JP3090061B2 - Tab用テープキャリア - Google Patents
Tab用テープキャリアInfo
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- tape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/036—Multilayers with layers of different types
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップを実装
する際に用いられるTAB用テープキャリアに係り、特
に、ファインピッチTAB用テープキャリアに関するも
のである。
する際に用いられるTAB用テープキャリアに係り、特
に、ファインピッチTAB用テープキャリアに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】ICチップを実装する方法の一つとし
て、TCP(Tape Carrier Package)実装がある。
て、TCP(Tape Carrier Package)実装がある。
【0003】このTCP実装には、TAB(Tape Autom
ated Bonding)用テープキャリアを用いている。このT
AB用テープキャリアの一例として、LCD用TABテ
ープの側面図を図3に示す。
ated Bonding)用テープキャリアを用いている。このT
AB用テープキャリアの一例として、LCD用TABテ
ープの側面図を図3に示す。
【0004】図3に示すように、従来のTAB用テープ
キャリアは、コスト及び製造のしやすさも考慮し、ベー
スフィルム32としてポリイミドテープ(50〜125
μm厚)を用い、この上に接着剤36を介して銅箔(1
8〜35μm厚)34を貼り合せた3層構造が主流であ
る。
キャリアは、コスト及び製造のしやすさも考慮し、ベー
スフィルム32としてポリイミドテープ(50〜125
μm厚)を用い、この上に接着剤36を介して銅箔(1
8〜35μm厚)34を貼り合せた3層構造が主流であ
る。
【0005】LCD用TABテープ30は、TAB用テ
ープキャリアの銅箔34にインナーリード34iが形成
され、そのインナーリード34iの表面にSn合金がめ
っきされたものであり、このインナーリード34iは、
ベースフィルム32に形成されICチップCとのボンデ
ィングの際に加熱ツールが挿入されるデバイスホールh
内に臨んで形成されている。
ープキャリアの銅箔34にインナーリード34iが形成
され、そのインナーリード34iの表面にSn合金がめ
っきされたものであり、このインナーリード34iは、
ベースフィルム32に形成されICチップCとのボンデ
ィングの際に加熱ツールが挿入されるデバイスホールh
内に臨んで形成されている。
【0006】また、このLCD用TABテープ30とI
CチップCをボンディングするに際しては、図4に示す
ように、ICチップCのAuバンプaを上に向けてステ
ージ加熱ツール24に載置し、このICチップCにLC
D用TABテープ30を重ね、ICチップCのAuバン
プaとインナーリード34iの先端部分との位置合わせ
をし、加熱ツール22を矢印s方向に移動してインナー
リード34iに押付ける。そして、加熱ツール22の温
度を500℃近辺の値に昇温し、インナーリード34i
の表面のSn合金を溶解させて、これらICチップCと
LCD用TABテープ30とをボンディングしている。
CチップCをボンディングするに際しては、図4に示す
ように、ICチップCのAuバンプaを上に向けてステ
ージ加熱ツール24に載置し、このICチップCにLC
D用TABテープ30を重ね、ICチップCのAuバン
プaとインナーリード34iの先端部分との位置合わせ
をし、加熱ツール22を矢印s方向に移動してインナー
リード34iに押付ける。そして、加熱ツール22の温
度を500℃近辺の値に昇温し、インナーリード34i
の表面のSn合金を溶解させて、これらICチップCと
LCD用TABテープ30とをボンディングしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、年々、IC
チップの小形化及びこれに伴うインナーリードのピッチ
の微細化が進んでいる。
チップの小形化及びこれに伴うインナーリードのピッチ
の微細化が進んでいる。
【0008】しかしながら、現状のTAB技術では、イ
ンナーリード34iのピッチは50μmピッチが限界で
ある。この50μmピッチ以下のファインピッチ(例え
ば40μmピッチ)をねらうには、銅箔の厚さを18μm
以下にしなければならず、この場合、従来のTABテー
ププロセスでは、デバイスホールh内のインナーリード
34iが変形しやすくなり、また、インナーリードボン
ディング後のリード強度が弱くなってしまう。このた
