JP3111775U

JP3111775U - Exhaust gas treatment equipment

Info

Publication number: JP3111775U
Application number: JP2005001489U
Authority: JP
Inventors: 和重有馬
Original assignee: 有限会社フェニックス・テクノ
Priority date: 2005-03-23
Filing date: 2005-03-23
Publication date: 2005-07-28
Anticipated expiration: 2011-03-23

Abstract

【課題】半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる多量の粉化物を、簡便な構造で、効率よく確実に貯溜して除去できる上、メンテナンスに手間がかからず使い勝手に優れた排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置Ｓの本体部１に、排ガスの導入口２と、排ガスを流通させるための仕切り板３、及び当該仕切り板３に取り付けられた冷却手段４、並びに処理されたガスの排出口５を備えると共に、貯溜スペース６を有する粉貯溜容体７が下方に着脱自在に設置されており、前記排ガス導入口２から導入された排ガスが前記冷却された仕切り板３を流通する間に粉化して粉化物となり、その粉化物が自重で落下して前記粉貯溜容体７の貯溜スペース６内に貯溜自在に構成されている。
【選択図】図１A large amount of pulverized material contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process can be efficiently and reliably stored and removed with a simple structure, and the exhaust gas treatment device is easy to use and requires little maintenance. I will provide a.
An exhaust gas introduction port 2, a partition plate 3 for circulating exhaust gas, a cooling means 4 attached to the partition plate 3, and exhaust of treated gas are provided in a main body 1 of a processing apparatus S. A powder storage container 7 having an outlet 5 and having a storage space 6 is detachably installed below, and the exhaust gas introduced from the exhaust gas inlet 2 flows while flowing through the cooled partition plate 3. The pulverized material falls into its own weight, and the pulverized material falls by its own weight so as to be stored in the storage space 6 of the powder storage container 7.
[Selection] Figure 1

Description

本考案は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を除去する処理装置に属し、さらに言えば、高誘電体膜の製造工程等から排出される排ガスに含まれる多量の粉化物を効率よく分別して除去するための排ガス処理装置の技術分野に関する。 The present invention belongs to a processing apparatus that removes powdered substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process, and more specifically, a large amount of powdered substances contained in exhaust gas discharged from a high dielectric film manufacturing process, etc. The present invention relates to a technical field of an exhaust gas treatment apparatus for efficiently separating and removing.

半導体分野においては、半導体メモリー用の酸化物系誘電体膜として、高誘電率を有しステップカバレッジ性が高いチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜、チタン酸ストロンチウムバリウム（ＢＳＴ）膜、タンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）膜等が用いられている。また、これらの半導体薄膜のＣＶＤ原料としては、Ｐｂ源としてＰｂ（ＤＰＭ）₂（固体原料）、Ｚｒ源としてＺｒ（ＯＣ（ＣＨ₃）₃）₄（液体原料）、Ｚｒ（ＤＰＭ）₄（固体原料）、Ｔｉ源としてＴｉ（ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂）₄（液体原料）、Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂）₂（ＤＰＭ）₂（固体原料）、Ｂａ源としてＢａ（ＤＰＭ）₂（固体原料）、Ｓｒ源としてＳｒ（ＤＰＭ）₂（固体原料）が用いられている。さらに半導体製造で多く使用されている、ＳｉＯ膜としてＳｉＨ₄、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＣｌ_４が用いられている。また、ＳｉＮ膜として、上記原料とＮＨ_４が用いられている。Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＡｌＯＮ、ＨｆＳｉＯＮなども高誘電体材料として用いられている。 In the semiconductor field, lead zirconate titanate (PZT) films, strontium barium titanate (BST) films, and bismuth tantalates that have a high dielectric constant and high step coverage are used as oxide dielectric films for semiconductor memories. A strontium (SBT) film or the like is used. Further, as a CVD raw material for these semiconductor thin films, Pb (DPM) ₂ (solid raw material) as a Pb source, Zr (OC (CH ₃ ) ₃ ) ₄ (liquid raw material), Zr (DPM) ₄ (solid) as a Zr source Raw material), Ti (OCH (CH ₃ ) ₂ ) ₄ (liquid raw material), Ti (OCH (CH ₃ ) ₂ ) ₂ (DPM) ₂ (solid raw material), Ba source (Ba (DPM) ₂ (solid) Raw material), Sr (DPM) ₂ (solid raw material) is used as the Sr source. Furthermore, SiH ₄ , SiH ₂ Cl _2, SiHCl _3, Si ₂ H _{6, and} SiCl ₄ are used as SiO films that are often used in semiconductor manufacturing. Further, the above raw material and NH ₄ are used as the SiN film. Ta ₂ O _5, HfAlON, HfSiON, and the like are also used as high dielectric materials.

前記の高誘電体膜の成膜において、ＣＶＤ原料として液体原料を使用する場合、液体原料がキャリアガスとともに気化器に供給され、気化器でガス状にされた後、半導体製造装置に供給される。また、ＣＶＤ原料として固体原料を使用する場合、これを高温に保持し昇華して気化供給することにより高純度の原料を得ることが可能であるが、工業的には充分な供給量を確保することが極めて困難であるため、通常はテトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解させて液体原料とし、前記と同様な方法で気化させて半導体製造装置に供給している。 When a liquid material is used as a CVD material in the formation of the high dielectric film, the liquid material is supplied to a vaporizer together with a carrier gas, gasified by the vaporizer, and then supplied to a semiconductor manufacturing apparatus. . Moreover, when using a solid raw material as a CVD raw material, it is possible to obtain a high-purity raw material by holding it at a high temperature, sublimating it, and supplying it by vaporization, but a sufficient supply amount is ensured industrially. Therefore, it is usually dissolved in an organic solvent such as tetrahydrofuran to obtain a liquid raw material, which is vaporized by the same method as described above and supplied to a semiconductor manufacturing apparatus.

しかし、これらのＣＶＤ原料及び有機溶媒は毒性が高く、大気にそのまま放出した場合は人体および環境に悪影響を与えるので、半導体製造工程で使用した後は浄化する必要がある。また、前記のＣＶＤ原料を使用した場合、特に固体ＣＶＤ原料を使用した場合には、半導体製造工程からは有害ガスとともに多量の粉化物が排出され、後段の浄化筒において急激な圧力損失の増加や閉塞を生じたり、ポンプ等の排気設備に余分な負荷を与える等の悪影響を及ぼすので、粉化物を除去するための処理装置が使用されている。 However, these CVD raw materials and organic solvents are highly toxic and, if released directly into the atmosphere, will adversely affect the human body and the environment, so it is necessary to purify them after use in the semiconductor manufacturing process. Further, when the above-mentioned CVD raw material is used, particularly when a solid CVD raw material is used, a large amount of pulverized material is discharged from the semiconductor manufacturing process together with harmful gas, and a rapid increase in pressure loss or A processing apparatus for removing powdered materials is used because it has an adverse effect such as blocking or giving an extra load to exhaust equipment such as a pump.

すなわち、半導体製造工程の後段に用いられるこのような処理装置としては、一般的にはフィルターが備えられた濾過装置が使用されるが、フィルターを清掃するまでの時間、あるいは交換するまでの時間を引き延ばしてメンテナンス性を向上する目的で、逆洗機構が備えられた濾過装置が開発されている。また、特開２００２−６６２３２号公開公報記載のような浄化装置と一体化され、浄化剤の充填部の上部に粉化物の溜り部を備えた処理装置が公知である。
特開２００２−６６２３２号特許公開公報 That is, as such a processing apparatus used in the subsequent stage of the semiconductor manufacturing process, a filtering apparatus equipped with a filter is generally used. For the purpose of extending and improving maintainability, a filtration device equipped with a backwash mechanism has been developed. Further, a processing apparatus is known which is integrated with a purifying apparatus as described in JP-A-2002-66232 and includes a pulverized material reservoir in the upper part of a purifying agent filling section.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-66232

しかしながら、フィルターが備えられた濾過装置は、フィルターを頻繁に交換する必要があり、逆洗機構が装備されている場合は交換周期が延びるが、装置が複雑になる。また、前記特開２００２−６６２３２号公報に記載された浄化剤の充填部の上部に粉化物の溜り部を備えた処理装置は、粉化物の除去率が低いという問題点があり、粉化物を充分に除去するためには排ガスの流路を長くしなければならないといった不都合がある。 However, the filter device provided with the filter needs to be frequently replaced. If the filter is equipped with a backwash mechanism, the replacement period is extended, but the device becomes complicated. Moreover, the processing apparatus provided with the accumulation part of the pulverized material in the upper part of the purifier filling part described in the Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-66232 has a problem that the removal rate of the pulverized material is low. There is an inconvenience that the exhaust gas passage must be lengthened in order to sufficiently remove it.

したがって、本考案が解決しようとする課題は、高誘電体膜の製造工程等の半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる多量の粉化物を、簡便な構造で、効率よく確実に分別・貯溜して除去できる上、メンテナンスに手間がかからず使い勝手に優れた排ガス処理装置を提供することにある。 Therefore, the problem to be solved by the present invention is to efficiently separate and store a large amount of pulverized material contained in the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process such as the manufacturing process of the high dielectric film with a simple structure. It is another object of the present invention to provide an exhaust gas treatment device that can be removed and that does not require maintenance and is easy to use.

上記課題を解決するための手段として、請求項１記載の考案の排ガス処理装置は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を貯溜して除去する処理装置であって、
当該処理装置Ｓの本体部１に、排ガスの導入口２と、排ガスを流通させるための仕切り板３、及び当該仕切り板３に取り付けられた冷却手段４、並びに処理されたガスの排出口５を備えると共に、貯溜スペース６を有する粉貯溜容体７が下方に設置されており、前記排ガス導入口２から導入された排ガスが前記冷却された仕切り板３を流通する間に粉化して粉化物となり、その粉化物が自重で落下して前記粉貯溜容体７の貯溜スペース６内に貯溜自在に構成されていることを特徴とする。 As means for solving the above-mentioned problem, the exhaust gas treatment apparatus of the invention according to claim 1 is a treatment apparatus for storing and removing powdered substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process,
An exhaust gas inlet 2, a partition plate 3 for circulating the exhaust gas, a cooling means 4 attached to the partition plate 3, and a treated gas discharge port 5 are provided in the main body 1 of the processing apparatus S. A powder storage container 7 having a storage space 6 is installed below, and the exhaust gas introduced from the exhaust gas inlet 2 is pulverized while flowing through the cooled partition plate 3 to become a powdered product, The powdered product falls by its own weight and is configured to be stored freely in the storage space 6 of the powder storage container 7.

請求項２記載の考案の排ガス処理装置は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を貯溜して除去する処理装置であって、
当該処理装置Ｓを構成する本体部１の全体形状が円筒状又は四角形筒体状に形成され、その本体部１の上半部１Ａに、排ガスの導入口２と、排ガスを流通させるための仕切り板３、及び当該仕切り板３に取り付けられた冷却手段４、並びに処理されたガスの排出口５を備えると共に、前記本体部１の下半部１Ｂに、貯溜スペース６を有する粉貯溜容体７が着脱自在に設置されており、前記本体部１における上半部１Ａの排ガス導入口２から導入された排ガスが前記冷却された仕切り板３を流通する間に粉化して粉化物となり、その粉化物が自重で落下して前記粉貯溜容体７の貯溜スペース６内に貯溜自在に構成されていることを特徴とする。 The exhaust gas treatment apparatus of the invention according to claim 2 is a treatment apparatus for storing and removing pulverized substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process,
The overall shape of the main body 1 constituting the processing apparatus S is formed in a cylindrical or quadrangular cylindrical shape, and an exhaust gas inlet 2 and a partition for circulating the exhaust gas in the upper half 1A of the main body 1 A powder storage container 7 having a storage space 6 in the lower half 1B of the main body 1 is provided with a plate 3, cooling means 4 attached to the partition plate 3, and an outlet 5 for the processed gas. The flue gas introduced from the flue gas inlet 2 of the upper half 1A of the main body 1 is pulverized into a pulverized product while flowing through the cooled partition plate 3, and the pulverized product. It falls by its own weight and is configured to be stored freely in the storage space 6 of the powder storage container 7.

請求項３記載の考案の排ガス処理装置は、前記本体部１の上半部１Ａに、テーパー状の側壁１１の底部が上部開口より小さく開口された開口部１２に形成されて成る環体落下部１０が取り付けられていることを特徴とする。 The exhaust gas treatment device of the invention according to claim 3 is an annular body dropping portion formed in the upper half 1A of the main body portion 1 in an opening portion 12 in which the bottom portion of the tapered side wall 11 is opened smaller than the upper opening. 10 is attached.

請求項４記載の考案の排ガス処理装置は、前記本体部１の上半部１Ａに、環体落下部１０の下端開口部１２を塞ぐ大きさ・形状の蓋体９を有するダンパー８が開閉自在に取り付けられており、前記ダンパー８の蓋体９の閉じ状態で、当該蓋体９の上面に粉化物は一時的に堆積され、蓋体９の開き状態で前記粉化物は落下して直下の粉貯溜容体７の貯溜スペース６内に貯溜される構成であることを特徴とする。 In the exhaust gas treatment apparatus according to the fourth aspect of the invention, a damper 8 having a lid 9 having a size and a shape that closes the lower end opening 12 of the annular body dropping portion 10 can be opened and closed freely in the upper half 1A of the main body 1. In the closed state of the lid body 9 of the damper 8, the powdered material is temporarily deposited on the upper surface of the lid body 9. It is the structure stored in the storage space 6 of the powder storage container 7.

請求項５記載の考案の排ガス処理装置は、前記本体部１の環体落下部１０の側壁１１の外周面に、振動機が取り付けられていることを特徴とする。 The exhaust gas treatment apparatus of the invention according to claim 5 is characterized in that a vibrator is attached to the outer peripheral surface of the side wall 11 of the annular body dropping portion 10 of the main body 1.

請求項６記載の考案の排ガス処理装置は、前記本体部１の壁部１３の内側面１４に、絶縁膜１７が塗布されていることを特徴とする。 The exhaust gas treatment apparatus according to claim 6 is characterized in that an insulating film 17 is applied to the inner side surface 14 of the wall portion 13 of the main body portion 1.

請求項７記載の考案の排ガス処理装置は、当該処理装置Ｓが半導体製造装置Ａと真空ポンプＰ、Ｐ’の中間に配設されていることを特徴とする。 The exhaust gas treatment apparatus of the invention according to claim 7 is characterized in that the treatment apparatus S is disposed between the semiconductor manufacturing apparatus A and the vacuum pumps P and P ′.

請求項１〜７記載の本考案の排ガス処理装置は、当該処理装置の本体部に、排ガスの導入口と、排ガスを流通させるための仕切り板、及び当該仕切り板に取り付けられた冷却手段、並びに処理されたガスの排出口を備えると共に、貯溜スペースを有する粉貯溜容体が下方に着脱自在に設置されているので、前記排ガス導入口から導入された排ガスが前記冷却された仕切り板を流通する間に粉化して粉化物となり、その粉化物が自重で落下して前記粉貯溜容体の貯溜スペース内に確実に貯溜させることができる。したがって、高誘電体膜の製造工程等の半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる多量の粉化物を、この簡便な構造で効率よく確実に分別して除去できる。しかも、フィルターを使用しない構成なので、フィルター清掃やフィルター交換の必要がなく、メンテナンスに手間がかからず使い勝手に優れて便利かつ経済的である。 The exhaust gas treatment apparatus of the present invention according to claims 1 to 7, the exhaust gas introduction port, a partition plate for circulating the exhaust gas, and a cooling means attached to the partition plate in the main body of the treatment device, and Since the powder storage container having a treated gas discharge port and having a storage space is detachably installed below, the exhaust gas introduced from the exhaust gas introduction port is circulated through the cooled partition plate. The powdered material is pulverized into a powdered material, and the powdered material falls by its own weight and can be reliably stored in the storage space of the powder storage container. Therefore, a large amount of dust contained in the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process such as the manufacturing process of the high dielectric film can be efficiently and reliably separated and removed with this simple structure. Moreover, since the filter is not used, there is no need for filter cleaning or filter replacement, and maintenance is not required, so it is convenient and economical.

本考案に係る排ガス処理装置の好適な実施形態を、以下図面にしたがって説明する。本実施形態の排ガス処理装置Ｓは、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を貯溜して除去するものであり、通常は、図４に示したように、当該排ガス処理装置Ｓは、半導体製造装置Ａと、真空ポンプの本引ポンプＰ、荒引ポンプＰ’の中間に配設して接続する実施形態が好適である。なお、荒引ポンプＰ’に除害筒Ｔが接続されている。また、貯溜・除去対象の粉化物は、主に未反応の固体ＣＶＤ原料、液体ＣＶＤ原料または固体ＣＶＤ原料が分解あるいは反応して生成する金属含有化合物である。処理対象の排ガスは、これらの粉化物を含有する水素、ヘリウム、窒素、酸素、またはアルゴン等をベースガスとする排ガスであり、ＣＶＤ原料として固体原料が使用された場合は、有機溶媒を含むものである。 A preferred embodiment of an exhaust gas treatment apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The exhaust gas treatment apparatus S of the present embodiment stores and removes pulverized substances contained in the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process. Normally, as shown in FIG. An embodiment in which the semiconductor manufacturing apparatus A is disposed and connected between the vacuum pump main pump P and the roughing pump P ′ is preferable. An abatement cylinder T is connected to the roughing pump P ′. The pulverized material to be stored / removed is a metal-containing compound produced mainly by decomposition or reaction of an unreacted solid CVD raw material, liquid CVD raw material or solid CVD raw material. The exhaust gas to be treated is an exhaust gas containing hydrogen, helium, nitrogen, oxygen, or argon containing these pulverized products as a base gas, and when a solid material is used as a CVD material, it contains an organic solvent. .

図１〜図３に本実施形態の排ガス処理装置Ｓの構造を示した。 1 to 3 show the structure of the exhaust gas treatment apparatus S of the present embodiment.

当該排ガス処理装置Ｓを構成する本体部１はステンレス製で、その全体形状は直径が約７００ｍｍ、高さが約１５００ｍｍの円筒状に形成されている（但し、この円筒状の形状に限定されるものではない）。本体部１は上半部１Ａと下半部１Ｂに分けられている。上半部１Ａは排ガスを上下方向に旋回させる部分、下半部１Ｂは前記上半部１Ａ内で排ガスから粉化した粉化物を貯溜する部分とされており、最上部の蓋２６で被蓋され、真空に耐え得る密閉式構造で成る。また、圧力については、半導体製造装置Ａと同等の圧力を維持できるようにリーク度がクリアーされているシールドがなされている。なお、下半部１Ｂの底部は、ベース体２２の上に載置して固定され、同ベース体２２に移動可能なキャスター１９と固定脚部１８が取り付けられている。 The main body 1 constituting the exhaust gas treatment apparatus S is made of stainless steel, and the overall shape thereof is formed in a cylindrical shape having a diameter of about 700 mm and a height of about 1500 mm (however, the shape is limited to this cylindrical shape). Not a thing). The main body 1 is divided into an upper half 1A and a lower half 1B. The upper half 1A is a part for turning the exhaust gas in the vertical direction, and the lower half 1B is a part for storing powdered material pulverized from the exhaust gas in the upper half 1A. And has a sealed structure that can withstand vacuum. In addition, with respect to the pressure, a shield having a clear leakage degree is provided so that the same pressure as that of the semiconductor manufacturing apparatus A can be maintained. The bottom portion of the lower half 1B is placed and fixed on the base body 22, and a caster 19 and a fixed leg 18 that can move to the base body 22 are attached.

この円筒状本体部１の上半部１Ａには、図１と図３に示したように、排ガスの導入口２と、排ガスを上下方向に折り返して流通させるための管状の仕切り板３、及び当該仕切り板３に取り付けられた冷却手段４（例えば詳図を省略した冷却液を流すための冷却管）、並びに処理されたガスの排出口５を備えている。図示例では、大小の管状の仕切り板３・・・に冷却手段４が組み込まれ、冷却手段４の符号ｋの箇所からチラー水が導入され符号ｍで示した箇所から排水されて仕切り板３が冷却される。 As shown in FIGS. 1 and 3, the upper half 1 </ b> A of the cylindrical main body 1 has an exhaust gas inlet 2, a tubular partition plate 3 for circulating the exhaust gas in a vertical direction, and A cooling means 4 (for example, a cooling pipe for flowing a cooling liquid not shown in detail) attached to the partition plate 3 and an outlet 5 for the processed gas are provided. In the illustrated example, the cooling means 4 is incorporated into the large and small tubular partition plates 3... Chiller water is introduced from the location k of the cooling means 4 and drained from the location indicated by the symbol m. To be cooled.

よって、排ガスは導入口２から導入され、仕切り板３・・・の間を流通した後、排出口５から排出される構成である。そして、排ガスは、導入口２から排出口５まで流通する間に冷却手段４により仕切り板３を介して冷却され、排ガスに含まれる未反応のＣＶＤ原料、金属を含有する分解生成物、又は金属を含有する反応生成物等が析出し、その粉化物が落下する仕組みである。 Therefore, the exhaust gas is introduced from the introduction port 2, circulates between the partition plates 3. The exhaust gas is cooled through the partition plate 3 by the cooling means 4 while flowing from the inlet 2 to the outlet 5, and unreacted CVD raw material contained in the exhaust gas, decomposition product containing metal, or metal This is a mechanism in which a reaction product containing selenium precipitates and the powdered product falls.

当該処理装置Ｓの本体部１の上半部１Ａに、前記粉化物の落下を下方に収束して誘導する環体落下部１０が取り付けられている。環体落下部１０は、全ての仕切り板３・・・の下半部外周を受容するテーパー状の側壁１１で形成され、その底部が上部開口よりも小さい円形状の開口部１２として開口されている。この環体落下部１０の上縁部が、本体部１の壁部１３の内周面に密着して固定されている。 An annular body dropping portion 10 that converges and guides the fall of the powdered material downward is attached to the upper half 1A of the main body 1 of the processing apparatus S. The ring body dropping part 10 is formed by a tapered side wall 11 that receives the outer periphery of the lower half of all the partition plates 3..., And the bottom part is opened as a circular opening part 12 smaller than the upper opening. Yes. The upper edge portion of the ring body dropping portion 10 is fixed in close contact with the inner peripheral surface of the wall portion 13 of the main body portion 1.

前記上半部１Ａにおける下方位置に、前記環体落下部１０の下端開口部１２を塞ぐ大きさ・形状の蓋体９を有するダンパー８が開閉自在に取り付けられている。すなわち、蓋体９は円形状の開口部１２を塞ぐことができるように、開口部１２より若干大きな円形状に形成されている（但し、形状はその円形状に限定されない）。この蓋体９を開閉自在に支持するダンパー８が、本体部１の壁部１３に固定されている。 A damper 8 having a lid 9 of a size and shape that closes the lower end opening 12 of the ring body dropping portion 10 is attached to the lower position in the upper half 1A so as to be freely opened and closed. That is, the lid 9 is formed in a circular shape slightly larger than the opening 12 so that the circular opening 12 can be closed (however, the shape is not limited to the circular shape). A damper 8 that supports the lid 9 so as to be freely opened and closed is fixed to the wall 13 of the main body 1.

ダンパー８の具体的構成は以下の通りである。図１と図２に示したように、垂直板部８ａの内側両端の受部８ｂ、８ｂにシャフト８ｃが回転自在に保持されている。このシャフト８ｃに２本の腕部８ｄ、８ｄが内向き配置で取り付けられており、この腕部８ｄ、８ｄの上に前記円形状の蓋体９が固着されている。そして、前記垂直板部８ａの両端が本体部１（上半部１Ａ）の壁部１３に溶着されている（図２参照）。一方、図３に示したように、垂直シリンダー８ｅが、本体部１の外周に設置されており、当該垂直シリンダー８ｅの下端にピン連結されたロッド８ｆの端部が、前記シャフト８ｃの外端に固定されている（図２）。したがって、垂直シリンダー８ｅを自動又は手動により垂直方向に作動させることにより、連結されているシャフト８ｃが回転するに応じて蓋体９が７０°の範囲で開閉自在に構成されている。換言すれば、ダンパー８の蓋体９は、環体落下部１０の開口部１２を閉塞する水平状態が閉じ状態となり、かかる水平な閉じ状態から下方に最大約７０°展開して開き状態とすることを自由に行うことができる。 The specific configuration of the damper 8 is as follows. As shown in FIGS. 1 and 2, the shaft 8c is rotatably held by the receiving portions 8b and 8b at both ends on the inner side of the vertical plate portion 8a. Two arm portions 8d and 8d are attached to the shaft 8c in an inward arrangement, and the circular lid body 9 is fixed on the arm portions 8d and 8d. Then, both ends of the vertical plate portion 8a are welded to the wall portion 13 of the main body portion 1 (upper half portion 1A) (see FIG. 2). On the other hand, as shown in FIG. 3, the vertical cylinder 8e is installed on the outer periphery of the main body 1, and the end of the rod 8f pin-connected to the lower end of the vertical cylinder 8e is the outer end of the shaft 8c. (Fig. 2). Therefore, by operating the vertical cylinder 8e in the vertical direction automatically or manually, the lid body 9 is configured to be openable and closable within a range of 70 ° as the connected shaft 8c rotates. In other words, the lid body 9 of the damper 8 is in a closed state when closing the opening 12 of the ring body dropping portion 10, and is expanded to about 70 ° downward from the horizontal closed state to an open state. Can be done freely.

なお、図３において符号１５は保護カバー、符号１６はエアーボールバイブレータ、符号２０は把手、符号２３は電磁弁、符号２４はシーケンサーをそれぞれ示している。 In FIG. 3, reference numeral 15 denotes a protective cover, reference numeral 16 denotes an air ball vibrator, reference numeral 20 denotes a handle, reference numeral 23 denotes a solenoid valve, and reference numeral 24 denotes a sequencer.

そして、前記環体落下部１０の開口部１２及びダンパー８の蓋体９の直下位置に、貯溜スペース６を有する粉貯溜容体７が着脱自在に設置されている。すなわちこの粉貯溜容体７は、円筒状本体部１の下半部１Ｂを成し、ステンレス製により、直径が約７００ｍｍ、高さ（深さ）が約６５０ｍｍの容体として形成されており、本体部１の上半部１Ａに対し着脱自在に構成されている。また粉貯溜容体７の上部外周には把手７ａが取り付けられている。さらに、当該粉貯溜容体７（下半部１Ｂ）の外周上端部は、バンド２５によって前記上半部１Ａの下端部と密着されると共に、容体７の下端部はベース体２２に対し留め具２１で固定自在となっている（図３Ｂ参照）。 And the powder storage container 7 which has the storage space 6 is detachably installed in the position directly under the opening part 12 of the said ring body fall part 10, and the cover body 9 of the damper 8. As shown in FIG. That is, the powder storage container 7 forms the lower half 1B of the cylindrical main body 1 and is made of stainless steel and has a diameter of about 700 mm and a height (depth) of about 650 mm. 1 is configured to be detachable from the upper half 1A. A handle 7 a is attached to the outer periphery of the upper part of the powder storage container 7. Furthermore, the outer peripheral upper end of the powder storage container 7 (lower half 1 </ b> B) is in close contact with the lower end of the upper half 1 </ b> A by a band 25, and the lower end of the container 7 is a fastener 21 with respect to the base body 22. (See FIG. 3B).

また、本体部１の壁部１３の内側面１４に、例えばテフロンコーティング（「テフロン」は登録商標）や高分子膜をコーティング等することによる絶縁膜１７を塗布して実施すれば、粉化物の付着を可及的に防止でき、粉化物を下方へと誘導できて良い。しかし、依然として本体部１の壁部１３に付着した粉化物に対しては、当該本体部１における管体落下部１０の側壁１１の外周面に振動機（図示は省略）を取り付ける形態で実施することにより、この振動機１６の振動により下方に振るい落とすことができ、万全が期されている。 Moreover, if the inner surface 14 of the wall 13 of the main body 1 is coated with an insulating film 17 such as by coating a Teflon coating ("Teflon" is a registered trademark) or a polymer film, for example, Adhesion can be prevented as much as possible, and the powdered material can be guided downward. However, the powdered material still attached to the wall portion 13 of the main body 1 is implemented in a form in which a vibrator (not shown) is attached to the outer peripheral surface of the side wall 11 of the tube dropping portion 10 in the main body 1. As a result, it can be shaken down by the vibration of the vibrator 16, and all possible measures are taken.

したがって、前記ダンパー８の蓋体９を水平方向に配置した閉じ状態において、前記本体部１における上半部１Ａの排ガス導入口２から導入された排ガスが前記冷却された仕切り板３を流通する間に粉化して粉化物となり、その粉化物が自重で落下し、又は管体落下部１０の傾斜状側壁１１を伝って、まず前記閉じ状態の蓋体９の上面に粉化物は一時的に堆積する。 Therefore, in the closed state in which the lid body 9 of the damper 8 is disposed in the horizontal direction, while the exhaust gas introduced from the exhaust gas inlet 2 of the upper half 1A of the main body 1 flows through the cooled partition plate 3. The powdered material falls into a powdered material, and the powdered material falls by its own weight, or travels along the inclined side wall 11 of the tube dropping part 10, and then the powdered material temporarily accumulates on the upper surface of the closed lid body 9. To do.

そして、ダンパー８を作動させて蓋体９を下方へ展開して開くと、当該蓋体９の上に堆積していた前記粉化物は、自重で下方へと落下し、直下に位置する粉貯溜容体７の貯溜スペース６内へと貯溜される。自重で落下しない粉化物に対しては、前記側壁１１の振動機の作動により強制的に落下させることができる。よって、一例では、ＳｉＨ₄などの大量の粉化物が発生する場合でも、当該粉化物を貯溜スペース６内に貯溜でき、当該処理装置Ｓの長時間使用が可能である。最終的に貯溜スペース６内に貯溜した粉化物は、粉貯溜容体７を本体部１（上半部１Ａ）から離脱して除去・処分することができる。 When the damper 8 is operated to open and open the lid body 9 downward, the powdered material deposited on the lid body 9 falls downward by its own weight, and is stored in the powder storage located immediately below. It is stored in the storage space 6 of the container 7. Powdered material that does not fall under its own weight can be forcibly dropped by the operation of the vibrator of the side wall 11. Therefore, in one example, even when a large amount of powdered material such as SiH ₄ is generated, the powdered material can be stored in the storage space 6 and the processing apparatus S can be used for a long time. The powdered material finally stored in the storage space 6 can be removed and disposed by removing the powder storage container 7 from the main body 1 (upper half 1A).

排ガス処理装置の内部構造を示した平面図である。It is the top view which showed the internal structure of the waste gas processing apparatus.

図１におけるＩ−Ｉ矢視断面図である。It is II sectional view taken on the line in FIG.

Ａ、Ｂは排ガス処理装置の全体構造を示した一部切欠の平面図と正面図である。A and B are a partially cutaway plan view and front view showing the overall structure of the exhaust gas treatment apparatus.

排ガス処理装置を半導体製造工程に設置する一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example which installs an exhaust gas processing apparatus in a semiconductor manufacturing process.

符号の説明Explanation of symbols

Ｓ排ガス処理装置
１本体部
１Ａ上半部
１Ｂ下半部
２導入口
３仕切り板
４冷却手段
５排出口
６貯溜スペース
７粉貯溜容体
８ダンパー
９蓋体
１０環状落下部
１１側壁
１２開口部
１３壁部
１７絶縁膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS S Exhaust gas processing apparatus 1 Main-body part 1A Upper half part 1B Lower half part 2 Inlet 3 Partition plate 4 Cooling means 5 Outlet 6 Storage space 7 Powder storage container 8 Damper 9 Lid 10 Annular drop part 11 Side wall 12 Opening part 13 Wall Part 17 Insulating film

Claims

半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を貯溜して除去する処理装置であって、
当該処理装置の本体部に、排ガスの導入口と、排ガスを流通させるための仕切り板、及び当該仕切り板に取り付けられた冷却手段、並びに処理されたガスの排出口を備えると共に、貯溜スペースを有する粉貯溜容体が下方に設置されており、前記排ガス導入口から導入された排ガスが前記冷却された仕切り板を流通する間に粉化して粉化物となり、その粉化物が自重で落下して前記粉貯溜容体の貯溜スペース内に貯溜自在に構成されていることを特徴とする排ガス処理装置。 A processing apparatus for storing and removing powdered substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process,
The main body of the processing apparatus includes an exhaust gas introduction port, a partition plate for circulating the exhaust gas, a cooling means attached to the partition plate, and a treated gas discharge port, and also has a storage space. A powder storage container is installed below, and the exhaust gas introduced from the exhaust gas inlet is pulverized into a pulverized product while flowing through the cooled partition plate. An exhaust gas treatment apparatus configured to be freely stored in a storage space of a storage container.

半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる粉化物を貯溜して除去する処理装置であって、
当該処理装置を構成する本体部の全体形状が円筒状又は四角形筒体状に形成され、その本体部の上半部に、排ガスの導入口と、排ガスを流通させるための仕切り板、及び当該仕切り板に取り付けられた冷却手段、並びに処理されたガスの排出口を備えると共に、前記本体部の下半部に、貯溜スペースを有する粉貯溜容体が着脱自在に設置されており、前記本体部における上半部の排ガス導入口から導入された排ガスが前記冷却された仕切り板を流通する間に粉化して粉化物となり、その粉化物が自重で落下して前記粉貯溜容体の貯溜スペース内に貯溜自在に構成されていることを特徴とする排ガス処理装置。 A processing apparatus for storing and removing powdered substances contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process,
The overall shape of the main body constituting the treatment apparatus is formed in a cylindrical or quadrangular cylindrical shape, and an exhaust gas inlet, a partition plate for circulating the exhaust gas, and the partition in the upper half of the main body A cooling means attached to the plate, and a discharge port for the processed gas, and a powder storage container having a storage space is detachably installed in the lower half of the main body, The exhaust gas introduced from the exhaust gas inlet of the half is pulverized while flowing through the cooled partition plate to become pulverized material, and the pulverized material falls by its own weight and can be stored in the storage space of the powder storage container. An exhaust gas treatment apparatus characterized in that it is configured as described above.

本体部の上半部に、テーパー状の側壁の底部が上部開口より小さく開口された開口部に形成されて成る環体落下部が取り付けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載した排ガス処理装置。 An annular body dropping portion formed by forming an opening in which a bottom portion of a tapered side wall is opened smaller than an upper opening is attached to an upper half portion of the main body portion. The exhaust gas treatment device described.

本体部の上半部に、環体落下部の下端開口部を塞ぐ大きさ・形状の蓋体を有するダンパーが開閉自在に取り付けられており、前記ダンパーの蓋体の閉じ状態で、当該蓋体の上面に粉化物は一時的に堆積され、蓋体の開き状態で前記粉化物は落下して直下の粉貯溜容体の貯溜スペース内に貯溜される構成であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載した排ガス処理装置。 A damper having a lid of a size and shape that closes the lower end opening of the ring body dropping part is attached to the upper half of the main body part so as to be openable and closable. The pulverized material is temporarily deposited on the upper surface of the powder, and the pulverized material falls in a state where the lid is opened and is stored in a storage space of the powder storage container immediately below. The exhaust gas treatment apparatus described in any one of -3.

本体部の環体落下部の側壁外周面に、振動機が取り付けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載した排ガス処理装置。 The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein a vibrator is attached to the outer peripheral surface of the side wall of the annular body dropping portion of the main body.

本体部の壁部の内側面に、絶縁膜が塗布されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載した排ガス処理装置。 The exhaust gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein an insulating film is applied to an inner surface of the wall portion of the main body portion.

当該処理装置は、半導体製造装置と真空ポンプの中間に配設されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載した排ガス処理装置。
The exhaust gas treatment apparatus according to claim 1, wherein the treatment apparatus is disposed between a semiconductor manufacturing apparatus and a vacuum pump.