JP3113016B2 - 液晶表示セルの製造方法 - Google Patents
液晶表示セルの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ストライプ状に電極を
形成された一対の基板を交差対向して貼合わせマトリク
ス配列の画素を形成した液晶表示セルの製造方法に関
し、特に電極抵抗を低減し、画素間を遮光する必要のあ
る強誘電性液晶セルの製造方法に関する。
形成された一対の基板を交差対向して貼合わせマトリク
ス配列の画素を形成した液晶表示セルの製造方法に関
し、特に電極抵抗を低減し、画素間を遮光する必要のあ
る強誘電性液晶セルの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、近年ますます大画面化
の方向に発展しつつあるが、表示パネルが大型化するに
つれて電極の電気抵抗による発熱と電圧波形の遅延が深
刻な問題になってきた。電極の抵抗を小さくするには、
電極を構成している透明導電層のシート抵抗ρS を小さ
くすることがまず考えられるが、通常用いられているI
TO(Indium Tin Oxide)ではρS =
10Ω/squareがせいぜいであって、画面の高精
細化、カラー化に伴って電極幅がさらに細くなることを
考えると、この方法には限界がある。そこで透明電極に
沿って金属の補助電極を形成し電気抵抗を下げる方法が
有力視されるようになった。図4はこの構成による基板
を模式的に示したものである。
の方向に発展しつつあるが、表示パネルが大型化するに
つれて電極の電気抵抗による発熱と電圧波形の遅延が深
刻な問題になってきた。電極の抵抗を小さくするには、
電極を構成している透明導電層のシート抵抗ρS を小さ
くすることがまず考えられるが、通常用いられているI
TO(Indium Tin Oxide)ではρS =
10Ω/squareがせいぜいであって、画面の高精
細化、カラー化に伴って電極幅がさらに細くなることを
考えると、この方法には限界がある。そこで透明電極に
沿って金属の補助電極を形成し電気抵抗を下げる方法が
有力視されるようになった。図4はこの構成による基板
を模式的に示したものである。
【0003】図4の基板は、ガラス基板41上にITO
等の透明電極42をストライプ状に形成し、さらに透明
電極42の長軸方向に沿って金属層43を細く形成した
ものである。金属層43はAl、Cr、Moなどが通常
用いられる。このように金属層を形成することによって
電極抵抗をITOだけの場合に比べて1桁〜2桁小さく
することができる。
等の透明電極42をストライプ状に形成し、さらに透明
電極42の長軸方向に沿って金属層43を細く形成した
ものである。金属層43はAl、Cr、Moなどが通常
用いられる。このように金属層を形成することによって
電極抵抗をITOだけの場合に比べて1桁〜2桁小さく
することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法には以下のような欠点があった。その第1は金属膜4
3が隣りの電極42に接触しないようにする必要がある
ことから、パターンニングの精度が高くなければならな
いことである。例えば図4の構成で透明電極42の幅を
200μm、電極間隙を20μm、金属層43の幅を2
0μmとすると、有効画素面積をできるだけ広くとるた
めに金属層42のパターンニングはITOパターンに対
して10μm以下、望ましくは5μmの合わせ精度をも
って行なう必要がある。合わせ精度が10μmの場合、
有効画素幅は190μm、合わせ精度が5μmならば有
効画素幅は195μmとなる。しかし、パターンニング
精度を上げるには高精度のマスクとアライナが必要にな
りコスト高を招く。
法には以下のような欠点があった。その第1は金属膜4
3が隣りの電極42に接触しないようにする必要がある
ことから、パターンニングの精度が高くなければならな
いことである。例えば図4の構成で透明電極42の幅を
200μm、電極間隙を20μm、金属層43の幅を2
0μmとすると、有効画素面積をできるだけ広くとるた
めに金属層42のパターンニングはITOパターンに対
して10μm以下、望ましくは5μmの合わせ精度をも
って行なう必要がある。合わせ精度が10μmの場合、
有効画素幅は190μm、合わせ精度が5μmならば有
効画素幅は195μmとなる。しかし、パターンニング
精度を上げるには高精度のマスクとアライナが必要にな
りコスト高を招く。
【0005】欠点の第2は画素間の遮光が完全でないこ
とである。図4の構成は金属膜43によって画素間の半
ば以上が覆われるが完全に覆うことは出来ないから、別
に遮光膜を設ける必要がある。遮光膜として図5のよう
に金属遮光パターン51をはじめに形成し絶縁性の透明
樹脂52で被覆した後その上に図4と同様の電極をつく
る方法が考えられる。しかし、この方法にはパターンニ
ング工程が増えるなどの問題がある。
とである。図4の構成は金属膜43によって画素間の半
ば以上が覆われるが完全に覆うことは出来ないから、別
に遮光膜を設ける必要がある。遮光膜として図5のよう
に金属遮光パターン51をはじめに形成し絶縁性の透明
樹脂52で被覆した後その上に図4と同様の電極をつく
る方法が考えられる。しかし、この方法にはパターンニ
ング工程が増えるなどの問題がある。
【0006】本発明の目的は、上述の従来技術における
問題点に鑑み、電極抵抗を低減し、画素間を遮光し、コ
スト高を招くことなく製造できる液晶表示セルの製造方
法を提供することにある。
問題点に鑑み、電極抵抗を低減し、画素間を遮光し、コ
スト高を招くことなく製造できる液晶表示セルの製造方
法を提供することにある。
【0007】
【0008】
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、ストライプ状
に電極を形成された一対の基板を交差対向して貼合わせ
マトリクス配列の画素を形成する液晶表示セルの製造方
法において、各基板上の前記電極相互間の各隙間に相当
する位置にその隙間より僅かに広い幅を有する不透明絶
縁層と金属層をこの順に積層形成する電極間遮光パター
ン形成工程と、前記基板上の全面に透明導電膜を形成し
前記金属層を長軸方向に2分するように該透明導電膜お
よび金属層をパターンニングし、長軸方向に沿って両側
を金属層で縁取りされた複数の透明電極からなる前記ス
トライプ状電極を形成する電極形成工程とを含む液晶表
示セルの製造方法である。
に電極を形成された一対の基板を交差対向して貼合わせ
マトリクス配列の画素を形成する液晶表示セルの製造方
法において、各基板上の前記電極相互間の各隙間に相当
する位置にその隙間より僅かに広い幅を有する不透明絶
縁層と金属層をこの順に積層形成する電極間遮光パター
ン形成工程と、前記基板上の全面に透明導電膜を形成し
前記金属層を長軸方向に2分するように該透明導電膜お
よび金属層をパターンニングし、長軸方向に沿って両側
を金属層で縁取りされた複数の透明電極からなる前記ス
トライプ状電極を形成する電極形成工程とを含む液晶表
示セルの製造方法である。
【0010】ここで、不透明絶縁層は、不透明樹脂で形
成することができる。
成することができる。
【0011】さらに、本発明で製造される液晶表示装置
は、上述した方法で製造された液晶表示セルに、クロッ
ク発生器と、走査電極セレクタと、走査電極ドライバ
と、データ発生器と、信号電極ドライバとを組み合わせ
て構成される。
は、上述した方法で製造された液晶表示セルに、クロッ
ク発生器と、走査電極セレクタと、走査電極ドライバ
と、データ発生器と、信号電極ドライバとを組み合わせ
て構成される。
【0012】本発明で製造される液晶表示セルは、図6
(a)(b)に示すような構成を取ることができる。図
6に示す液晶表示セルは、ガラス板またはプラスチック
板等からなる一対の基板621aと621bを所定の間
隔に保持して対向させ、この一対の基板621a,62
1b間に液晶626を封入するために接着剤625でこ
れらの基板間を接着したセル構造を有している。さら
に、基板621a上には、複数の透明電極622aから
なる電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの走査
電圧印加用のコモン電極群)が例えば帯状パターン等の
所定パターンで形成されている。基板621bの上に
は、前述の透明電極622aと交差する複数の透明電極
622bからなる電極群(例えば、マトリクス電極構造
のうちの信号電圧印加用のセグメント電極群)が形成さ
れている。
(a)(b)に示すような構成を取ることができる。図
6に示す液晶表示セルは、ガラス板またはプラスチック
板等からなる一対の基板621aと621bを所定の間
隔に保持して対向させ、この一対の基板621a,62
1b間に液晶626を封入するために接着剤625でこ
れらの基板間を接着したセル構造を有している。さら
に、基板621a上には、複数の透明電極622aから
なる電極群(例えば、マトリクス電極構造のうちの走査
電圧印加用のコモン電極群)が例えば帯状パターン等の
所定パターンで形成されている。基板621bの上に
は、前述の透明電極622aと交差する複数の透明電極
622bからなる電極群(例えば、マトリクス電極構造
のうちの信号電圧印加用のセグメント電極群)が形成さ
れている。
【0013】基板621aと621bの少なくとも一方
に、絶縁膜623と配向膜624、またはこれらのいず
れか一方ずつが配置されている。
に、絶縁膜623と配向膜624、またはこれらのいず
れか一方ずつが配置されている。
【0014】また、透明電極622a,622bは、そ
れぞれの電極がその長軸方向に沿って両端に2つの金属
層628からなる電極を伴っており、また、前記透明電
極と前記金属層のパターンに応じて、絶縁遮光層627
と透明樹脂層629が前記電極下に設けられている。
れぞれの電極がその長軸方向に沿って両端に2つの金属
層628からなる電極を伴っており、また、前記透明電
極と前記金属層のパターンに応じて、絶縁遮光層627
と透明樹脂層629が前記電極下に設けられている。
【0015】ここで用いられる配向制御膜624として
は、例えば一酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウ
ム、ジルコニア、フッ化マグネジウム、酸化セリウム、
フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物およ
びホウ素窒化物等の無機絶縁物質や、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
アミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂およびアクリル樹脂等の有機絶縁物質を
用いて被膜形成したものを用いることができる。上述の
無機絶縁物質の膜は、絶縁体膜の機能を兼ねることがで
きる。
は、例えば一酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウ
ム、ジルコニア、フッ化マグネジウム、酸化セリウム、
フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化物およ
びホウ素窒化物等の無機絶縁物質や、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイ
ミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
アミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹
脂、ユリア樹脂およびアクリル樹脂等の有機絶縁物質を
用いて被膜形成したものを用いることができる。上述の
無機絶縁物質の膜は、絶縁体膜の機能を兼ねることがで
きる。
【0016】この配向制御膜624には、前述の如き無
機絶縁物質または有機絶縁物質を被膜形成した後に、そ
の表面をビロード、布または紙等で一方向に摺擦(ラビ
ング)することによって、摺擦方向と同一方向の一軸性
配向軸を付与することができる。
機絶縁物質または有機絶縁物質を被膜形成した後に、そ
の表面をビロード、布または紙等で一方向に摺擦(ラビ
ング)することによって、摺擦方向と同一方向の一軸性
配向軸を付与することができる。
【0017】上下基板における前記一軸性配向軸の相対
的な交差角は、セル構成および液晶の種類によって適宜
選択されるが、一般に、0°(平行)〜40°、好まし
くは2°〜25°の範囲より選ばれる。
的な交差角は、セル構成および液晶の種類によって適宜
選択されるが、一般に、0°(平行)〜40°、好まし
くは2°〜25°の範囲より選ばれる。
【0018】また、絶縁体膜623は200Å厚以上、
好ましくは500Å厚以上の膜厚に設定され、SiO
2 、TiO2 、Al2 O3 、Si3 N4 やBaTiO3
などの無機絶縁物質を成膜することによって得られる。
成膜法としては、スパッタリング法、イオンビーム蒸着
法あるいは有機チタン化合物、有機シラン化合物や有機
アルミニウム化合物の塗布膜を焼成する方法等を用いる
ことができる。この際、有機チタン化合物としては、ア
ルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチルなど)チタ
ネート化合物を、有機シラン化合物としては通常のシラ
ンカップリング剤などを用いることができる。
好ましくは500Å厚以上の膜厚に設定され、SiO
2 、TiO2 、Al2 O3 、Si3 N4 やBaTiO3
などの無機絶縁物質を成膜することによって得られる。
成膜法としては、スパッタリング法、イオンビーム蒸着
法あるいは有機チタン化合物、有機シラン化合物や有機
アルミニウム化合物の塗布膜を焼成する方法等を用いる