め、図示しないが、折り曲げ性の要する部位にはスリッ
ト状にポリイミドテープを打ち抜き、更に、この部位の
片面又は両面にフレックス樹脂(ポリイミド系)をコー
ティングして、リードの折り曲げ強度を増す必要があっ
た。
ンナーリード34iのピッチは50μmピッチが限界で
ある。この50μmピッチ以下のファインピッチ(例え
ば40μmピッチ)をねらうには、銅箔の厚さを18μm
以下にしなければならず、この場合、従来のTABテー
ププロセスでは、デバイスホールh内のインナーリード
34iが変形しやすくなり、また、インナーリードボン
ディング後のリード強度が弱くなってしまう。このた
め、図示しないが、折り曲げ性の要する部位にはスリッ
ト状にポリイミドテープを打ち抜き、更に、この部位の
片面又は両面にフレックス樹脂(ポリイミド系)をコー
ティングして、リードの折り曲げ強度を増す必要があっ
た。
【0009】また、従来のTABテープでAu・Snの
ギャグボンドを行うと、インナーリード34iに加熱ツ
ール22がダイレクトに接触するため、この加熱ツール
22がSn合金で汚れてしまう。この汚れはAu・Sn
溜り等のボンディング不良を引き起こすため、定期的に
この加熱ツール22を研磨する必要があった。
ギャグボンドを行うと、インナーリード34iに加熱ツ
ール22がダイレクトに接触するため、この加熱ツール
22がSn合金で汚れてしまう。この汚れはAu・Sn
溜り等のボンディング不良を引き起こすため、定期的に
この加熱ツール22を研磨する必要があった。
【0010】そこで本発明の目的は、フレックス樹脂を
塗布せずにリードの折り曲げ強度を向上させてファイン
ピッチTAB用テープキャリアを実現すると共に、イン
ナーリードボンディングの際に加熱ツールを汚すことな
く安定してボンディングできるTAB用テープキャリア
を提供することにある。
塗布せずにリードの折り曲げ強度を向上させてファイン
ピッチTAB用テープキャリアを実現すると共に、イン
ナーリードボンディングの際に加熱ツールを汚すことな
く安定してボンディングできるTAB用テープキャリア
を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1の発明は、インナーリードが形成される薄い
銅箔にテフロン(登録商標)をコーティングしたシート
に、デバイスホールが形成された接着剤付きポリイミド
テープを貼り合わせたTAB用テープキャリアにおい
て、上記テフロン(登録商標)は、上記インナーリード
と上記ポリイミドテープとの間に位置し、かつ、上記デ
バイスホールを塞いでいることを特徴とするものであ
る。
に請求項1の発明は、インナーリードが形成される薄い
銅箔にテフロン(登録商標)をコーティングしたシート
に、デバイスホールが形成された接着剤付きポリイミド
テープを貼り合わせたTAB用テープキャリアにおい
て、上記テフロン(登録商標)は、上記インナーリード
と上記ポリイミドテープとの間に位置し、かつ、上記デ
バイスホールを塞いでいることを特徴とするものであ
る。
【0012】請求項2の発明は、上記テフロンの厚さが
1〜20μmであるものである。
1〜20μmであるものである。
【0013】すなわち、40μmピッチのTAB用テー
プキャリア開発のために、従来の銅箔の厚さを18μm
から5〜12μmと薄くすると共に、リード強度を向上
させるべく、銅箔の片面にテフロン(登録商標)を押出
しでコーティングした複合材をベーステープとして用い
た。このテフロンテープの厚さは1〜20μmである。
そして、このベーステープのテフロンテープ側に、従来
のTAB用テープキャリアと同一の接着剤付きポリイミ
ドテープを、デバイス部、スリット部他パンチングした
後で貼り合わせる。
プキャリア開発のために、従来の銅箔の厚さを18μm
から5〜12μmと薄くすると共に、リード強度を向上
させるべく、銅箔の片面にテフロン(登録商標)を押出
しでコーティングした複合材をベーステープとして用い
た。このテフロンテープの厚さは1〜20μmである。
そして、このベーステープのテフロンテープ側に、従来
のTAB用テープキャリアと同一の接着剤付きポリイミ
ドテープを、デバイス部、スリット部他パンチングした
後で貼り合わせる。
【0014】インナーリードの形成にあっては、その
後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、ソ
ルダーレジストめっきを行う。
後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、ソ
ルダーレジストめっきを行う。
【0015】これにより、折り曲げ部のフレックス樹脂
(ポリイミド系)塗布工程は省略できる。
(ポリイミド系)塗布工程は省略できる。
【0016】また、インナーリードボンディングの際
に、テフロンテープを介して加熱し、加熱ツールがイン
