JP3103266B2 - 絶対位置検出装置 - Google Patents

絶対位置検出装置

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JP3103266B2 JP06077894A JP7789494A JP3103266B2 JP 3103266 B2 JP3103266 B2 JP 3103266B2 JP 06077894 A JP06077894 A JP 06077894A JP 7789494 A JP7789494 A JP 7789494A JP 3103266 B2 JP3103266 B2 JP 3103266B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は位置検出装置に関し、特
に絶対位置検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の絶対位置検出装置としてはグレイ
コードを用いた絶対位置検出装置が有名ではあるが、こ
のグレイコード方式の絶対位置検出装置にてNビットの
検出を行なうにはN個のトラックが必要となる。従っ
て、高分解能化しようとするとトラック数が多くなるた
め、装置が大掛かりになるという欠点を有していた。
【0003】そこで、トラック数が1つでも絶対位置を
検出できる絶対位置検出装置としてNビットの2進疑似
乱数数列を用いたもの、即ち、パターン中におけるNビ
ット(Nは整数)のパターンが全て異なるような疑似乱
数数列パターンを1トラック上に備えたものを用いて、
このパターンを検出することにより被検出体の絶対位置
を演算するようにした絶対位置検出装置がある。図4は
このような疑似乱数数列パターン方式の従来の絶対位置
検出装置の一例を示す概略図である。ここで被検出体
(1)に取付けられた円板(2)は、透磁材よりなる円
板であって、その外周に切り欠きを有し、この切り欠き
の有無により疑似乱数数列ビットパターンを形成してい
る。切り欠き部を0、切り欠かれていない部分を1とす
ると、本例では4ビット検出を行なっており、その疑似
乱数数列ビットパターンとして00001111011
00101を用いているので、同図の円板(2)ような
形状となり、また、この各パターンと絶対位置情報との
関係は図5のようになる。
【0004】センサ群は永久磁石(図示せず)を有した
半導体磁気センサ(3a、3b,3c,3d)である。
2値化手段(5)は比較回路(20)にて各半導体磁気
センサ(3a、3b,3c,3d)の信号(S1、S
2、S3、S4)と所定の電圧レベル(V1)とを比較
して2値化を行ない4ビットの疑似乱数パターンを検出
する。位置情報変換手段(8)は、CPU、RAM、図
6に示す4ビットの疑似乱数パターンと絶対位置との関
係を記憶したROM等からなり、CPUは、この図6に
示す関係に従って、前記4ビットの疑似乱数パターンか
ら絶対位置情報を検出する(特開平4ー110727
号、特開平4ー136715号公報参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】所が、このような従来
の絶対位置検出装置では、ビットパターンの変化点近傍
では誤検出をする場合がある。即ち、図7に示すように
円板(2)のある部分の加工精度が悪い場合(図中の楕
円印部分)はセンサの出力信号レベル(図中のセンサ4
dの出力レベルの黒丸印)が本来のレベル(図中のセン
サ4dの出力レベルの白丸印)と異なるため、センサ群
がビットパターンの変化点近傍にあるときは本来検出す
べきパターンは0010であるのに実際には0011と
いうパターンになってしまい、位置情報は間違ったもの
となってしまう。本発明はこのような課題を解決するた
めになされたものであり、本発明によればセンサ群がビ
ットパターンの変化点近傍にあるときでも誤検出をしな
いので常に正確な位置を検出することができる位置検出
装置が提供される。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、1トラック上
のどのNビットも全て異なるパターンとなるNビットの
2進疑似乱数数列(Nは整数)に従ったパターンを有す
る被検出体と、前記被検出体のNビットの2進疑似乱数
を検出する第1のセンサ群と、前記第1のセンサ群とは
異なる位相で前記被検出体のNビットの2進疑似乱数を
検出する第2のセンサ群と、前記第1及び第2のセンサ
群の出力を2値化する2値化手段と、前記第1のセンサ
群の各信号のいずれかが、2値化基準電圧を中心に上下
一定幅の電圧内にあるか否かを検出する信号レベル変化
点検出手段と、前記信号レベル変化点検出手段が、前記
第1のセンサ群の各信号のいずれかが前記2値化基準電
圧を中心に上下一定幅の電圧内にあることを検出してい
る時は前記第2のセンサ群の2値化された信号を出力
し、前記2値化基準電圧を中心に上下一定幅の電圧内に
ないことを検出している時は前記第1のセンサ群の2値
化された信号を出力するセンサ信号選択手段と、前記セ
ンサ信号選択手段から出力される2値化された信号を被
検出体の位置情報に変換する位置情報変換手段とを具備
することによって達成される。
【0007】
【作用】本発明にあっては、第1のセンサ群と第2のセ
ンサ群の内、2値化基準電圧近傍にはない方のセンサ群
の信号を選択して使用することとしているので常に正確
な位置を検出できる。
【0008】
【実施例】以下、図面に従って本発明を詳細に述べる。
図1は、本発明の絶対位置検出装置の第一の実施例を図
4に対応させて示す概略構成図であり、同一構成箇所は
同符号を付してある。被検出体(1)に取付けられた円
板(2)は、従来のものと全く同じなので説明を省略す
る。第1のセンサ群(3a〜3d)は従来例で説明した
センサ群と同じ構成であり、各センサの配置も従来例と
同じように取付けられている。第2のセンサ群(4a〜
4d)は、構成は第1のセンサ群(3a〜3d)と同じ
であるが、取付け場所がどの磁気センサも第1のセンサ
と一定距離(x1)だけ離れており、検出する信号の位
相は第1のセンサ群(3a〜3d)と異なっている。図
1の例ではx1は、被検出体の2進疑似乱数数列の1ビ
ット長の4分の1となっており、第1のセンサ群(3a
〜3d)の信号と第2のセンサ群(4a〜4d)との信
号は90度の位相差を有している。
【0009】信号レベル変化点検出手段(7)は、図2
に示す回路からなり、電圧レベル判定回路(21)は第
1のセンサ群(3a〜3d)の各信号の電圧がV2(V
1−Vx)〜V3(V1+Vx)にあるときはHigh
出力となり、それ以外はLow出力となる。NOR回路
(22)は4個の電圧レベル判定回路の出力の内1個で
もHigh出力があるときはLow出力となり、4個の
比較回路が全てLow出力のときはHigh出力とな
る。センサ信号選択手段(8)は、信号レベル変化点検
出手段(7)の出力がHigh出力のときは第1のセン
サ群(3a〜3d)の2値化された信号を出力し、信号
レベル変化点検出手段の出力がLow出力のときは第2
のセンサ群(4a〜4d)の2値化された信号を出力す
る。位置情報変換手段(9)は、従来例と同じ様に、上
記センサ信号選択手段の出力信号であるNビットの2進
疑似乱数数列のパターンから、図6の変換テーブルに従
い絶対位置情報へと変換する。
【0010】図3は、本発明の第2の実施例を示すもの
であり、本例では、まずセンサ信号選択手段(11)が
第1のセンサ群(3a〜3d)の信号か第2のセンサ群
(4a〜4d)の信号かを選択し、その後2値化を行な
うような構成になっているもので、具体的な各構成ブロ
ックの内容等は前記の実施例と同じであるので詳細は省
略する。
【0011】なお、上記実施例では、信号レベル変化点
検出手段(7)、センサ信号選択手段(8)はいずれも
ハードウェア処理にて構成されているが、本発明はこれ
に限られるものではなく、位置情報変換手段のCPU、
ROM、RAMに加えて、アナログデジタル変換器(A
D変換器)等を用いてソフトウェア処理により行なうも
のとしてもよい。また、本発明での疑似乱数のパターン
は上述した4ビットの例に限られるものではなく、他の
ビット数の場合でもよい。さらに、疑似乱数数列手段及
びセンサ群としては、前述した疑似乱数数列パターンを
発生するものならばよく、例えば、磁性体に疑似乱数数
列パターンを記録させ磁気センサにてこの疑似乱数数列
パターンを検出する、いわゆる磁気ドラム式のものでも
よく、さらには光式のものを用いてもよい。また、疑似
乱数数列を発生させる部分(上述の実施例では、円板
(2))は、特に、回転型に限られるものではなく、直
線式等他の形をしたものでもよい。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明の絶対位置検
出装置によれば、常に正確な絶対位置を検出することが
できる。しかも、本発明では、第1のセンサ群と第2の
センサ群との切り替えの判断条件は、上記第1のセンサ
群の信号そのものから検出しているので、この切り替え
用の信号検出に特別なセンサやパターンを必要としない
ので、装置の小型化・低コスト化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による絶対位置検出装置の第1の実施例
の概略を示す構成図である。
【図2】図1に示す本発明装置の信号レベル変化点検出
手段の概略を示す図である。
【図3】本発明による絶対位置検出装置の第2の実施例
の概略を示す構成図である。
【図4】従来の絶対位置検出装置の一例を示す概略構成
図である。
【図5】疑似乱数パターンと絶対位置との関係を示す図
である。
【図6】位置情報変換手段での入出力の関係を示す図で
ある。
【図7】従来の絶対位置検出装置における誤検出を説明
するための図である。
【符号の説明】
1 被検出体 2、円板 3a、3b、3c、3d、4a、4b、4c、4d 磁
気センサ 5 2値化手段 7 信号レベル変化点検出手段 8、11 センサ信号選択手段 9 位置情報変換手段 20 比較回路 21 電圧レベル判定回路 22 NOR回路

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】1トラック上のどのNビットも全て異なる
    パターンとなるNビットの2進疑似乱数数列(Nは整
    数)に従ったパターンを有する被検出体と、 前記被検出体のNビットの2進疑似乱数を検出する第1
    のセンサ群と、 前記第1のセンサ群とは異なる位相で前記被検出体のN
    ビットの2進疑似乱数を検出する第2のセンサ群と、 前記第1及び第2のセンサ群の出力を2値化する2値化
    手段と、 前記第1のセンサ群の各信号のいずれかが、2値化基準
    電圧を中心に上下一定幅の電圧内にあるか否かを検出す
    る信号レベル変化点検出手段と、 前記信号レベル変化点検出手段が、前記第1のセンサ群
    の各信号のいずれかが前記2値化基準電圧を中心に上下
    一定幅の電圧内にあることを検出している時は前記第2
    のセンサ群の2値化された信号を出力し、前記2値化基
    準電圧を中心に上下一定幅の電圧内にないことを検出し
    ている時は前記第1のセンサ群の2値化された信号を出
    力するセンサ信号選択手段と、前記センサ信号選択手段
    から出力される2値化された信号を被検出体の位置情報
    に変換する位置情報変換手段とを具備することを特徴と
    する絶対位置検出装置。
  2. 【請求項2】1トラック上のどのNビットも全て異なる
    パターンとなるNビットの2進疑似乱数数列(Nは整
    数)に従ったパターンを有する被検出体と、 前記被検出体のNビットの2進疑似乱数を検出する第1
    のセンサ群と、 前記第1のセンサ群とは異なる位相で前記被検出体のN
    ビットの2進疑似乱数を検出する第2のセンサ群と、 前記第1のセンサ群の各信号のいずれかが、2値化基準
    電圧を中心に上下一定幅の電圧内にあるか否かを検出す
    る信号レベル変化点検出手段と、 前記信号レベル変化点検出手段が、前記第1のセンサ群
    の各信号のいずれかが前記2値化基準電圧を中心に上下
    一定幅の電圧内にあることを検出している時は前記第2
    のセンサ群の信号を出力し、前記2値化基準電圧を中心
    に上下一定幅の電圧内にないことを検出している時は前
    記第1のセンサ群の信号を出力するセンサ信号選択手段
    と、 前記センサ信号選択手段から出力される各信号を2値化
    する2値化手段と、前記2値化手段からの2値化された
    信号を前記被検出体の位置情報に変換する位置情報変換
    手段とを具備することを特徴とする絶対位置検出装置。
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