JP3117250B2 - Ion implanter with ion beam monitor - Google Patents
Ion implanter with ion beam monitorInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ビームモニタ装置付
きイオン注入装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implanter with a beam monitor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のビームモニタ装置付きイオン注入
装置は図１０に示されており、同図において、イオンビ
ームを絞るＱレンズ１の前方にはイオンビームをＹ軸方
向に偏向するＹ軸偏向電極２が設けられ、そのＹ軸偏向
電極２の前方にはイオンビームをＸ軸方向に偏向するＸ
軸偏向電極３が設けられている。Ｘ軸偏向電極３の前方
にはマスク４が配置され、そのマスク４の前方にはファ
ラデーゲージ５が配置されている。ファラデーゲージ５
の入口にはフラグメイン６とフラグセンター７とが配置
され、ファラデーゲージ５内にはウェーハ８が配置され
ている。図中、９はＹ軸偏向電極２にＹ軸偏向電圧を印
加するＹ軸偏向電源、１０はＸ軸偏向電極３にＸ軸偏向
電圧を印加するＸ軸偏向電源、１１はＹ軸偏向電源９と
Ｘ軸偏向電源１０とに三角波信号を入力する三角波信号
源、１２はファラデーゲージ５、フラグメイン６および
フラグセンター７で捕捉されたイオンビーム電流を入力
してその電流値を計測するインラグレータ、１３はＸ軸
偏向電圧又はＹ軸偏向電圧のモニタ出力を入力すると共
に、インテグレータ１２からの電流値を入力し、イオン
ビームの波形を表示するオシロスコープである。2. Description of the Related Art A conventional ion implanter with a beam monitor is shown in FIG. 10. In FIG. 10, a Y-axis deflection for deflecting the ion beam in the Y-axis direction is provided in front of a Q lens 1 for narrowing the ion beam. An electrode 2 is provided, and an X-axis for deflecting the ion beam in the X-axis direction is provided in front of the Y-axis deflection electrode 2.
An axis deflection electrode 3 is provided. A mask 4 is disposed in front of the X-axis deflection electrode 3, and a Faraday gauge 5 is disposed in front of the mask 4. Faraday gauge 5
At the entrance, a flag main 6 and a flag center 7 are arranged, and a wafer 8 is arranged in the Faraday gauge 5. In the figure, 9 is a Y-axis deflection power supply for applying a Y-axis deflection voltage to the Y-axis deflection electrode 2, 10 is an X-axis deflection power supply for applying an X-axis deflection voltage to the X-axis deflection electrode 3, and 11 is a Y-axis deflection power supply 9 A triangular signal source for inputting a triangular signal to the X-axis deflection power supply 10; an integrator 12 for inputting an ion beam current captured by the Faraday gauge 5, the flag main 6 and the flag center 7 and measuring the current value; Is an oscilloscope that inputs a monitor output of an X-axis deflection voltage or a Y-axis deflection voltage, inputs a current value from the integrator 12, and displays a waveform of an ion beam.
【０００３】このような装置においては、Ｘ軸偏向電圧
のモニタ出力をオシロスコープ１２のＣＨ１に入力し、
かつ、インラグレータ１１からの電流値をオシロスコー
プ１２のＣＨ２に入力すると、図１１に示されるように
オシロスコープ１２にイオンビーム波形Ｘ／Ｉが表示さ
れる。また、Ｙ軸偏向電圧のモニタ出力をオシロスコー
プ１２のＣＨ１に入力し、かつ、インラグレータ１１か
らの電流値をオシロスコープ１２のＣＨ２に入力する
と、図１２に示されるようにオシロスコープ１２にイオ
ンビーム波形Ｙ／Ｉが表示される。更に、Ｘ軸偏向電圧
のモニタ出力をオシロスコープ１２のＣＨ１、Ｙ軸偏向
電圧のモニタ出力をオシロスコープ１２のＣＨ２に入力
し、インラグレータ１１からの電流値をオシロスコープ
１２のＺ（輝度調）に入力すると、図１３に示されるよ
うにオシロスコープ１２にイオンビームの走査状態が表
示される。In such an apparatus, the monitor output of the X-axis deflection voltage is input to CH1 of the oscilloscope 12,
When the current value from the integrator 11 is input to the CH2 of the oscilloscope 12, the ion beam waveform X / I is displayed on the oscilloscope 12, as shown in FIG. When the monitor output of the Y-axis deflection voltage is input to CH1 of the oscilloscope 12 and the current value from the integrator 11 is input to CH2 of the oscilloscope 12, the oscilloscope 12 outputs the ion beam waveform Y / as shown in FIG. I is displayed. Further, when the monitor output of the X-axis deflection voltage is input to CH1 of the oscilloscope 12, the monitor output of the Y-axis deflection voltage is input to CH2 of the oscilloscope 12, and the current value from the integrator 11 is input to Z (luminance control) of the oscilloscope 12. The scanning state of the ion beam is displayed on the oscilloscope 12 as shown in FIG.
【０００４】このようにオシロスコープ１２によって、
イオンビーム波形Ｘ／Ｉやイオンビーム波形Ｙ／Ｉが表
示され、マスク４を通過してイオンビームがＱレンズ１
でどの程度絞られて調整されているかを知ることができ
るが、ウェーハ７にイオンを均一に注入する場合には、
イオンビームをＱレンズ１でできるだけ絞り、イオンビ
ーム波形Ｘ／Ｉやイオンビーム波形Ｙ／Ｉの台形の頭を
平らにする必要がある。As described above, the oscilloscope 12
The ion beam waveform X / I and the ion beam waveform Y / I are displayed.
It is possible to know to what extent the aperture has been adjusted, but when implanting ions uniformly into the wafer 7,
It is necessary to narrow the ion beam with the Q lens 1 as much as possible and to flatten the trapezoidal head of the ion beam waveform X / I and the ion beam waveform Y / I.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来のビームモニタ装
置付きイオン注入装置は、上記のようにオシロスコープ
１３により、イオンビーム波形Ｘ／Ｉやイオンビーム波
形Ｙ／Ｉが表示されるが、これらの表示からイオンビー
ムの２次元的な広がりの様子をとらえることが不可能で
あった。また、フラグメイン６で捕捉されたイオンビー
ム電流値と、フラグセンター７で捕捉されたイオンビー
ム電流値とを対比して、イオンビームの形状を想像して
いたが、その形状は変化し易く不鮮明であるため、イオ
ンビームの２次元的な広がりの様子をとらえることが不
可能であった。また、スキャナ波形とビーム電流波形と
の位相がずれると、像が２重になる（図１４参照）など
の問題があった。更に、図１３に示されるようにオシロ
スコープ１２によるイオンビームの走査状態の表示か
ら、イオンビームの２次元的な広がりの様子をとらえる
実用上の利点がなかった。In the conventional ion implantation apparatus with a beam monitor, the oscilloscope 13 displays the ion beam waveform X / I and the ion beam waveform Y / I as described above. It was impossible to grasp the state of the two-dimensional spread of the ion beam. Also, the ion beam current value captured by the flag main 6 is compared with the ion beam current value captured by the flag center 7, and the shape of the ion beam is imagined, but the shape is easily changed and is unclear. Therefore, it is impossible to capture the state of the two-dimensional spread of the ion beam. Further, if the phase of the scanner waveform is shifted from the phase of the beam current waveform, there is a problem that an image is doubled (see FIG. 14). Further, as shown in FIG. 13, there is no practical advantage in that the state of scanning of the ion beam by the oscilloscope 12 can be grasped in terms of the two-dimensional spread of the ion beam.
【０００６】この発明の目的は、従来の上記欠点を解決
して、イオンビームの２次元的な広がりの様子を表示し
て、イオンビームの絞り込みの状態を視覚的にわかりや
すくすることの可能なイオンビームモニタ装置付きイオ
ン注入装置を提供することでである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and to display a two-dimensional spread of an ion beam so that the state of narrowing down the ion beam can be visually understood easily. An object of the present invention is to provide an ion implanter with an ion beam monitor.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、イオンビームを絞るＱレンズの前方に
設けられたＹ軸偏向電極と、このＹ軸偏向電極の前方に
設けられたＸ軸偏向電極と、このＸ軸偏向電極の前方に
設けられたファラデーゲージと、Ｙ軸偏向電極にＹ軸偏
向電圧を印加するＹ軸偏向電源と、Ｘ軸偏向電極にＸ軸
偏向電圧を印加するＸ軸偏向電源と、ファラデーゲージ
の入口に配置されたフラグメインおよびフラグセンター
と、ファラデーゲージ、フラグメインおよびフラグセン
ターで捕捉されたイオンビーム電流を入力してその電流
値を計測するインテグレータと、イオンビームの波形を
表示するオシロスコープとを有するイオンビームモニタ
装置付きイオン注入装置において、三角波信号を出力す
る三角波信号源と、信号を出力するデジタルスキャンジ
ェネレータと、前記三角波信号源からの三角波信号とデ
ジタルスキャンジェネレータからの信号とのいずれかを
選択して前記Ｙ軸偏向電源およびＸ軸偏向電源に入力で
きるようにする切換器と、前記Ｙ軸偏向電源とＸ軸偏向
電源からのモニタ信号の位相を調整して前記オシロスコ
ープに入力する位相調整回路と、前記インテグレータか
らの出力を入力するオシロスコープの輝度を設定する輝
度設定回路とを備えたことを特徴とするものである。In order to achieve the above object, according to the present invention, a Y-axis deflection electrode provided in front of a Q lens for narrowing an ion beam and a Y-axis deflection electrode provided in front of the Y-axis deflection electrode are provided. An X-axis deflection electrode, a Faraday gauge provided in front of the X-axis deflection electrode, a Y-axis deflection power source for applying a Y-axis deflection voltage to the Y-axis deflection electrode, and an X-axis deflection voltage to the X-axis deflection electrode An X-axis deflection power supply, a flag main and a flag center arranged at the entrance of the Faraday gauge, an integrator that inputs the ion beam current captured by the Faraday gauge, the flag main and the flag center, and measures the current value, An ion implanter with an ion beam monitor having an oscilloscope for displaying a waveform of an ion beam; A digital scan generator for outputting a signal, and a switch for selecting any one of the triangular wave signal from the triangular wave signal source and the signal from the digital scan generator and inputting the signal to the Y-axis deflection power supply and the X-axis deflection power supply A phase adjustment circuit that adjusts the phases of monitor signals from the Y-axis deflection power supply and the X-axis deflection power supply and inputs the same to the oscilloscope; and a luminance setting circuit that sets the luminance of the oscilloscope that inputs the output from the integrator. It is characterized by having.
【０００８】[0008]
【作用】この発明においては、切換器により、あらかじ
め特定の領域を掃引するように設定されたデジタルスキ
ャンジェネレータからの信号をＹ軸偏向電源およびＸ軸
偏向電源に入力しているため、掃走線の数を多く細かに
できるので、オシロスコープ画面の輝度が残像として残
りやすくなり、イオンビームの形状がはっきりと認識し
やすくなる。また、位相調整回路でＹ軸偏向電源とＸ軸
偏向電源からのモニタ信号の位相を調整しているので、
スキャナ波形とビーム電流波形との位相のずれがなくな
り、イオンビームの波形をより鮮明に調整することがき
る。更に、オシロスコープの輝度が適切になるように、
輝度設定回路でイオンビームの電流値の出力を調整する
ことができる。In the present invention, since the signal from the digital scan generator, which is set in advance to sweep a specific area, is input to the Y-axis deflection power supply and the X-axis deflection power supply by the switch, the sweep line Can be made finer, the luminance of the oscilloscope screen tends to remain as an afterimage, and the shape of the ion beam can be clearly recognized. Also, since the phase adjustment circuit adjusts the phase of the monitor signal from the Y-axis deflection power supply and the X-axis deflection power supply,
The phase shift between the scanner waveform and the beam current waveform is eliminated, and the waveform of the ion beam can be adjusted more clearly. In addition, so that the oscilloscope brightness is appropriate,
The output of the current value of the ion beam can be adjusted by the brightness setting circuit.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例のイオンビームモ