ナーリードに直接触らない構造にしているため、加熱ツ
ールの研磨や清掃が不要になる。
に、テフロンテープを介して加熱し、加熱ツールがイン
ナーリードに直接触らない構造にしているため、加熱ツ
ールの研磨や清掃が不要になる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適実施の形態を
添付図面を参照しながら詳述する。
添付図面を参照しながら詳述する。
【0018】図1に本発明のTAB用テープキャリアに
インナーリードを形成したTABテープの側面図を示
す。
インナーリードを形成したTABテープの側面図を示
す。
【0019】図1に示すように、本発明のTAB用テー
プキャリア10は、ポリイミドテープで形成されデバイ
スホールh及びスリットホール(図示せず)等を有する
30〜70μm厚のベースフィルム12と、そのベース
フィルム12上に形成され、上記デバイスホールh内に
臨んでインナーリード18iを有する5〜12μm厚の
銅箔18と上記デバイスホールhを塞ぐと共に上記イン
ナーリード18iを支持する1〜20μm厚のテフロン
(登録商標)16とからなるベースフィルム20とで構
成されており、このベースフィルム12とベーステープ
20とは、接着剤14で貼り合わされている。
プキャリア10は、ポリイミドテープで形成されデバイ
スホールh及びスリットホール(図示せず)等を有する
30〜70μm厚のベースフィルム12と、そのベース
フィルム12上に形成され、上記デバイスホールh内に
臨んでインナーリード18iを有する5〜12μm厚の
銅箔18と上記デバイスホールhを塞ぐと共に上記イン
ナーリード18iを支持する1〜20μm厚のテフロン
(登録商標)16とからなるベースフィルム20とで構
成されており、このベースフィルム12とベーステープ
20とは、接着剤14で貼り合わされている。
【0020】インナーリード18iは、ボンディングさ
れるICチップCのAuバンプaの数に合わせて形成さ
れると共に、ICチップCのAuバンプaの位置に合わ
せて40μmピッチで整列している。
れるICチップCのAuバンプaの数に合わせて形成さ
れると共に、ICチップCのAuバンプaの位置に合わ
せて40μmピッチで整列している。
【0021】このTAB用テープキャリア10を作製す
るに際しては、先ず、接着剤14付きポリイミドテープ
を所定の幅でスリットし、デバイスホールh及びスリッ
トホール(図示せず)等をパンチングしてベースフィル
ム12を作製する。次に所定の幅の銅箔18を用意し、
片面にテフロン(登録商標)16を押出しでコーティン
グしてベースフィルム20を作製する。そして、このベ
ースフィルム20のテフロン(登録商標)16面にベー
スフィルム12の接着剤14面を向けて、テフロン(登
録商標)16でデバイスホールhを塞ぐように貼り付け
る。
るに際しては、先ず、接着剤14付きポリイミドテープ
を所定の幅でスリットし、デバイスホールh及びスリッ
トホール(図示せず)等をパンチングしてベースフィル
ム12を作製する。次に所定の幅の銅箔18を用意し、
片面にテフロン(登録商標)16を押出しでコーティン
グしてベースフィルム20を作製する。そして、このベ
ースフィルム20のテフロン(登録商標)16面にベー
スフィルム12の接着剤14面を向けて、テフロン(登
録商標)16でデバイスホールhを塞ぐように貼り付け
る。
【0022】次に、このTAB用テープキャリア10に
インナーリード18iを形成してTABテープを作製す
るに際しては、TAB用テープキャリア10の銅箔18
面にフォトレジストを塗布し、所望のリードパターンが
形成されたフォトマスクにより、インナーリード18i
がデバイスホールh内に臨むようにこのパターンを露光
し、レジストを剥離して現像する。そして、その銅箔1
8をエッチングしてインナーリード18iを形成し、最
後に、このインナーリード18iの表面にSn合金をめ
っきする。
インナーリード18iを形成してTABテープを作製す
るに際しては、TAB用テープキャリア10の銅箔18
面にフォトレジストを塗布し、所望のリードパターンが
形成されたフォトマスクにより、インナーリード18i
がデバイスホールh内に臨むようにこのパターンを露光
し、レジストを剥離して現像する。そして、その銅箔1
8をエッチングしてインナーリード18iを形成し、最
後に、このインナーリード18iの表面にSn合金をめ
っきする。
【0023】次に、ICチップの実装時のボンディング
方法を図2と共に説明する。図中、22は加熱ツールを
示し、24はステージ加熱ツールを示している。
方法を図2と共に説明する。図中、22は加熱ツールを
示し、24はステージ加熱ツールを示している。
【0024】このTAB用テープキャリア10とICチ
ップCをボンディングするに際しては、ICチップCを
そのAuバンプaを上に向けてステージ加熱ツール24
