JP3121723B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP3121723B2 JP3121723B2 JP06143702A JP14370294A JP3121723B2 JP 3121723 B2 JP3121723 B2 JP 3121723B2 JP 06143702 A JP06143702 A JP 06143702A JP 14370294 A JP14370294 A JP 14370294A JP 3121723 B2 JP3121723 B2 JP 3121723B2
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- silicon substrate
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- transistor
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
ジスタを有する半導体装置において、このPchMOS
型トランジスタのP型導電型シリコン基板に対する耐圧
が高耐圧である半導体装置に関するものである。
される素子の中で高耐圧横型NchMOS型トランジス
タと、PchMOS型トランジスタの構造について説明
する。
ランジスタと、PchMOS型トランジスタの断面図で
ある。まず、高耐圧横型NchMOS型トランジスタに
おいて、P型導電型シリコン基板1とは逆の導電型であ
る高濃度のドレイン領域9は、シリコン基板1とは逆の
導電型である延長ドレイン領域2中に形成され、さらに
同様に延長ドレイン領域2に包含された、シリコン基板
1とは同一導電型のPT(P−Top)領域3により周
囲を取り囲まれている。このPT領域3はシリコン基板
1と電気的に接続されている。シリコン基板1の表面部
における延長ドレイン領域2とシリコン基板1の表面に
チャンネル部6aが形成され、チャンネル部6aの上に
はゲート酸化膜6および多結晶シリコン膜からなるゲー
ト電極7が並設されている。チャンネル部6aの、延長
ドレイン領域2に相対する位置にシリコン基板1とは逆
の導電型のソース領域5が形成されており、またソース
領域5を取り囲むようにしてシリコン基板1とは同一導
電型の高濃度のチャンネルストッパー4が形成されてい
る。またソース領域5に隣接してチャンネルストッパー
4中に高濃度領域5aが設けられ、ソース領域5ととも
にソース電極16と電気的に接続されている。またドレ
イン領域9はドレイン電極17と電気的に接続されてい
る。
て、P型導電型シリコン基板1と同一導電型であるドレ
イン領域15およびソース領域8はシリコン基板1と逆
の導電型のNW(N型ウェル)領域14中に形成されて
おり、ソース領域8に隣接してNW領域14と同じ高濃
度領域8aを設け、ソース領域8とともにソース電極1
2と電気的に接続されている。またドレイン領域15は
ドレイン電極13と電気的に接続されている。一方、ド
レイン領域15とソース領域15の間のNW領域14の
上にはゲート酸化膜11および多結晶シリコン膜からな
るゲート電極10が並設されている。
の構成では、シリコン基板の電位が商用交流電圧などの
ように変動するシステムで使用する場合に、PchMO
S型トランジスタが形成されるNW領域14とシリコン
基板1の間の耐圧がないために、集積化できないという
問題を有してた。
で、PchMOS型トランジスタ素子のシリコン基板に
対する高耐圧化を、高耐圧横型NchMOS型トランジ
スタと同レベルまで実現することのできる半導体装置を
提供することを目的とする。
に本発明の半導体装置は、PchMOS型トランジスタ
を、P型導電型シリコン基板上の所定部に形成されたN
型電導型の延長ドレイン領域中に形成し、さらに延長ド
レインに包含されたシリコン基板と同一導電型のPT
(P−Top)領域によって周囲を取り囲んで構成した
ものである。
におけるNW領域は、高耐圧横型NchMOS型トラン
ジスタにおける延長ドレイン領域に相当するため、シリ
コン基板との耐圧の高耐圧化が簡単に実現できる。よっ
て、シリコン基板の電位が商用交流電圧などのように変
動するシステムで使用する場合、素子を集積化した半導
体装置の設計において、素子とシリコン基板との間の耐
圧の問題がなくなり、設計手法が簡単にできる。
照しながら説明する。図1は、本発明の一実施例である
半導体装置を示す断面図である。図1は、PchMOS
型トランジスタにおいて、シリコン基板との間の耐圧の
高耐圧化を実現したものである。図1において、1はP
型導電型シリコン基板、2はN型導電型延長ドレイン領
域、3はシリコン基板と同一導電型のPT(P−To
p)領域、4はチャンネルストッパ、5はソース領域、
5aは高濃度領域、6はゲート酸化膜、7は多結晶シリ
コン膜からなるゲート電極、8はPchMOS型トラン
ジスタのソース領域、8aは延長ドレイン領域と同一導
電型の高濃度領域、15はPchMOS型トランジスタ
のドレイン領域、10は多結晶シリコン膜からなるPc
hMOS型トランジスタのゲート電極、11はゲート酸
化膜、12はソース電極、13はドレイン電極を示して
おり、ソース領域8は高濃度領域8aとともにソース電
極と電気的に接続され、ドレイン領域15はドレイン電
極13と電気的に接続され、さらにソース領域8、高濃
度領域8aとドレイン領域15は、P型導電型シリコン
基板1上の所定部に形成されたN型導電型の延長ドレイ
ン領域2に形成され、さらに、延長ドレイン領域に包含
されているシリコン基板1と同一導電型のPT領域3に
よってその周囲を取り囲まれており、シリコン基板1と
の耐圧の高耐化を実現している。
型延長ドレイン領域、3はシリコン基板と同一導電型の
PT(P−Top)領域、4はチャンネルストッパ、5
はソース領域、5aは高濃度領域、7は多結晶シリコン
膜からなるゲート電極、8はPchMOS型トランジス
タのソース領域、8aは延長ドレイン領域と同一導電型
の高濃度領域、15はPchMOS型トランジスタのド
レイン領域、10は多結晶シリコン膜からPchMOS
型トランジスタのゲート電極、12はソース電極、13
はドレイン電極を示している。
に、PNPバイポーラトランジスタまたはツェナーダイ
オードあるいはP型導電型の抵抗体の素子を、P型導電
型シリコン基板上の所定部に形成されたN型導電型の延
長ドレイン領域中に形成し、さらに、延長ドレイン包含
されたシリコン基板と同一導電型のPT(P−TOP)
領域によって周囲を取り囲むことにより、各素子とシリ
コン基板との間の耐圧の問題はなくなる。
OS型トランジスタをP型導電型シリコン基板上の所定
部に形成されたN型導電型の延長ドレイン領域中に形成
し、さらに、延長ドレインに包含されたシリコン基板と
同一導電型のPT(P−Top)領域によって周囲を取
り囲んだ構成とすることにより、PchMOS型トラン
ジスタ素子における、シリコン基板との耐圧の高耐圧化
が簡単に実現できる。よって、シリコン基板の電位が商
用交流電圧等で変動するシステムで使用する場合、素子
の集積化が必要な半導体装置の設計手法において、素子
のシリコン基板との耐圧の問題がなくなり簡単にでき
る。
る。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 PchMOS型トランジスタを、P型導
電型シリコン基板上の所定部に形成されたN型導電型の
延長ドレイン領域中に形成し、さらに、延長ドレインに
包含されているシリコン基板と同一導電型のPT(P−
Top)領域によって周囲を取り囲まれていることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06143702A JP3121723B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06143702A JP3121723B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0817935A JPH0817935A (ja) | 1996-01-19 |
JP3121723B2 true JP3121723B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=15344990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06143702A Expired - Fee Related JP3121723B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3121723B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200497348Y1 (ko) * | 2021-04-06 | 2023-10-16 | 주식회사 신흥밸브 | 온도계와 압력계가 일체로 구비된 건축물 배관용 계측장치 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009063838A1 (ja) | 2007-11-12 | 2009-05-22 | Gs Yuasa Corporation | リチウム二次電池用活物質、リチウム二次電池及びその製造方法 |
CN102769028B (zh) * | 2011-05-03 | 2015-01-28 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
CN105826371B (zh) * | 2015-01-05 | 2018-11-27 | 无锡华润上华科技有限公司 | 高压p型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP06143702A patent/JP3121723B2/ja not_active Expired - Fee Related
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KR200497348Y1 (ko) * | 2021-04-06 | 2023-10-16 | 주식회사 신흥밸브 | 온도계와 압력계가 일체로 구비된 건축물 배관용 계측장치 |
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JPH0817935A (ja) | 1996-01-19 |
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