ことができる。この際、有機チタン化合物としては、ア
ルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチルなど)チタ
ネート化合物を、有機シラン化合物としては通常のシラ
ンカップリング剤などを用いることができる。
【0019】絶縁体膜623の膜厚が200Å未満であ
る場合は充分なショート防止効果を得ることができず、
またその膜厚を5000Å超とすると液晶層に印加され
る実効的な電圧が印加されなくなるので、この膜厚は2
00Å以上で5000Å以下、好ましくは2000Å以
下に設定する。
る場合は充分なショート防止効果を得ることができず、
またその膜厚を5000Å超とすると液晶層に印加され
る実効的な電圧が印加されなくなるので、この膜厚は2
00Å以上で5000Å以下、好ましくは2000Å以
下に設定する。
【0020】本発明で用いる液晶材料として特に適した
ものは、カイラルスメクティック液晶であって強誘電性
を有するものである。具体的にはカイラルスメクティッ
クC相(SmC* )、カイラルスメクティックG相(S
mG* )、カイラルスメクティックF相(SmF* )、
カイラルスメクティックI相(SmI* )またはカイラ
ルスメクティックH相(SmH* )の液晶を用いること
ができる。
ものは、カイラルスメクティック液晶であって強誘電性
を有するものである。具体的にはカイラルスメクティッ
クC相(SmC* )、カイラルスメクティックG相(S
mG* )、カイラルスメクティックF相(SmF* )、
カイラルスメクティックI相(SmI* )またはカイラ
ルスメクティックH相(SmH* )の液晶を用いること
ができる。
【0021】強誘電性液晶の詳細については、例えばLE
JOURNAL DE PHYSIOUE LETTERS ”36(L-69)1975,「Ferro
electric Liquid Crystals 」、“Applied physics Let
ters ”36 (11) 1980「Submicro Second Bi-stableElec
trooptic Switching in Liquid Crystals 」、“固体物
理”16 (141) 1981 「液晶」、米国特許第4,561,
726号公報、米国特許第4,589,996号公報、
米国特許第4,592,858号公報、米国特許第4,
596,667号公報、米国特許第4,613,209
号公報、米国特許第4,614,609号公報および米
国特許第4,622,165号公報等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。
JOURNAL DE PHYSIOUE LETTERS ”36(L-69)1975,「Ferro
electric Liquid Crystals 」、“Applied physics Let
ters ”36 (11) 1980「Submicro Second Bi-stableElec
trooptic Switching in Liquid Crystals 」、“固体物
理”16 (141) 1981 「液晶」、米国特許第4,561,
726号公報、米国特許第4,589,996号公報、
米国特許第4,592,858号公報、米国特許第4,
596,667号公報、米国特許第4,613,209
号公報、米国特許第4,614,609号公報および米
国特許第4,622,165号公報等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。
【0022】強誘電性液晶化合物の具体例としては、デ
シロキシベンジリデン−p’−アミノ−2−メチルブチ
ルシンメナート(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベ
ンジリデン−p’−アミノ−2−クロロプロピルシンメ
ナート(HOBACPC)および4−o−(2−メチ
ル)ブチルレゾルシリデン−4′−オクチルアニリン
(MBR8)が挙げられる。
シロキシベンジリデン−p’−アミノ−2−メチルブチ
ルシンメナート(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベ
ンジリデン−p’−アミノ−2−クロロプロピルシンメ
ナート(HOBACPC)および4−o−(2−メチ
ル)ブチルレゾルシリデン−4′−オクチルアニリン
(MBR8)が挙げられる。
【0023】
【作用】本発明によって製造される液晶表示セルを構成
する基板上には、長軸方向に沿って両側を金属層628