上に載置し、ICチップCの上にTAB用テープキャリ
ア10を重置すると共に、それぞれのインナーリード1
8iの先端をそれぞれのAuバンプaの位置に合わせ
る。次に、加熱ツール22を矢印s方向に移動させ、デ
バイスホールhを通してテフロン(登録商標)16に押
付ける。そして、この加熱ツール22を500℃程度ま
で昇温してテフロン(登録商標)16を介してSn合金
を溶解させ、インナーリード18iとAuバンプaとを
ボンディングする。
ップCをボンディングするに際しては、ICチップCを
そのAuバンプaを上に向けてステージ加熱ツール24
上に載置し、ICチップCの上にTAB用テープキャリ
ア10を重置すると共に、それぞれのインナーリード1
8iの先端をそれぞれのAuバンプaの位置に合わせ
る。次に、加熱ツール22を矢印s方向に移動させ、デ
バイスホールhを通してテフロン(登録商標)16に押
付ける。そして、この加熱ツール22を500℃程度ま
で昇温してテフロン(登録商標)16を介してSn合金
を溶解させ、インナーリード18iとAuバンプaとを
ボンディングする。
【0025】このボンディングの際に、インナーリード
18iのSnめっきが溶解しても、テフロン(登録商
標)16はこのSn合金が加熱ツール22に転移するの
を防ぐので、加熱ツール22は汚れない。
18iのSnめっきが溶解しても、テフロン(登録商
標)16はこのSn合金が加熱ツール22に転移するの
を防ぐので、加熱ツール22は汚れない。
【0026】以上説明したように、本発明のTAB用テ
ープキャリアにより、インナーリード18iがテフロン
(登録商標)16に支持されるので、リードの折り曲げ
強度を向上できる。従って、銅箔18を薄く形成できる
ので、インナーリード18iのファインピッチが実現で
きる。
ープキャリアにより、インナーリード18iがテフロン
(登録商標)16に支持されるので、リードの折り曲げ
強度を向上できる。従って、銅箔18を薄く形成できる
ので、インナーリード18iのファインピッチが実現で
きる。
【0027】また、インナーリードボンディングの際
に、テフロン(登録商標)16を介してインナーリード
18iを加熱するので、加熱ツール22が汚れない。
に、テフロン(登録商標)16を介してインナーリード
18iを加熱するので、加熱ツール22が汚れない。
【0028】尚、本実施の形態においては、ベースフィ
ルムをポリイミドテープで形成したが、テフロン(登録
商標)自体が電気絶縁性を有するので、ベースフィルム
の材料はポリイミドに限定されないことは勿論である。
ルムをポリイミドテープで形成したが、テフロン(登録
商標)自体が電気絶縁性を有するので、ベースフィルム
の材料はポリイミドに限定されないことは勿論である。
【0029】
【実施例】実施例1 Cu箔の厚さ8μm、テフロン(登録商標)の厚さ10
μm、ポリイミドテープの厚さ50μmのTAB用テー
プキャリアを作製し、インナーリードを40μmピッチ
で形成してファインピッチTABテープを作製した。
μm、ポリイミドテープの厚さ50μmのTAB用テー
プキャリアを作製し、インナーリードを40μmピッチ
で形成してファインピッチTABテープを作製した。
【0030】比較例1 実施例1とは別に、比較例1として、従来技術に基づい
て作製したTABテープにスリット部を形成し、該スリ
ット部におけるリードの両面にフレックス樹脂をコーテ
ィングしたTABテープを作製した。
て作製したTABテープにスリット部を形成し、該スリ
ット部におけるリードの両面にフレックス樹脂をコーテ
ィングしたTABテープを作製した。
【0031】次に、これら実施例1と比較例1のTAB
テープの折り曲げ強度(90°往復曲げ)実験を行なっ
た。
テープの折り曲げ強度(90°往復曲げ)実験を行なっ
た。
【0032】その結果、比較例1のTABテープの折り
曲げ強度が60回に対して、本発明のTABテープは、
片面のシールであるが、80回と強いことが分かった。
曲げ強度が60回に対して、本発明のTABテープは、
片面のシールであるが、80回と強いことが分かった。
【0033】また、実装時の加熱に際しては、従来タイ
プでは20IC毎に加熱ツールのクリーニングを行なわ
なければならなかったが、本発明のTAB用テープキャ
リアにより、このクリーニングが不要になった。
プでは20IC毎に加熱ツールのクリーニングを行なわ
なければならなかったが、本発明のTAB用テープキャ
リアにより、このクリーニングが不要になった。
【0034】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、テフロン
(登録商標)が、インナーリードとポリイミドテープと
の間に位置し、かつ、デバイスホールを塞いでいること
から、フレックス樹脂を塗布しなくてもリード強度を向
上できるので、容易にファインピッチTABテープが実
現できる。
(登録商標)が、インナーリードとポリイミドテープと
の間に位置し、かつ、デバイスホールを塞いでいること
から、フレックス樹脂を塗布しなくてもリード強度を向
上できるので、容易にファインピッチTABテープが実
現できる。
【0035】また、インナーリードボンディングの際
に、テフロン(登録商標)を介してデバイスホールを塞
いだ状態で、インナーリードの表面のSn合金を加熱す
るので加熱ツールが汚れず、また、加熱ツールの研磨や
清掃を排除できる。これにより、インナーリードボンデ
ィングの際にボンディングを中断することがなくなり、
ボンディング作業効率が向上する。
に、テフロン(登録商標)を介してデバイスホールを塞
いだ状態で、インナーリードの表面のSn合金を加熱す
るので加熱ツールが汚れず、また、加熱ツールの研磨や
清掃を排除できる。これにより、インナーリードボンデ
ィングの際にボンディングを中断することがなくなり、
ボンディング作業効率が向上する。
【0036】更に、ポリイミドテープ上に銅箔を形成す
るに際して、予め銅箔全面にテフロン(登録商標)をコ
ーティングして銅箔を支持しながら貼り合わせたので、
ごく薄い銅箔を容易にポリイミドテープ上に貼設でき
る。
るに際して、予め銅箔全面にテフロン(登録商標)をコ
ーティングして銅箔を支持しながら貼り合わせたので、
ごく薄い銅箔を容易にポリイミドテープ上に貼設でき
る。
【図1】本発明のTAB用テープキャリアにリードを形
成したTABテープの側面図である。
成したTABテープの側面図である。
【図2】図1のTABテープにICチップを実装する際
のインナーリードボンディング法を示す図である。
のインナーリードボンディング法を示す図である。
【図3】従来のTAB用テープキャリアにリードを形成
したTABテープの側面図である。
したTABテープの側面図である。
【図4】図3のTABテープにICチップを実装する際
のインナーリードボンディング法を示す図である。
のインナーリードボンディング法を示す図である。
10 TAB用テープキャリア(TABテープ) 12 ベースフィルム(ポリイミドフィルム) 14 接着剤 16 テフロン(登録商標) 18 銅箔 18i インナーリード 20 ベーステープ
Claims (2)
- 【請求項1】 インナーリードが形成される薄い銅箔に
テフロン(登録商標)をコーティングしたシートに、デ
バイスホールが形成された接着剤付きポリイミドテープ
を貼り合わせたTAB用テープキャリアにおいて、 上記テフロン(登録商標)は、上記インナーリードと上
記ポリイミドテープとの間に位置し、かつ、上記デバイ
スホールを塞いでいることを特徴とする TAB用テープ
キャリア。 - 【請求項2】 上記テフロン(登録商標)の厚さが1〜
20μmである請求項1記載のTAB用テープキャリ
ア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08246562A JP3090061B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Tab用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08246562A JP3090061B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Tab用テープキャリア |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1093007A JPH1093007A (ja) | 1998-04-10 |
JP3090061B2 true JP3090061B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=17150267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08246562A Expired - Fee Related JP3090061B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Tab用テープキャリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3090061B2 (ja) |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP08246562A patent/JP3090061B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1093007A (ja) | 1998-04-10 |
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