ニタ装置付きイオン注入装置は図１に示されており、同
図において、イオンビームを絞るＱレンズ１の前方には
イオンビームをＹ軸方向に偏向するＹ軸偏向電極２が設
けられ、そのＹ軸偏向電極２の前方にはイオンビームを
Ｘ軸方向に偏向するＸ軸偏向電極３が設けられている。
Ｘ軸偏向電極３の前方にはマスク４が配置され、そのマ
スク４の前方にはファラデーゲージ５が配置されてい
る。ファラデーゲージ５の入口にはフラグメイン６とフ
ラグセンター７とが配置され、ファラデーゲージ５内に
はウェーハ８が配置されている。Ｙ軸偏向電極２にはＹ
軸偏向電圧を印加するＹ軸偏向電源９が接続され、ま
た、Ｘ軸偏向電極３にはＸ軸偏向電圧を印加するＸ軸偏
向電源１０が接続されている。Ｙ軸偏向電源９には、切
換器１４を介して、三角波信号源１１からの三角波信号
又はデジタルスキャンジェネレータ１５からの信号のい
ずれかが入力されるようになっている。Ｘ軸偏向電源１
０も、切換器１４を介して、三角波信号源１０からの三
角波信号又はデジタルスキャンジェネレータ１５からの
信号のいずれかが入力されるようになっている。ファラ
デーゲージ７、フラグメイン６およびフラグセンター７
で捕捉されたイオンビーム電流はインテグレータ１２に
入力され、その電流値が計測される。インテグレータ１
２からの出力は輝度設定回路１５を介してオシロスコー
プ１３に入力され、イオンビームの波形が表示される。
Ｙ軸偏向電源９とＸ軸偏向電源１０からのモニタ信号
は、その位相を調整する位相調整回路１６を介して、オ
シロスコープ１３に入力されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an ion implantation apparatus with an ion beam monitor according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a Y-axis deflection for deflecting the ion beam in the Y-axis direction is provided in front of a Q lens 1 for narrowing the ion beam. An electrode 2 is provided, and an X-axis deflection electrode 3 for deflecting the ion beam in the X-axis direction is provided in front of the Y-axis deflection electrode 2.
A mask 4 is disposed in front of the X-axis deflection electrode 3, and a Faraday gauge 5 is disposed in front of the mask 4. A flag main 6 and a flag center 7 are arranged at the entrance of the Faraday gauge 5, and a wafer 8 is arranged in the Faraday gauge 5. Y-axis deflection electrode 2 has Y
A Y-axis deflection power supply 9 for applying an axis deflection voltage is connected, and an X-axis deflection power supply 10 for applying an X-axis deflection voltage is connected to the X-axis deflection electrode 3. Either the triangular wave signal from the triangular wave signal source 11 or the signal from the digital scan generator 15 is input to the Y-axis deflection power supply 9 via the switch 14. X-axis deflection power supply 1
In the case of 0, either the triangular wave signal from the triangular wave signal source 10 or the signal from the digital scan generator 15 is input via the switch 14. Faraday gauge 7, flag main 6, and flag center 7
The current of the ion beam captured in the step is input to the integrator 12, and the current value is measured. Integrator 1
The output from 2 is input to the oscilloscope 13 via the luminance setting circuit 15, and the waveform of the ion beam is displayed.
Monitor signals from the Y-axis deflection power supply 9 and the X-axis deflection power supply 10 are input to an oscilloscope 13 via a phase adjustment circuit 16 for adjusting the phase.
【００１０】このような実施例においては、イオンビー
ムの形状をモニタし、調整するときには、切換器１４を
切換えて、デジタルスキャンジェネレータ１５からの信
号をＹ軸偏向電源９およびＸ軸偏向電源１０に入力す
る。そうすることによって、オシロスコープ１３の画面
の輝度が残像として残りやすくなり、イオンビームの形
状がはっきりと認識しやすくなる。また、位相調整回路
１６によりＹ軸偏向電源９とＸ軸偏向電源１０からのモ
ニタ信号の位相が調整されるので、イオンビームの波形
をより鮮明に調整することがきる。更に、オシロスコー
プ１３の輝度が適切になるように、輝度設定回路１５で
イオンビームの電流値の出力を調整することができる。In such an embodiment, when monitoring and adjusting the shape of the ion beam, the switch 14 is switched to send a signal from the digital scan generator 15 to the Y-axis deflection power supply 9 and the X-axis deflection power supply 10. input. By doing so, the luminance of the screen of the oscilloscope 13 tends to remain as an afterimage, and the shape of the ion beam can be clearly recognized. Further, since the phase of the monitor signals from the Y-axis deflection power supply 9 and the X-axis deflection power supply 10 is adjusted by the phase adjustment circuit 16, the waveform of the ion beam can be adjusted more clearly. Further, the output of the current value of the ion beam can be adjusted by the luminance setting circuit 15 so that the luminance of the oscilloscope 13 becomes appropriate.
【００１１】ところで、イオンビームの形状をオシロス
コープ１３上でモニタする場合、オシロスコープ１３の
画面には、Ｙ軸偏向電源９からのＹ軸偏向電圧のモニタ
信号がＹ軸方向に表示され、Ｘ軸偏向電極３からのＸ軸
偏向電圧のモニタ信号がＸ軸方向に表示される。図２は
三角波信号源１０からの三角波信号をＹ軸偏向電源９お
よびＸ軸偏向電源１０に入力したときのオシロスコープ
１３上の画面を示している。図３はデジタルスキャンジ
ェネレータ１５からの信号をＹ軸偏向電源９およびＸ軸
偏向電源１０に入力したときのオシロスコープ１３上の
画面を示している。図２および図３におけるラインはイ
オンビームのスキャンされた軌跡であり、オシロスコー
プ１３上の画面は実際にイオンビームがスキャンされて
いる空間のＸ、Ｙ座標に対応している。イオンビーム電
流をフラグセンター７で計測する場合、フラグセンター
７にはイオンビームの形状より小さい穴が空けられてい
るので、イオンビームのスキャンする座標に対応したイ
オン電流を得ることができる。図４はイオンビームをＸ
軸方向とＹ軸方向とにスキャンしたときのフラグセンタ
ー７で計測される電流値を示している。この電流値をオ
シロスコープ１３のｚ輝度変調に入れ、電流値が高い所
が光ようにする。Ｘ軸方向とＹ軸方向とのスキャンの時
間により、イオンビームの位置ａ〜ｅがきまる。Ｘ、Ｙ
ビーム電流のａ〜ｅわ対応させると、フラグメイン６お
よびフラグセンター７のどこにイオンビーム形状が現れ
るかがわかる。図５は図２に示される状態のものにイオ
ンビームの輝度変調信号を入力したもので、スポット形
状に応じて光っている（太線）。図６は図３に示される
状態のものにイオンビームの輝度変調信号を入力したも
ので、これもスポット形状に応じて光っている（太
線）。しかしながら、図５は表示された線が粗いため、
オシロスコープ１３に残像が残りにくいため、鮮明では
ない。そのため、イオンビームの波形をモニタ、調整す
るときには、図６のものを使用する。そうすると、図６
のようにイオンビームの形状を表現するスキャンの線が
連続した細いものであるため、像が鮮明になる。When the shape of the ion beam is monitored on the oscilloscope 13, a monitor signal of the Y-axis deflection voltage from the Y-axis deflection power supply 9 is displayed on the screen of the oscilloscope 13 in the Y-axis direction. A monitor signal of the X-axis deflection voltage from the electrode 3 is displayed in the X-axis direction. FIG. 2 shows a screen on the oscilloscope 13 when a triangular wave signal from the triangular wave signal source 10 is input to the Y-axis deflection power supply 9 and the X-axis deflection power supply 10. FIG. 3 shows a screen on the oscilloscope 13 when a signal from the digital scan generator 15 is input to the Y-axis deflection power supply 9 and the X-axis deflection power supply 10. The lines in FIGS. 2 and 3 are the scanned trajectories of the ion beam, and the screen on the oscilloscope 13 corresponds to the X and Y coordinates of the space where the ion beam is actually scanned. When the ion beam current is measured by the flag center 7, since a hole smaller than the shape of the ion beam is formed in the flag center 7, an ion current corresponding to the coordinates scanned by the ion beam can be obtained. Figure 4 shows the ion beam X
It shows a current value measured by the flag center 7 when scanning is performed in the axial direction and the Y-axis direction. This current value is input to z-luminance modulation of the oscilloscope 13 so that a portion where the current value is high is illuminated. The positions a to e of the ion beam are determined by the scanning times in the X-axis direction and the Y-axis direction. X, Y
By associating the beam currents a to e, it is possible to know where the ion beam shape appears in the flag main 6 and the flag center 7. FIG. 5 shows a state in which the brightness modulation signal of the ion beam is input to the state shown in FIG. 2, and it shines according to the spot shape (thick line). FIG. 6 shows the state shown in FIG. 3 in which the luminance modulation signal of the ion beam is input, which also shines according to the spot shape (thick line). However, in FIG. 5, the displayed line is rough,
Since an afterimage hardly remains on the oscilloscope 13, the image is not clear. Therefore, when monitoring and adjusting the waveform of the ion beam, the one shown in FIG. 6 is used. Then, FIG.
Since the scan line expressing the shape of the ion beam is continuous and thin as in the above, the image becomes clear.
【００１２】なお、上記実施例ではフラグセンター７で
計測したイオンビーム電流からイオンビームの形状をモ
ニタする説明をしているが、その代わりに、例えば、コ
ーナーファラデーを用いたときには図７に示されるよう
な像がモニタされる。また、パラレルイオン注入装置の
場合には図８に示されるような像がモニタされる。更
に、フラグメイン６でイオンビーム電流を計測すると、
図９に示されるようにマスク４を通過したイオンビーム
がどのような形でフラグメイン６に入るかがわかる。図
７の画像、図８の画像、図９の画像およびフラグセンタ
ー７の４種類のビーム画像は各々独立に表示されている
が、これらの全てを合成して表示することもできる。そ
の場合、フラグメイン６の画像の中にフラグセンター７
の画像が重なって見えるけれども、輝度を２段階にして
境界を明確にすることもできる。また、図７の画像、図
８の画像、図９の画像およびフラグセンター７の４種類
のビーム画像をカラーで色分けすることもできる。In the above-described embodiment, the shape of the ion beam is monitored from the ion beam current measured by the flag center 7. However, when the corner Faraday is used instead, for example, it is shown in FIG. Such an image is monitored. In the case of a parallel ion implanter, an image as shown in FIG. 8 is monitored. Furthermore, when the ion beam current is measured by the flag main 6,
As shown in FIG. 9, it can be seen how the ion beam that has passed through the mask 4 enters the flag main 6. The image of FIG. 7, the image of FIG. 8, the image of FIG. 9, and the four types of beam images of the flag center 7 are displayed independently, but all of them can be displayed in combination. In that case, the flag center 7 is included in the image of the flag main 6.
Although the images appear to overlap, the boundary can be clarified by setting the luminance to two levels. Further, the four types of beam images of the image of FIG. 7, the image of FIG. 8, the image of FIG. 9, and the flag center 7 can be color-coded.
【００１３】[0013]
【発明の効果】この発明においては、切換器により、デ
ジタルスキャンジェネレータからの信号をＹ軸偏向電源
およびＸ軸偏向電源に入力しているため、無駄に四角に
掃引することなく、円形に近い形で掃引し、かつ、網目
状ではなく１方向に揃えて掃引できるので、オシロスコ
ープの画面の輝度が残像として残りやすくなり、イオン
ビームの形状がはっきりと認識しやすくなる。また、位
相調整回路でＹ軸偏向電源とＸ軸偏向電源からのモニタ
信号の位相を調整しているので、ビームスポットが２重
像となることにく、イオンビームの波形をより鮮明に調
整することがきる。更に、オシロスコープの輝度が適切
になるように、輝度設定回路でイオンビームの電流値の
出力を調整することができる。そのため、イオンビーム
の２次元的な広がりの様子を表示して、イオンビームの
絞り込みの状態を視覚的にわかりやすくすることが可能
になる。According to the present invention, since the signal from the digital scan generator is input to the Y-axis deflection power supply and the X-axis deflection power supply by the switching device, the signal is not nearly swept squarely but is shaped like a circle. , And can be swept in one direction instead of a mesh, so that the luminance of the screen of the oscilloscope tends to remain as an afterimage, and the shape of the ion beam can be clearly recognized. Further, since the phase of the monitor signals from the Y-axis deflection power supply and the X-axis deflection power supply is adjusted by the phase adjustment circuit, the beam spot does not become a double image, and the waveform of the ion beam is adjusted more clearly. I can do it. Further, the output of the current value of the ion beam can be adjusted by the luminance setting circuit so that the luminance of the oscilloscope becomes appropriate. For this reason, it is possible to display the state of the two-dimensional spread of the ion beam and to visually recognize the state of narrowing down the ion beam.
【図１】この発明の実施例を示す説明図FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of the present invention.
【図２】この発明の実施例において、三角波信号源から
の三角波信号をＹ軸偏向電源およびＸ軸偏向電源に入力
したときのオシロスコープ上の画面を示す説明図FIG. 2 is an explanatory diagram showing a screen on an oscilloscope when a triangular wave signal from a triangular wave signal source is input to a Y-axis deflection power supply and an X-axis deflection power supply in the embodiment of the present invention.
【図３】この発明の実施例において、デジタルスキャン
ジェネレータからの信号をＹ軸偏向電源およびＸ軸偏向
電源に入力したときのオシロスコープ上の画面を示す説
明図FIG. 3 is an explanatory diagram showing a screen on an oscilloscope when a signal from a digital scan generator is input to a Y-axis deflection power supply and an X-axis deflection power supply in the embodiment of the present invention.
【図４】イオンビームをＹ軸方向とＸ軸方向とにスキャ
ンしたときのフラグセンターで計測される電流値を示し
す説明図FIG. 4 is an explanatory diagram showing a current value measured at a flag center when an ion beam is scanned in the Y-axis direction and the X-axis direction.
【図５】この発明の実施例において、三角波信号源から
の三角波信号をＹ軸偏向電源およびＸ軸偏向電源に入力
しているときに、イオンビームの輝度変調信号を入力し
た状態におけるオシロスコープ上の画面を示す説明図FIG. 5 is a diagram showing an example of the present invention, in which a triangular wave signal from a triangular wave signal source is input to a Y-axis deflection power supply and an X-axis deflection power supply, and a luminance modulation signal of an ion beam is input to the oscilloscope. Illustration showing the screen
【図６】この発明の実施例において、デジタルスキャン
ジェネレータからの信号をＹ軸偏向電源およびＸ軸偏向
電源に入力しているときに、イオンビームの輝度変調信
号を入力した状態におけるオシロスコープ上の画面を示
す説明図FIG. 6 shows a screen on an oscilloscope in a state where a luminance modulation signal of an ion beam is input when a signal from a digital scan generator is being input to a Y-axis deflection power supply and an X-axis deflection power supply in an embodiment of the present invention. Explanatory diagram showing
【図７】この発明のその他の実施例において、コーナー
ファラデーを用いたときのオシロスコープ上の画面を示
す説明図FIG. 7 is an explanatory diagram showing a screen on an oscilloscope when corner Faraday is used in another embodiment of the present invention.
【図８】この発明のその他の実施例のパラレルイオン注
入装置において、オシオシロスコープ上の画面を示す説
明図FIG. 8 is an explanatory view showing a screen on an oscilloscope in a parallel ion implantation apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図９】この発明のその他の実施例において、フラグメ
インでイオンビーム電流を計測したときのオシオシロス
コープ上の画面を示す説明図FIG. 9 is an explanatory diagram showing a screen on an oscilloscope when an ion beam current is measured with a flag main in another embodiment of the present invention.
【図１０】従来のビームモニタ装置付きイオン注入装置
を示す説明図FIG. 10 is an explanatory view showing a conventional ion implantation apparatus with a beam monitoring device.
【図１１】従来のビームモニタ装置付きイオン注入装置
において、オシロスコープ上に表示されたイオンビーム
波形Ｘ／Ｉを示す説明図FIG. 11 is an explanatory view showing an ion beam waveform X / I displayed on an oscilloscope in a conventional ion implanter with a beam monitor device.
【図１２】従来のビームモニタ装置付きイオン注入装置
において、オシロスコープ上に表示されたイオンビーム
波形Ｙ／Ｉを示す説明図FIG. 12 is an explanatory diagram showing an ion beam waveform Y / I displayed on an oscilloscope in a conventional ion implantation apparatus with a beam monitoring device.
【図１３】従来のビームモニタ装置付きイオン注入装置
において、オシロスコープ上に表示されたイオンビーム
の走査状態を示す説明図FIG. 13 is an explanatory view showing a scanning state of an ion beam displayed on an oscilloscope in a conventional ion implantation apparatus with a beam monitoring device.
【図１４】スキャナ波形とビーム電流波形との位相がず
れると、像が２重になることを示す説明図FIG. 14 is an explanatory diagram showing that an image is doubled when the phase of the scanner waveform and the phase of the beam current waveform are shifted.
１・・・・・Ｑレンズ ２・・・・・Ｙ軸偏向電極 ３・・・・・Ｘ軸偏向電極 ４・・・・・マスク ５・・・・・ファラデーゲージ ６・・・・・フラグメイン ７・・・・・フラグセンター ８・・・・・ウェーハ ９・・・・・Ｙ軸偏向電源 １０・・・・Ｘ軸偏向電源 １１・・・・三角波信号源 １２・・・・インテグレータ １３・・・・シロスコープ １４・・・・切換器 １５・・・・輝度設定回路 １６・・・・位相調整回路 1... Q lens 2... Y-axis deflection electrode 3... X-axis deflection electrode 4... Mask 5... Faraday gauge 6. Main 7: Flag center 8: Wafer 9: Y-axis deflection power supply 10: X-axis deflection power supply 11: Triangular wave signal source 12: Integrator 13 ·································································· •
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−88747（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−202767（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/317 C23C 14/48 G01T 1/29 H01L 21/265 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-63-88747 (JP, A) JP-A-62-202767 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 37/317 C23C 14/48 G01T 1/29 H01L 21/265
Claims (1)
られたＹ軸偏向電極と、このＹ軸偏向電極の前方に設け
られたＸ軸偏向電極と、このＸ軸偏向電極の前方に設け
られたファラデーゲージと、Ｙ軸偏向電極にＹ軸偏向電
圧を印加するＹ軸偏向電源と、Ｘ軸偏向電極にＸ軸偏向
電圧を印加するＸ軸偏向電源と、ファラデーゲージの入
口に配置されたフラグメインおよびフラグセンターと、
ファラデーゲージ、フラグメインおよびフラグセンター
で捕捉されたイオンビーム電流を入力してその電流値を
計測するインテグレータと、イオンビームの波形を表示
するオシロスコープとを有するイオンビームモニタ装置
付きイオン注入装置において、三角波信号を出力する三
角波信号源と、信号を出力するデジタルスキャンジェネ
レータと、前記三角波信号源からの三角波信号とデジタ
ルスキャンジェネレータからの信号とのいずれかを選択
して前記Ｙ軸偏向電源およびＸ軸偏向電源に入力できる
ようにする切換器と、前記Ｙ軸偏向電源とＸ軸偏向電源
からのモニタ信号の位相を調整して前記オシロスコープ
に入力する位相調整回路と、前記インテグレータからの
出力を入力するオシロスコープの輝度を設定する輝度設
定回路とを備えたことを特徴とするイオンビームモニタ
装置付きイオン注入装置。1. A Y-axis deflection electrode provided in front of a Q lens for narrowing an ion beam, an X-axis deflection electrode provided in front of the Y-axis deflection electrode, and a Y-axis deflection electrode provided in front of the X-axis deflection electrode. A Faraday gauge, a Y-axis deflection power supply for applying a Y-axis deflection voltage to the Y-axis deflection electrode, an X-axis deflection power supply for applying an X-axis deflection voltage to the X-axis deflection electrode, and a flag disposed at the entrance of the Faraday gauge Main and flag centers,
In an ion implanter with an ion beam monitor having an integrator that inputs the ion beam current captured by the Faraday gauge, the flag main and the flag center and measures the current value, and an oscilloscope that displays the waveform of the ion beam, a triangular wave A triangular wave signal source for outputting a signal, a digital scan generator for outputting a signal, and selecting one of the triangular wave signal from the triangular wave signal source and the signal from the digital scan generator to select the Y-axis deflection power supply and the X-axis deflection A switch for allowing input to a power supply, a phase adjustment circuit for adjusting the phase of monitor signals from the Y-axis deflection power supply and the X-axis deflection power supply and inputting the oscilloscope, and an oscilloscope for inputting output from the integrator Brightness setting circuit for setting the brightness of the Ion beam monitor device with an ion implantation apparatus according to claim and.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23216391A JP3117250B2 (en) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | Ion implanter with ion beam monitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23216391A JP3117250B2 (en) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | Ion implanter with ion beam monitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547343A JPH0547343A (en) | 1993-02-26 |
| JP3117250B2 true JP3117250B2 (en) | 2000-12-11 |
Family
ID=16934987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23216391A Expired - Lifetime JP3117250B2 (en) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | Ion implanter with ion beam monitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3117250B2 (en) |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP23216391A patent/JP3117250B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547343A (en) | 1993-02-26 |
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