JP3137721B2 - 高周波回路装置 - Google Patents

高周波回路装置

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JP3137721B2
JP3137721B2 JP04085084A JP8508492A JP3137721B2 JP 3137721 B2 JP3137721 B2 JP 3137721B2 JP 04085084 A JP04085084 A JP 04085084A JP 8508492 A JP8508492 A JP 8508492A JP 3137721 B2 JP3137721 B2 JP 3137721B2
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智 小鷹
鈴木  寛
雅義 生野
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Denso Ten Ltd
Fujitsu Ltd
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Denso Ten Ltd
Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波回路装置に関す
る。近年、急速に発展したIC製造技術や印刷配線板の
パターン形成技術を応用することにより、マイクロ波、
ミリ波帯の高周波回路においては、半導体あるいは誘電
体基板の一方の面にストリップパターン(ストリップ導
体)を形成し(必要な場合には能動素子その他の回路素
子を形成し又は実装し)、他方の面に接地パターン(接
地導体)を形成してなるMIC(高周波集積回路)が使
用されるようになってきた。
【0002】MICは単独であるいは他のMICや能動
素子部品等と複合されて金属基台(金属キャリア)上に
実装され、これらが適宜金リボン等で接続されて高周波
回路モジュールとされる。これらの高周波回路モジュー
ルは、さらに筐体等に他の高周波回路モジュールととも
に実装され、高周波回路装置が構成される。
【0003】この種の高周波回路装置において、各高周
波回路モジュール間での電磁的な干渉により装置性能が
劣化することがあるため、これを有効に防止する必要が
ある。
【0004】
【従来の技術】従来の高周波回路装置を、図5及び図6
を参照して説明する。高周波回路モジュール1は、コバ
ール等からなる金属基台2上に複数のMIC3及び能動
素子等4が実装されて構成されている。
【0005】MIC3はアルミナセラミックス等の誘電
体基板の両面にスパッタリング、蒸着あるいはメッキ等
により金属薄膜が形成された後、フォトエッチング処理
等により一方の面の不要部分が除去されてストリップパ
ターン5とされ、他方はそのままの状態で接地パターン
とされて構成されている。
【0006】これらのMIC3は接地パターンを金属基
台2に当接させた状態でロー材あるいは導電性接着剤で
固定されることにより、金属基台2上の所定の位置に実
装され、能動素子等4と適宜接続される。
【0007】6,6は一対のカット・オフ・ブロックで
あり、これらのカット・オフ・ブロック6はMIC3等
を挟んで互いに対向した状態で、金属基台2にネジ7に
より固定される。カット・オフ・ブロック6は、平面回
路モード以外のモード、例えば、進行方向に電界、磁界
いずれかの成分をもつ所謂導波管モードの伝搬を防止す
るために設けられているものである。
【0008】このように構成された高周波回路モジュー
ル1は、他の高周波回路モジュール等とともに、図6に
示すように、所定の位置に高周波回路モジュール実装部
8を有する金属からなる筐体9に実装され、例えば高周
波増幅器等の高周波回路装置が構成される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、各種
の機能別に高周波回路モジュール1が構成され、これら
が筐体9に実装されて高周波回路装置が構成されるが、
従来は各高周波回路モジュール間での電磁的干渉につい
て対策していなかったので、各高周波回路モジュール間
で相互に悪影響を与え、高周波回路装置として所望の特
性を実現できない場合があるという問題があった。
【0010】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、各高周波回路モジ
ュール間での電磁的干渉を防止した高周波回路装置を提
供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、複数の高周波回路モジュールを筐体に実装してな
る高周波回路装置において、以下のように構成する。
【0012】即ち、略平板状の金属ブロックの前記各高
周波回路モジュールに対応する部分にそれぞれ凹部を形
成してなるカバー部材を、前記筐体に固定することによ
り、前記各高周波回路モジュールをそれぞれ電磁的に遮
蔽して構成する。
【0013】
【作用】本発明によると、カバー部材により、高周波回
路モジュールが他の高周波回路モジュールと相互に電磁
的に影響し合うことがなくなり、これによる装置性能の
劣化が防止される。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明実施例の分解斜視図、図2は図1の
A−A線に沿った断面図、図3は図1のB−B線に沿っ
た断面図である。
【0015】同図において、11は高周波回路モジュー
ルであり、高周波回路モジュール11は、コバール等か
らなる金属基台12上に複数のMIC13及び能動素子
等が実装されて構成されている。
【0016】MIC13はアルミナセラミックス等の誘
電体基板の両面にスパッタリング、蒸着あるいはメッキ
等により金属薄膜が形成された後、フォトエッチング処
理等により一方の面の不要部分が除去されてストリップ
パターン15とされ、他方の面はそのままの状態で接地
パターンとされて構成されている。
【0017】これらのMIC13は、接地パターンを金
属基台12に当接させた状態でロー材あるいは導電性接
着剤で固定されることにより、金属基台12上の所定の
位置に実装され、能動素子等と適宜接続される。
【0018】16,16は一対のカット・オフ・ブロッ
クであり、これらのカット・オフ・ブロック16はMI
C13等を挟んで互いに対向した状態で、金属基台12
にネジにより固定される。カット・オフ・ブロック16
は、平面回路モード以外のモード、例えば、進行方向に
電界、磁界いずれかの成分をもつ所謂導波管モードの伝
搬を防止するために設けられているものである。
【0019】図2において、17も高周波回路モジュー
ル(MICサーキュレータ)であり、この高周波回路モ
ジュール17はMIC13と同様に構成されたMIC基
板18の表面側に突出する略円柱状のマグネット等19
及び裏面側に突出する略円柱状のマグネット20を一体
的に設けて構成されている。
【0020】21は金属からなる筐体であり、筐体21
には、高周波回路モジュール11を実装するための実装
部22、高周波回路モジュール17のマグネット20を
挿入するための丸穴23、及び複数のネジ穴24が形成
されている。各高周波回路モジュール11,17は、筐
体21の実装部22、丸穴23にそれぞれ挿入・実装さ
れ、各高周波回路モジュール11,17のストリップパ
ターン15が適宜接続される。
【0021】25は略平板状に形成されたアルミ、銅等
の金属ブロックの一方の面側に、複数の凹部26を切削
加工等により形成してなるカバー部材である。カバー部
材25の凹部26は、高周波回路モジュール11,17
が筐体21に実装された状態において、各高周波回路モ
ジュール11,17に対応する位置に形成されており、
各高周波回路モジュール11,17の突出部分を収納し
得る形状となっている。
【0022】カバー部材25を筐体21にネジ27で固
定することにより、各高周波回路モジュール11,17
の突出部分がこのカバー部材25の凹部26内に完全に
収容されるようになっている。尚、カバー部材25の凹
部26と凹部26の間の部分には、各高周波回路モジュ
ール11,17の接続部における伝送特性に影響を与え
ない程度に切欠きが形成されている。
【0023】本実施例によると、各高周波回路モジュー
ル11,17はカバー部材25により電磁的に遮蔽され
るので、それぞれが相互に電磁的に影響し合うことがな
くなり、これによる装置性能の劣化が少なく、所望の特
性を呈する高周波回路装置が構成される。
【0024】図4は本発明他の実施例を示す断面図であ
る。同図は上記実施例における図3に対応する図であ
り、上記実施例と異なるのは、カット・オフ・ブロック
の構成である。この実施例におけるカット・オフ・ブロ
ック28は、その先端面がカバー部材25の対応する凹
部26の底面に一様に当接しており、このように構成す
ることにより、高周波回路モジュール11が能動素子等
をも備えている場合における放熱性を向上することがで
きる。
【0025】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように構成したの
で、各高周波回路モジュール間での電磁的干渉が防止さ
れ、所望の装置性能を有する高周波回路装置を提供でき
るという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例の構成を示す分解斜視図である。
【図2】図1のA−A線に沿った断面図である。
【図3】図1のB−B線に沿った断面図である。
【図4】本発明他の実施例の構成を示す断面図である。
【図5】従来技術の説明図である。
【図6】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
11,17 高周波回路モジュール 12 金属基台 13 MIC 15 ストリップパターン 16 カット・オフ・ブロック 21 筐体 25 カバー部材 26 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 寛 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 生野 雅義 兵庫県神戸市兵庫区御所通1丁目2番28 号 富士通テン株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−87599(JP,A) 特開 平4−96295(JP,A) 特開 平1−225200(JP,A) 特開 平2−278898(JP,A) 特開 平5−136590(JP,A) 実開 昭63−197399(JP,U) 実開 平2−38807(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 9/00

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の高周波回路モジュールを筐体に実
    装してなる高周波回路装置において、 略平板状の金属ブロックの前記各高周波回路モジュール
    に対応する部分にそれぞれ凹部を形成してなるカバー部
    材を、前記筐体に固定することにより、前記各高周波回
    路モジュールをそれぞれ電磁的に遮蔽するとともに、 前記高周波回路モジュールはカット・オフ・ブロックを
    備えており、該カット・オフ・ブロックの先端面が前記
    カバー部材の対応する凹部の底面に当接する ようにした
    ことを特徴とする高周波回路装置。
JP04085084A 1992-03-09 1992-03-09 高周波回路装置 Expired - Lifetime JP3137721B2 (ja)

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JPH05259681A JPH05259681A (ja) 1993-10-08
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