JP3129874B2 - 磁気センサ装置 - Google Patents
磁気センサ装置Info
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- JP3129874B2 JP3129874B2 JP05053616A JP5361693A JP3129874B2 JP 3129874 B2 JP3129874 B2 JP 3129874B2 JP 05053616 A JP05053616 A JP 05053616A JP 5361693 A JP5361693 A JP 5361693A JP 3129874 B2 JP3129874 B2 JP 3129874B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はホール素子を用いて磁界
強度を検出する磁気センサに関する。
強度を検出する磁気センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の磁気センサ装置は構造
が簡単で装置を小型化することができることから、電力
計や電力量計用の乗算回路および磁界強度の計測回路な
どとして使用されている。
が簡単で装置を小型化することができることから、電力
計や電力量計用の乗算回路および磁界強度の計測回路な
どとして使用されている。
【０００３】以下、かかる磁気センサ装置について図１
３を参照して説明する。電源１の出力電圧は電圧−電流
変換回路２に入力されて電源１の出力電圧値に正比例す
る大きさの電流に変換され、制御電流としてホール素子
３の電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 に加えられる。ホール素子３は
電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 と直交するように配置された出力端
子Ｔ3 ，Ｔ4 を有し、電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 方向および出
力端子Ｔ3 ，Ｔ4 方向と直交する方向から加えられる磁
界によって発生する磁束密度と電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 間を
流れる制御電流との積に正比例する（１）式で与えられ
る大きさのホール電圧ＶH を出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生
じる。
３を参照して説明する。電源１の出力電圧は電圧−電流
変換回路２に入力されて電源１の出力電圧値に正比例す
る大きさの電流に変換され、制御電流としてホール素子
３の電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 に加えられる。ホール素子３は
電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 と直交するように配置された出力端
子Ｔ3 ，Ｔ4 を有し、電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 方向および出
力端子Ｔ3 ，Ｔ4 方向と直交する方向から加えられる磁
界によって発生する磁束密度と電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 間を
流れる制御電流との積に正比例する（１）式で与えられ
る大きさのホール電圧ＶH を出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生
じる。
【０００４】 ＶH ＝Ｒ・Ｂ・Ｊ （１） ただし、Ｒはホール係数、Ｂは磁束密度、Ｊは電流密度
である。減算回路４は出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じたホ
ール電圧ＶH の同相成分を除去して制御電流と磁束密度
の積に比例する電圧を出力し、この電圧は反転回路５に
おいて極性が反転されて外部へ出力される。
である。減算回路４は出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じたホ
ール電圧ＶH の同相成分を除去して制御電流と磁束密度
の積に比例する電圧を出力し、この電圧は反転回路５に
おいて極性が反転されて外部へ出力される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の磁気センサ装置では、ホール素子３の出力電圧特性の
線形性に関して次のような問題があった。従来の磁気セ
ンサ装置では（１）式のホール係数Ｒが一定であること
を前提にしているが、一般に磁束密度とホール素子３の
出力電圧との関係は磁束密度が小さい領域で非線形であ
ることから、図１４に示すようなホール電圧誤差が生じ
る。したがって、外部より与えられる磁界強度が小さい
場合に検出精度が低下するという問題があった。
の磁気センサ装置では、ホール素子３の出力電圧特性の
線形性に関して次のような問題があった。従来の磁気セ
ンサ装置では（１）式のホール係数Ｒが一定であること
を前提にしているが、一般に磁束密度とホール素子３の
出力電圧との関係は磁束密度が小さい領域で非線形であ
ることから、図１４に示すようなホール電圧誤差が生じ
る。したがって、外部より与えられる磁界強度が小さい
場合に検出精度が低下するという問題があった。
【０００６】本発明はこのような従来の問題を解決する
ためになされたものであり、磁界強度と出力電圧との関
係が非線形な場合においても、高い精度で磁気を検出す
ることができる磁気センサ装置を提供することを目的と
する。
ためになされたものであり、磁界強度と出力電圧との関
係が非線形な場合においても、高い精度で磁気を検出す
ることができる磁気センサ装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の磁気センサ装置では、ホール素子の
出力電圧に基づいて前記ホール素子の磁束密度の変化に
対するホール電圧誤差を打消して補正するための制御電
圧を発生する制御電圧発生手段と、前記ホール素子の一
方の電流端子と一方の電圧端子との間に接続され、前記
制御電圧発生手段の出力電圧を制御入力とする可変抵抗
素子とを備え、ホール素子の磁束密度の変化に対する出
力電圧特性を制御したことを要旨とする。
め、請求項１記載の磁気センサ装置では、ホール素子の
出力電圧に基づいて前記ホール素子の磁束密度の変化に
対するホール電圧誤差を打消して補正するための制御電
圧を発生する制御電圧発生手段と、前記ホール素子の一
方の電流端子と一方の電圧端子との間に接続され、前記
制御電圧発生手段の出力電圧を制御入力とする可変抵抗
素子とを備え、ホール素子の磁束密度の変化に対する出
力電圧特性を制御したことを要旨とする。
【０００８】また、請求項２記載の磁気センサ装置で
は、ホール素子の出力電圧に基づいて前記ホール素子の
ホール電圧誤差を補正するための制御電圧を発生する制
御電圧発生手段と、前記ホール素子の一方の電流端子と
一方の電圧端子との間に接続された第一の可変抵抗素子
と、この可変抵抗素子が接続されている前記電流端子と
この可変抵抗素子が接続されていない方の電圧端子との
間に接続された第二の可変抵抗素子と、前記制御電圧発
生手段の出力電圧を前記第一の可変抵抗素子の制御入力
と前記第二の可変抵抗素子の制御入力とへ相互的に切り
換えて入力するためのスイッチ手段とを備えたことを要
旨とする。
は、ホール素子の出力電圧に基づいて前記ホール素子の
ホール電圧誤差を補正するための制御電圧を発生する制
御電圧発生手段と、前記ホール素子の一方の電流端子と
一方の電圧端子との間に接続された第一の可変抵抗素子
と、この可変抵抗素子が接続されている前記電流端子と
この可変抵抗素子が接続されていない方の電圧端子との
間に接続された第二の可変抵抗素子と、前記制御電圧発
生手段の出力電圧を前記第一の可変抵抗素子の制御入力
と前記第二の可変抵抗素子の制御入力とへ相互的に切り
換えて入力するためのスイッチ手段とを備えたことを要
旨とする。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明はこのような手段を講じた
ことにより、可変抵抗素子を用いてホール素子の一方の
電流端子と一方の出力端子間の抵抗値を変化させること
によって、ホール素子の出力電圧特性を制御することが
できる。可変抵抗素子の抵抗値を制御する電圧は、制御
電圧発生手段によって得られるホール素子の出力電圧の
例えば任意の関数で与えられるホール電圧誤差を補正す
るための電圧値であるから、ホール素子の磁束密度と出
力電圧間の任意の非線形性を補正してホール素子に加え
られる磁束密度の大きさに正しく比例する出力電圧を得
ることができる。
ことにより、可変抵抗素子を用いてホール素子の一方の
電流端子と一方の出力端子間の抵抗値を変化させること
によって、ホール素子の出力電圧特性を制御することが
できる。可変抵抗素子の抵抗値を制御する電圧は、制御
電圧発生手段によって得られるホール素子の出力電圧の
例えば任意の関数で与えられるホール電圧誤差を補正す
るための電圧値であるから、ホール素子の磁束密度と出
力電圧間の任意の非線形性を補正してホール素子に加え
られる磁束密度の大きさに正しく比例する出力電圧を得
ることができる。
【００１０】また、請求項２記載の発明では第二の可変
抵抗素子とスイッチ手段を設けたことにより、出力電圧
誤差の極性の正負に応じて制御入力を第一の可変抵抗素
子へ入力するか、または第二の可変抵抗素子へ入力する
かを切り換えることができるので、正負いずれの方向の
出力電圧誤差も補正することができる。
抵抗素子とスイッチ手段を設けたことにより、出力電圧
誤差の極性の正負に応じて制御入力を第一の可変抵抗素
子へ入力するか、または第二の可変抵抗素子へ入力する
かを切り換えることができるので、正負いずれの方向の
出力電圧誤差も補正することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の磁気センサ装置の一実施例におけ
る構成を示すブロック図である。同図において、図１３
と同一部分には同一符号を付して詳しい説明は省略す
る。従来の装置と異なるところは制御電圧発生手段６と
可変抵抗素子７を新たに設けたことである。制御電圧発
生手段６は整流器６１と平滑回路６２から構成され、反
転回路５の交流出力電圧を平滑化する。可変抵抗素子７
は制御端子Ｃ1 に加えられる制御電圧によって抵抗値を
変えることができる抵抗器であって、制御電圧発生手段
６の出力電圧が制御電圧として入力される。
する。図１は本発明の磁気センサ装置の一実施例におけ
る構成を示すブロック図である。同図において、図１３
と同一部分には同一符号を付して詳しい説明は省略す
る。従来の装置と異なるところは制御電圧発生手段６と
可変抵抗素子７を新たに設けたことである。制御電圧発
生手段６は整流器６１と平滑回路６２から構成され、反
転回路５の交流出力電圧を平滑化する。可変抵抗素子７
は制御端子Ｃ1 に加えられる制御電圧によって抵抗値を
変えることができる抵抗器であって、制御電圧発生手段
６の出力電圧が制御電圧として入力される。
【００１２】次に、以上のように構成された装置の動作
について説明する。電源１からの出力電圧は電圧−電流
変換回路２によって電源１の出力電圧に正比例する大き
さの電流に変換され、ホール素子３の制御電流として電
流端子Ｔ1 に入力される。ホール素子３は電流端子Ｔ
1 ，Ｔ2 と直交するように配置された出力端子Ｔ3 ，Ｔ
4 を有し、電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 方向および出力端子Ｔ
3 ，Ｔ4 方向と直交する方向から加えられる磁界によっ
て発生する磁束密度と電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 間を流れる制
御電流との積に正比例する（１）式で与えられる大きさ
のホール電圧を出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じる。減算回
路４は出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じたホール電圧ＶH の
同相成分を除去して制御電流と磁束密度の積に比例する
電圧を出力し、この電圧は反転回路５において極性が反
転されて外部へ出力される。制御電圧発生手段６は整流
器６１と平滑回路６２から構成され、整流器６１によっ
て整流された電流は平滑回路６２の抵抗器Ｒ5 とコンデ
ンサＣa から成る積分回路によって整流器６１への入力
電圧に比例した直流電圧に変換されて、可変抵抗素子７
の制御電圧Ｖc として制御端子Ｃ1 へ入力される。
について説明する。電源１からの出力電圧は電圧−電流
変換回路２によって電源１の出力電圧に正比例する大き
さの電流に変換され、ホール素子３の制御電流として電
流端子Ｔ1 に入力される。ホール素子３は電流端子Ｔ
1 ，Ｔ2 と直交するように配置された出力端子Ｔ3 ，Ｔ
4 を有し、電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 方向および出力端子Ｔ
3 ，Ｔ4 方向と直交する方向から加えられる磁界によっ
て発生する磁束密度と電流端子Ｔ1 ，Ｔ2 間を流れる制
御電流との積に正比例する（１）式で与えられる大きさ
のホール電圧を出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じる。減算回
路４は出力端子Ｔ3 ，Ｔ4 間に生じたホール電圧ＶH の
同相成分を除去して制御電流と磁束密度の積に比例する
電圧を出力し、この電圧は反転回路５において極性が反
転されて外部へ出力される。制御電圧発生手段６は整流
器６１と平滑回路６２から構成され、整流器６１によっ
て整流された電流は平滑回路６２の抵抗器Ｒ5 とコンデ
ンサＣa から成る積分回路によって整流器６１への入力
電圧に比例した直流電圧に変換されて、可変抵抗素子７
の制御電圧Ｖc として制御端子Ｃ1 へ入力される。
【００１３】次に、各部の波形を示す図５を参照して磁
束密度と制御電圧の関係について説明する。同図ａ１は
ホール素子３に加えられる交流磁界による磁束密度Ｂの
変動波形、同図ｂ２はホール効果によって発生したホー
ル電圧波形、同図ｃ１は整流器６１の２次側の電圧波
形、同図ｄ１は制御電圧発生手段６の出力電圧であり、
可変抵抗素子７の制御電圧Ｖc として可変抵抗素子７に
入力される電圧である。また、同図ａ２，ｂ２，ｃ２，
ｄ２はホール素子３の磁束密度Ｂが同図ａ１，ｂ１，ｃ
１，ｄ１の場合よりも大きい場合のそれぞれ対応する同
一箇所の各部の波形である。この様に、本実施例では磁
束密度Ｂの大きさに比例する制御電圧Ｖcが得られる。
可変抵抗素子７は制御端子Ｃ1 に加えられる制御電圧Ｖ
c の大きさによってその抵抗値が変化する性質をもつ素
子であって、ＦＥＴ，Ｃｄｓフォトカプラなどを用いて
構成することができる。
束密度と制御電圧の関係について説明する。同図ａ１は
ホール素子３に加えられる交流磁界による磁束密度Ｂの
変動波形、同図ｂ２はホール効果によって発生したホー
ル電圧波形、同図ｃ１は整流器６１の２次側の電圧波
形、同図ｄ１は制御電圧発生手段６の出力電圧であり、
可変抵抗素子７の制御電圧Ｖc として可変抵抗素子７に
入力される電圧である。また、同図ａ２，ｂ２，ｃ２，
ｄ２はホール素子３の磁束密度Ｂが同図ａ１，ｂ１，ｃ
１，ｄ１の場合よりも大きい場合のそれぞれ対応する同
一箇所の各部の波形である。この様に、本実施例では磁
束密度Ｂの大きさに比例する制御電圧Ｖcが得られる。
可変抵抗素子７は制御端子Ｃ1 に加えられる制御電圧Ｖ
c の大きさによってその抵抗値が変化する性質をもつ素
子であって、ＦＥＴ，Ｃｄｓフォトカプラなどを用いて
構成することができる。
【００１４】図６はホール素子３の電流端子Ｔ3 と出力
端子Ｔ4 間に接続された可変抵抗素子７の抵抗値Ｒc と
ホール電圧誤差との関係が、抵抗値Ｒc の増加とともに
ホール電圧誤差が大きくなることを示している。一方、
可変抵抗素子７は図７に示すように制御電圧Ｖc にほぼ
反比例してその抵抗値Ｒc が小さくなるので、制御電圧
Ｖc とホール電圧誤差との関係は図８のようになる。し
たがって、磁束密度が小さくホール素子３の出力電圧が
低い場合は制御電圧発生手段６の出力電圧、すなわち可
変抵抗素子７の制御電圧Ｖc が低いので、図８の正側に
発生するホール電圧誤差と図１４の実線で示す負側に発
生するホール電圧誤差とが相互に打ち消して、図９のよ
うに磁束密度の変動に対してホール電圧誤差が小さくな
る。
端子Ｔ4 間に接続された可変抵抗素子７の抵抗値Ｒc と
ホール電圧誤差との関係が、抵抗値Ｒc の増加とともに
ホール電圧誤差が大きくなることを示している。一方、
可変抵抗素子７は図７に示すように制御電圧Ｖc にほぼ
反比例してその抵抗値Ｒc が小さくなるので、制御電圧
Ｖc とホール電圧誤差との関係は図８のようになる。し
たがって、磁束密度が小さくホール素子３の出力電圧が
低い場合は制御電圧発生手段６の出力電圧、すなわち可
変抵抗素子７の制御電圧Ｖc が低いので、図８の正側に
発生するホール電圧誤差と図１４の実線で示す負側に発
生するホール電圧誤差とが相互に打ち消して、図９のよ
うに磁束密度の変動に対してホール電圧誤差が小さくな
る。
【００１５】したがって、以上のような実施例の構成に
よれば、磁束密度が小さい場合のホール電圧誤差を制御
電圧発生手段６のフィードバック効果によって補償する
ことができるので、高精度の磁気検出をすることができ
る。
よれば、磁束密度が小さい場合のホール電圧誤差を制御
電圧発生手段６のフィードバック効果によって補償する
ことができるので、高精度の磁気検出をすることができ
る。
【００１６】図２は本発明の他の実施例を示すものであ
り、出力端子Ｔ4 に接続されている第一の可変抵抗素子
７に加えてこれと対称位置の出力端子Ｔ3 に第二の可変
抵抗素子８を接続し、それぞれの制御端子Ｃ1 ，Ｃ2 は
スイッチ手段９の接点９１，９２を介して制御電圧発生
手段６の出力電圧が供給されるように構成されている。
接点９１，９２は相互的に切り換えられるものであっ
て、接点９１が閉じるときは接点９２が開き、逆に接点
９１が開くときは接点９２が閉じるように動作する。し
たがって、制御電圧Ｖc はスイッチ手段９によって第一
の可変抵抗素子７または第二の可変抵抗素子８のいずれ
か一方にのみ供給されることになる。先の実施例では磁
束密度Ｂによるホール電圧誤差が図１４の実線で示す負
側に発生する場合について説明したが、本実施例では同
図の破線で示す正側にホール電圧誤差が発生する場合、
スイッチ手段９の接点９１を開き、接点９２を閉じるこ
とによって同様にホール電圧誤差を補償することができ
る。
り、出力端子Ｔ4 に接続されている第一の可変抵抗素子
７に加えてこれと対称位置の出力端子Ｔ3 に第二の可変
抵抗素子８を接続し、それぞれの制御端子Ｃ1 ，Ｃ2 は
スイッチ手段９の接点９１，９２を介して制御電圧発生
手段６の出力電圧が供給されるように構成されている。
接点９１，９２は相互的に切り換えられるものであっ
て、接点９１が閉じるときは接点９２が開き、逆に接点
９１が開くときは接点９２が閉じるように動作する。し
たがって、制御電圧Ｖc はスイッチ手段９によって第一
の可変抵抗素子７または第二の可変抵抗素子８のいずれ
か一方にのみ供給されることになる。先の実施例では磁
束密度Ｂによるホール電圧誤差が図１４の実線で示す負
側に発生する場合について説明したが、本実施例では同
図の破線で示す正側にホール電圧誤差が発生する場合、
スイッチ手段９の接点９１を開き、接点９２を閉じるこ
とによって同様にホール電圧誤差を補償することができ
る。
【００１７】したがって、以上のような実施例の構成に
よれば、ホール電圧誤差が正負いずれの側に発生しても
誤差を補償することができる。図３は図２の実施例にお
いて、制御電圧発生手段６に対数増幅回路６３を追加す
ることによりホール電圧と制御電圧Ｖc との関係に対数
特性をもたせた場合の実施例である。制御電圧発生手段
６に対数特性をもたせたことにより、ホール電圧ＶH と
制御電圧Ｖc との関係は図１０に示した非線形性が与え
られる。これは図６の制御抵抗Ｒc とホール電圧誤差と
の非線形関係を補正するので、制御電圧Ｖc とホール電
圧誤差との関係が図１１のように線形に近い関係にな
り、磁束密度Ｂの変動に対してホール電圧誤差を図９の
場合よりもさらに減少させることができる。磁束密度と
ホール電圧誤差との関係が非線形な場合には、この非線
形性を補償するように制御電圧発生手段６の関数型を設
定することによって高精度の磁気検出を実現することが
できる。
よれば、ホール電圧誤差が正負いずれの側に発生しても
誤差を補償することができる。図３は図２の実施例にお
いて、制御電圧発生手段６に対数増幅回路６３を追加す
ることによりホール電圧と制御電圧Ｖc との関係に対数
特性をもたせた場合の実施例である。制御電圧発生手段
６に対数特性をもたせたことにより、ホール電圧ＶH と
制御電圧Ｖc との関係は図１０に示した非線形性が与え
られる。これは図６の制御抵抗Ｒc とホール電圧誤差と
の非線形関係を補正するので、制御電圧Ｖc とホール電
圧誤差との関係が図１１のように線形に近い関係にな
り、磁束密度Ｂの変動に対してホール電圧誤差を図９の
場合よりもさらに減少させることができる。磁束密度と
ホール電圧誤差との関係が非線形な場合には、この非線
形性を補償するように制御電圧発生手段６の関数型を設
定することによって高精度の磁気検出を実現することが
できる。
【００１８】また、制御電圧発生手段６をディジタル回
路を用いて構成することにより、容易に任意の関数特性
を与えることができるので、なお一層の高精度を達成す
ることができる。なお、図４はホール素子３内に可変抵
抗素子７を組み込んでホール電圧ＶH の制御を行えるよ
うにした実施例であって、素子の数を減らすことができ
る。
路を用いて構成することにより、容易に任意の関数特性
を与えることができるので、なお一層の高精度を達成す
ることができる。なお、図４はホール素子３内に可変抵
抗素子７を組み込んでホール電圧ＶH の制御を行えるよ
うにした実施例であって、素子の数を減らすことができ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、磁束密度が小さい場合に発生するホール電圧
誤差を制御電圧発生手段のフィードバック効果によって
補償することができる。しかも、磁束密度とホール電圧
誤差との関係が非線形な場合には、この非線形性を補償
するように制御電圧発生手段の関数型を設定することが
できるので、高精度の磁気検出を実現することができ
る。また、請求項２記載の発明によれば、ホール電圧誤
差が正負いずれの側に発生しても誤差を補償することが
できる。
によれば、磁束密度が小さい場合に発生するホール電圧
誤差を制御電圧発生手段のフィードバック効果によって
補償することができる。しかも、磁束密度とホール電圧
誤差との関係が非線形な場合には、この非線形性を補償
するように制御電圧発生手段の関数型を設定することが
できるので、高精度の磁気検出を実現することができ
る。また、請求項２記載の発明によれば、ホール電圧誤
差が正負いずれの側に発生しても誤差を補償することが
できる。
【図１】本発明の請求項１の一実施例におけるブロック
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の請求項２の一実施例におけるブロック
構成図である。
構成図である。
【図３】本発明の他の実施例におけるブロック構成図で
ある。
ある。
【図４】本発明の他の実施例におけるブロック構成図で
ある。
ある。
【図５】各部の波形を示す説明図である。
【図６】制御抵抗値Ｒc とホール電圧誤差の関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図７】制御電圧Ｖc と制御抵抗値Ｒc の関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図８】制御電圧Ｖc とホール電圧誤差の関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図９】磁束密度Ｂとホール電圧誤差の関係を示すグラ
フである。
フである。
【図１０】ホール電圧ＶH と制御電圧Ｖc の関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図１１】制御電圧Ｖc とホール電圧誤差の関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図１２】磁束密度Ｂとホール電圧誤差の関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図１３】従来例のブロック構成図である。
【図１４】磁束密度Ｂとホール電圧誤差の関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
１ 電源 ２ 電圧−電流変換回路 ３ ホール素子 ４ 減算回路 ５ 反転回路 ６ 制御電圧発生手段 ７，８ 可変抵抗素子 ９ スイッチ手段
Claims (3)
- 【請求項１】 ホール素子を用いて磁界強度を検出する
磁気センサ装置において、ホール素子の出力電圧に基づ
いて前記ホール素子の磁束密度の変化に対するホール電
圧誤差を打消して補正するための制御電圧を発生する制
御電圧発生手段と、前記ホール素子の一方の電流端子と
一方の電圧端子との間に接続され、前記制御電圧発生手
段の出力電圧を制御入力とする可変抵抗素子とを備え、
ホール素子の磁束密度の変化に対する出力電圧特性を制
御したことを特徴とする磁気センサ装置。 - 【請求項２】 ホール素子を用いて磁界強度を検出する
磁気センサ装置において、ホール素子の出力電圧に基づ
いて前記ホール素子のホール電圧誤差を補正するための
制御電圧を発生する制御電圧発生手段と、前記ホール素
子の一方の電流端子と一方の電圧端子との間に接続され
た第一の可変抵抗素子と、この可変抵抗素子が接続され
ている前記電流端子とこの可変抵抗素子が接続されてい
ない方の電圧端子との間に接続された第二の可変抵抗素
子と、前記制御電圧発生手段の出力電圧を前記第一の可
変抵抗素子の制御入力と前記第二の可変抵抗素子の制御
入力とへ相互的に切り換えて入力するためのスイッチ手
段とを備えたことを特徴とする磁気センサ装置。 - 【請求項３】 前記制御電圧発生手段は、ホール素子の
出力電圧の関数である制御電圧を発生することを特徴と
する請求項１または２記載の磁気センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05053616A JP3129874B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 磁気センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05053616A JP3129874B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 磁気センサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06265613A JPH06265613A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3129874B2 true JP3129874B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=12947844
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