JP3093184B2 - 成膜方法及び装置 - Google Patents
成膜方法及び装置Info
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造プロセス技術に関し、特に、有機金属を主成分と
して含有する液体（有機金属含有液体）を用いて成膜を
行う技術に関する。
の製造プロセス技術に関し、特に、有機金属を主成分と
して含有する液体（有機金属含有液体）を用いて成膜を
行う技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化、微細
化は急速な進展をみせており、現在のサブハーフミクロ
ンからサブクォータミクロンへと着実に移行しようとし
ている。このような次世代の半導体デバイスの開発にお
いては、成膜プロセスが極めて重要となる。
化は急速な進展をみせており、現在のサブハーフミクロ
ンからサブクォータミクロンへと着実に移行しようとし
ている。このような次世代の半導体デバイスの開発にお
いては、成膜プロセスが極めて重要となる。
【０００３】また、半導体デバイスの高集積化、微細化
の要請に対応し、配線材料をアルミニウム系から銅系に
転換することが考えられている。現在においても、例え
ば（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）のような有機金属
（常温、常圧下では液状）をを気化して処理チャンバに
導入し、当該処理チャンバ内で保持された基板上で熱分
解反応させながら成膜を行うというＭＯＣＶＤ（有機金
属化学気相成長）法が実用化されている。
の要請に対応し、配線材料をアルミニウム系から銅系に
転換することが考えられている。現在においても、例え
ば（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）のような有機金属
（常温、常圧下では液状）をを気化して処理チャンバに
導入し、当該処理チャンバ内で保持された基板上で熱分
解反応させながら成膜を行うというＭＯＣＶＤ（有機金
属化学気相成長）法が実用化されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＯＣ
ＶＤ法は、ステップカバレッジに優れた方法であり、超
薄膜を形成する場合には非常に有効である。しかしなが
ら、ＭＯＣＶＤ法では、処理チャンバ内で気化した有機
金属は排出ポンプの駆動によってチャンバ外部に排出さ
れるため、有機金属の使用効率が極めて悪いという問題
があった。また、チャンバ外部に排出されない有機金属
に関しても、気体であるため被処理体の所望の場所に膜
を形成しにくいという問題もあった。特に、有機金属と
して上述の（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）のような高
価な材料を用いた場合は、有機金属の使用効率が低い
と、大幅なコストアップを招くことになる。
ＶＤ法は、ステップカバレッジに優れた方法であり、超
薄膜を形成する場合には非常に有効である。しかしなが
ら、ＭＯＣＶＤ法では、処理チャンバ内で気化した有機
金属は排出ポンプの駆動によってチャンバ外部に排出さ
れるため、有機金属の使用効率が極めて悪いという問題
があった。また、チャンバ外部に排出されない有機金属
に関しても、気体であるため被処理体の所望の場所に膜
を形成しにくいという問題もあった。特に、有機金属と
して上述の（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）のような高
価な材料を用いた場合は、有機金属の使用効率が低い
と、大幅なコストアップを招くことになる。
【０００５】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、有機金属含有液体を用いる成膜方
法及び装置において、有機金属含有液体の使用効率が高
く、かつ、被処理体へ的確に有機金属含有液体を塗布で
きるものを提供することにある。
であり、その目的は、有機金属含有液体を用いる成膜方
法及び装置において、有機金属含有液体の使用効率が高
く、かつ、被処理体へ的確に有機金属含有液体を塗布で
きるものを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、有機金属含有液体は液状であっても
加熱することにより熱分解反応を生じ成膜が可能、すな
わち、有機金属含有液体を気化させずに成膜が可能であ
るという知見に基づき、本発明を創案した。
に、本発明者らは、有機金属含有液体は液状であっても
加熱することにより熱分解反応を生じ成膜が可能、すな
わち、有機金属含有液体を気化させずに成膜が可能であ
るという知見に基づき、本発明を創案した。
【０００７】ここで、基板を加熱しながら有機金属含有
液体を塗布することも考えられるが、この場合は、有機
金属含有液体が気化する可能性が高いため、有機金属の
使用効率の向上および有機金属含有液体の被処理体への
的確な塗布を図ることは困難である。
液体を塗布することも考えられるが、この場合は、有機
金属含有液体が気化する可能性が高いため、有機金属の
使用効率の向上および有機金属含有液体の被処理体への
的確な塗布を図ることは困難である。
【０００８】そこで、本発明は、熱分解反応により成膜
材料を析出する有機金属を主成分とした有機金属含有液
体を用意する第１ステップと、有機金属の未反応領域の
温度において、被処理体上に有機金属含有液体を塗布す
る第２ステップと、第２ステップの後、被処理体を所定
温度に加熱し、被処理体上に塗布された有機金属含有液
体中の有機金属を熱分解反応させ膜を被処理体上に形成
する第３ステップと、を含む成膜方法であって、第２ス
テップにおける有機金属含有液体の被処理体への塗布
は、有機金属含有液体を含んだ塗布液含有体を被処理体
に接触させることにより行われることを特徴としてい
る。
材料を析出する有機金属を主成分とした有機金属含有液
体を用意する第１ステップと、有機金属の未反応領域の
温度において、被処理体上に有機金属含有液体を塗布す
る第２ステップと、第２ステップの後、被処理体を所定
温度に加熱し、被処理体上に塗布された有機金属含有液
体中の有機金属を熱分解反応させ膜を被処理体上に形成
する第３ステップと、を含む成膜方法であって、第２ス
テップにおける有機金属含有液体の被処理体への塗布
は、有機金属含有液体を含んだ塗布液含有体を被処理体
に接触させることにより行われることを特徴としてい
る。
【０００９】この方法では、有機金属の未反応領域の温
度において被処理体上に有機金属含有液体を塗布した
後、被処理体を所定温度に加熱することによって被処理
体上に膜が形成される。特に、本発明では、有機金属の
未反応領域の温度において被処理体上に有機金属含有液
体が塗布されるため、有機金属含有液体は気化しない。
しかも、有機金属含有液体の被処理体への塗布は、有機
金属含有液体を含んだ塗布液含有体を被処理体に接触さ
せることにより行われるため、有機金属含有液体に無駄
が生じず、有機金属の使用効率が向上されるとともに、
有機金属含有液体の被処理体への塗布が的確に行われ
る。
度において被処理体上に有機金属含有液体を塗布した
後、被処理体を所定温度に加熱することによって被処理
体上に膜が形成される。特に、本発明では、有機金属の
未反応領域の温度において被処理体上に有機金属含有液
体が塗布されるため、有機金属含有液体は気化しない。
しかも、有機金属含有液体の被処理体への塗布は、有機
金属含有液体を含んだ塗布液含有体を被処理体に接触さ
せることにより行われるため、有機金属含有液体に無駄
が生じず、有機金属の使用効率が向上されるとともに、
有機金属含有液体の被処理体への塗布が的確に行われ
る。
【００１０】ここで、有機金属含有液体中の有機金属
は、銅の金属錯体である（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｍｖ
ｓ）又は（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｅｏｖｓ）であり、
この錯体のみから成るものであっても、この錯体とその
溶剤とを混合した液体から成るものであってもよい。な
お、本明細書において、「混合した液体」と表現したの
は、有機金属が溶剤に完全に溶け込んだ場合の他、一部
がサスペンションの状態となっている場合もあるからで
ある。また、「塗布液含有体」とは、有機金属含有液体
を吸収したスポンジは刷毛のようなものや、その表面に
有機金属含有液体が塗布されたもの等を意味する。ま
た、本発明は、第３ステップにおいて、前記被処理体を
加熱して熱分解反応を行う処理チャンバ内の圧力を、有
機金属含有液体の自然蒸発を抑制すべく大気圧よりも高
い圧力とすることを特徴としている。
は、銅の金属錯体である（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｍｖ
ｓ）又は（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｅｏｖｓ）であり、
この錯体のみから成るものであっても、この錯体とその
溶剤とを混合した液体から成るものであってもよい。な
お、本明細書において、「混合した液体」と表現したの
は、有機金属が溶剤に完全に溶け込んだ場合の他、一部
がサスペンションの状態となっている場合もあるからで
ある。また、「塗布液含有体」とは、有機金属含有液体
を吸収したスポンジは刷毛のようなものや、その表面に
有機金属含有液体が塗布されたもの等を意味する。ま
た、本発明は、第３ステップにおいて、前記被処理体を
加熱して熱分解反応を行う処理チャンバ内の圧力を、有
機金属含有液体の自然蒸発を抑制すべく大気圧よりも高
い圧力とすることを特徴としている。
【００１１】また、被処理体が基板であるとき、当該基
板に有機金属含有液体を塗布するに際して、基板の外周
部をマスクで覆うことが望ましい。
板に有機金属含有液体を塗布するに際して、基板の外周
部をマスクで覆うことが望ましい。
【００１２】この場合、有機金属含有液体の塗布が不要
な基板の外周部（ベベル部）への塗布が防止される。
な基板の外周部（ベベル部）への塗布が防止される。
【００１３】また、上記方法を実施するための成膜装置
としては、（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｍｖｓ）及び（ｈ
ｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｅｏｖｓ）からなる群から選択さ
れた有機金属を主成分とした有機金属含有液体を供給す
る供給手段と、供給手段から供給された有機金属含有液
体を被処理体上に塗布する塗布手段と、塗布手段により
有機金属含有液体が塗布された被処理体を所定温度に加
熱する加熱手段と、加熱手段が設けられている処理チャ
ンバ内に配置された被処理体に塗布された有機金属含有
液体の自然蒸発を抑制すべく、処理チャンバ内の圧力を
大気圧よりも高い所定の圧力とするための不活性ガス供
給源と、を備える成膜装置であって、塗布手段は、有機
金属含有液体を含有可能であるとともに被処理体に対し
て接離可能な塗布液含有体を具備するものが好適であ
る。
としては、（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｍｖｓ）及び（ｈ
ｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｅｏｖｓ）からなる群から選択さ
れた有機金属を主成分とした有機金属含有液体を供給す
る供給手段と、供給手段から供給された有機金属含有液
体を被処理体上に塗布する塗布手段と、塗布手段により
有機金属含有液体が塗布された被処理体を所定温度に加
熱する加熱手段と、加熱手段が設けられている処理チャ
ンバ内に配置された被処理体に塗布された有機金属含有
液体の自然蒸発を抑制すべく、処理チャンバ内の圧力を
大気圧よりも高い所定の圧力とするための不活性ガス供
給源と、を備える成膜装置であって、塗布手段は、有機
金属含有液体を含有可能であるとともに被処理体に対し
て接離可能な塗布液含有体を具備するものが好適であ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る複数の好適な実施形態について詳細に説明する。な
お、全図を通し、同一又は相当部分には同一符号を付
し、繰り返しとなる説明は省略する。また、以下の実施
形態では、膜原料として有機金属であって銅のケトナト
系金属錯体の一つである（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖ
ｓ）を用い、半導体基板の表面に銅の薄膜を形成する場
合を想定している。（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）の
構造式は下の通りであり、常温、常圧の環境では液状と
なっている。また、（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）は
粘性が低く、そのままでも以下で述べる本発明の成膜方
法に適用可能であるが、以下の実施形態では、取扱性等
を考慮して、脂肪族飽和炭化水素の一つであるヘプタデ
カンを有機溶剤として混合させている。以下、この（ｈ
ｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）を含む有機金属含有液体を
「成膜液」と称することとする。
る複数の好適な実施形態について詳細に説明する。な
お、全図を通し、同一又は相当部分には同一符号を付
し、繰り返しとなる説明は省略する。また、以下の実施
形態では、膜原料として有機金属であって銅のケトナト
系金属錯体の一つである（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖ
ｓ）を用い、半導体基板の表面に銅の薄膜を形成する場
合を想定している。（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）の
構造式は下の通りであり、常温、常圧の環境では液状と
なっている。また、（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）は
粘性が低く、そのままでも以下で述べる本発明の成膜方
法に適用可能であるが、以下の実施形態では、取扱性等
を考慮して、脂肪族飽和炭化水素の一つであるヘプタデ
カンを有機溶剤として混合させている。以下、この（ｈ
ｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）を含む有機金属含有液体を
「成膜液」と称することとする。
【００１５】
【化１】
【００１６】図１は、本実施形態に係る成膜装置を示し
ている。図示の成膜装置１０は、成膜液を被処理体であ
る半導体基板Ｗに塗布する処理が行われる第１の処理チ
ャンバ１２と、基板Ｗ上の有機金属すなわち（ｈｆａ
ｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）を熱分解する処理が行われる第
２の処理チャンバ１４とを備えている。
ている。図示の成膜装置１０は、成膜液を被処理体であ
る半導体基板Ｗに塗布する処理が行われる第１の処理チ
ャンバ１２と、基板Ｗ上の有機金属すなわち（ｈｆａ
ｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）を熱分解する処理が行われる第
２の処理チャンバ１４とを備えている。
【００１７】第１の処理チャンバ１２と第２の処理チャ
ンバ１４との間はトランスファチャンバ１６により連通
されており、適当な搬送手段（図示せず）により基板Ｗ
を処理チャンバ１２，１４間で受け渡すことが可能とな
っている。図中、符号１８，２０は、処理チャンバ１
２，１４とトランスファチャンバ１６との間を開閉する
スリットバルブである。
ンバ１４との間はトランスファチャンバ１６により連通
されており、適当な搬送手段（図示せず）により基板Ｗ
を処理チャンバ１２，１４間で受け渡すことが可能とな
っている。図中、符号１８，２０は、処理チャンバ１
２，１４とトランスファチャンバ１６との間を開閉する
スリットバルブである。
【００１８】第１の処理チャンバ１２内には、半導体基
板Ｗを支持するためのターンテーブル２２が配置されて
いる。このターンテーブル２２は、その上面に基板Ｗが
水平に載置され、図示しない真空チャック等の適当な固
定手段により固定されるようになっている。図示のター
ンテーブル２２の直径は基板Ｗの直径よりも小さいが、
これは、基板Ｗよりもターンテーブル２２が大きい場
合、成膜液が基板Ｗのみならずターンテーブル２２の露
出部分に付着し、次続の基板Ｗに対して悪影響を与える
からである。また、ターンテーブル２２は、第１の処理
チャンバ１２の外部に配置された駆動モータ２４により
比較的高速で回転されるよう構成されている。
板Ｗを支持するためのターンテーブル２２が配置されて
いる。このターンテーブル２２は、その上面に基板Ｗが
水平に載置され、図示しない真空チャック等の適当な固
定手段により固定されるようになっている。図示のター
ンテーブル２２の直径は基板Ｗの直径よりも小さいが、
これは、基板Ｗよりもターンテーブル２２が大きい場
合、成膜液が基板Ｗのみならずターンテーブル２２の露
出部分に付着し、次続の基板Ｗに対して悪影響を与える
からである。また、ターンテーブル２２は、第１の処理
チャンバ１２の外部に配置された駆動モータ２４により
比較的高速で回転されるよう構成されている。
【００１９】第１の処理チャンバ１２には、更に、成膜
液を基板Ｗの表面に塗布するための塗布装置（塗布手
段）１２６が設けられている。塗布装置１２６は、第１
の処理チャンバ１２の外部に配置された成膜液の供給系
（供給手段）２８からの成膜液が導入される供給用配管
３０と、この供給用配管３０の上端部から水平方向に延
びる配管３２と、成膜液塗布ユニット１２７と、を備え
ている。供給系２８は、（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖ
ｓ）の供給源３４と、ヘプタデカンの供給源３６と、こ
れらの供給源３４，３６からの液体を混合して成膜液と
する混合装置３８と、を主たる構成要素としている。
液を基板Ｗの表面に塗布するための塗布装置（塗布手
段）１２６が設けられている。塗布装置１２６は、第１
の処理チャンバ１２の外部に配置された成膜液の供給系
（供給手段）２８からの成膜液が導入される供給用配管
３０と、この供給用配管３０の上端部から水平方向に延
びる配管３２と、成膜液塗布ユニット１２７と、を備え
ている。供給系２８は、（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖ
ｓ）の供給源３４と、ヘプタデカンの供給源３６と、こ
れらの供給源３４，３６からの液体を混合して成膜液と
する混合装置３８と、を主たる構成要素としている。
【００２０】図２は、成膜液塗布ユニット１２７の拡大
斜視図である。この塗布ユニット１２７は、ターンテー
ブル２２の上方に配置されたスポンジ状のローラパッド
（塗布液含有体）１００を備えている。ローラパッド１
００は、その回転軸線が水平となるようにして、支持部
材１０２により両端が回転可能に支持されている。この
支持部材１０２は、処理チャンバ１２の天井部に設けら
れた駆動装置１０４により上下動可能となっており、タ
ーンテーブル２２により支持された基板Ｗに対して当接
及び離間を行うことができる。更に、支持部材１０２は
水平方向にも往復動可能となっている。
斜視図である。この塗布ユニット１２７は、ターンテー
ブル２２の上方に配置されたスポンジ状のローラパッド
（塗布液含有体）１００を備えている。ローラパッド１
００は、その回転軸線が水平となるようにして、支持部
材１０２により両端が回転可能に支持されている。この
支持部材１０２は、処理チャンバ１２の天井部に設けら
れた駆動装置１０４により上下動可能となっており、タ
ーンテーブル２２により支持された基板Ｗに対して当接
及び離間を行うことができる。更に、支持部材１０２は
水平方向にも往復動可能となっている。
【００２１】また、支持部材１０２には、成膜液を吐出
してローラパッド１００に含浸させるための吐出管１０
６が取り付けられている。この吐出管１０６の先端は、
ローラパッド１００の上方位置で、ローラパッド１００
のほぼ全長に沿って水平に延びており、この水平部分１
０７には吐出口が多数形成されている。従って、成膜液
をその供給系から吐出管１０６，１０７の吐出口を通し
て流下させると、ローラパッド１００に成膜液をほぼ均
一に含浸させることができる。
してローラパッド１００に含浸させるための吐出管１０
６が取り付けられている。この吐出管１０６の先端は、
ローラパッド１００の上方位置で、ローラパッド１００
のほぼ全長に沿って水平に延びており、この水平部分１
０７には吐出口が多数形成されている。従って、成膜液
をその供給系から吐出管１０６，１０７の吐出口を通し
て流下させると、ローラパッド１００に成膜液をほぼ均
一に含浸させることができる。
【００２２】一方、図１に示すように、第２の処理チャ
ンバ１４内にも、基板Ｗを回転可能に支持するためのタ
ーンテーブル４８が配置されている。このターンテーブ
ル４８は基本的には第１の処理チャンバ１２におけるタ
ーンテーブル２２と同様な機構であり、駆動モータ５０
により回転され、真空チャック等の適当な手段で基板Ｗ
を固定することができる。しかしながら、ターンテーブ
ル４８は、第１の処理チャンバ１２におけるターンテー
ブル２２よりも低速で回転される。また、ターンテーブ
ル４８の直径は基板Ｗの直径よりも大きくされている。
このような違いは、第２の処理チャンバ１２では、基板
Ｗの表面で有機金属を熱分解反応させるので、その反応
を均一に行うため等の理由による。
ンバ１４内にも、基板Ｗを回転可能に支持するためのタ
ーンテーブル４８が配置されている。このターンテーブ
ル４８は基本的には第１の処理チャンバ１２におけるタ
ーンテーブル２２と同様な機構であり、駆動モータ５０
により回転され、真空チャック等の適当な手段で基板Ｗ
を固定することができる。しかしながら、ターンテーブ
ル４８は、第１の処理チャンバ１２におけるターンテー
ブル２２よりも低速で回転される。また、ターンテーブ
ル４８の直径は基板Ｗの直径よりも大きくされている。
このような違いは、第２の処理チャンバ１２では、基板
Ｗの表面で有機金属を熱分解反応させるので、その反応
を均一に行うため等の理由による。
【００２３】ターンテーブル４８の上方には、ハロゲン
ランプ等の加熱用ランプ５２が石英ガラス板５４を介し
て多数配置されており、これにより、ターンテーブル４
８上で支持された基板Ｗの表面が加熱される。温度制御
は、ターンテーブル４８に取り付けられた熱電対或いは
処理チャンバ１４の天井部に配置されたパイロメータの
ような温度計（図示せず）の出力信号に基づき、マイク
ロコンピュータ等から成る制御装置５６が加熱用ランプ
５２のオンオフや入力電力を調整して行う。
ランプ等の加熱用ランプ５２が石英ガラス板５４を介し
て多数配置されており、これにより、ターンテーブル４
８上で支持された基板Ｗの表面が加熱される。温度制御
は、ターンテーブル４８に取り付けられた熱電対或いは
処理チャンバ１４の天井部に配置されたパイロメータの
ような温度計（図示せず）の出力信号に基づき、マイク
ロコンピュータ等から成る制御装置５６が加熱用ランプ
５２のオンオフや入力電力を調整して行う。
【００２４】なお、図１において、符号５８は、窒素ガ
ス等の不活性ガスの供給源５８であり、第１及び第２の
処理チャンバ１２，１４のそれぞれに不活性ガスを供給
するようになっている。不活性ガス供給源５８からの配
管にはそれぞれ、供給流量を調整するための流量調整弁
６０，６２が配置されている。また、符号６４，６６は
排気ポンプであり、処理チャンバ１２，１４内の大気を
排出するために用いられる。この排気ポンプ６４，６６
及び流量調整弁６０，６２は前述の制御装置５６により
制御される。制御装置５６は、第１実施形態では、更に
ターンテーブル２２，４８の駆動モータ２４，５０、ノ
ズル３２の揺動用のアクチュエータ４０、成膜液の供給
系２８における開閉弁６８，７０，７２や混合装置３
８、質量流量調整装置７４，７６も制御するようになっ
ている。
ス等の不活性ガスの供給源５８であり、第１及び第２の
処理チャンバ１２，１４のそれぞれに不活性ガスを供給
するようになっている。不活性ガス供給源５８からの配
管にはそれぞれ、供給流量を調整するための流量調整弁
６０，６２が配置されている。また、符号６４，６６は
排気ポンプであり、処理チャンバ１２，１４内の大気を
排出するために用いられる。この排気ポンプ６４，６６
及び流量調整弁６０，６２は前述の制御装置５６により
制御される。制御装置５６は、第１実施形態では、更に
ターンテーブル２２，４８の駆動モータ２４，５０、ノ
ズル３２の揺動用のアクチュエータ４０、成膜液の供給
系２８における開閉弁６８，７０，７２や混合装置３
８、質量流量調整装置７４，７６も制御するようになっ
ている。
【００２５】次に、上記構成の成膜装置１０を用いて銅
の成膜を行う工程について説明する。なお、特に述べな
いが、以下の工程は制御装置５６の管理化において自動
的に行われる。
の成膜を行う工程について説明する。なお、特に述べな
いが、以下の工程は制御装置５６の管理化において自動
的に行われる。
【００２６】まず、第１の処理チャンバ１２内に基板Ｗ
を搬入して、ターンテーブル２２の上面の所定位置に基
板Ｗを配置し固定する。この際、基板Ｗ表面の酸化やそ
の他の反応を防止するために、排気ポンプ６４を駆動す
ると共に、不活性ガス供給源５８から窒素ガス等の不活
性ガスを供給し、第１の処理チャンバ１２内を不活性ガ
ス雰囲気にしておくことが好ましい。
を搬入して、ターンテーブル２２の上面の所定位置に基
板Ｗを配置し固定する。この際、基板Ｗ表面の酸化やそ
の他の反応を防止するために、排気ポンプ６４を駆動す
ると共に、不活性ガス供給源５８から窒素ガス等の不活
性ガスを供給し、第１の処理チャンバ１２内を不活性ガ
ス雰囲気にしておくことが好ましい。
【００２７】次いで、成膜液を成膜液を成膜液供給系２
８から吐出管１０６，１０７を通して連続的に或いは間
欠的にローラパッド１００に向けて吐出させると共に、
駆動装置１０４を制御してローラパッド１００を下降さ
せて基板Ｗに接触させ、水平方向にローラパッド１００
を往復動させる。これと同時にターンテーブル２２を比
較的低速で回転させると、ローラパッド２２と接してい
る部分に成膜液が塗布され、ターンテーブル２２の回転
とローラパッド１００の往復動とを適宜制御すること
で、基板Ｗの表面全体に均一に成膜液を塗布することが
できる。この場合、ローラパッド１００が接した部分の
みに塗布が行われるため、無駄な成膜液が生ぜす、液だ
れも大幅に抑制され、基板Ｗの表面全域にわたり成膜液
が均一な膜厚で且つ均質に塗布される。このため、有機
金属の使用効率が向上するとともに、成膜液の基板Ｗへ
の塗布が確実に行われる。特に、本実施形態で成膜液と
して用いた（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）は高価な材
料であるため、この材料の使用効率が向上すれば、大幅
なコスト削減を図ることができる。
８から吐出管１０６，１０７を通して連続的に或いは間
欠的にローラパッド１００に向けて吐出させると共に、
駆動装置１０４を制御してローラパッド１００を下降さ
せて基板Ｗに接触させ、水平方向にローラパッド１００
を往復動させる。これと同時にターンテーブル２２を比
較的低速で回転させると、ローラパッド２２と接してい
る部分に成膜液が塗布され、ターンテーブル２２の回転
とローラパッド１００の往復動とを適宜制御すること
で、基板Ｗの表面全体に均一に成膜液を塗布することが
できる。この場合、ローラパッド１００が接した部分の
みに塗布が行われるため、無駄な成膜液が生ぜす、液だ
れも大幅に抑制され、基板Ｗの表面全域にわたり成膜液
が均一な膜厚で且つ均質に塗布される。このため、有機
金属の使用効率が向上するとともに、成膜液の基板Ｗへ
の塗布が確実に行われる。特に、本実施形態で成膜液と
して用いた（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）は高価な材
料であるため、この材料の使用効率が向上すれば、大幅
なコスト削減を図ることができる。
【００２８】この間、第１の処理チャンバ１２の内部圧
力を大気圧よりも高く設定してある場合、ガス圧の押込
み効果により、カバレッジが改善され、埋込みを行う場
合には基板Ｗ表面に形成されている溝やコンタクトホー
ル等のホールに成膜液が確実に充填され、ボイドの発生
等の不具合が回避される。また、第１の処理チャンバ１
２内の温度は、有機金属である（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔ
ｍｖｓ）の未反応領域の温度、好ましくは常温としてい
る。
力を大気圧よりも高く設定してある場合、ガス圧の押込
み効果により、カバレッジが改善され、埋込みを行う場
合には基板Ｗ表面に形成されている溝やコンタクトホー
ル等のホールに成膜液が確実に充填され、ボイドの発生
等の不具合が回避される。また、第１の処理チャンバ１
２内の温度は、有機金属である（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔ
ｍｖｓ）の未反応領域の温度、好ましくは常温としてい
る。
【００２９】基板Ｗ上に供給した成膜液の多くは、遠心
力で基板Ｗの周縁から更に外方に飛散される。これによ
り、基板Ｗの裏面の露出部分に成膜液が回り込むことは
なく、基板裏面での成膜が防止される。基板Ｗの裏面に
膜が形成されると、剥離してパーティクルとなる等の弊
害がある。
力で基板Ｗの周縁から更に外方に飛散される。これによ
り、基板Ｗの裏面の露出部分に成膜液が回り込むことは
なく、基板裏面での成膜が防止される。基板Ｗの裏面に
膜が形成されると、剥離してパーティクルとなる等の弊
害がある。
【００３０】このような塗布工程が終了したならば、成
膜液の供給を停止し、ローラパッド２２を上昇させて初
期の位置に戻すと共に、ターンテーブル２２の回転を停
止する。
膜液の供給を停止し、ローラパッド２２を上昇させて初
期の位置に戻すと共に、ターンテーブル２２の回転を停
止する。
【００３１】次いで、スリットバルブ１８，２０を一時
的に開放し、図示しない搬送手段を用いて基板Ｗを第１
の処理チャンバ１２からトランスファチャンバ１６を経
て第２の処理チャンバ１４内に搬送し、ターンテーブル
４８上の所定位置に基板Ｗを配置、固定する。第２の処
理チャンバ１４の内部空気は、前述した塗布工程の間に
既に不活性ガス雰囲気に置換されており、また、内部圧
力は大気圧よりも高めに設定されている。なお、トラン
スファチャンバ１６内も不活性ガスに置換しておくこと
で、基板Ｗを大気に触れさせることなく一連のプロセス
を行うことができ、自然酸化等の弊害を防止することが
できる。
的に開放し、図示しない搬送手段を用いて基板Ｗを第１
の処理チャンバ１２からトランスファチャンバ１６を経
て第２の処理チャンバ１４内に搬送し、ターンテーブル
４８上の所定位置に基板Ｗを配置、固定する。第２の処
理チャンバ１４の内部空気は、前述した塗布工程の間に
既に不活性ガス雰囲気に置換されており、また、内部圧
力は大気圧よりも高めに設定されている。なお、トラン
スファチャンバ１６内も不活性ガスに置換しておくこと
で、基板Ｗを大気に触れさせることなく一連のプロセス
を行うことができ、自然酸化等の弊害を防止することが
できる。
【００３２】基板Ｗが所定位置に配置されたならば、駆
動モータ５０を駆動させてターンテーブル４８を回転さ
せると共に、加熱用ランブ５２を制御して基板Ｗの表面
を所定温度、例えば１５０〜２５０℃に加熱する。これ
により、基板Ｗの表面に塗布された成膜液に含まれる
（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）は熱分解反応され、銅
が基板Ｗの表面にて析出し成膜が行われる。（ｈｆａ
ｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）の熱分解反応を次の通りであ
る。
動モータ５０を駆動させてターンテーブル４８を回転さ
せると共に、加熱用ランブ５２を制御して基板Ｗの表面
を所定温度、例えば１５０〜２５０℃に加熱する。これ
により、基板Ｗの表面に塗布された成膜液に含まれる
（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）は熱分解反応され、銅
が基板Ｗの表面にて析出し成膜が行われる。（ｈｆａ
ｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）の熱分解反応を次の通りであ
る。
【００３３】
【化２】
【００３４】この反応において、生成されるＣｕ+2（ｈ
ｆａｃ）2とｔｍｖｓは、熱分解反応時における第２の
処理チャンバ１４の内部温度によりガス化されているた
め、排気ポンプ６６により第２のチャンバ１４から排出
される。有機溶剤であるヘプタデカンも熱により気化し
て排出され、基板Ｗ上に残存することはない。
ｆａｃ）2とｔｍｖｓは、熱分解反応時における第２の
処理チャンバ１４の内部温度によりガス化されているた
め、排気ポンプ６６により第２のチャンバ１４から排出
される。有機溶剤であるヘプタデカンも熱により気化し
て排出され、基板Ｗ上に残存することはない。
【００３５】前述したように、成膜液は基板Ｗの表面全
体にわたりほぼ一定の膜厚且つ膜質で塗布されているた
め、形成される銅膜の膜厚及び膜質も一定となる。ま
た、ターンテーブル４８は回転しているため、加熱用ラ
ンプ５２の設置位置に起因する温度分布の不均一が防止
され、加えて、基板Ｗの裏面全体がターンテーブル４８
に接しているで、ターンテーブル４８を通しての基板Ｗ
の放熱も全面にわたりほぼ一定となる。よって、熱分解
反応も基板表面の全体にわたり均一に行われることにな
り、これも面内膜厚や膜質の均一性向上に寄与してい
る。更に、この実施形態では、第２の処理チャンバ１４
内の圧力が大気圧よりも高くされているが、これにより
成膜液の沸点が高められている。このため、熱分解反応
中に成膜液の表面からの自然蒸発が抑制され、安定した
熱分解反応が行われる。熱分解反応工程が終了したなら
ば、第２の処理チャンバ１４から基板Ｗを搬出し、成膜
工程を完了する。
体にわたりほぼ一定の膜厚且つ膜質で塗布されているた
め、形成される銅膜の膜厚及び膜質も一定となる。ま
た、ターンテーブル４８は回転しているため、加熱用ラ
ンプ５２の設置位置に起因する温度分布の不均一が防止
され、加えて、基板Ｗの裏面全体がターンテーブル４８
に接しているで、ターンテーブル４８を通しての基板Ｗ
の放熱も全面にわたりほぼ一定となる。よって、熱分解
反応も基板表面の全体にわたり均一に行われることにな
り、これも面内膜厚や膜質の均一性向上に寄与してい
る。更に、この実施形態では、第２の処理チャンバ１４
内の圧力が大気圧よりも高くされているが、これにより
成膜液の沸点が高められている。このため、熱分解反応
中に成膜液の表面からの自然蒸発が抑制され、安定した
熱分解反応が行われる。熱分解反応工程が終了したなら
ば、第２の処理チャンバ１４から基板Ｗを搬出し、成膜
工程を完了する。
【００３６】このように、塗布工程と熱分解反応工程と
を分離して行うことで、膜厚及び膜質の面内均一性に優
れた銅の薄膜が得られ、しかも、成膜液の基板Ｗへの塗
布は、成膜液を含んだローラパッド１００を基板Ｗに接
触させることにより行われるため、成膜液に無駄が生じ
ず、有機金属の使用効率が向上されるとともに、成膜液
の基板Ｗへの塗布が的確に行われる。
を分離して行うことで、膜厚及び膜質の面内均一性に優
れた銅の薄膜が得られ、しかも、成膜液の基板Ｗへの塗
布は、成膜液を含んだローラパッド１００を基板Ｗに接
触させることにより行われるため、成膜液に無駄が生じ
ず、有機金属の使用効率が向上されるとともに、成膜液
の基板Ｗへの塗布が的確に行われる。
【００３７】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく、
種々の変形や変更を行うことができる。
細に説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく、
種々の変形や変更を行うことができる。
【００３８】図３は、図１および図２に示す塗布装置１
２６の塗布ユニット１２７の変形態様を示したものであ
る。図３の塗布ユニット１２７は、塗布不要部、すなわ
ち基板Ｗの外周部（ベベル部）への塗布を防止するため
のマスク１０８を備えている点で、図１および図２に示
す装置とは相違している。このマスク１０６は、第１の
処理チャンバ１２内で支持シャフト１１０により支持さ
れている。支持シャフト１１０は、回転可能に且つ上下
動可能となっている。従って、支持シャフト１１０の駆
動装置１１２を制御することで、マスク１０８を揺動さ
せてターンテーブル２２上の基板Ｗの上方に配置し、そ
の後に下降させて基板Ｗの外周部に隣接して当該部分を
マスキングすることが可能となる。このマスク１０６に
よりカバーされた部分には、ローラパッド１００が接し
ないため、その部分の塗布が防止される。このため、有
機金属の使用効率を向上することができる。マスク１０
６を移動させる機構は、図示のものに限られないことは
言うまでもない。
２６の塗布ユニット１２７の変形態様を示したものであ
る。図３の塗布ユニット１２７は、塗布不要部、すなわ
ち基板Ｗの外周部（ベベル部）への塗布を防止するため
のマスク１０８を備えている点で、図１および図２に示
す装置とは相違している。このマスク１０６は、第１の
処理チャンバ１２内で支持シャフト１１０により支持さ
れている。支持シャフト１１０は、回転可能に且つ上下
動可能となっている。従って、支持シャフト１１０の駆
動装置１１２を制御することで、マスク１０８を揺動さ
せてターンテーブル２２上の基板Ｗの上方に配置し、そ
の後に下降させて基板Ｗの外周部に隣接して当該部分を
マスキングすることが可能となる。このマスク１０６に
よりカバーされた部分には、ローラパッド１００が接し
ないため、その部分の塗布が防止される。このため、有
機金属の使用効率を向上することができる。マスク１０
６を移動させる機構は、図示のものに限られないことは
言うまでもない。
【００３９】このような塗布装置１２６におけるローラ
パッド１００を柔軟なブラシに置換しても、同等の作用
効果が得られる。また、前述したＣＭＰプロセスで用い
られるＣＭＰ装置（図示せず）は、プラテンのパッドに
研磨用のスラリーを含浸させ、基板の表面に対してプラ
テンを接触させ相対運動させる装置であるが、スラリー
に代えて成膜液をプラテンのパッドに供給すれば、ＣＭ
Ｐ装置をローラ式塗布装置として利用することができ
る。既存の半導体製造設備においては、複数のＣＭＰ装
置を有するマルチステージ型のものが広く採用されてい
るので、そのうちの一つのステージを塗布装置として利
用することは有効である。
パッド１００を柔軟なブラシに置換しても、同等の作用
効果が得られる。また、前述したＣＭＰプロセスで用い
られるＣＭＰ装置（図示せず）は、プラテンのパッドに
研磨用のスラリーを含浸させ、基板の表面に対してプラ
テンを接触させ相対運動させる装置であるが、スラリー
に代えて成膜液をプラテンのパッドに供給すれば、ＣＭ
Ｐ装置をローラ式塗布装置として利用することができ
る。既存の半導体製造設備においては、複数のＣＭＰ装
置を有するマルチステージ型のものが広く採用されてい
るので、そのうちの一つのステージを塗布装置として利
用することは有効である。
【００４０】一方、第２の処理チャンバ１４における熱
分解反応のための加熱手段も、加熱用ランプ５２に限ら
れない。例えば、抵抗電熱器、誘導加熱装置、オイルヒ
ータを基板支持手段たるターンテーブルや他のサセプタ
等に内蔵したものであってもよい。
分解反応のための加熱手段も、加熱用ランプ５２に限ら
れない。例えば、抵抗電熱器、誘導加熱装置、オイルヒ
ータを基板支持手段たるターンテーブルや他のサセプタ
等に内蔵したものであってもよい。
【００４１】以上、本発明の好適な実施形態について説
明したが、本発明は上記の色々な実施形態に限定されな
いことは言うまでもない。例えば、上記実施形態では、
成膜液は、銅のケトナト系金属錯体の一つである（ｈｆ
ａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）及び脂肪族飽和炭化水素の一
つであるヘプタデカンを混合した液体であるが、有機金
属は（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｅｏｖｓ）のような他の銅
のケトナト系金属錯体、他の材料を成膜する場合には銅
のケトナト系金属錯体以外の有機金属とすることができ
る。さらに、銅のケトナト系金属錯体に対する有機溶剤
についても、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカ
ン等の他の脂肪族飽和炭化水素を用いることができ、銅
のケトナト系金属錯体以外の有機金属に対しては、その
他の溶剤を使用することができる。尚、成膜液は、有機
金属単独であってもよい。
明したが、本発明は上記の色々な実施形態に限定されな
いことは言うまでもない。例えば、上記実施形態では、
成膜液は、銅のケトナト系金属錯体の一つである（ｈｆ
ａｃ）Ｃｕ+1（ｔｍｖｓ）及び脂肪族飽和炭化水素の一
つであるヘプタデカンを混合した液体であるが、有機金
属は（ｈｆａｃ）Ｃｕ+1（ｔｅｏｖｓ）のような他の銅
のケトナト系金属錯体、他の材料を成膜する場合には銅
のケトナト系金属錯体以外の有機金属とすることができ
る。さらに、銅のケトナト系金属錯体に対する有機溶剤
についても、ペンタデカン、ヘキサデカン、オクタデカ
ン等の他の脂肪族飽和炭化水素を用いることができ、銅
のケトナト系金属錯体以外の有機金属に対しては、その
他の溶剤を使用することができる。尚、成膜液は、有機
金属単独であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、有
機金属の未反応領域の温度において被処理体上に有機金
属含有液体が塗布されるため、有機金属含有液体は気化
しない。そして、有機金属含有液体の被処理体への塗布
は、有機金属含有液体を含んだ塗布液含有体を被処理体
に接触させることにより行われるため、有機金属含有液
体に無駄が生じず、有機金属の使用効率が向上されると
ともに、有機金属含有液体の被処理体への塗布が的確に
行われる。
機金属の未反応領域の温度において被処理体上に有機金
属含有液体が塗布されるため、有機金属含有液体は気化
しない。そして、有機金属含有液体の被処理体への塗布
は、有機金属含有液体を含んだ塗布液含有体を被処理体
に接触させることにより行われるため、有機金属含有液
体に無駄が生じず、有機金属の使用効率が向上されると
ともに、有機金属含有液体の被処理体への塗布が的確に
行われる。
【図１】本発明に係る成膜装置の好適な実施形態を示す
概略説明図である。
概略説明図である。
【図２】図１の成膜装置における塗布ユニットの拡大斜
視図である。
視図である。
【図３】図２の塗布ユニットの変形例を示す斜視図であ
る。
る。
１０…成膜装置、１２…第１の処理チャンバ、１４…第
２の処理チャンバ、１６…トランスファチャンバ、２２
…ターンテーブル、２８…成膜液供給系、４８…ターン
テーブル、５２…加熱用ランプ、５６…制御装置、１０
０…ローラパッド（塗布液含有体）、１２６…塗布装置
（塗布手段）、１２７…塗布ユニット。
２の処理チャンバ、１６…トランスファチャンバ、２２
…ターンテーブル、２８…成膜液供給系、４８…ターン
テーブル、５２…加熱用ランプ、５６…制御装置、１０
０…ローラパッド（塗布液含有体）、１２６…塗布装置
（塗布手段）、１２７…塗布ユニット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｂ０５Ｄ 1/32 Ｂ０５Ｄ 1/32 Ｅ Ｃ２３Ｃ 18/02 Ｃ２３Ｃ 18/02 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ａ 21/3205 21/88 Ｍ (72)発明者 鎗田 弘行 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地 内 アプライド マテリアルズ ジャパ ン 株式会社内 (72)発明者 相田 恒 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地 内 アプライド マテリアルズ ジャパ ン 株式会社内 (72)発明者 吉田 尚美 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地 内 アプライド マテリアルズ ジャパ ン 株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−53132（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−45773（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−68219（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−213970（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/288 C23C 18/02 H01L 21/3205 H01L 21/027 B05C 1/02 B05D 1/28
Claims (6)
- 【請求項１】 （ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｍｖｓ）及び
（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｅｏｖｓ）からなる群から選
択された有機金属を主成分とした有機金属含有液体を用
意する第１ステップと、 前記有機金属の未反応領域の温度において、被処理体上
に前記有機金属含有液体を塗布する第２ステップと、 前記第２ステップの後、前記被処理体を所定温度に加熱
し、前記被処理体上に塗布された前記有機金属含有液体
中の前記有機金属を熱分解反応させ銅膜を前記被処理体
上に形成する第３ステップと、を含む成膜方法であっ
て、 前記第２ステップにおける前記有機金属含有液体の前記
被処理体への塗布は、前記有機金属含有液体を含んだ塗
布液含有体を前記被処理体に接触させることにより行わ
れ、 前記第３ステップにおいて、前記被処理体を加熱して熱
分解反応を行う処理チャンバ内の圧力を、前記有機金属
含有液体の自然蒸発を抑制すべく大気圧よりも高い所定
の圧力とすることを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 前記塗布液含有体は、スポンジ状のロー
ラパッドであることを特徴とする請求項１記載の成膜方
法。 - 【請求項３】 前記被処理体は基板であり、 前記第２ステップにおいて前記有機金属含有液体を前記
基板へ塗布する際に、前記基板の外周部をマスクで覆う
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の成膜方
法。 - 【請求項４】 （ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｍｖｓ）及び
（ｈｆａｃ）Ｃｕ＋１（ｔｅｏｖｓ）からなる群から選
択された有機金属を主成分とした有機金属含有液体を供
給する供給手段と、 前記供給手段から供給された前記有機金属含有液体を被
処理体上に塗布する塗布手段と、 前記塗布手段により前記有機金属含有液体が塗布された
前記被処理体を所定温度に加熱する加熱手段と、 前記加熱手段が設けられている処理チャンバ内に配置さ
れた前記被処理体に塗布された前記有機金属含有液体の
自然蒸発を抑制すべく、前記処理チャンバ内の圧力を大
気圧よりも高い所定の圧力とするための不活性ガス供給
源と、を備える成膜装置であって、 前記塗布手段は、前記有機金属含有液体を含有可能であ
るとともに前記被処理体に対して接離可能な塗布液含有
体を具備することを特徴とする成膜装置。 - 【請求項５】 前記塗布液含有体は、スポンジ状のロー
ラパッドであることを特徴とする請求項４記載の成膜装
置。 - 【請求項６】 前記被処理体は基板であり、 前記基板の外周部を覆うマスク手段を更に備えることを
特徴とする請求項４または請求項５記載の成膜装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308661A JP3093184B2 (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 成膜方法及び装置 |
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| PCT/JP1999/006033 WO2004084284A1 (ja) | 1998-10-29 | 1999-10-29 | 成膜方法及び装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308661A JP3093184B2 (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 成膜方法及び装置 |
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|---|---|
| JP2000138185A JP2000138185A (ja) | 2000-05-16 |
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ID=17983772
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3093184B2 (ja) |
| WO (1) | WO2004084284A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR102638145B1 (ko) * | 2016-11-25 | 2024-02-20 | 주식회사 엠씨넥스 | 지문 인식 모듈의 uv 코팅 장치 및 이를 이용한 uv 코팅 방법 |
| US20190309422A1 (en) * | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Versum Materials Us, Llc | Spin-On Metallization |
| CN110620065A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-27 | 石狮市纳傲贸易有限公司 | 一种晶圆加工设备 |
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