JP3104840B2 - Sample post-treatment method - Google Patents
Sample post-treatment methodInfo
- Publication number
- JP3104840B2 JP3104840B2 JP07012306A JP1230695A JP3104840B2 JP 3104840 B2 JP3104840 B2 JP 3104840B2 JP 07012306 A JP07012306 A JP 07012306A JP 1230695 A JP1230695 A JP 1230695A JP 3104840 B2 JP3104840 B2 JP 3104840B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- gas
- oxygen
- plasma
- post
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は後処理方法に係り、特に
Ａｌ系配線材料におけるエッチング処理後の防食処理に
好適な試料の後処理方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a post-processing method, and more particularly to a post-processing method for a sample suitable for anticorrosion treatment after etching of an Al-based wiring material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の後処理方法は、例えば特開昭５８
−８７２７６号公報に記載のように、フルオロカーボン
（例えば、ＣＦ4）と酸素（Ｏ2）との混合ガスのプラズ
マによりアッシング処理を施こすことによって、防食処
理を行なっていた。2. Description of the Related Art A conventional post-processing method is disclosed in
As described in JP-A-87276, anticorrosion treatment is performed by performing ashing with plasma of a mixed gas of fluorocarbon (for example, CF 4 ) and oxygen (O 2 ).
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術はエッチ
ング処理後の残留付着物除去の点について配慮がされて
おらず、被エッチング処理膜の側壁に付着した残留付着
物が充分除去できず、例えば塩素系ガスによるＡｌ系配
線膜、特にＡｌ系配線膜の下層にバリヤメタル層として
ＴｉＷ膜やＴｉＮ膜を用いた積層配線材料をエッチング
処理した場合には、エッチング処理後にわずかでも塩素
成分が残っていると、配線膜材料間の局部電池作用と残
留付着物成分中に含まれる塩素成分によって、Ａｌ系配
線膜に電蝕が生じ腐食が発生しやすくなるという課題が
あった。In the above prior art, no consideration is given to the removal of the residual deposits after the etching process, and the residual deposits adhering to the side walls of the film to be etched cannot be sufficiently removed. When a laminated wiring material using a TiW film or a TiN film as a barrier metal layer as an underlayer of an Al-based wiring film with a chlorine-based gas, particularly an Al-based wiring film, is etched, a slight chlorine component remains after the etching processing. In addition, there is a problem that electric corrosion occurs in the Al-based wiring film due to the local battery action between the wiring film materials and the chlorine component contained in the residual deposit component, so that corrosion tends to occur.
【０００４】本発明の目的は、バリヤメタル層とアルミ
系配線膜とを積層して成る配線材料の試料に対し高い防
食性能を得ることのできる試料の後処理方法を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a method of post-processing a sample of a wiring material formed by laminating a barrier metal layer and an aluminum-based wiring film, which can obtain high corrosion protection performance.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的は、レジストの
マスクを用い、バリヤメタルが積層されたアルミニウム
系配線材料を有する試料に、塩素系ガスのプラズマによ
るエッチング処理を施し、該エッチング処理後の試料
を、水素成分が含まれたガスと酸素の混合ガスのプラズ
マに真空下で連続して晒すことにより、前記エッチング
処理により試料に付着したレジスト成分と塩素成分が含
まれた残留付着物を該試料から除去し、該残留付着物除
去後の試料を、酸素ガス又は酸素が含まれたガスによる
プラズマに晒すことにより、前記エッチング処理に用い
たレジストを該試料から除去することにより、達成され
る。The object of the present invention is to provide a resist.
Aluminum with barrier metal laminated using a mask
To the sample containing the copper-based wiring material
The sample after the etching process
Of the mixed gas of the gas containing hydrogen component and oxygen
By continuously exposing it to vacuum under vacuum
Resist component and chlorine component attached to the sample
Removed residual deposits from the sample and remove the residual deposits.
After leaving the sample, use oxygen gas or gas containing oxygen.
By exposing to plasma, it is used for the etching process.
This is achieved by removing the resist from the sample .
