JP3120744B2 - 窒化化合物半導体レーザー素子 - Google Patents
窒化化合物半導体レーザー素子Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、III−Ｖ族化合物
半導体レーザー素子に関し、特にＶ族元素が窒素である
窒化化合物半導体層を有する窒化化合物半導体レーザー
素子に関する。
半導体レーザー素子に関し、特にＶ族元素が窒素である
窒化化合物半導体層を有する窒化化合物半導体レーザー
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム（ＧａＮ）や窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）は、バンドギャップが大きく、そのバン
ドギャップエネルギーは紫外光に対応する。これら窒化
ガリウムや窒化アルミニウムと窒化インジウム（Ｉｎ
Ｎ）との混晶である窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａ
Ｎ）や窒化インジウムアルミニウム（ＩｎＡｌＮ）、窒
化インジウムガリウムアルミニウム（ＩｎＧａＡｌＮ）
も、組成によって青色光や紫外光に対応するバンドギャ
ップをもつ。
ウム（ＡｌＮ）は、バンドギャップが大きく、そのバン
ドギャップエネルギーは紫外光に対応する。これら窒化
ガリウムや窒化アルミニウムと窒化インジウム（Ｉｎ
Ｎ）との混晶である窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａ
Ｎ）や窒化インジウムアルミニウム（ＩｎＡｌＮ）、窒
化インジウムガリウムアルミニウム（ＩｎＧａＡｌＮ）
も、組成によって青色光や紫外光に対応するバンドギャ
ップをもつ。
【０００３】このため、これらの窒素を含むIII−Ｖ族
化合物半導体（以下「窒化化合物半導体」という。）
は、青色光や紫外光の発光デバイスの材料として、また
高耐圧あるいは耐高温環境電子デバイスの材料として注
目されている。中村（S.Nakamura）他は、Jpn.J.Appl.P
hys.Vol.35,p.L74(1996)に、これらの化合物半導体を使
用した青色レーザー素子の作製について報告している。
図５はこのレーザー素子の断面図である。
化合物半導体（以下「窒化化合物半導体」という。）
は、青色光や紫外光の発光デバイスの材料として、また
高耐圧あるいは耐高温環境電子デバイスの材料として注
目されている。中村（S.Nakamura）他は、Jpn.J.Appl.P
hys.Vol.35,p.L74(1996)に、これらの化合物半導体を使
用した青色レーザー素子の作製について報告している。
図５はこのレーザー素子の断面図である。
【０００４】図５に示すように、中村らによるレーザー
素子は、Ｃ面（（０００１）面）を表面とするサファイ
ア基板５０１上に厚さ３０ｎｍの窒化ガリウムバッファ
層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加された厚さ３μｍの
ｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４と、ケイ素
が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ
層１０５と、ケイ素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型
窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５ｎｍのＩｎ0.2Ｇ
ａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ
障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層１０７と、マ
グネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２０ｎｍのｐ型Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウムが添加された
厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１０９と、マグネ
シウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加された厚さ０．
５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを順次積層した構
造である。そして、最上層の窒化ガリウム層１１１上
に、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電
極１１２を設け、ｎ型窒化ガリウム層１０３上に、チタ
ン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電
極１１３を設けている。レーザー素子のキャビティーミ
ラー面としては、反応性イオンエッチングによってエッ
チングした面を用いている。中村らによる青色レーザー
素子をはじめとして窒化ガリウムを用いた半導体レーザ
ー素子は、ほとんどがＣ面を表面とするサファイア基板
上に作製されている。
素子は、Ｃ面（（０００１）面）を表面とするサファイ
ア基板５０１上に厚さ３０ｎｍの窒化ガリウムバッファ
層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加された厚さ３μｍの
ｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４と、ケイ素
が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ
層１０５と、ケイ素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型
窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５ｎｍのＩｎ0.2Ｇ
ａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ
障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層１０７と、マ
グネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２０ｎｍのｐ型Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウムが添加された
厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１０９と、マグネ
シウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加された厚さ０．
５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを順次積層した構
造である。そして、最上層の窒化ガリウム層１１１上
に、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電
極１１２を設け、ｎ型窒化ガリウム層１０３上に、チタ
ン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電
極１１３を設けている。レーザー素子のキャビティーミ
ラー面としては、反応性イオンエッチングによってエッ
チングした面を用いている。中村らによる青色レーザー
素子をはじめとして窒化ガリウムを用いた半導体レーザ
ー素子は、ほとんどがＣ面を表面とするサファイア基板
上に作製されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のレーザー素子ではしきい値電流密度が高く、室温連続
発振の寿命が短く、実用化レベルには達していない。
のレーザー素子ではしきい値電流密度が高く、室温連続
発振の寿命が短く、実用化レベルには達していない。
【０００６】半導体レーザー素子のしきい値電流密度
は、活性層の半導体の価電子帯頂上付近の状態密度に大
きく依存する。窒化ガリウム系化合物半導体はスピン軌
道***エネルギーが非常に小さいために、価電子帯頂上
付近に３本ものバンドがあり、状態密度が大きく、これ
が窒化ガリウム系化合物半導体レーザーでしきい値電流
密度を高くする一因になっている。
は、活性層の半導体の価電子帯頂上付近の状態密度に大
きく依存する。窒化ガリウム系化合物半導体はスピン軌
道***エネルギーが非常に小さいために、価電子帯頂上
付近に３本ものバンドがあり、状態密度が大きく、これ
が窒化ガリウム系化合物半導体レーザーでしきい値電流
密度を高くする一因になっている。
【０００７】そこで本発明は、このような従来技術の有
する問題点に対処してなされたものであって、しきい値
電流密度の低い窒化化合物半導体レーザー素子を提供す
ることを目的としている。
する問題点に対処してなされたものであって、しきい値
電流密度の低い窒化化合物半導体レーザー素子を提供す
ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。
【０００９】第１の発明は、窒化ガリウム、窒化アルミ
ニウム及び窒化インジウムの中から選ばれた１種の層、
或いはこれらの中から選ばれた２種以上による混晶の層
からなる窒化化合物半導体層を少なくとも１層有する窒
化化合物半導体レーザー素子において、熱膨張係数に異
方性のある物質からなる基板であって、基板面内に熱膨
張係数の異方性が現れるような基板面方位を有する基板
（サファイアＭ面（（１，０，−１，０）面）基板を除
く）を用い、窒化化合物の結晶構造がウルツ鉱構造であ
り、そのｃ軸が基板面に垂直であることを特徴とする窒
化化合物半導体レーザー素子に関する。
ニウム及び窒化インジウムの中から選ばれた１種の層、
或いはこれらの中から選ばれた２種以上による混晶の層
からなる窒化化合物半導体層を少なくとも１層有する窒
化化合物半導体レーザー素子において、熱膨張係数に異
方性のある物質からなる基板であって、基板面内に熱膨
張係数の異方性が現れるような基板面方位を有する基板
（サファイアＭ面（（１，０，−１，０）面）基板を除
く）を用い、窒化化合物の結晶構造がウルツ鉱構造であ
り、そのｃ軸が基板面に垂直であることを特徴とする窒
化化合物半導体レーザー素子に関する。
【００１０】
【００１１】第２の発明は、サファイアからなる基板で
あって、基板面方位がＣ面（（０００１）面）以外の面
方位である基板を用いた第１の発明の窒化化合物半導体
レーザー素子に関する。
あって、基板面方位がＣ面（（０００１）面）以外の面
方位である基板を用いた第１の発明の窒化化合物半導体
レーザー素子に関する。
【００１２】
【００１３】第３の発明は、サファイアＲ面（（１，−
１，０，２）面）基板を用いた第１の発明の窒化化合物
半導体レーザー素子に関する。
１，０，２）面）基板を用いた第１の発明の窒化化合物
半導体レーザー素子に関する。
【００１４】第４の発明は、六方晶炭化ケイ素からなる
基板であって、基板面方位が（０００１）面以外の面方
位である基板を用いた第１の発明の窒化化合物半導体レ
ーザー素子に関する。
基板であって、基板面方位が（０００１）面以外の面方
位である基板を用いた第１の発明の窒化化合物半導体レ
ーザー素子に関する。
【００１５】第５の発明は、六方晶炭化ケイ素（１，−
１，０，０）面基板を用いた第１の発明の窒化化合物半
導体レーザー素子に関する。
１，０，０）面基板を用いた第１の発明の窒化化合物半
導体レーザー素子に関する。
【００１６】第６の発明は、六方晶炭化ケイ素（１，
１，−２，０）面基板を用いた第１の発明の窒化化合物
半導体レーザー素子に関する。
１，−２，０）面基板を用いた第１の発明の窒化化合物
半導体レーザー素子に関する。
【００１７】第７の発明は、６Ｈタイプ炭化ケイ素から
なる基板であって、基板面方位が（０００１）面以外の
面方位である基板を用いた第１の発明の窒化化合物半導
体レーザー素子に関する。
なる基板であって、基板面方位が（０００１）面以外の
面方位である基板を用いた第１の発明の窒化化合物半導
体レーザー素子に関する。
【００１８】第８の発明は、６Ｈタイプ炭化ケイ素
（１，−１，０，０）面基板を用いた第１の発明の窒化
化合物半導体レーザー素子に関する。
（１，−１，０，０）面基板を用いた第１の発明の窒化
化合物半導体レーザー素子に関する。
【００１９】第９の発明は、６Ｈタイプ炭化ケイ素
（１，１，−２，０）面基板を用いた第１の発明の窒化
化合物半導体レーザー素子に関する。
（１，１，−２，０）面基板を用いた第１の発明の窒化
化合物半導体レーザー素子に関する。
【００２０】
【発明の実施の形態】まず、本発明の窒化化合物半導体
レーザー素子が、しきい値電流密度の低いレーザー素子
となることを説明する。
レーザー素子が、しきい値電流密度の低いレーザー素子
となることを説明する。
【００２１】窒化化合物半導体を基板上に成長すると、
成長温度（通常は１０００℃程度）において安定な格子
定数をもつ結晶が成長する。その後、室温まで冷却する
際に、基板結晶もエピ成長した窒化化合物半導体結晶も
熱膨張係数の効果により収縮する。一般に、基板とエピ
成長層では熱膨張係数に差があるため、室温まで冷却し
た状態ではエピ成長層に歪みが入ることになる。このメ
