JP3115545B2 - 塩素バイパス設備の運転方法 - Google Patents
塩素バイパス設備の運転方法Info
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B7/36—Manufacture of hydraulic cements in general
- C04B7/364—Avoiding environmental pollution during cement-manufacturing
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、塩素バイパス設
備の運転方法に係り、特にバイパス率によらずに効率の
よい塩素除去を行うことができる方法に関する。
備の運転方法に係り、特にバイパス率によらずに効率の
よい塩素除去を行うことができる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、セメントクリンカをキルンにて
焼成する場合、セメント原料及び燃料から持ち込まれる
塩素、アルカリ、硫黄等の揮発性成分は、キルン・プレ
ヒータ系内で循環することにより次第に濃縮され、短時
間で平衡状態に達し、セメント原料及び燃料から持ち込
まれる揮発性成分の量とセメントクリンカにより系外へ
持ち出される揮発性成分の量とが等しくなることが知ら
れている。このため、セメント原料及び燃料から持ち込
まれる揮発性成分の量が多いと、セメントクリンカ中に
含まれる揮発性成分量も多くなって製品としてのセメン
トの品質に悪影響を与えることとなる。また、系内の揮
発性成分量が多くなると、低融点化合物が形成されるた
めにプレヒータサイクロンが閉塞して、キルンの安定運
転が損なわれる惧れがある。
焼成する場合、セメント原料及び燃料から持ち込まれる
塩素、アルカリ、硫黄等の揮発性成分は、キルン・プレ
ヒータ系内で循環することにより次第に濃縮され、短時
間で平衡状態に達し、セメント原料及び燃料から持ち込
まれる揮発性成分の量とセメントクリンカにより系外へ
持ち出される揮発性成分の量とが等しくなることが知ら
れている。このため、セメント原料及び燃料から持ち込
まれる揮発性成分の量が多いと、セメントクリンカ中に
含まれる揮発性成分量も多くなって製品としてのセメン
トの品質に悪影響を与えることとなる。また、系内の揮
発性成分量が多くなると、低融点化合物が形成されるた
めにプレヒータサイクロンが閉塞して、キルンの安定運
転が損なわれる惧れがある。
【０００３】そこで、従来、キルン・プレヒータ系内の
揮発性成分量を減少させるために、アルカリバイパス法
が採用されてきた。この方法は、揮発性成分濃度の高い
キルン排ガスをプローブを用いて系外に抜き出し、排ガ
スからアルカリを除去する方法である。しかしながら、
このアルカリバイパス法は、温度約１０００℃のキルン
排ガスを系外へ排出するために、熱損失が大きく、また
大量のダストを系外へ排出して廃棄処分を行うために処
分場所の確保が年々困難になりつつある。
揮発性成分量を減少させるために、アルカリバイパス法
が採用されてきた。この方法は、揮発性成分濃度の高い
キルン排ガスをプローブを用いて系外に抜き出し、排ガ
スからアルカリを除去する方法である。しかしながら、
このアルカリバイパス法は、温度約１０００℃のキルン
排ガスを系外へ排出するために、熱損失が大きく、また
大量のダストを系外へ排出して廃棄処分を行うために処
分場所の確保が年々困難になりつつある。
【０００４】このような背景の下、揮発性成分の中で、
塩素は特に揮発率が高く、少量の抽気量（バイパス率）
で塩素濃度の大幅な低減化が可能であることがわかり、
キルン排ガスからの塩素の除去を目的とした塩素バイパ
ス法が開発された。この塩素バイパス法を行うための設
備を概略的に図５に示す。キルン１の窯尻からプローブ
２によって排ガスを抽気すると共にプローブ２内に冷風
（外気）を供給して排ガスを急冷する。このとき、排ガ
ス中に含まれる塩素は塩素化合物の融点である６００〜
７００℃程度以下まで冷却されて微粒子として固化す
る。抽出された排ガスは分級器３に送られ、ここで塩素
濃度の低い粗粉ダストと塩素濃度の高い微粉ダストとに
分級され、粗粉ダストは再びキルン系へ戻される。一
方、微粉ダストは排ガスと共に冷却器４でさらに冷却さ
れた後、集塵機５で高塩素濃度のダストが回収されて許
容濃度範囲内でセメントに添加され、排ガスはキルン系
に戻される。
塩素は特に揮発率が高く、少量の抽気量（バイパス率）
で塩素濃度の大幅な低減化が可能であることがわかり、
キルン排ガスからの塩素の除去を目的とした塩素バイパ
ス法が開発された。この塩素バイパス法を行うための設
備を概略的に図５に示す。キルン１の窯尻からプローブ
２によって排ガスを抽気すると共にプローブ２内に冷風
（外気）を供給して排ガスを急冷する。このとき、排ガ
ス中に含まれる塩素は塩素化合物の融点である６００〜
７００℃程度以下まで冷却されて微粒子として固化す
る。抽出された排ガスは分級器３に送られ、ここで塩素
濃度の低い粗粉ダストと塩素濃度の高い微粉ダストとに
分級され、粗粉ダストは再びキルン系へ戻される。一
方、微粉ダストは排ガスと共に冷却器４でさらに冷却さ
れた後、集塵機５で高塩素濃度のダストが回収されて許
容濃度範囲内でセメントに添加され、排ガスはキルン系
に戻される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな塩素バイパス設備の運転においては、キルン１への
インプット塩素量、キルン１の運転状態等に応じてその
時点の最適なバイパス率があり、この最適バイパス率を
無視して設備能力の最大バイパス率（負荷１００％）で
運転すると、以下のような問題点が発生して効率のよい
塩素除去を行うことができなくなる。すなわち、抽出ガ
ス量が必要以上に増加し、それに比例して熱量損失が増
大すると共にバイパスダスト量が増大する。また、バイ
パスダスト量の増加に伴ってダストの塩素濃度が低下す
る。
うな塩素バイパス設備の運転においては、キルン１への
インプット塩素量、キルン１の運転状態等に応じてその
時点の最適なバイパス率があり、この最適バイパス率を
無視して設備能力の最大バイパス率（負荷１００％）で
運転すると、以下のような問題点が発生して効率のよい
塩素除去を行うことができなくなる。すなわち、抽出ガ
ス量が必要以上に増加し、それに比例して熱量損失が増
大すると共にバイパスダスト量が増大する。また、バイ
パスダスト量の増加に伴ってダストの塩素濃度が低下す
る。
【０００６】このため、一般的には、その時点における
最適バイパス率、すなわち低負荷で運転されることが多
い。このとき、例えば７０％以上の負荷であれば問題な
いが、さらに負荷を下げてバイパス率を低く設定する
と、今度はプローブ２の内部及びプローブ２と分級器３
との間のダクト内でガス流速が低下し、ここにダストの
堆積が発生するという問題が生じてくる。また、分級器
３の入口流速が低下するため、分級効率が悪化し、バイ
パスダスト量の増加及びダストの塩素濃度の低下を来し
てしまう。
最適バイパス率、すなわち低負荷で運転されることが多
い。このとき、例えば７０％以上の負荷であれば問題な
いが、さらに負荷を下げてバイパス率を低く設定する
と、今度はプローブ２の内部及びプローブ２と分級器３
との間のダクト内でガス流速が低下し、ここにダストの
堆積が発生するという問題が生じてくる。また、分級器
３の入口流速が低下するため、分級効率が悪化し、バイ
パスダスト量の増加及びダストの塩素濃度の低下を来し
てしまう。
【０００７】従って、特に、将来のインプット塩素量増
加を見越して大容量、すなわち最大バイパス率の大きな
設備を設置し、現状ではインプット塩素量が計画値に達
しない場合には、最大負荷で運転しても、低負荷で運転
しても、効率のよい塩素除去ができないという問題があ
る。
加を見越して大容量、すなわち最大バイパス率の大きな
設備を設置し、現状ではインプット塩素量が計画値に達
しない場合には、最大負荷で運転しても、低負荷で運転
しても、効率のよい塩素除去ができないという問題があ
る。
【０００８】この発明はこのような問題点を解消するた
めになされたもので、バイパス率に左右されずに効率の
よい塩素除去を行うことができる塩素バイパス設備の運
転方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、バイパス率に左右されずに効率の
よい塩素除去を行うことができる塩素バイパス設備の運
転方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る塩素バ
イパス設備の運転方法は、所定のサイクロン入口ガス流
速が得られるようにキルン排ガスの抽気量に応じてプロ
ーブ内に供給する外気の量を調整する方法である。第２
の発明に係る塩素バイパス設備の運転方法は、サイクロ
ンの入口に可変絞りを設け、キルン排ガスの抽気量に応
じて可変絞りの開度を調整することにより所定のサイク
ロン入口ガス流速を確保する方法である。第３の発明に
係る塩素バイパス設備の運転方法は、プローブに並列に
２系列のサイクロンを接続し、キルン排ガスの抽気量が
最大値の５０％以下のときに一方のサイクロンを閉じて
他方のサイクロンのみで分級を行うことにより所定のサ
イクロン入口ガス流速を確保する方法である。この場
合、さらに他方のサイクロンの入口に可変絞りを設け、
キルン排ガスの抽気量に応じて可変絞りの開度を調整す
るようにしてもよい。第４の発明に係る塩素バイパス設
備の運転方法は、プローブとサイクロンをそれぞれ並列
に２系列配置し、キルン排ガスの抽気量が最大値の５０
％以下のときに一方のプローブからの抽気を停止して他
方のプローブのみで抽気を行うことにより所定のサイク
ロン入口ガス流速を確保する方法である。
イパス設備の運転方法は、所定のサイクロン入口ガス流
速が得られるようにキルン排ガスの抽気量に応じてプロ
ーブ内に供給する外気の量を調整する方法である。第２
の発明に係る塩素バイパス設備の運転方法は、サイクロ
ンの入口に可変絞りを設け、キルン排ガスの抽気量に応
じて可変絞りの開度を調整することにより所定のサイク
ロン入口ガス流速を確保する方法である。第３の発明に
係る塩素バイパス設備の運転方法は、プローブに並列に
２系列のサイクロンを接続し、キルン排ガスの抽気量が
最大値の５０％以下のときに一方のサイクロンを閉じて
他方のサイクロンのみで分級を行うことにより所定のサ
イクロン入口ガス流速を確保する方法である。この場
合、さらに他方のサイクロンの入口に可変絞りを設け、
キルン排ガスの抽気量に応じて可変絞りの開度を調整す
るようにしてもよい。第４の発明に係る塩素バイパス設
備の運転方法は、プローブとサイクロンをそれぞれ並列
に２系列配置し、キルン排ガスの抽気量が最大値の５０
％以下のときに一方のプローブからの抽気を停止して他
方のプローブのみで抽気を行うことにより所定のサイク
ロン入口ガス流速を確保する方法である。
【００１０】これら第１〜第４の発明によれば、それぞ
れサイクロンの入口において所定のガス流速が得られる
ため、プローブとサイクロンとの間のダクト内における
ダストの堆積が防止されると共にサイクロンにおける分
級効率の低下が防止され、効率のよい塩素除去が可能と
なる。
れサイクロンの入口において所定のガス流速が得られる
ため、プローブとサイクロンとの間のダクト内における
ダストの堆積が防止されると共にサイクロンにおける分
級効率の低下が防止され、効率のよい塩素除去が可能と
なる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて説明する。 実施の形態１．図１にこの発明の実施の形態１に係る運
転方法を実施するための塩素バイパス設備を示す。キル
ン１１の窯尻にプローブ１２が設けられている。プロー
ブ１２は内管と外管からなる二重管構造を有しており、
内管を通してキルン１１の窯尻からキルン排ガスを抽気
するが、このときプローブ冷却ファン１３によって外部
から内管と外管との間を通してキルン１１の窯尻方向に
外気を供給することによりキルン排ガスは温度６００〜
７００℃程度以下にまで一次冷却される。この一次冷却
によりキルン排ガス中の塩素分は主にＫＣｌとして凝固
し、粒径５〜７μｍ程度以下の微粉ダストとなって排ガ
スと共に内管を通して抽出される。
付図面に基づいて説明する。 実施の形態１．図１にこの発明の実施の形態１に係る運
転方法を実施するための塩素バイパス設備を示す。キル
ン１１の窯尻にプローブ１２が設けられている。プロー
ブ１２は内管と外管からなる二重管構造を有しており、
内管を通してキルン１１の窯尻からキルン排ガスを抽気
するが、このときプローブ冷却ファン１３によって外部
から内管と外管との間を通してキルン１１の窯尻方向に
外気を供給することによりキルン排ガスは温度６００〜
７００℃程度以下にまで一次冷却される。この一次冷却
によりキルン排ガス中の塩素分は主にＫＣｌとして凝固
し、粒径５〜７μｍ程度以下の微粉ダストとなって排ガ
スと共に内管を通して抽出される。
【００１２】プローブ１２の内管の出口には、例えば分
級点を５〜７μｍに設定した粗粉分級サイクロン１４が
接続されている。プローブ１２による抽気ガス中のダス
トは、この粗粉分級サイクロン１４で分級され、粒径５
〜７μｍ以上の粗粉ダストは含有塩素濃度が低いためキ
ルン１１へ再循環される。一方、微粉ダストは抽気ガス
と共に冷却器１５に送られ、ここで冷却器冷風ファン１
６から供給された冷風により温度２００℃以下に二次冷
却される。その後、抽気ガス中の微粉ダストは、バグフ
ィルタ１７で捕捉され、回収ダストタンク１８に回収さ
れる。この微粉ダストは、高濃度の塩素を含有している
が、通常キルン生産量の０．１％以下と少量であり、ミ
ル添加用タンク１９及び定量供給器２０を介してセメン
ト粉砕系に送られ、許容範囲内でセメントに添加され
る。なお、この高濃度の塩素を含有する微粉ダストは、
セメント生産量の０．１％までの添加であれば、セメン
トの品質上の問題はほとんどないことが確認されてい
る。また、バグフィルタ１７で微粉ダストが除去された
抽気ガスは、排気ファン２１によりキルン系に戻され
る。
級点を５〜７μｍに設定した粗粉分級サイクロン１４が
接続されている。プローブ１２による抽気ガス中のダス
トは、この粗粉分級サイクロン１４で分級され、粒径５
〜７μｍ以上の粗粉ダストは含有塩素濃度が低いためキ
ルン１１へ再循環される。一方、微粉ダストは抽気ガス
と共に冷却器１５に送られ、ここで冷却器冷風ファン１
６から供給された冷風により温度２００℃以下に二次冷
却される。その後、抽気ガス中の微粉ダストは、バグフ
ィルタ１７で捕捉され、回収ダストタンク１８に回収さ
れる。この微粉ダストは、高濃度の塩素を含有している
が、通常キルン生産量の０．１％以下と少量であり、ミ
ル添加用タンク１９及び定量供給器２０を介してセメン
ト粉砕系に送られ、許容範囲内でセメントに添加され
る。なお、この高濃度の塩素を含有する微粉ダストは、
セメント生産量の０．１％までの添加であれば、セメン
トの品質上の問題はほとんどないことが確認されてい
る。また、バグフィルタ１７で微粉ダストが除去された
抽気ガスは、排気ファン２１によりキルン系に戻され
る。
【００１３】なお、冷却器１５の入口ダクトには一次冷
却後の抽気ガスの温度を検出する温度センサ２２が設け
られ、プローブ冷却ファン１３にはダンパ２３が接続さ
れると共にこのダンパ２３の開度を調整するためのモー
タ２４が設けられており、温度センサ２２で検出された
抽気ガスの温度が６００〜７００℃程度以下の設定値に
なるように、モータ２４によってダンパ２３の開度が調
整される。また、バグフィルタ１７の入口ダクトには二
次冷却後の抽気ガスの温度を検出する温度センサ２５が
設けられており、この温度センサ２５で検出された抽気
ガスの温度が２００℃程度以下の設定値になるように、
冷却器冷風ファン１６の回転数が調整される。ここで、
温度センサ２２及び温度センサ２５で検出される温度の
各設定値は、例えばキルン１１の運転状況やバイパス率
によって最適な値に設定される。
却後の抽気ガスの温度を検出する温度センサ２２が設け
られ、プローブ冷却ファン１３にはダンパ２３が接続さ
れると共にこのダンパ２３の開度を調整するためのモー
タ２４が設けられており、温度センサ２２で検出された
抽気ガスの温度が６００〜７００℃程度以下の設定値に
なるように、モータ２４によってダンパ２３の開度が調
整される。また、バグフィルタ１７の入口ダクトには二
次冷却後の抽気ガスの温度を検出する温度センサ２５が
設けられており、この温度センサ２５で検出された抽気
ガスの温度が２００℃程度以下の設定値になるように、
冷却器冷風ファン１６の回転数が調整される。ここで、
温度センサ２２及び温度センサ２５で検出される温度の
各設定値は、例えばキルン１１の運転状況やバイパス率
によって最適な値に設定される。
【００１４】また、排気ファン２１にはダンパ２６が接
続されると共にこのダンパ２６の開度を調整するための
モータ２７が設けられており、ダンパ２６の開度を変え
ることによりキルン１１の窯尻からの抽気量、すなわち
バイパス率を調整することができる。塩素バイパス設備
の能力として、例えば最大バイパス率５％程度に設定さ
れるが、キルン１１内に持ち込まれる塩素量やキルン１
１の運転状態に応じてダンパ２６の開度を調整し、バイ
パス率をそのときの最適な値にまで下げて運転が行われ
る。このとき、バイパス率を下げることにより、プロー
ブ１２から粗粉分級サイクロン１４に流れるガス量が少
なくなるので、バイパス率によってはダクト内にダスト
が堆積したり、粗粉分級サイクロン１４における分級効
率が低下する惧れがある。
続されると共にこのダンパ２６の開度を調整するための
モータ２７が設けられており、ダンパ２６の開度を変え
ることによりキルン１１の窯尻からの抽気量、すなわち
バイパス率を調整することができる。塩素バイパス設備
の能力として、例えば最大バイパス率５％程度に設定さ
れるが、キルン１１内に持ち込まれる塩素量やキルン１
１の運転状態に応じてダンパ２６の開度を調整し、バイ
パス率をそのときの最適な値にまで下げて運転が行われ
る。このとき、バイパス率を下げることにより、プロー
ブ１２から粗粉分級サイクロン１４に流れるガス量が少
なくなるので、バイパス率によってはダクト内にダスト
が堆積したり、粗粉分級サイクロン１４における分級効
率が低下する惧れがある。
【００１５】そこで、この実施の形態１においては、粗
粉分級サイクロン１４の入口で所定のガス流速が得られ
るように、バイパス率すなわち抽気量に応じてモータ２
４によりダンパ２３の開度を変えてプローブ冷却ファン
１３からプローブ１２へ供給される外気の量を調整す
る。具体的には、バイパス率を下げたときには、温度セ
ンサ２２で検出される温度の設定値を低くすることによ
りダンパ２３の開度を大きくしてプローブ冷却ファン１
３からの外気量を増加する。これにより、ダクト内のダ
ストの堆積や粗粉分級サイクロン１４における分級効率
の低下が事前に防止される。また、同時に、プローブ１
２に供給する外気量の増大に伴ってプローブ１２におけ
る一次冷却の効果が増大するため、温度センサ２２で検
出される抽気ガスの温度は低くなる。ただし、このとき
抽気ガスの温度が酸露点（８０℃程度）を下回らないよ
うにすることが望ましい。
粉分級サイクロン１４の入口で所定のガス流速が得られ
るように、バイパス率すなわち抽気量に応じてモータ２
４によりダンパ２３の開度を変えてプローブ冷却ファン
１３からプローブ１２へ供給される外気の量を調整す
る。具体的には、バイパス率を下げたときには、温度セ
ンサ２２で検出される温度の設定値を低くすることによ
りダンパ２３の開度を大きくしてプローブ冷却ファン１
３からの外気量を増加する。これにより、ダクト内のダ
ストの堆積や粗粉分級サイクロン１４における分級効率
の低下が事前に防止される。また、同時に、プローブ１
２に供給する外気量の増大に伴ってプローブ１２におけ
る一次冷却の効果が増大するため、温度センサ２２で検
出される抽気ガスの温度は低くなる。ただし、このとき
抽気ガスの温度が酸露点（８０℃程度）を下回らないよ
うにすることが望ましい。
【００１６】実施の形態２．図１に示した塩素バイパス
設備において、図２に示されるように、粗粉分級サイク
ロン１４の入口に可変絞り３１を設け、キルン排ガスの
抽気量に応じて可変絞り３１の開度を調整するように構
成することもできる。具体的には、バイパス率を下げて
抽気量が少ない場合に、可変絞り３１の開度を小さくし
て、所定のサイクロン入口ガス流速を確保する。これに
より、ガス流速の低下に起因する分級効率の低下を防止
することができる。
設備において、図２に示されるように、粗粉分級サイク
ロン１４の入口に可変絞り３１を設け、キルン排ガスの
抽気量に応じて可変絞り３１の開度を調整するように構
成することもできる。具体的には、バイパス率を下げて
抽気量が少ない場合に、可変絞り３１の開度を小さくし
て、所定のサイクロン入口ガス流速を確保する。これに
より、ガス流速の低下に起因する分級効率の低下を防止
することができる。
【００１７】実施の形態３．図１に示した塩素バイパス
設備において、図３に示されるように、粗粉分級サイク
ロン１４として第１及び第２のサイクロン４１及び４２
からなる２系列のダブルサイクロンを使用し、これら第
１及び第２のサイクロン４１及び４２を並列にプローブ
１２に接続することができる。さらに、第１のサイクロ
ン４１の入口にはこの第１のサイクロン４１への抽気ガ
スの流入を遮断するためのシャッタ４３が設けられ、第
２のサイクロン４２の入口には可変絞り４４が設けられ
ている。また、第１及び第２のサイクロン４１及び４２
の出口ダクトは合流して１系列とした後、冷却器１５に
接続されている。
設備において、図３に示されるように、粗粉分級サイク
ロン１４として第１及び第２のサイクロン４１及び４２
からなる２系列のダブルサイクロンを使用し、これら第
１及び第２のサイクロン４１及び４２を並列にプローブ
１２に接続することができる。さらに、第１のサイクロ
ン４１の入口にはこの第１のサイクロン４１への抽気ガ
スの流入を遮断するためのシャッタ４３が設けられ、第
２のサイクロン４２の入口には可変絞り４４が設けられ
ている。また、第１及び第２のサイクロン４１及び４２
の出口ダクトは合流して１系列とした後、冷却器１５に
接続されている。
【００１８】このような構成の粗粉分級サイクロン１４
を用い、バイパス率に応じてシャッタ４３及び可変絞り
４４を調整する。具体的には、最大バイパス率で運転す
る際には、シャッタ４３を開くと共に可変絞り４４を全
開とし、バイパス率が下がるにつれて可変絞り４４の開
度を小さくして所定のサイクロン入口ガス流速を確保す
る。そして、バイパス率が最大バイパス率の５０％以下
になった場合には、シャッタ４３を閉じて第１のサイク
ロン４１への抽気ガスの流入を遮断すると共に可変絞り
４４を大きく開いて第２のサイクロン４２のみで分級を
行う。さらに、バイパス率が下がるにつれて可変絞り４
４の開度を小さくする。このようにすることにより、極
めて広範囲のバイパス率に対して所定のサイクロン入口
ガス流速を確保することができ、ガス流速の低下に起因
する分級効率の低下を防止することが可能となる。
を用い、バイパス率に応じてシャッタ４３及び可変絞り
４４を調整する。具体的には、最大バイパス率で運転す
る際には、シャッタ４３を開くと共に可変絞り４４を全
開とし、バイパス率が下がるにつれて可変絞り４４の開
度を小さくして所定のサイクロン入口ガス流速を確保す
る。そして、バイパス率が最大バイパス率の５０％以下
になった場合には、シャッタ４３を閉じて第１のサイク
ロン４１への抽気ガスの流入を遮断すると共に可変絞り
４４を大きく開いて第２のサイクロン４２のみで分級を
行う。さらに、バイパス率が下がるにつれて可変絞り４
４の開度を小さくする。このようにすることにより、極
めて広範囲のバイパス率に対して所定のサイクロン入口
ガス流速を確保することができ、ガス流速の低下に起因
する分級効率の低下を防止することが可能となる。
【００１９】実施の形態４．図１に示した塩素バイパス
設備において、図４に示されるように、プローブとサイ
クロンをそれぞれ並列に２系列配置することもできる。
すなわち、キルン１１の窯尻に二重管構造のプローブ５
１及び５２が設けられ、これらプローブ５１及び５２の
内管の出口にそれぞれ粗粉分級サイクロン５３及び５４
が接続される。粗粉分級サイクロン５３及び５４の出口
ダクトは合流して１系列とした後、冷却器１５に接続さ
れている。プローブ５１及び５２には、それぞれ外部か
ら内管と外管との間を通してキルン１１の窯尻方向に外
気を供給するためのプローブ冷却ファン５５及び５６が
接続され、各プローブ冷却ファン５５及び５６にダクト
５７及び５８とダクト駆動用モータ５９及び６０が接続
されている。
設備において、図４に示されるように、プローブとサイ
クロンをそれぞれ並列に２系列配置することもできる。
すなわち、キルン１１の窯尻に二重管構造のプローブ５
１及び５２が設けられ、これらプローブ５１及び５２の
内管の出口にそれぞれ粗粉分級サイクロン５３及び５４
が接続される。粗粉分級サイクロン５３及び５４の出口
ダクトは合流して１系列とした後、冷却器１５に接続さ
れている。プローブ５１及び５２には、それぞれ外部か
ら内管と外管との間を通してキルン１１の窯尻方向に外
気を供給するためのプローブ冷却ファン５５及び５６が
接続され、各プローブ冷却ファン５５及び５６にダクト
５７及び５８とダクト駆動用モータ５９及び６０が接続
されている。
【００２０】そして、バイパス率が最大バイパス率の５
０％より高いときには、２系列のプローブ５１及び５２
の双方から抽気して２台の粗粉分級サイクロン５３及び
５４で分級を行い、バイパス率が最大バイパス率の５０
％以下になった場合には、一方のプローブ５１からの抽
気を停止し、他方のプローブ５２のみで抽気を行い、一
つの粗粉分級サイクロン５４のみで分級を行う。このよ
うにすることにより、ダクト内とサイクロン入口におい
て所定のガス流速を確保することができ、ダクト内のダ
ストの堆積や分級効率の低下を防止することが可能とな
る。
０％より高いときには、２系列のプローブ５１及び５２
の双方から抽気して２台の粗粉分級サイクロン５３及び
５４で分級を行い、バイパス率が最大バイパス率の５０
％以下になった場合には、一方のプローブ５１からの抽
気を停止し、他方のプローブ５２のみで抽気を行い、一
つの粗粉分級サイクロン５４のみで分級を行う。このよ
うにすることにより、ダクト内とサイクロン入口におい
て所定のガス流速を確保することができ、ダクト内のダ
ストの堆積や分級効率の低下を防止することが可能とな
る。
【００２１】なお、予めプローブ５１と粗粉分級サイク
ロン５３とを接続するダクト等にダンパを設けておき、
このダンパを閉じることによってプローブ５１からの抽
気を停止することができる。
ロン５３とを接続するダクト等にダンパを設けておき、
このダンパを閉じることによってプローブ５１からの抽
気を停止することができる。
【００２２】上述した実施の形態１〜４の運転方法は、
それぞれ単独に行うこともでき、あるいは互いに併用す
ることもできる。
それぞれ単独に行うこともでき、あるいは互いに併用す
ることもできる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、サイクロンの入口において所定のガス流速が確保さ
れるので、プローブとサイクロンとの間のダクト内にお
けるダストの堆積及びサイクロンにおける分級効率の低
下が防止され、効率のよい塩素除去を行うことが可能と
なる。
ば、サイクロンの入口において所定のガス流速が確保さ
れるので、プローブとサイクロンとの間のダクト内にお
けるダストの堆積及びサイクロンにおける分級効率の低
下が防止され、効率のよい塩素除去を行うことが可能と
なる。
【図１】この発明の実施の形態１に係る運転方法を実施
するための塩素バイパス設備を示すフロー図である。
するための塩素バイパス設備を示すフロー図である。
【図２】実施の形態２に係る運転方法を実施するための
粗粉分級サイクロンを示す図である。
粗粉分級サイクロンを示す図である。
【図３】実施の形態３に係る運転方法を実施するための
粗粉分級サイクロンを示す図である。
粗粉分級サイクロンを示す図である。
【図４】実施の形態４に係る運転方法を実施するための
塩素バイパス設備を示す部分的なフロー図である。
塩素バイパス設備を示す部分的なフロー図である。
【図５】塩素バイパス設備における概略的なフロー図で
ある。
ある。
１１ キルン １２，５１，５２ プローブ １３，５５，５６ プローブ冷却ファン １４，５３，５４ 粗粉分級サイクロン １５ 冷却器 １６ 冷却器冷風ファン １７ バグフィルタ １８ 回収ダストタンク ２１ 排気ファン ２２，２５ 温度センサ ２３，２６，５７，５８ ダンパ ２４，２７，５９，６０ モータ ３１，４４ 可変絞り ４１ 第１のサイクロン ４２ 第２のサイクロン ４３ シャッタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 7/00 - 7/60
Claims (5)
- 【請求項１】 キルン排ガスをプローブにより抽気する
と共にプローブ内に外気を取り入れて一次冷却し、サイ
クロンで粗粉を分離した後、冷却器で二次冷却し、さら
に集塵機で高塩素濃度の微粉ダストを回収する塩素バイ
パス設備の運転方法において、 所定のサイクロン入口ガス流速が得られるようにキルン
排ガスの抽気量に応じてプローブ内に供給する外気の量
を調整することを特徴とする塩素バイパス設備の運転方
法。 - 【請求項２】 キルン排ガスをプローブにより抽気する
と共にプローブ内に外気を取り入れて一次冷却し、サイ
クロンで粗粉を分離した後、冷却器で二次冷却し、さら
に集塵機で高塩素濃度の微粉ダストを回収する塩素バイ
パス設備の運転方法において、 サイクロンの入口に可変絞りを設け、キルン排ガスの抽
気量に応じて可変絞りの開度を調整することにより所定
のサイクロン入口ガス流速を確保することを特徴とする
塩素バイパス設備の運転方法。 - 【請求項３】 キルン排ガスをプローブにより抽気する
と共にプローブ内に外気を取り入れて一次冷却し、サイ
クロンで粗粉を分離した後、冷却器で二次冷却し、さら
に集塵機で高塩素濃度の微粉ダストを回収する塩素バイ
パス設備の運転方法において、 プローブに並列に２系列のサイクロンを接続し、キルン
排ガスの抽気量が最大値の５０％以下のときに一方のサ
イクロンを閉じて他方のサイクロンのみで分級を行うこ
とにより所定のサイクロン入口ガス流速を確保すること
を特徴とする塩素バイパス設備の運転方法。 - 【請求項４】 他方のサイクロンの入口に可変絞りを設
け、キルン排ガスの抽気量に応じて可変絞りの開度を調
整することを特徴とする請求項３に記載の塩素バイパス
設備の運転方法。 - 【請求項５】 キルン排ガスをプローブにより抽気する
と共にプローブ内に外気を取り入れて一次冷却し、サイ
クロンで粗粉を分離した後、冷却器で二次冷却し、さら
に集塵機で高塩素濃度の微粉ダストを回収する塩素バイ
パス設備の運転方法において、 プローブとサイクロンをそれぞれ並列に２系列配置し、
キルン排ガスの抽気量が最大値の５０％以下のときに一
方のプローブからの抽気を停止して他方のプローブのみ
で抽気を行うことにより所定のサイクロン入口ガス流速
を確保することを特徴とする塩素バイパス設備の運転方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09191403A JP3115545B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 塩素バイパス設備の運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09191403A JP3115545B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 塩素バイパス設備の運転方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1135354A JPH1135354A (ja) | 1999-02-09 |
| JP3115545B2 true JP3115545B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=16274033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09191403A Expired - Lifetime JP3115545B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 塩素バイパス設備の運転方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3115545B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4650983B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2011-03-16 | 太平洋セメント株式会社 | セメント製造排ガスの処理方法 |
| KR100661403B1 (ko) * | 2002-12-11 | 2006-12-27 | 다이헤이요 세멘토 가부시키가이샤 | 시멘트 킬른 염소·유황 바이패스 시스템 |
| US7048784B2 (en) * | 2003-01-22 | 2006-05-23 | Taiheiyo Cement Corporation | Method and system for treating exhaust gas from cement manufacturing equipment |
| JP2006089298A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | セメント焼成設備における排ガスの処理方法及び処理装置 |
| JP4512473B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2010-07-28 | 太平洋セメント株式会社 | セメント製造工程からの抽気ガスの合流装置及び分岐装置 |
| JP5050330B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2012-10-17 | 宇部興産株式会社 | セメントキルンの抽気排ガスの処理方法及び装置 |
| JP5157841B2 (ja) * | 2008-11-13 | 2013-03-06 | 三菱マテリアル株式会社 | セメント焼成設備の排ガス処理方法および処理システム |
| JP5348792B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2013-11-20 | 太平洋セメント株式会社 | 燃焼ガス抽気プローブ及びその運転方法 |
| JP6602175B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-11-06 | 太平洋セメント株式会社 | セメントキルン排ガスの処理装置及び処理方法 |
-
1997
- 1997-07-16 JP JP09191403A patent/JP3115545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1135354A (ja) | 1999-02-09 |
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