【０００６】[0006]
【作用】レジストのマスクを用い、バリヤメタルが積層
されたアルミニウム系配線材料を有する試料に、塩素系
ガスのプラズマによるエッチング処理を施した後、この
エッチング処理後の試料に残留する残留付着物の中に含
まれる塩素成分と反応する水素成分および酸素成分を含
むガスのプラズマによってエッチング後の試料を処理す
ることにより、エッチング処理で試料に付着した残留付
着物の中に含まれる塩素成分(Ｃｌ)が水素成分(Ｈ)と反
応して塩化水素(ＨＣｌ)となって有効に除去されるの
で、わずかな塩素成分も除去され、バリヤメタルが積層
されたアルミニウム系配線材料を有する試料においても
配線膜材料間の局部電池作用による電蝕を生じることが
なく、高い防食性能を得ることができる。[Function] Barrier metal is laminated using a resist mask
Sample containing the aluminum-based wiring material
After performing the etching process by the plasma of the gas, after the etching by the plasma of the gas containing the hydrogen component and the oxygen component reacting with the chlorine component contained in the residual deposits remaining on the sample after the etching process. By processing the sample, the chlorine component (Cl) contained in the residue attached to the sample by the etching process reacts with the hydrogen component (H) to be effectively removed as hydrogen chloride (HCl). Therefore, even slight chlorine components are removed, and barrier metal is laminated
Even in the sample having the aluminum-based wiring material, the electrolytic corrosion due to the local battery action between the wiring film materials does not occur, and high anticorrosion performance can be obtained.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１ないし図３に
より説明する。図１はエッチング処理と後処理を真空下
で連続して行なうことが出来る連続処理装置の一例を示
す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 shows an example of a continuous processing apparatus capable of continuously performing an etching process and a post-process under vacuum.
【０００８】図１に示す装置では、バッファ室３とロー
ドロック室４，９とエッチング室６と後処理室８とが真
空排気可能であり、それぞれの室は独立して気密装置に
より仕切ることが可能となっている。この装置を用いた
処理の流れとしては、被処理物がロード側カセット１か
ら直進アーム２によってロードロック室４に運ばれた
後、大気から図示しない排気装置により減圧排気され
る。その後、あらかじめ減圧排気されたバッファ室３を
経由して旋回アーム５によって、減圧排気されたエッチ
ング室６へ送られる。このエッチング室にて所定のエッ
チング処理を行なったのち、旋回アーム７によってこれ
もまたあらかじめ減圧排気された後処理室８へ運ばれ
る。後処理室８で処理された被処理物は、ふたたび旋回
アーム７でロードロック室９に運ばれる。ロードロック
室９が気密装置によりバッファ室３と仕切られた後、ロ
ードロック室９内はＮ2ガスにより大気圧にまで昇圧さ
れる。その後、被処理物は直進アーム１０によりアンロ
ード側カセット１１へ収納し一連の処理を終る。In the apparatus shown in FIG. 1, the buffer chamber 3, the load lock chambers 4, 9, the etching chamber 6, and the post-processing chamber 8 can be evacuated, and each chamber can be independently partitioned by an airtight device. It is possible. As a flow of processing using this apparatus, after an object to be processed is carried from the load-side cassette 1 to the load lock chamber 4 by the rectilinear arm 2, it is evacuated and evacuated from the atmosphere by an exhaust device (not shown). Thereafter, the wafer is sent to the etching chamber 6 evacuated and evacuated by the turning arm 5 via the buffer chamber 3 evacuated and evacuated in advance. After a predetermined etching process is performed in this etching chamber, it is also evacuated and evacuated by the revolving arm 7 before being transferred to the processing chamber 8. The workpiece processed in the post-processing chamber 8 is transported to the load lock chamber 9 by the turning arm 7 again. After the load lock chamber 9 is separated from the buffer chamber 3 by the airtight device, the pressure in the load lock chamber 9 is increased to the atmospheric pressure by N 2 gas. Thereafter, the workpiece is stored in the unload-side cassette 11 by the rectilinear arm 10, and a series of processing is completed.
【０００９】図２は、図１に示した後処理室８の縦断面
図を示す。図２において、プラズマ発生室４０と処理室
６０は真空に保たれており、アルミニウム製の多孔板５
０によって仕切られている。導入ガスをプラズマ化する
手段は、この場合マイクロ波を利用して行ない、プラズ
マ発生室４０に開口部を設け、該開口部に石英製の窓３
０を取付けて、マイクロ波導波管２０の端部にマイクロ
波発振器１５を設けてなる。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the post-processing chamber 8 shown in FIG. In FIG. 2, the plasma generation chamber 40 and the processing chamber 60 are maintained in a vacuum, and the aluminum perforated plate 5
It is separated by 0. In this case, the means for converting the introduced gas into plasma is performed using microwaves, an opening is provided in the plasma generation chamber 40, and a quartz window 3 is provided in the opening.
0, and a microwave oscillator 15 is provided at an end of the microwave waveguide 20.
【００１０】排気手段は処理室６０の排気口７０につな
がれ、圧力制御弁８０及び図示しない真空ポンプからな
る。ガス供給手段は、図示を省略したガス供給源からガ
ス供給管４４を介してプラズマ発生室４０のガス供給口
４２につながる。この場合、酸素ガス（Ｏ2）とＨ成分
を有するメタノールガス（ＣＨ3ＯＨ）をそれぞれ流量
制御弁４６，４８で調整し、それぞれのガスを供給可能
に構成している。The exhaust means is connected to an exhaust port 70 of the processing chamber 60, and comprises a pressure control valve 80 and a vacuum pump (not shown). The gas supply means is connected to a gas supply port 42 of the plasma generation chamber 40 via a gas supply pipe 44 from a gas supply source (not shown). In this case, the oxygen gas (O 2 ) and the methanol gas (CH 3 OH) having the H component are adjusted by the flow control valves 46 and 48, respectively, so that the respective gases can be supplied.
【００１１】処理室６０には試料９０が搬入され、試料
台１００上に載置される。なお、試料台１００は加熱装
置１０５により加熱でき、プラズマ処理中の試料を加熱
できるよう構成している。A sample 90 is carried into the processing chamber 60 and placed on a sample table 100. The sample stage 100 can be heated by the heating device 105, and can heat the sample during the plasma processing.
【００１２】図１及び図２に示した構成の装置により、
マイクロ波発振器１５より発生した周波数２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波は、マイクロ波導波管２０内を進行し石
英製の窓３０を介してプラズマ発生室４０内に導かれ
る。プラズマ発生室４０に導入された処理用ガスにマイ
クロ波が印加されプラズマ発生室４０にプラズマが発生
する。プラズマ発生室４０と処理室６０の間にはアルミ
ニウム製の多孔板５０が設けてあり、マイクロ波が処理
室６０に進行するのを防止し、主にラジカル成分が処理
室６０に導かれるようにしてある。The apparatus having the structure shown in FIGS. 1 and 2
2.45 GHz frequency generated by microwave oscillator 15
The microwave of z travels through the microwave waveguide 20 and is guided into the plasma generation chamber 40 through the window 30 made of quartz. A microwave is applied to the processing gas introduced into the plasma generation chamber 40 to generate plasma in the plasma generation chamber 40. A perforated plate 50 made of aluminum is provided between the plasma generation chamber 40 and the processing chamber 60 to prevent microwaves from traveling to the processing chamber 60 and to mainly introduce radical components into the processing chamber 60. It is.
【００１３】上記構成の装置により、まず、エッチング
室６において、Ａｌ系配線膜を形成した試料９０を塩素
系ガスを用いてエッチング処理する。なお、エッチング
後には配線パターン形成分のマスク材であるレジストと
ともに、エッチング処理中に付着した残留付着物（Ｃ，
Ｈ，Ｃｌ，Ａｌ等）が残る。First, in the etching chamber 6, the sample 90 on which the Al-based wiring film has been formed is etched using a chlorine-based gas in the etching chamber 6. After the etching, the residual deposits (C,
H, Cl, Al, etc.) remain.
【００１４】次に、レジストおよび残留付着物が残った
試料９０を後処理室８に送って、後処理を行なう。後処
理は次のように行なう。この場合、流量制御弁４６およ
び４８を調整し、酸素ガス（Ｏ2）とメタノールガス
（ＣＨ3ＯＨ）とを混合してプラズマ発生室４０内に導
入し、マイクロ波発振器１５からマイクロ波をプラズマ
発生室４０内に導入する。これにより、水素成分（Ｈ）
と酸素成分（Ｏ）およびその他の成分のプラズマが発生
し、この場合、処理室６０側へラジカル主体のプラズマ
が導かれ、残留付着物およびレジストが除去される。Next, the sample 90 on which the resist and the remaining deposits are left is sent to the post-processing chamber 8, where post-processing is performed. Post-processing is performed as follows. In this case, the flow control valves 46 and 48 are adjusted, oxygen gas (O 2 ) and methanol gas (CH 3 OH) are mixed and introduced into the plasma generation chamber 40, and the microwaves 15 It is introduced into the generation chamber 40. Thereby, the hydrogen component (H)
Then, plasma of oxygen component (O) and other components is generated, and in this case, plasma mainly composed of radicals is guided to the processing chamber 60 side, and residual deposits and resist are removed.
【００１５】プラズマ中のＨやＯは、残留付着物中の塩
素成分と反応して塩化水素（ＨＣｌ）を生成して除去し
たり、Ｈ2Ｏとなって塩素成分を溶解、希釈したりし
て、Ａｌ系配線膜の腐食の原因を取り去る。また、プラ
ズマ中のＯは、レジストと反応してレジスト除去を行な
う。H and O in the plasma react with the chlorine component in the remaining deposits to generate and remove hydrogen chloride (HCl), or become H 2 O to dissolve and dilute the chlorine component. Then, the cause of corrosion of the Al-based wiring film is removed. O in the plasma reacts with the resist to remove the resist.
【００１６】このように、メタノールガスと酸素ガスと
を混合したプラズマにより、Ａｌ系配線膜の後処理を行
なうので、残留付着物中の残留塩素成分を除去できると
ともに、酸素成分によるレジスト除去（アッシング処
理）が行なえる。As described above, since the post-treatment of the Al-based wiring film is performed by the plasma in which the methanol gas and the oxygen gas are mixed, the residual chlorine component in the residual deposit can be removed, and the resist removal (ashing) by the oxygen component can be performed. Processing).
【００１７】なお、メタノールガスと酸素ガスとを混合
してプラズマ化し、防食処理とアッシング処理とを同時
に行なうものについて説明したが、それぞれのガスプラ
ズマで工程を分けて行なっても良い。また、防食処理と
してメタノールガスと酸素ガスとの混合ガスによるプラ
ズマで処理し、アッシング処理として酸素ガスのみ又は
酸素ガスを含むガスのプラズマで処理するように、処理
ガスを切り替えて行なうようにしても良い。Although the description has been given of the case where the methanol gas and the oxygen gas are mixed to form a plasma and the anti-corrosion treatment and the ashing treatment are performed simultaneously, the processes may be performed separately for each gas plasma. Further, the processing gas may be switched so that the processing is performed by plasma using a mixed gas of methanol gas and oxygen gas as the anticorrosion processing, and the processing is performed using the plasma of only oxygen gas or a gas containing oxygen gas as the ashing processing. good.
【００１８】次に、本実施例により、Ａｌ系配線膜とし
てＡｌ膜を用いて、従来の後処理と本実施例の後処理と
の比較例を説明する。図３は本実施例による残留塩素量
低減効果を示す図である。図３の処理Ａは従来の酸素
（Ｏ2）と四弗化炭素（ＣＦ4）との混合ガスプラズマ処
理を２分間行なった場合を示す。処理Ｂはメタノールと
酸素の混合ガスで１分間処理を行なった後、酸素プラズ
マによって１分間追加処理を行なった場合の残留塩素量
を示す。試料は６インチ配線パターン付Ａｌ膜ウェハで
Ａｌ膜厚８００ｎｍのものを用いた。Next, a description will be given of a comparative example between the conventional post-processing and the post-processing of the present embodiment using an Al film as the Al-based wiring film according to the present embodiment. FIG. 3 is a diagram showing the effect of reducing the amount of residual chlorine according to the present embodiment. Processing A in FIG. 3 shows a case where a conventional mixed gas plasma processing of oxygen (O 2 ) and carbon tetrafluoride (CF 4 ) is performed for 2 minutes. The treatment B indicates the residual chlorine amount when the treatment is performed for one minute with a mixed gas of methanol and oxygen, and then the treatment is further performed for one minute with oxygen plasma. The sample used was an Al film wafer with a 6-inch wiring pattern and an Al film thickness of 800 nm.
【００１９】処理Ａは酸素４００ｃｃ／ｍｉｎ、四弗化
炭素２０ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理し
た。処理Ｂは最初にメタノール８０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素
４００ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理し、次
に酸素４００ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理
した。なお、処理Ｂはレジストアッシング速度が酸素と
四弗化炭素との混合ガスとほぼ同等の値が得られる試料
台温度２５０℃に設定して処理を行なった。The treatment A was carried out at 400 cc / min of oxygen, 20 cc / min of carbon tetrafluoride, and a treatment pressure of 160 Pa. In the treatment B, treatment was first performed with methanol at 80 cc / min, oxygen at 400 cc / min and a treatment pressure of 160 Pa, and then with oxygen at 400 cc / min and a treatment pressure of 160 Pa. In the process B, the process was performed at a sample stage temperature of 250 ° C. at which the resist ashing speed obtained a value substantially equal to that of a mixed gas of oxygen and carbon tetrafluoride.
【００２０】試料台１００の設定温度はレジストのアッ
シング速度とＡｌ系配線膜の熱的ダメージとの関係から
２００℃〜３５０℃に設定することが望ましい。The set temperature of the sample stage 100 is desirably set to 200 ° C. to 350 ° C. in consideration of the relationship between the ashing speed of the resist and the thermal damage of the Al-based wiring film.
【００２１】図３に示したように、Ｈ，Ｏを含むガスプ
ラズマ処理を行なうことによって、残留付着物中の塩素
成分をこの場合、約半分に低減できた。塩素成分の低減
に対する詳細な作用は明確ではないが、Ｈ，Ｏを含むガ
スプラズマ中のＨ2あるいはＨ2Ｏ成分が残留塩素成分
（Ｃｌ）に作用して塩化水素（ＨＣｌ）を発生したり、
残留塩素成分を局部的に溶解、希釈するものと考えられ
る。As shown in FIG. 3, by performing the gas plasma treatment containing H and O, the chlorine component in the residual deposits could be reduced to about half in this case. Although the detailed effect on the reduction of the chlorine component is not clear, H 2 or H 2 O component in the gas plasma containing H and O acts on the residual chlorine component (Cl) to generate hydrogen chloride (HCl). ,
It is considered that the residual chlorine component is locally dissolved and diluted.
【００２２】以上、本実施例によれば、Ａｌ系配線膜エ
ッチング処理後に残留する残留塩素量を従来よりはるか
に減少させることができ、Ａｌ系配線膜のエッチング処
理後の防食性能を向上させることができるという効果が
ある。As described above, according to the present embodiment, the amount of residual chlorine remaining after etching the Al-based wiring film can be significantly reduced, and the anticorrosion performance of the Al-based wiring film after the etching process can be improved. There is an effect that can be.
【００２３】なお、本実施例ではメタノール（ＣＨ3Ｏ
Ｈ）を用いた例を示したが、エタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）
やアセトン（ＣＨ3ＣＯＣＨ3）を用いたガスプラズマ
や、これらのガスと酸素（Ｏ2）との混合ガスプラズマ
あるいは水素（Ｈ2）やメタン（ＣＨ4）と酸素との混合
ガスでもＡｌ系配線膜の防食処理に対して同様な効果が
ある。In this embodiment, methanol (CH 3 O)
H), an example using ethanol (C 2 H 5 OH)
Al-based gas plasma using gas or acetone (CH 3 COCH 3 ), mixed gas plasma of these gases and oxygen (O 2 ), or mixed gas of hydrogen (H 2 ) or methane (CH 4 ) and oxygen The same effect is obtained for the anticorrosion treatment of the wiring film.
【００２４】また、メタノール等のＨ成分およびＯ成分
を有するガスのみ、あるいはメタノール等のガスと酸素
との混合ガスによるプラズマ処理後に酸素ガスプラズマ
処理を行なって、後処理が確実になるようにした方が良
いが、メタノール等のガスと酸素との混合ガスによるプ
ラズマ処理のみでレジストがアッシングできる場合には
追加の酸素プラズマ処理は行なわなくてもよい。Oxygen gas plasma treatment is performed after plasma treatment with only a gas having an H component and an O component such as methanol, or a mixed gas of a gas such as methanol and oxygen to ensure post-treatment. It is better, but if the resist can be ashed only by plasma processing using a mixed gas of a gas such as methanol and oxygen, additional oxygen plasma processing may not be performed.
【００２５】さらに、本一実施例で記載した後処理部の
装置構成は、マイクロ波によるものであったが、ＲＩＥ
方式等の他の方式によるものでも良い。また、本一実施
例では図１に示すように、エッチング処理と後処理とが
連続的に行なえる装置としているが、これに限られるも
のではない。Further, the apparatus configuration of the post-processing section described in the present embodiment is based on microwaves.
Other methods such as a method may be used. Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the apparatus is capable of continuously performing the etching process and the post-processing, but the present invention is not limited to this.
【００２６】次に他の装置の例を図４，図５により説明
する。図４に示す装置は、例えば図１に示した装置にさ
らに公知のアッシング処理機構を内設した装置構成とな
っている。図５はそれを外設した場合の装置構成となっ
ている。Next, another example of the apparatus will be described with reference to FIGS. The device shown in FIG. 4 has, for example, a device configuration in which a known ashing processing mechanism is further provided inside the device shown in FIG. FIG. 5 shows an apparatus configuration in the case where it is provided outside.
【００２７】これらの装置構成は、パターン形成用レジ
スト材の成分中にシリコン（Ｓｉ）系材料が用いられて
いる場合の防食処理に特に有効となる。レジスト材の成
分にシリコン系材料が用いられている場合（シリコン系
無機レジストあるいはシリコンホトレジスト等）には、
酸素ラジカル主体のアッシング処理ではレジスト材中の
シリコンが酸素ラジカルと反応し酸化シリコンを形成し
残留するため、充分なレジストアッシング処理が出来な
いという問題がある。残存したレジストは、残留塩素に
よる配線腐食発生の原因や配線膜上の絶縁膜形成時に異
物として残るため、回路の絶縁不良等製造上の歩留り低
下を招くので極力除去することが望ましい。These device configurations are particularly effective for anticorrosion treatment when a silicon (Si) -based material is used as a component of a resist material for pattern formation. When a silicon-based material is used as a component of the resist material (such as a silicon-based inorganic resist or a silicon photoresist),
In the ashing treatment mainly using oxygen radicals, silicon in the resist material reacts with oxygen radicals to form silicon oxide and remains, and thus there is a problem that a sufficient resist ashing treatment cannot be performed. The remaining resist is a cause of wiring corrosion due to residual chlorine and remains as a foreign substance when an insulating film is formed on the wiring film. This causes a reduction in manufacturing yield such as poor insulation of a circuit. Therefore, it is desirable to remove the remaining resist as much as possible.
【００２８】図４および図５に示すような構成の装置で
は、後処理（１）でメタノールあるいはメタノールと酸
素との混合ガスによるプラズマ処理を行なった後、シリ
コン系レジスト残留物を除去するための後処理（２）を
行なう。後処理（２）は、試料台温度を５０℃以下にし
て、酸素と弗素系ガスによるプラズマ処理を行なうもの
である。これにより防食処理（後処理（１））とレジス
トアッシング処理後処理（２）を達成することができ
る。In the apparatus having the structure shown in FIGS. 4 and 5, after the plasma treatment with methanol or a mixed gas of methanol and oxygen is performed in the post-treatment (1), the silicon-based resist residue is removed. Post-processing (2) is performed. In the post-processing (2), the temperature of the sample stage is set to 50 ° C. or lower, and plasma processing is performed using oxygen and a fluorine-based gas. Thereby, the anticorrosion treatment (post-treatment (1)) and the post-treatment of resist ashing (2) can be achieved.
【００２９】なお、後処理（２）、すなわち、酸素と弗
素系ガスによるプラズマ処理において、試料９０がバリ
ヤーメタルの場合、試料台温度はＡｌ系配線膜の下層膜
であるＴｉＮ膜、ＴｉＷ膜等のサイドエッチング防止の
ため５０℃以下に設定することが望ましい。In the post-treatment (2), that is, in the plasma treatment using oxygen and fluorine-based gas, when the sample 90 is a barrier metal, the temperature of the sample stage is set to a TiN film, a TiW film, etc., which are lower layers of the Al-based wiring film. It is desirable to set the temperature to 50 ° C. or less in order to prevent side etching.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明によれば、エッチング処理で試料
に付着した残留付着物の中に含まれる塩素成分が水素成
分と反応して、わずかな塩素成分も残ることなく有効に
除去され、バリヤメタル層とアルミ系配線膜とを積層し
て成る配線材料の試料に対しても、配線膜材料間の局部
電池作用による電蝕を生じることがなく高い防食性能が
得られるという効果がある。According to the present invention, the chlorine component contained in the residue attached to the sample in the etching process reacts with the hydrogen component, and the chlorine component is effectively removed without any residual chlorine component . Even for a wiring material sample obtained by laminating a layer and an aluminum-based wiring film, there is an effect that high corrosion prevention performance can be obtained without causing electric corrosion due to local battery action between the wiring film materials.
【図１】本発明を実施するための装置の一例を示す平面
図である。FIG. 1 is a plan view showing an example of an apparatus for carrying out the present invention.
【図２】図１の装置をＡ−Ａから見た後処理装置の縦断
面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the post-processing apparatus when the apparatus of FIG. 1 is viewed from AA.
【図３】本発明の防食処理効果である残留塩素量を示す
図である。FIG. 3 is a graph showing the amount of residual chlorine as an effect of the anticorrosion treatment of the present invention.
【図４】本発明を実施するための他の装置例を示す概略
構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing another example of an apparatus for carrying out the present invention.
【図５】本発明を実施するための他の装置例を示す概略
構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing another example of an apparatus for carrying out the present invention.
８…後処理室、１５…マイクロ波発振器、４０…プラズ
マ発生室、４６，４８…流量制御弁、６０…処理室、８
０…圧力制御弁、９０…試料、１００…試料台、１０５
…加熱装置。8 Post-processing chamber, 15 Microwave oscillator, 40 Plasma generation chamber, 46, 48 Flow control valve, 60 Processing chamber, 8
0: pressure control valve, 90: sample, 100: sample stage, 105
... Heating device.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 掛樋 豊 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所 機械研究所内 (72)発明者 川原 博宣 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭63−241933（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−36023（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−43132（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−267325（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−87438（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−13743（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−55050（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−6379（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−133631（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−30133（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−186326（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Yutaka Kakehi 502 Kandachicho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi, Ltd.Mechanical Research Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Hironobu Kawahara 794 Higashi-Toyoi, Kazamatsu-shi, Yamaguchi Prefecture Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-63-241933 (JP, A) JP-A-64-36023 (JP, A) JP-A-62-43132 (JP, A) JP-A-61-267325 (JP, A A) JP-A-55-87438 (JP, A) JP-A-57-13743 (JP, A) JP-A-56-5550 (JP, A) JP-A-59-6379 (JP, A) JP-A-61 JP-133631 (JP, A) JP-A-58-30133 (JP, A) JP-A-59-186326 (JP, A)
Claims (3)
が積層されたアルミニウム系配線材料を有する試料に、
塩素系ガスのプラズマによるエッチング処理を施し、 該エッチング処理後の試料を、水素成分が含まれたガス
と酸素の混合ガスのプラズマに真空下で連続して晒すこ
とにより、前記エッチング処理により試料に付着したレ
ジスト成分と塩素成分が含まれた残留付着物を該試料か
ら除去し、 該残留付着物除去後の試料を、酸素ガス又は酸素が含ま
れたガスによるプラズマに晒すことにより、前記エッチ
ング処理に用いたレジストを該試料から除去 することを
特徴とする試料の後処理方法。1. A barrier metal using a resist mask.
To a sample having an aluminum-based wiring material on which
An etching process using a plasma of a chlorine-based gas is performed, and the sample after the etching process is subjected to a gas containing a hydrogen component.
Continuous exposure to a plasma of mixed gas of oxygen and oxygen under vacuum
By the above, the laser adhered to the sample by the etching process
Residual deposits containing dist and chlorine components
From the sample after removal of the residual deposits containing oxygen gas or oxygen.
Exposure to the plasma from the
A post-processing method for a sample, comprising: removing a resist used for the etching process from the sample.
て、 前記エッチング処理後の試料をメタノール、エタノー
ル、アセトンから選択されたガスと酸素ガスの混合ガス
のプラズマによって処理することを特徴とする試料の後
処理方法。2. A post-processing method of the sample according to claim 1, characterized in that the sample after the etching process methanol, ethanol, treated by plasma of a mixed gas of a selected gas and oxygen gas from acetone Sample post-treatment method.
て、 前記エッチング処理後の試料を、水素と酸素の混合ガス
又はメタンと酸素の混合ガスのプラズマによって処理す
ることを特徴とする試料の後処理方法。3. The post-treatment method according to claim 1, wherein the sample after the etching treatment is treated with a plasma of a mixed gas of hydrogen and oxygen or a mixed gas of methane and oxygen. Characteristic post-treatment method of sample.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07012306A JP3104840B2 (en) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | Sample post-treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07012306A JP3104840B2 (en) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | Sample post-treatment method |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1218523A Division JPH0793293B2 (en) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | Post-processing method |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29841396A Division JP3403595B2 (en) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | Processing method of wiring material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254589A JPH07254589A (en) | 1995-10-03 |
| JP3104840B2 true JP3104840B2 (en) | 2000-10-30 |
Family
ID=11801642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07012306A Expired - Lifetime JP3104840B2 (en) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | Sample post-treatment method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3104840B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3129144B2 (en) * | 1995-04-21 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | Ashing method |
| JP7198541B1 (en) * | 2022-06-10 | 2023-01-04 | 株式会社ニッシン | Plasma generator, plasma reactor and plasma generation method |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5587438A (en) * | 1978-12-25 | 1980-07-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5852324B2 (en) * | 1979-10-11 | 1983-11-22 | 富士通株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| JPS5713743A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and etching method |
| JPS5830133A (en) * | 1981-08-18 | 1983-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma etching treatment |
| JPS59186326A (en) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Hitachi Ltd | Dry-etching apparatus |
| JPS61267325A (en) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Tokyo Denshi Kagaku Kk | Removal of organic film |
| JPH0624191B2 (en) * | 1985-08-20 | 1994-03-30 | シャープ株式会社 | Plasma processing method |
| JP2637969B2 (en) * | 1987-03-30 | 1997-08-06 | ソニー株式会社 | Etching method |
| JP2629721B2 (en) * | 1987-07-31 | 1997-07-16 | ソニー株式会社 | Dry etching method |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP07012306A patent/JP3104840B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07254589A (en) | 1995-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0416774B1 (en) | A method of treating a sample of aluminium-containing material | |
| KR950010044B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit and equipment for the manufacture | |
| JPH07153746A (en) | Dry etching chamber cleaning method | |
| US6080680A (en) | Method and composition for dry etching in semiconductor fabrication | |
| JP2008078678A (en) | Method for processing plasma | |
| JP4716370B2 (en) | Low dielectric constant film damage repair method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| TWI389737B (en) | Purification method of conductive substrate surface of semiconductor substrate | |
| JP3170783B2 (en) | Semiconductor device wiring forming method and manufacturing apparatus | |
| JP3575240B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3258240B2 (en) | Etching method | |
| JP3104840B2 (en) | Sample post-treatment method | |
| JP5233097B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium | |
| JPH0793293B2 (en) | Post-processing method | |
| JP2646811B2 (en) | Dry etching method | |
| JP3403595B2 (en) | Processing method of wiring material | |
| JPH04273442A (en) | Wiring formation | |
| JP2897752B2 (en) | Sample post-treatment method | |
| JP2000012521A (en) | Plasma ashing method | |
| JP2897753B2 (en) | Sample post-treatment method | |
| JPH05109673A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP3376758B2 (en) | Post-processing method | |
| JP3015744B2 (en) | Continuous processing equipment | |
| JP2728483B2 (en) | Sample post-treatment method and device | |
| JPH09251984A (en) | Etching method for multi-layer aluminum wiring | |
| JPH04343423A (en) | Damage-free dry etching method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080901 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080901 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |