JP3129294B2 - Active matrix liquid crystal display - Google Patents
Active matrix liquid crystal displayInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、横電界駆動方式を用いたアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置に関する。The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display device using a lateral electric field driving method.
【0002】[0002]
【従来の技術】薄膜電界効果型トランジスタ(以下、T
FTと記す)を画素のスイッチング素子として用いるア
クティブマトリクス型液晶表示装置は、高品位の画質を
有し、携帯型コンピュータの表示デバイス、あるいは最
近では省スペースのデスクトップコンピュータのモニタ
ーとして幅広く用いられている。2. Description of the Related Art Thin-film field-effect transistors (hereinafter referred to as T
An active matrix type liquid crystal display device using FT as a pixel switching element has a high quality image quality and is widely used as a display device of a portable computer or a monitor of a space-saving desktop computer in recent years. .
【0003】近年、液晶表示装置の高画質化を目的とし
て、視野角特性を向上させるために、横方向電界を利用
した表示方法が、特開平09−329813号公報にお
いて提案されている。従来の横方向電界のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置について、図4乃至図6を参照
して説明する。図4は、従来の横方向電界のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の構造を説明するための図で
あり、図4(a)は一画素の平面図、図4(b)は
(a)のB−B’線における断面図である。また、図5
は、電荷の流れを模式的に示す断面図であり、図6は、
従来の横方向電界のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の等価回路を示す図である。In recent years, a display method using a horizontal electric field has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-329813 in order to improve the viewing angle characteristics for the purpose of improving the image quality of a liquid crystal display device. A conventional lateral electric field active matrix type liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 4A and 4B are diagrams for explaining the structure of a conventional lateral electric field active matrix liquid crystal display device. FIG. 4A is a plan view of one pixel, and FIG. It is sectional drawing in the -B 'line. FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the flow of electric charges, and FIG.
FIG. 9 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional lateral electric field active matrix liquid crystal display device.
【0004】この方法は、TFTを形成する第1の透明
絶縁性基板18上に互いに平行に画素電極2と対向電極
1を形成し、これらの間に電圧を印加して、基板面に平
行な電界を形成することにより、液晶の異方軸(ダイレ
クタ)の向きを変化させ、これによって透過光量を制御
するものである。この方式では、ダイレクタが基板面内
で回転するので、非常に広い視角から見て、階調反転の
ない良好な画像を得ることができる。In this method, a pixel electrode 2 and a counter electrode 1 are formed in parallel with each other on a first transparent insulating substrate 18 on which a TFT is to be formed, and a voltage is applied between them to apply a voltage parallel to the substrate surface. By forming an electric field, the direction of the anisotropic axis (director) of the liquid crystal is changed, thereby controlling the amount of transmitted light. In this method, since the director rotates in the plane of the substrate, a good image without gradation inversion can be obtained from a very wide viewing angle.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
横方向電界のアクティブマトリクス型液晶表示装置で
は、横方向に電界を印加するので、TFTを形成する第
1の透明絶縁性基板18に対向し、通常カラーフィルタ
ーを形成する第2の基板の液晶層側に透明電極が存在し
ない。従って、第2の透明絶縁性基板9の液晶層17側
に形成されるカラーフィルター(以下、CFと略す
る。)の色層12、ブラックマトリクス10が電気的に
遮蔽されていない。However, in the conventional active-matrix liquid crystal display device of a horizontal electric field, an electric field is applied in the horizontal direction, so that it faces the first transparent insulating substrate 18 on which the TFT is formed. Usually, there is no transparent electrode on the liquid crystal layer side of the second substrate forming the color filter. Therefore, the color layer 12 and the black matrix 10 of the color filter (hereinafter abbreviated as CF) formed on the liquid crystal layer 17 side of the second transparent insulating substrate 9 are not electrically shielded.
【0006】このため、アクティブマトリクス液晶表示
パネル内部に印加される様々な電位の影響を受けて、ブ
ラックマトリクス10の電位が変動を受け、共通電位と
は異なる電位となるため、図5のように、ブラックマト
リクス10の次に抵抗の低い色層12を介して表示部位
に電流が流れ、抵抗の低いブラックマトリクス10から
色層12に向かって図6のような等価回路が形成され、
これにより各画素の表示領域の色層12に電荷の蓄積が
生じ、残像を引き起こす要因となる。For this reason, the potential of the black matrix 10 is fluctuated under the influence of various potentials applied inside the active matrix liquid crystal display panel and becomes a potential different from the common potential, as shown in FIG. A current flows to the display portion via the color layer 12 having the next lower resistance after the black matrix 10, and an equivalent circuit as shown in FIG. 6 is formed from the black matrix 10 having the lower resistance toward the color layer 12.
As a result, charges are accumulated in the color layer 12 in the display area of each pixel, which causes a residual image.
【0007】このような現象を防ぐ一つの方法として
は、特開平10−073810号公報に提案されている
ように、ブラックマトリクス自体を非常に高抵抗化する
ことによりブラックマトリクスから色層への電流を抑止
する方法が考えられる。しかし、この方法では、ブラッ
クマトリクス材料が限定され、単位膜厚あたりの光吸収
率を大きくすることが困難であること、および対向する
TFT基板側の電位のかたよりの影響をそのまま受ける
ので、ブラックマトリクスの電位が表示パネル面内で変
化し、これが表示ムラとして表れてしまうため、これら
の電位の平均化に配慮する必要があり、設計が複雑化し
てしまうという問題がある。As one method for preventing such a phenomenon, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-073810, the current from the black matrix to the color layer is increased by increasing the resistance of the black matrix itself. Can be considered. However, in this method, the black matrix material is limited, and it is difficult to increase the light absorptance per unit film thickness. Further, the black matrix material is directly affected by the potential of the opposing TFT substrate side. Changes in the display panel surface, and this appears as display unevenness. Therefore, it is necessary to consider the averaging of these potentials, and there is a problem that the design becomes complicated.
【0008】また別の方法として、特開平9−2695
04号公報で提案されているように、ブラックマトリク
ス材料を低抵抗とし、これを共通電極と等電位に保つ方
法も考えられる。しかし、この方法では、ブラックマト
リクスを周囲において露出させる必要があるため、カラ
ーフィルターの作製プロセスが複雑化するという問題点
がある。Another method is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-2695.
As proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 04-2004, a method is also conceivable in which the black matrix material has a low resistance and is kept at the same potential as the common electrode. However, in this method, it is necessary to expose the black matrix in the surroundings, so that there is a problem that the process of manufacturing the color filter is complicated.
【0009】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、TFT基板側での配線
構造等のマージンを十分に確保し、カラーフィルターの
作製プロセスを複雑化せずに、残像の少ない良好な横電
界駆動型のアクティブマトリクス液晶表示装置を提供す
るものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to secure a sufficient margin such as a wiring structure on a TFT substrate side and to complicate a process of manufacturing a color filter. Instead, it is intended to provide a good horizontal electric field drive type active matrix liquid crystal display device with little afterimage.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置は、2
枚の対向する透明絶縁性基板を有し、第1の基板上に
は、複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線と
前記信号線の各交点近傍に設けた薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画
素電極と相対するように設けられた対向電極とを配設
し、第2の基板上には、前記画素電極に対向する領域に
開口を設けたブラックマトリクスと、RGBの3色に対
応する3種類の色層と、を有し、前記画素電極と前記対
向電極との間に印加した電圧で液晶層に略平行な電界を
発生させることにより、前記2枚の対向する基板の間に
挟持された液晶を制御する横方向電界駆動型のアクティ
ブマトリクス液晶表示装置において、前記3種類の色層
のうち、少なくとも1種類以上の色層と、前記ブラック
マトリクスとの間に、前記色層と前記ブラックマトリク
スとの間の電荷の流れを遮断する程度に膜厚及び比抵抗
を設定した所定の絶縁膜が配設されているものである。
なお、前記所定の絶縁膜が、0.5μm以上の膜厚で、
1012Ωcm以上の比抵抗を有することが好ましい。In order to achieve the above-mentioned object, an active matrix liquid crystal display device according to the present invention comprises:
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines, and a thin film transistor provided near each intersection of the scanning lines and the signal lines on the first substrate;
A pixel electrode connected to the thin film transistor, and a counter electrode provided so as to face the pixel electrode; and a black substrate having an opening in a region facing the pixel electrode on a second substrate. A matrix, and three types of color layers corresponding to three colors of RGB, and by generating an electric field substantially parallel to the liquid crystal layer with a voltage applied between the pixel electrode and the counter electrode, In a lateral electric field driving type active matrix liquid crystal display device for controlling liquid crystal sandwiched between two opposing substrates, at least one or more of the three types of color layers is provided. And the black matrix, between the color layer and the black matrix.
Thickness and specific resistance to the extent that the flow of charge between
A predetermined insulating film in which is set is provided.
The predetermined insulating film has a thickness of 0.5 μm or more,
It preferably has a specific resistance of 10 12 Ωcm or more.
【0011】また、本発明は、2枚の対向する透明絶縁
性基板を有し、第1の基板上には、複数の走査線および
複数の信号線と、前記走査線と前記信号線の各交点近傍
に設けた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに
接続された画素電極と、前記画素電極と相対するように
設けられた対向電極とを配設し、第2の基板上には、前
記画素電極に対向する領域に開口を設けたブラックマト
リクスと、RGBの3色に対応する3種類の色層と、を
有し、前記画素電極と前記対向電極との間に印加した電
圧で液晶層に略平行な電界を発生させることにより、前
記2枚の対向する基板の間に挟持された液晶を制御する
横方向電界駆動型のアクティブマトリクス液晶表示装置
において、前記3種類の色層のうち、少なくとも複数の
色層の各々と、前記ブラックマトリクスとの間に、前記
色層と前記ブラックマトリクスとの間の電荷の流れを遮
断する程度に膜厚及び比抵抗を設定した絶縁膜であって
膜厚の異なる所定の絶縁膜を配設することにより、前記
3種類の色層に対応する前記液晶層の厚さが異なる所定
の厚さに設定されるものである。なお、前記3種類の色
層に対応する各々の前記液晶層の厚さが、前記色層を透
過する各々の光の波長に略比例するように、前記所定の
絶縁膜の膜厚が設定されることが好ましい。Further, the present invention has two opposing transparent insulating substrates, and on a first substrate, a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines, and each of the scanning lines and the signal lines. A thin film transistor provided in the vicinity of the intersection, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a counter electrode provided so as to face the pixel electrode; A black matrix having an opening in a region to be formed, and three types of color layers corresponding to three colors of RGB, and a voltage substantially parallel to the liquid crystal layer by a voltage applied between the pixel electrode and the counter electrode. By controlling the liquid crystal sandwiched between the two opposing substrates by generating an electric field.
In a lateral electric field driving type active matrix liquid crystal display device, of the three kinds of color layers, and each of at least a plurality of color layers, between the black matrix, wherein
Blocks the flow of charge between the color layer and the black matrix.
The thickness of the liquid crystal layer corresponding to the three types of color layers can be increased by disposing predetermined insulating films having different thicknesses and film thicknesses and specific resistances so that the liquid crystal layers correspond to the three color layers. Are set to different predetermined thicknesses. The thickness of the predetermined insulating film is set such that the thickness of each of the liquid crystal layers corresponding to the three types of color layers is substantially proportional to the wavelength of each light transmitted through the color layers. Preferably.
【0012】本発明においては、前記ブラックマトリク
スの比抵抗が106Ωcm以下であり、前記ブラックマ
トリクスとの間に前記所定の絶縁膜が配設される前記色
層の比抵抗が1010Ωcm以下であることが好ましく、
前記絶縁膜は樹脂膜又は無機絶縁膜により構成されるも
のとすることもできる。In the present invention, the specific resistance of the black matrix is 10 6 Ωcm or less, and the specific resistance of the color layer, on which the predetermined insulating film is provided, is 10 10 Ωcm or less. Is preferably
The insulating film may be made of a resin film or an inorganic insulating film.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】本発明に係るアクティブマトリク
ス液晶表示装置は、その好ましい一実施の形態におい
て、2枚の対向する透明絶縁性基板を有し、第1の基板
(図1(b)の18)上には、走査線と、信号線と、薄
膜トランジスタと、画素電極と、対向電極とを有し、第
2の基板(図1(b)の9)上には、前記画素電極に対
向する領域に開口を設けたブラックマトリクス(図1
(b)の7)と、RGBの3つの色層(図1(b)の1
2)と、を有し、液晶層に略平行な電界で、前記2枚の
対向する基板の間に挟持された液晶を制御するアクティ
ブマトリクス液晶表示装置において、前記3つの色層の
うち、少なくとも1以上の色層と、ブラックマトリクス
との間に、所定の膜厚及び比抵抗を有する透明絶縁膜
(図1(b)の11)が配設される。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In a preferred embodiment, an active matrix liquid crystal display device according to the present invention has two opposing transparent insulating substrates and a first substrate (see FIG. 1B). 18) has a scanning line, a signal line, a thin film transistor, a pixel electrode, and an opposing electrode on the upper surface, and opposes the pixel electrode on a second substrate (9 in FIG. 1B). Black matrix having an opening in the region
7) of (b) and three color layers of RGB (1 in FIG. 1 (b)).
And 2) controlling the liquid crystal sandwiched between the two opposing substrates with an electric field substantially parallel to the liquid crystal layer, wherein at least one of the three color layers A transparent insulating film (11 in FIG. 1B) having a predetermined thickness and specific resistance is disposed between one or more color layers and the black matrix.
【0014】[0014]
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;
【0015】[実施例1]本発明の第1の実施例に係る
アクティブマトリクス液晶表示装置について、図1を参
照して説明する。図1は、アクティブマトリクス液晶表
示装置の構造を説明するための図であり、図1(a)
は、1画素の平面図であり、図1(b)は、図1(a)
のA−A’線における断面図である。Embodiment 1 An active matrix liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram for explaining the structure of an active matrix liquid crystal display device, and FIG.
FIG. 1B is a plan view of one pixel, and FIG.
3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.
【0016】まず、TFT基板の製造方法について説明
する。TFT側基板上に、走査線3、対向電極配線4、
および対向電極1となる金属層として、Cr膜を250
nm程度の膜厚で堆積し、これをパタン化する。この上
に、ゲート絶縁膜として窒化シリコン膜を400nm程
度、非晶質シリコン膜を300nm程度、n型非晶質シ
リコン膜を30nm程度、連続して堆積し、非晶質シリ
コン膜およびn型非晶質シリコン膜を島状非晶質シリコ
ン6の形状にパタン化する。次に、信号線5および画素
電極2となる金属層として、Cr膜を250nm程度堆
積し、これをパタン化する。さらに、保護絶縁膜15と
して、窒化シリコン膜を200nm程度堆積し、走査線
取り出し端子および信号線取り出し端子のところでこれ
を除去する。First, a method for manufacturing a TFT substrate will be described. On the TFT side substrate, a scanning line 3, a counter electrode wiring 4,
And a Cr film of 250 as a metal layer to be the counter electrode 1.
It is deposited with a thickness of about nm, and is patterned. A silicon nitride film of about 400 nm, an amorphous silicon film of about 300 nm, and an n-type amorphous silicon film of about 30 nm are successively deposited thereon as a gate insulating film. The crystalline silicon film is patterned into the shape of the island-shaped amorphous silicon 6. Next, a Cr film is deposited as a metal layer to be the signal line 5 and the pixel electrode 2 to a thickness of about 250 nm, and is patterned. Further, a silicon nitride film having a thickness of about 200 nm is deposited as the protective insulating film 15 and is removed at the scanning line extraction terminal and the signal line extraction terminal.
【0017】次に、CF基板の製造方法について説明す
る。CF側の第2の透明絶縁性基板9上に、カーボン粒
子を含有させた樹脂組成物を1.3μm程度堆積し、T
FT側の信号線、走査線、およびこれらの近傍を遮光す
る位置に、図1(a)の7で示したエッジの内側を開口
するようにパターニングする。このようにして形成され
たブラックマトリクスの体積抵抗率は103〜105Ωc
mである。さらにこの上に、透明なアクリル樹脂を膜厚
1.0μm以上の厚さで全面に成膜する。このアクリル
樹脂としては、例えば、比抵抗が1014Ωcm以上で透
明度の高いものを用いる。Next, a method of manufacturing a CF substrate will be described. A resin composition containing carbon particles is deposited to a thickness of about 1.3 μm on the second transparent insulating substrate 9 on the CF side,
Patterning is performed so as to open the inside of the edge indicated by 7 in FIG. 1A at a position where the signal lines and scanning lines on the FT side and the vicinity thereof are shielded from light. The volume resistivity of the black matrix thus formed is 10 3 to 10 5 Ωc.
m. Further, a transparent acrylic resin is formed on the entire surface to a thickness of 1.0 μm or more. As the acrylic resin, for example, a resin having a specific resistance of 10 14 Ωcm or more and high transparency is used.
【0018】さらにこの上に、RGBそれぞれの色層を
1.2μm程度の厚さで形成し、これをパタン化する。
この時、RGB各々の色層の比抵抗は、Rが1010〜1
012Ωcm、Gが109〜1011Ωcm、Bが108〜1
010Ωcmである。次に、オーバーコート層として、再
び透明なアクリル樹脂を膜厚1.0μm程度で形成す
る。Further, color layers for each of RGB are formed with a thickness of about 1.2 μm on this, and are patterned.
At this time, the resistivity of the respective RGB color layer, R 10 10-1
0 12 Ωcm, G is 10 9 to 10 11 Ωcm, B is 10 8 to 1
0 10 Ωcm. Next, a transparent acrylic resin is again formed as an overcoat layer with a thickness of about 1.0 μm.
【0019】上述の工程により作製されたTFT基板お
よびCF基板の上に、配向膜14を塗布し、画素電極の
長手方向と15度の角度をなす方向にラビング処理す
る。そして、シール材を塗布しスペーサを散布した後、
両者を貼り合わせ、これに液晶を注入して、封止する。
ここで、液晶層のセルギャップは4.5μmとし、注入
する液晶の屈折率異方性Δnは0.070である。偏光
板の偏光軸は、ラビング方向に平行に、また、TFT側
偏光板の偏光軸は、これと垂直な方向に設定する。An alignment film 14 is applied on the TFT substrate and the CF substrate manufactured by the above-described steps, and rubbed in a direction at an angle of 15 degrees with the longitudinal direction of the pixel electrode. And after applying the sealing material and spraying the spacer,
Both are pasted together, and liquid crystal is injected into this and sealed.
Here, the cell gap of the liquid crystal layer is 4.5 μm, and the refractive index anisotropy Δn of the injected liquid crystal is 0.070. The polarizing axis of the polarizing plate is set in parallel with the rubbing direction, and the polarizing axis of the TFT-side polarizing plate is set in a direction perpendicular to the rubbing direction.
【0020】次に、このようにして作製したアクティブ
マトリクス液晶表示装置の構造について説明すると、第
1の透明絶縁性基板18上には、信号線5、走査線3、
これらの交差部に配置された薄膜トランジスタ、および
これに接続された画素電極2、対向電極配線4、および
これに接続された対向電極1が配置される。画素電極2
および対向電極1は、信号線5に平行な方向に長手方向
を有し、両者の間に電位差を与えることにより、これと
垂直の方向に基板にほぼ平行な電界を印加することがで
きる。Next, the structure of the active matrix liquid crystal display device thus manufactured will be described. The signal lines 5, the scanning lines 3, and the
The thin film transistor arranged at these intersections, the pixel electrode 2 connected thereto, the counter electrode wiring 4, and the counter electrode 1 connected thereto are arranged. Pixel electrode 2
The counter electrode 1 has a longitudinal direction in a direction parallel to the signal line 5, and by applying a potential difference between the two, an electric field substantially parallel to the substrate can be applied in a direction perpendicular to the longitudinal direction.
【0021】第2の透明絶縁性基板9上には、バスライ
ン上およびバスラインと表示部との間を遮光するために
設けるブラックマトリクス10、カラー表示を行うため
に設ける色層12、さらに色層12を覆うようにオーバ
ーコート層13が形成され、さらに色層12の下には全
面に均一に透明絶縁膜11が1μm以上の厚さで形成さ
れている。On the second transparent insulating substrate 9, a black matrix 10 provided to shield light from the bus lines and between the bus lines and the display unit, a color layer 12 provided to perform color display, and a color layer An overcoat layer 13 is formed so as to cover the layer 12, and a transparent insulating film 11 having a thickness of 1 μm or more is uniformly formed on the entire surface under the color layer 12.
【0022】ブラックマトリクス10はカーボン粒子を
含有させた樹脂で形成され、その比抵抗は103〜105
Ωcmである。R(赤)、G(緑)、B(青)各色層の
うち、少なくとも一つの色層は1010Ωcm以下であ
る。通常、特に青の色層に含まれる顔料はある程度の導
電性を有するため、比抵抗が1010Ωcm以下となるこ
とが多い。オーバーコート層13および透明絶縁膜11
の比抵抗は1012Ωcm以上となるようにした。The black matrix 10 is formed of a resin containing carbon particles and has a specific resistance of 10 3 to 10 5.
Ωcm. At least one of the R (red), G (green), and B (blue) color layers has a resistivity of 10 10 Ωcm or less. Usually, particularly, the pigment contained in the blue color layer has a certain degree of conductivity, so that the specific resistance is often 10 10 Ωcm or less. Overcoat layer 13 and transparent insulating film 11
Was made to be 10 12 Ωcm or more.
【0023】両基板の表面には、配向膜14が塗布さ
れ、両基板の間には液晶層17が配置される。液晶層1
7は、画素電極2の長手方向に対して5度から40度の
範囲の角度をなす方向にホモジニアス配向させている。
両基板の外側には、偏光板8が貼付され、両偏光板8の
偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸は液晶の配向方向
に平行に設定される。全ての対向電極1には、対向電極
配線4を通じて一定の共通電位が供給されており、薄膜
トランジスタを介して画素電極2に電位を書き込み、横
電界を与えることにより液晶をツイスト変形させ、表示
を制御する。An alignment film 14 is applied on the surfaces of both substrates, and a liquid crystal layer 17 is disposed between the substrates. Liquid crystal layer 1
Numeral 7 is homogeneously oriented in a direction forming an angle in a range of 5 degrees to 40 degrees with respect to the longitudinal direction of the pixel electrode 2.
Polarizing plates 8 are attached to the outside of both substrates, the polarizing axes of both polarizing plates 8 are orthogonal to each other, and one of the polarizing axes is set parallel to the orientation direction of the liquid crystal. A constant common potential is supplied to all the counter electrodes 1 through the counter electrode wiring 4, and a potential is written to the pixel electrode 2 via a thin film transistor, and a liquid crystal is twist-deformed by applying a lateral electric field to control display. I do.
【0024】ブラックマトリクス10は、走査線3およ
び信号線5などと容量結合する結果、これらの電位の影
響を受け、共通電位とは異なる電位となる。通常、画素
電極2の電位の時間平均は共通電位とほぼ等しくなるの
で、対向電極1と画素電極2とにより液晶に横電界を印
加する領域では、対向基板側においても電位の時間平均
が、共通電位に等しくなろうとする。これに対して、ブ
ラックマトリクス10は共通電位と異なる電位となるの
で、ブラックマトリクス10と色層12の間には電位差
が生ずる。The black matrix 10 is capacitively coupled to the scanning lines 3 and the signal lines 5 and the like, and is thus affected by these potentials and has a potential different from the common potential. Normally, the time average of the potential of the pixel electrode 2 is substantially equal to the common potential. Therefore, in a region where a horizontal electric field is applied to the liquid crystal by the counter electrode 1 and the pixel electrode 2, the time average of the potential is common even on the counter substrate side. Try to be equal to the potential. On the other hand, since the black matrix 10 has a potential different from the common potential, a potential difference occurs between the black matrix 10 and the color layer 12.
【0025】図4に示す従来構造のアクティブマトリク
ス液晶表示装置の場合、色層12とブラックマトリクス
10との間に透明絶縁膜11が存在せず、両者は直接接
触する。通常、RGB各色層12のうちの一つは比抵抗
が1010Ωcm以下であるので、抵抗の低いブラックマ
トリクス10から色層12に向かって図6のような等価
回路が形成され、これにより各画素の表示領域の色層1
2に電荷の蓄積を生じて表示部の透過率が変化を受け、
残像を引き起こす。In the case of the active matrix liquid crystal display device having the conventional structure shown in FIG. 4, the transparent insulating film 11 does not exist between the color layer 12 and the black matrix 10, and they are in direct contact with each other. Normally, one of the RGB color layers 12 has a specific resistance of 10 10 Ωcm or less. Therefore, an equivalent circuit as shown in FIG. 6 is formed from the black matrix 10 having a low resistance toward the color layer 12. Color layer 1 in pixel display area
2 accumulates charges and changes the transmittance of the display unit,
Causes afterimages.
【0026】これに対し、本発明の第1の実施例では、
走査線および信号線との容量結合により、ブラックマト
リクスの電位は変動するが、色層12とブラックマトリ
クス10との間に透明絶縁膜11が存在するので、電荷
の流れが遮断されるため、残像現象を著しく抑制するこ
とができ、表示異常のない良好な表示特性を得ることが
できる。On the other hand, in the first embodiment of the present invention,
Although the potential of the black matrix fluctuates due to capacitive coupling with the scanning lines and the signal lines, since the transparent insulating film 11 exists between the color layer 12 and the black matrix 10, the flow of charges is cut off, and the afterimage is generated. The phenomenon can be significantly suppressed, and good display characteristics without display abnormality can be obtained.
【0027】[実施例2]次に、本発明の第2の実施例
について、図2を参照して説明する。図2は、第2の実
施例のアクティブマトリクス液晶表示装置の構造を示す
断面図であり、図1(a)のA−A’線における断面を
示している。Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of the active matrix liquid crystal display device according to the second embodiment, and shows a cross section taken along line AA ′ of FIG.
【0028】まず、第2の実施例のアクティブマトリク
ス液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、T
FT基板側は、第1の実施例と全く同じ構造を有し、同
じ工程で作製する。First, a method of manufacturing the active matrix liquid crystal display device according to the second embodiment will be described. Note that T
The FT substrate side has exactly the same structure as in the first embodiment, and is manufactured in the same process.
【0029】CF基板の製造方法について説明すると、
CF側の第2の透明絶縁性基板9上に、カーボン粒子を
含有させた樹脂組成物を1.3μm程度堆積し、TFT
側の信号線および走査線およびこれらの近傍を遮光する
位置に、図1(a)の7で示したエッジの内側を開口す
るようにパターニングする。形成されたブラックマトリ
クスの体積抵抗率は104〜105Ωcmである。A method of manufacturing a CF substrate will be described.
On the second transparent insulating substrate 9 on the CF side, a resin composition containing carbon particles is deposited to a thickness of about 1.3 μm,
Patterning is performed so as to open the inside of the edge indicated by 7 in FIG. 1A at a position where the signal lines and scanning lines on the side and the vicinity thereof are shielded from light. The volume resistivity of the formed black matrix is 10 4 to 10 5 Ωcm.
【0030】さらにこの上に、Rの色層を1.2μm程
度の厚さで形成し、これをパタン化する。次に、Gの色
層を1.2μmの厚さで形成し、これをパタン化する。
この時、RGB各々の色層の比抵抗は、Rが1010〜1
012Ωcm、Gが109〜1011Ωcm、Bが108〜1
010Ωcmである。この上に、透明なアクリル樹脂を膜
厚1.0μm以上の厚さで全面に成膜し、更にこの上に
Bの色層を1.2μm程度の厚さで形成し、これを同一
パタンで形成する。さらにこの上に、透明なアクリル樹
脂を膜厚1.0μmで全面に成膜する。このアクリル樹
脂としては、比抵抗が1014Ωcm以上で透明度の高い
ものを用いる。Further, an R color layer having a thickness of about 1.2 μm is formed thereon and patterned. Next, a G color layer is formed with a thickness of 1.2 μm, and is patterned.
At this time, the resistivity of the respective RGB color layer, R 10 10-1
0 12 Ωcm, G is 10 9 to 10 11 Ωcm, B is 10 8 to 1
0 10 Ωcm. On top of this, a transparent acrylic resin is formed over the entire surface with a thickness of 1.0 μm or more, and a B color layer is further formed thereon with a thickness of about 1.2 μm. Form. Further, a transparent acrylic resin is formed on the entire surface with a thickness of 1.0 μm. As the acrylic resin, a resin having a specific resistance of 10 14 Ωcm or more and high transparency is used.
【0031】以上の工程により作製されたTFT基板と
CF基板とにより前記した第1の実施例と全く同じ方法
により液晶表示パネルを形成する。A liquid crystal display panel is formed by using the TFT substrate and the CF substrate manufactured by the above steps in exactly the same manner as in the first embodiment.
【0032】このように、本実施例のアクティブマトリ
クス液晶表示装置では、第2の透明絶縁性基板9上の構
成が、前記した第1の実施例と異なり、ブラックマトリ
クス10と色層12との間に配する透明絶縁膜11を、
比抵抗が1010Ωcmより小さい色層12の下のみ、こ
れと同一パタンで1μm以上の厚さで形成している。こ
のような構造であっても、前記した第1の実施例と同様
に、色層12とブラックマトリクス10との間の電荷の
流れを遮断することができ、残像を抑制することができ
る。As described above, in the active matrix liquid crystal display device of the present embodiment, the structure on the second transparent insulating substrate 9 differs from that of the first embodiment in that the black matrix 10 and the color layer 12 are different from each other. The transparent insulating film 11 disposed between
Only under the color layer 12 having a specific resistance of less than 10 10 Ωcm, the same pattern is formed with a thickness of 1 μm or more. Even with such a structure, the flow of charges between the color layer 12 and the black matrix 10 can be blocked, and the afterimage can be suppressed, as in the first embodiment.
【0033】[実施例3]次に、本発明の第3の実施例
について、図3を参照して説明する。図3は、本発明の
第3の実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置の構
成を示す断面図であり、図1(a)のA−A’線におけ
る断面を示している。なお、TFT基板側は、前記した
第1の実施例と全く同じ構造を有し、同じ工程で作製す
る。Embodiment 3 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of an active matrix liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and shows a cross section taken along line AA ′ of FIG. The TFT substrate has the same structure as that of the first embodiment and is manufactured in the same process.
【0034】CF基板の製造方法について説明すると、
CF側の第2の透明絶縁性基板9上に、カーボン粒子を
含有させた樹脂組成物を1.3μm程度堆積し、TFT
側の信号線および走査線およびこれらの近傍を遮光する
位置に、図1(a)の7で示したエッジの内側を開口す
るようにパターニングする。形成されたブラックマトリ
クスの体積抵抗率は104〜105Ωcmである。A method for manufacturing a CF substrate will be described.
On the second transparent insulating substrate 9 on the CF side, a resin composition containing carbon particles is deposited to a thickness of about 1.3 μm,
Patterning is performed so as to open the inside of the edge indicated by 7 in FIG. 1A at a position where the signal lines and scanning lines on the side and the vicinity thereof are shielded from light. The volume resistivity of the formed black matrix is 10 4 to 10 5 Ωcm.
【0035】さらにこの上に、Rの色層を1.2μm程
度の厚さで形成し、これをパタン化する。次に、透明な
アクリル樹脂を0.8μm程度の厚さで形成し、この上
にGの色層を1.2μmの厚さで形成し、この2層を同
一パタンで形成する。次に、透明なアクリル樹脂を1.
8μmの厚さで形成し、この上にBの色層を1.2μm
程度の厚さで形成し、この2層を同一パタンで形成す
る。Further, an R color layer is formed thereon with a thickness of about 1.2 μm, and is patterned. Next, a transparent acrylic resin is formed with a thickness of about 0.8 μm, a G color layer is formed thereon with a thickness of 1.2 μm, and these two layers are formed with the same pattern. Next, a transparent acrylic resin was used for 1.
8 μm thick, and a B color layer on top of this is 1.2 μm thick.
The two layers are formed with the same pattern.
【0036】この時、RGB各々の色層の比抵抗は、R
が1010〜1012Ωcm、Gが10 9〜1011Ωcm、
Bが108〜1010Ωcmである。さらにこの上に、透
明なアクリル樹脂を膜厚1.0μmで全面に成膜する。
このアクリル樹脂としては、比抵抗が1014Ωcm以上
で透明度の高いものを用いる。最終的な出来上がりの状
態で、Rの画素の表示領域表面を基準として、Gの画素
の表示領域表面は0.5μmの高さを有し、Bの画素の
表示領域表面は1.2μmの高さを有する。At this time, the specific resistance of each color layer of RGB is R
Is 10Ten-1012Ωcm, G is 10 9-1011Ωcm,
B is 108-10TenΩcm. Furthermore, on top of this
A clear acrylic resin is formed on the entire surface with a thickness of 1.0 μm.
This acrylic resin has a specific resistance of 1014Ωcm or more
With high transparency. Final finished state
In the state, the G pixel is set with reference to the display area surface of the R pixel.
Has a height of 0.5 μm, and the surface of the B pixel
The display area surface has a height of 1.2 μm.
【0037】上述の工程により作製されたTFT基板お
よびCF基板の上に、配向膜14を塗布し、画素電極の
長手方向と15度の角度をなす方向にラビング処理す
る。その後、シール材塗布、スペーサ散布の後、両者を
貼り合わせ、これに液晶を注入して、封止した。ここ
で、スペーサ剤の径を制御することにより、液晶層17
のセルギャップを青の色層の表示画素で3.8μmとな
るように制御する。すると、RGB各画素の表示部での
高さの差により、緑の色層の表示画素でセルギャップは
4.5μm、赤の色層の表示画素でのセルギャップは
5.0μmとなる。これにより、RGB各々の画素にお
ける液晶層17の厚さと色層12を透過する光の波長と
がほぼ比例した関係となる。さらに、これを挟むように
して、クロスニコルをなす偏光板を貼付した。CF側偏
光板の偏光軸は、ラビング方向に平行に、また、TFT
側偏光板の偏光軸は、これと垂直な方向に設定した。An orientation film 14 is applied on the TFT substrate and the CF substrate manufactured by the above-described steps, and rubbed in a direction at an angle of 15 degrees with the longitudinal direction of the pixel electrode. Then, after applying a sealing material and spraying a spacer, both were adhered, and liquid crystal was injected into the two and sealed. Here, the diameter of the liquid crystal layer 17 is controlled by controlling the diameter of the spacer agent.
Is controlled to be 3.8 μm in the display pixels of the blue color layer. Then, due to the difference in height of the RGB pixels in the display section, the cell gap in the display pixel of the green color layer is 4.5 μm, and the cell gap in the display pixel of the red color layer is 5.0 μm. As a result, the thickness of the liquid crystal layer 17 in each of the R, G, and B pixels and the wavelength of light transmitted through the color layer 12 have a substantially proportional relationship. Further, a polarizing plate forming a cross Nicol was attached so as to sandwich this. The polarization axis of the CF-side polarizing plate is parallel to the rubbing direction,
The polarization axis of the side polarizing plate was set in a direction perpendicular to this.
【0038】このように、本実施例のアクティブマトリ
クス液晶表示装置では、第2の透明絶縁性基板9上の構
成が、前記した第1の実施例と異なり、ブラックマトリ
クス10と色層12との間に配設する透明絶縁膜11
を、比抵抗が小さい青の色層12の下には、これと同一
パタンで厚く形成し、緑の色層12の下には、薄く形成
している。このように、色層の比抵抗が小さくなるに伴
って絶縁膜を厚く形成することによって、色層12とブ
ラックマトリクス10との間の電荷の流れを、より有効
に遮断することができ、残像を抑制することができる。As described above, in the active matrix liquid crystal display device of the present embodiment, the structure on the second transparent insulating substrate 9 differs from that of the first embodiment in that the black matrix 10 and the color layer 12 are different from each other. Transparent insulating film 11 disposed between
Is formed under the blue color layer 12 having a small specific resistance to be thick with the same pattern, and is formed under the green color layer 12 to be thin. As described above, by forming the insulating film thicker as the specific resistance of the color layer decreases, the flow of electric charges between the color layer 12 and the black matrix 10 can be more effectively blocked, and the afterimage can be reduced. Can be suppressed.
【0039】さらに、本実施例の構造では、RGBの各
色に対応する透明絶縁膜11の厚さが異なるため基板上
に段差が生じ、RGBの各色に対応する液晶層17の厚
さを変えることができるため、液晶層17の厚さをRG
Bの各色の透過率ピークの波長に比例した値に設定する
ことにより、マルチギャップセルを形成することがで
き、これにより斜めから見た時に色づきのない良好な表
示を得ることができる。Further, in the structure of this embodiment, since the thickness of the transparent insulating film 11 corresponding to each color of RGB is different, a step is formed on the substrate, and the thickness of the liquid crystal layer 17 corresponding to each color of RGB is changed. , The thickness of the liquid crystal layer 17 is
By setting the value to a value proportional to the wavelength of the transmittance peak of each color B, a multi-gap cell can be formed, whereby a favorable display without coloring when viewed from an oblique direction can be obtained.
【0040】なお、上述した第1から第3の実施例で
は、ブラックマトリクスと色層との間を絶縁する透明絶
縁膜としてアクリル樹脂を用いたが、この透明絶縁膜と
しては無機の酸化シリコン膜を用いてもよい。また、こ
の透明絶縁膜は、CVDのような真空装置を用いて成膜
することもできるし、塗布膜の形で成膜することもでき
る。また、その他の無機絶縁膜を用いても良い。In the above-described first to third embodiments, an acrylic resin is used as the transparent insulating film for insulating the black matrix from the color layer. However, as this transparent insulating film, an inorganic silicon oxide film is used. May be used. The transparent insulating film can be formed using a vacuum device such as CVD, or can be formed in the form of a coating film. Further, another inorganic insulating film may be used.
【0041】[0041]
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の横方向
電界駆動型のアクティブマトリクス液晶表示装置では、
ブラックマトリクスの電位が変動した場合でも、色層へ
の電荷の注入を防止することができ、残像の少ない良好
な表示を広い視野角で得ることができるという効果を奏
する。As described in detail above, in the lateral electric field driving type active matrix liquid crystal display device of the present invention,
Even when the potential of the black matrix fluctuates, it is possible to prevent the injection of charges into the color layer, and it is possible to obtain a good display with little afterimage at a wide viewing angle.
【0042】その理由は、本発明では、色層とブラック
マトリクスとの間に前記色層と前記ブラックマトリクス
との間の電荷の流れを遮断する程度に膜厚及び比抵抗を
設定した絶縁膜が形成されているため、ブラックマトリ
クスから流れ出た電荷が色層に蓄積されることがないか
らである。また、本発明では、RGBの各色に対応する
液晶層の厚さをRGBの各色の透過率ピークの波長に比
例した値に設定することにより、マルチギャップセルを
形成することができ、これにより斜めから見た時に色づ
きのない良好な表示を得ることができるという効果を奏
する。The reason is that in the present invention, the color layer and the black matrix are provided between the color layer and the black matrix.
Film thickness and specific resistance to the extent that the flow of charge between
This is because the electric charge flowing out of the black matrix is not accumulated in the color layer because the set insulating film is formed. Further, in the present invention, by setting the thickness of the liquid crystal layer corresponding to each color of RGB to a value proportional to the wavelength of the transmittance peak of each color of RGB, a multi-gap cell can be formed. There is an effect that a good display without coloring can be obtained when viewed from above.
【図1】本発明の第1の実施例に係るアクティブマトリ
クス液晶表示装置の構造を説明するための図であり、図
1(a)は、液晶パネルの一画素の平面図、図1(b)
は、(a)のA−A’線における断面図である。FIG. 1 is a diagram for explaining the structure of an active matrix liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view of one pixel of a liquid crystal panel, and FIG. )
FIG. 3A is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
【図2】本発明の第2の実施例に係るアクティブマトリ
クス液晶表示装置の構造を説明するための図であり、図
1(a)のA−A’線における断面図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a structure of an active matrix liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
【図3】本発明の第3の実施例に係るアクティブマトリ
クス液晶表示装置の構造を説明するための図であり、図
1(a)のA−A’線における断面図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a structure of an active matrix liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
【図4】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の図
であり、図4(a)は、液晶パネルの一画素の平面図、
図4(b)は、(a)のB−B’線における断面図であ
る。FIG. 4 is a diagram of a conventional active matrix liquid crystal display device. FIG. 4A is a plan view of one pixel of a liquid crystal panel,
FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG.
【図5】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置にお
ける電荷の流れを模式的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a flow of charges in a conventional active matrix liquid crystal display device.
【図6】従来の構造における問題点を説明するための等
価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram for explaining a problem in a conventional structure.
1 対向電極 2 画素電極 3 走査線 4 対向電極配線 5 信号線 6 島状非晶質シリコン 7 ブラックマトリクスのエッジ 8 偏光板 9 第2の透明絶縁性基板 10 ブラックマトリクス 11 透明絶縁膜 12 色層 13 オーバーコート層 14 配向膜 15 保護絶縁膜 16 ゲート絶縁膜 17 液晶層 18 第1の透明絶縁性基板 19 色層を介して流れる電流 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Counter electrode 2 Pixel electrode 3 Scanning line 4 Counter electrode wiring 5 Signal line 6 Island-shaped amorphous silicon 7 Edge of black matrix 8 Polarizing plate 9 Second transparent insulating substrate 10 Black matrix 11 Transparent insulating film 12 Color layer 13 Overcoat layer 14 Alignment film 15 Protective insulating film 16 Gate insulating film 17 Liquid crystal layer 18 First transparent insulating substrate 19 Current flowing through color layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1343 G02F 1/1335 G02F 1/1368 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1343 G02F 1/1335 G02F 1/1368
Claims (7)
1の基板上には、複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線の各交点近傍に設けた薄膜トラ
ンジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電
極と、前記画素電極と相対するように設けられた対向電
極とを配設し、第2の基板上には、前記画素電極に対向
する領域に開口を設けたブラックマトリクスと、RGB
の3色に対応する3種類の色層と、を有し、前記画素電
極と前記対向電極との間に印加した電圧で液晶層に略平
行な電界を発生させることにより、前記2枚の対向する
基板の間に挟持された液晶を制御する横方向電界駆動型
のアクティブマトリクス液晶表示装置において、 前記3種類の色層のうち、少なくとも1種類以上の色層
と、前記ブラックマトリクスとの間に、前記色層と前記
ブラックマトリクスとの間の電荷の流れを遮断する程度
に膜厚及び比抵抗を設定した所定の絶縁膜が配設されて
いることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装
置。1. A semiconductor device comprising: two opposing transparent insulating substrates; a first substrate having a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines;
A second substrate including a thin film transistor provided near each intersection of the scanning line and the signal line, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a counter electrode provided to face the pixel electrode; A black matrix having an opening in a region facing the pixel electrode,
And three types of color layers corresponding to the three colors, and an electric field substantially parallel to the liquid crystal layer is generated by a voltage applied between the pixel electrode and the counter electrode, so that the two opposite layers are opposed to each other. Lateral electric field drive type to control liquid crystal sandwiched between moving substrates
In the active matrix liquid crystal display device of the above, between the at least one color layer of the three types of color layers and the black matrix, the color layer and the color layer
The degree of blocking the flow of electric charge to and from the black matrix
An active matrix liquid crystal display device, wherein a predetermined insulating film having a set film thickness and specific resistance is provided thereon.
1の基板上には、複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線の各交点近傍に設けた薄膜トラ
ンジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電
極と、前記画素電極と相対するように設けられた対向電
極とを配設し、第2の基板上には、前記画素電極に対向
する領域に開口を設けたブラックマトリクスと、RGB
の3色に対応する3種類の色層と、を有し、前記画素電
極と前記対向電極との間に印加した電圧で液晶層に略平
行な電界を発生させることにより、前記2枚の対向する
基板の間に挟持された液晶を制御する横方向電界駆動型
のアクティブマトリクス液晶表示装置において、 前記3種類の色層のうち、少なくとも複数の色層の各々
と、前記ブラックマトリクスとの間に、前記色層と前記
ブラックマトリクスとの間の電荷の流れを遮断する程度
に膜厚及び比抵抗を設定した絶縁膜であって膜厚の異な
る所定の絶縁膜を配設することにより、前記3種類の色
層に対応する前記液晶層の厚さが異なる所定の厚さに設
定される、ことを特徴とするアクティブマトリクス液晶
表示装置。2. A semiconductor device comprising: two opposing transparent insulating substrates; a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines on a first substrate;
A second substrate including a thin film transistor provided near each intersection of the scanning line and the signal line, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a counter electrode provided to face the pixel electrode; A black matrix having an opening in a region facing the pixel electrode,
And three types of color layers corresponding to the three colors, and an electric field substantially parallel to the liquid crystal layer is generated by a voltage applied between the pixel electrode and the counter electrode, so that the two opposite layers are opposed to each other. Lateral electric field drive type to control liquid crystal sandwiched between moving substrates
In an active matrix liquid crystal display device, of the three kinds of color layers, and each of at least a plurality of color layers, between the black matrix, the said color layer
The degree of blocking the flow of electric charge to and from the black matrix
The thickness of the liquid crystal layer corresponding to the three kinds of color layers is different by providing a predetermined insulating film having different thicknesses, the insulating films having different thicknesses and specific resistances. An active matrix liquid crystal display device, wherein:
Ωcm以下であり、前記色層のうち、前記ブラックマト
リクスとの間に前記所定の絶縁膜が配設される色層の比
抵抗が1010Ωcm以下である、ことを特徴とする請求
項1又は2に記載のアクティブマトリクス液晶表示装
置。3. The black matrix has a specific resistance of 10 6.
Ωcm or less, and the specific resistance of the color layer in which the predetermined insulating film is provided between the color layer and the black matrix is 10 10 Ωcm or less. 3. The active matrix liquid crystal display device according to 2.
厚で、1012Ωcm以上の比抵抗を有することを特徴と
する請求項1記載のアクティブマトリクス液晶表示装
置。4. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein said predetermined insulating film has a thickness of 0.5 μm or more and a specific resistance of 10 12 Ωcm or more.
晶層の厚さが、前記色層を透過する各々の光の波長に略
比例するように、前記所定の絶縁膜の膜厚が設定され
る、ことを特徴とする請求項2記載のアクティブマトリ
クス液晶表示装置。5. The thickness of the predetermined insulating film such that the thickness of each of the liquid crystal layers corresponding to the three types of color layers is substantially proportional to the wavelength of each light transmitted through the color layers. The active matrix liquid crystal display device according to claim 2, wherein the following is set.
ことを特徴とする請求項4又は5に記載のアクティブマ
トリクス液晶表示装置。6. The active matrix liquid crystal display device according to claim 4, wherein said predetermined insulating film is formed of a resin film.
れることを特徴とする請求項4又は5に記載のアクティ
ブマトリクス液晶表示装置。7. The active matrix liquid crystal display device according to claim 4, wherein said predetermined insulating film comprises an inorganic insulating film.
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