JP3113016B2 - 液晶表示セルの製造方法 - Google Patents
液晶表示セルの製造方法Info
- Publication number
- JP3113016B2 JP3113016B2 JP03311493A JP31149391A JP3113016B2 JP 3113016 B2 JP3113016 B2 JP 3113016B2 JP 03311493 A JP03311493 A JP 03311493A JP 31149391 A JP31149391 A JP 31149391A JP 3113016 B2 JP3113016 B2 JP 3113016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- crystal display
- metal layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ストライプ状に電極を
形成された一対の基板を交差対向して貼合わせマトリク
ス配列の画素を形成した液晶表示セルの製造方法に関
し、特に電極抵抗を低減し、画素間を遮光する必要のあ
る強誘電性液晶セルの製造方法に関する。
形成された一対の基板を交差対向して貼合わせマトリク
ス配列の画素を形成した液晶表示セルの製造方法に関
し、特に電極抵抗を低減し、画素間を遮光する必要のあ
る強誘電性液晶セルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、近年ますます大画面化
の方向に発展しつつあるが、表示パネルが大型化するに
つれて電極の電気抵抗による発熱と電圧波形の遅延が深
刻な問題になってきた。電極の抵抗を小さくするには、
電極を構成している透明導電層のシート抵抗ρS を小さ
くすることがまず考えられるが、通常用いられているＩ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）ではρS ＝
１０Ω／ｓｑｕａｒｅがせいぜいであって、画面の高精
細化、カラー化に伴って電極幅がさらに細くなることを
考えると、この方法には限界がある。そこで透明電極に
沿って金属の補助電極を形成し電気抵抗を下げる方法が
有力視されるようになった。図４はこの構成による基板
を模式的に示したものである。
の方向に発展しつつあるが、表示パネルが大型化するに
つれて電極の電気抵抗による発熱と電圧波形の遅延が深
刻な問題になってきた。電極の抵抗を小さくするには、
電極を構成している透明導電層のシート抵抗ρS を小さ
くすることがまず考えられるが、通常用いられているＩ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）ではρS ＝
１０Ω／ｓｑｕａｒｅがせいぜいであって、画面の高精
細化、カラー化に伴って電極幅がさらに細くなることを
考えると、この方法には限界がある。そこで透明電極に
沿って金属の補助電極を形成し電気抵抗を下げる方法が
有力視されるようになった。図４はこの構成による基板
を模式的に示したものである。
【０００３】図４の基板は、ガラス基板４１上にＩＴＯ
等の透明電極４２をストライプ状に形成し、さらに透明
電極４２の長軸方向に沿って金属層４３を細く形成した
ものである。金属層４３はＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏなどが通常
用いられる。このように金属層を形成することによって
電極抵抗をＩＴＯだけの場合に比べて１桁〜２桁小さく
することができる。
等の透明電極４２をストライプ状に形成し、さらに透明
電極４２の長軸方向に沿って金属層４３を細く形成した
ものである。金属層４３はＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏなどが通常
用いられる。このように金属層を形成することによって
電極抵抗をＩＴＯだけの場合に比べて１桁〜２桁小さく
することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法には以下のような欠点があった。その第１は金属膜４
３が隣りの電極４２に接触しないようにする必要がある
ことから、パターンニングの精度が高くなければならな
いことである。例えば図４の構成で透明電極４２の幅を
２００μｍ、電極間隙を２０μｍ、金属層４３の幅を２
０μｍとすると、有効画素面積をできるだけ広くとるた
めに金属層４２のパターンニングはＩＴＯパターンに対
して１０μｍ以下、望ましくは５μｍの合わせ精度をも
って行なう必要がある。合わせ精度が１０μｍの場合、
有効画素幅は１９０μｍ、合わせ精度が５μｍならば有
効画素幅は１９５μｍとなる。しかし、パターンニング
精度を上げるには高精度のマスクとアライナが必要にな
りコスト高を招く。
法には以下のような欠点があった。その第１は金属膜４
３が隣りの電極４２に接触しないようにする必要がある
ことから、パターンニングの精度が高くなければならな
いことである。例えば図４の構成で透明電極４２の幅を
２００μｍ、電極間隙を２０μｍ、金属層４３の幅を２
０μｍとすると、有効画素面積をできるだけ広くとるた
めに金属層４２のパターンニングはＩＴＯパターンに対
して１０μｍ以下、望ましくは５μｍの合わせ精度をも
って行なう必要がある。合わせ精度が１０μｍの場合、
有効画素幅は１９０μｍ、合わせ精度が５μｍならば有
効画素幅は１９５μｍとなる。しかし、パターンニング
精度を上げるには高精度のマスクとアライナが必要にな
りコスト高を招く。
【０００５】欠点の第２は画素間の遮光が完全でないこ
とである。図４の構成は金属膜４３によって画素間の半
ば以上が覆われるが完全に覆うことは出来ないから、別
に遮光膜を設ける必要がある。遮光膜として図５のよう
に金属遮光パターン５１をはじめに形成し絶縁性の透明
樹脂５２で被覆した後その上に図４と同様の電極をつく
る方法が考えられる。しかし、この方法にはパターンニ
ング工程が増えるなどの問題がある。
とである。図４の構成は金属膜４３によって画素間の半
ば以上が覆われるが完全に覆うことは出来ないから、別
に遮光膜を設ける必要がある。遮光膜として図５のよう
に金属遮光パターン５１をはじめに形成し絶縁性の透明
樹脂５２で被覆した後その上に図４と同様の電極をつく
る方法が考えられる。しかし、この方法にはパターンニ
ング工程が増えるなどの問題がある。
【０００６】本発明の目的は、上述の従来技術における
問題点に鑑み、電極抵抗を低減し、画素間を遮光し、コ
スト高を招くことなく製造できる液晶表示セルの製造方
法を提供することにある。
問題点に鑑み、電極抵抗を低減し、画素間を遮光し、コ
スト高を招くことなく製造できる液晶表示セルの製造方
法を提供することにある。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ストライプ状
に電極を形成された一対の基板を交差対向して貼合わせ
マトリクス配列の画素を形成する液晶表示セルの製造方
法において、各基板上の前記電極相互間の各隙間に相当
する位置にその隙間より僅かに広い幅を有する不透明絶
縁層と金属層をこの順に積層形成する電極間遮光パター
ン形成工程と、前記基板上の全面に透明導電膜を形成し
前記金属層を長軸方向に２分するように該透明導電膜お
よび金属層をパターンニングし、長軸方向に沿って両側
を金属層で縁取りされた複数の透明電極からなる前記ス
トライプ状電極を形成する電極形成工程とを含む液晶表
示セルの製造方法である。
に電極を形成された一対の基板を交差対向して貼合わせ
マトリクス配列の画素を形成する液晶表示セルの製造方
法において、各基板上の前記電極相互間の各隙間に相当
する位置にその隙間より僅かに広い幅を有する不透明絶
縁層と金属層をこの順に積層形成する電極間遮光パター
ン形成工程と、前記基板上の全面に透明導電膜を形成し
前記金属層を長軸方向に２分するように該透明導電膜お
よび金属層をパターンニングし、長軸方向に沿って両側
を金属層で縁取りされた複数の透明電極からなる前記ス
トライプ状電極を形成する電極形成工程とを含む液晶表
示セルの製造方法である。
【００１０】ここで、不透明絶縁層は、不透明樹脂で形
成することができる。
成することができる。
【００１１】さらに、本発明で製造される液晶表示装置
は、上述した方法で製造された液晶表示セルに、クロッ
ク発生器と、走査電極セレクタと、走査電極ドライバ
と、データ発生器と、信号電極ドライバとを組み合わせ
て構成される。
は、上述した方法で製造された液晶表示セルに、クロッ
ク発生器と、走査電極セレクタと、走査電極ドライバ
と、データ発生器と、信号電極ドライバとを組み合わせ
て構成される。
【００１２】本発明で製造される液晶表示セルは、図６
（ａ）（ｂ）に示すような構成を取ることができる。図
６に示す液晶表示セルは、ガラス板またはプラスチック
板等からなる一対の基板６２１ａと６２１ｂを所定の間
隔に保持して対向させ、この一対の基板６２１ａ，６２
１ｂ間に液晶６２６を封入するために接着剤６２５でこ
れらの基板間を接着したセル構造を有している。さら
に、基板６２１ａ上には、複数の透明電極６２２ａから
なる電極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査
電圧印加用のコモン電極群）が例えば帯状パターン等の
所定パターンで形成されている。基板６２１ｂの上に
は、前述の透明電極６２２ａと交差する複数の透明電極
６２２ｂからなる電極群（例えば、マトリクス電極構造
のうちの信号電圧印加用のセグメント電極群）が形成さ
れている。
（ａ）（ｂ）に示すような構成を取ることができる。図
６に示す液晶表示セルは、ガラス板またはプラスチック
板等からなる一対の基板６２１ａと６２１ｂを所定の間
隔に保持して対向させ、この一対の基板６２１ａ，６２
１ｂ間に液晶６２６を封入するために接着剤６２５でこ
れらの基板間を接着したセル構造を有している。さら
に、基板６２１ａ上には、複数の透明電極６２２ａから
なる電極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査
電圧印加用のコモン電極群）が例えば帯状パターン等の
所定パターンで形成されている。基板６２１ｂの上に
は、前述の透明電極６２２ａと交差する複数の透明電極
６２２ｂからなる電極群（例えば、マトリクス電極構造
のうちの信号電圧印加用のセグメント電極群）が形成さ
れている。
【００１３】基板６２１ａと６２１ｂの少なくとも一方
に、絶縁膜６２３と配向膜６２４、またはこれらのいず
れか一方ずつが配置されている。
に、絶縁膜６２３と配向膜６２４、またはこれらのいず
れか一方ずつが配置されている。
【００１４】また、透明電極６２２ａ，６２２ｂは、そ
れぞれの電極がその長軸方向に沿って両端に２つの金属
層６２８からなる電極を伴っており、また、前記透明電
極と前記金属層のパターンに応じて、絶縁遮光層６２７
と透明樹脂層６２９が前記電極下に設けられている。
れぞれの電極がその長軸方向に沿って両端に２つの金属
層６２８からなる電極を伴っており、また、前記透明電
極と前記金属層のパターンに応じて、絶縁遮光層６２７
と透明樹脂層６２９が前記電極下に設けられている。
【００１５】ここで用いられる配向制御膜６２４として
は、例えば一酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウ
ム、ジルコニア、フッ化マグネジウム、酸化セリウム、
フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物およ
びホウ素窒化物等の無機絶縁物質や、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
アミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂およびアクリル樹脂等の有機絶縁物質を
用いて被膜形成したものを用いることができる。上述の
無機絶縁物質の膜は、絶縁体膜の機能を兼ねることがで
きる。
は、例えば一酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウ
ム、ジルコニア、フッ化マグネジウム、酸化セリウム、
フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物およ
びホウ素窒化物等の無機絶縁物質や、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
アミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂およびアクリル樹脂等の有機絶縁物質を
用いて被膜形成したものを用いることができる。上述の
無機絶縁物質の膜は、絶縁体膜の機能を兼ねることがで
きる。
【００１６】この配向制御膜６２４には、前述の如き無
機絶縁物質または有機絶縁物質を被膜形成した後に、そ
の表面をビロード、布または紙等で一方向に摺擦（ラビ
ング）することによって、摺擦方向と同一方向の一軸性
配向軸を付与することができる。
機絶縁物質または有機絶縁物質を被膜形成した後に、そ
の表面をビロード、布または紙等で一方向に摺擦（ラビ
ング）することによって、摺擦方向と同一方向の一軸性
配向軸を付与することができる。
【００１７】上下基板における前記一軸性配向軸の相対
的な交差角は、セル構成および液晶の種類によって適宜
選択されるが、一般に、０°（平行）〜４０°、好まし
くは２°〜２５°の範囲より選ばれる。
的な交差角は、セル構成および液晶の種類によって適宜
選択されるが、一般に、０°（平行）〜４０°、好まし
くは２°〜２５°の範囲より選ばれる。
【００１８】また、絶縁体膜６２３は２００Å厚以上、
好ましくは５００Å厚以上の膜厚に設定され、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 やＢａＴｉＯ3
などの無機絶縁物質を成膜することによって得られる。
成膜法としては、スパッタリング法、イオンビーム蒸着
法あるいは有機チタン化合物、有機シラン化合物や有機
アルミニウム化合物の塗布膜を焼成する方法等を用いる
ことができる。この際、有機チタン化合物としては、ア
ルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）チタ
ネート化合物を、有機シラン化合物としては通常のシラ
ンカップリング剤などを用いることができる。
好ましくは５００Å厚以上の膜厚に設定され、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 やＢａＴｉＯ3
などの無機絶縁物質を成膜することによって得られる。
成膜法としては、スパッタリング法、イオンビーム蒸着
法あるいは有機チタン化合物、有機シラン化合物や有機
アルミニウム化合物の塗布膜を焼成する方法等を用いる
ことができる。この際、有機チタン化合物としては、ア
ルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）チタ
ネート化合物を、有機シラン化合物としては通常のシラ
ンカップリング剤などを用いることができる。
【００１９】絶縁体膜６２３の膜厚が２００Å未満であ
る場合は充分なショート防止効果を得ることができず、
またその膜厚を５０００Å超とすると液晶層に印加され
る実効的な電圧が印加されなくなるので、この膜厚は２
００Å以上で５０００Å以下、好ましくは２０００Å以
下に設定する。
る場合は充分なショート防止効果を得ることができず、
またその膜厚を５０００Å超とすると液晶層に印加され
る実効的な電圧が印加されなくなるので、この膜厚は２
００Å以上で５０００Å以下、好ましくは２０００Å以
下に設定する。
【００２０】本発明で用いる液晶材料として特に適した
ものは、カイラルスメクティック液晶であって強誘電性
を有するものである。具体的にはカイラルスメクティッ
クＣ相（ＳｍＣ* ）、カイラルスメクティックＧ相（Ｓ
ｍＧ* ）、カイラルスメクティックＦ相（ＳｍＦ* ）、
カイラルスメクティックＩ相（ＳｍＩ* ）またはカイラ
ルスメクティックＨ相（ＳｍＨ* ）の液晶を用いること
ができる。
ものは、カイラルスメクティック液晶であって強誘電性
を有するものである。具体的にはカイラルスメクティッ
クＣ相（ＳｍＣ* ）、カイラルスメクティックＧ相（Ｓ
ｍＧ* ）、カイラルスメクティックＦ相（ＳｍＦ* ）、
カイラルスメクティックＩ相（ＳｍＩ* ）またはカイラ
ルスメクティックＨ相（ＳｍＨ* ）の液晶を用いること
ができる。
【００２１】強誘電性液晶の詳細については、例えばLE
JOURNAL DE PHYSIOUE LETTERS ”36(L-69)1975,「Ferro
electric Liquid Crystals 」、“Applied physics Let
ters ”36 (11) 1980「Submicro Second Bi-stableElec
trooptic Switching in Liquid Crystals 」、“固体物
理”16 (141) 1981 「液晶」、米国特許第４，５６１，
７２６号公報、米国特許第４，５８９，９９６号公報、
米国特許第４，５９２，８５８号公報、米国特許第４，
５９６，６６７号公報、米国特許第４，６１３，２０９
号公報、米国特許第４，６１４，６０９号公報および米
国特許第４，６２２，１６５号公報等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。
JOURNAL DE PHYSIOUE LETTERS ”36(L-69)1975,「Ferro
electric Liquid Crystals 」、“Applied physics Let
ters ”36 (11) 1980「Submicro Second Bi-stableElec
trooptic Switching in Liquid Crystals 」、“固体物
理”16 (141) 1981 「液晶」、米国特許第４，５６１，
７２６号公報、米国特許第４，５８９，９９６号公報、
米国特許第４，５９２，８５８号公報、米国特許第４，
５９６，６６７号公報、米国特許第４，６１３，２０９
号公報、米国特許第４，６１４，６０９号公報および米
国特許第４，６２２，１６５号公報等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。
【００２２】強誘電性液晶化合物の具体例としては、デ
シロキシベンジリデン−ｐ’−アミノ−２−メチルブチ
ルシンメナート（ＤＯＢＡＭＢＣ）、ヘキシルオキシベ
ンジリデン−ｐ’−アミノ−２−クロロプロピルシンメ
ナート（ＨＯＢＡＣＰＣ）および４−ｏ−（２−メチ
ル）ブチルレゾルシリデン−４′−オクチルアニリン
（ＭＢＲ８）が挙げられる。
シロキシベンジリデン−ｐ’−アミノ−２−メチルブチ
ルシンメナート（ＤＯＢＡＭＢＣ）、ヘキシルオキシベ
ンジリデン−ｐ’−アミノ−２−クロロプロピルシンメ
ナート（ＨＯＢＡＣＰＣ）および４−ｏ−（２−メチ
ル）ブチルレゾルシリデン−４′−オクチルアニリン
（ＭＢＲ８）が挙げられる。
【００２３】
【作用】本発明によって製造される液晶表示セルを構成
する基板上には、長軸方向に沿って両側を金属層６２８
で縁取りされた複数の透明電極６２２ａ，６２２ｂから
なるストライプ状電極が形成され、かつ各透明電極間隙
は遮光される。そして、このような基板一対を透明電極
を交差させて対向し、間に液晶を挟持させることによっ
て、透明電極が対向する各部分を画素とする液晶表示セ
ルが構成される。
する基板上には、長軸方向に沿って両側を金属層６２８
で縁取りされた複数の透明電極６２２ａ，６２２ｂから
なるストライプ状電極が形成され、かつ各透明電極間隙
は遮光される。そして、このような基板一対を透明電極
を交差させて対向し、間に液晶を挟持させることによっ
て、透明電極が対向する各部分を画素とする液晶表示セ
ルが構成される。
【００２４】
【効果】したがって、本発明によって製造される液晶表
示セルは、透明電極６２２ａ，６２２ｂの電極抵抗が前
記縁取り金属層により低減される。また、画素間は、前
記遮光層６２７が対向する部分となるため遮光される。
さらに、有効画素面積は、金属層６２８（すなわち遮光
層６２７）の間隔で決定され、かつこれらの層は同一の
形状および寸法に形成すれば良いので一つのマスクで形
成することができる。このため、重ね合わせ精度の問題
は生じない。また、各縁取り金属層６２８の幅はパター
ンニングの際の重ね合わせ精度により定まるが、透明電
極６２２ａ，６２２ｂの左右の金属層６２８の幅の合計
は重ね合わせ精度への依存度が低い。したがって、パタ
ーンニングの際の重ね合わせ精度もそれ程高精度の必要
はない。このため、特にコスト高となることもない。
示セルは、透明電極６２２ａ，６２２ｂの電極抵抗が前
記縁取り金属層により低減される。また、画素間は、前
記遮光層６２７が対向する部分となるため遮光される。
さらに、有効画素面積は、金属層６２８（すなわち遮光
層６２７）の間隔で決定され、かつこれらの層は同一の
形状および寸法に形成すれば良いので一つのマスクで形
成することができる。このため、重ね合わせ精度の問題
は生じない。また、各縁取り金属層６２８の幅はパター
ンニングの際の重ね合わせ精度により定まるが、透明電
極６２２ａ，６２２ｂの左右の金属層６２８の幅の合計
は重ね合わせ精度への依存度が低い。したがって、パタ
ーンニングの際の重ね合わせ精度もそれ程高精度の必要
はない。このため、特にコスト高となることもない。
【００２５】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。実施例１ 図１は、本発明の一実施例に係る液晶セル基板の製造工
程を示す。
る。実施例１ 図１は、本発明の一実施例に係る液晶セル基板の製造工
程を示す。
【００２６】本実施例においては、基板１１上に不透明
樹脂層１４と金属膜１５との積層膜で画素間パターンを
形成し、この上にＩＴＯを成膜パターンニングし、パタ
ーンニングの際にすぐ下の金属膜１５も同時に除去する
という方法で透明電極１６、縁取り金属１５および遮光
層１４を形成した。
樹脂層１４と金属膜１５との積層膜で画素間パターンを
形成し、この上にＩＴＯを成膜パターンニングし、パタ
ーンニングの際にすぐ下の金属膜１５も同時に除去する
という方法で透明電極１６、縁取り金属１５および遮光
層１４を形成した。
【００２７】以下、工程を追って説明する。すなわち、
図１の（ａ）−(e)の順で作業を行ない、液晶セル基板
を作成した。
図１の（ａ）−(e)の順で作業を行ない、液晶セル基板
を作成した。
【００２８】（ａ）基板１１上にポリビニルアルコール
（ＰＶＡ）膜１２を約１μｍの厚さで形成し、レジスト
パターン１３をつけて染色液中に浸漬し所定部１４を着
色する（遮光層形成工程）。
（ＰＶＡ）膜１２を約１μｍの厚さで形成し、レジスト
パターン１３をつけて染色液中に浸漬し所定部１４を着
色する（遮光層形成工程）。
【００２９】（ｂ）レジスト１３をつけたままアルミニ
ウム膜１５を蒸着しレジスト１３を除去する。染色部以
外のアルミニウムはリフトオフにより取除かれる（金属
層形成工程）。
ウム膜１５を蒸着しレジスト１３を除去する。染色部以
外のアルミニウムはリフトオフにより取除かれる（金属
層形成工程）。
【００３０】（ｃ）ＩＴＯ１６をスパッタリングにより
基板表面全面に、約１００Åの厚さにつくる。
基板表面全面に、約１００Åの厚さにつくる。
【００３１】（ｄ）レジストパターンをつけてエッチン
グ液中に浸す。エッチングは２段階に分けて行ない、ま
ず、ヨウ化水素酸水溶液中に浸すことでＩＴＯ１６を除
去し、次いでリン酸、硝酸、酢酸の混合水溶液中に浸し
てアルミニウムを除去する（パターンニング工程）。
グ液中に浸す。エッチングは２段階に分けて行ない、ま
ず、ヨウ化水素酸水溶液中に浸すことでＩＴＯ１６を除
去し、次いでリン酸、硝酸、酢酸の混合水溶液中に浸し
てアルミニウムを除去する（パターンニング工程）。
【００３２】（ｅ）絶縁層１７としてＴａ2 Ｏ5 膜また
はＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合膜を形成しさらに配向膜
（ポリイミド）１８を塗布、ラビングしてセル組みす
る。
はＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合膜を形成しさらに配向膜
（ポリイミド）１８を塗布、ラビングしてセル組みす
る。
【００３３】以上のように本実施例では不透明樹脂と金
属膜を同一パターンに積層形成したので、パターンニン
グ回数が２回で済み、従来、遮光膜、透明電極および金
属層と３回のパターンニング工程を経ていたのに比べ簡
略化された。また、ＩＴＯのパターンニングは金属膜を
２分するように行なうので多少合わせ精度が悪くても配
線抵抗が変動することが少ない。例えば図２（ａ）のよ
うに、不透明樹脂層１４を幅３０μｍ、透明電極１９を
幅２１０μｍ、間隔１０μｍで形成する際にはＩＴＯの
パターンニングの際の合わせ精度は±１０μｍでよく、
いくらかずれて図２（ｂ）のようにパターンニングされ
たとしても同一電極内の左右２本の金属膜１５ａと１５
ｂの幅の合計は２０μｍに保たれるから配線抵抗は一定
に保たれる。また、有効画素幅は最初の不透明樹脂層お
よび金属層のパターンで決まり（今の場合１９０μ
ｍ）、ＩＴＯパターンニングの際の合わせのずれには影
響されない。
属膜を同一パターンに積層形成したので、パターンニン
グ回数が２回で済み、従来、遮光膜、透明電極および金
属層と３回のパターンニング工程を経ていたのに比べ簡
略化された。また、ＩＴＯのパターンニングは金属膜を
２分するように行なうので多少合わせ精度が悪くても配
線抵抗が変動することが少ない。例えば図２（ａ）のよ
うに、不透明樹脂層１４を幅３０μｍ、透明電極１９を
幅２１０μｍ、間隔１０μｍで形成する際にはＩＴＯの
パターンニングの際の合わせ精度は±１０μｍでよく、
いくらかずれて図２（ｂ）のようにパターンニングされ
たとしても同一電極内の左右２本の金属膜１５ａと１５
ｂの幅の合計は２０μｍに保たれるから配線抵抗は一定
に保たれる。また、有効画素幅は最初の不透明樹脂層お
よび金属層のパターンで決まり（今の場合１９０μ
ｍ）、ＩＴＯパターンニングの際の合わせのずれには影
響されない。
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】実施例２ 図７は、本発明によって作製した液晶表示セルとそれを
駆動する駆動回路とからなる液晶表示装置の一例を簡略
化して示したものである。図中、液晶表示セル７００の
走査電極群７０１に与えられる信号は、クロック発生器
７０２より発生したクロック信号（ＣＳ）を、走査電極
を選択する走査電極セレクタ７０３に送り、これを走査
電極ドライバ７０４に送ることによって形成される。
駆動する駆動回路とからなる液晶表示装置の一例を簡略
化して示したものである。図中、液晶表示セル７００の
走査電極群７０１に与えられる信号は、クロック発生器
７０２より発生したクロック信号（ＣＳ）を、走査電極
を選択する走査電極セレクタ７０３に送り、これを走査
電極ドライバ７０４に送ることによって形成される。
【００４４】一方、信号電極群７０５に与えられる信号
（ＤＭ）は、データ発生器７０６の出力信号（ＤＳ）と
クロック発生器７０２から与えられるクロック信号（Ｃ
Ｓ）が、情報信号と補助信号を形成しうるデータ変調器
７０７に送られて、情報信号および補助信号として形成
され、これらが信号電極ドライバ７０８を通して供給さ
れる。
（ＤＭ）は、データ発生器７０６の出力信号（ＤＳ）と
クロック発生器７０２から与えられるクロック信号（Ｃ
Ｓ）が、情報信号と補助信号を形成しうるデータ変調器
７０７に送られて、情報信号および補助信号として形成
され、これらが信号電極ドライバ７０８を通して供給さ
れる。
【００４５】以上のような構成の液晶表示装置を用いて
駆動したところ、良好な画像表示をすることができた。
駆動したところ、良好な画像表示をすることができた。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る液晶セルの製造
方法を示す工程説明図である。
方法を示す工程説明図である。
【図２】 図１に示す製造方法の効果を説明するための
図である。
図である。
【図３】 参考例に係る液晶セルの製造方法を示す工程
説明図である。
説明図である。
【図４，５】 それぞれ、従来の液晶セルの構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】 本発明の一実施例の方法による液晶表示セル
の構成を示す（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
の構成を示す（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図７】 図６の液晶表示セルとそれを駆動する駆動回
路とからなる液晶表示装置の一例を簡略化して示すブロ
ック回路図である。
路とからなる液晶表示装置の一例を簡略化して示すブロ
ック回路図である。
１１，４１：ガラス基板、１２：透明樹脂層、１３：レ
ジスト（金属膜１５形成用）、１４：不透明樹脂層、１
５：金属膜、１５ａ，１５ｂ：縁取り金属膜、１６：透
明導電膜、１７：絶縁層、１８：配向膜、３１：金属層
（遮光層）、６２１ａ，６２１ｂ：基板、６２２ａ，６
２２ｂ：透明電極、６２３：絶縁膜、６２６：液晶、６
２７：絶縁遮光膜、６２８：金属層（金属電極）、６２
９：透明絶縁層、７００：液晶表示セル、７０１：走査
電極群、７０２：クロック発生器、７０３：走査電極セ
レクタ、７０４：走査電極ドライバ、７０５：信号電極
群、７０６：データ発生器、７０７：データ変調器、７
０８：信号電極ドライバ。
ジスト（金属膜１５形成用）、１４：不透明樹脂層、１
５：金属膜、１５ａ，１５ｂ：縁取り金属膜、１６：透
明導電膜、１７：絶縁層、１８：配向膜、３１：金属層
（遮光層）、６２１ａ，６２１ｂ：基板、６２２ａ，６
２２ｂ：透明電極、６２３：絶縁膜、６２６：液晶、６
２７：絶縁遮光膜、６２８：金属層（金属電極）、６２
９：透明絶縁層、７００：液晶表示セル、７０１：走査
電極群、７０２：クロック発生器、７０３：走査電極セ
レクタ、７０４：走査電極ドライバ、７０５：信号電極
群、７０６：データ発生器、７０７：データ変調器、７
０８：信号電極ドライバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02F 1/1333 G02F 1/1343 G09F 9/30
Claims (1)
- 【請求項１】 ストライプ状に電極を形成された一対の
基板を交差対向して貼合わせマトリクス配列の画素を形
成する液晶表示セルの製造方法において、 各基板上の前記電極相互間の各隙間に相当する位置にそ
の隙間より僅かに広い幅を有する不透明絶縁層と金属層
をこの順に積層形成する電極間遮光パターン形成工程
と、 前記基板上の全面に透明導電膜を形成し前記金属層を長
軸方向に２分するように該透明導電膜および金属層をパ
ターンニングし、長軸方向に沿って両側を金属層で縁取
りされた複数の透明電極からなる前記ストライプ状電極
を形成する電極形成工程とを含む液晶表示セルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/788,943 US5282068A (en) | 1990-11-08 | 1991-11-07 | Liquid crystal display with opaque insulating layer and metal layer at and wider than inter-electrode gap and method of manufacturing |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30120590 | 1990-11-08 | ||
| JP2-301205 | 1990-11-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052174A JPH052174A (ja) | 1993-01-08 |
| JP3113016B2 true JP3113016B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=17894045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03311493A Expired - Fee Related JP3113016B2 (ja) | 1990-11-08 | 1991-10-31 | 液晶表示セルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3113016B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP03311493A patent/JP3113016B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052174A (ja) | 1993-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2782291B2 (ja) | 強誘電性液晶カラーパネル | |
| US4728176A (en) | Ferroelectric liquid crystal device with metallic auxiliary electrodes provided adjacent to the transparent electrodes | |
| TW575768B (en) | Liquid crystal display panel with wide viewing angle which can be easily manufactured | |
| US5285300A (en) | Liquid crystal device | |
| JPH07104506B2 (ja) | 強誘電性液晶パネル | |
| JP2673739B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH04119325A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| EP0554091B1 (en) | Colour liquid crystal electro-optical device and method of manufacturing the same | |
| US5282068A (en) | Liquid crystal display with opaque insulating layer and metal layer at and wider than inter-electrode gap and method of manufacturing | |
| US5138473A (en) | Ferroelectric liquid crystal screen with localized zigzag defects and opacified electrodes in the non-switchable area of the screen and processes for obtaining spacers and treating said screen | |
| JP2670450B2 (ja) | 光学変調素子 | |
| JP3113016B2 (ja) | 液晶表示セルの製造方法 | |
| JPH0836169A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPS59143124A (ja) | 電気光学装置 | |
| JPH0887030A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH11223830A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3346354B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| CN102411234A (zh) | 液晶显示元件 | |
| JP2983724B2 (ja) | 強誘電性液晶素子の配向処理法 | |
| JP3228735B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP2533302B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JP3029179B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPS63225224A (ja) | 電気光学装置 | |
| JP2520604B2 (ja) | 液晶素子及びその製造方法 | |
| KR100840679B1 (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |