JP3101504B2 - 光学ピックアップ装置 - Google Patents

光学ピックアップ装置

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JP3101504B2
JP3101504B2 JP06241645A JP24164594A JP3101504B2 JP 3101504 B2 JP3101504 B2 JP 3101504B2 JP 06241645 A JP06241645 A JP 06241645A JP 24164594 A JP24164594 A JP 24164594A JP 3101504 B2 JP3101504 B2 JP 3101504B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスク用の光学
ピックアップ装置に係わり、特に集積化された小型な光
磁気ディスク用の光学ピックアップ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図11は従来の光磁気ディスク用の光学
ピックアップ装置の例を示す構成図である。図11にお
いて、レーザーダイオード20から放射されたレーザ光
は、回折格子21、コリメータレンズ22、ビームスプ
リッタ23、対物レンズ24を通って光磁気ディスク2
5に照射される。上記光磁気ディスク25には、磁気コ
イル26から磁界が加えられ、これにより光磁気ディス
ク25への信号の記録、消去が行われる。光磁気ディス
ク25で反射されたレーザー光はビームスプリッタ23
に入射され、ここで入射方向と直交する方向に設置され
ているビームスプリッタ27に向けて反射される。上記
ビームスプリッタ27に入射されたレーザ光の一部はこ
こを通過し、集光レンズ28、シリンドリカルレンズ2
9を通過して4分割されたフォトダイオード30に入射
され、フォーカスサーボとトラッキングサーボに使用さ
れる。また上記ビームスプリッタ27に入射された上記
反射光の一部は、入射方向と直交する方向に反射され、
1/2波長板31、偏光ビームスプリッタ32に入射さ
れる。上記偏光ビームスプリッタ32に入射された反射
光は、ここで偏光角に応じて分離され、一方は集光レン
ズ33を通過した後フォトダイオード34に入射され
る。またもう一方の透過光は集光レンズ35を通過した
後フォトダイオード36に入射される。そしてこれらの
フォトダイオード34、36の検出出力の差をとり、上
記光磁気ディスク25上に記録されている情報を検出し
ている。
【0003】上記のような従来から用いられている光磁
気ディスク用の光学ピックアップ装置は、構成が複雑で
製造コストが非常に高くついていた。また部品点数が多
いため装置が大きくなり、光磁気ディスクの小型化の妨
げになっていた。そこで、特開平4−247348号公
報に示されるような光学ピックアップ装置が提案されて
いる。図12は従来の光磁気ディスク用の集積化された
光学ピックアップ装置の他の例を示す構成図である。図
12において、レーザダイオード41から入射されたレ
ーザ光は、上記レーザダイオード41と同一回路基板上
に設けられているプリズム42の半透過反射面に当りコ
リメータレンズ43、対物レンズ44を経て、光磁気デ
ィスク45に照射される。光磁気ディスク45で反射さ
れたレーザ光は再び対物レンズ44、コリメータレンズ
43を通った後プリズム42の半透過反射面に配した偏
光面を回転させる1/2波長板Yを透過しプリズム42
内に入射される。プリズム42内部に入射されたレーザ
光は第1のフォトダイオード46上に形成された偏光膜
Xにより一方は第1フォトダイオード46上に入射さ
れ、他方は偏光膜Xにより反射され更に全反射膜48で
全反射された後、全透過膜49を通過し第2フォトダイ
オード47に入射される。そして光磁気ディスク45に
偏光の回転がない場合には上記第1のフォトダイオード
46および第2のフォトダイオード47に入射する光量
は等しくなり、また光磁気ディスク45で偏光の回転が
あると、上記各フォトダイオード46及び47に入射す
る光量に差が生じる。従って光磁気ディスクに記録され
ている情報の検出信号SMOは次式により得ることができ
る。SMO=(A+B+C)−(A′+B′+C′)、ま
たトラッキングエラー信号STEおよびフォーカスエラー
信号SFEに関しては、STE=(A′+C)−(A+
C′)、SFE=(A+C+B′)−(A′+C′+B)
から求めることができる。
【0004】また、1/2波長板Yの代わりに、レーザ
光の発光点を45°傾けることが提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記の構成では、情報
信号を検出するために第1フォトダイオード46の表面
に光学膜Xを設け、第2フォトダイオード47の表面に
は前記光学膜Xと異なる光学膜を設けなくてはならな
い。しかし、この構成では上記のプリズムは非常に小さ
いため、基板上の一部に光学膜を設けることは精密な作
業を要する。
【0006】また、この方法ではフォーカシングサーボ
やトラッキングサーボを行うための信号を基本的にレベ
ル差がある光磁気信号から得ようとしている。そのため
偏光により第1と第2フォトダイオードに入射する光量
に差が生じてしまい適正な信号を検出することができな
い。これを適正にするには、例えば、オフセット補正を
行うことが考えられるが、その場合においても、光磁気
ディスクに複屈折が生じている場合には補正ができな
い。
【0007】また、光磁気ディスクの信号は非常に小さ
いため、高いC/Nを得るためには、上記第1フォトダ
イオード46に入射するレーザ光の偏光方向を45°傾
けて差動検出法で信号を検出しなければいけない。また
レーザ光のS偏光成分とP偏光成分の光量が大きく異な
っているとサーボ信号を検出することも困難になるの
で、やはり第1フォトダイオード46に入射するレーザ
光の偏光方向が45°傾いていることが必要である。そ
こで上記の方法では、傾斜つきのサブマウントを用いた
り、レーザダイオードの作製方法を工夫することによ
り、プリズム42に入射するレーザ光の偏光方向を45
°傾けている。しかし以上の方法では精巧な作業が必要
であったり、レーザダイオードの作製方法を変更するな
ど、困難な作業が伴う。また、微小なプリズムの傾斜面
に1/2波長板やハーフミラーを設けることも、精密な
作業を必要とする。
【0008】また、偏光面を回転させるために設けられ
た1/2波長板Yは平行光束中でなければその効果を充
分に得ることはできない。そのため、収束光中に配置さ
れた上記構成では所定の偏光角以外の位相差成分が発生
してしまい偏光分離の消光比が著しく劣化してしまう。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の光学ピックアップ装置では、偏光面を異に
するレーザ光を受光する第1受光素子と第2受光素子と
を設ける基板と、該基板上に載置され、ディスクより反
射されたレーザ光を入射し境界面で反射したレーザ光を
第1受光素子に入射させる第1プリズムと、該第1プリ
ズムの境界面に接する境界面を有し前記第1プリズムを
透過したレーザ光を第2受光素子に入射させる第2プリ
ズムと、前記第1プリズムと前記第2プリズムの各境界
面に介在せしめた偏光膜とを備え、さらに前記第1プリ
ズムと前記第2プリズムとの境界面を入射するレーザ光
の偏光面を45°回転させる方向に傾斜させたことを特
徴とする。また、前記の構成において、さらに前記基板
上に第3受光素子を設け、且つ前記第1プリズムを2分
割すると共に該分割面の間にハーフミラーを形成し、該
ハーフミラーで反射したレーザ光を前記第3受光素子に
導くことを特徴とするまた、本発明の光学ピックアッ
プ装置では、偏光面を異にするレーザ光を受光する第1
受光素子と第2受光素子とを設けた基板と、該基板上に
載置され、ディスクより反射されたレーザ光を入射し境
界面で反射したレーザ光を第1受光素子に入射させる第
1プリズムと、該第1プリズムの境界面に接する境界面
を有し前記第1プリズムを透過したレーザ光を第2受光
素子に入射させる第2プリズムと、前記第1プリズムと
前記第2プリズムの各境界面に介在せしめた偏光膜とを
備え、前記第1プリズムは光学的に異方性を持つ物質か
らなり、通過するレーザ光の偏光面を45°回転させる
寸法に設定したことを特徴とする。また、前記の構成に
おいて、さらに前記基板上に第3受光素子を設け、前記
第1プリズムに入射したレーザ光を前記第3受光素子に
導くことを特徴とする。
【0010】
【作用】第1プリズムと第2プリズムの境界面に偏光膜
を介在させることにより、光学膜の作製が容易になる。
また、分割面の角度を特定することによって偏光面を4
5°回転させることが実現され、または異方性を有する
第1プリズムにより偏光面を回転することによって、偏
光面を45°回転させる。また、第3受光素子にレーザ
光を入射させることによって、サーボ用の信号及び偏光
特性を持った信号の検出を同時に行うことができる。
【0011】
【実施例】図1は本発明の光ピックアップの第1の実施
例の構成図である。図2は本発明の光学ピックアップ装
置の第1の実施例の受光素子の配置図である。図1にお
いてレーザーダイオード1及びモニターダイオード2は
サブマウント3上に配置されている。サブマウント3、
第1プリズム4、第2プリズム5、第1受光素子7、第
2受光素子8、第3受光素子6は回路基板9上に配置さ
れている。
【0012】レーザーダイオード1から出射されたレー
ザ光は第1プリズム4の傾斜面4aで反射され、対物レ
ンズ10に入射され、光磁気ディスク11上に照射され
る。そして前記光磁気ディスク11で反射されたレーザ
光は第1プリズム4の傾斜面4aに戻ってくる。そし
て、この光磁気ディスク11からの反射光であるレーザ
光は、第1プリズム4の傾斜面4aに設けられている光
学膜(a)であるハーフミラー12を通って第1プリズ
ム4の内部に入り傾斜面4bに達する。更に、このレー
ザ光は第1プリズム4の傾斜面4bに設けられている光
学膜(b)であるハーフミラー13により一部は光学膜
(b)を透過して第3受光素子6に入射する。この第3
受光素子6に入射されたレーザ光によってフォーカスサ
ーボ及びトラッキングサーボを行うための信号検出が行
われる。例えば、図2に示すように第3受光素子6を4
分割しておけば、フォーカスエラー検出には非点収差法
やビームサイズ法、トラッキングエラー信号検出にはプ
ッシュプル法を使用することができる。
【0013】他方傾斜面4bで反射されたレーザ光は第
1のプリズム4の上面に設けられている光学膜(c)で
ある全反射膜14により全反射され、第1のプリズム4
の境面4cに到達する。境面4cには光学膜(d)であ
る偏光膜15が設けられており、反射光の偏光特性によ
って一部は反射して第1受光素子7に入射し、残りは透
過して第2のプリズム5の内部を透過して第2受光素子
8に入射する。この傾斜面4bの傾きを適当にすること
により光学膜(d)に入射するレーザ光の入射角を最適
化することができ、光学膜(d)である偏光膜15の形
成が容易になると同時にサーボ信号及び偏光特性をもっ
た信号を同時に行うことができる。
【0014】また第3受光素子6、第1受光素子7、第
3受光素子8上には光学膜(e)である全透過膜(図示
しない)が設けられており、第3受光素子6、第1受光
素子7、第2受光素子8に入射してきたレーザ光を全て
透過させる。このように構成された第1の実施例の光学
ピックアップ装置に設けられている光学膜の特性を表1
に示す。
【0015】
【表1】
【0016】図3は本発明の光学ピックアップ装置の第
1の実施例のプリズム及び偏光面の傾きを示す斜視図で
ある。図3に示す通り、第1の実施例では傾斜面4cを
例えばレーザ光の進行方向に垂直な面に対してX方向を
45°、Y方向を45°傾斜させている。そして、傾斜
面を透過、反射されたレーザ光は偏光面が図に示したよ
うに45°回転される。これによりコンパクトディスク
の場合などのようにレーザ光が発光基板(発光チップ)
に対して平行なモードであり、ディスクからの反射光が
単一のモードしか持っていなくても、光学膜(d)であ
る偏光膜15により第1受光素子7、第2受光素子8に
同じ光量が入ることになる。また上記光磁気ディスク1
1で偏光の回転があると上記第1受光素子7、第2受光
素子8に入射する光量に差が生じ、光磁気ディスク11
に記録されている情報を検出することができる。
【0017】本第1の実施例では、第1プリズムと第2
プリズムの境界面に偏光膜を介在させ、第3受光素子を
設けることにより、光学膜の作製が容易になり、サーボ
用の信号及び偏光特性を持った信号の検出を同時に行う
ことができる。図4は本発明の光学ピックアップ装置の
第2の実施例を示す構成図である。図4において、レー
ザダイオードから出射されたレーザ光は第1プリズム4
の傾斜面4aに反射され、対物レンズ10に入射され、
光磁気ディスク11上に照射される。次に上記光磁気デ
ィスク11で反射されたレーザ光は第1プリズム4の傾
斜面4aに戻ってくる。そして光磁気ディスク11から
の反射光は第1プリズム4の傾斜面に設けられている前
述の光学膜(a)であるハーフミラー12を通って第1
プリズム4の内部に入り、傾斜面4bに達する。傾斜面
4bには前述の光学膜(c)である全反射膜16が設け
られており、反射光は傾斜面4bで全反射され、更に第
1プリズム4上面に設けられている前述の光学膜(c)
である全反射膜14により全反射され、第1プリズム4
の面4cに到達する。面4cには前述の光学膜(b)で
あるハーフミラー13が設けられており、これにより一
部は反射されて第3受光素子6に入射され、残りは透過
して第1プリズム4d内部に入射される。第1プリズム
4dと第2プリズム5の境面5cは図3で説明したよう
にX方向を45°、Y方向を45°傾けてあり、かつ前
述の光学膜(d)である偏光膜15が設けられており、
反射光の偏光特性によって、一部は反射されて第1受光
素子7に入射され、残りはプリズム5bの内部を通過し
て第2受光素子8に入射される。本実施例では、第1の
実施例と同一の利点を有する。
【0018】図5は本発明の光学ピックアップ装置の第
3の実施例を示したものである。このピックアップ装置
は、レーザダイオード51およびモニタフォトダイオー
ド52が配設されているサブマウント53と、第2プリ
ズム54、第1プリズム55を回路基板56上に乗せて
構成している。また回路基板56には、第1、第2受光
素子60、61が形成されている。第2プリズム54は
ガラスなどの光学的に等方性を示す物質からなるプリズ
ムで、第1プリズム55は水晶などの光学的に異方性を
示す物質からなるプリズムである。また第2プリズム5
4、第1プリズム55の間には、偏光膜59が形成され
ている。偏光膜は高屈折率膜と低屈折率膜からなる交互
多層膜で、S偏光を反射しP偏光を透過する。また、第
1プリズム55の傾斜面55a上にはハーフミラー67
が設けられている。
【0019】レーザダイオード51から放射されたレー
ザ光は対物レンズ57により集光され、光磁気ディスク
58上に照射される。そして上記光磁気ディスク58で
反射された光は、対物レンズ57を通り第1プリズム5
5の傾斜面55aに戻ってくる。そして、この光磁気デ
ィスク58からの反射光は、上記傾斜面55aに貼設さ
れているハーフミラー67を通って第1プリズム55の
内部に入り、偏光膜59に到達する。ここで第1プリズ
ム55は光学的に異方性を示すため、偏光膜59にレー
ザ光が到達するまでに、偏光方向は45°回転する。第
1プリズム55の大きさは、レーザ光のS偏光成分とP
偏光成分が(2m+1)πの位相差を生じるように調整さ
れている。偏光膜59に到達した光は、偏光膜によりS
偏光とP偏光に分離され、それぞれ第1、第2受光素子
60、61に到達する。
【0020】従って、第1、第2受光素子60、61に
入射した光の光量による信号成分の差から、情報の検出
信号を得ることができる。また、分割受光素子によって
第1、第2受光素子60、61を構成することによっ
て、これらの受光素子に入射する光の光量の和や差か
ら、フォーカスやトラッキングなどのサーボ信号を検出
することが可能になる。
【0021】信号検出、サーボ検出の一例として、第
1、第2受光素子60、61の一方を5分割受光素子、
もう一方を3分割受光素子で構成した場合について述べ
る。この場合、フォーカスエラー信号はビームサイズ
法、トラッキングエラー信号は3ビーム法で検出する。
また、レーザ光を分割するための回折格子をレーザ光の
光路中に設ける。
【0022】図6は光学ピックアップ装置の第3の実施
例における受光素子の配置の第1例を示す構成図であ
る。図6において、(a)は第2受光素子61、(b)
は第1受光素子60を上部から見た図である。それぞ
れ、3個の受光素子A′、B′、C′および5個の受光
素子A、B、C、E、Fにより構成されている。従って
情報の検出信号は、S=(A+B+C)−(A′+B′
+C′)から得ることができる。
【0023】また、この光学ピックアップ装置では、光
磁気ディスクがビームの焦点に位置している場合に、第
1、第2受光素子60、61上でビームが一定の大きさ
になるように第1のプリズム55の大きさが決められて
いる。従って、光磁気ディスクがビームの焦点からずれ
ることによって、受光素子上のビームのサイズは、大き
くなったり小さくなったりする。従って、フォーカスエ
ラー信号は、SFE=(A+C)−BまたはSFE=(A′
+C′)−B′から求めることができる。トラッキング
エラー信号はSTE=E−Fから求めることができる。
【0024】なお、この実施例ではトラッキングエラー
信号に3ビーム法を用いているが、プッシュプル法でも
検出できる。プッシュプル法では第1、第2受光素子6
0、61の両方または片方が3分割受光で構成され、ト
ラッキングエラー信号は、S TE=A−CまたはSTE
A′−C′から求めることができる。なお、この場合回
折格子は不要になる。
【0025】図7は光学ピックアップ装置の第3の実施
例における受光素子の配置の第2例を示す構成図であ
る。図7はフォーカスエラー信号検出に非点収差法、ト
ラッキングエラー信号検出に3ビーム法を用いた場合の
第1、第2受光素子60、61を上部から見た図であ
る。どちらかの受光素子を(b)のように6分割受光素
子を構成する。また、シリンドリカルレンズと、レーザ
光を3分割するための回折格子を、レーザ光の光路中に
設ける。この場合、情報信号、サーボ信号は、S=(A
+B+C+D)−G、SFE=(A+C)−(B+D)、
TE=E−Fから求めることができる。
【0026】図8は本発明の光学ピックアップ装置の第
4の実施例を示す構成図である。この光学ピックアップ
装置は、レーザダイオード51およびモニタフォトダイ
オード52が配設されているサブマウント53と、第2
のプリズム54、第1のプリズム55、第3のプリズム
62を回路基板56上に設けて構成している。また、回
路基板56には、第1、第2、第3受光素子60、6
1、63が形成されている。また、第3受光素子63上
に前述の光学膜(b)である半透過反射膜64が設けら
れている。第2プリズム54、第3プリズム62はガラ
スなどの光学的に等方性を示す物質からなるプリズム
で、第1プリズム55は水晶などの光学的に異方性を示
す物質からなるプリズムである。また第2プリズム5
4、第3プリズム62の間には、偏光膜59が形成され
ている。偏光膜59は高屈折率膜と低屈折率膜からなる
交互多層膜でS偏光を反射しP偏光を透過する。また、
第3プリズム62上面には全反射膜66が設けられてい
る。レーザダイオード51から放射されたレーザ光は対
物レンズ57により集光され、光磁気ディスク58上に
照射される。そして上記光磁気ディスク58で反射され
た光は、対物レンズ57を通り第1プリズム55のハー
フミラー67を設けた傾斜面55aに戻ってくる。そし
て、この光磁気ディスク58からの反射光は、上記傾斜
面55aに貼設されているハーフミラー67を通って第
2プリズム55の内部に入り、第3プリズム62に到達
する。ここで第1プリズム55は光学的に異方性を示す
ため、第3プリズム62にレーザ光が到達するまでに偏
光方向は45°回転する。第1プリズム55の大きさ
は、レーザ光のS偏光成分とP偏光成分が(2m+1)π
の位相差を生じるように調整されている。第3プリズム
62に到達し内部に入った光は、第3受光素子63に到
達する。第3受光素子63のプリズム側の面には半透過
反射膜64が形成され、一部の光は第3受光素子63に
入射し、残りの光は反射する。この反射光は、第3プリ
ズム62の上面に設けた全反射膜66で反射され、偏光
膜59に到達する。偏光膜59に到達した光は、偏光膜
59によりS偏光とP偏光に分離され、それぞれ第1、
第2受光素子60、61に到達する。
【0027】情報の検出信号は、第1、第2受光素子6
0、61に入射した光の光量による信号成分の差から得
ることができる。またフォーカスやトラッキングのサー
ボ信号は、分割受光素子によって第3受光素子63を構
成することによって、これらの受光素子に入射する光の
光量の和や差から検出することが可能になる。本実施例
では、1/2波長板の設置やレーザダイオードに工夫を
施しなくてもよい。
【0028】図9は光学ピックアップ装置の第4の実施
例おける受光素子の配置を示す構成図である。図9はフ
ォーカスエラー信号に非点収差法、トラッキングエラー
信号に3ビーム法を用いた場合の第1、第2、第3受光
素子60、61、63を上部から見た図である。第3受
光素子63を(c)のように6分割フォトダイオードで
構成する。また、シリンドリカルレンズと、レーザ光を
3分割するための回折格子をレーザ光の光路中に設け
る。この場合、情報信号、サーボ信号は、S=G−H、
FE=(A+C)−(B+D)、STE=E−Fを求める
ことができる。
【0029】以上のような構成を用いると、フォーカス
やトラッキングなどのサーボ信号が情報の検出信号の影
響を受けないという長所がある。また、プリズム内を収
束光または発散光が透過することによって発生する非点
収差を利用すると、シリンドリカルレンズを用いなくて
も非点収差法でフォーカス信号を検出することができ
る。
【0030】以上の実施例では、フォーカスエラー信号
検出にビームサイズ法、非点収差法、トラッキングエラ
ー信号検出に3ビーム法、プッシュプル法を用いている
が、他の検出方法を用いても同様の効果が得られる。ま
た、トラッキングエラー信号を3ビーム法で検出する場
合、レーザ光の光路中に回折格子を設けてビームを分割
しているが、3ビームのレーザダイオードを用いると、
回折格子がなくても検出が可能になる。
【0031】図10は本発明の光学ピックアップ装置の
第5の実施例を示す構成図である。この光学ピックアッ
プ装置は図8における第3受光素子63と前述の光学膜
(b)である半透過反射膜64との代わりに全反射膜6
5を設置した場合のものである。
【0032】
【発明の効果】第1プリズムと第2プリズムの境界面に
偏光膜を介在させることにより、光学膜の作製が容易に
なる。また、偏光面の回転が分割面の角度を特定するこ
とによって実現させることによって、偏光面を45°回
転させ、1/2波長板を不要にし、レーザダイオードの
作製方法を変更することもない。また、異方性プリズム
によって偏光面を回転することによって、偏光面を45
°回転させ、1/2波長板を不要にし、レーザダイオー
ドの作製方法を変更することもない。また、第3受光素
子にレーザ光を入射させることによって、サーボ用の信
号及び偏光特性を持った信号の検出を同時に行うことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光学ピックアップ装置の第1の実施例
を示す構成図である。
【図2】本発明の光学ピックアップ装置の第1の実施例
の受光素子の配置を示す構成図である。
【図3】本発明の光学ピックアップ装置の第1の実施例
のプリズム及び偏光面の傾きを示す斜視図である。
【図4】本発明の光学ピックアップ装置の第2の実施例
を示す構成図である。
【図5】本発明の光学ピックアップ装置の第3の実施例
を示す構成図である。
【図6】本発明の光学ピックアップ装置の第3の実施例
における受光素子の配置の第1例を示す構成図である。
【図7】本発明の光学ピックアップ装置の第3の実施例
における受光素子の配置の第2例を示す構成図である。
【図8】本発明の光学ピックアップ装置の第4の実施例
を示す構成図である。
【図9】本発明の光学ピックアップ装置の第4の実施例
における受光素子の配置を示す構成図である。
【図10】本発明の光学ピックアップ装置の第5の実施
例を示す構成図である。
【図11】従来の光磁気ディスク用の光ピックアップの
例を示す構成図である。
【図12】従来の光磁気ディスク用の集積化された光ピ
ックアップの他の例を示す構成図である。
【符号の説明】
1 レーザーダイオード 4 第1プリズム 4c 境界面 5 第2プリズム 6 第3受光素子 7 第1受光素子 8 第2受光素子 9 基板 11 ディスク 15 偏光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−67452(JP,A) 特開 平4−177643(JP,A) 特開 平5−174441(JP,A) 特開 平6−333289(JP,A) 特開 平6−4928(JP,A) 特開 平7−65429(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 11/105 G11B 7/135

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 偏光面を異にするレーザ光を受光する第
    1受光素子と第2受光素子とを設ける基板と、 該基板上に載置され、ディスクより反射されたレーザ光
    を入射し境界面で反射したレーザ光を第1受光素子に入
    射させる第1プリズムと、 該第1プリズムの境界面に接する境界面を有し前記第1
    プリズムを透過したレーザ光を第2受光素子に入射させ
    る第2プリズムと、 前記第1プリズムと前記第2プリズムの各境界面に介在
    せしめた偏光膜とを備え、さらに前記第1プリズムと前記第2プリズムとの境界面
    を入射するレーザ光の偏光面を45°回転させる方向に
    傾斜させた ことを特徴とする光学ピックアップ装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、さらに前記基板上に
    第3受光素子を設け、且つ前記第1プリズムを2分割す
    ると共に該分割面の間にハーフミラーを形成し、該ハー
    フミラーで反射したレーザ光を前記第3受光素子に導く
    ことを特徴とする光学ピックアップ装置。
  3. 【請求項3】 偏光面を異にするレーザ光を受光する第
    1受光素子と第2受光素子とを設けた基板と、 該基板上に載置され、ディスクより反射されたレーザ光
    を入射し境界面で反射したレーザ光を第1受光素子に入
    射させる第1プリズムと、 該第1プリズムの境界面に接する境界面を有し前記第1
    プリズムを透過したレーザ光を第2受光素子に入射させ
    る第2プリズムと、 前記第1プリズムと前記第2プリズムの各境界面に介在
    せしめた偏光膜とを備え、 前記第1プリズムは光学的に異方性を持つ物質からな
    り、通過するレーザ光の偏光面を45°回転させる寸法
    に設定した ことを特徴とする光学ピックアップ装置。
  4. 【請求項4】 請求項3において、さらに前記基板上に
    第3受光素子を設け、前記第1プリズムに入射したレー
    ザ光を前記第3受光素子に導くことを特徴とする光学ピ
    ックアップ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0438931A (ja) * 1990-06-05 1992-02-10 Hitachi Ltd 核磁気共鳴装置

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