で縁取りされた複数の透明電極622a,622bから
なるストライプ状電極が形成され、かつ各透明電極間隙
は遮光される。そして、このような基板一対を透明電極
を交差させて対向し、間に液晶を挟持させることによっ
て、透明電極が対向する各部分を画素とする液晶表示セ
ルが構成される。
する基板上には、長軸方向に沿って両側を金属層628
で縁取りされた複数の透明電極622a,622bから
なるストライプ状電極が形成され、かつ各透明電極間隙
は遮光される。そして、このような基板一対を透明電極
を交差させて対向し、間に液晶を挟持させることによっ
て、透明電極が対向する各部分を画素とする液晶表示セ
ルが構成される。
【0024】
【効果】したがって、本発明によって製造される液晶表
示セルは、透明電極622a,622bの電極抵抗が前
記縁取り金属層により低減される。また、画素間は、前
記遮光層627が対向する部分となるため遮光される。
さらに、有効画素面積は、金属層628(すなわち遮光
層627)の間隔で決定され、かつこれらの層は同一の
形状および寸法に形成すれば良いので一つのマスクで形
成することができる。このため、重ね合わせ精度の問題
は生じない。また、各縁取り金属層628の幅はパター
ンニングの際の重ね合わせ精度により定まるが、透明電
極622a,622bの左右の金属層628の幅の合計
は重ね合わせ精度への依存度が低い。したがって、パタ
ーンニングの際の重ね合わせ精度もそれ程高精度の必要
はない。このため、特にコスト高となることもない。
示セルは、透明電極622a,622bの電極抵抗が前
記縁取り金属層により低減される。また、画素間は、前
記遮光層627が対向する部分となるため遮光される。
さらに、有効画素面積は、金属層628(すなわち遮光
層627)の間隔で決定され、かつこれらの層は同一の
形状および寸法に形成すれば良いので一つのマスクで形
成することができる。このため、重ね合わせ精度の問題
は生じない。また、各縁取り金属層628の幅はパター
ンニングの際の重ね合わせ精度により定まるが、透明電
極622a,622bの左右の金属層628の幅の合計
は重ね合わせ精度への依存度が低い。したがって、パタ
ーンニングの際の重ね合わせ精度もそれ程高精度の必要
はない。このため、特にコスト高となることもない。
【0025】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。実施例1 図1は、本発明の一実施例に係る液晶セル基板の製造工
程を示す。
る。実施例1 図1は、本発明の一実施例に係る液晶セル基板の製造工
程を示す。
【0026】本実施例においては、基板11上に不透明
樹脂層14と金属膜15との積層膜で画素間パターンを
形成し、この上にITOを成膜パターンニングし、パタ
ーンニングの際にすぐ下の金属膜15も同時に除去する
という方法で透明電極16、縁取り金属15および遮光
層14を形成した。
樹脂層14と金属膜15との積層膜で画素間パターンを
形成し、この上にITOを成膜パターンニングし、パタ
ーンニングの際にすぐ下の金属膜15も同時に除去する
という方法で透明電極16、縁取り金属15および遮光
層14を形成した。
【0027】以下、工程を追って説明する。すなわち、
図1の(a)−(e)の順で作業を行ない、液晶セル基板
を作成した。
図1の(a)−(e)の順で作業を行ない、液晶セル基板
を作成した。
【0028】(a)基板11上にポリビニルアルコール
(PVA)膜12を約1μmの厚さで形成し、レジスト
パターン13をつけて染色液中に浸漬し所定部14を着
色する(遮光層形成工程)。
(PVA)膜12を約1μmの厚さで形成し、レジスト
パターン13をつけて染色液中に浸漬し所定部14を着
色する(遮光層形成工程)。
【0029】(b)レジスト13をつけたままアルミニ
ウム膜15を蒸着しレジスト13を除去する。染色部以
外のアルミニウムはリフトオフにより取除かれる(金属
層形成工程)。
ウム膜15を蒸着しレジスト13を除去する。染色部以
外のアルミニウムはリフトオフにより取除かれる(金属
層形成工程)。
【0030】(c)ITO16をスパッタリングにより
基板表面全面に、約100Åの厚さにつくる。
基板表面全面に、約100Åの厚さにつくる。
【0031】(d)レジストパターンをつけてエッチン
グ液中に浸す。エッチングは2段階に分けて行ない、ま
ず、ヨウ化水素酸水溶液中に浸すことでITO16を除
去し、次いでリン酸、硝酸、酢酸の混合水溶液中に浸し
てアルミニウムを除去する(パターンニング工程)。
グ液中に浸す。エッチングは2段階に分けて行ない、ま
ず、ヨウ化水素酸水溶液中に浸すことでITO16を除
去し、次いでリン酸、硝酸、酢酸の混合水溶液中に浸し
てアルミニウムを除去する(パターンニング工程)。
【0032】(e)絶縁層17としてTa2 O5 膜また
はTiO2 とSiO2 の混合膜を形成しさらに配向膜
(ポリイミド)18を塗布、ラビングしてセル組みす
る。
はTiO2 とSiO2 の混合膜を形成しさらに配向膜
(ポリイミド)18を塗布、ラビングしてセル組みす
る。
【0033】以上のように本実施例では不透明樹脂と金
属膜を同一パターンに積層形成したので、パターンニン
グ回数が2回で済み、従来、遮光膜、透明電極および金
属層と3回のパターンニング工程を経ていたのに比べ簡
略化された。また、ITOのパターンニングは金属膜を
2分するように行なうので多少合わせ精度が悪くても配
線抵抗が変動することが少ない。例えば図2(a)のよ
うに、不透明樹脂層14を幅30μm、透明電極19を
幅210μm、間隔10μmで形成する際にはITOの
パターンニングの際の合わせ精度は±10μmでよく、
いくらかずれて図2(b)のようにパターンニングされ
たとしても同一電極内の左右2本の金属膜15aと15
bの幅の合計は20μmに保たれるから配線抵抗は一定
に保たれる。また、有効画素幅は最初の不透明樹脂層お
よび金属層のパターンで決まり(今の場合190μ
m)、ITOパターンニングの際の合わせのずれには影
響されない。
属膜を同一パターンに積層形成したので、パターンニン
グ回数が2回で済み、従来、遮光膜、透明電極および金
属層と3回のパターンニング工程を経ていたのに比べ簡
略化された。また、ITOのパターンニングは金属膜を
2分するように行なうので多少合わせ精度が悪くても配
線抵抗が変動することが少ない。例えば図2(a)のよ
うに、不透明樹脂層14を幅30μm、透明電極19を
幅210μm、間隔10μmで形成する際にはITOの
パターンニングの際の合わせ精度は±10μmでよく、
いくらかずれて図2(b)のようにパターンニングされ
たとしても同一電極内の左右2本の金属膜15aと15
bの幅の合計は20μmに保たれるから配線抵抗は一定
に保たれる。また、有効画素幅は最初の不透明樹脂層お
よび金属層のパターンで決まり(今の場合190μ
m)、ITOパターンニングの際の合わせのずれには影
響されない。
【0034】
【0035】
【0036】
【0037】
【0038】
【0039】
【0040】
【0041】
【0042】
【0043】実施例2 図7は、本発明によって作製した液晶表示セルとそれを
駆動する駆動回路とからなる液晶表示装置の一例を簡略
化して示したものである。図中、液晶表示セル700の
走査電極群701に与えられる信号は、クロック発生器
702より発生したクロック信号(CS)を、走査電極
を選択する走査電極セレクタ703に送り、これを走査
電極ドライバ704に送ることによって形成される。
駆動する駆動回路とからなる液晶表示装置の一例を簡略
化して示したものである。図中、液晶表示セル700の
走査電極群701に与えられる信号は、クロック発生器
702より発生したクロック信号(CS)を、走査電極
を選択する走査電極セレクタ703に送り、これを走査
電極ドライバ704に送ることによって形成される。
【0044】一方、信号電極群705に与えられる信号
(DM)は、データ発生器706の出力信号(DS)と
クロック発生器702から与えられるクロック信号(C
S)が、情報信号と補助信号を形成しうるデータ変調器
707に送られて、情報信号および補助信号として形成
され、これらが信号電極ドライバ708を通して供給さ
れる。
(DM)は、データ発生器706の出力信号(DS)と
クロック発生器702から与えられるクロック信号(C
S)が、情報信号と補助信号を形成しうるデータ変調器
707に送られて、情報信号および補助信号として形成
され、これらが信号電極ドライバ708を通して供給さ
れる。
【0045】以上のような構成の液晶表示装置を用いて
駆動したところ、良好な画像表示をすることができた。
駆動したところ、良好な画像表示をすることができた。
【図1】 本発明の第1の実施例に係る液晶セルの製造
方法を示す工程説明図である。
方法を示す工程説明図である。
【図2】 図1に示す製造方法の効果を説明するための
図である。
図である。
【図3】 参考例に係る液晶セルの製造方法を示す工程
説明図である。
説明図である。
【図4,5】 それぞれ、従来の液晶セルの構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図6】 本発明の一実施例の方法による液晶表示セル
の構成を示す(a)は断面図、(b)は平面図である。
の構成を示す(a)は断面図、(b)は平面図である。
【図7】 図6の液晶表示セルとそれを駆動する駆動回
路とからなる液晶表示装置の一例を簡略化して示すブロ
ック回路図である。
路とからなる液晶表示装置の一例を簡略化して示すブロ
ック回路図である。
11,41:ガラス基板、12:透明樹脂層、13:レ
ジスト(金属膜15形成用)、14:不透明樹脂層、1
5:金属膜、15a,15b:縁取り金属膜、16:透
明導電膜、17:絶縁層、18:配向膜、31:金属層
(遮光層)、621a,621b:基板、622a,6
22b:透明電極、623:絶縁膜、626:液晶、6
27:絶縁遮光膜、628:金属層(金属電極)、62
9:透明絶縁層、700:液晶表示セル、701:走査
電極群、702:クロック発生器、703:走査電極セ
レクタ、704:走査電極ドライバ、705:信号電極
群、706:データ発生器、707:データ変調器、7
08:信号電極ドライバ。
ジスト(金属膜15形成用)、14:不透明樹脂層、1
5:金属膜、15a,15b:縁取り金属膜、16:透
明導電膜、17:絶縁層、18:配向膜、31:金属層
(遮光層)、621a,621b:基板、622a,6
22b:透明電極、623:絶縁膜、626:液晶、6
27:絶縁遮光膜、628:金属層(金属電極)、62
9:透明絶縁層、700:液晶表示セル、701:走査
電極群、702:クロック発生器、703:走査電極セ
レクタ、704:走査電極ドライバ、705:信号電極
群、706:データ発生器、707:データ変調器、7
08:信号電極ドライバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1335 G02F 1/1333 G02F 1/1343 G09F 9/30
Claims (1)
- 【請求項1】 ストライプ状に電極を形成された一対の
基板を交差対向して貼合わせマトリクス配列の画素を形
成する液晶表示セルの製造方法において、 各基板上の前記電極相互間の各隙間に相当する位置にそ
の隙間より僅かに広い幅を有する不透明絶縁層と金属層
をこの順に積層形成する電極間遮光パターン形成工程
と、 前記基板上の全面に透明導電膜を形成し前記金属層を長
軸方向に2分するように該透明導電膜および金属層をパ
ターンニングし、長軸方向に沿って両側を金属層で縁取
りされた複数の透明電極からなる前記ストライプ状電極
を形成する電極形成工程とを含む液晶表示セルの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/788,943 US5282068A (en) | 1990-11-08 | 1991-11-07 | Liquid crystal display with opaque insulating layer and metal layer at and wider than inter-electrode gap and method of manufacturing |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30120590 | 1990-11-08 | ||
JP2-301205 | 1990-11-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH052174A JPH052174A (ja) | 1993-01-08 |
JP3113016B2 true JP3113016B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=17894045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03311493A Expired - Fee Related JP3113016B2 (ja) | 1990-11-08 | 1991-10-31 | 液晶表示セルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3113016B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP03311493A patent/JP3113016B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH052174A (ja) | 1993-01-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |