JP3120216B2 - 酸化タンタル膜気相成長用材料 - Google Patents
酸化タンタル膜気相成長用材料Info
- Publication number
- JP3120216B2 JP3120216B2 JP08218781A JP21878196A JP3120216B2 JP 3120216 B2 JP3120216 B2 JP 3120216B2 JP 08218781 A JP08218781 A JP 08218781A JP 21878196 A JP21878196 A JP 21878196A JP 3120216 B2 JP3120216 B2 JP 3120216B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- oxide film
- phase growth
- tantalum oxide
- alkoxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路装置等の製造に
用いられる高純度タンタルアルコキシドからなる酸化タ
ンタル膜気相成長用材料及びこれを用いた気相成長法に
関する。
用いられる高純度タンタルアルコキシドからなる酸化タ
ンタル膜気相成長用材料及びこれを用いた気相成長法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】タンタル化合物は集積回路装置のキャパ
シタ等を形成するために用いられている。例えば、タン
タルアルコキシド又は塩化タンタルを酸素又はオゾン
と、或いは塩化タンタルを亜酸化窒素と混合して、熱Ｃ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法さらにはプラズマ化学反応法等によ
り基板上にタンタルの酸化膜を気相成長させることが提
案されている（例えば、特開平２−１２８４６０号公
報、特開平２−２５０９７０号公報）。
シタ等を形成するために用いられている。例えば、タン
タルアルコキシド又は塩化タンタルを酸素又はオゾン
と、或いは塩化タンタルを亜酸化窒素と混合して、熱Ｃ
ＶＤ法、光ＣＶＤ法さらにはプラズマ化学反応法等によ
り基板上にタンタルの酸化膜を気相成長させることが提
案されている（例えば、特開平２−１２８４６０号公
報、特開平２−２５０９７０号公報）。
【０００３】かかる方法において、タンタルアルコキシ
ドは酸素やオゾンの存在下で熱ＣＶＤや光ＣＶＤ等の方
法により比較的簡便に基板上に酸化膜を形成でき、特に
注目されている。ところで、上記タンタルアルコキシド
は、次の式に示したように塩化タンタルとアルコールと
を反応させ、ついでアンモニアガスにより脱塩素を行う
方法で調製される（次式中、Ｒはアルキル基を示す）。
ドは酸素やオゾンの存在下で熱ＣＶＤや光ＣＶＤ等の方
法により比較的簡便に基板上に酸化膜を形成でき、特に
注目されている。ところで、上記タンタルアルコキシド
は、次の式に示したように塩化タンタルとアルコールと
を反応させ、ついでアンモニアガスにより脱塩素を行う
方法で調製される（次式中、Ｒはアルキル基を示す）。
【０００４】 ＴａＣｌ5＋３ＲＯＨ→ＴａＣｌ2（ＯＲ）3＋３ＨＣｌ （Ｉ） ＴａＣｌ2（ＯＲ）3＋２ＮＨ3＋２ＲＯＨ→ Ｔａ（ＯＲ）5＋２ＮＨ4Ｃｌ （II） しかし、このような方法で得たタンタルアルコキシド中
には微量の塩素元素が残存し、これがタンタルの酸化膜
を形成したときに多数のパーティクルを生じ、酸化膜の
平滑性を劣化せしめ、後工程における微細加工を困難に
させることが判明した。
には微量の塩素元素が残存し、これがタンタルの酸化膜
を形成したときに多数のパーティクルを生じ、酸化膜の
平滑性を劣化せしめ、後工程における微細加工を困難に
させることが判明した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記課題を解
決するもので、本発明の目的はパーティクルの発生が少
なくて、平滑性に優れ、後工程での微細加工に支障のな
いタンタル酸化膜を形成できる高純度タンタルアルコキ
シドからなる酸化タンタル膜気相成長用材料及びこれを
用いた気相成長法を提供することにある。
決するもので、本発明の目的はパーティクルの発生が少
なくて、平滑性に優れ、後工程での微細加工に支障のな
いタンタル酸化膜を形成できる高純度タンタルアルコキ
シドからなる酸化タンタル膜気相成長用材料及びこれを
用いた気相成長法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、塩素元素を１
０ｐｐｍ以下にした高純度タンタルアルコキシドからな
る酸化タンタル膜気相成長用材料、及び前記高純度タン
タルアルコキシドを用いて基板表面上に酸化タンタル膜
を形成することからなる気相成長法である。
０ｐｐｍ以下にした高純度タンタルアルコキシドからな
る酸化タンタル膜気相成長用材料、及び前記高純度タン
タルアルコキシドを用いて基板表面上に酸化タンタル膜
を形成することからなる気相成長法である。
【０００７】上記本発明の酸化タンタル膜気相成長用材
料である高純度タンタルアルコキシドを得るための精製
方法は、塩素元素を含有するタンタルアルコキシドであ
ればどのようなものでも適用できるが、特には前述した
ように塩化タンタルとアルコールとを反応させ、次いで
アンモニアガスにより脱塩素する方法で調製されたもの
が好適である。なお、この発明では上記塩素元素は塩化
物、塩素イオン或いは遊離の塩素いずれの形態で存在し
ていても特に支障とならず除去できる。塩素元素を除去
するための金属水素化物及び金属水素錯化合物として
は、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カルシ
ウム、水素化リチウムアルミニウム、ナトリウム水素化
ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウム、ジイソブ
チルアルミニウムハイドライド、アルミニウムハイドラ
イド、ナトリウムボロハイドライド、リチウムボロハイ
ドライド等を例示できるが、特には水素化リチウム、水
素化ナトリウム、水素化カルシウム、ナトリウム水素化
ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウム等が簡便で
あり好ましい。この金属水素化物及び金属水素錯化合物
の使用量はタンタルアルコキシド中に含まれる塩素元素
の量にもよるが、一般に塩素元素の５〜３０倍モルの範
囲で適宜選定して用いると良い。
料である高純度タンタルアルコキシドを得るための精製
方法は、塩素元素を含有するタンタルアルコキシドであ
ればどのようなものでも適用できるが、特には前述した
ように塩化タンタルとアルコールとを反応させ、次いで
アンモニアガスにより脱塩素する方法で調製されたもの
が好適である。なお、この発明では上記塩素元素は塩化
物、塩素イオン或いは遊離の塩素いずれの形態で存在し
ていても特に支障とならず除去できる。塩素元素を除去
するための金属水素化物及び金属水素錯化合物として
は、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カルシ
ウム、水素化リチウムアルミニウム、ナトリウム水素化
ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウム、ジイソブ
チルアルミニウムハイドライド、アルミニウムハイドラ
イド、ナトリウムボロハイドライド、リチウムボロハイ
ドライド等を例示できるが、特には水素化リチウム、水
素化ナトリウム、水素化カルシウム、ナトリウム水素化
ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウム等が簡便で
あり好ましい。この金属水素化物及び金属水素錯化合物
の使用量はタンタルアルコキシド中に含まれる塩素元素
の量にもよるが、一般に塩素元素の５〜３０倍モルの範
囲で適宜選定して用いると良い。
【０００８】このタンタルアルコキシドの金属水素化物
または金属水素錯化合物での処理は、タンタルアルコキ
シドに上記金属水素化物または金属水素錯化合物を添加
し、撹拌混合することにより行うと良い。この場合、タ
ンタルアルコキシド或いは金属水素化物または金属水素
錯化合物はそのまま用いることが簡便で好ましいが、こ
れらはベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン等の有
機溶剤に５０〜７０％の濃度に溶解して用いても良い。
または金属水素錯化合物での処理は、タンタルアルコキ
シドに上記金属水素化物または金属水素錯化合物を添加
し、撹拌混合することにより行うと良い。この場合、タ
ンタルアルコキシド或いは金属水素化物または金属水素
錯化合物はそのまま用いることが簡便で好ましいが、こ
れらはベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン等の有
機溶剤に５０〜７０％の濃度に溶解して用いても良い。
【０００９】この金属水素化物または金属水素錯化合物
による処理により、塩素元素は好ましくは１０ｐｐｍ以
下とする。すなわち、これはタンタルアルコキシド中に
含まれている塩化物、塩素イオン或いは遊離塩素等が塩
素元素として１０ｐｐｍ以下含有することを意味する。
この塩素元素を１０ｐｐｍ以下とすると、熱ＣＶＤ法や
光ＣＶＤ法等の気相成長法によりタンタルの酸化膜を形
成した場合、当該酸化膜上へのパーティクル発生を抑制
でき、微細なデバイス形成加工において支障ない鏡面と
することができる。
による処理により、塩素元素は好ましくは１０ｐｐｍ以
下とする。すなわち、これはタンタルアルコキシド中に
含まれている塩化物、塩素イオン或いは遊離塩素等が塩
素元素として１０ｐｐｍ以下含有することを意味する。
この塩素元素を１０ｐｐｍ以下とすると、熱ＣＶＤ法や
光ＣＶＤ法等の気相成長法によりタンタルの酸化膜を形
成した場合、当該酸化膜上へのパーティクル発生を抑制
でき、微細なデバイス形成加工において支障ない鏡面と
することができる。
【００１０】本発明においては、気相成長法により塩素
元素を１０ｐｐｍ以下とした高純度タンタルアルコキシ
ドを用いて基板面にタンタル酸化膜を形成するが、この
気相成長法自体は、従来の気相成長法をそのまま使用で
き、例えば、上記高純度タンタルアルコキシドを酸素、
オゾン或いはこれらを含むアルゴン等の不活性ガスの雰
囲気下に接触させ、熱或いは紫外線等の光により酸化分
解し、シリコン等からなる基板上に酸化タンタル膜を形
成させる。なお、本発明に用いるタンタルアルコキシド
のアルコキシ基としては、特には制限はないが、メトキ
シ、エトキシ、ｉｓｏ−プロポキシ基等が酸化膜形成が
容易であることから特に好ましい。
元素を１０ｐｐｍ以下とした高純度タンタルアルコキシ
ドを用いて基板面にタンタル酸化膜を形成するが、この
気相成長法自体は、従来の気相成長法をそのまま使用で
き、例えば、上記高純度タンタルアルコキシドを酸素、
オゾン或いはこれらを含むアルゴン等の不活性ガスの雰
囲気下に接触させ、熱或いは紫外線等の光により酸化分
解し、シリコン等からなる基板上に酸化タンタル膜を形
成させる。なお、本発明に用いるタンタルアルコキシド
のアルコキシ基としては、特には制限はないが、メトキ
シ、エトキシ、ｉｓｏ−プロポキシ基等が酸化膜形成が
容易であることから特に好ましい。
【００１１】
参考例 塩化タンタル（ＴａＣｌ5）１００ｇをトルエン７００
ｍｌに分散させ、窒素ガス雰囲気下に、アンモニアガス
を５００ｍｌ／ｍｉｎの流量で吹き込みながら、エタノ
ール２４０ｍｌを滴下した。次いで生成した塩化アンモ
ニウムを濾別し、５０℃に加熱して、再度アンモニアガ
スを５００ｍｌ／ｍｉｎの流量で７時間吹き込んだ。生
成した塩化アンモニウムを濾別し、濾液からトルエン及
びエタノールを留去し、次いでこれを減圧蒸留（１４０
℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）し、ペンタエトキシタン
タル９３ｇを得た。この中には塩素元素として３００ｐ
ｐｍが混入していた。
ｍｌに分散させ、窒素ガス雰囲気下に、アンモニアガス
を５００ｍｌ／ｍｉｎの流量で吹き込みながら、エタノ
ール２４０ｍｌを滴下した。次いで生成した塩化アンモ
ニウムを濾別し、５０℃に加熱して、再度アンモニアガ
スを５００ｍｌ／ｍｉｎの流量で７時間吹き込んだ。生
成した塩化アンモニウムを濾別し、濾液からトルエン及
びエタノールを留去し、次いでこれを減圧蒸留（１４０
℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）し、ペンタエトキシタン
タル９３ｇを得た。この中には塩素元素として３００ｐ
ｐｍが混入していた。
【００１２】高純度タンタルアルコキシドの製造例１ 上記参考例で得られたペンタエトキシタンタル２０ｇに
水素化リチウム０．０４ｇを添加し、１５０℃の温度で
７時間撹拌した。次いでエタノールを０．３ｍｌ添加し
て、７５℃に加熱し、３時間撹拌した後、１００℃に昇
温して、エタノールを留去した。次いで減圧蒸留（１４
０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）によりペンタエトキシ
タンタル１３ｇを回収した。このペンタエトキシタンタ
ル中の塩素元素としては１ｐｐｍ以下であった。
水素化リチウム０．０４ｇを添加し、１５０℃の温度で
７時間撹拌した。次いでエタノールを０．３ｍｌ添加し
て、７５℃に加熱し、３時間撹拌した後、１００℃に昇
温して、エタノールを留去した。次いで減圧蒸留（１４
０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）によりペンタエトキシ
タンタル１３ｇを回収した。このペンタエトキシタンタ
ル中の塩素元素としては１ｐｐｍ以下であった。
【００１３】高純度タンタルアルコキシドの製造例２ 上記参考例で得られたペンタエトキシタンタル２３ｇに
水素化カルシウム０．４ｇを添加し、１２０℃の温度
で、５時間撹拌した。次いでエタノールを１．１ｍｌ添
加して、６５℃に加熱し、５時間撹拌した後、１００℃
に昇温して、エタノールを留去した。次いで減圧蒸留
（１４０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）によりペンタエ
トキシタンタル１５．４ｇを回収した。このペンタエト
キシタンタル中の塩素元素としては５．５ｐｐｍであっ
た。
水素化カルシウム０．４ｇを添加し、１２０℃の温度
で、５時間撹拌した。次いでエタノールを１．１ｍｌ添
加して、６５℃に加熱し、５時間撹拌した後、１００℃
に昇温して、エタノールを留去した。次いで減圧蒸留
（１４０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）によりペンタエ
トキシタンタル１５．４ｇを回収した。このペンタエト
キシタンタル中の塩素元素としては５．５ｐｐｍであっ
た。
【００１４】高純度タンタルアルコキシドの製造例３ 上記参考例で得られたペンタエトキシタンタル２３．４
ｇに水素化ナトリウム０．４ｇを添加し、１５０℃の温
度で、５時間撹拌した。次いでエタノールを２．０ｍｌ
添加して。６５℃に加熱し、５時間撹拌した後、１００
℃に昇温して、エタノールを留去した。次いで減圧蒸留
（１４０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）によりペンタエ
トキシタンタル１１．３ｇを回収した。このペンタエト
キシタンタル中の塩素元素としては１ｐｐｍ以下であっ
た。
ｇに水素化ナトリウム０．４ｇを添加し、１５０℃の温
度で、５時間撹拌した。次いでエタノールを２．０ｍｌ
添加して。６５℃に加熱し、５時間撹拌した後、１００
℃に昇温して、エタノールを留去した。次いで減圧蒸留
（１４０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）によりペンタエ
トキシタンタル１１．３ｇを回収した。このペンタエト
キシタンタル中の塩素元素としては１ｐｐｍ以下であっ
た。
【００１５】高純度タンタルアルコキシドの製造例４ 上記参考例で得られたペンタエトキシタンタル１６．５
ｇにナトリウム水素化ビス（２−メトキシエトキシ）ア
ルミニウム１．２ｍｌを添加し、１１０℃の温度で、
５．５時間撹拌した。そのまま常圧蒸留し引き続き減圧
蒸留（１４０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）して、ペン
タエトキシタンタル１０．５ｇを回収した。このペンタ
エトキシタンタル中の塩素元素としては１ｐｐｍ以下で
あった。
ｇにナトリウム水素化ビス（２−メトキシエトキシ）ア
ルミニウム１．２ｍｌを添加し、１１０℃の温度で、
５．５時間撹拌した。そのまま常圧蒸留し引き続き減圧
蒸留（１４０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）して、ペン
タエトキシタンタル１０．５ｇを回収した。このペンタ
エトキシタンタル中の塩素元素としては１ｐｐｍ以下で
あった。
【００１６】高純度タンタルアルコキシドの製造例５ 上記参考例で得られたペンタエトキシタンタル２５．３
ｇに水素化リチウムアルミニウム０．４ｇを添加し、９
５℃の温度で、５時間撹拌した。次いでエタノーを１．
２ｍｌ添加して、７０℃に加熱し、３時間撹拌した後、
１００℃に昇温して、エタノールを留去した。次いで減
圧蒸留（１４０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）によりペ
ンタエトキシタンタル１６．０ｇを回収した。このペン
タエトキシタンタル中の塩素元素としては５．６ｐｐｍ
であった。
ｇに水素化リチウムアルミニウム０．４ｇを添加し、９
５℃の温度で、５時間撹拌した。次いでエタノーを１．
２ｍｌ添加して、７０℃に加熱し、３時間撹拌した後、
１００℃に昇温して、エタノールを留去した。次いで減
圧蒸留（１４０℃、０．２〜０．４ｍｍＨｇ）によりペ
ンタエトキシタンタル１６．０ｇを回収した。このペン
タエトキシタンタル中の塩素元素としては５．６ｐｐｍ
であった。
【００１７】実施例 窒素と酸素との混合ガス（窒素：０．８リットル／ｍｉ
ｎ、酸素：０．５リットル／ｍｉｎ）気流中で、基板温
度４２０℃、Ｔａ2Ｏ5膜の生成速度約１０Å／ｍｉｎの
条件下に熱ＣＶＤ法により、上記高純度タンタルアルコ
キシドの製造例１で得たペンタエトキシタンタルを用い
てシリコン基板上にタンタルの酸化膜（１００Å）を形
成した。得られた酸化膜にはパーティクルが０．０５個
／ｃｍ2以下であった。一方、参考例で得られた塩素元
素として３００ｐｐｍを含有するペンタエトキシタンタ
ルを用いて、同様の方法で酸化膜を形成した結果、この
酸化膜にはパーティクルが１０個／ｍｍ2であった。
ｎ、酸素：０．５リットル／ｍｉｎ）気流中で、基板温
度４２０℃、Ｔａ2Ｏ5膜の生成速度約１０Å／ｍｉｎの
条件下に熱ＣＶＤ法により、上記高純度タンタルアルコ
キシドの製造例１で得たペンタエトキシタンタルを用い
てシリコン基板上にタンタルの酸化膜（１００Å）を形
成した。得られた酸化膜にはパーティクルが０．０５個
／ｃｍ2以下であった。一方、参考例で得られた塩素元
素として３００ｐｐｍを含有するペンタエトキシタンタ
ルを用いて、同様の方法で酸化膜を形成した結果、この
酸化膜にはパーティクルが１０個／ｍｍ2であった。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により酸化
タンタル膜気相成長用材料として、タンタルアルコキシ
ド中の微量の塩素元素をさらに低減させ、塩素元素を１
０ｐｐｍ以下とした高純度タンタルアルコキシドを用い
ることによりパーティクルの発生が少なくて平滑性に優
れ、後工程での微細加工に支障のないタンタル酸化膜を
形成でき、集積回路装置等を製造するために極めて有用
である。
タンタル膜気相成長用材料として、タンタルアルコキシ
ド中の微量の塩素元素をさらに低減させ、塩素元素を１
０ｐｐｍ以下とした高純度タンタルアルコキシドを用い
ることによりパーティクルの発生が少なくて平滑性に優
れ、後工程での微細加工に支障のないタンタル酸化膜を
形成でき、集積回路装置等を製造するために極めて有用
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/822 (72)発明者 中村 紘一 埼玉県戸田市新曽南三丁目17番35号 株 式会社ジャパンエナジー内
Claims (2)
- 【請求項１】 塩素元素を１０ｐｐｍ以下にした高純度
タンタルアルコキシドからなる酸化タンタル膜気相成長
用材料。 - 【請求項２】 塩素元素を１０ｐｐｍ以下にした高純度
タンタルアルコキシドを用いて基板表面上に酸化タンタ
ル膜を形成することを特徴とする気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08218781A JP3120216B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 酸化タンタル膜気相成長用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08218781A JP3120216B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 酸化タンタル膜気相成長用材料 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3334468A Division JP2599855B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | タンタルアルコキシドの精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09121027A JPH09121027A (ja) | 1997-05-06 |
| JP3120216B2 true JP3120216B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=16725284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08218781A Expired - Fee Related JP3120216B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 酸化タンタル膜気相成長用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120216B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4949960B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-06-13 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 酸化タンタルの製造方法 |
-
1996
- 1996-08-20 JP JP08218781A patent/JP3120216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09121027A (ja) | 1997-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6620956B2 (en) | Nitrogen analogs of copper II β-diketonates as source reagents for semiconductor processing | |
| JP2001504159A (ja) | 白金の化学蒸着のための白金ソース組成物 | |
| JP2005051192A5 (ja) | ||
| TW412519B (en) | Anhydrous mononuclear tris(beta-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same | |
| JPH06330326A (ja) | シリカ薄膜の製造方法 | |
| WO2024109453A1 (zh) | 一种烷氧基硅烷组合物的纯化方法 | |
| US10570514B2 (en) | Process for the generation of metallic films | |
| JP3120216B2 (ja) | 酸化タンタル膜気相成長用材料 | |
| JP2599855B2 (ja) | タンタルアルコキシドの精製方法 | |
| KR100298125B1 (ko) | 구리의 화학 증착에 유용한 유기 구리 전구체 | |
| KR102462376B1 (ko) | 몰리브덴 옥시할라이드 및 이의 제조방법. | |
| JP2003321416A (ja) | Ｃｖｄ用原料化合物及びイリジウム又はイリジウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 | |
| JP2575562B2 (ja) | タンタルアルコキシドの精製方法 | |
| JPH0940683A (ja) | 高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物 | |
| US5593727A (en) | Production of films of SiO2 by chemical vapor deposition | |
| JP4107924B2 (ja) | 薄膜の製造方法及びこれに用いられる化学気相成長用原料組成物 | |
| JPH1036299A (ja) | 金属アルコキシドの精製方法 | |
| JP3079814B2 (ja) | 銅膜形成用材料 | |
| JP3379315B2 (ja) | 有機金属化学蒸着による白金薄膜形成用原料 | |
| JP2606058B2 (ja) | 金薄膜の形成方法 | |
| WO2010032673A1 (ja) | ニッケル含有膜形成材料およびニッケル含有膜の製造方法 | |
| KR100704464B1 (ko) | 구리 아미노알콕사이드 화합물, 이의 합성 방법 및 이를이용한 구리 박막의 형성 방법 | |
| JP2526769B2 (ja) | 有機金錯体およびこれを用いた金薄膜の製造方法 | |
| JP2005197675A (ja) | ハフニウム含有膜形成材料及び該材料から作製されたハフニウム含有膜 | |
| WO2003004721A1 (fr) | Matiere de charge pour le depot chimique en phase vapeur et procede de production de ceramique a partir de cette derniere |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |