JP3123260B2 - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JP3123260B2 JP3123260B2 JP04294810A JP29481092A JP3123260B2 JP 3123260 B2 JP3123260 B2 JP 3123260B2 JP 04294810 A JP04294810 A JP 04294810A JP 29481092 A JP29481092 A JP 29481092A JP 3123260 B2 JP3123260 B2 JP 3123260B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vaporization chamber
- conductive film
- inlet
- transparent conductive
- nitric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明性が良く面積抵抗値
の低い酸化錫系の透明導電膜の製造方法に関する。
の低い酸化錫系の透明導電膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の製造方法としては有機フッ
素ドーパント、有機錫化合物または四塩化錫を含有する
液体をキァリアガス中に蒸発させて蒸気化合物を形成
し、その蒸気を基材上で分解させるものであつた（例え
ば特開昭６２−１２４２７６号公報）。
素ドーパント、有機錫化合物または四塩化錫を含有する
液体をキァリアガス中に蒸発させて蒸気化合物を形成
し、その蒸気を基材上で分解させるものであつた（例え
ば特開昭６２−１２４２７６号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の製造
方法では透明性が良く、面積抵抗値が２５Ω／□以下
（膜厚が６００ｎｍにおいて）の導電膜が得られないと
いう問題があった。
方法では透明性が良く、面積抵抗値が２５Ω／□以下
（膜厚が６００ｎｍにおいて）の導電膜が得られないと
いう問題があった。
【０００４】本発明は上記の従来の問題を解決するもの
で、透明性が良く面積抵抗値の低い酸化錫系の透明導電
膜の製造方法の提供を目的とする。
で、透明性が良く面積抵抗値の低い酸化錫系の透明導電
膜の製造方法の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の透明導電膜の製造方法は、塩化錫と濃硝酸
のアルコール溶液を加熱された気化室の一方の入口から
導入し、キァリアガスを気化室の他方の入口から導入し
て気化反応物を製造し、その気化反応物を気化室の出口
から送りだして加熱された基板の表面に送給する。
めの本発明の透明導電膜の製造方法は、塩化錫と濃硝酸
のアルコール溶液を加熱された気化室の一方の入口から
導入し、キァリアガスを気化室の他方の入口から導入し
て気化反応物を製造し、その気化反応物を気化室の出口
から送りだして加熱された基板の表面に送給する。
【０００６】
【作用】本発明によれば、原料に塩化錫と濃硝酸のアル
コール溶液を用いて常圧化学蒸着法で製造するために従
来より結晶性の良い酸化膜が形成される。
コール溶液を用いて常圧化学蒸着法で製造するために従
来より結晶性の良い酸化膜が形成される。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
【０００８】（実施例１）図１は本発明の透明導電膜の
製造方法に用いられた製造装置の断面図である。
製造方法に用いられた製造装置の断面図である。
【０００９】同図において１は気化室であり、その気化
室１はヒータ２によって２５０〜６００℃に加熱され
る。３は透明導電膜が形成される基板であり、基板３は
ヒータ４によって３５０〜６００℃に加熱される。５は
塩化錫のアルコール溶液を導入する一方の入口であり、
６はキァリアガスを導入する他方の入口であり、７は気
化室１内で製造された気化反応物を送り出す出口であ
る。一方の入口５の内径を５ｍｍ、他方の入口６の内径
を１０ｍｍ、出口７の内径を２０ｍｍとし、気化室１の
内容積を１ｌｉｔ．にすると、塩化錫のアルコール溶液
供給液量は０．１〜１０ｇ／ｍｉｎ．、キァリアガスの
供給量は１〜２０ｌｉｔ．／ｍｉｎ．程度である。キァ
リアガスは空気でも良いが、特に面積抵抗値および透明
度を精密に制御する場合には窒素と酸素の体積比を９：
１〜７：３、望ましくは２１：４とする。
室１はヒータ２によって２５０〜６００℃に加熱され
る。３は透明導電膜が形成される基板であり、基板３は
ヒータ４によって３５０〜６００℃に加熱される。５は
塩化錫のアルコール溶液を導入する一方の入口であり、
６はキァリアガスを導入する他方の入口であり、７は気
化室１内で製造された気化反応物を送り出す出口であ
る。一方の入口５の内径を５ｍｍ、他方の入口６の内径
を１０ｍｍ、出口７の内径を２０ｍｍとし、気化室１の
内容積を１ｌｉｔ．にすると、塩化錫のアルコール溶液
供給液量は０．１〜１０ｇ／ｍｉｎ．、キァリアガスの
供給量は１〜２０ｌｉｔ．／ｍｉｎ．程度である。キァ
リアガスは空気でも良いが、特に面積抵抗値および透明
度を精密に制御する場合には窒素と酸素の体積比を９：
１〜７：３、望ましくは２１：４とする。
【００１０】図２は基板３の上に透明導電膜８を形成し
たものの断面図である。本実施例においては無水塩化第
一錫（ＳｎＣｌ2）３０ｗｔ％のメチルアルコール７
０．０ｗｔ％の溶液を４００℃に加熱された気化室１内
に一方の入口５から１ｇ／ｍｉｎ．で供給し、キァリア
ガスとして空気を他方の入口６から１０ｌｉｔ．／ｍｉ
ｎ．で供給し、５００℃に加熱されたガラス基板３の上
に１０分間気化反応物を送給すると膜厚が６００ｎｍで
面積抵抗値が８Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過
率が８２％の酸化錫（ＳｎＯ2-x ）の透明導電膜８が得
られた。従来例の厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は
５２．５Ω／□であるのに対して、本実施例では４８Ω
／□と従来例の９０％となった。
たものの断面図である。本実施例においては無水塩化第
一錫（ＳｎＣｌ2）３０ｗｔ％のメチルアルコール７
０．０ｗｔ％の溶液を４００℃に加熱された気化室１内
に一方の入口５から１ｇ／ｍｉｎ．で供給し、キァリア
ガスとして空気を他方の入口６から１０ｌｉｔ．／ｍｉ
ｎ．で供給し、５００℃に加熱されたガラス基板３の上
に１０分間気化反応物を送給すると膜厚が６００ｎｍで
面積抵抗値が８Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過
率が８２％の酸化錫（ＳｎＯ2-x ）の透明導電膜８が得
られた。従来例の厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は
５２．５Ω／□であるのに対して、本実施例では４８Ω
／□と従来例の９０％となった。
【００１１】本実施例ではＳｎＣｌ2 の量を２０．０〜
４５．０ｗｔ％、メチルアルコールの量を５５．０〜８
０．０ｗｔ％としてもほぼ同様の効果が得られた。
４５．０ｗｔ％、メチルアルコールの量を５５．０〜８
０．０ｗｔ％としてもほぼ同様の効果が得られた。
【００１２】（実施例２）次に本発明の第２の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１３】本実施例が第１の実施例と相違する点は、
無水塩化第一錫３０．０ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸
５．０ｗｔ％のメチルアルコール６５．０ｗｔ％の溶液
を用いた点である。本実施例の酸化錫の透明導電膜の面
積抵抗値は５Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率
は８２％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は３０Ω
／□であり、従来例の５７％となった。
無水塩化第一錫３０．０ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸
５．０ｗｔ％のメチルアルコール６５．０ｗｔ％の溶液
を用いた点である。本実施例の酸化錫の透明導電膜の面
積抵抗値は５Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率
は８２％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は３０Ω
／□であり、従来例の５７％となった。
【００１４】本実施例では無水塩化第一錫の量を２０．
０〜４５．０ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１５．０ｗ
ｔ％、メチルアルコールの量を５５．０〜８０．０ｗｔ
％としてもほぼ同様な効果が得られた。塩化錫のアルコ
ール溶液に濃硝酸を添加すると面積抵抗値が低下すると
ともに、膜が白濁しにくくなるという効果が得られた。 （実施例３）次に本発明の第３の実施例について説明す
る。
０〜４５．０ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１５．０ｗ
ｔ％、メチルアルコールの量を５５．０〜８０．０ｗｔ
％としてもほぼ同様な効果が得られた。塩化錫のアルコ
ール溶液に濃硝酸を添加すると面積抵抗値が低下すると
ともに、膜が白濁しにくくなるという効果が得られた。 （実施例３）次に本発明の第３の実施例について説明す
る。
【００１５】本実施例が第２の実施例と相違する点は、
濃硝酸の一部を硝酸亜鉛で置換し、無水塩化第一錫３
０．０ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸３．０ｗｔ％と硝
酸亜鉛２．０ｗｔ％のメチルアルコール６５．０ｗｔ％
の溶液を用いた点である。
濃硝酸の一部を硝酸亜鉛で置換し、無水塩化第一錫３
０．０ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸３．０ｗｔ％と硝
酸亜鉛２．０ｗｔ％のメチルアルコール６５．０ｗｔ％
の溶液を用いた点である。
【００１６】本実施例の酸化錫の透明導電膜の面積抵抗
値は７Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率は８３
％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は４２Ω／□で
あり、従来例の８０％となった。
値は７Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率は８３
％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は４２Ω／□で
あり、従来例の８０％となった。
【００１７】本実施例では無水塩化第一錫の量を２０．
０〜４５．０ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１４．９ｗ
ｔ％、硝酸亜鉛の量を０．１〜２．０ｗｔ％、メチルア
ルコールの量を５５．０〜８０．０ｗｔ％としてもほぼ
同様な効果が得られた。 （実施例４）次に本発明の第４の実施例について説明す
る。
０〜４５．０ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１４．９ｗ
ｔ％、硝酸亜鉛の量を０．１〜２．０ｗｔ％、メチルア
ルコールの量を５５．０〜８０．０ｗｔ％としてもほぼ
同様な効果が得られた。 （実施例４）次に本発明の第４の実施例について説明す
る。
【００１８】本実施例が第２の実施例と相違する点は濃
硝酸の一部をチタニウムテトラブトキシドで置換し、無
水塩化第一錫３０．０ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸
２．０ｗｔ％とチタニウムテトラブトキシド１．５ｗｔ
％のメチルアルコール６６．５ｗｔ％の溶液を用いた点
である。本実施例の酸化錫の透明導電膜の面積抵抗値は
６Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率は８２％、
厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は３６Ω／□であ
り、従来例の６８％となった。
硝酸の一部をチタニウムテトラブトキシドで置換し、無
水塩化第一錫３０．０ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸
２．０ｗｔ％とチタニウムテトラブトキシド１．５ｗｔ
％のメチルアルコール６６．５ｗｔ％の溶液を用いた点
である。本実施例の酸化錫の透明導電膜の面積抵抗値は
６Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率は８２％、
厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は３６Ω／□であ
り、従来例の６８％となった。
【００１９】本実施例では無水塩化第一錫の量を２０．
０〜４５．０ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜４．０ｗｔ
％、チタニウムテトラブトキシドの量を０．１〜３．０
ｗｔ％、メチルアルコールの量を５５．０〜８０．０ｗ
ｔ％としてもほぼ同様な効果が得られた。 （実施例５）次に本発明の第５の実施例について説明す
る。本実施例が第２の実施例と相違する点は濃硝酸の一
部を酢酸で置換し、無水塩化第一錫３０．０ｗｔ％、比
重１．３８の濃硝酸３．０ｗｔ％、酢酸６．０ｗｔ％の
メチルアルコール６１．０ｗｔ％の溶液を用いた点であ
る。本実施例の酸化錫の透明導電膜の面積抵抗値は８Ω
／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率は８３％、厚さ
１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は４８Ω／□であり、従
来例の９０％となった。濃硝酸の一部を酢酸で置換する
と膜が白濁しにくくなるという効果が得られた。
０〜４５．０ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜４．０ｗｔ
％、チタニウムテトラブトキシドの量を０．１〜３．０
ｗｔ％、メチルアルコールの量を５５．０〜８０．０ｗ
ｔ％としてもほぼ同様な効果が得られた。 （実施例５）次に本発明の第５の実施例について説明す
る。本実施例が第２の実施例と相違する点は濃硝酸の一
部を酢酸で置換し、無水塩化第一錫３０．０ｗｔ％、比
重１．３８の濃硝酸３．０ｗｔ％、酢酸６．０ｗｔ％の
メチルアルコール６１．０ｗｔ％の溶液を用いた点であ
る。本実施例の酸化錫の透明導電膜の面積抵抗値は８Ω
／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率は８３％、厚さ
１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は４８Ω／□であり、従
来例の９０％となった。濃硝酸の一部を酢酸で置換する
と膜が白濁しにくくなるという効果が得られた。
【００２０】本実施例では無水塩化第一錫の量を２０．
０〜４５．０ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１４．５ｗ
ｔ％、酢酸の量を０．１〜２．０ｗｔ％、メチルアルコ
ールの量を５５．０〜８０．０ｗｔ％としてもほぼ同様
な効果が得られた。
０〜４５．０ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１４．５ｗ
ｔ％、酢酸の量を０．１〜２．０ｗｔ％、メチルアルコ
ールの量を５５．０〜８０．０ｗｔ％としてもほぼ同様
な効果が得られた。
【００２１】（実施例６）次に本発明の第６の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２２】本実施例が第１の実施例と相違する点は、
無水塩化第一錫３０．０ｗｔ％と三塩化アンチモン０．
８０ｗｔ％のメチルアルコール６９．２ｗｔ％の溶液を
用いた点である。本実施例の酸化錫系の透明導電膜の面
積抵抗値は７．５Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透
過率は８０％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は４
５Ω／□であり、従来例の８５％となった。
無水塩化第一錫３０．０ｗｔ％と三塩化アンチモン０．
８０ｗｔ％のメチルアルコール６９．２ｗｔ％の溶液を
用いた点である。本実施例の酸化錫系の透明導電膜の面
積抵抗値は７．５Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透
過率は８０％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は４
５Ω／□であり、従来例の８５％となった。
【００２３】本実施例では無水塩化第一錫の量を２０．
０〜４４．９ｗｔ％、三塩化アンチモンの量を０．１〜
１．５ｗｔ％、メチルアルコールの量を５５．０〜８
０．０ｗｔ％にしてもほぼ同様な効果が得られた。三塩
化アンチモンの量は増加すると光線の透過率が低下する
ので限度がある。
０〜４４．９ｗｔ％、三塩化アンチモンの量を０．１〜
１．５ｗｔ％、メチルアルコールの量を５５．０〜８
０．０ｗｔ％にしてもほぼ同様な効果が得られた。三塩
化アンチモンの量は増加すると光線の透過率が低下する
ので限度がある。
【００２４】（実施例７）次に本発明の第７の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２５】本実施例が第２の実施例と相違する点は無
水塩化第一錫２９．２ｗｔ％と三塩化アンチモン０．８
ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸５．０ｗｔ％のメチルア
ルコール６５．０ｗｔ％溶液を用いた点である。
水塩化第一錫２９．２ｗｔ％と三塩化アンチモン０．８
ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸５．０ｗｔ％のメチルア
ルコール６５．０ｗｔ％溶液を用いた点である。
【００２６】本実施例の酸化錫系の透明導電膜の面積抵
抗値は４．８Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率
は７７％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は２８．
８Ω／□であり、従来例の５５％となった。
抗値は４．８Ω／□、波長が５５０ｎｍの光線の透過率
は７７％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は２８．
８Ω／□であり、従来例の５５％となった。
【００２７】本実施例では無水塩化第一錫の量を２０．
０〜４４．９ｗｔ％、三塩化アンチモンの量を０．１〜
１．５ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１５．０ｗｔ％、
メチルアルコールの量を５５．０〜８０．０ｗｔ％とし
てもほぼ同様な効果が得られた。
０〜４４．９ｗｔ％、三塩化アンチモンの量を０．１〜
１．５ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１５．０ｗｔ％、
メチルアルコールの量を５５．０〜８０．０ｗｔ％とし
てもほぼ同様な効果が得られた。
【００２８】（実施例８）次に本発明の第８の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２９】本実施例が第３の実施例と相違する点は、
無水塩化第一錫２９．２ｗｔ％と三塩化アンチモン０．
８ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸３．０ｗｔ％と硝酸亜
鉛２．０ｗｔ％のメチルアルコール６５．０ｗｔ％の溶
液を用いた点である。
無水塩化第一錫２９．２ｗｔ％と三塩化アンチモン０．
８ｗｔ％と比重１．３８の濃硝酸３．０ｗｔ％と硝酸亜
鉛２．０ｗｔ％のメチルアルコール６５．０ｗｔ％の溶
液を用いた点である。
【００３０】本実施例の酸化錫の透明導電膜の面積抵抗
値は６．３Ω／□、波長が５５０ｎｍの光の線透過率は
７８％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は３７．８
Ω／□であり、従来例の７２％となった。
値は６．３Ω／□、波長が５５０ｎｍの光の線透過率は
７８％、厚さ１００ｎｍ当たりの面積抵抗値は３７．８
Ω／□であり、従来例の７２％となった。
【００３１】本実施例では無水塩化第一錫の量を２０．
０〜４４．９ｗｔ％、三塩化アンチモンの量を０．１〜
１．５ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１４．９ｗｔ％、
硝酸亜鉛の量を０．１〜２．０ｗｔ％、メチルアルコー
ルの量を５５．０〜８０．０ｗｔ％、としてもほぼ同様
な効果が得られた。
０〜４４．９ｗｔ％、三塩化アンチモンの量を０．１〜
１．５ｗｔ％、濃硝酸の量を０．５〜１４．９ｗｔ％、
硝酸亜鉛の量を０．１〜２．０ｗｔ％、メチルアルコー
ルの量を５５．０〜８０．０ｗｔ％、としてもほぼ同様
な効果が得られた。
【００３２】なお、実施例における塩化錫の原料として
は無水塩化第一錫について説明したが、ＳｎＣｌ4、Ｓ
ｎＣｌ4・ｎＨ2Ｏなどの塩化第二錫を用いても同様の効
果がえられる。
は無水塩化第一錫について説明したが、ＳｎＣｌ4、Ｓ
ｎＣｌ4・ｎＨ2Ｏなどの塩化第二錫を用いても同様の効
果がえられる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、原料に塩
化錫と濃硝酸のアルコール溶液を用いて常圧化学蒸着法
で製造するために従来より結晶性が良く、面積抵抗値が
低く、透明性の良い導電膜が製造できる。
化錫と濃硝酸のアルコール溶液を用いて常圧化学蒸着法
で製造するために従来より結晶性が良く、面積抵抗値が
低く、透明性の良い導電膜が製造できる。
【図１】本発明の実施例に用いた製造装置の断面図
【図２】本発明の実施例における透明導電膜の断面図
１ 気化室 ３ 基板 ５ 一方の入口 ６ 他方の入口 ７ 出口 ８ 透明導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01B 13/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】塩化錫と濃硝酸のアルコール溶液を加熱さ
れた気化室の一方の入口から導入し、キャリアガスを気
化室の他方の入口から導入して気化反応物を製造し、そ
の気化反応物を気化室の出口から送りだして加熱された
基板の表面に送給する透明導電膜の製造方法。 - 【請求項２】塩化錫と濃硝酸と硝酸亜鉛のアルコール溶
液を加熱された気化室の一方の入口から導入し、キャリ
アガスを気化室の他方の入口から導入して気化反応物を
製造し、その気化反応物を気化室の出口から送りだして
加熱された基板の表面に送給する透明導電膜の製造方
法。 - 【請求項３】塩化錫と濃硝酸とチタニウムテトラブトキ
シドのアルコール溶液を加熱された気化室の一方の入口
から導入し、キャリアガスを気化室の他方の入口から導
入て気化反応物を製造し、その気化反応物を気化室の出
口から送りだして加熱された基板の表面に送給する透明
導電膜の製造方法 - 【請求項４】塩化錫と濃硝酸と酢酸のアルコール溶液を
加熱された気化室の一方の入口から導入し、キャリアガ
スを気化室の他方の入口から導入して気化反応物を製造
し、その気化反応物を気化室の出口から送りだして加熱
された基板の表面に送給する透明導電膜の製造方法。 - 【請求項５】塩化錫と塩化アンチモンと濃硝酸のアルコ
ール溶液を加熱された気化室の一方の入口から導入し、
キャリアガスを気化室の他方の入口から導入して気化反
応物を製造し、その気化反応物を気化室の出口から送り
だして加熱された基板の表面に送給する透明導電膜の製
造方法。 - 【請求項６】塩化錫と塩化アンチモンと濃硝酸と硝酸亜
鉛のアルコール溶液を加熱された気化室の一方の入口か
ら導入し、キャリアガスを気化室の他方の入口から導入
して気化反応物を製造し、その気化反応物を気化室の出
口から送りだして加熱された基板の表面に送給する透明
導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04294810A JP3123260B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04294810A JP3123260B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145988A JPH06145988A (ja) | 1994-05-27 |
| JP3123260B2 true JP3123260B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=17812550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04294810A Expired - Fee Related JP3123260B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123260B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1019911C2 (nl) * | 2002-02-06 | 2003-08-07 | Tno | Werkwijze voor het produceren van een tinoxide deklaag. |
| JP2011210499A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Andes Denki Kk | 透明導電膜およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-04 JP JP04294810A patent/JP3123260B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06145988A (ja) | 1994-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4293594A (en) | Method for forming conductive, transparent coating on a substrate | |
| US4265974A (en) | Electrically conductive, infrared reflective, transparent coatings of stannic oxide | |
| US4146657A (en) | Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide | |
| US3944684A (en) | Process for depositing transparent, electrically conductive tin containing oxide coatings on a substrate | |
| JPS649399B2 (ja) | ||
| JP3227449B2 (ja) | 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 | |
| JP2000067657A (ja) | 赤外線透過に優れた透明導電膜及びその製造方法 | |
| JPH04506505A (ja) | オキシフッ化亜鉛透明導体 | |
| JP2002146536A (ja) | 酸化スズ薄膜の低温形成方法 | |
| US20090162697A1 (en) | Chlorine, fluorine and lithium co-doped transparent conductive films and methods for fabricating the same | |
| JP3123260B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| EP1730087B1 (en) | Process for the deposition of aluminium oxide coatings | |
| US4788079A (en) | Method of making haze-free tin oxide coatings | |
| EP0158399B1 (en) | Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings | |
| JPH0530907B2 (ja) | ||
| JP3280043B2 (ja) | 亜鉛およびインジウムを含む透明な導電膜を担持したガラス基板を有する製品、その製造および使用方法 | |
| JP2001035273A (ja) | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 | |
| AU576676B2 (en) | Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings | |
| JP3634394B2 (ja) | 高抵抗化酸化インジウム膜 | |
| JPH07257945A (ja) | 透明導電性積層体及びペン入力タッチパネル | |
| JPS61586A (ja) | 高品質高性能フツ素ド−プ酸化錫コ−チング製造用の液体コ−チング組成物 | |
| JP2962386B2 (ja) | 透明導電性酸化スズ膜の製造方法 | |
| KR20140046617A (ko) | 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 | |
| JP2020532486A (ja) | コーティングされたガラス物品、その作製方法、およびそれにより作製された光電池 | |
| JPH07330336A (ja) | 酸化スズ（ｉｖ）膜の成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081027 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |