JP3101307B2 - How to remove organic film - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、有機物被膜の除去方法に関し、特に半導体
装置等のフォトリソグラフィーによる製造において使用
されている有機高分子化合物であるフォトレジスト膜の
湿式除去方法に関するものである。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for removing an organic film, and more particularly, to a method for wet-drying a photoresist film, which is an organic polymer compound used in the manufacture of semiconductor devices and the like by photolithography. It relates to a removal method.

［従来技術］ IC、LSI等に代表される半導体装置の製造工程では、
シリコン等の半導体基板やガラス基板上に、微細な電気
的な素子や回路を形成するために基板上に、感光性の有
機高分子化合物を塗布し、所定の回路等のパターンを形
成したフォトマスクを介して紫外線等で露光した後にフ
ォトレジストを現像して、基板上にフォトレジストの回
路パターンを形成し、フォトレジストの形成されていな
い基板上にCVD、スパッタリング等で成膜を行ったり、
薬剤によるエッチング、RIE（反応性イオンエッチン
グ）、不純物の元素の加熱による拡散やイオン注入を行
っている。そして、一連のの処理が終了した基板上のフ
ォトレジストの膜は化学的な処理によって除去される
が、IC、LSIの製造工程では、一般にこのようなフォト
レジストを塗布して各種の処理をした後にフォトレジス
ト膜を除去する操作は１回にとどまらず、数回行われ
る。[Prior art] In a manufacturing process of a semiconductor device represented by an IC, an LSI, or the like,
A photomask in which a photosensitive organic polymer compound is applied on a substrate to form fine electrical elements and circuits on a semiconductor substrate such as silicon or a glass substrate, and a predetermined circuit pattern is formed on the substrate. The photoresist is developed after being exposed to ultraviolet rays or the like through the above, a circuit pattern of the photoresist is formed on the substrate, and a film is formed on a substrate on which the photoresist is not formed by CVD, sputtering, or the like,
We perform chemical etching, RIE (reactive ion etching), diffusion of impurities by heating, and ion implantation. After the series of processes, the photoresist film on the substrate is removed by a chemical process, but in the IC and LSI manufacturing processes, such processes are generally applied by applying such a photoresist. The operation of removing the photoresist film later is performed not only once but several times.

フォトレジスト膜の除去は各種の方法が採用されてい
るが、フォトレジストの除去が不完全であるとその後の
工程に悪影響を与えるためにフォトレジスト膜を完全に
除去することが必要である。特に、最近のように半導体
装置の集積度が高まり、形成される半導体装置の回路の
線幅が細くなると、フォトレジスト膜の残渣の影響は集
積度の低い場合に比べて大きな問題となるので完全に除
去することが求められている。Various methods have been adopted for removing the photoresist film. However, if the removal of the photoresist is incomplete, the subsequent steps will be adversely affected, so it is necessary to completely remove the photoresist film. In particular, as the degree of integration of a semiconductor device has increased recently and the line width of a circuit of a formed semiconductor device has become thinner, the influence of a residue of a photoresist film becomes a bigger problem than in the case where the degree of integration is low. Is required to be removed.

［発明が解決しようとする課題］ フォトレジスト膜の除去には各種の方法が採用されて
おり、薬液による湿式による方法と酸素プラズマ等を使
用する乾式方法が行われている。[Problems to be Solved by the Invention] Various methods are employed for removing the photoresist film, and a wet method using a chemical solution and a dry method using oxygen plasma or the like are performed.

フォトレジスト膜の湿式による除去方法では、通常は
硫酸が使用されており、硫酸の酸化能力を高めるために
過酸化水素を混合することが行われている。In a wet removal method of a photoresist film, sulfuric acid is usually used, and hydrogen peroxide is mixed to increase the oxidizing ability of sulfuric acid.

硫酸と過酸化水素を混合した液を使用してフォトレジ
スト膜の除去を行う場合には、フォトレジスト膜の除去
を行った後に付着している硫酸などの薬液を除去し、更
に残渣を除去するために超純水で洗浄することが広く行
われている。When the photoresist film is removed using a liquid mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, a chemical solution such as sulfuric acid adhering after the removal of the photoresist film is removed, and the residue is further removed. Therefore, cleaning with ultrapure water is widely performed.

通常の湿式による有機物被膜の除去は、第６図（Ａ）
に示すように、有機物被膜21が形成されたウエハ22を複
数枚収容したウエハカセット23を硫酸と過酸化水素との
混合液のような処理液24を満たした処理槽25に所定の時
間浸漬した後に、リンス槽26において超純水中に浸漬し
て基板に付着した薬液やフォトレジスト膜の残渣の除去
を行っていた。リンス槽には各種のものがあるが、オー
バーフロー形式のものが多く使用されており、リンス槽
には超純水の供給口27と液の出口28が設けられている。The removal of the organic film by the usual wet method is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a wafer cassette 23 containing a plurality of wafers 22 on which an organic film 21 is formed is immersed for a predetermined time in a processing tank 25 filled with a processing liquid 24 such as a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Thereafter, the rinsing tank 26 was immersed in ultrapure water to remove the chemical solution and the residue of the photoresist film adhered to the substrate. Although there are various types of rinsing tanks, those of the overflow type are often used, and the rinsing tank is provided with a supply port 27 and a liquid outlet 28 of ultrapure water.

硫酸と過酸化水素水の混合液によるフォトレジスト膜
の除去は、過酸化水素が分解して発生する発生期の酸素
によるフォトレジスト膜の酸化分解作用が大きな役割を
果たしているために、この混合液の酸化能力を維持する
ためには、フォトレジスト膜の酸化分解によって消費さ
れて濃度が薄くなった硫酸および過酸化水素水を取り出
して新しい液を補充することが必要となる。The removal of the photoresist film with a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution plays a major role in the oxidative decomposition of the photoresist film by the nascent oxygen generated by the decomposition of hydrogen peroxide. In order to maintain the oxidizing ability of the photoresist film, it is necessary to take out the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution whose concentration has been reduced by the oxidative decomposition of the photoresist film and to replenish the solution.

そこで、フォトレジスト膜の除去能力が低下した廃液
の処理や液の補充の操作という作業を行わなくても同等
の効果を得るために、硫酸にオゾンを供給してフォトレ
ジスト膜の除去を行う方法が特公昭52−12063号として
提案されている。Therefore, in order to obtain the same effect without performing the operation of processing the waste liquid or the replenishment of the liquid in which the ability of removing the photoresist film is reduced, a method of removing the photoresist film by supplying ozone to sulfuric acid is used. Has been proposed as Japanese Patent Publication No. 52-12063.

しかしながら、一般のフォトレジスト膜の場合にはこ
のような硫酸中へオゾンを導入する方法によってもフォ
トレジスト膜を除去することが可能であるが、反応性イ
オンエッチングを行ったり、半導体への不純物のドーピ
ングを砒素などを高濃度にイオン注入した場合にはフォ
トレジスト膜が完全には除去されずに残渣が残る場合が
発生している。イオン注入工程等のエネルギーの高いイ
オンで処理した場合にはフォトレジスト膜はイオン注入
に使用された砒素等がフォトレジストと化学反応をして
フォトレジスト膜が酸化を受けにくい物質に変質してい
るものとみられ、その結果処理液によって酸化分解を受
けにくくなったものと考えられる。However, in the case of a general photoresist film, it is possible to remove the photoresist film by such a method of introducing ozone into sulfuric acid. However, reactive ion etching is performed or impurities in the semiconductor are removed. In the case where arsenic or the like is ion-implanted at a high concentration for doping, the photoresist film may not be completely removed and a residue may remain. When the photoresist film is treated with high-energy ions such as an ion implantation process, the arsenic used in the ion implantation chemically reacts with the photoresist, and the photoresist film is transformed into a substance that is not easily oxidized. It is considered that as a result, the treatment liquid made it less susceptible to oxidative decomposition.

また、フォトレジスト膜の処理に使用する硫酸は濃度
が高いので、フォトレジスト膜の処理液中の水の比率は
少ないが、硫酸への溶解度が極めて小さいオゾンを水の
比率の少ない硫酸中へ導入しても処理液中への溶解量は
少ないので、処理液中へオゾンを導入しても十分にオゾ
ンが利用されないことになる。したがって、硫酸中にオ
ゾンを導入してもオゾンによる酸化能力が有効に利用さ
れないことがおこる。Also, since the concentration of sulfuric acid used for processing the photoresist film is high, the ratio of water in the processing solution for the photoresist film is low, but ozone, which has a very low solubility in sulfuric acid, is introduced into sulfuric acid, which has a low water ratio. However, since the amount dissolved in the processing liquid is small, ozone is not sufficiently used even if ozone is introduced into the processing liquid. Therefore, even if ozone is introduced into sulfuric acid, the oxidation ability by ozone may not be used effectively.

［問題点を解決するための手段］ 本発明者らは、従来の方法では除去が困難である反応
性イオンエッチングや高濃度のイオン注入等のイオンに
よる処理を受けて変質したフォトレジスト膜を除去する
方法について検討し、本発明に想到した。[Means for Solving the Problems] The present inventors have removed a photoresist film that has been altered by a process using ions such as reactive ion etching and high-concentration ion implantation, which are difficult to remove by conventional methods. The present inventors have studied the method of performing the above and arrived at the present invention.

すなわち、通常の湿式によるフォトレジスト膜の除去
方法である硫酸と過酸化水素水の混合液中に浸漬してフ
ォトレジスト膜を除去した後に、超純水中にオゾンを導
入してオゾンを溶解した液によって洗浄することによ
り、オゾンの強力な酸化作用によって、通常の湿式によ
る方法では除去することができないで残渣として残って
いるイオン注入工程等の工程を経たフォトレジスト膜を
除去することが可能であることを見いだしたものであ
る。That is, after removing the photoresist film by immersing it in a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, which is a usual method of removing a photoresist film by a wet method, ozone was introduced into ultrapure water to dissolve ozone. By washing with a liquid, it is possible to remove a photoresist film that has undergone steps such as an ion implantation step that cannot be removed by a normal wet method and remains as a residue due to the strong oxidizing action of ozone. I have found something.

本発明の方法で除去することができるフォトレジスト
膜はポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジスト膜も可能
である。The photoresist film that can be removed by the method of the present invention can be either a positive type or a negative type.

オゾンによる処理は、超純水中へオゾン含有気体を供
給することによって得られる処理水によって行うが、超
純水中へのオゾンの供給は、無声放電式の発生装置から
得られる気体のオゾンに限らず、気体のオゾンをあらか
じめ超純水中に溶解させた高濃度のオゾン水や二酸化鉛
電極を陽極とし、フッ素樹脂系の陽イオン交換膜を固体
高分子電解質として使用した水の電気分解装置から得ら
れる高濃度のオゾン水を使用しても良い。The treatment with ozone is performed using treated water obtained by supplying an ozone-containing gas into ultrapure water, but the supply of ozone into ultrapure water depends on the gaseous ozone obtained from a silent discharge generator. Water electrolysis system using high-concentration ozone water or lead dioxide electrode in which gaseous ozone is dissolved in ultrapure water in advance, and using a fluorinated cation exchange membrane as a solid polymer electrolyte High-concentration ozone water obtained from the above may be used.

無声放電式のオゾン発生装置において高濃度のオゾン
を得るためには、オゾン発生装置には純酸素等の酸素濃
度の高い気体を供給することが好ましい。In order to obtain high-concentration ozone in a silent discharge type ozone generator, it is preferable to supply a gas having a high oxygen concentration such as pure oxygen to the ozone generator.

また、オゾンによる処理はオゾンが分解した際に発生
する発生期の酸素の強力な酸化作用によってフォトレジ
スト膜を酸化分解しているので、オゾンの酸化分解を促
進するために、オゾンによる処理槽中の超純水の温度を
高めてオゾンを注入することにより処理を促進すること
が可能である。この場合には、オゾン処理槽の温度は40
℃ないし100℃の範囲とすることが好ましい。Also, in the treatment with ozone, the photoresist film is oxidatively decomposed by a strong oxidizing effect of nascent oxygen generated when ozone is decomposed. It is possible to accelerate the treatment by increasing the temperature of ultrapure water and injecting ozone. In this case, the temperature of the ozone treatment tank is 40
The temperature is preferably in the range of 100 ° C to 100 ° C.

オゾン処理槽中に供給するオゾン含有気体の濃度は、
高濃度になるほど洗浄効果が大きい。オゾンの超純水中
への導入部には、微細な穴を多数有するガラスフィルタ
ー等から噴出させて、微細な気泡を形成して超純水との
接触を高めることによって、オゾン含有気体の超純水中
への溶解を促進することにより、オゾンによる処理を促
進することが可能である。The concentration of the ozone-containing gas supplied into the ozone treatment tank is:
The higher the concentration, the greater the cleaning effect. The introduction part of ozone into ultrapure water is blown out from a glass filter or the like that has many fine holes to form fine bubbles and enhance contact with the ultrapure water, so that the ozone-containing gas By promoting dissolution in pure water, treatment with ozone can be promoted.

また、オゾンはきわめて大きな酸化力を有し、人体等
にも悪影響を及ぼすので、オゾン処理槽には、排出され
るオゾンを分解するオゾン分解装置を設けてオゾンを酸
素に分解する必要がある。In addition, since ozone has an extremely large oxidizing power and adversely affects the human body and the like, it is necessary to provide an ozone decomposing device for decomposing ozone discharged in the ozone treatment tank to decompose ozone into oxygen.

［作用］ 本発明は、有機物被膜の湿式による除去方法におい
て、硫酸と過酸化水素水によって処理をした後にオゾン
を含む超純水によって処理するもので、硫酸と過酸化水
素水の混合液によっては完全には除去できなかった砒素
などをイオン注入した有機物被膜であっても完全に除去
することができる。[Action] In the present invention, in a method for removing an organic substance film by a wet method, the organic film is treated with sulfuric acid and hydrogen peroxide solution and then treated with ultrapure water containing ozone, and depending on the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution. Even an organic film into which arsenic or the like that cannot be completely removed is ion-implanted can be completely removed.

［実施例］ 以下に図面を参照しつつ本発明の実施例について説明
する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第１図は本発明の除去方法に使用する装置を示す図面
であるが、第１図（Ａ）に示すようにフォトレジスト膜
１が形成された基板２を複数枚収容したカセット３を硫
酸と過酸化水素水との混合液のような処理液を満たした
湿式処理槽４に所定の時間浸漬して湿式によってフォト
レジストの除去の処理をした後に、カセットを第１図
（Ｂ）で示すオゾン処理槽５に浸漬して処理をするもの
である。オゾン処理槽には超純水の供給管６とオゾン発
生装置７で発生するオゾンを供給するオゾン供給管８、
および液の排出管９が設けられている。また、オゾン処
理槽内の液温はヒータ10と温度調整装置11によって所望
の温度に調整することが行われる。FIG. 1 is a drawing showing an apparatus used for the removal method of the present invention. As shown in FIG. 1 (A), a cassette 3 containing a plurality of substrates 2 on which a photoresist film 1 is formed is replaced with sulfuric acid. After immersing in a wet processing tank 4 filled with a processing liquid such as a mixed solution with hydrogen peroxide for a predetermined time to remove the photoresist by a wet method, the cassette is placed in the ozone shown in FIG. 1 (B). The treatment is performed by immersing in the treatment tank 5. An ozone supply pipe 8 for supplying ozone generated by an ultrapure water supply pipe 6 and an ozone generator 7 to the ozone treatment tank,
And a liquid discharge pipe 9. The temperature of the liquid in the ozone treatment tank is adjusted to a desired temperature by the heater 10 and the temperature adjusting device 11.

オゾン処理槽から、オソンが排出されて作業環境を悪
化することを防止するために、オゾン分解装置12を設け
て、オゾンの環境中への排出を防止する。In order to prevent ozone from being discharged from the ozone treatment tank and deteriorating the working environment, an ozone decomposer 12 is provided to prevent ozone from being discharged into the environment.

実施例１ 直径６インチのシリコンのウエハー上にポジ型フォト
レジスト（東京応化工業（株）製OFPR−800）を1.5μｍ
を塗布し、露光、現像を行った後、砒素の注入濃度を１
×10¹⁵/cm²ないし３×10¹⁵/cm²の濃度でイオン注入を行
ったものを、濃度90％の硫酸と濃度35％の過酸化水素水
とを４対１の割合で混合した処理液に５分間浸漬した後
に、超純水中に供給するオゾン含有気体の濃度を変え
て、室温にて５分間浸漬処理をした後に超純水の流水中
において５分間リンス処理をした。Example 1 A positive photoresist (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was 1.5 μm thick on a silicon wafer having a diameter of 6 inches.
, And after exposure and development, the arsenic implantation concentration is set to 1
A process in which ion implantation at a concentration of × 10 ¹⁵ / cm ² to 3 × 10 ¹⁵ / cm ² is performed by mixing 90% sulfuric acid and 35% hydrogen peroxide in a ratio of 4: 1. After immersion in the liquid for 5 minutes, the concentration of the ozone-containing gas supplied into the ultrapure water was changed, and immersion treatment was performed at room temperature for 5 minutes, followed by rinsing in running ultrapure water for 5 minutes.

フォトレジスト膜の除去はウエハ面から一様に行われ
るのではなく、フォトレジスト面に形成されているパタ
ーンによっても影響を受けるので、本発明者らはフォト
レジスト膜の除去の評価方法について検討し、次のよう
な方法によって評価を行った。Since the removal of the photoresist film is not performed uniformly from the wafer surface but is also affected by the pattern formed on the photoresist surface, the present inventors have studied a method for evaluating the removal of the photoresist film. The evaluation was performed by the following method.

パターンの形状や線幅、面積等によって剥離のされ方
が異なり、線幅、面積の大きい部分ほど剥離しにくいた
め、パターンを識別記号等が描かれた部分、パッド部、
リード部、配線部と剥離しにくい順に４つの部分に分け
て観察し、配線部は更に配線の上面と配線の周囲に分け
て観察を行った。The method of peeling depends on the shape, line width, area, etc. of the pattern, and the larger the line width, the larger the area, the more difficult it is to peel off.
The lead portion and the wiring portion were observed while being divided into four portions in the order of difficulty in peeling, and the wiring portion was further observed on the upper surface of the wiring and the periphery of the wiring.

その結果を第２図に、完全に剥離したものを○、少し
残るものを△、全く除去できなかったものを×で表すと
共に、完全な除去が行われた場合を100として数値でも
比較した。The results are shown in FIG. 2 in which the completely peeled sample is represented by 剥離, the slightly remaining sample is indicated by △, and the sample that could not be removed at all is indicated by ×.

実施例２ オゾン処理槽に供給するオゾン含有気体に代えてあら
かじめオゾンを溶存させた超純水を用いて実施例１と同
様にして処理を行い、実施例１と同様の方法で評価した
結果を第３図に示す。Example 2 In place of the ozone-containing gas supplied to the ozone treatment tank, the treatment was performed in the same manner as in Example 1 using ultrapure water in which ozone was dissolved in advance, and the results evaluated by the same method as in Example 1 were obtained. As shown in FIG.

実施例３ オゾン処理槽中の超純水の液温を変化させて、オゾン
含有気体を注入した点を除いて実施例１と同様の方法で
処理を行った結果を第４図に示す。Example 3 FIG. 4 shows the result of performing the treatment in the same manner as in Example 1 except that the liquid temperature of the ultrapure water in the ozone treatment tank was changed and the ozone-containing gas was injected.

比較例１ 硫酸と過酸化水素水の混合液による処理のみでオゾン
による処理を行わなかった場合についてのフォトレジス
トの除去の状態を実施例１と同様の方法で評価した結果
を第５図に示す。Comparative Example 1 FIG. 5 shows the result of evaluating the state of removal of the photoresist by the same method as in Example 1 in the case where only the treatment with the mixed solution of sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution was performed and the treatment with ozone was not performed. .

［発明の効果］ 本発明の方法により、フォトレジスト膜の通常の湿式
処理である硫酸と過酸化水素水による処理では除去する
ことが困難であった高濃度のイオン注入処理や反応性イ
オンエッチング等のイオンによる処理で変質したフォト
レジスト膜の完全な除去が可能となるので、製造工程の
短縮やの半導体装置の製造における不良品率を低下させ
ることができる。[Effects of the Invention] According to the method of the present invention, high-concentration ion implantation, reactive ion etching, and the like, which are difficult to remove by a conventional wet treatment of a photoresist film with sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, are difficult. It is possible to completely remove the photoresist film that has been deteriorated by the treatment with the ions, so that the manufacturing process can be shortened and the reject rate in the manufacture of semiconductor devices can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第１図（Ａ）および（Ｂ）は本発明の有機物被膜の除去
方法に使用する装置を示す図、第２図は、イオン注入し
たフォトレジストの本発明の方法によって除去した場合
のイオン注入量と除去の程度を示す説明図、第３図はオ
ゾン水をオゾン処理槽に供給した場合のイオン注入量と
フォトレジスト膜の除去の関係を示す説明図、第４図は
オゾン処理槽の液温とフォトレジスト膜の除去の関係を
示す説明図、第５図は硫酸と過酸化水素水による湿式処
理のみの場合のイオン注入量とフォトレジスト膜の除去
の関係を示す説明図、第６図（Ａ）および（Ｂ）は従来
の湿式処理方法に使用する装置を示す図である。 １……フォトレジスト膜、２……基板、３……カセッ
ト、４……湿式処理槽、５……オゾン処理槽、６……超
純水の供給管、７……オゾン発生装置、８……オゾン供
給管、９……液の排出管、10……ヒータ、11……温度調
整装置、12……オゾン分解装置、21……有機物被膜、22
……ウエハ、23……ウエハカセット、24……処理液、25
……処理槽、26……リンス槽、27……供給口、28……液
出口1 (A) and 1 (B) are views showing an apparatus used for the method of removing an organic film according to the present invention, and FIG. 2 is an ion implantation amount when ion-implanted photoresist is removed by the method of the present invention. FIG. 3 is an explanatory diagram showing the relationship between the ion implantation amount and the removal of the photoresist film when ozone water is supplied to the ozone processing tank, and FIG. 4 is a liquid temperature of the ozone processing tank. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the relationship between the ion implantation amount and the removal of the photoresist film in the case of only wet processing using sulfuric acid and hydrogen peroxide, and FIG. (A) and (B) are views showing an apparatus used for a conventional wet processing method. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photoresist film, 2 ... Substrate, 3 ... Cassette, 4 ... Wet processing tank, 5 ... Ozone processing tank, 6 ... Ultrapure water supply pipe, 7 ... Ozone generator, 8 ... ... ozone supply pipe, 9 ... liquid discharge pipe, 10 ... heater, 11 ... temperature controller, 12 ... ozone decomposer, 21 ... organic film, 22
…… Wafer, 23 …… Wafer cassette, 24 …… Treatment liquid, 25
…… Treatment tank, 26… Rinse tank, 27 …… Supply port, 28 …… Liquid outlet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−189921（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−76754（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−4269（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−97022（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−132126（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−8630（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/42 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-1-189921 (JP, A) JP-A-53-76754 (JP, A) JP-A-2-4269 (JP, A) JP-A-2- 97022 (JP, A) JP-A-1-132126 (JP, A) JP-A-64-8630 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027 G03F 7 / 42

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】イオンエッチング、イオン注入処理を受け
た有機物被膜を基板から除去する方法において、有機物
被膜を硫酸と過酸化水素水からなる処理液中に浸漬して
処理をした後に、超純水中に濃度41700ppm以上のオゾン
を導入したオゾン処理槽、またはオゾン水濃度21.8ppm
以上のオゾン処理槽中に浸漬して処理することを特徴と
する有機物被膜の除去方法。In a method of removing an organic film subjected to ion etching and ion implantation from a substrate, the organic film is immersed in a treatment solution comprising sulfuric acid and hydrogen peroxide, treated, and then treated with ultrapure water. Ozone treatment tank into which ozone with a concentration of 41700ppm or more is introduced, or ozone water concentration of 21.8ppm
A method for removing an organic material film, comprising immersing in an ozone treatment tank for treatment.