JP3092480B2 - マイクロマシンデバイスの電極取出構造 - Google Patents
マイクロマシンデバイスの電極取出構造Info
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- JP3092480B2 JP3092480B2 JP07160448A JP16044895A JP3092480B2 JP 3092480 B2 JP3092480 B2 JP 3092480B2 JP 07160448 A JP07160448 A JP 07160448A JP 16044895 A JP16044895 A JP 16044895A JP 3092480 B2 JP3092480 B2 JP 3092480B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リーク電流が少なく、
電極のスパイクによるpn接合のショートを防止出来る
マイクロマシンデバイスの電極取出構造に関するもので
ある。
電極のスパイクによるpn接合のショートを防止出来る
マイクロマシンデバイスの電極取出構造に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図2は従来より一般に使用されている従
来例の構成説明図で、図3は図2の詳細構成説明図で、
例えば、特開平5―288624号の第1図,第4図に
示されている。
来例の構成説明図で、図3は図2の詳細構成説明図で、
例えば、特開平5―288624号の第1図,第4図に
示されている。
【0003】図において、11は、シリコン基板12の
一面12aとガラス基板13の一面13aとが陽極接合
されて設けられた気密室である。14は、気密室11内
に設けられた電気素子である。この場合は、歪検出素子
が使用されている。
一面12aとガラス基板13の一面13aとが陽極接合
されて設けられた気密室である。14は、気密室11内
に設けられた電気素子である。この場合は、歪検出素子
が使用されている。
【0004】15は、ガラス基板の一面13aに設けら
れた電極である。16は、電極15に対向して、電極1
5との電気的接触を確保出来るように、半導体基板の一
面12a側に設けられた片持ち梁である。片持ち梁16
は、電気的接触を確保出来るように、電極15に対し
て、撓んで押圧しながら接触している。
れた電極である。16は、電極15に対向して、電極1
5との電気的接触を確保出来るように、半導体基板の一
面12a側に設けられた片持ち梁である。片持ち梁16
は、電気的接触を確保出来るように、電極15に対し
て、撓んで押圧しながら接触している。
【0005】17は、電気素子14に一端が接続され、
他端がシリコン基板の一面12aに設けられ、片持ち梁
16を経由して、他端が電極15に接続され、イオン注
入によりpn接合が形成された拡散抵抗層よりなるリー
ドである。
他端がシリコン基板の一面12aに設けられ、片持ち梁
16を経由して、他端が電極15に接続され、イオン注
入によりpn接合が形成された拡散抵抗層よりなるリー
ドである。
【0006】以上の構成において、気密室11内の電気
素子14は、拡散抵抗層よりなるリード17を介して、
電気的信号の入出力が行われる。
素子14は、拡散抵抗層よりなるリード17を介して、
電気的信号の入出力が行われる。
【0007】この結果、 (1)リード17は、イオン注入により形成された拡散
抵抗層よりなるので、シリコン基板の一面12aの表面
の段差を非常に小さく出来、シリコン基板の一面12a
とガラス基板の一面13aとが陽極接合され易く、従っ
て、気密室11の気密は保たれ易い。
抵抗層よりなるので、シリコン基板の一面12aの表面
の段差を非常に小さく出来、シリコン基板の一面12a
とガラス基板の一面13aとが陽極接合され易く、従っ
て、気密室11の気密は保たれ易い。
【0008】(2)拡散抵抗層よりなるリード17は、
片持ち梁16を経由して、他端が電極15に接続されて
いるが、片持ち梁16が撓むことにより、電極15に対
して、電気的に安定な接触が得られる。
片持ち梁16を経由して、他端が電極15に接続されて
いるが、片持ち梁16が撓むことにより、電極15に対
して、電気的に安定な接触が得られる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、 (1)pn接合面17が、ガラス基板13に接合されて
いるためリーク電流が大きくなる。
な装置においては、 (1)pn接合面17が、ガラス基板13に接合されて
いるためリーク電流が大きくなる。
【0010】(2)電極15と拡散抵抗層よりなるリー
ド17との接触部近くに、pn接合面があるために、電
極15のスパイク現象によりpn接合がショートしてし
まう恐れがある。電極15のスパイク現象とは、周知の
如く、シリコンよりなるリードと金属よりなる電極との
接触部が、熱処理された場合に、再結晶化がスパイク状
に発達しすることを言う。pn接合を突き抜けてショー
トを生ずる恐れがある。
ド17との接触部近くに、pn接合面があるために、電
極15のスパイク現象によりpn接合がショートしてし
まう恐れがある。電極15のスパイク現象とは、周知の
如く、シリコンよりなるリードと金属よりなる電極との
接触部が、熱処理された場合に、再結晶化がスパイク状
に発達しすることを言う。pn接合を突き抜けてショー
トを生ずる恐れがある。
【0011】本発明は、この問題点を、解決するもので
ある。本発明の目的は、リーク電流が少なく、電極のス
パイクによるpn接合のショートを防止出来るマイクロ
マシンデバイスの電極取出構造を提供するにある。
ある。本発明の目的は、リーク電流が少なく、電極のス
パイクによるpn接合のショートを防止出来るマイクロ
マシンデバイスの電極取出構造を提供するにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板の一面とガラス基板の一面と
が陽極接合されて設けられた気密室と、該気密室内に設
けられた電気素子と、前記ガラス基板の一面に設けられ
た電極と、該電極に対向して該電極との電気的接触を確
保出来るように前記半導体基板の一面側に設けられた片
持ち梁とを具備するマイクロマシンデバイスの電極取出
構造において、前記電気素子に一端が接続され他端が前
記半導体基板の一面に設けられ拡散抵抗層よりなるリー
ドと、前記リードを覆い前記半導体基板の表面に設けら
れた絶縁膜と、該絶縁膜の表面に設けられ他面が前記ガ
ラス基板に接合される第1ポリシリコン膜と、一端が前
記リードに電気的に接続され前記片持ち梁を経由して他
端が前記電極に接続され不純物混入により電気導通性を
有する拡散抵抗層よりなる第2ポリシリコン層とを具備
したことを特徴とするマイクロマシンデバイスの電極取
出構造を構成したものである。
に、本発明は、半導体基板の一面とガラス基板の一面と
が陽極接合されて設けられた気密室と、該気密室内に設
けられた電気素子と、前記ガラス基板の一面に設けられ
た電極と、該電極に対向して該電極との電気的接触を確
保出来るように前記半導体基板の一面側に設けられた片
持ち梁とを具備するマイクロマシンデバイスの電極取出
構造において、前記電気素子に一端が接続され他端が前
記半導体基板の一面に設けられ拡散抵抗層よりなるリー
ドと、前記リードを覆い前記半導体基板の表面に設けら
れた絶縁膜と、該絶縁膜の表面に設けられ他面が前記ガ
ラス基板に接合される第1ポリシリコン膜と、一端が前
記リードに電気的に接続され前記片持ち梁を経由して他
端が前記電極に接続され不純物混入により電気導通性を
有する拡散抵抗層よりなる第2ポリシリコン層とを具備
したことを特徴とするマイクロマシンデバイスの電極取
出構造を構成したものである。
【0013】
【作用】以上の構成において、気密室内の電気素子は、
拡散抵抗層よりなるリードを介して、電気的信号の入出
力が行われる。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
拡散抵抗層よりなるリードを介して、電気的信号の入出
力が行われる。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
【0014】
【実施例】図1は本発明の一実施例の要部構成説明図で
ある。21は、シリコン基板22の一面22aとガラス
基板23の一面23aとが陽極接合されて設けられた気
密室である。
ある。21は、シリコン基板22の一面22aとガラス
基板23の一面23aとが陽極接合されて設けられた気
密室である。
【0015】24は、気密室21内に設けられた電気素
子である。この場合は、歪検出素子が使用されている。
25は、ガラス基板の一面23aに設けられた電極であ
る。
子である。この場合は、歪検出素子が使用されている。
25は、ガラス基板の一面23aに設けられた電極であ
る。
【0016】26は、電極25に対向して、電極25と
の電気的接触を確保出来るように、シリコン基板の一面
22a側に設けられた片持ち梁である。片持ち梁26
は、電気的接触を確保出来るように、電極25に対し
て、撓んで押圧しながら接触している。
の電気的接触を確保出来るように、シリコン基板の一面
22a側に設けられた片持ち梁である。片持ち梁26
は、電気的接触を確保出来るように、電極25に対し
て、撓んで押圧しながら接触している。
【0017】27は、電気素子24に一端が接続され、
他端がシリコン基板22の一面22aに設けられ拡散抵
抗層よりなるリードである。28は、リード27を覆
い、シリコン基板22一面22aの表面に設けられた絶
縁膜である。この場合は、シリコン酸化膜、シリコン窒
化膜等が使用されている。
他端がシリコン基板22の一面22aに設けられ拡散抵
抗層よりなるリードである。28は、リード27を覆
い、シリコン基板22一面22aの表面に設けられた絶
縁膜である。この場合は、シリコン酸化膜、シリコン窒
化膜等が使用されている。
【0018】29は、絶縁膜28の表面に設けられ,他
面29aがガラス基板23に接合される第1ポリシリコ
ン膜である。
面29aがガラス基板23に接合される第1ポリシリコ
ン膜である。
【0019】31は、一端がリード27に、コンタクト
ホール32により、電気的に接続され、片持ち梁26を
経由して、他端が電極25に接続され、不純物混入によ
り、この場合は、不純物ドープによる電気導通性を有す
る拡散抵抗層よりなる第2ポリシリコン層である。
ホール32により、電気的に接続され、片持ち梁26を
経由して、他端が電極25に接続され、不純物混入によ
り、この場合は、不純物ドープによる電気導通性を有す
る拡散抵抗層よりなる第2ポリシリコン層である。
【0020】なお、第1ポリシリコン膜29,第2ポリ
シリコン層31は、絶縁膜28の表面に形成されるため
シリコンでなくポリシリコンとなる。
シリコン層31は、絶縁膜28の表面に形成されるため
シリコンでなくポリシリコンとなる。
【0021】以上の構成において、気密室21内の電気
素子24は、拡散抵抗層よりなるリード27を介して、
電気的信号の入出力が行われる。
素子24は、拡散抵抗層よりなるリード27を介して、
電気的信号の入出力が行われる。
【0022】この結果、 (1)気密室21の気密保持は、第1ポリシリコン膜2
9とガラス基板23の陽極接合により確保できる。
9とガラス基板23の陽極接合により確保できる。
【0023】(2)拡散抵抗層よりなるリード27は、
絶縁膜28により保護されるため、pn接合面のリーク
電流が低減される。
絶縁膜28により保護されるため、pn接合面のリーク
電流が低減される。
【0024】(3)電極25と拡散抵抗層よりなるリー
ド27とが直接接触されず、拡散抵抗層よりなるリード
27と接続された第2ポリシリコン層31と電極25と
が接触するように構成されたので、電極25のスパイク
によるpn接合のショートを防止する事ができる。
ド27とが直接接触されず、拡散抵抗層よりなるリード
27と接続された第2ポリシリコン層31と電極25と
が接触するように構成されたので、電極25のスパイク
によるpn接合のショートを防止する事ができる。
【0025】なお、電気素子はピエゾ抵抗素子或いは振
動子型歪み検出素子でも良く、要するに電気素子であれ
ば良い。
動子型歪み検出素子でも良く、要するに電気素子であれ
ば良い。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半導体
基板の一面とガラス基板の一面とが陽極接合されて設け
られた気密室と、該気密室内に設けられた電気素子と、
前記ガラス基板の一面に設けられた電極と、該電極に対
向して該電極との電気的接触を確保出来るように前記半
導体基板の一面側に設けられた片持ち梁とを具備するマ
イクロマシンデバイスの電極取出構造において、前記電
気素子に一端が接続され他端が前記半導体基板の一面に
設けられ拡散抵抗層よりなるリードと、前記リードを覆
い前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、該絶縁
膜の表面に設けられ他面が前記ガラス基板に接合される
第1ポリシリコン膜と、一端が前記リードに電気的に接
続され前記片持ち梁を経由して他端が前記電極に接続さ
れ不純物混入により電気導通性を有する拡散抵抗層より
なる第2ポリシリコン層とを具備したことを特徴とする
マイクロマシンデバイスの電極取出構造を構成した。
基板の一面とガラス基板の一面とが陽極接合されて設け
られた気密室と、該気密室内に設けられた電気素子と、
前記ガラス基板の一面に設けられた電極と、該電極に対
向して該電極との電気的接触を確保出来るように前記半
導体基板の一面側に設けられた片持ち梁とを具備するマ
イクロマシンデバイスの電極取出構造において、前記電
気素子に一端が接続され他端が前記半導体基板の一面に
設けられ拡散抵抗層よりなるリードと、前記リードを覆
い前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、該絶縁
膜の表面に設けられ他面が前記ガラス基板に接合される
第1ポリシリコン膜と、一端が前記リードに電気的に接
続され前記片持ち梁を経由して他端が前記電極に接続さ
れ不純物混入により電気導通性を有する拡散抵抗層より
なる第2ポリシリコン層とを具備したことを特徴とする
マイクロマシンデバイスの電極取出構造を構成した。
【0027】この結果、 (1)気密室の気密保持は、第1ポリシリコン膜とガラ
ス基板の陽極接合により確保できる。
ス基板の陽極接合により確保できる。
【0028】(2)拡散抵抗層よりなるリードは、絶縁
膜により保護されるため、pn接合面のリーク電流が低
減される。
膜により保護されるため、pn接合面のリーク電流が低
減される。
【0029】(3)電極と拡散抵抗層よりなるリードと
が直接接触されず、拡散抵抗層よりなるリードと接続さ
れた第2ポリシリコン層と、電極とが接触するように構
成されたので、電極のスパイクによるpn接合のショー
トを防止する事ができる。
が直接接触されず、拡散抵抗層よりなるリードと接続さ
れた第2ポリシリコン層と、電極とが接触するように構
成されたので、電極のスパイクによるpn接合のショー
トを防止する事ができる。
【0030】従って、本発明によれば、リーク電流が少
なく、電極のスパイクによるpn接合のショートを防止
出来るマイクロマシンデバイスの電極取出構造を実現す
ることが出来る。
なく、電極のスパイクによるpn接合のショートを防止
出来るマイクロマシンデバイスの電極取出構造を実現す
ることが出来る。
【図1】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図2】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
【図3】図2の詳細構成説明図である。
21 気密室 22 シリコン基板 22a シリコン基板の一面 23 ガラス基板 23a ガラス基板の一面 24 電気素子 25 電極 26 片持ち梁 27 拡散抵抗のリード 28 絶縁膜 29 第1ポリシリコン膜 31 第2ポリシリコン層 32 コンタクトホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−288624(JP,A) 特開 平4−239133(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01R 13/15 - 13/35
Claims (1)
- 【請求項1】半導体基板の一面とガラス基板の一面とが
陽極接合されて設けられた気密室と、 該気密室内に設けられた電気素子と、 前記ガラス基板の一面に設けられた電極と、 該電極に対向して該電極との電気的接触を確保出来るよ
うに前記半導体基板の一面側に設けられた片持ち梁と、 を具備するマイクロマシンデバイスの電極取出構造にお
いて、 前記電気素子に一端が接続され他端が前記半導体基板の
一面に設けられ拡散抵抗層よりなるリードと前記リード
を覆い前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、 該絶縁膜の表面に設けられ他面が前記ガラス基板に接合
される第1ポリシリコン膜と、 一端が前記リードに電気的に接続され前記片持ち梁を経
由して他端が前記電極に接続され不純物混入により電気
導通性を有する拡散抵抗層よりなる第2ポリシリコン層
とを具備したことを特徴とするマイクロマシンデバイス
の電極取出構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07160448A JP3092480B2 (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロマシンデバイスの電極取出構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07160448A JP3092480B2 (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロマシンデバイスの電極取出構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0917483A JPH0917483A (ja) | 1997-01-17 |
JP3092480B2 true JP3092480B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=15715156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07160448A Expired - Fee Related JP3092480B2 (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロマシンデバイスの電極取出構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3092480B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1547189A4 (en) * | 2002-08-03 | 2006-11-08 | Siverta Inc | INTEGRATED AND SEALED SWITCH FOR MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP07160448A patent/JP3092480B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0917483A (ja) | 1997-01-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |