて前記絶縁基板の表面、裏面及び側面と前記
    貫通穴の内周面とにメッキ層を形成する第２の工程と、
    絶縁基板の裏面に添設した前記金属薄板及び絶縁基板の
    表面、裏面及び側面に形成した前記メッキ層を分離して
    １対の電極を形成する第３の工程と、前記貫通穴内の底
    面である前記金属薄板に導電材料を用いてＬＥＤチップ
    を実装し、このＬＥＤチップと前記絶縁基板の表面に形
    成された他方の電極とを導電材料で接続する第４の工程
    と、前記ＬＥＤチップと前記導電材料とを透光性の樹脂
    にて封止する第５の工程とを具備することを特徴とする
    チップ部品型ＬＥＤの製造方法。
  4. 【請求項４】 表面のＬＥＤチップを実装する部分を除
    いて、絶縁基板の表面、裏面及び側面に金属層を形成す
    る第１の工程と、レーザ光を前記絶縁基板のＬＥＤチッ
    プ実装部分に照射して、裏面の金属層まで達する貫通穴
    を形成する第２の工程と、前記貫通穴の内周面に金属層
    を形成する第３の工程と、絶縁基板の表面、裏面及び側
    面に形成した前記金属層を分離して１対の電極層を形成
    する第４の工程と、前記貫通穴内の底面である前記金属
    層に導電材料を用いてＬＥＤチップを実装し、このＬＥ
    Ｄチップと前記絶縁基板の表面に形成された他方の電極
    層とを導電材料で接続する第５の工程と、前記ＬＥＤチ
    ップと前記導電材料とを透光性の樹脂にて封止する第６
    の工程とを具備することを特徴とするチップ部品型ＬＥ
    Ｄの製造方法。
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