カニズムによりレーザー素子の活性層に導入された歪み
は、活性層の窒化化合物半導体の価電子帯構造を変化さ
せるため、レーザー素子の特性にも変化を引き起こす。
成長温度（通常は１０００℃程度）において安定な格子
定数をもつ結晶が成長する。その後、室温まで冷却する
際に、基板結晶もエピ成長した窒化化合物半導体結晶も
熱膨張係数の効果により収縮する。一般に、基板とエピ
成長層では熱膨張係数に差があるため、室温まで冷却し
た状態ではエピ成長層に歪みが入ることになる。このメ
カニズムによりレーザー素子の活性層に導入された歪み
は、活性層の窒化化合物半導体の価電子帯構造を変化さ
せるため、レーザー素子の特性にも変化を引き起こす。
【００２２】半導体レーザー素子のしきい値電流密度を
低減するためには、価電子帯頂上付近にほとんど縮退し
ている２つのバンド（一般にＡバンド、Ｂバンドと呼ば
れる）を***させるように歪みを導入するのが最も効果
的であると考えられる。通常、窒化化合物半導体はウル
ツ鉱結晶構造をとり、そのｃ軸は基板面に垂直な方向を
向いている。従来作製されているサファイアＣ面基板上
の窒化ガリウム系化合物半導体レーザー素子の構造で
も、ｃ軸が基板に垂直な方向に向いたウルツ鉱構造の窒
化ガリウム系半導体が成長している。そのため、サファ
イアのａ軸方向の熱膨張係数と窒化ガリウム系化合物半
導体のａ軸方向の熱膨張係数の差により２軸性の応力に
よる歪みが導入されている。そして、この場合サファイ
アも工ピ層も基板面内に熱膨張係数の異方性がないた
め、活性層に導入される歪みはＣ面内の等方的な歪みと
なる。堂免 他が第４３回応用物理学会関係連合講演会
予稿集Ｎｏ．１，ｐ．３３６（１９９６）の中で報告し
ているように、Ｃ面内の等方的な歪みでは、価電子帯の
ＡバンドとＢバンドの***を大きくすることはほとんど
できない。ＡバンドとＢバンドの***を大きくして、レ
ーザー素子のしきい値電流密度を低減するためには、Ｃ
面内に異方的な歪みを活性層に導入することが必要であ
る。
低減するためには、価電子帯頂上付近にほとんど縮退し
ている２つのバンド（一般にＡバンド、Ｂバンドと呼ば
れる）を***させるように歪みを導入するのが最も効果
的であると考えられる。通常、窒化化合物半導体はウル
ツ鉱結晶構造をとり、そのｃ軸は基板面に垂直な方向を
向いている。従来作製されているサファイアＣ面基板上
の窒化ガリウム系化合物半導体レーザー素子の構造で
も、ｃ軸が基板に垂直な方向に向いたウルツ鉱構造の窒
化ガリウム系半導体が成長している。そのため、サファ
イアのａ軸方向の熱膨張係数と窒化ガリウム系化合物半
導体のａ軸方向の熱膨張係数の差により２軸性の応力に
よる歪みが導入されている。そして、この場合サファイ
アも工ピ層も基板面内に熱膨張係数の異方性がないた
め、活性層に導入される歪みはＣ面内の等方的な歪みと
なる。堂免 他が第４３回応用物理学会関係連合講演会
予稿集Ｎｏ．１，ｐ．３３６（１９９６）の中で報告し
ているように、Ｃ面内の等方的な歪みでは、価電子帯の
ＡバンドとＢバンドの***を大きくすることはほとんど
できない。ＡバンドとＢバンドの***を大きくして、レ
ーザー素子のしきい値電流密度を低減するためには、Ｃ
面内に異方的な歪みを活性層に導入することが必要であ
る。
【００２３】本発明の半導体レーザー素子、すなわち、
熱膨張係数に異方性のある物質からなる基板であって、
基板面内に熱膨張係数の異方性が現れるような基板面方
位を有する基板を用いたことを特徴とする窒化化合物半
導体レーザー素子では、成長後の冷却によって活性層を
構成するウルツ鉱構造の窒化化合物半導体のＣ面内に異
方的な歪みが導入されるため、価電子帯頂上付近のＡバ
ンドとＢバンドの***を大きくすることができ、レーザ
ー素子のしきい値電流密度を低減することができる。上
記基板の代表的な例としては、サファイアＭ面基板、サ
ファイアＲ面基板および六方晶炭化ケイ素の（１，−
１，０，０）基板、（１，１，−２，０）基板などが挙
げられる。
熱膨張係数に異方性のある物質からなる基板であって、
基板面内に熱膨張係数の異方性が現れるような基板面方
位を有する基板を用いたことを特徴とする窒化化合物半
導体レーザー素子では、成長後の冷却によって活性層を
構成するウルツ鉱構造の窒化化合物半導体のＣ面内に異
方的な歪みが導入されるため、価電子帯頂上付近のＡバ
ンドとＢバンドの***を大きくすることができ、レーザ
ー素子のしきい値電流密度を低減することができる。上
記基板の代表的な例としては、サファイアＭ面基板、サ
ファイアＲ面基板および六方晶炭化ケイ素の（１，−
１，０，０）基板、（１，１，−２，０）基板などが挙
げられる。
【００２４】以下、具体例を挙げて図面を参照して説明
する。
する。
【００２５】参考例 図１は、サファイアＭ面基板上に形成した参考例として
の窒化化合物半導体レーザー素子の概略断面図である。
図１において、レーザー素子は、サファイアＭ面を表面
とするサファイア基板１０１上に、厚さ３０ｎｍの窒化
ガリウムバッファ層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加さ
れた厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素
が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
１０４と、ケイ素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１０５と、ケイ素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５
ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸
層１０７と、マグネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２
０ｎｍのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウ
ムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１
０９と、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加
された厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを
順次積層した構造である。そして、これらの各層はｃ軸
が基板面に垂直に向くウルツ鉱構造の結晶からなる。さ
らに、最上層の窒化ガリウム層１１１上にはニッケル
（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電極１１２を設
け、ｎ型窒化ガリウム層１０３上にはチタン（Ｔｉ）と
アルミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電極１１３を設
けている。レーザー素子のキャビティーミラー面として
は、反応性イオンエッチングによってエッチングした面
を用いている。半導体結晶層１０２、１０３、１０４、
１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１
１１の形成は有機金属化学気相成長法によって行った。
の窒化化合物半導体レーザー素子の概略断面図である。
図１において、レーザー素子は、サファイアＭ面を表面
とするサファイア基板１０１上に、厚さ３０ｎｍの窒化
ガリウムバッファ層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加さ
れた厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素
が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
１０４と、ケイ素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１０５と、ケイ素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５
ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸
層１０７と、マグネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２
０ｎｍのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウ
ムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１
０９と、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加
された厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを
順次積層した構造である。そして、これらの各層はｃ軸
が基板面に垂直に向くウルツ鉱構造の結晶からなる。さ
らに、最上層の窒化ガリウム層１１１上にはニッケル
（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電極１１２を設
け、ｎ型窒化ガリウム層１０３上にはチタン（Ｔｉ）と
アルミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電極１１３を設
けている。レーザー素子のキャビティーミラー面として
は、反応性イオンエッチングによってエッチングした面
を用いている。半導体結晶層１０２、１０３、１０４、
１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１
１１の形成は有機金属化学気相成長法によって行った。
【００２６】
【００２７】上記の参考例は、図１に示される構造の半
導体層のみに限定されるものではなく、窒化インジウ
ム、窒化アルミニウム、窒化ガリウムの任意の組成の混
晶を成長層に含む場合にも適用される。
導体層のみに限定されるものではなく、窒化インジウ
ム、窒化アルミニウム、窒化ガリウムの任意の組成の混
晶を成長層に含む場合にも適用される。
【００２８】第１の実施の形態 図２は、サファイアＲ面基板上に形成した本発明の窒化
化合物半導体レーザー素子の概略断面図である。図２に
おいて、レーザー素子は、サファイアＲ面を表面とする
サファイア基板２０１上に、厚さ３０ｎｍの窒化ガリウ
ムバッファ層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加された厚
さ３μｍのｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素が添加
された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４
と、ケイ素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ｎ層１０５と、ケイ素が添加された厚さ０．１
μｍのｎ型窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５ｎｍの
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層１０
７と、マグネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２０ｎｍ
のｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウムが添
加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１０９
と、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加され
た厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを順次
積層した構造である。そして、これらの各層はｃ軸が基
板面に垂直に向くウルツ鉱構造の結晶からなる。さら
に、最上層の窒化ガリウム層１１１上にはニッケル（Ｎ
ｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電極１１２を設け、
ｎ型窒化ガリウム層１０３上にはチタン（Ｔｉ）とアル
ミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電極１１３を設けて
いる。レーザー素子のキャビティーミラー面としては、
反応性イオンエッチングによってエッチングした面を用
いている。半導体結晶層１０２、１０３、１０４、１０
５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１
の形成は有機金属化学気相成長法によって行った。
化合物半導体レーザー素子の概略断面図である。図２に
おいて、レーザー素子は、サファイアＲ面を表面とする
サファイア基板２０１上に、厚さ３０ｎｍの窒化ガリウ
ムバッファ層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加された厚
さ３μｍのｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素が添加
された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４
と、ケイ素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ｎ層１０５と、ケイ素が添加された厚さ０．１
μｍのｎ型窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５ｎｍの
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層１０
７と、マグネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２０ｎｍ
のｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウムが添
加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１０９
と、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加され
た厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを順次
積層した構造である。そして、これらの各層はｃ軸が基
板面に垂直に向くウルツ鉱構造の結晶からなる。さら
に、最上層の窒化ガリウム層１１１上にはニッケル（Ｎ
ｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電極１１２を設け、
ｎ型窒化ガリウム層１０３上にはチタン（Ｔｉ）とアル
ミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電極１１３を設けて
いる。レーザー素子のキャビティーミラー面としては、
反応性イオンエッチングによってエッチングした面を用
いている。半導体結晶層１０２、１０３、１０４、１０
５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１
の形成は有機金属化学気相成長法によって行った。
【００２９】このレーザー素子において、窒化化合物半
導体層はＣ面を表面とするウルツ鉱構造（六方晶）とな
った。７７Ｋでのレーザー素子の発振しきい値電流密度
は、従来のサファイアＣ面基板上に形成したレーザー素
子よりも低い値を示した。
導体層はＣ面を表面とするウルツ鉱構造（六方晶）とな
った。７７Ｋでのレーザー素子の発振しきい値電流密度
は、従来のサファイアＣ面基板上に形成したレーザー素
子よりも低い値を示した。
【００３０】第１の実施の形態は、図２に示される構造
の半導体層のみに限定されるものではなく、窒化インジ
ウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウムの任意の組成の
混晶を成長層に含む場合にも適用される。
の半導体層のみに限定されるものではなく、窒化インジ
ウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウムの任意の組成の
混晶を成長層に含む場合にも適用される。
【００３１】第２の実施の形態 図３は、６Ｈタイプ炭化ケイ素（１，−１，０，０）面
基板上に形成した本発明の窒化化合物半導体レーザー素
子の概略断面図である。図３において、レーザー素子
は、（１，−１，０，０）面を表面とする６Ｈタイプ炭
化ケイ素基板３０１上に、厚さ３０ｎｍの窒化ガリウム
バッファ層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加された厚さ
３μｍのｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素が添加さ
れた厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４
と、ケイ素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ｎ層１０５と、ケイ素が添加された厚さ０．１
μｍのｎ型窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５ｎｍの
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層１０
７と、マグネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２０ｎｍ
のｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウムが添
加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１０９
と、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加され
た厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを順次
積層した構造である。そして、これらの各層はｃ軸が基
板面に垂直に向くウルツ鉱構造の結晶からなる。さら
に、最上層の窒化ガリウム層１１１上にはニッケル（Ｎ
ｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電極１１２を設け、
ｎ型窒化ガリウム層１０３上にはチタン（Ｔｉ）とアル
ミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電極１１３を設けて
いる。レーザー素子のキャビティーミラー面としては、
反応性イオンエッチングによってエッチングした面を用
いている。半導体結晶層１０２、１０３、１０４、１０
５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１
の形成は有機金属化学気相成長法によって行った。
基板上に形成した本発明の窒化化合物半導体レーザー素
子の概略断面図である。図３において、レーザー素子
は、（１，−１，０，０）面を表面とする６Ｈタイプ炭
化ケイ素基板３０１上に、厚さ３０ｎｍの窒化ガリウム
バッファ層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加された厚さ
３μｍのｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素が添加さ
れた厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０４
と、ケイ素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ0.15
Ｇａ0.85Ｎ層１０５と、ケイ素が添加された厚さ０．１
μｍのｎ型窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５ｎｍの
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層１０
７と、マグネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２０ｎｍ
のｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウムが添
加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１０９
と、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加され
た厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを順次
積層した構造である。そして、これらの各層はｃ軸が基
板面に垂直に向くウルツ鉱構造の結晶からなる。さら
に、最上層の窒化ガリウム層１１１上にはニッケル（Ｎ
ｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電極１１２を設け、
ｎ型窒化ガリウム層１０３上にはチタン（Ｔｉ）とアル
ミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電極１１３を設けて
いる。レーザー素子のキャビティーミラー面としては、
反応性イオンエッチングによってエッチングした面を用
いている。半導体結晶層１０２、１０３、１０４、１０
５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１
の形成は有機金属化学気相成長法によって行った。
【００３２】このレーザー素子において、窒化化合物半
導体層はＣ面を表面とするウルツ鉱構造（六方晶）とな
った。７７Ｋでのレーザー素子の発振しきい値電流密度
は、従来のサファイアＣ面基板上に形成したレーザー素
子よりも低い値を示した。
導体層はＣ面を表面とするウルツ鉱構造（六方晶）とな
った。７７Ｋでのレーザー素子の発振しきい値電流密度
は、従来のサファイアＣ面基板上に形成したレーザー素
子よりも低い値を示した。
【００３３】第２の実施の形態は、図３に示される構造
の半導体層のみに限定されるものではなく、窒化インジ
ウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウムの任意の組成の
混晶を成長層に含む場合にも適用される。
の半導体層のみに限定されるものではなく、窒化インジ
ウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウムの任意の組成の
混晶を成長層に含む場合にも適用される。
【００３４】第３の実施の形態 図４は、６Ｈタイプ炭化ケイ素（１，１，−２，０）面
基板上に形成した本発明の窒化ガリウム系化合物半導体
レーザー素子の概略断面図である。図４において、レー
ザー素子は、（１，１，−２，０）面を表面とする６Ｈ
タイプ炭化ケイ素基板４０１上に、厚さ３０ｎｍの窒化
ガリウムバッファ層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加さ
れた厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素
が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
１０４と、ケイ素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１０５と、ケイ素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５
ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸
層１０７と、マグネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２
０ｎｍのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウ
ムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１
０９と、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加
された厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを
順次積層した構造である。そして、これらの各層はｃ軸
が基板面に垂直に向くウルツ鉱構造の結晶からなる。さ
らに、最上層の窒化ガリウム層１１１上にはニッケル
（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電極１１２を設
け、ｎ型窒化ガリウム層１０３上にはチタン（Ｔｉ）と
アルミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電極１１３を設
けている。レーザー素子のキャビティーミラー面として
は、反応性イオンエッチングによってエッチングした面
を用いている。半導体結晶層１０２、１０３、１０４、
１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１
１１の形成は有機金属化学気相成長法によって行った。
基板上に形成した本発明の窒化ガリウム系化合物半導体
レーザー素子の概略断面図である。図４において、レー
ザー素子は、（１，１，−２，０）面を表面とする６Ｈ
タイプ炭化ケイ素基板４０１上に、厚さ３０ｎｍの窒化
ガリウムバッファ層１０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加さ
れた厚さ３μｍのｎ型窒化ガリウム層１０３と、ケイ素
が添加された厚さ０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
１０４と、ケイ素が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１０５と、ケイ素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型窒化ガリウム層１０６と、厚さ２．５
ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸
層１０７と、マグネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２
０ｎｍのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１０８と、マグネシウ
ムが添加された厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層１
０９と、マグネシウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層１１０と、マグネシウムが添加
された厚さ０．５μｍのｐ型窒化ガリウム層１１１とを
順次積層した構造である。そして、これらの各層はｃ軸
が基板面に垂直に向くウルツ鉱構造の結晶からなる。さ
らに、最上層の窒化ガリウム層１１１上にはニッケル
（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電極１１２を設
け、ｎ型窒化ガリウム層１０３上にはチタン（Ｔｉ）と
アルミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電極１１３を設
けている。レーザー素子のキャビティーミラー面として
は、反応性イオンエッチングによってエッチングした面
を用いている。半導体結晶層１０２、１０３、１０４、
１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１
１１の形成は有機金属化学気相成長法によって行った。
【００３５】このレーザー素子において、窒化化合物半
導体層はＣ面を表面とするウルツ鉱構造（六方晶）とな
った。７７Ｋでのレーザー素子の発振しきい値電流密度
は、従来のサファイアＣ面基板上に形成したレーザー素
子よりも低い値を示した。
導体層はＣ面を表面とするウルツ鉱構造（六方晶）とな
った。７７Ｋでのレーザー素子の発振しきい値電流密度
は、従来のサファイアＣ面基板上に形成したレーザー素
子よりも低い値を示した。
【００３６】第３の実施の形態は、図４に示される構造
の半導体層のみに限定されるものではなく、窒化インジ
ウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウムの任意の組成の
混晶を成長層に含む場合にも適用される。
の半導体層のみに限定されるものではなく、窒化インジ
ウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウムの任意の組成の
混晶を成長層に含む場合にも適用される。
【００３７】その他の実施の形態 上述の４つの実施の形態は、Ｍ面またはＲ面を表面とす
るサファイア基板、及び（１，−１，０，０）面または
（１，１，−２，０）面を表面とする６Ｈタイプ炭化ケ
イ素基板のみに限定されるものではなく、基板面内に熱
膨張係数の異方性がある基板で窒化化合物半導体を成長
できるという条件を満たすすべての基板に適用される。
るサファイア基板、及び（１，−１，０，０）面または
（１，１，−２，０）面を表面とする６Ｈタイプ炭化ケ
イ素基板のみに限定されるものではなく、基板面内に熱
膨張係数の異方性がある基板で窒化化合物半導体を成長
できるという条件を満たすすべての基板に適用される。
【００３８】たとえば、基板面方位がＣ面以外の任意の
面方位であるサファイア基板や、基板面方位が（０００
１）面以外の任意の面方位である６Ｈタイプ、２Ｈタイ
プ、４Ｈタイプ等の六方晶炭化ケイ素基板上のレーザー
素子においても、活性層の窒化化合物半導体のＣ面内に
異方的な歪みが入るために、価電子帯の状態密度が低減
され、発振しきい値電流密度が下がる。
面方位であるサファイア基板や、基板面方位が（０００
１）面以外の任意の面方位である６Ｈタイプ、２Ｈタイ
プ、４Ｈタイプ等の六方晶炭化ケイ素基板上のレーザー
素子においても、活性層の窒化化合物半導体のＣ面内に
異方的な歪みが入るために、価電子帯の状態密度が低減
され、発振しきい値電流密度が下がる。
【００３９】また、上述の４つの実施の形態では、ｃ軸
が基板面に垂直な方向を向く窒化化合物を有している
が、ｃ軸が基板面に対して垂直でない方向を向いていて
も、基板面内の熱膨張係数の異方性は、窒化化合物のｃ
面内に異方的な歪みを作るので、発振しきい値電流密度
を下げる効果は同様に期待できる。
が基板面に垂直な方向を向く窒化化合物を有している
が、ｃ軸が基板面に対して垂直でない方向を向いていて
も、基板面内の熱膨張係数の異方性は、窒化化合物のｃ
面内に異方的な歪みを作るので、発振しきい値電流密度
を下げる効果は同様に期待できる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化化合
物半導体レーザー素子は、基板面内に熱膨張係数の異方
性のある基板を用いることにより、しきい値電流密度を
低減できる。これによって、室温連続発振が容易となっ
たり、消費電力や発熱が低減できたりする等、種々の素
子特性が向上する。
物半導体レーザー素子は、基板面内に熱膨張係数の異方
性のある基板を用いることにより、しきい値電流密度を
低減できる。これによって、室温連続発振が容易となっ
たり、消費電力や発熱が低減できたりする等、種々の素
子特性が向上する。
【図１】サファイアＭ面基板上に形成した参考例の窒化
化合物半導体レーザー素子の概略断面図である。
化合物半導体レーザー素子の概略断面図である。
【図２】サファイアＲ面基板上に形成した本発明の窒化
化合物半導体レーザー素子の概略断面図である。
化合物半導体レーザー素子の概略断面図である。
【図３】６Ｈタイプ炭化ケイ素（１，−１，０，０）面
基板上に形成した本発明の窒化化合物半導体レーザー素
子の概略断面図である。
基板上に形成した本発明の窒化化合物半導体レーザー素
子の概略断面図である。
【図４】６Ｈタイプ炭化ケイ素（１，１，−２，０）面
基板上に形成した本発明の窒化化合物半導体レーザー素
子の概略断面図である。
基板上に形成した本発明の窒化化合物半導体レーザー素
子の概略断面図である。
【図５】従来技術によってサファイアＣ面基板上に作製
したレーザー素子の断面の概略図
したレーザー素子の断面の概略図
１０１ Ｍ面を表面とするサファイア基板 １０２ 窒化ガリウムバッファ層 １０３ ケイ素が添加されたｎ型窒化ガリウム層 １０４ ケイ素が添加されたｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層 １０５ ケイ素が添加されたＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層 １０６ ケイ素が添加されたｎ型窒化ガリウム層 １０７ Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層とＩｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層 １０８ マグネシウムが添加されたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8
Ｎ層 １０９ マグネシウムが添加されたｐ型窒化ガリウム層 １１０ マグネシウムが添加されたのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ｎ層 １１１ マグネシウムが添加されたのｐ型窒化ガリウム
層 １１２ ニッケルと金の２層からなるｐ電極 １１３ チタンとアルミニウムの２層からなるｎ電極 ２０１ Ｒ面を表面とするサファイア基板 ３０１ （１，−１，０，０）面を表面とする６Ｈタイ
プ炭化ケイ素基板 ４０１ （１，１，−２，０）面を表面とする６Ｈタイ
プ炭化ケイ素基板 ５０１ Ｃ面を表面とするサファイア基板
0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層 １０８ マグネシウムが添加されたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8
Ｎ層 １０９ マグネシウムが添加されたｐ型窒化ガリウム層 １１０ マグネシウムが添加されたのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ｎ層 １１１ マグネシウムが添加されたのｐ型窒化ガリウム
層 １１２ ニッケルと金の２層からなるｐ電極 １１３ チタンとアルミニウムの２層からなるｎ電極 ２０１ Ｒ面を表面とするサファイア基板 ３０１ （１，−１，０，０）面を表面とする６Ｈタイ
プ炭化ケイ素基板 ４０１ （１，１，−２，０）面を表面とする６Ｈタイ
プ炭化ケイ素基板 ５０１ Ｃ面を表面とするサファイア基板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00
Claims (9)
- 【請求項１】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒
化インジウムの中から選ばれた１種の層、或いはこれら
の中から選ばれた２種以上による混晶の層からなる窒化
化合物半導体層を少なくとも１層有する窒化化合物半導
体レーザー素子において、 熱膨張係数に異方性のある物質からなる基板であって、
基板面内に熱膨張係数の異方性が現れるような基板面方
位を有する基板（サファイアＭ面（（１，０，−１，
０）面）基板を除く）を用い、 窒化化合物の結晶構造がウルツ鉱構造であり、そのｃ軸
が基板面に垂直であることを特徴とする窒化化合物半導
体レーザー素子。 - 【請求項２】 サファイアからなる基板であって、基板
面方位がＣ面（（０００１）面）以外の面方位である基
板を用いた請求項１記載の窒化化合物半導体レーザー素
子。 - 【請求項３】 サファイアＲ面（（１，−１，０，２）
面）基板を用いた請求項１記載の窒化化合物半導体レー
ザー素子。 - 【請求項４】 六方晶炭化ケイ素からなる基板であっ
て、基板面方位が（０００１）面以外の面方位である基
板を用いた請求項１記載の窒化化合物半導体レーザー素
子。 - 【請求項５】 六方晶炭化ケイ素（１，−１，０，０）
面基板を用いた請求項１記載の窒化化合物半導体レーザ
ー素子。 - 【請求項６】 六方晶炭化ケイ素（１，１，−２，０）
面基板を用いた請求項１記載の窒化化合物半導体レーザ
ー素子。 - 【請求項７】 ６Ｈタイプ炭化ケイ素からなる基板であ
って、基板面方位が（０００１）面以外の面方位である
基板を用いた請求項１記載の窒化化合物半導体レーザー
素子。 - 【請求項８】 ６Ｈタイプ炭化ケイ素（１，−１，０，
０）面基板を用いた請求項１記載の窒化化合物半導体レ
ーザー素子。 - 【請求項９】 ６Ｈタイプ炭化ケイ素（１，１，−２，
０）面基板を用いた請求項１記載の窒化化合物半導体レ
ーザー素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34783696A JP3120744B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 窒化化合物半導体レーザー素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34783696A JP3120744B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 窒化化合物半導体レーザー素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190146A JPH10190146A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3120744B2 true JP3120744B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=18392940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34783696A Expired - Lifetime JP3120744B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 窒化化合物半導体レーザー素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120744B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4548117B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-09-22 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子の製造方法、集積型半導体発光装置の製造方法、画像表示装置の製造方法および照明装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34783696A patent/JP3120744B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９９６年（平成８年）春季第４３回応用物理学関係連合講演会予稿集 第３分冊 ２６ａ−ＺＢ−９ ｐ．１９０ |
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|---|---|
| JPH10190146A (ja) | 1998-07-21 |
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